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Ce document présente une étude sur la détermination de l'énergie de gap des semi-conducteurs ZnO et TiO₂ à l'aide de la spectroscopie UV-Visible. Il décrit les propriétés de ces matériaux, les méthodes expérimentales utilisées pour mesurer leur gap énergétique, ainsi que les résultats obtenus. Les semi-conducteurs sont classés en fonction de leur conductivité et les applications potentielles de ZnO et TiO₂ sont également abordées.

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Ce document présente une étude sur la détermination de l'énergie de gap des semi-conducteurs ZnO et TiO₂ à l'aide de la spectroscopie UV-Visible. Il décrit les propriétés de ces matériaux, les méthodes expérimentales utilisées pour mesurer leur gap énergétique, ainsi que les résultats obtenus. Les semi-conducteurs sont classés en fonction de leur conductivité et les applications potentielles de ZnO et TiO₂ sont également abordées.

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La République Algérienne Démocratique Et Populaire

Ecole Normale Supérieure Assia Djebar CANSTANTINE


Département de physique et chimie

4 eme année physique


Module : Expériences en physique et informatique

Spectroscopie.

Sous la supervision de: Groupe: 02


[Link]
Préparé par:
Saoudi soundousse
Messadi khadidja

ANNEE UNIVERSITAIRE: 2025/2026


Introduction
Dans le domaine de la physique des matériaux, les semi-conducteurs occupent une place essentielle
en raison de leurs propriétés électroniques et optiques. Parmi ces matériaux, l’oxyde de zinc (ZnO) et
le dioxyde de titane (TiO₂) sont largement étudiés pour leurs applications dans l’électronique,
l’optoélectronique et les dispositifs photovoltaïques.

Un paramètre fondamental caractérisant ces matériaux est l’énergie de gap (Egap), qui correspond à
l’énergie minimale nécessaire pour exciter un électron de la bande de valence vers la bande de
conduction. Cette grandeur détermine les propriétés optiques et électriques du matériau.

Une des techniques expérimentales utilisées pour déterminer cette énergie est la spectroscopie UV-
Visible. Dans une approche physique, cette méthode permet d’étudier l’interaction entre le
rayonnement électromagnétique et les électrons dans les bandes d’énergie du solide. En analysant le
spectre d’absorption, il est possible d’accéder à la structure électronique du matériau, notamment à
son gap énergétique.

Ainsi, l’objectif de ce TP est de déterminer expérimentalement l’énergie de gap de ZnO et TiO₂ à


partir de leurs spectres UV-Visible, puis de comparer ces résultats aux valeurs théoriques.

Partie théorique :
Quelques définitions :

Spectroscopie : partie de la chimie analytique qui étudie l’interaction du rayonnement


électromagnétique avec la matière , dans le but d’identifier et de quantifier les substances .

Spectre UV-Visible: Partie du spectre électromagnétique allant de 200 nm (UV) à 800 nm (visible), où
de nombreuses molécules peuvent absorber l'énergie lumineuse pour effectuer des transitions
électroniques.
Le spectromètre: ou un spectroscope, est un appareil qui permet d'effectuer une mesure
spectrométrique de l'absorbance d'une solution à une longueur d'onde donnée ou sur une région
donnée du spectre.
Longueur d'onde maximale (λmax): Longueur d'onde à laquelle l'absorbance d'une substance est
maximale. Elle est caractéristique d'un composé.
Transitions électroniques: Déplacements d'électrons d'un niveau d'énergie inférieur vers un niveau
supérieur suite à l'absorption de lumière.

-Classification des solides selon leur conductivité électrique:

Les matériaux solides peuvent être classés en trois grandes catégories selon leur capacité à conduire
le courant électrique:

2-1-Les conducteurs:

Définition: Ce sont des matériaux qui permettent le passage du courant électrique facilement grâce à
la présence d'électrons libres en mouvement.

Exemples: Cuivre (Cu), fer (Fe), aluminium (Al).

Caractéristiques:

Très bonne conductivité électrique.

Excellente conductivité thermique..

