‫المركــز التقنـي للصـنـاعــات الميكـانيكيـة والكهـربـائيـة‬

LE CETIME CENTRE TECHNIQUE DES INDUSTRIES MECANIQUES

Qu'est-ce qu'un circuit intégré?

Un circuit intégré (integrated circuit, ou IC, en anglais) est un composant qui renferme (qui "intègre") dans
un unique petit boîtier, un nombre important de composants, notamment des transistors. Un processeur, par
exemple, en intègre plusieurs millions!

L'avantage de cette intégration poussée est triple: gain de place sur la carte, gain de temps lors du montage, et
surtout, performances optimisées. Un circuit intégré, en effet, est destiné à remplir de manière optimale, et au
meilleur coût, une ou plusieurs fonctions génériques (amplification...) ou plus spécifiques (comptage,
codage/décodage...).

Les circuits intégrés linéaires se présentent, dans la grande majorité des cas, sous la forme d'un minuscule boîtier
rectangulaire noir, muni de broches, ou pattes (pins, en anglais), de chaque côté, d'où l'appellation DIL (Dual In
Line). Une encoche en creux permet de déterminer l'emplacement de la broche 1, qui se trouve à gauche de cette
encoche. La broche 2 se trouve au dessous; les autres broches sont numérotées dans le sens inverse des aiguilles
d'une montre. En principe, le nom du fabriquant et la référence du modèle sont imprimés sur la face supérieure du
boîtier.

Ci-contre, vues de profil, de face et du dessus d'un C.I. DIL 14. Notez la position de l'encoche de repérage.

Les premiers circuits intégrés sont sortis sur le marché dans les années 70 en technologie DTL et TTL. Cette
technique avait quelques inconvénients comme nous allons le voir et les constructeurs se sont évertués à offrir des
circuits plus rapides, plus économes, plus fiables…

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Marquage des composants :

SN 74 HCT 00 N
Identification 54 : militaire Famille fonction réalisé Type de
constructeur gamme de température : technologique. par le circuit. boitier
-55°C 125°C
(S, LS, ALS, (NAND, OR, (DIL etc.)
74 : civil HC, HCT etc.) multiplexage etc.)
gamme de température :
-40°C 85°C

Quelques notions sur les niveaux hauts et bas:

 O = Ouput - Sortie
 I = Input - Entrée
 L = Low - Bas
 H = high - Haut
 Vol max = tension de sortie niveau bas maximum à
8 mA
 Vil max = Valeur maximum du niveau bas en
entrée
 Vih min = Valeur du niveau haut minimum en
entrée
 Voh min = Tension de sortie niveau haut minimum

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La famille TTL :

Technologie TTL standard

Cette famille utilise des transistors bipolaires et son nom vient de "Transistor Transistor
Logic". Dans cette famille technologique, les transistors travaillent en saturation blocage.
L'inconvénient majeur est que cela influe sur la rapidité de commutation et limite la
fréquence d'utilisation, de plus la consommation est importante.

Tension alimentation 5V +/- 5%

Temps de propagation 10 ns

Consommation 10 mW

Fréquence max 25 MHz Voh Min 2,4 V

Vih Min 2V

Vol Max 0,4 V

Vil Max 0,8V

Ci-dessus voici la structure d'une porte NAND en technologie TTL. Remarquez le transistor à deux entrées.
Remarquez également que les entrées "en l'air" vont venir tout naturellement se porter au niveau haut (-Vbe).

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Technologie TTL L (Low Power)

La technologie standard se caractérise par une forte consommation de puissance sous 5V. Les constructeurs vont
augmenter la valeur des résistances de manière à diminuer le courant. Ceci aura un effet induit gênant, la vitesse sera
réduite

Tension alimentation 5V +/- 5%

Temps de propagation 30 ns

Consommation 1 mW

Fréquence max 5 MHz

Voh Min 2,4 V

Vih Min 2V

Vol Max 0,3 V

Vil Max 0,8V

Technologie TTL S ( Schottky)

Les transistors travaillent en saturation-blocage. Les bases des transistors accumulent des charges, lors de la
saturation, qu'il faut évacuer avant de changer d'état. La solution trouvée consiste à intercaler en base et collecteur
une diode Schottky qui limitera cette accumulation ce qui naturellement améliorera le temps de commutation.
L'inconvénient de cette technologie est toujours une forte consommation de courant.

Tension alimentation 5V +/- 5%

Temps de propagation 3 ns
Consommation 20 mW
Fréquence max 75 MHz
Voh Min 2,7 V
Vih Min 2V
Vol Max 0,5 V
Vil Max 0,8V

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Technologie TTL LS (Low Schottky)

Cette technologie utilisent des techniques du TTL L pour réduire la consommation et du TLL S pour la
rapidité de commutation, car la consommation est prohibitive dès lors que le nombre de circuits intégrés augmente.

