RÉPUBLIQUE DU CAMEROUN REPUBLIC OF CAMEROON

Paix-Travail-Patrie Peace-Work-Fatherland
--------------- ---------------
UNIVERSITÉ DE BERTOUA THE UNIVERSITY OF BERTOUA
BP 416 P.O. Box 416
Tél : 222 24 18 01/Fax Phone: 222 24 18 01 /Fax
[Link] [Link]
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ÉCOLE SUPÉRIEURE DE ADVANCED SCHOOL OF MINES
TRANSFORMATION DES MINES ET DES PROCESSING AND ENERGY
RESSOURCES ÉNERGÉTIQUES RESOURCES
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Support de cours de l’Unité d’Enseignement :

ELEMENTS FONDAMENTAUX
D’ELECTRONIQUE ET
D’ELECTROTECHNIQUE

CODE : LSC234
Crédits : 06
Répartition horaire:
CM : 60 heures, TD : 15 heures, TPE : 15 heures

NIVEAU 2

Parcours : SCT

Responsables : Dr. TCHOFFO HOUDJI Etienne /

Dr THEPI SIEWE Raoul

Année académique 2024/2025

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E. Tchoffo Houdji - 2024/2025
LSC234: ELEMENTS FONDAMENTAUX D’ELECTRONIQUE ET
D’ELECTROTECHNIQUE

INTITULE DE L’UE : ELEMENTS FONDAMENTAUX D’ELECTRONIQUE ET

D’ELECTROTECHNIQUE
CODE : LSC234, Crédits : 06
REPARTITION HORAIRE : CM : 60 heures, TD : 15 heures, TPE : 15 heures

Description et objectifs du cours : Ce cours a pour but de présenter rapidement le plus large
éventail possible des connaissances de base en électronique (analogique et numérique),
électrotechnique, traitement et transport du signal.
Contenu : Quelques mathématiques : Généralités sur les signaux, notion de filtre linéaire, Le
circuit électrique, dipôles électriques, régime sinusoïdale, spectre harmonique. Semi-
conducteur et transistors. Systèmes analogues. Systèmes numériques. Transmission de
l’information. Bases d’électrotechnique. Faire quelques applications sur carte Arduino.

SEMESTRE 4 (Niveau 2)
Code UE Constitutif Eléments constitutifs Crédits CM TD TP TPE
de l’UE du semestre
EC1UEF3 : Bases de 15 5
l’électronique analogique
UEF3: Eléments
fondamentaux EC2UEF3 : Bases de 6 15 5
LSC234 l’électronique numérique
d’électronique et
d’électrotechnique 10
EC3UEF3 : Bases de 20 5
l’électrotechnique

EC4UEF3 : Applications sur carte 15

Arduino

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PLAN DU COURS
PARTIE I : BASES DE L’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Chapitre 0 : Généralités sur les circuits électriques et filtres linéaires

Chapitre 1 : Les bases des semi-conducteurs

Chapitre 2 : Les diodes et leurs applications : Circuits à diodes

Chapitre 3 : Transistor bipolaire

Chapitre 4 : Transistor à effet de champ (TEC)

Chapitre 5 : Les amplificateurs opérationnels : Quelques montages de base

PARTIE II : BASES DE L’ELECTROTECHNIQUE

Chapitre 1 : Système électriques monophasés et triphasés, puissances électriques

Chapitre 2 : Généralités sur les circuits couples magnétiquement ou circuits magnétiques

Chapitre 3 : Les Transformateurs (monophasés)

PARTIE III : BASES DE L’ELECTRONIQUE NUMERIQUE

Chapitre 1 :

Chapitre 2 :

Chapitre 3 :

Chapitre 4 :

PARTIE VI : APPLICATIONS SUR CARTE ARDUINO

Chapitre 1 : Généralités sur Arduino et la programmation d’une carte Arduino

Chapitre 2 : Quelques applications pratiques des systèmes électroniques et

électrotechniques sur Arduino

Quelques Références Bibliographiques pour les parties I et II

 José-Philippe Pérez, Christophe Lagoute, Jean-Yves Fourniols, Stéphane Bouhours,
« Électronique. Fondements et applications » - 2e édition, Dunod, 2012 (la - 2e édition
date de 2022)
 Albert Paul Malvino, David J. Bates - Principes d’électronique - 8e éd.-Dunod (2016)
 Pierre Mayé. Aide-mémoire des Composants électroniques. 3eme éditions. Dunod, Paris,
2005