Les électrons de valence se déplacent librement dans le réseau cristallin (modèle du gaz d'électrons
libres).

2-2-Les isolants:

Définition: Ce sont des matériaux qui ne laissent pratiquement pas passer le courant électrique, car
ils ne possèdent pas d'électrons libres.

Exemples: Verre, plastique, céramique, bois sec.

Caractéristiques:

Large bande interdite (généralement > 5 eV).

Pas de transitions électroniques faciles.

Utilisés comme matériaux isolants dans les appareils électriques.

2-3-Les semi-conducteurs:

Définition: Matériaux ayant une conductivité électrique intermédiaire entre celle des conducteurs et
des isolants. Leur conductivité augmente avec la température ou après dopage.

Types de semi-conducteurs: Intrinsèques et Extrinsèques


Les semi-conducteurs peuvent être classés en deux grandes catégories selon leur composition et leur
comportement électrique: intrinsèques (purs) et extrinsèques (dopés).

1-Semi-conducteurs intrinsèques:

Définition: Les semi-conducteurs intrinsèques sont des matériaux purs, comme le silicium (Si) ou le
germanium (Ge), qui ne contiennent aucune impureté ajoutée. Leur conductivité électrique dépend
fortement de la température.

Caractéristiques:

Conductivité: Très faible à température ambiante, mais augmente avec la température à mesure que
des électrons sont excités vers la bande de conduction.

Porteurs de charge: Les électrons dans la bande de conduction et les trous dans la bande de valence
sont générés par l'agitation thermique.

Conductivité thermique: Faible à basse température, mais augmente avec l'élévation de la


température.

Exemples: Silicium pur (Si); Germanium pur (Ge)

2-Semi-conducteurs extrinsèques:

Définition: Ce sont des semi-conducteurs dopés, c'est-à-dire qu'on leur ajoute volontairement des
impuretés spécifiques pour améliorer leur conductivité. Ce dopage crée deux types: type N et type P.

Semi-conducteurs de type N:

Dopage: Par des éléments de la colonne V (phosphore, arsenic, antimoine) possédant 5 électrons de
valence.

Effet: Un électron en excès devient libre et contribue à la conduction.

Porteurs majoritaires: Electrons libres (négatifs).

Exemple: Silicium dopé au phosphore (Si-P)


Semi-conducteurs de type P:

Dopage: Par des éléments de la colonne III (bore, aluminium, gallium) avec 3 électrons de valence.

Effet: Création de trous (lacunes électroniques) dans la bande de valence.

Porteurs majoritaires: Trous (positifs).

Exemple: Silicium dopé au bore (Si-B)

3-L'énergie de Gap: (énergie de bande interdite)

Définition: L'énergie de gap est la différence d'énergie entre le sommet de la bande de valence et le
bas de la bande de conduction dans un solide (généralement un semi-conducteur ou un isolant).

Elle représente l'énergie minimale nécessaire pour qu'un électron passe de la bande de valence à la
bande de conduction, devenant ainsi libre de conduire le courant électrique.

Si Eg est faible: (ex. silicium =1.1 eV), le matériau est semi-conducteur.

Si Eg est grande: (supérieure à 3 eV), le matériau est isolant.

Si Eg =0: le matériau est conducteur (métal).

Types d'énergie de gap:

1-Gap direct (Direct Band Gap):

L'électron passe de la bande de valence à la bande de conduction sans changement de moment (k).

Le photon fournit directement l'énergie nécessaire.

Ces matériaux sont utilisés dans les applications optoélectroniques (ex: LEDs, lasers).

Exemple: Arséniure de gallium (GaAs).

1-Gap indirect (Indirect Band Gap):


L'électron subit un changement de moment, impliquant un photon et un phonon (quantum de
vibration).

L'absorption optique est moins efficace.

Utilisés généralement en électronique.

Exemple: Silicium (Si), Germanium (Ge).

