Génération et Recombinaison

des porteurs de charges 6

 Semiconducteurs hors équilibre thermodynamique

Les caractéristiques, l'efficacité et les limites des appareils

sont déterminées par les propriétés des porteurs hors
d'équilibre.

Les paramètres des porteurs minoritaires jouent un rôle

majeur dans ces propriétés.

A l’équilibre thermodynamique: n0 p0  n 2
i

Dès que l’équilibre thermodynamique n’est pas maintenu: np  n 2

i
- Si np  ni2 on a le processus d’injection.

- Si np  ni2 on a le processus d’extraction.

-2-
Chap: VI
 Semiconducteur hors équilibre thermodynamique:
Génération des porteurs
- e
 fon Soit un photon tq:

Génération  Si hn  E g
Pas de création de paire électron /trou

hn>Eg
 Si hn  E g
- e Possibilité de création de
paire électron /trou
thermalisation

+ h
+ h
 fon

L’énergie hn  Eg sera perdue par relaxation des porteurs (thermalisation)

Chap: VI -3-
 Semiconducteurs à gap directe et
indirecte: Concept de l'espace k-2
Dans l‘espace d’énergie –moment
(E-k)
2
k2
Energie

E  EC 
2mC*

Moment E= énergie phonon

k = moment du phonon
Moment
2
k2
Energie

E  EV 
2mV*
Gap Directe Gap indirecte

A Noter la relation parabolique entre l'énergie et de le vecteur d’onde

Pour les trous, qui sont censés être à charge positive, la relation est inversée

-4-
Chap: VI
 Phonon
 Les atomes vibrent autour de leur position moyenne à une
température finie. Ces vibrations produisent des ondes
vibratoires à l'intérieur du cristal.
 Les Phonons sont les quanta de ces ondes vibratoires. Les
Phonons se déplacent avec une vitesse égale à la vitesse du
son.
 Leur longueur d'onde est déterminée par la constante de réseau
cristallin. Phonons ne peut exister qu’à l'intérieur du cristal.
 La transition qui implique des phonons sans produire des photons
sont appelés transitions non radiatives.
 Ces transitions sont observées dans les semiconducteurs à bande
interdite indirecte.
 Ainsi, afin d'avoir LED et laser efficaces, il faut choisir des
matériaux ayant des bandes interdites directes telles que le
composé S / C de GaAs, AlGaAs, etc

-5-
Chap: VI
 CALCUL
• Pour GaAs, calculer l’énergie typique du photon (gap) et la quantité de
mouvement, et les comparer à celles du phonons qui pourraient être prévu
avec ce matériel

photon phonon

E(photon) = Eg(GaAs) = 1.43 ev E(phonon) = h  = hv s /λ

E(photon) = h  = hc / λ
= hvs / a0
Avec a0 constante du réseau

c= 3x108 m/sec λ (phonon) ~a0 =5.65x10-10 m

P=h/λ h=6.63x10-34 J-sec

Vs= 5x103 m/sec ( velocity of sound)

λ (photon)= 1.24 / 1.43 = 0.88 μm

E(phonon) = hvs / a0 =0.037 eV
P(photon) = h / λ = 7.53 x 10-28 kg-
m/sec P(phonon)= h / λ = h / a0 = 1.17x10-24 kg-m/sec

Chap: VI -6-
 • Energie du Photon = 1.43 eV
• Energie du Phonon = 37 meV
• Quantité de mouvement du Photon = 7.53 x 10-28 kg-m/sec
• Quantité de mouvement du Phonon= 1.17 x 10-24 kg-m/sec

Les Photons portent une grande quantité d’énergies, mais une quantité
de mouvement négligeable.

D'autre part, les phonons portent très peu d'énergie mais une
quantité de mouvement significative

Chap: VI -7-
 Irradiation Solaire - Définitions
>Air mass définition
Air mass 1(AM 1):
L'irradiation solaire avec le soleil
dans le zénith au niveau de la
mer à l'équateur

Air mass 0 (AM 0): AM 0

L'irradiation solaire à l'extérieur
de l'atmosphère de la terre
I=135.3mWcm-2

Air mass 2 (AM 2): AM 1

a AM x d
La lumière du soleil traverse 2
épaisseurs d'atmosphère (le Atmosphère
spectre diffèrent de AM1 en
raison des pertes atmosphériques) Surface de la terre
a = 60°

Chap: VI -8-
 Spectre Solaire et rendement théorique
Pertes atmosphérique

(i) Diffufion Rayleigh I~l-4

(dparticle << l , i.e. < 50nm)
(ii) absorption électronique de O2,
N2 et O3 (absorption presque
complète pour l  290nm)
(iii) absorption infrarouge par
rotation moléculaire et modes
de vibration de CO2 et H2O
(iv) Diffusion par les aérosols
et particules de poussière
(v) Changements spectraux
due aux changements dans
indice de réfraction de
l’atmosphère (température,
pression, turbulences,
contenu de vapeur d'eau)

Chap: VI -9-
Chap: VI -10-
 Tout le spectre électromagnétique

E eV  
1.24

Yellow
Green

Violet
Red
l m 

Blue
Infrared Visible Ultraviolet

InN GaAs GaP GaN

InS Ge Si CdS Cd SiC ZnS AlGaN AlN
b e S

Eg (eV)
0 1 2 3 4 5 6

l (m) 7 5 3 2 1 0.8 0.6 0.4 0.3 0.2

Chap: VI -11-
 Coefficient absorption
La dépendance d'énergie de photon du
coefficient absorption est exprimée
par le terme
(hn  Eg )1/ 2
a (hn )  A trans. directe
hn
a (hn )  B *(hn  Eg )1/ 2 trans. indirecte
Le coefficient absorption augmente avec la racine carrée de l'énergie de
photon et le début de l'absorption est au gap
A et B* sont différent