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E. Tchoffo Houdji - 2024/2025
  Tahar Neffatt. Introduction a l’électronique analogique. Dunod, Paris 2008
 Albert Paul Malvino, David J Bates. Principes d'électronique: Cours et exercices corrigés.
Dunod; Édition : 7e édition (2008).
 Jean-Marc Poitevin. Électronique : Exercices corrigés avec rappels de cours. Tome 1 -
Composants discrets et méthodes de calcul. Dunod 2003 - 2ème édition - 272 pages
 Luc Lasne,Exercices et problèmes d’électrotechnique :Notions de base, réseaux et
machines électriques,Dunod,2011
 [Link],D Dixneuf,[Link] ,Principes d’électrotechnique, Dunod,2011
 D.F Warne,Génie électrotechnique,Dunod,2013
 Théodore Wildi, Gilbert Sybille, Electrotechnique, 4éd, Dunod, 2005
 Pierre Mayé, Problèmes corrigés d'élctrotechnique, Dunod, 2012
 Max Marty, Daniel Dixneuf, Delphine Garcia Gilabert, Principes d'électrotechnique -
Cours et exercices corriges-Dunod, Dunod, 2005

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 Thèmes de TPE d’électronique et d’électrotechnique de base

Thème 1 : Le transistor bipolaire en commutation

Thème 2 : Le phénomène de distorsion dans les amplificateurs à transistor bipolaire
Thème 3 : Les amplificateurs de puissance
Thème 4 : Les amplificateurs de différence
Thème 5 : Les alimentations classiques et stabilisées
Thème 6 : Fonctionnement en régime non linéaire des amplificateurs opérationnels
Thème 7 : Redressement à amplificateurs opérationnels
Thème 8 : Les oscillateurs non sinusoïdaux
Thème 9 : Couplage entre étage des amplificateurs à transistors bipolaires
Thème 10 : La diode en commutation
Thème 11 : Etude de la 78XX et de la 79XX : Exemples d’application (sur carte Arduino)
Thème 12 : Etude de la LM217 et de la LM317 : Exemples d’application (sur carte Arduino)
Thème 13 : Utilisations de la diode en : Limiteur de crête (clipping); Multiplieur de tension ;
Restitution d’une composante continue (clamping) (application sur carte Arduino) ;
Thème 14 : Utilisations de la diode pour le redressement
Thème 15 : Les filtres actifs du premier ordre à base des amplificateurs opérationnels
Thème 16 : Méthode de relèvement ou d’amélioration du facteur de puissance
Thème 17 : Les perturbations harmoniques dans un réseau électrique
Thème 19 : Les transformateurs dans les réseaux d’énergie électriques

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PARTIE I : BASES DE L’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Chapitre 0 : Généralités sur les circuits électriques et filtres

linéaires

1. Dipôle électrique

1.1- Définition - Caractéristique d’un dipôle

Un dipôle électrique ou électrocinétique est un système physique qui possède deux contacts
électriques, et dans lequel peut circuler un courant électrique.

A et B sont les bornes du dipôle.

Figure 1 : Symbole d’un dipôle

On classe les dipôles électriques en deux catégories : les dipôles passifs et les dipôles actifs.

Un dipôle passif est un dipôle qui, branché seul au voltmètre, ne présente pas de tension à ses
bornes. Ce type de dipôle n’échange de l’énergie qu’avec le circuit auquel il est connecté
Exemple : les résistors et les diodes à jonction.

Par extension, on appelle circuit passif, un circuit uniquement constitué de dipôles passifs

Un dipôle actif est un dipôle qui transforme l’énergie électrique en une autre forme d’énergie,
ou inversement.

Ce type de dipôle échange de l’énergie avec le circuit et avec une source auxiliaire. C’est le
cas des piles, alternateurs, photodiodes, amplificateurs opérationnels et transistors par
exemple.

En électricité et électronique, l’état d’un dipôle électrique est caractérisé par deux grandeurs
algébriques:

- La différence de potentielle entre ses bornes 𝑈𝐴𝐵 = 𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 On l’appelle simplement

tension entre les bornes du dipôle. Elle est représentée par une flèche au-dessus ou au-
dessous du dipôle.
- Le courant le traversant I. Il est représenté par une flèche sur l’une des branches du dipôle.
Le comportement d'un dipôle électrique est caractérisé par la relation entre la tension U à ses
bornes et l’intensité de courant I qui le traverse: I = f(U). Cette relation est appelée
caractéristique courant – tension (I - U) du dipôle. On peut aussi tracer la caractéristique
tension - courant (U - I) du dipôle. Si cette relation est linéaire le dipôle est dit linéaire sinon
le dipôle est non-linéaire.

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 Exemples :
 Une résistance est un dipôle linéaire
 Une diode est un dipôle non-linéaire
I
Non Linéaire

Linéaire

U
Figure 2 : Exemples de caractéristiques courant-tension de dipôles

Autres propriétés des dipôles électriques :

- La caractéristique statique d’un dipôle passif passe par l'origine O (𝑈0 = 0 𝑒𝑡 𝐼0 = 0).

