EN1

FONCTIONS ET COMPOSANTS ELEMENTAIRES DE L’ELECTRONIQUE

TD1 : Etude de fonctions électroniques

Exercice 1:
Objectif: Exploiter la caractéristique de transfert d’une fonction donnée
s
Soit la fonction définie par la caractéristique de transfert ci-contre.
8
Déterminer l’allure du signal de sortie si on applique en entrée le
signal suivant :
Cas a b c d
-4 -1 4 Forme d’onde sinus sinus sinus sinus
e Offset (V) 0 0 1 1
3
Amplitude (V) 4 2 2 4
Fréquence (khz) 1 1 1 1

-8
Sur la feuille réponse (au dos) :

Tracer, en concordance de temps, les signaux e(t) et s(t).

Quelle est la fonction réalisée, dans quelles limites ?

Exercice 2: Acquisition de température

Objectif: dimensionner une fonction électronique en établissant son équation de fonctionnement et sa
caractéristique de transfert

On se propose d’étudier la mise en œuvre de l’ « amplificateur » à insérer entre un capteur de

température (sonde au platine PT100) et un convertisseur analogique numérique 8 bits alimenté en 0 -
+12 V. Le schéma de principe de l’ensemble est le suivant :

+12 +12 +12

+12
UNITE
10 mA DE
AMPLIFICATEUR C.A.N TRAITEMENT
(à dimensionner)
Ve
Vs
8 bits
CTN PT100
R(θ)= 100 +0,385 θ
θ en °C

La plage de température à mesurer s’étend de -50 °C à +125 °C. La correspondance de la tension présente
à l’entrée du CAN est donnée par le tableau ci-dessous :
Température θ en °C -50 +125
Tension Ve(V) entrée de l’amplificateur
Tension Vs (V) en entrée du CAN 0 12

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 • Reprendre et compléter le tableau ci-dessus avec les tes valeurs de la tension Ve.
• Tracer la caractéristique de transfert de l’amplificateur.
• En déduire, pour chaque zone de fonctionnement l’équation Vs = f(ve).

Exercice 3: Oscillateur de relaxation

Objectif: établir les chronogrammes de fonctionnement d’une structure décrite par son schéma
fonctionnel et les équations de fonctionnement.

Soit le schéma fonctionnel suivant :

Comparaison
Intégration de
tension
V1 V2

La fonction « Intégration » est définie par l’équation suivante: ( K>0)

t
Vs (t ) = K ∫ Ve(t ).dt + Vs (t 0 )
t0

Le comparateur de tension est défini par la caractéristique

Vs(V) de transfert ci dessous:
Vcc Il est conseillé de prendre une hypothèse sur l’état du
système à l’instant t=0 s. On vous propose la suivante :
A t = 0 s, V1(0) =0 V et V2(0) = +Vcc.

Vcc Pour tracer les signaux, on vous propose :

Ve(V) VT+=|VT-|=VCC/2
-Vcc VT - 0 VT +

Quelle est la fonction réalisée par cette structure,

caractériser les signaux V1 et V2.
-Vcc

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 s e
8

-4 -1 4
e t
3

-8
(
e

e(t)
4

-4

s(t)
8

t
t

-8

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FONCTIONS ET COMPOSANTS ELEMENTAIRES DE L’ELECTRONIQUE

TD2 : Etude de Montages à diodes

Exercice 1:
Objectif: Exploiter la caractéristique statique d’une diode afin de calculer la résistance de limitation du
courant dans la diode à partir de sa caractéristique statique

On considère un circuit constitué d’une alimentation E, d’une résistance R et d’une diode dont la
caractéristique statique Id=f(Vd) est donnée dans le tableau ci-dessous.
Vd

Id

E R
Vs

1- Pour E=5V et R= 120Ω, utiliser la caractéristique statique pour déterminer le courant Id0
traversant la diode et la tension Vd0 à ses bornes (aide : tracer la droite de charge
ensemble des points Id,Vd possibles définis par R).
2- Représenter la droite de charge pour la valeur R = 80Ω puis R=220Ω. Quelle est
l'influence de R?
3- Calculer la valeur de R pour limiter le courant à 80 mA.
4- Etablir le modèle équivalent de la diode prenant en compte sa tension de seuil Vs et sa
résistance interne dynamique Rd (R=120Ω)

Vd(V) 0 0,4 0,5 0,6 0,7 0,75 0,8 0,9

Id(mA) 0 0,5µ 25µ 1,1m 18,3m 37,8m 61,3m 113,7m

Exercice 2: Logique câblée

Objectif: établir la table de vérité d'une structure en logique câblée à diode en utilisant la méthode d'étude
exposée en cours.
VCC On utilise des diodes au silicium modélisées par
5V Rd = 30Ω, Vs = 0,6V.
Calculer la tension de sortie Vo du circuit ci-dessous
R3
4.7kohm
pour les tensions d’entrée suivantes
R1 D1

270ohm Vo
1-V1=V2=5V
R2 D2

270ohm 2-V1=5V, V2=0V

V2 V1
5V 0V
3-V1=V2=0V

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Exercice 3:
Objectif : appliquer la méthode d'étude exposée en cours afin de:
- Etablir les conditions de conduction des diodes.
- Tracer la fonction de transfert d'une structure à diodes.

