I.U.T. « A » Bordeaux Département G.E.I.I.

Amplificateur différentiel à transistors bipolaires (pages 1 et 2).

Gain différence : mise en évidence de la zone de linéarité (page3)

Gain de mode commun (page4)

Amélioration du facteur de différentiation (R.R.M.C.) par un générateur de courant de

polarisation (page 5).

Schéma équivalent aux petites variations aux fréquences moyennes, avec une résistance R
de polarisation et un générateur de courant (page 6).

Application : modulation d’amplitude (page 7).

Philippe ROUX roux@[Link]

tél. : 05 56845758
 AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL A TRANSISTORS BIPOLAIRES

On appelle amplificateur différentiel parfait, un amplificateur à liaisons directes possédant deux

entrées et deux sorties exclusivement proportionnelles à la différence des signaux d' excitation.
Cette propriété donne lieu à de nombreuses applications :
• Amplification d'une différence de potentiel entre deux noeuds isolés de la masse :
amplificateur opérationnel, voltmètre électronique...
• Amplification avec de faibles dérives en température.
+ VC C = +15V 1

0,8
IC1 Rc Rc IC2 IC2 / I0 IC1 / I0

Vs1 -V s2
0,6

B1 T1 Vs1 Vs2 T2
0,4

Ve
0,2
V e1 B2

V e2 R I o = 1mA
0
-0,1 -0,05 0 0,05 0,1
Ve (V)
M (0V) - VEE = -15 V
Figure 1 Figure 2

L’ amplificateur différentiel de la figure 1 est constitué par deux transistors T1 et T2 identiques,

soumis à la même température, montés en émetteur commun et polarisés par une résistance R.
Lorsque Ve1 = Ve2 = 0 V ⇒ IC1 repos = IC2 repos = IO /2 et dans tous les cas : I C1 + I C2 = I 0

1) UTILISATION EN MODE SYMÉTRIQUE

I C1 1
=
Lorsqu'on applique aux entrées B1 et B2 deux tensions I0 V e1 − V e2
continues Ve1 et Ve2 , en exploitant la relation fondamentale : 1 + exp( − )
UT
V BE
I C = I S BC exp( ) I C2 1
UT
=
on obtient les relations suivantes : I0 V e1 − V e2
1 + exp( )
UT

La figure 2 montre que IC1 /I0 et IC2 /I0 sont proportionnels à Ve pour | Ve | =|Ve1 -Ve2 | ≤ 2 UT
conduisant à définir une transconductance différentielle autour de Ve = 0V :

dI C2 dI C1 I0
G md = = =
dV e dV e 4 UT
représentant la moitié de la transconductance de chaque transistor.

La différence des tensions de sorties représentée en figure 3 est alors telle que :
V e1 -V e2 ex − e− x
V S1 -V S2 = - R C Io tanh ( ) avec : tanh (x) =
2 UT ex + e− x
Dans la zone de linéarité, on obtient avec tanh (x) x pour x faible :

IO
V S1 − V S2 = − R (V − V e2 )
2 U T C e1

V S1 − V S2
d’où le gain de mode différence : A d =
V e1 − V e2

différence des tensions de sorties : (VS1 -VS2)

10 Somme des tensions de sorties : VS1 +VS2 (V)
21,5

21
5
20,5

20
0
19,5

19
-5 18,5

18

-10 -2 -1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 2

-0,1 -0,05 0 0,05 0,1 Tension de mode commun : VE1 +VE2 (V)

tension différentielle d'entrée VE (V)

Figure 3 Figure 4

Cependant, ce montage est aussi sensible à la somme des tensions d’entrées (figure 4 ) et conduit
à définir un gain de mode commun Ac représentant le défaut majeur du montage :

V S1 + V S2
AC =
V e1 + V e2

On définit alors un coefficient de qualité du montage appelé le facteur de différentialité ou

Rapport de Réjection du Mode Commun généralement exprimé en déciBels :
Ad
R.R.M.C = F d =
Ac

2) UTILISATION EN MODE ASYMÉTRIQUE

Dans la plupart des cas, la différence des tensions V S1 -VS2 n'est pas exploitée. Au contraire, on
utilise exclusivement la sortie VS1 (ou VS2 ) par rapport à la masse. Dans ces conditions :

1 (V e1 + V e2 )
V S1 = A d (V e1 − V e2 ) +
2 Fd
1 (V e1 + V e2 )
V S2 = − A d (V e1 − V e2 ) −
2 Fd

La tension continue de sortie VS1 (ou VS2 ) sera proportionnelle à Ve1 -Ve2 à condition que le
facteur de différentialité ou Rapport de Réjection du Mode Commun soit très élevé. A cet effet, on doit
modifier le montage de la figure 1 en remplaçant la résistance R de polarisation par un générateur de
courant continu I0 ayant une résistance dynamique Ri importante (par exemple : exploitation de la résis-
tance de sortie du montage base commune (k rce), miroir de courant amélioré etc.)