- La caractéristique statique d’un dipôle actif ne passe pas par l'origine O (𝑈0 ≠ 0 𝑒𝑡 𝐼0 ≠ 0).

- On dit qu’un dipôle est symétrique si sa caractéristique I - U ou U - I est telle qu’un

changement de I en (-I) entraîne un changement de U en (-U). Dans le cas contraire on dira
que le dipôle est non symétrique.

Exemples de dipôles électriques :

Les dipôles passifs Les dipôles actifs

 Résistances
 Toutes lampes électriques  Moteurs électriques
 Diodes  Accumulateurs
 Bobines  Cuves à électrolyse
 Condensateurs ...
...

Ci-dessous les symboles des dipôles les plus fréquemment rencontrés en électronique:

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 Figure 3 : Symboles des dipôles les plus fréquemment rencontrés en électronique

1.2- Conventions d’orientation

En fonction des orientations des flèches du courant et de la tension dans un dipôle électrique, on
a donc deux situations possibles :

- Si les orientations des deux flèches sont de sens contraires, la convention choisie est appelée
convention récepteur ; Cela permet d'obtenir deux grandeurs positives pour des dipôles
s'opposant à la circulation du courant.

Figure 4 : Dipôle en convention récepteur

- Si les orientations des deux flèches sont dans le même sens, il s’agit de la convention
générateur ; Cela permet d'obtenir deux grandeurs positives pour des dipôles favorisant la
circulation du courant.

Figure 5 : Dipôle en convention générateur

1.3- Générateur
Un générateur est un dipôle actif capable de convertir en énergie électrique une autre forme
d'énergie. Un dipôle est un générateur lorsqu'il fournit de l'énergie électrique. On distingue :
- Les générateurs de tension ;
- Les générateurs de courant.

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1.3.1 Générateur de tension

Un générateur de tension est un dipôle actif qui impose une différence de potentiel (d.d.p)
entres ses bornes quel que soit le courant qui le traverse donc quel que soit la charge.

a) Générateur de tension idéal (ou parfait)

Un générateur de tension est dit idéal ou parfait si sa résistance interne r est nulle.

Générateur idéal de Générateur idéal de Caractéristique d’un générateur idéal de

tension variable tension continue tension continue

Figure 6 : Générateur de tension idéal

𝐸 est appelé force électromotrice (f.e.m.) du générateur de tension.
b) Générateur de tension réel
Il s’agit d’un générateur de tension de résistance interne r non nulle.

Générateur réel de tension Caractéristique d’un générateur

continue réel de tension continue

Figure 7 : Générateur de tension réel

La loi d’Ohm pour ce circuit s’écrit : 𝑈 = 𝐸 − 𝑟𝐼
𝐸−𝑈
D’où : 𝐼 = 𝑟
𝐸
 𝐼𝑐𝑐 = 𝑟 , est le courant de court-circuit (on court-circuite les bornes du générateur
c’est-à-dire 𝑅 = 0) ;
 E est la tension à vide (le générateur est ouvert entre ses bornes c’est-à-dire R est
débranchée ; 𝑅 → ∞).

1.3.2 Générateur de courant

Un générateur de courant est un dipôle actif qui impose la valeur du courant qui le traverse
quelle que soit la tension (d.d.p) entre ses bornes donc quelle que soit la charge.

a) Générateur de courant idéal (ou parfait)

Un générateur de courant est parfait ou idéal si sa résistance interne est nulle.

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 Générateur idéal de Caractéristique d’un générateur idéal de
courant continu courant continu

Figure 8 : Générateur de courant idéal

𝐼0 est appelé courant électromoteur (c.e.m.) du générateur de courant.
b) Générateur de courant réel
Un générateur de courant réel possède une résistance interne r non nulle.

Générateur réel de courant continu Caractéristique d’un générateur réel de

courant continu

Figure 9 : Générateur de courant réel

Le courant débité par ce générateur est donné par :
𝑈
𝐼 = − + 𝐼0
𝑟
1.4- Récepteur
Un récepteur est tout dispositif qui reçoit de l’énergie électrique et qui la convertit en une
autre forme d’énergie. Un dipôle est un récepteur lorsqu'il consomme de l'énergie électrique
(𝑃 > 0). Si le récepteur convertit toute l'énergie électrique qu'il reçoit en chaleur ou en
rayonnement thermique, on dit qu'il s'agit d'un récepteur passif. S'il la convertit autrement
(en énergie lumineuse, par exemple), on dit qu'il s'agit d'un récepteur actif. Une ampoule,
un moteur à courant continu, sont des récepteurs actifs.

1.5- Dipôle actif utilisé comme récepteur

Il est caractérisé par sa force contre électromotrice (f.c.e.m) 𝐸 ′ et sa résistance interne 𝑟 ′ .