Méthodes de détermination de Eg :

1. Méthode optique (spectroscople UV-Vis ):

Principe: On mesure l'absorption ou bien la transmittance de la lumière par un matériau en


fonction de l'énergie (ou la longueur d'onde) de la lumière incidente.

Méthode de Tauc:

Est un graphique communément utilisé pour déterminer le band gap optique d'un matériau -
en général un semi-conducteur (ahu)n = F (hν). La constante n dépend de la nature du band
gap, elle vaut 1/2 pour un band gap direct et 2 pour un band gap indirect.

La valeur du gap (l'énergie de gap Eg/ la bande interdite optique) est obtenue en extrapolant
la partie linéaire de la courbe, à l'intersection de cette droite avec l'axe des abscisses.
2. La méthode de la dérivée première de la transmittance :

Est une technique simple et efficace pour déterminer l'énergie de gap Eg dans les matériaux
semi- conducteurs. Elle repose sur l'analyse des variations de la transmittance optique T en
fonction de l'énergie des photons E. Lorsqu'un photon possède une énergie supérieure ou
égale à celle de la bande interdite, il est absorbé, ce qui provoque une chute rapide de la
transmittance. Ce changement peut être détecté et analysé à l'aide de la

dérivée.
On commence par convertir les données de longueur d'onde en énergie à l'aide de la
relation, puis on trace la transmittance Ten fonction de E. Ensuite, on calcule la dérivée
première de cette courbe,, afin de mieux visualiser les variations rapides. Le tracé de cette
dérivée montre généralement un pic net, qui correspond au début de l'absorption
photonique. L'énergie à laquelle apparaît ce pic donne une estimation de l'énergie de gap Eg.

Cette méthode est largement utilisée car elle ne nécessite pas le calcul du coefficient
d'absorption et convient particulièrement aux couches minces. Toutefois, elle reste une
méthode approximative dont la précision dépend de la qualité des données expérimentales.

Les matériaux utilisées pour ce TP :

Oxyde de zinc (ZnO):

A-Spécifications chimiques et physiques:

Formule chimique: ZnO

Masse molaire: 81,38 g/mol

Couleur: Blanche ou transparente

Structure cristalline: II cristallise dans le système hexagonal (Hexagonal), mais peut également
cristalliser dans le système cubique (Cubic).

Température de fusion: Environ 1975°C

B-Propriétés électriques:

Type de semi-conducteur: Semi-conducteur de type N (permet I électrons librement).

Bande interdite (Band Gap): Environ 3,37 eV à température ambiante adapté aux applications dans
l'ultraviolet (UV).

Conductivité électrique: Dépend de la structure cristalline et du dopage.

C-Propriétés optiques:

Absorption de la lumière: ZnO a une grande capacité à absorber la lumière, dans la région
ultraviolette.

Propriété photonique: ZnO est utilisé dans les systèmes photoniques tels que les applications UV et
les lasers.

Transparence: ZnO possède une haute conductivité électrique tout en restant transparent dans le
spectre visible.

D-Applications:
Electronique: Comme les diodes (Diodes), les transistors et les capteurs.

Lumière: Utilisé dans l'éclairage ultraviolet, ainsi que dans les écrans tactiles.

Matériaux antibactériens: En raison de ses propriétés antibactériennes, il est utilisé dans les
préparations médicales.

Peintures: Utilisé dans la fabrication de peintures blanches, de pigments et d'additifs pour plastiques.

2. Oxyde de titane (TIO₂):

A-Spécifications chimiques et physiques:

Formule chimique: TiO2

Masse molaire: 79,87 g/mol

Couleur: Blanche.

Structure cristalline: II cristallise sous différentes formes comme l'Anatase, le Rutile et le Brookite.

Température de fusion: Environ 1843"C

Transparence: TiO₂ possède des propriétés semi-conductrices.

B-Propriétés électriques:

Type de semi-conducteur: Généralement considéré comme un semi-conducteur de type N.

Bande interdite (Band Gap): Environ 3,2 eV.

Conductivité électrique: Dépend de la structure cristalline.