• Montage 1: Etablir la fonction de transfert Vo = f(V1)

R1 D1 Vo

100kohm R2
D2 200kohm

V1
V2 V3
100V 25V

• Montage 2: Etablir la fonction de transfert VS = f(VE)

2,7K
R2
1 2
1

2
VE R11
R3 R10 5,6k R12
1K 5,6K VS 1K
2

1
1

2
+7,5 1N4148 1N4148 1N4148 1N4148
+15
D1 D2 D3 D4
2

1
2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1

R4 R5 R6 R7 R8 R9
330 68 100 100 68 330

-15
-7,5

Aide pour l'étude de ce montage.

-Déterminer le générateur de tension équivalent en E1 et celui en E2, lorsque les diodes D1 et
D2 sont bloquées.
-Que peut-on dire des résistances équivalentes de Thévenin de ces générateurs, par rapport
aux autres résistances du montage? Conclure.
- Choisir un modèle pour les diodes, justifier votre choix.
- Déterminer les plages de conduction et blocage de D1 et D2 en fonction de VE.
- Déterminer le générateur de tension équivalent en VS pour chacune de ces plages.

Application:
Pour un signal VE triangulaire, d'amplitude 4V de fréquence 50Hz, dessiner sur un même
chronogramme VE(t) et VS(t). Quelle est l'utilité de cette structure?

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FONCTIONS ET COMPOSANTS ELEMENTAIRES DE L’ELECTRONIQUE

TD : générateur de courant à transistor bipolaire et utilisation

Exercice 1 :
Soit le montage suivant :
VF IF

R1
IF
DZ1

Q1
E
-5,6
. V
12 V VF
I
R2

CIRCUIT
V
2mA
DE
CHARGE

DZ1 est une diode zener de 5,6 V dont la caractéristique statique est donnée ci dessus.
Le transistor est caractérisé par :
VBE = -0,6 V à l’état passant
β =100

1 - Calculer R1 et R2 pour que ce générateur de courant débite un courant I=1mA.

2 - Tracer la caractéristique I = f (V) pour 0 < V < E.

Vous justifierez toutes vos réponses.

Exercice 2 : Miroir de courant

Pour l’étude des montages suivant, on suppose que les transistors sont parfaitement identiques et
que β = 100.

Montage 1 :
Ir 1 – Calculer R pour avoir Ir = 1 mA.
2 – Exprimer I en fonction de Ir. Quel est l’écart en p% entre I
R
I
et Ir.
E
15 Montage 2 : I1 I2

Exprimer en % l’écart entre I1 et

I2.
Comparer au montage précédent.

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Exercice 3 : Application : Paire différentielle et miroir de courant

Paire différentielle :
+E Soit le montage suivant :

M1
M1 et M2 sont des miroirs de courant parfaits.
Les transistors sont supposés parfaitement
Is
identiques.
Ic1 Ic2
1 – Exprimer I en fonction de (Ic1 – Ic2).
e1 e2
2 – En posant :
VBEn

Icn = Is.e UT

Io
Etablir l’expression de I en fonction de
Ipol
(e1-e2) .
3 – En posant l’hypothèse que (e1-e2)<<UT.
M2
Donner l’expression simplifier de I en fonction de
(e1-e2).
-E Quelle est la fonction réalisée ?
4 – Quelle est, en tension, l’excursion maximum de
la tension collecteur Vc2 ?

Pour augmenter l’excursion en tension des tensions collecteur Vcn, on réalise le montage suivant :
5 – M3 et M4 étant des miroirs de courant parfaits, quelle est la nouvelle relation entre Isortie, Ic1
+E
et Ic2 ?
6 – Quelle est l’excursion,
en tension, possible de la
M1 M3
tension de sortie.
7 – Redessiner ce dernier
montage en remplaçant les
blocs M1, M2, M3 et M4
Ic1 Ic2
par les montages vus à
l’exercice 2. (Il faudra
e1 e2
peut-être adapter certaines
structures avec des
Isortie
transistors PNP).
Io
Ipol

M2 M4

-E

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1. Transistor en commutation.
VCC VCC Dans le montage suivant, V2 est un signal carré compris entre
0 et 9 V, de fréquence 10 hz. Calculer les différentes
résistances pour assurer un éclairement correcte de la LED (IF
= 10 mA, VF = 1 .2 V) lorsque le signal V2 est au niveau haut

R1
?
+ 9 (9V). Vous justifierez toutes les valeurs numériques que vous
V1
-
utiliserez dans les calculs.

