Plasticité :
Aspects microscopiques
Bernard Viguier, Institut Carnot CIRIMAT Toulouse.
1ère Séance : Rappels
• État de contrainte et de déformation
• Déformation plastique et mouvement des
dislocations
• Propriétés des dislocations
– Caractéristiques géométriques
– Champ de déformation et de contrainte
• Énergie et conséquences
• Forces sur une dislocation
– Tension de ligne et courbure
Etat de contrainte.
σ = F/S
e3
σ33 σij = Fi/Sj
σ31
σ32 Tenseur de rang 2
σ23
σ13
σ22 σ11 σ12 σ13
σ12
σ21
rr
σ = σ = σ = σ 21 σ 22 σ 23
σ11 e2
σ σ33
e1 31 σ32
Diagonale : contraintes normales (positives en traction par convention)
Hors diagonale : contrainte de cisaillement (cission).
Pas de moment => σij = σji ; Tenseur symétrique de rang 2.
Equations d ’équilibre
Pour un élément de volume soumis à un champ de contrainte,
l' équibre des forces suivant x1 conduit à l' équation suivante :
∂σ 11 ∂σ 21 ∂σ 31
+ + =0
∂x1 ∂x2 ∂x3
Appliqué aux trois directions x1 , x2 , x3
l' équilibre des forces conduit aux équations d' équilibre :
3 ∂σ
∑i =1 ∂x
ij
= 0 qui peut aussi s' écrire divσ = 0
i
En présence de forces de volume Fj , d' origine
gravitationnelle, magnétique ou électrostatique,
l' élément de volume peut entrer en mouvement.
Les équations d' équilibre s' écrivent alors : Représentation de l’ensemble des
d 2u j
contraintes agissant dans la direction x1
divσ + F j = ρ dans un élément de volume soumis à un
dt 2
champ de contrainte.
Tenseurs symétriques de rang 2 - σ
Directions principales :
σ11 σ12 σ13 σI 0 0
σ 21 σ 22 σ 23 → 0 σ II 0
σ σ33 repère 0 σ III repère
31 σ32 quelconque
0
"principal"
conventionnellement : σI > σII > σIII
Invariants : I1 = σ11 + σ22 + σ22 = σii = 3P
I2 = σikσki - σiiσkk
Contrainte équivalente de Von Mises (second invariant du déviateur) :
σ VM =
1
2
((σ − σ
I II )2 + (σ II − σ III )2 + (σ III − σ I )2 )
Etat de déformation.
A ∆L A' B'− AB u ( x + dx ) − u ( x ) rr
B e= = = ; e = ∇u ;
L AB dx
dx
1 ∂u ∂u j antisymétrique :
u(x) A’ ωij = i −
∂u i 2 ∂x j ∂x i rotation rigide
B’ e ij = →
∂x j ε = 1 ∂u i + ∂u j symétrique :
u(x+dx) ij 2 ∂x ∂x déformation
j i
Tenseur symétrique de rang 2
ε11 ε12 ε13 Diagonale : déformations normales –
rr dilatations ( positives en traction)
ε = ε = ε = ε 21 ε 22 ε 23
Hors diagonale : cisaillement.
ε ε 33
31 ε 32
Tenseurs symétriques de rang 2 - ε
Directions principales :
ε11 ε12 ε13 εI 0 0
ε 21 ε 22 ε 23 → 0 ε II 0
ε ε 33 repère 0 ε III repère
31 ε 32 quelconque
0
"principal"
Invariants : I1 = ε11 + ε22 + ε22 = εii = ∆V/V
I2 = εikεki - εiiεkk
Déformation équivalente – de cisaillement (scd invariant du déviateur) :
ε equi =
2
3
(
(ε I − ε II )2 + (ε II − ε III )2 + (ε III − ε I )2 )
Décomposition des tenseurs.
Sphérique Déviatorique
σ = Tr (σ ).I + {σ − Tr (σ).I}
σ11 σ12 σ13 P 0 0 0 τ12 τ13
σ 21 σ 22 σ 23 = 0 P 0 + τ 21 0 τ 23
σ σ33 0 0 P τ 0
31 σ32 31 τ32
Pression Cission pure
hydrostatique (trace = 0)
Décomposition des tenseurs.
Sphérique Déviatorique
σ11 σ12 σ13 P 0 0 0 τ12 τ13
σ 21 σ 22 σ 23 = 0 P 0 + τ 21 0 τ 23
σ σ33 0 0 P τ 0
31 σ32 31 τ32
Pression
Cission
hydrostatique
ε11 ε12 ε13 ∆V 0 0 0 γ12 γ13
V
1
ε 21 ε 22 ε 23 = 0 ∆V 0 + γ 21 0 γ 23
ε 3 V
31 ε 32 ε 33 0 0 ∆V γ
31 γ 32 0
V
Changement Changement
de volume de forme
Décomposition des tenseurs.