C-Propriétés optiques:

Propriétés phatoniques: TIO, a d'excellentes propriétés d'absorption dans la région.

ultraviolette, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant l'absorption des UV.
Transparence: Dans le spectre visible, Tio, est généralement opaque, mais dans l'ultraviolet, il
montre une forte capacité d'absorption.

Couleur blanche: TiO₂ est principalement utilisé comme pigment blanc dans divers produits comme
les peintures et les plastiques.

D-Applications:

Peintures: TIO, est utilisé comme pigment blanc dans la fabrication de peintures et de revêtements.

Filtres UV: TIO, est utilisé dans de nombreux filtres solaires en raison de sa capacité élevée à
absorber les rayons UV.

Photocatalyse: TiO₂ est utilisé pour catalyser des réactions chimiques sous lumière dans de
nombreuses applications environnementales.

Electronique: Utilisé dans des appareils électroniques.

1. Principe de la spectroscopie UV-Visible

La spectroscopie UV-Visible repose sur l’absorption de photons par un matériau. Lorsqu’un photon
d’énergie hν interagit avec un semi-conducteur, il peut exciter un électron si :

hν≥Eg

Cela correspond à une transition électronique entre la bande de valence et la bande de conduction.

L’absorption dépend donc de l’énergie des photons et permet d’obtenir un spectre représentant
l’absorbance en fonction de la longueur d’onde ou de l’énergie.

Principe de fonctionnement du spectrophotomètre

Le spectrophotomètre UV-Visible est constitué de plusieurs éléments :

• Une source lumineuse (UV et visible)

• Un monochromateur (sélection des longueurs d’onde)

• Un porte-échantillon
• Un détecteur

Fonctionnement :

1. La lumière incidente d’intensité I0I_0I0 traverse l’échantillon

2. Une partie est absorbée

3. L’intensité transmise III est mesurée

On définit alors la transmittance :

T=I/I0

Et l’absorbance :

A=−log(T)

Partie expérimentale :
Afin de déterminer les valeurs de Eg pour le ZnO et le TiO₂, nous avons adopté deux méthodes
expérimentales:
La première est une méthode optique basée sur la loi de Tauc, tandis que la seconde repose sur
l'analyse de la dérivée dT
Ces méthodes ont été appliquées à partir des données obtenues par un spectrophotomètre,
lesquelles nous ont fourni un ensemble de longueurs d'onde (A) associées à des valeurs de
transmittance (T).
1-Méthode optique:

1 100
D'après la loi de Tauc: 𝛼𝛼 = ( )ln( )
𝑑𝑑 𝑇𝑇

1-1-Nous tracerons (ahv)2 en fonction de hv pour ZnO1 et pour ZnO2 et tracerons √ahv en fonction
de hv pour TiO2 :

a)_pour Zn01 :
0.0007 (αhυ)²=f(hυ) pour ZnO1
0.0006

0.0005

0.0004
(αhυ)²
0.0003

0.0002

0.0001

0.0000

-0.0001
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

_À partir de la courbe, nous avons tracé la tangente qui coupe l'axe des abscisses au point
représentant l'énergie de gap (Eg): Eg=3.15 (ev)

b)_Pour ZnO2 :

0.0007 (αhυ)²=f(hυ) pour ZnO2


0.0006

0.0005

0.0004
(αhυ)²

0.0003

0.0002

0.0001

0.0000

-0.0001
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

_À partir de la courbe, nous avons tracé la tangente qui coupe l'axe des abscisses au point
représentant l'énergie de gap (Eg): Eg=3.1 (ev)
C)_pour TiO2 :

0.18
√(αhυ)=f(hυ) pour TiO2
0.16

0.14

0.12
√(αhυ)

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0


_À partir de la courbe, nous avons tracé la tangente qui coupe l'axe des abscisses au point
représentant l'énergie de gap (Eg): Eg=3.4 (ev)

2_La méthode de la dérivée première de la transmittance :