2
 AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL A TRANSISTORS BIPOLAIRES

+ VCC = +15 V

RC 10 kΩ RC 10 kΩ

IC1 IC2 VS1-VS2

B1 T1 T2 B2

I E1 E VS1
V 0 -VE2
I C1 V E + I0
VE1 VE I C2 V E
1 +
exp
I0
V E VS2
VU
E2T R 1 exp
1 mA UT
- VEE = -15 V

1
IC2 IC1
0.9 I0 I0
0.8

0.7
I C1 V E
0.6
I0
0.5
I C2 V E
0.4
I0
0.3

0.2

0.1

0
150 125 100 75 50 25 0 25 50 75 100 125 150
VE1 -V 3
E2 (mV)
V E. 10
10

VS1 - VS2 (V)

s VE 0

10
150 125 100 75 50 25 0 25 50 75 100 125 150
VVE1 .-V 3 (mV)
E2
E 10
AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL A TRANSISTORS BIPOLAIRES

MODE COMMUN

+ VCC = +15 V

RC 10 kΩ RC 10 kΩ

IC1 IC2

B1 B2
T1 T2 B2
VBE
E
VBE VS1
+
VE
VS2
I0
R
14.4 kΩ 1 mA

- VEE = -15 V

VEE + VE − VBE
VE = VBE + RI 0 + VEE → I0 =
R
I0 I0
VS1 = VCC − R VS2 = VCC − R
2 2

RC
VS1 + VS2 = 2VCC − (V + VE − VBE )
R EE

Somme des tensions de sortie : VS1 +VS2

21,5

21

20,5

20 graphe idéal

19,5

19

18,
5 -2 -1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 2
Tension de mode commun : VE
 AMELIORATION DU FACTEUR DE QUALITE Fd
POLARISATION PAR GENERATEUR DE COURANT

+ VCC = +15 V

RC 10 kΩ RC 10 kΩ

vs1-vs2

B1 T1 T2

ve1-ve2 E vs1
+
ve1 B2
- I0 1 mA vs2
+
ve2
- I0 Ri
R

- VEE = -15 V

I0 RC Ad
Ad = −gm RC = − R Ac = − Fd (R.R.M.C.) =
2UT C rbe + 2( + 1) R Ac

+ VCC = +15 V

RC 10 kΩ RC 10 kΩ

vs1-vs2

B1 T1 T2

ve1-ve2 E vs1
+
ve1 B2
- I0 vs2
+
ve2 1 mA
-
T3
R1
Dz Vz
R2

- VEE = -15 V
 SCHÉMA EQUIVALENT AUX PETITES VARIATIONS
DE L’AMPLIFICATEUR DIFFÉRENTIEL AVEC R

ve
ib1 rbe E1 E2 rbe ib2
B1 B2

β ib1 β ib2
ve1 C1 R C2 ve2

vs1 RC RC vs2

I0 RC Ad
Ad = −gm RC = − R Ac = − Fd (R.R.M.C.) =
2UT C rbe + 2( + 1) R Ac

SCHÉMA EQUIVALENT AUX PETITES VARIATIONS

DE L’AMPLIFICATEUR DIFFÉRENTIEL AVEC GENERATEUR DE COURANT

ve
ib1 rbe E1 E2 rbe ib2
B1 B2
i
β ib1 β ib2
T3
ve1 C1 u C2 ve2

vs1 RC R2 RC vs2

L’expression de la résistance interne Ri du générateur de courant

est égale à celle du rapport de u/i

I0 RC
Ad = −gm RC = − R Ac = −
2UT C rbe + 2( + 1) Ri
 MODULATION D’AMPLITUDE

+ VCC = +15 V

ve = VEm sin ( 2 f2 t)
VEm = 20mV B1 Amplificateur vs2 = { 20 I RC} ve
Différentiel
f2 = 1000 Hz
+ B2
e
vge Fd très important

I = I0 + Im sin ( 2 f1 t)
I0 = 1 mA
- VEE = -15 V
Im = 0.5 mA
f1 = 100 Hz

Gain du montage en fonction du temps (tension ve nulle)

300

200

100
0 10 20 30 40
t en ms

Evolution de la tension de sortie vs2 en fonction du temps

10

10
0 5 10 15 20 25 30 35 40
t en. ms