Supposons : A = B* = 104; ils peuvent différer par ~ 5x102 (Ge / GaAs) mais
même si on les prend égaux, Des différences notables ont lieu.
Notons : pour hn grand , des transitions interbande peuvent aussi avoir lieu
dans des semiconducteurs à gap indirects.
Relation entre a et intensité de la lumière I (Loi de Baer-Lambert) :

I  I 0ea x I0 : Intensité de la lumière incidente

x : distance de la surface
Chap: VI -12-
 Pour un semiconducteur type n à l’équilibre thermodynamique:
nn0=1016 cm-3 ≈ ND ; pn0=104 cm-3
AM1: Aire masse 1 ; c’est l’énergie solaire à midi
AM1 F ≈ 1017 photons /cm2/s. hn>Eg

En 1ére approximation les photons sont absorbés dans une épaisseur de 1/a
Pout le Silicium a = 102 cm-1
1/a = 100m c’est l’épaisseur du silicium ou de la lumière est absorbée

Soit G le taux des porteurs photogénérés:

F
G  a F  1019 cm3 s 1
1/ a

Chap: VI -13-
 Excitation lumineuse  génération de paires
électrons-trous (cas d’un semi-conducteur type n).
nn  nn0  n
pn  pn0  p

Les porteurs ainsi créés ont une durée de vie:   100 s pour le Si

n  p  G  1019104  1015 cm3

nn  nn0  n  1016  1015  1016 cm 3
pn  pn0  p  104  1015  1015 cm 3
pn  p

Comme pn<nn0 on est en faible injection

A 100 soleils: Δn= Δp= 1017cm-3 > nno  Forte injection

Chap: VI -14-
 Equation de continuité,
Durée de vie des porteurs
pn 1
 div J p  G  R
t q
G – taux de génération : nombre de paires électron-trou créé / cm3 /s
R – taux de recombinaison: nombre de paires électron-trou annihilé / cm3 /s
Une paires électron-trou est annihilé si un électron transite de la BC vers la BV
pn
 En régime permanent 0
t
1
Si il n y a pas de conduction de courant: div J p  0
q
Donc : GR

 En équilibre thermodynamique Gth  Rth

Chap: VI -15-
  Hors d’équilibre: On crée GL électrons/trous par la lumière

pn 1 R  a n p
 div J p  GL  Gth  R avec
t q
En régime permanent et pas de courant électrique:

GL  R  Gth  U Taux net de recombinaison

On écrit donc:

pn 1
 div J p  G  U Génération et recombinaison
t q autre que thermique
Origine
externe

Chap: VI -16-
  Exemple nn0  1016 ; pn0  2 104 ;
GL  1019 cm3 s 1 ; nn  1016 cm3 ; pn 105 cm3

A l’équilibre thermodynamique:

nn0 pn0  ni2 et Uth  0

Hors d’équilibre thermodynamique:

nn pn  nn0 pn0  0 et U 0

U  GL  a (nn pn  nn0 pn0 )

Pour un semiconducteur type n
pn  pn0 p
U  a  nn0 ( pn  pn0 )  
p p
1 1
avec  p  
a  nn0 a  N D  p est la duréede viedes porteurs minoritaires
Chap: VI -17-
 Génération et recombinaison
E

EC

EV

x
Génération Recombinaison Génération Recombinaison
thermique thermique radiative radiative

EC

EV

Chap: VI -18-
 Recombinaison
Les mécanismes de recombinaison qui ont tendance à
ramener le système à son équilibre initial
Radiatif Non radiatif

Thermique Auger Par pièges

- E~Eg
recombinaison linéaire

n
R
EC - e - e - e - e 

ET recombinaison quadratique

R   n 
hn~Eg Phonon 2

EV
+ h + h + h + h
recombinaison cubique (Auger)

R   n 
3

Chap: VI -19-
  Recombinaison Auger

L’électron e1 passe de la BC
vers la BV et disparaît. (a) (b)

L’électron e2 gagne Ef-Ei =Eg.

Eg e1 BC e1
e2
e2’

BV
e2
e1
e2
Ee1
Egap Plus probable dans les Plus probable dans les
semiconducteur type n semiconducteur type p
fortement dopés fortement dopés
distance entre électrons distance entre trous
très petite très petite
h k

Chap: VI -20-
  Recombinaison par pièges

 Les recombinaison par pièges sont liés aux défauts du cristal.

 Ce sont les impuretés qui entraînent l’existence de centres de
recombinaison..
 Il existe toujours des impuretés chimiques dans un cristal réel,
constituées d’atomes autres que ceux du semiconducteur considéré (S,
Au, Cu, Ag, Fe, ..).
 Ces impuretés induisent des niveaux d’énergie supplémentaires situés
dans la bande interdite du semiconducteur et qui sont appelés centres
de recombinaison
 Ces niveaux peuvent se comporter comme des centres accepteurs ou
donneur d’électrons.
 Ces niveaux mettent en jeu des énergie plus faibles que celles
correspondant à une transition bande-à-bande.
 Les recombinaisons SRH (Shockley, Read, Hall) sont décrites par
quatre processus: capture d’un électron, émission d’un électron,
capture d’un trou, émission d’un trou.
Chap: VI -21-
 Niveaux d’énergie dans la Bande interdite

Représentation
Schématique de la
recombinaison par piège
EC

ET

EV

Signe - indique accepteurs

Signe + indique donneurs

Chap: VI -22-
 Recombinaison indirecte (SHR)
SHR = Shockley-Hall-Read
E

Centre de
EC
recombinaison
ET
(trap)

EV

x
capture émission capture émission
électron électron trou trou

EC

ET

EV

Chap: VI -23-