_Dans cette méthode, nous avons exploité les données expérimentales de la transmittance T en
fonction de la longueur d’onde .
_Ensuite, nous avons calculé la dérivée première dT/dE à l’aide du logiciel Origin.
_Le tracé de dT/dE = f(E) donne une courbe présentant un pic bien défini.
_Ce pic correspond au seuil d’absorption du matériau.
_La position de ce maximum permet de déterminer l’énergie de gap Eg.
a)_Pour ZnO1 :
Eg= 3 .45 ev
14 dT/dE =f(E) pour ZnO1
12
10
8
6
4
2
dT/dE

0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14

3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0


E

b)_pour ZnO2 :
Eg= 3.21ev

10
9 dT/dE = f(E) pour ZnO2
8
7
6
5
4
3
2
dT/dE

1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
3.00 3.05 3.10 3.15 3.20 3.25 3.30 3.35 3.40
E

c)_pour TiO2 :
Eg=3.6 ev
10
dT/dE = f(E) pour TiO2
8

2
dT/dE

-2

-4

-6

-8

-10
2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 4.0
E

3_Comparaison avec les valeurs théoriques :


Les valeurs théoriques sont :
ZnO :
Eg(théo)=[3.2 – 3.4 ] ev
TiO₂ :
Eg(théo)=[3 – 3.8] ev
_On remarque que :
Les valeurs expérimentales sont en bon accord avec les valeurs théoriques
_L’écart observé peut être dû à :
erreurs expérimentales.
bruit dans les mesures.
imprécision du spectrophotomètre.
4_Comparaison entre les deux méthodes :
a)_Méthode de Tauc :
_Plus précise théoriquement.
_Basée sur un modèle physique (absorption).
_Nécessite une extrapolation.
b)_Méthode différentielle :
_Plus simple et rapide.
_Donne directement Eg à partir du pic.
_Sensible au bruit expérimental.
Conclusion de la comparaison :
La méthode de Tauc reste la plus fiable, tandis que la méthode différentielle est utile pour une
estimation rapide.
Programme C - Traitement des données spectroscopiques
#include <stdio.h>
#include <stdlib.h>
#include <math.h>

// Structure de données pour stocker les calculs de chaque point du spectre


typedef struct {
double lambda; // Longueur d'onde (nm)
double transmittance; // Transmittance T (%)
double energy; // Énergie E = h*nu (eV)
double alpha; // Coefficient d'absorption calculé
double tauc_direct; // (alpha * h*nu)^2 pour ZnO
double tauc_indirect; // sqrt(alpha * h*nu) pour TiO2
double dTdE; // Dérivée première dT/dE
} SpectroPoint;

// Fonction principale de traitement numérique


void traiter_donnees_spectro(SpectroPoint points[], int n) {
int i;

// 1. Calcul de l'énergie et des fonctions de Tauc


for(i = 0; i < n; i++) {
points[i].energy = HC_CONSTANT / points[i].lambda;

if (points[i].transmittance > 0) {
points[i].alpha = log(100.0 / points[i].transmittance);
} else {
points[i].alpha = 0.0;
}

double h_nu = points[i].energy;


points[i].tauc_direct = pow(points[i].alpha * h_nu, 2); // Modèle
Gap direct
points[i].tauc_indirect = sqrt(points[i].alpha * h_nu); // Modèle
Gap indirect
}

// 2. Calcul de la dérivée première dT/dE par différences finies


// Extrémités (différences simples)
points[0].dTdE = (points[1].transmittance - points[0].transmittance) /
(points[1].energy - points[0].energy);
points[n-1].dTdE = (points[n-1].transmittance - points[n-2].transmittance)
/ (points[n-1].energy - points[n-2].energy);

// Points centraux (différences centrées pour plus de précision)


for(i = 1; i < n - 1; i++) {
points[i].dTdE = (points[i+1].transmittance - points[i-
1].transmittance) / (points[i+1].energy - points[i-1].energy);
}
}

int main() {
// Jeu de données d'un sous-groupe (Exemple: ZnO)
// Remplaçable par vos propres valeurs expérimentales
SpectroPoint tableau_tp[10] = {
{340.0, 15.2}, {350.0, 18.5}, {360.0, 25.1},
{370.0, 40.3}, {380.0, 65.8}, {390.0, 82.1},
{400.0, 88.4}, {410.0, 90.1}, {420.0, 91.5},
{430.0, 92.0}
};

int nb_points = 10;


int i;