Elasticité
Sphérique Déviatorique
isotrope
σ11 σ12 σ13 P 0 0 0 τ12 τ13
σ 21 σ 22 σ 23 = 0 P 0 + τ 21 0 τ 23
σ σ33 0 0 P τ 0
31 σ32 31 τ32
Pression
Cission
hydrostatique
ε11 ε12 ε13 ∆V 0 0 0 γ12 γ13
V
1
ε 21 ε 22 ε 23 = 0 ∆V 0 + γ 21 0 γ 23
ε 3 V
31 ε 32 ε 33 0 0 ∆V γ
31 γ 32 0
V
Changement ChangementModule de
Module de de volume de formecisaillement :
compressibilité : K
G ou µ
Décomposition des tenseurs.
Plasticité
Sphérique Déviatorique
σ11 σ12 σ13 P 0 0 0 τ12 τ13
σ 21 σ 22 σ 23 = 0 P 0 + τ 21 0 τ 23
σ σ33 0 0 P τ 0
31 σ32 31 τ32
Glissement des
dislocations
Pression
Cission
hydrostatique
ε11 ε12 ε13 ∆V 0 0 0 ε'12 ε'13
V
1
ε 21 ε 22 ε 23 = 0 ∆V 0 + ε'21 0 ε'23
ε 3 V
31 ε 32 ε 33 0 0 ∆V ε'
31 ε'32 0
V
Changement Changement
de volume de forme
Écriture matricielle des tenseurs.
σ1 σ1
σ σ
σ11 σ12 σ13 2 2
σ σ Notation 11 22 33 23, 31, 12,
σ = σ 21 σ 22 σ 23 → 3 = 3 tensorielle (ij) 32 13 21
σ σ τ
σ 33 4 4
Notation 1 2 3 4 5 6
31 σ 32 matriciell (m)
σ 5 τ5
σ τ
6 6
ε1 ε1 ε11 x1
γ
ε ε ε
2 2 22
ε11 ε12 ε13
ε3 ε3 ε 33 ε21
ε = ε 21 ε 22 ε 23 → = =
ε ε ε ε 4 γ 4 2ε 23
31 32 33 ε γ
5 5 2 ε13 ε12 x2
ε γ 2ε
τ 4 = µγ 4 = 2µε 23 6 6 12
Types de déformation ε = f ( σ)
(lois de comportement). σ = g (ε)
• Déformation non permanente (recouvrable)
– instantanée : élasticité
– linéaire (métaux, céramiques ; ε < 0,01 – 0,05)
– non linéaire (polymères)
– dépendant du temps : anélasticité
– pseudo élasticité
• Déformation permanente (plasticité).
– maclage mécanique, plasticité de transformation
– diffusion, glissement aux joints de grain
– déformation par glissement de dislocation
Types de déformation ε = f ( σ)
(lois de comportement). σ = g (ε)
• Déformation permanente (plasticité).
– maclage mécanique, plasticité de transformation 0
– diffusion, glissement aux joints de grain +++
– déformation par glissement de dislocations +/0
• Viscosité ? (Elasto - visco - plastique)
• rôle du temps dans les mécanismes de déformation
• <=> activation thermique de la déformation
Déformation plastique par
mouvement des dislocations
• Localisation de la déformation
Déformation plastique par
mouvement des dislocations
Glissement plan/plan ?
Sans dislocation : trop difficile !
σthéorique = µ/10
Avec des dislocation : très facile !
σexpérimental = µ / 10 000
Les dislocations.
Dislocation de Voltera : singularité d’un champ de déformation
dans un milieu homogène.
Vecteur de ligne : ξ
Vecteur de Burgers : b
(constant le long de la ligne, loi des nœuds).
Le signe de ces deux vecteurs sont liés :
convention SF/RH
Dans les cristaux :
dislocation parfaite si b vecteur du réseau,
sinon dislocation partielle (création de défaut plan : APB, SF).
Densité de dislocations.
Quantité de dislocations : densité
ρ=
L totale
Vcristal
[m ]−2
Réseau de Frank :
d= 1 d²
d : distance moyenne entre dislocations
N : nombre de dislocations dans le cristal.
ρ L
L totale NL 1
ρ= = 2
= 2
Vcristal Nd L d
Ordre de grandeur :
106 - 1010 m-2 < ρ < 1014 - 1018 m-2
Semiconducteur :
Métal écrouit. Limite absolue.
d = 1 mm. Métal recuit.
