3.
LES TYPES DE SEMICONDUCTEURS
3.1 Semi-conducteur Intrinsèque :
Dans un semi-conducteur
et passe dans la bande de conduction, un trou apparaît dans la bande de valence. La quantité
commune est
appelée concentration intrinsèque, ni. Le matériau est dit dans ce cas intrinsèque.
e- libre
Si Si Si Si
Trou
mobile
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Figure 3.1 -trou
a) Concentration intrinsèque
La concentration des électrons dans la bande de conduction et la concentration des trous dans la
bande de valence sont égales à ni :
n = p = ni (3.1)
or :
(3.2) et (3.3)
On peut donc exprimer la concentration intrinsèque par :
(3.4)
Dans cette relation on constate que la concentration intrinsèque dépend très fortement de la
température.
b) Position du niveau de Fermi dans un matériau intrinsèque.
Pour déterminer la position du niveau de Fermi on repart des équations (2.6) et (2.7) donnant les
puisque p = n, à partir de ces deux équations nous obtenons :
1
:
Ainsi, le niveau de Fermi intrinsèque (correspondant au matériau intrinsèque), se trouve à peu près
au milieu de la bande interdite du matériau.
Figure 3.1 : position du niveau de Fermi intrinsèque dans un monocristal parfait. Il se situe
approximativement au milieu de la bande interdite à température ambiante.
3.2 Semi-conducteur Extrinsèque :
is et
dopants. On obtient alors un
semiconducteur extrinsèque ou dopé.
Selon la nature des atomes introduits, soit le
nombre de trous et le semiconducteur est appelé de type n, soit le nombre de trous devient très
supérieur à celui des électrons et le semiconducteur est appelé de type p.
1°) Notion de dopage
5 par exemple (colonne III ou V du tableau de Mendéléev). Si tout va bien technologiquement (cf.
cours de technologie microélectronique intégrée), les atomes vont prendre la place des atomes du
-à-dire se mettre en site substitutionnel comme représenté figures 9 et 10. Nous allons
a) dopage de type n ou donneur
colonne V, par exemple du phosphore. La couche externe de cet
atome comporte, 5 électrons. Les 4 électrons vont entrer en liaison avec les 4 electrons du
2
semiconducteur (Silicium) pour former 4 liaisons covalentes. Une électron libre du phosphore
phosphore se retrouve avec 4
electrons de valence avec une charge et devient un ion positif. . Cet atome a ainsi un
fourni un électron au cristal (dans sa bande de conduction),
donneur. Notons que la charge totale du cristal reste nulle, le cristal étant
globalement neutre.
b) dopage de type p ou accepteur
colonne III, par exemple du bore. La couche externe de cet
atome comporte, 3 électrons, cet atome va contribuer à formes 3 liaisons covalente avec le
semiconducteur (Si) . un trous libre du bore circule dans le cristal et se recombine avec un électrons
retrouve avec une charge électrique négative de
électron et devient ainsi un ion négatif.
atome accepteur
totale du cristal reste toujours nulle, le cristal étant globalement neutre.
Figure 3.2 a)- Dopage des SC de groupe IV par un élément de la colonne V
b)- Dopage des SC de groupe IV par un élément de la colonne III
3.2 .1 Semi-conducteur de type N.
Le semi-conducteur est globalement neutre : la somme des charges positives est égale à celle des
des trous et
:
des charges positives = charges négatives
p +Nd+ = n
En supposant que tous les ions sont ionisés ie Nd+ = Nd , nous obtenons : p +Nd = n
Sachant que : n.p = ni2
3
:
équation qui admet une solution du type :
Ainsi si Nd ni alors n =Nd et
En conclusion, dans un semiconducteur de type n affirmé,
- les électrons sont majoritaires,
- la concentration en électrons est pratiquement égale à la concentration de dopant,
- les trous sont minoritaires.
3.2 .2 Semi-conducteur de type P.
Le semiconducteur est globalement neutre : la somme des charges positives est égale à celle des
des ions accepteurs.
des charges positives = charges négatives
p = n +Na-
En supposant que tous les ions sont ionisés ie Na- = Nd , nous obtenons : p = n+Na
Sachant que : n.p = ni2
équation qui admet une solution du type :
Ainsi si Na ni alors p =Na et
En conclusion, dans un semiconducteur de type p affirmé,
- les trous sont majoritaires,
- la concentration en trous est pratiquement égale à la concentration de dopant,
- les électrons sont minoritaires.
4
3.2.3) Cas général
Dans le cas général, les deux types de dopants peuvent exister simultanément dans le matériau.
semiconducteur est toujours globalement neutre. En faisant le bilan des charges présentes, il y a des
électrons, des trous et des ions accepteurs et donneurs.
des charges positives = charges négatives
p + Nd = n + Na-
+
Le semi-conducteur sera de type n ou de type p :
Type n si Nd+ Na-
Type p si Na- Nd+
3.2.4) Position du niveau de Fermi
a) C
relations suivantes :
n ND, ce qui donne par
remplacement :
En appelant Ei, la position du niveau de Fermi dans le cas où le matériau serait intrinsèque, nous
aurions la relation suivante :
5
Le niveau de Fermi se décale donc progressivement du milieu de la bande interdite vers la bande
de conduction lorsque le dopage de type n augmente comme représenté figure suivante :
Figure 3.5 Position du niveau de Fermi et valeur correspondante des concentrations de dopants de
type n à température ambiante. EF
est élevé.
b) C
Dans le cas où le matériau est de type p de concentration de dopant accepteur, NA, nous
obtenons :
plus près du sommet de la bande de valence, que le matériau sera plus dopé.
Figure 3.6 Position du niveau de Fermi et valeur correspondante de la concentration des dopants
dans un semiconducteur de type p , à température ambiante. Au plus le dopage est fort, au plus le