La tension et le courant sont de sens inverse

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 Caractéristique d’un récepteur réel
Récepteur actif
réel
Figure 10 : Dipôle actif utilisé en récepteur
La loi d’ohm s’écrit : 𝑈 = 𝐸 ′ + 𝑟 ′ 𝐼.
Soit :
𝑈 𝐸′
𝐼= ′+ ′
𝑟 𝑟
1.6- Droite de charge et point de fonctionnement (point de polarisation)
La caractéristique statique (courant – tension ou Tension – courant) d’un dipôle électrique est
une donnée du concepteur du composant. C’est une relation entre le courant I qui traverse le
dipôle et la tension U à ses bornes.
La droite de charge est une relation entre le courant I traversant un dipôle et la tension U
entre ces bornes lorsqu’il est dans un circuit électrique donné. Cette droite est fixée par
l’utilisateur en fonction des composants du circuit.
Le point de fonctionnement (Ip, Up) est l’intersection entre la caractéristique statique du
dipôle et sa droite de charge dans un circuit électrique donné. Ip et Up sont les valeurs du
courant et de la tension mesurées ou calculées du dipôle dans le circuit en question.
Exemple : Un générateur de tension alimente une charge résistive R.

Figure 11 : Droite de charge et Point de fonctionnement d’un dipôle

La caractéristique courant – tension du dipôle constitué ici par la résistance 𝑅 dérive de la loi
d’ohm pour la résistance : 𝑈 = 𝑅𝐼. Soit
𝑈
𝐼=
𝑅
1
Il s’agit d’une droite de pente positive 𝑅.

La droite de charge est obtenue à partir de la loi d’ohm pour le générateur qui alimente la
charge représentée par la résistance :
𝑈 = 𝐸 − 𝑟𝐼.
𝑈 𝐸
Soit : 𝐼=− +
𝑟 𝑟

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2. Théorèmes généraux
Un théorème est une affirmation que l’on peut démontrer mathématiquement. Ce n’est ni
une loi ni une d définition. On peut dire qu’il s’agit d’une relation.

Les théorèmes généraux sont déduits des lois de Kirchhoff et permettent de simplifier les
méthodes d’analyse et de résolution des circuits électriques et électroniques.

2.1- Lois de Kirchhoff

On distingue deux lois de Kirchhoff : la loi des nœuds en la loi des mailles. Elles sont à la
base de l’analyse et de la détermination de l’état électrique des circuits. Ceci étant déterminé
par la connaissance de tous les courants dans les branches et de toutes les tensions entre deux
nœuds.

Un nœud dans circuit ou un réseau électrique est un point de connection relié à trois dipôles
au moins. Toute portion du réseau entre deux nœuds est une branche. Une boucle fermée, ne
passant qu’une seule fois par un nœud donné, forme une maille.

2.1.1 Loi de Kirchhoff des nœuds ou loi des nœuds

Cette loi exprime la conservation de la charge électrique dans un circuit. Elle stipule que: La
somme des intensités des courants entrants dans un nœud est égale à la somme des intensités
des courants qui en sortent (pas d’accumulation de charge). En d’autres termes : « La somme
algébrique des courants arrivant à un nœud est nulle ».

𝐼1 + 𝐼2 + 𝐼3 = 𝐼4 + 𝐼5

Figure 12 : Loi des nœuds

Cette loi s’écrit aussi sous la forme générale suivante :

𝑛

∑ 𝜀𝑘 𝐼𝑘
𝑘=1

Dans cette dernière expression, on compte positivement les courants orientés vers le nœud N
(𝜀𝑘 = 1)et négativement les courants orientés vers tout autre nœud 𝜀𝑘 = −1).

𝑛 est le nombre de branches aboutissant au nœud considéré.

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2.1.2 Loi de Kirchhoff des mailles ou loi des mailles

Cette loi traduit additivité des tensions et la propriété du potentiel électrostatique de ne

dépendre que du point considéré. Elle stipule: La somme algébrique𝑈2 des différences de
potentiel (ou tension) le long d’une maille quelconque est nulle.

𝑈1 − 𝑈2 − 𝑈3 + 𝑈4 = 0
Figure 13 : Loi des mailles

Cette loi s’écrit aussi sous la forme générale suivante :

𝑛

∑ 𝜀𝑘 𝑈𝑘
𝑘=1

où 𝜀𝑘 = 1si la tension algébrique est orientée selon le sens choisi pour la maille, et 𝜀𝑘 = −1
sinon.

𝑛 est le nombre de tensions aux bornes des dipôles dans la maille considérée.

2.2- Théorèmes fondamentaux

2.2.1 Loi de Pouillet

La loi de Pouillet est relative à des circuits ne comportant qu’une seule maille et dont les
générateurs réels de courant ont été remplacés par les générateurs de tension équivalents. On
détermine alors simplement la valeur de l’intensité du courant dans la maille.