L = 100 km/mm3 d = 1 nm
état non cristallin
Glissement des dislocations
Glissement : mouvement conservatif des dislocation, pas de transport de
matière (aucun atome ne bouge de plus d'une distance inter-atomique).
C’est le vecteur de Burgers b qui détermine la déformation que crée le
passage d’une dislocation.
Déformation de cisaillement : volume constant.
Système de Glissement
Plan de glissement :
PG(ligne de dislocation , vecteur de Burgers)
Dislocation non vis : unique
Dislocation vis : plan de dissociation, possibilité de cross-slip.
Système de glissement : (PG)[b] - (plan compact)[direction dense]
Principe de Von Mises : pour réaliser une déformation générale,
cinq systèmes de glissement sont nécessaires.
12
12
12
24
3
3
6
6
Contrainte projetée (résolue)
Force projetée sur la direction de
glissement,
s'appuie sur la surface projetée dans le
plan de glissement :
FP F cos λ
τ= = τ = σ cos λ cos φ
SP S / cos φ
De façon analogue pour la déformation :
δ ∆l / cos λ
γ= = γ = ε / (cos λ cos φ) l
h l. cos φ
h δ
∆l
Facteur de Schmid
− 0.5 ≤ M(= cos λ cos φ) ≤ 0.5
Loi d'Orowan
Une dislocation traverse : Une dislocation i parcourt Xi
:
γ γ
b b Xi
γ= h
γi =
h h l h
b Xi
l l
N dislocations parcourent Xi :
b Xi
γ = ∑ γi = ∑
i i h l
b X NP b X
=N = = ρb X
h l P h l
h
γ = ρb X
γ& = ρ m bv ε& = α ρ m bv
l
Loi d'Orowan - en montée ?
Montée : mouvement non conservatif,
déplacement d’atomes ou de lacunes.
Concerne les dislocations coins.
l0
l − l0
ε=
l0
h
l − l 0 Xi
Xi ε=
l0 h
Loi d'Orowan
Un mouvement de dislocation à l'intérieur du cristal induit
une déformation macroscopique.
Paramètre primordial : aire balayée par les dislocations.
Mouvement en glissement : cisaillement
Mouvement de montée : déformation normale
(souvent la montée permet surtout de débloquer le glissement
-Ex du mécanisme de Weertman en fluage)
Notion de dislocations mobiles et dislocations immobiles
(durcissement de forêt, stockage, restauration).
Champ de contrainte - vis.
Coordonnées cylindriques :
r r θ r
u vis = u (θ)e z = b ez
2π
1 ∂u ∂u j
ε ij = i +
2 ∂x j ∂x i
b
ε θz =
4πr
µb
σ θz = µγ θz = 2µε θz =
2πr
Coordonnées cartésiennes :
σ xx = σ yy = σ zz = σ xy = σ yx = 0
0 0 σ xz
µ b sin θ µb y
σ xz = σ zx = − =− σ vis = 0 0 σ yz
2π r 2 π (x ² + y ² )
µ b cos θ µb x
σ σ yz 0
σ yz = σ zy = + =+ xz
2π r 2 π (x ² + y ² )
Champ de contrainte - coin.
Coordonnées cylindriques :
µ b sin θ
σ rr = σ θθ = −
2π(1 − ν)r
σ zz = ν(σ rr + σ θθ )
µ b cos θ
σr θ =
2π(1 − ν)r
Coordonnées cartésiennes :
σ yz = σ zy = σ xz = σ zx = 0
σ zz = ν (σ xx + σ yy )
µ b y(3x ² + y ² )
σ xx = −
2π(1 − ν) (x ² + y ² )2
σ xx σ xy 0
µ b y(x ² − y ² )
σ yy = + σ coin = σ xy σ yy 0
2π(1 − ν) (x ² + y ² )2
0 0 σ zz
µ b x (x ² − y ² )
σ xy = σ yx = +
2π(1 − ν) (x ² + y ² )2
Décomposition vis - coin.
Dislocations vis et coin parallèles :
champ de contraintes orthogonaux
r
ξ
pas d'interaction
(en milieu isotrope infini)
0 0 σ xz r
σ vis = 0 0 σ yz b r
σ σ yz 0 bv
xz
r
σ xx σ xy 0 bc
σ coin = σ xy σ yy 0
0 0 σ zz
Énergie des dislocations.
