Transistor MOS
n Semi-conducteur
n Transistor nMOS
n Transistor pMOS
[Link]@[Link]
Transistor MOS
Types de transistors
La technologie CMOS (MOS complémentaire) utilisée dans ce
cours comporte deux types de transistors:
le transistor MOS de type n ou simplement transistor nMOS
le transistor MOS de type p ou simplement transistor pMOS
L’appellation MOS des transistors en question découle de leur
abréviation anglaise MOSFET qui désigne à la fois la structure
et le fonctionnement du dispositif:
metal-oxyde-semiconductor field-effect-transistor
1
Transistor MOS
Classement des corps solides
Selon leur conductivité électrique les corps solides sont classés en
trois groupes:
les métaux présentent une grande conductivité pratiquement
indépendante de la température
les isolants ont une conductivité pratiquement nulle à toute
température
les semi-conducteurs sont caractérisés par une conductivité qui
augmente fortement avec la température, dépend fortement des
impuretés se trouvant dans le matériau et peut varier en surface
sous l’action d’un champ électrique
Semi-conducteur
Silicium pur: arrangement atomique
Le silicium pur est le semi-conducteur de base pour le substrat
2
Semi-conducteur
Silicium pur: atomes tétravalents
Le silicium (Si) possède quatre électrons de valence
Semi-conducteur
Silicium pur: libération d’un électron (énergie=1ev)
3
Semi-conducteur
Silicium dopé de type n: atome pentavalent (0,1ev)
Adjonction d’atomes donneurs: phosphore (P) ou arsenic (As)
Semi-conducteur
Silicium dopé de type p: atome trivalent
Adjonction d’atomes accepteurs: bore (B)
4
Semi-conducteur
Oxyde de silicium (SiO2): couche isolante (0,1µ)
Transistor nMOS
Coupe du transistor
S: source, G: grille, D: drain, B: substrat (en anglais: bulk)
5
Transistor nMOS
Vue spatiale du transistor
Transistor nMOS
Symbole du transistor
la diode symbolise les jonctions pn entre BD et BS
6
Transistor nMOS
Coupe du transistor utilisé en tripôle
Transistor nMOS
Symbole du transistor utilisé en tripôle
7
Transistor nMOS
Fonctionnement du transistor
Le transistor conduit lorsque VGS > VT
Le transistor est bloqué lorsque VGS < VT
VT : tension de seuil du transistor
VT ≈ 0,5 – 1 [V]
Transistor nMOS
Symbole simplifié du transistor
8
Transistor nMOS
Transistor utilisé en interrupteur
Transistor nMOS
Circuit nMOS
MOS à déplétion: transistor à canal n implanté avec VT<0
9
Transistor pMOS
Coupe du transistor
Transistor pMOS
Symbole du transistor
la diode symbolise les jonctions pn entre DB et SB
10
Transistor pMOS
Coupe du transistor utilisé en tripôle
Transistor pMOS
Symbole du transistor utilisé en tripôle
11
Transistor pMOS
Fonctionnement du transistor
Le transistor conduit lorsque VGS < VT
Le transistor est bloqué lorsque VGS > VT
VT : tension de seuil du transistor
VT ≈ - 1 [V]
Transistor pMOS
Symbole simplifié du transistor
12
Transistor pMOS
Transistor utilisé en interrupteur
Circuit CMOS
13
Transistor nMOS
Paramètres géométriques et technologiques
W: largeur du canal, L: longueur du canal, D: épaisseur de l’oxyde
Transistor nMOS
Modèle linéaire
Le modèle linéaire du transistor est valable pour VDS petit:
IDS = β (VGS – VT) VDS
Dans ce modèle β est le facteur de gain du transistor:
β = εµ/D . W/L
Le facteur technologique εµ/D introduit la constante diélectrique
de l’oxyde (ε) et la mobilité des électrons (µn) ou des trous (µp)
avec:
µn ≈ 1,6 µp
Le facteur géométrique correspond à W/L
14
Transistor nMOS
Modèle linéaire
Près de l’origine des axes VDS et IDS, le transistor se comporte
comme une résistance:
IDS = 1/R VDS
Dans cette relation, la conductance 1/R satisfait la relation:
1/R = β (VGS – VT)
Transistor nMOS
Modèle quadratique
Le modèle quadratique du transistor s’applique lorsque VDS
augmente:
IDS = β (VGS – VT) VDS – 1/2 β VDS2
La valeur limite s’obtient par dérivation:
dIDS / dVDS = 0
β (VGS – VT) – β VDS = 0
VDS = VGS – VT
Il s’agit de la tension de saturation:
VDSsat = VGS – VT
Le courant de saturation correspondant vaut:
IDSsat = 1/2 β (VGS – VT)2 = 1/2 β VDSsat2
15
Transistor nMOS
Courbes du transistor
16
Transistor MOS
n Semi-conducteur
n Transistor nMOS
n Transistor pMOS