Exemple d’application :

Considérons le circuit de la figure suivant :

Figure 15 : Application de la loi de Pouillet

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La loi des mailles s’écrit : 𝑈𝐴𝐵 + 𝑈𝐵𝐶 + 𝑈𝐶𝐴 = 0, 𝑆𝑜𝑖𝑡 𝐸1 + 𝑅1 𝐼 − 𝐸2 + 𝑅2 𝐼 + 𝑅3 𝐼 = 0

On déduit le courant circulant dans cette maille :

𝐸2 − 𝐸1
𝐼=
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3

D’où l’énoncé suivante de la oi de Pouillet : « l’intensité du courant, dans un circuit ne

comportant qu’une seule maille, est égale au rapport de la somme algébrique des f.e.m. des
générateurs de tension sur la somme des résistances de la maille »

Remarque : L’application de la loi de Pouillet ne présente aucun intérêt si la maille comporte

un générateur de courant parfait. Ce dernier imposera par définition un courant dont
l’intensité est égale à son courant électromoteur (c.e.m.).

2.2.2 Pont diviseur de tension

Le schéma d’un pont diviseur de tension est donné par la figure suivant:

Figure 16 : Application du principe du pont diviseur de tension

Il s’agit d’une application directe de la mise en série de deux résistances. L’application de la

loi des mailles permet d’écrire :
𝐸 = 𝑈1 + 𝑈2 = 𝑅1 𝐼 + 𝑅2 𝐼
Soit

𝐸
𝐼=
𝑅1 + 𝑅2

La tension aux bornes de la résistance 𝑅2 vaut :

𝑅2
𝑈2 = 𝑅2 𝐼 = 𝐸
𝑅1 + 𝑅2
D’une façon générale, la loi du pont diviseur de tension s’énonce comme suit :
la tension aux bornes d’une résistance placée dans un circuit comportant 𝑛 résistances en série,
alimenté par une source de tension E est :
𝑅2
𝑈𝑖 = 𝑅𝑖 𝐼 = 𝑛 𝐸
∑𝑖=1 𝑅𝑖

Elle est en réalité une conséquence de la loi de Pouillet

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2.2.3 Pont diviseur de courant
Le schéma d’un pont diviseur de courant est donné à la figure suivante :

Figure 17 : Application du principe du pont diviseur de courant

Remarque :
Il faut noter qu’ici, on a des résistances en parallèle contrairement au pont diviseur de
tension où les résistances dans le circuit étaient en série.
𝑈 étant la tension ou la différence de potentiel aux bornes des différents éléments en parallèle,
on obtient :
𝐼 = 𝐼1 + 𝐼2
{
𝑈 = 𝑅1 𝐼1 = 𝑅2 𝐼2
La résolution de ce système d’équation donne les solutions suivantes :
𝑅2 𝑅1
𝐼1 = 𝐼 𝑒𝑡 𝐼2 = 𝐼
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
2..2.4 Théorème de superposition
Ce théorème découle des équations linéaires qui relient les courants dans les différentes
branches d’un réseau linéaire, comportant des sources de tension et de courant.

Considérons le montage de la figure suivante constitué d’un circuit alimenté par deux sources
indépendantes ; une source de tension et une source de courant. Les deux source aliment une
charge représentée par la résistance 𝑅. Le théorème de superposition stipule que « le courant
qui traverse la charge 𝑅 est la somme des contribution des différentes sources agissant
individuellement ». Le montage peut ainsi être décomposé en deux montages 1 et 2.

Figure 18 : Application du théorème de superposition

Montage 1 : la source de courant 𝐼𝑔 étant neutralisée, le générateur (𝐸, 𝑟) débite un courant

𝐸
𝐼1 dans la résistance R : 𝐼1 = 𝑟+𝑅

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 Montage 2 : le générateur (𝐸, 𝑟) étant neutralisé (remplacé par sa résistance interne 𝑟), la source
de courant activait seule. Le courant dans la résistance R serait 𝐼2 :
𝑟
𝐼1 = 𝐼
𝑟+𝑅 𝑔
Le courant 𝐼 dans la résistance R dû à la contribution des deux sources sera : 𝐼 = 𝐼1 + 𝐼2
Donc on aura :
𝐸 𝑟
𝐼= + 𝐼
𝑟+𝑅 𝑟+𝑅 𝑔
Énoncé général du théorème de superposition
« Le courant produit dans une branche par un ensemble de générateurs indépendants est la
somme des courants produits par chacun d’eux, les autres étant éteints ».
Éteindre un générateur de tension signifie ramener sa f.e.m. à zéro et donc à remplacer cette
f.e.m. par un court-circuit ; éteindre un générateur de courant signifie ramener son c.e.m. à zéro
et donc à le remplacer par un coupe-circuit.