// Exécution de l'algorithme
traiter_donnees_spectro(tableau_tp, nb_points);

// Création du fichier de sortie pour Origin / Excel


FILE *fichier = fopen("donnees_traitees_tp.txt", "w");
if (fichier == NULL) {
printf("Erreur d'ouverture du fichier.\n");
return 1;
}

// En-tête du fichier texte exporté


fprintf(fichier,
"Lambda(nm)\tT(%%)\tE(eV)\tAlpha\tTauc_Direct\tTauc_Indirect\tdT/dE\n");

// Affichage des résultats à la console

printf("\n=====================================================================
====\n");
printf(" %-10s %-8s %-8s %-8s %-16s %-12s\n", "Wave(nm)", "T(%)", "E(eV)",
"Alpha", "(Alpha*E)^2", "dT/dE");

printf("=======================================================================
==\n");

double max_derivee = 0.0;


double eg_estime = 0.0;

for(i = 0; i < nb_points; i++) {


printf(" %-10.1f %-8.1f %-8.3f %-8.3f %-16.4e %-12.3f\n",
tableau_tp[i].lambda, tableau_tp[i].transmittance,
tableau_tp[i].energy,
tableau_tp[i].alpha, tableau_tp[i].tauc_direct,
tableau_tp[i].dTdE);

// Écriture tabulée dans le fichier


fprintf(fichier, "%.1f\t%.2f\t%.4f\t%.4f\t%.4e\t%.4e\t%.4f\n",
tableau_tp[i].lambda, tableau_tp[i].transmittance,
tableau_tp[i].energy,
tableau_tp[i].alpha, tableau_tp[i].tauc_direct,
tableau_tp[i].tauc_indirect,
tableau_tp[i].dTdE);

// Analyse automatique : Détection du pic de la dérivée (valeur


absolue)
if (fabs(tableau_tp[i].dTdE) > max_derivee) {
max_derivee = fabs(tableau_tp[i].dTdE);
eg_estime = tableau_tp[i].energy;
}
}

fclose(fichier);

printf("=======================================================================
==\n");
printf("\n ANALYSE FINALE REUSSIE :\n");
printf(" -> Fichier texte exporte : 'donnees_traitees_tp.txt'\n");
printf(" -> Valeur de Eg detectee automatiquement (Pic dT/dE) : %.2f
eV\n\n", eg_estime);

return 0;
}
Conclusion :
Nous avons déterminé l’énergie de gap des semi-conducteurs ZnO et TiO₂ à partir de leurs
spectres UV-Visible.
Deux méthodes ont été utilisées : la méthode de Tauc et la méthode de la dérivée première de la
transmittance.
Les résultats obtenus sont globalement en accord avec les valeurs théoriques, ce qui confirme la
validité des approches expérimentales utilisées.
La méthode de Tauc c’est révélée plus précise, tandis que la méthode différentielle permet une
estimation rapide mais reste sensible au bruit expérimental.
Ce travail met en évidence l’importance de la spectroscopie UV-Visible dans la caractérisation
des propriétés optiques des matériaux semi-conducteurs.
Références
- Charles Kittel, 1998, Physique des semi-conducteurs, Dunod, pp. 120-150.

- Neil Ashcroft, David Mermin, 2002, Physique du solide, EDP Sciences, pp. 200-
260.
- Mark Fox, 2013, Propriétés optiques des solides, De Boeck, pp. 50-90.*

- J. Michael Hollas, 2004, Spectroscopie moléculaire, De Boeck, pp. 80-130.

- Douglas Skoog, 2015, Méthodes spectroscopiques d'analyse, De Boeck, pp.


300-350.µ

- Douglas Skoog, Donald West, 2014, Analyse instrumentale, De Boeck, pp. 250-
310.

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