Proposer les modifications à apporter au montage si on veut

D1
Rouge
allumer la LED sur l’état bas ?
2N2222
Q1

R2
+ ?
V2
-

2. Montage de polarisation :
Pour les deux montages ci-dessous :
1 - calculer les différentes résistances de façon à polariser le transistor autour du point de
fonctionnement : VC0 = 6 V et IC0 = 2mA.
On donne pour le transistor : β = 100 et VBE0 = 0,6 V, et on impose R3 = 1 kΩ.

2 – A la suite d’une panne, nous sommes amenés à changer le transistor par un de même référence.
Cependant, la valeur de β est de 200. Recalculer la valeur de la polarisation avec ce nouveau transistor.
Conclure quant au choix du montage.

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En considérant que les condensateurs peuvent être remplacés par des courts circuits en régime
dynamique, établir pour chaque montage l’expression :
• Du gain en tension à vide Avo
• De l’impédance d’entrée Ze
• De l’impédance de sortie Zs

Montage émetteur Commun :

VCC VCC

h21 ⋅ Rc
Avo = −
R1 RC h11
CL2 1
Ze =
1 1 1
+ +
CL1 Q1

R1 R 2 h11
Vs
Zs = Rc
Ve R2

RE CE

Montage Base Commune :

VCC VCC

h21 ⋅ Rc
RC

R1 Avo =
CL2 h11
1
Q1 Ze =
1 1
+
CL1 RE h11
CB
R2 Vs h21 + 1
RE
Ve
Zs = Rc

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Montage Collecteur Commun :

VCC VCC

RE ⋅ (h21 + 1)
Avo =
R1 h11 + RE ⋅ (h21 + 1)
1
Ze =
CL1 Q1 1 1 1
+ +
R1 R 2 h11 + RE ⋅ (h21 + 1)
CL2
1
Ve R2 Vs
Zs =
1 1
RE +
RE h11
h21 + 1

Montage à charges réparties :

VCC VCC

h21 ⋅ Rc
RC

Avo = −
h11 + RE ⋅ (h21 + 1)
R1
CL2

1
CL1 Q1 Ze =
1 1 1
+ +
R1 R 2 h11 + RE ⋅ (h21 + 1)
Vs 1
Ve R2
Zs =
RE Rc

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FONCTIONS ET COMPOSANTS ELEMENTAIRES DE L’ELECTRONIQUE

TD : Montages à amplificateur opérationnel

1 - Pour les montages 1, 2 et 3 ci-dessous, établir l’expression de vs en fonction de ve, tracer

la caractéristique de transfert.
R2 R2

R1 R1

- -
+
Ve + +
- Vs Vs
+
Ve
-

montage 1 montage 2

2 - Pour le montage 4 ci-dessous, établir l’expression de vs en fonction de V1 et V2. Quelle

est la fonction réalisée ? Tracer la caractéristique de transfert : vs = f(V2-V1)
R2 R3 R2

R1
R4

-
R3
+
V1 +
Vs
- +
R1 R4
- V2
-
Ve +
+
- Vs

montage 3 montage 4

3 - Pour les montages 5 et 6 ci-dessous, établir l’expression de vs en fonction de V1, V2 et

V3. Quelles sont les fonctions réalisées ?

R R4 R5

R1

- R1 -
V1
+ R2
+ +
- Vs V1
V2 R3 R2 Vs
+
+ -
- V3 V2 R3
+ +
- - V3
+
-

montage 5 montage 6
4 - Pour les montages 7 et 8 ci-dessous, établir l’expression de Vs(t) en fonction de Ve(t).
Quelles sont les fonctions réalisées ?
C R

R C
- -
+ +
Ve + Ve +
- Vs - Vs

montage 7 montage 8
5 – Pour les montages 9, 10, 11 et 12 ci-dessous, tracer la caractéristique de transfert
Vs = f (Ve).
R2 R2

R1 R1
+ +

+
Ve - -
- Vs Vs
Ve +
-

montage 9 montage 10

- -
Vref + +
+ +
- Vs - Vs
Ve R1 R2
R1 R2

+
- Ve +
- Vref

montage 11 montage 12

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6 – Structure de Rauch :
Pour les montages 13,14 et 15 ci-dessous, établir la fonction de transfert H(jω) et tracer les
diagrammes de Bode, en module et en phase.

C2 C R2
R
C C
R R
2
2
R1 3
ve 3 ve 1 vs
C1 1 vs

montage 13 montage 14

C1
R
C2
R
2

3
ve R 1 vs

montage 15

7 – Structure de Sallen-Key :
Pour les montages 16,17 et 18 ci-dessous, établir la fonction de transfert H(jω) et tracer les
diagrammes de Bode, en module et en phase.

R4

R3
C1
2

R R 3
1
vs
ve
C2

montage 16

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 R4

R3
R1
2
C C
3
1

R2 vs
ve

montage 17

R4

R3
R
2

R 3
1
C1
R vs
ve
C2

montage 18

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