2.2.5 Théorèmes de Thévenin et de Norton

a) Théorème de Thévenin

Il s’énonce comme suit : « tout circuit constitué uniquement de sources idéales de courant, de sources
idéales de tension et de résistances peut être modélisé par un circuit équivalent constitué uniquement
par une source idéale de tension 𝐸𝑡ℎ en série avec une résistance 𝑅𝑡ℎ , dit « générateur de Thévenin
»» (voir figure suivante).

Figure 19: Théorème de Thévenin

Ces caractéristiques sont les suivantes :

 Sa résistance interne 𝑅𝑡ℎ est la résistance équivalente entre les bornes A et B lorsque
chaque générateur indépendant est passivé (remplacé par sa résistance interne).
 Sa f.é.m 𝐸𝑡ℎ est la tension mesurée entre A et B à vide (le dipôle n’est pas connecté à
d’autres éléments externes ».
En pratique, pour appliquer le théorème de Thévenin, on procède comme suit :

i) On ouvre d’abord la branche AB dans laquelle on veut calculer l’intensité,

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 ii) Cette branche étant ouverte, on détermine successivement la tension à vide entre A et
B (𝑈𝐴𝐵0 = 𝐸𝑡ℎ ) et la résistance équivalente 𝑅𝑡ℎ entre A et B en passivant toutes les
sources.
Exemple d’application :
Considère le montage de la figure suivante :

Figure 20: Application du Théorème de Thévenin

 La résistance 𝑅𝑡ℎ est obtenue en passivant la source de tension E :
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑡ℎ = (𝑅1 ∕∕ 𝑅2 ) =
𝑅1 + 𝑅2
 La tension 𝐸𝑡ℎ est la tension obtenue entre A et B (tension aux bornes de R2) :
𝑅2
𝐸𝑡ℎ = 𝐸
𝑅1 + 𝑅2
b) Théorème de Norton
Il s’énonce comme suit : « tout circuit constitué uniquement de sources idéales de courant, de sources
idéales de tension et de résistances peut être modélisé par un circuit équivalent constitué uniquement
par une source idéale de courant 𝐼𝑁 en parallèle avec une résistance 𝑅𝑁 , dit « générateur de Norton
»». (Voir figure suivante).

Figure 21: Théorème de Norton

Ces caractéristiques sont les suivantes :

 Sa résistance interne 𝑅𝑁 est la résistance de Norton.

 Son courant 𝐼𝑁 est égal à l’intensité de court-circuit lorsque l’on relie les points A et B
par un fil ».
Exemple d’application :
Considère le montage de la figure suivante :

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 ⇔

Figure 22: Application du Théorème de Norton

- La résistance 𝑅𝑁 est obtenue en passivant la source de tension E :
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑁 = (𝑅1 ∕∕ 𝑅2 ) =
𝑅1 + 𝑅2
Le courant IN est le courant obtenu en court-circuitant la résistance R2 :

𝐸
𝐼𝑁 =
𝑅1
Remarque : Le passage du modèle d’un générateur de Thévenin à celui d’un générateur de
Norton conduit à trouver :

𝐸𝑡ℎ
𝑅𝑦ℎ = 𝑅𝑁 𝑒𝑡 𝐼𝑁 =
𝑅𝑡ℎ

Figure 23: Principe de dualité : Le théorème de Thévenin sous-entend le théorème de Norton

et réciproquement. (a) Convention Thévenin vers Norton ; (b) Convention Norton vers
Thévenin.

2.2.6 Théorèmes de Millman

Le théorème de Millman, dit aussi « théorème des nœuds », permet de déterminer le potentiel
d’un nœud où aboutissent des branches composées d’un générateur de tension réel.
1
Considérons dans un circuit un nœud A où convergent des branches de conductances 𝐺𝑖 = 𝑟 .
𝑖
Les autres bornes des différentes conductances sont portées des potentiels connus par les
tensions 𝐸𝑖 entre ces points et la masse. (Voir figure ci-dessous)

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E. Tchoffo Houdji - 2024/2025
Figure 24: Théorème de Millman
La démonstration du théorème Millman consiste à transformer chaque branche en générateur
de courant :
- Le courant résultant (𝐼 = ∑𝑛𝑖=1 𝐼𝑖 ) circule dans la résistance équivalente à l’ensemble des
résistances en parallèle (𝐺 = ∑𝑛𝑖=1 𝐺𝑖 ).
- La tension 𝑈𝐴 au nœud A s’écrit alors:
∑𝑛𝑖=1 𝐺𝑖 𝐸𝑖
𝑈𝐴 = 𝑛
∑𝑖=1 𝐺𝑖

