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Résumé RLC Forcé

Le dipôle RLC est constitué d'un condensateur, d'une bobine et d'une résistance, avec une pulsation propre et une énergie totale définies. Il répond à une tension sinusoïdale par un courant sinusoïdal, et son impédance dépend des résistances et de l'inductance. Le circuit peut être inductif, capacitif ou résistif selon la relation entre la pulsation et la pulsation propre, et la résonance se produit lorsque l'intensité est maximale.

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Résumé RLC Forcé

Le dipôle RLC est constitué d'un condensateur, d'une bobine et d'une résistance, avec une pulsation propre et une énergie totale définies. Il répond à une tension sinusoïdale par un courant sinusoïdal, et son impédance dépend des résistances et de l'inductance. Le circuit peut être inductif, capacitif ou résistif selon la relation entre la pulsation et la pulsation propre, et la résonance se produit lorsque l'intensité est maximale.

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Résumé Le dipôle RLC en régime forcé

C'est un dipôle formé de l'association en série d'un condensateur de capacité C, une bobine d’inductance L
et de résistance r et un résistor de résistance R. La résistance totale est RT = R + r .

Sa pulsation propre est 0 = 1 (en rad.s ) et son énergie totale est E = Ee + Em = 1 CuC + 1 L i
–1 2 2

LC 2 2
 Réponse d'un dipôle RLC à une tension sinusoïdale u (t) = Um sin (t + u).
C'est le passage d'un courant sinusoïdal de même pulsation  que la tension excitatrice u(t) (établie par le GBF).
di
L’équation différentielle est : L
dt C 
+ (R+r) i + 1 [Link] = u. Sa solution est : i (t) = m sin (t + i)

Um U 2
Z= = est l’impédance du dipôle RLC avec Z= (R+r)2 + (L- 1 ) (Z  R + r).
Im I C
L 1 C
Soit u –i tg= et cos = > 0 (  <<  ).
R+r  
 Impédances des dipôles : ZR = R ; ZL = L ; ZC = 1/C
Zb = r 2+(L )2 ; ZLC = L  -1/C  .
Expressions des tensions :
uR = R i = URm sin (t + uR) avec URm = R m et uR =i


uC = 1 i. dt = UCm sin (t +uC) avec UCm = ZC m = Im C et uC =i+ 
C 
= Ubm sin (t + ub) avec Ubm = Zb m = r 2  (L)2 .m et tg (ub – i) = L 
di
ub = r i + L
dt r
 Identification des sinusoïdes : on a toujours URm < Um ; u – uC > 0 et u – ub < 0 .
 Nature du circuit :
1 
 Circuit inductif : > 0 (ou L > ou ZL > ZC) et  > 0 (entre 0 et ) ou u en avance / i.
C 2

Calcul de u –i


 = . t = 2  .t
T
T
t = (décalage horaire)
8
D’où  = /4 rad.
u en avance/i   >0
Diagramme des impédances
u en avance / i  circuit inductif D'où  =/4 rad.
> 0
1 
 Circuit capacitif :  < 0 ou L < (ZL < ZC) et  < 0 (entre – et 0) ou u en retard / i.
C 2
 Circuit résistif : = 0 ou L= 1 (ZL =ZC) et = 0 ou u en phase avec i
C
 Résonance d’intensité : m () = Um/ Z est max Z est min.
D’où :  = 0 , = 0 et Z = R + r (ou  = U/(R+r)).
2
Aussi : u = (R+r) i et E = cte = L I .
Coefficient de surtension et Facteur de qualité à la résonance : Q = UC / U
1 L 1 L
Q=   . Il y a surtension si Q > 1.
(R  r)C Rr Rr C

©Mahdy Studies, 2023. Tous droits réservé[Link]

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