République Algérienne Démocratique et Populaire
Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche
scientifique
Université Amar Thelidji – Laghouat
Faculté des Sciences
Département d’Electronique
Option : Master microelectronique
TP 2 : Simulation analytique de la photodiode avec Pspice
Réalisé par :
Hamdaoui Mohammed abdel basset
Grinat Hisham
debba ahmed badr eddine
Encadré par:
mahoub
Promotion : 2020/2021
Partie theorique;
L’état passant et bloqu e d’un NMOC et PMOS
Dans un premier temps, on ne retient que les états bloqu ´ es et
´satures pour chacun des deux transistors. ´.
Avec ces hypotheses, aucun courant de fuite : donc aucune perte (on
verra apres les limites de cette hypothèse).
. Dans un premier temps, on ne retient que les etats bloqu ´ es et
´satures pour chacun des deux transistors. ´.
Avec ces hypotheses, aucun courant de fuite : donc aucune perte (on
verra apres les limites de cette hypoth ` ese).`
Le transistor NMOS est donc passant si VG = VDD et bloque si ´ VG
= 0.
.
.
Au contraire, un transistor PMOS est passant si VG = 0 et bloque´
si VG = VDD
Regimes de fonctionnement des transistors ´ MOS
Regimes de fonctionnement des transistors PMOS´
La structur dun transisto CMOS
La partie Pratique :
Dessin du circuit avec le module DSCH de Microwind :
Réalisation de circuit cmos :
Assurez-vous que le circuit fonctionne
Créer le fichier verilog :
Revenir à l’éditeur « lay-out » en cliquant sur « Back to editor »
Simuler le circuit :
5. Répondez aux questions :
a. Voltage vs time :
B. Frequency vs time
c. voltage vs voltage :
D. voltage and current :
e. Id = f(Vd) LEVEL 1 :
F. Id = f(Vg) LEVEL 1 :
2. Après changes la technology:
3. Monter l’influence de la fréquence sur la réponse du signal :