Tension alimentation 5V +/- 5%

Temps de propagation 9 ns
Consommation 2 mW
Fréquence max 30 MHz
Voh Min 2,7 V
Vih Min 2V
Vol Max 0,5 V
Vil Max 0,8V

Technologie TTL F (fast)

Le marché a besoin de circuits de plus en plus rapide, la réponse est apportée par la technologie F (fast)

Tension alimentation 5V +/- 5%

Temps de propagation 6 ns
Consommation 5 mW
Fréquence max 100 MHz
Voh Min 2,7 V
Vih Min 2V
Vol Max 0,5 V
Vil Max 0,8V

Technologies AS et ALS

La technique progresse y compris pour les transistors bipolaires, les technologies "A" pour advanced

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apparaissent début 1990. Dans la technologie ALS, le L est pour Low .

L'amélioration a porté sur la réduction de la taille des transistors.

Tension alimentation 5V +/- 5%

Temps de propagation 7 ns
Consommation 5 mW
Voh Min Vcc
Vih Min 2V
Vol Max 0,4 V
Vil Max 0,8V

La famille CMOS :

La première famille CMOS apparue sur le marché était la série 4000. Elle se caractérisait par une consommation
incroyablement faible comparativement au TTL, la tension d'alimentation comprise entre 3 et 18V laissait une

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incomparable liberté au concepteur mais grave inconvénient, elle était lente et incompatible avec les TTL.
Si une entrée " en l'air" d'un circuit TTL se positionne au niveau haut automatiquement, il est impératif en
technologie CMOS de relier les entrées inutilisées au potentiel d'inactivation. Comme les impédances de ces portes
sont très élevées, n'importe quel signal s'y développe et peut provoquer un fonctionnement erratique.

Série 4000

La première apparue suivie par la série B comme bufférisée. On change complètement de technologie
puisque l'on passe des bipolaires au CMOS.

Tension alimentation 3 à 15 V
Temps de propagation 40 ns
Consommation 0,1 mW
Fréquence max 12 MHz
Voh Min 4,9 V
Vih Min 2V
Vol Max 0,1 V
Vil Max 0,8V

Séries HC et HCT

La série 74HC s'alimente entre 2 et 6V ce qui la rend compatible avec les TTL pour l'alimentation tout en
conservant les qualités des MOS en regard de la consommation, de plus ce sont des séries rapides avec des temps de
transit très faibles.
La série HCT a été développée plus particulièrement pour la compatibilité avec les TTL surtout pour ce qui
concerne les seuils d'entrée.
Toute la série T est compatible TTL

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Tension alimentation 5V +/- 10%

Temps de propagation 14/15 ns
Consommation 0,1 mW
Fréquence max 50 MHz
Voh Min 4,9 V
Vih Min 3,5 V
Vol Max 0,1 V
Vil Max 0,8V

Séries AC et ACT

Ac pour "advanced CMOS" Le T indique la compatibilité avec le TTL

Tension alimentation 2-6 pour Ac et 6 Pour ACT

Temps de propagation 5 ns
Consommation 0,1 mW
Fréquence max 70 MHz
Voh Min 4,76 V
Vih Min 2V
Vol Max 0,44 V
Vil Max 0,8V

Séries LV, LVC, LVT,ALVC

LV pour "Low Voltage". Ces circuits s'alimentent avec une tension de 3,3V, cette technologie est apparue en
1993 et est compatible TTL pour les LVT.
Les AVC travaillent sous 1,8V

Tension alimentation 3,3 V

Temps de propagation 2,5 ns
Consommation 0,1 mW
Fréquence max 150 MHz
Voh Min 2,2 V
Vih Min 2V

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Vol Max 0,55 V

Vil Max 0,8V

La famille ECL :

C'est une technologie rapide (Emitter coupled Logic), elle a l'inconvénient d'être grande consommatrice de courant

La famille BiCMOS :

Nous constatons la complémentarité des technologies bipolaire et CMOS. Les transistors bipolaires permettent un
courant important (relativement), un CMOS a une impédance élevé d'entrée et ne consomme pas.
La technologie BiCMOS , partant de ce constat utilise des transistors bipolaires pour piloter les charges et des
CMOS pour réaliser les fonctions logiques, le tout étant intégré sur un même substrat.

Tableau comparatif entre la technologie bipolaire et CMOS

Bipolaire TTL CMOS

 tension d'alimentation stricte à 5V  tension d'alimentation comprise entre
 Immunité au bruit inférieure à 3 et 18V
celle du CMOS  Immunité au bruit > au TTL
 plus de courant transitant  pas de courant
 basse impédance d'entrée  Forte impédance d'entrée
 possibilité de laisser les entrées  obligation de polariser les entrées en
inutilisées en l'air l'air

 utilisation décroissante.  Préférence des concepteurs

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