République Algérienne Démocratique et Populaire
Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche
scientifique
Université Amar Thelidji – Laghouat
Faculté des Sciences
Département d’Electronique
Option : Master microelectronique
TP 2 : Simulation analytique de la photodiode avec Pspice
Réalisé par :
Grinat Hisham
Allaoui lakhdhar
Encadré par:
Mahoub Abdel hafidh
Promotion : 2020/2021
Partie théorique :
1/ schema equivalent de photodiode :
Principe :
Lorsqu’un photon, d’énergie suffisante, pénètre dans la zone de charge
d’espace (ZCE) d’une jonction PN, il génère, du fait de son absorption, une
paire électron/trou. Cette dernière est alors dissociée sous l’action du champ
E et chacun de ces photoporteurs est propulsé vers la région dans laquelle il
sera majoritaire. Le déplacement de ces porteurs est à l’origine du
photocourant.
Cependant, afin d’obtenir un bon courant, il est important de limiter le
nombre de recombinaisons de paires électron/trou (sources de bruit) avec ces
photoporteurs. Aussi, il est nécessaire que les photons soient absorbés dans
une zone dénuée de porteurs de charges mobiles, la ZCE.
Si une région est plus dopée qu’une autre, la ZCE se forme principalement
sur celle la moins dopée. Or, un semi-conducteur intrinsèque a la propriété,
par définition, de ne pas être dopé. Aussi, face aux régions de type P et de
type N qui sont très fortement dopées, la ZCE va s’étendre essentiellement
sur la partie intrinsèque. L’intérêt de la photodiode PIN est donc
d’augmenter artificiellement la taille de la ZCE. Ainsi, la majorité des
photons y est absorbée. De plus, cette région intrinsèque étant pure (99.99%
pour le silicium), la vitesse des porteurs y est significativement augmentée.
En effet, ces derniers n’y subissent que très peu de collisions du fait de cette
absence d’impureté.
Enfin, afin qu’un maximum de photons atteignent la ZCE, la zone traversée
par le flux (P dans la figure ci-contre) doit être de faible épaisseur.
Ainsi une photodiode PIN a un meilleur rendement qu’une photodiode
usuelle.
Le rendement correspond au nombre de paires électrons/trous générées, par
photon absorbé, participant au photocourant.
Photodiode caractéristique
Une photodiode peut être représentée par une source de courant Iph
(dépendant de l’éclairement), en parallèle avec la capacité de jonction Cj et
une résistance de shunt Rsh d'une valeur élevée (caractérisant la fuite de
courant), l'ensemble étant en série avec une résistance interne Rs :
résistance de shunt : la résistance de shunt d'une photodiode idéale est
infinie. En réalité cette résistance est comprise entre 100 kΩ et 1 GΩ selon la
qualité de la photodiode. Cette résistance est utilisée pour calculer le courant
de fuite (ou bruit) en mode photovoltaïque, c'est-à-dire sans polarisation de
la photodiode.
capacité de jonction : cette capacité est due à la zone de charge ; elle est
inversement proportionnelle à la largeur de charge d'espace
(W) :
. Où A est la surface de coupe de la photodiode. W est proportionnel à la
polarisation inverse et la capacité diminue si la polarisation augmente. Cette
capacité oscille autour de 100 pF pour les faibles polarisations à quelques
dizaines de pF pour les polarisations élevées.
résistance interne : cette résistance est essentiellement due à la résistance du
substrat et aux résistances de contact. Rs peut varier entre 10 et 500Ω selon
la surface de la photodiode.
Autres caractéristiques :
temps de réponse : il est habituellement défini comme le temps nécessaire
pour atteindre 90 % du courant final dans la photodiode. Ce temps dépend
de 3 facteurs :
ttransit : temps de parcours des porteurs dans la zone de charge d'espace.
tdiffusion : temps de parcours des porteurs dans les régions neutres.
la constante de temps tτ : constante de temps du schéma équivalent.
Ainsi la constante de temps est égale à :
. Mais chaque temps est difficile à déterminer ; seul le temps global est pris
en compte. En général le temps de diffusion est plus lent que le temps de
transit.
photosensibilité : elle est définie par
et détermine les conditions d’utilisation (200 nA/Lux pour les photodiodes
au germanium (Ge), 10 nA/Lux pour les photodiodes au silicium (Si)). Les
photodiodes Ge présentent une photosensibilité plus importante mais leur
courant d'obscurité est notable I0 = 10 uA. Il est donc préférable d’utiliser
des photodiodes Si (I0 = 10 pA) pour la détection des éclairements faibles.
rendement de capture : c’est le rapport du nombre de charges élémentaires
traversant la jonction sur le nombre de photons incidents. Ce rendement
dépend de la longueur d’onde du rayonnement et des paramètres de
construction du composant. Il va définir le domaine spectral d’utilisation du
détecteur.
une photodiode peut etre utilisée suivant deux modes de fonctionnement
lequel
Mode photoconducteur : Porteurs de charges séparés par un champ
électrique externe (photorésistance ou photodiode polarisée en inverse)
Mode photovoltaïque : Séparation produite par l ’existence du ddp interne
au dispositif, créée par une jonction (jonction PN ou PIN) pas de polarisation
externe
L'efficacité quantique QE
(Quantum Efficiency en anglais) est le rapport entre le nombre de charges
électroniques collectées et le nombre de photons incidents sur une surface
photoréactive. Ce paramètre permet de caractériser un composant
photosensible, comme un film photographique, une cellule photovoltaïque
ou un capteur CCD, en termes de sensibilité électrique à la lumière.
Temps de réponse : il est habituellement défini comme le temps nécessaire
pour atteindre 90 % du courant final dans la photodiode. Ce temps dépend
de 3 facteurs :
ttransit : temps de parcours des porteurs dans la zone de charge d'espace.
tdiffusion : temps de parcours des porteurs dans les régions neutres.
la constante de temps tτ : constante de temps du schéma équivalent.
Ainsi la constante de temps est égale à :
. Mais chaque temps est difficile à déterminer ; seul le temps global est pris
en compte. En général le temps de diffusion est plus lent que le temps de
transit.
Partie pratique :
1/Schema de simulation du circuit photodiode :
2/définition du type de simulation :
3/La variation du courant de la photodiode en fonction de la tension :
4/ La variation du I de la photodiode en fonction de V1 :