Energie élastique d’une dislocation vis (énergie par unité de longueur) :
(dislocation contenue dans un cylindre infini)
•Energie mécanique : dw = σ.dε
1 W = µb²/4πr
•Cas élastique : w = σ.ε
2
•Intégration dans l’espace :
1 1
W=
L ∫volume 2
σ.ε.dV ; avec dV = L.2π.rdr
r
µb 2 dr
Wvis = ∫ σ.ε.πrdr = ∫ .
r r 4π r r R
coeur coupure
µb 2 R Coup µb 2
Wvis = ln ≈
4π rc 2
Énergie des dislocations.
Dislocations coins :
µb 2 R Coup b
Wcoin = ln
4π(1 − ν) rc
(ν > 1/3 => Wcoin > Wvis)
Dislocations de caractère mixe
(angle ϕ entre ξ et b)
µb 2 R Coup
Wmixte = ( )
1 − ν cos ² ϕ ln
4π(1 − ν ) rc
µb 2 R Coup 1- ν
W= ln ; avec K =
4πK rc 1 - ν cos ² ϕ
Énergie en b² => b le plus court possible (directions denses)
Force de Peach-Koller.
déplacement de la dislocation sous l'effet d'une contrainte
=> variation d'énergie analogue au travail d'une force.
Force (virtuelle) par unité de longueur :
r r
( ) r
F = bσ ×ξ τ τprojeté
τ
Cas particuliers :
b
PG
Cisaillement pur : force dans le plan de glissement : F = τprojetéb
FPK
Pression hydrostatique : P τprojeté
force de montée FPK
σ b σ
F = Pb PG
Effet d’une contrainte externe.
Interaction à distance des dislocations avec tous les
éléments du matériau qui possèdent un champ de contrainte.
Une dislocation possède un champ de contrainte associé :
Interaction entre dislocations.
r
ξ Dislocations parallèles :
FR
µ (b1 × ξ ) ⋅ (b 2 × ξ )
FR = (b1 .ξ )(b 2 .ξ ) +
r r 2πR (1 − ν)
b2
b1
b1.b 2 > 0 ⇒ FR > 0 : Répulsion.
FR b1.b 2 < 0 ⇒ FR < 0 : Attraction.
Dislocations non parallèles : intégration le long de la ligne.
Force image.
Dislocation près d’une surface (couche mince…)
r r
σ.n = 0
b b
FR FR
? ª
-b
La surface libre attire les dislocations…
Généralisable pour toute interface : un milieu plus mou (µ < µref) attire les disloc,
un milieu plus dur repousse les dislocations.
Couche d’oxyde.
µmétal µoxyde Vide
Tension de ligne.
Segment de dislocation ancré : courbure.
Une force s’oppose à la courbure : tension de ligne T.
τ=0 τ
T T
µb 2 R Coup 1- ν
T=W= ln ; avec K =
4πK rc 1 - ν cos ²ϕ
∂ ² W µb 2 R Coup 1- ν
T = W (ϕ) + = ln ; avec K =
∂ϕ² 4πK rc 1 - ν cos ²ϕ
Courbure des dislocations - τ.
La courbure des dislocations est utilisée pour mesurer la
contrainte locale au sein d’un matériau.
FPK = τ b l = τ b R.2α
τ = Tprojeté = [Link] α
T T µb 2
Avec : T ≈ W ≈
2
R
2α µb
R=
2τ
Source de Frank - Read.
Contrainte seuil de µb
fonctionnement du moulin : τ=
D
Durcissement de précipitation - PH.
Cisaillement :
Contournement.
Durcissement de précipitation - PH.
Fraction volumique (fv) constante : 2π
1/ 2
Relation entre L (distance entre précipités) et L= fv R
R (rayon des précipités). 3
Statistique de Friedel : 2TL2
1/ 3
µbL2
1/ 3
Leff : longueur de dislocation entre deux obstacles. L eff = ≈
τb τ
Cisaillement :
1/ 2
3π 2 γ 3/ 2
∆τ = fV R
32 b T
Contournement.
1/ 2
µb µb 3 1
∆τ = = fV
L L 2π R
Bibliographie.
J. Douin, Mécanique des milieus continus, Introduction à la plasticité
des matériaux. Diderot ed. Pavages, 1997.
J.L Martin, Dislocations et plasticité des cristaux, PPUR, Lausanne,
2000.
Hirth & Lothe, Theory of Dislocations, Mc Graw - Hill, 1982.
J. Friedel, Dislocations, 1964 - Pergamon Press
Dislocations et déformation plastique, Yravals 1979, Les éditions de
physique.
Physical Metallurgy, Cahn & Haasen eds., 3rd edition, 1996, North
Holland.