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La technologie CMOS (MOS complémentaire) utilisée dans ce
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le transistor MOS de type n ou simplement transistor nMOS
le transistor MOS de type p ou simplement transistor pMOS
L’appellation MOS des transistors en question découle de leur
abréviation anglaise MOSFET qui désigne à la fois la structure
et le fonctionnement du dispositif:
metal-oxyde-semiconductor field-effect-transistor
1
Transistor MOS
Classement des corps solides
Selon leur conductivité électrique les corps solides sont classés en
trois groupes:
les métaux présentent une grande conductivité pratiquement
indépendante de la température
les isolants ont une conductivité pratiquement nulle à toute
température
les semi-conducteurs sont caractérisés par une conductivité qui
augmente fortement avec la température, dépend fortement des
impuretés se trouvant dans le matériau et peut varier en surface
sous l’action d’un champ électrique
Semi-conducteur
Silicium pur: arrangement atomique
Le silicium pur est le semi-conducteur de base pour le substrat
2
Semi-conducteur
Silicium pur: atomes tétravalents
Le silicium (Si) possède quatre électrons de valence
Semi-conducteur
Silicium pur: libération d’un électron (énergie=1ev)
3
Semi-conducteur
Silicium dopé de type n: atome pentavalent (0,1ev)
Adjonction d’atomes donneurs: phosphore (P) ou arsenic (As)
Semi-conducteur
Silicium dopé de type p: atome trivalent
Adjonction d’atomes accepteurs: bore (B)
4
Semi-conducteur
Oxyde de silicium (SiO2): couche isolante (0,1µ)
Transistor nMOS
Coupe du transistor
S: source, G: grille, D: drain, B: substrat (en anglais: bulk)
5
Transistor nMOS
Vue spatiale du transistor
Transistor nMOS
Symbole du transistor
la diode symbolise les jonctions pn entre BD et BS
6
Transistor nMOS
Coupe du transistor utilisé en tripôle
Transistor nMOS
Symbole du transistor utilisé en tripôle
7
Transistor nMOS
Fonctionnement du transistor
Le transistor conduit lorsque VGS > VT
Le transistor est bloqué lorsque VGS < VT
VT : tension de seuil du transistor
VT ≈ 0,5 – 1 [V]
Transistor nMOS
Symbole simplifié du transistor
8
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Transistor utilisé en interrupteur
Transistor nMOS
Circuit nMOS
MOS à déplétion: transistor à canal n implanté avec VT<0
9
Transistor pMOS
Coupe du transistor
Transistor pMOS
Symbole du transistor
la diode symbolise les jonctions pn entre DB et SB
10
Transistor pMOS
Coupe du transistor utilisé en tripôle
Transistor pMOS
Symbole du transistor utilisé en tripôle
11
Transistor pMOS
Fonctionnement du transistor
Le transistor conduit lorsque VGS < VT
Le transistor est bloqué lorsque VGS > VT
VT : tension de seuil du transistor
VT ≈ - 1 [V]
Transistor pMOS
Symbole simplifié du transistor
12
Transistor pMOS
Transistor utilisé en interrupteur
Circuit CMOS
13
Transistor nMOS
Paramètres géométriques et technologiques
W: largeur du canal, L: longueur du canal, D: épaisseur de l’oxyde
Transistor nMOS
Modèle linéaire
Le modèle linéaire du transistor est valable pour VDS petit:
IDS = β (VGS – VT) VDS
Dans ce modèle β est le facteur de gain du transistor:
β = εµ/D . W/L
Le facteur technologique εµ/D introduit la constante diélectrique
de l’oxyde (ε) et la mobilité des électrons (µn) ou des trous (µp)
avec:
µn ≈ 1,6 µp
Le facteur géométrique correspond à W/L
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Modèle linéaire
Près de l’origine des axes VDS et IDS, le transistor se comporte
comme une résistance:
IDS = 1/R VDS
Dans cette relation, la conductance 1/R satisfait la relation:
1/R = β (VGS – VT)
Transistor nMOS
Modèle quadratique
Le modèle quadratique du transistor s’applique lorsque VDS
augmente:
IDS = β (VGS – VT) VDS – 1/2 β VDS2
La valeur limite s’obtient par dérivation:
dIDS / dVDS = 0
β (VGS – VT) – β VDS = 0
VDS = VGS – VT
Il s’agit de la tension de saturation:
VDSsat = VGS – VT
Le courant de saturation correspondant vaut:
IDSsat = 1/2 β (VGS – VT)2 = 1/2 β VDSsat2
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Courbes du transistor
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