TP de Conception et simulation des dispositifs à semi-conducteur
Logiciel SILVACO ATLAS
Filière : Génie Mécatronique (GM2)
Module: Electronique II
TP (1.1) : Structure d’une diode
Dans le but de simuler les caractéristiques d’une diode, on définit dans le simulateur ATLAS une
structure de deux dimensions de cet diode définie comme suite :
1) Le maillage (mesh, x.m, y.m, l , spacing):
mesh rect smooth=1 [Link] cylindrical
L’axe (ox) est discrétisée comme suite :
la position x=0.0 avec un espace de 20.
la position x=80 avec un espace de 10.
la position x=200 avec un espace de 50.
L’axe (oy) est discrétisée comme suite :
la position y=0.0 avec un espace de 1.0.
la position x=3.2 avec un espace de 0.1.
la position x=5.0 avec un espace de 0.5.
la position x=7.0 avec un espace de 0.1.
la position x=15 avec un espace de 3.
2) On définit une seule région constitue par le silicium (region, num, silicon).
Région 1 , material a-Sic la position [Link]=3.2
Région 2 , material a-Sic la position [Link]=3.2 [Link]=7.0
Région 3 , material a-Sic la position [Link]=7.0
3) On détermine les électrodes :
1er électrode : son nom anode, sa position [Link]=100.0
2eme électrode : son nom cathode, sa position bottom
4) Dans la 4eme étape on définit le dopage comme suite :
1er zone en définit le dopage de type p à une concentration 2.0e19, est occupé la
reg=1 uniform.
2eme zone en définit le dopage de type n à une concentration 1.0e16, est occupé la
reg=2, uniform.
3eme zone en définit le dopage de type n à une concentration 5.0e18, est occupé la
reg=3, uniform.
5) Sauvegardé la structure sous le nom doide (save ).
6) A l’aide de tonyplot affiché cette structure.
Ecrire un programme sur l’interface Deckbuild permet d’affiché cette structure.