Remarque : Ce théorème est une réécriture de la loi des nœuds en fonction des seules
tensions. Il s’avère très commode et très efficace, notamment dans les montages comportant
des amplificateurs opérationnels

3. Circuits en régime sinusoïdal

3.1- Importance du régime sinusoïdal
Les signaux sinusoïdaux basse fréquence ont une importance considérable dans la pratique.
En effet :

 La plus grande partie de l’énergie électrique est produite sous forme de courant
alternatif sinusoïdal (alternateurs, générateurs basse fréquence, etc.);

 Le courant alternatif sinusoïdale est transportable sur de longues distances, sans

grandes pertes, avec des tensions d’amplitude suffisamment élevée ;
 L’étude des circuits électrique est particulièrement simple avec des signaux
sinusoïdaux, puisque ces signaux conservent leur forme, lorsqu’on les dérive par
rapport au temps ou lorsqu’on les intègre ;
 Toute fonction périodique de forme quelconque peut être décomposée en une
somme de signaux sinusoïdaux (série de Fourier).

3.2- Quelques définitions : signal sinusoïdal – valeurs moyenne et efficace

Une tension sinusoïdale est une grandeur périodique et alternative pouvant s’écrire sous la
forme :
𝑢(𝑡) = 𝑈𝑚 sin(𝜔𝑡 + 𝜑)
𝑈𝑚 : est l’amplitude de la tension (V), c’est la valeur maximale de u(t) ;

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 t : est le temps (s) ;

𝜔𝑡 : est la pulsation de la tension (rad/s) ;

(𝜔𝑡 + 𝜑): est la phase instantanée de la tension (rad) ;

𝜑: est la phase à l’origine de la tension (rad ou en °);

𝑈𝑐𝑐 = 2𝑈𝑚 : est la valeur crête à crête de la tension.

T u(t)  Um sin(t  
)
U i(t)  Im
m sin(t)
UC
C

Figure 25: Forme d’ondes d’un courant et d’une tension sinusoïdaux

On peut déterminer pour tout signal sinusoïdale (tension, courant) sa valeur moyenne et sa
valeur efficace.

La valeur efficace d’une fonction 𝑢(𝑡) périodique de période T est définie par :
𝑇
2
1
𝑈𝑒𝑓𝑓 = ∫ 𝑢2 (𝑡)𝑑𝑡
𝑇
0

Si u(t) est sinusoïdale d’amplitude 𝑈𝑚 alors :

𝑈𝑚
𝑈𝑒𝑓𝑓 =
√2
La valeur moyenne d’une fonction périodique 𝑢(𝑡) est définie par :
𝑇
1
𝑈𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑢(𝑡)𝑑𝑡
𝑇
0

3.3- Eléments passifs en alternatifs

En plus d’un conducteur ohmique (résistance), la bobine ou self et le condensateur sont les
autres éléments passifs utilisés dans les circuits électriques en régime alternatifs.

 La bobine (ou self) :

Une bobine parfaite est caractérisée par son inductance 𝐿. Son symbole est le suivant :

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 Figure 26 : Symbole d’une bobine parfaite
La tension entre ses bornes est donnée par la relation :
𝑑𝑖
𝑢(𝑡) = 𝐿
𝑑𝑡
Cette relation vient de l'expression du flux du champ magnétique et de la loi de Faraday qui
seront vues en magnétostatique :
𝑑Φ 𝑑𝑖
Φ = 𝐿. 𝑖 𝑒𝑡 𝑢(𝑡) = =𝐿
𝑑𝑡 𝑑𝑡
L'équation 𝑢(𝑡) montre que l'intensité du courant traversant une inductance ne peut pas subir
de discontinuité, cela correspondrait en effet à une tension infinie à ses bornes, donc à une
puissance infinie.
Note : Une bobine réelle possède toujours une résistance interne, même si elle est de faible
valeur.

Figure 27 : Symbole d’une bobine réelle

La loi de variation de la tension entre ses bornes devient :
𝑑𝑖
𝑢(𝑡) = 𝑟. 𝑖 + 𝐿
𝑑𝑡
 Le condensateur
Un condensateur est caractérisée par sa capacité 𝐶. Son symbole est le suivant :

Figure 28 : Symbole d’un condensateur

Ces équations caractéristiques sont :
𝑑𝑞 𝑑𝑢
𝑞 = 𝐶. 𝑢 𝑠𝑜𝑖𝑡 = 𝐶.
𝑑𝑡 𝑑𝑡
D’où
𝑑𝑞 𝑑𝑢(𝑡)
𝑖(𝑡) = = 𝐶.
𝑑𝑡 𝑑𝑡
Cette équation (𝑖(𝑡)) montre que la tension aux bornes du condensateur ne peut pas subir de
discontinuité, cela correspondrait en effet à un courant d'intensité infinie, donc à une puissance
infinie.
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3.4- Notation complexe
Afin de faciliter l’étudie des circuits électriques linéaires (comportant résistances,
condensateurs, bobines) en régime sinusoïdal, on introduit des grandeurs complexes. Cette
représentation complexe suppose que l’on s’intéresse au comportement d’un circuit dans
lequel ne circulent que des courants sinusoïdaux, et que les tensions sont elles aussi
sinusoïdales. L’intérêt de cette représentation est qu’il est possible de décomposer tout signal,
stationnaire ou non, sous forme d’une somme discrète (série de Fourier) ou d’une intégrale de
fonctions trigonométriques de plusieurs fréquences (transformée de Fourier). Ainsi, il est
possible de déterminer la réponse du circuit en connaissant sa réponse à chacune des fonctions
trigonométriques intervenant dans la somme ou l’intégrale. Or, la réponse d’un circuit à une
excitation décrite par une fonction trigonométrique est généralement facile à calculer, en
généralisant la loi d’Ohm aux condensateurs et aux inductances, par l’introduction
d’impédances complexes.
Dans cette représentation complexe, les grandeurs physiques observables sont les parties
réelles des grandeurs complexes. Pour différencier grandeurs complexes et grandeurs réelles,
on peut par exemple souligner les grandeurs complexes.
Ainsi, à toute fonction sinusoïdale 𝒙(𝒕)d'amplitude 𝑨 et de phase instantanée (𝜔𝑡 + 𝜑), on
peut faire correspondre un nombre complexe défini par

𝑥(𝑡) = A[cos(𝜔𝑡 + 𝜑) + 𝑗sin(𝜔𝑡 + 𝜑)] = 𝐴𝑒 𝑗(𝜔𝑡+𝜑) = 𝐴𝑒 𝑗𝜑 . 𝑒 𝑗𝜔𝑡

On peut encore réécrire :

𝑥(𝑡) = 𝑋. 𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑋 = 𝐴𝑒 𝑗𝜑

La dérivée et l’intégrale de la fonction complexe 𝑥(𝑡) sont respectivement

𝑑𝑥(𝑡) 1
= 𝑗𝜔𝑋. 𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑒𝑡 ∫ 𝑥(𝑡)𝑑𝑡 = 𝑋. 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑑𝑡 𝑗𝜔
Remarque :
La racine carrée imaginaire de -1 est représentée par le symbole 𝑗 afin d’éviter de possibles
confusions avec la représentation des intensités de courant.
La représentation vectorielle (Fresnel) des relations courant-tension en régime sinusoïdal est
une manière de ne garder du signal qu'un déphasage et une amplitude. Ce résultat peut aussi
être obtenu grâce à l'utilisation des nombres complexes:
𝑑𝑥(𝑡) 1
𝒙(𝒕) → 𝑋 = 𝐴𝑒 𝑗𝜑 ; → 𝑗𝜔𝑋 𝑒𝑡 ∫ 𝑥(𝑡)𝑑𝑡 → 𝑋
𝑑𝑡 𝑗𝜔
Loi d’Ohm en alternatif :

Elle s’écrit en introduisant le nombre complexe Z, appelé impédance complexe tel que :

𝑈 = 𝑍. 𝐼
𝑈𝑚 𝑗𝜑
𝑍= . 𝑒 = |𝑍|. 𝑒 𝑗𝜑
𝐼𝑚
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 𝑈𝑚
𝑍 𝑒𝑠𝑡 𝑙 ′ 𝑖𝑚𝑝é𝑑𝑎𝑛𝑐𝑒𝑐𝑜𝑚𝑝𝑙𝑒𝑥𝑒 𝑒𝑡 |𝑍| = 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑒 𝑚𝑜𝑑𝑢𝑙𝑒 𝑑𝑒 𝑍 𝑒𝑛 Ω
𝐼𝑚
On peut aussi décomposer 𝑍 en partie réelle et partie imaginaire :

𝑍 = |𝑍|. 𝑐𝑜𝑠(𝜑) + 𝑗. |𝑍|. 𝑠𝑖𝑛(𝜑) = 𝑅 + 𝑗. 𝑆

𝑅 ≥ 0 est la Résistance du dipôle et 𝑆 sa Réactance
 L’impédance complexe d’une résistance de valeur 𝑅 est 𝑍 = 𝑅. On notera que cette
impédance ne dépend pas de la fréquence.
1
 L’impédance complexe d’un condensateur de capacité 𝐶 est 𝑍 = 𝑗𝐶𝜔.
On notera que cette impédance complexe est purement imaginaire, et que son module tend :
vers l’infini quand 𝜔 tend vers 0 (courant et tension continus), et vers 0 quand 𝜔 tend vers
l’infini (courant et tension de très haute fréquence). Le déphasage entre courant et tension est
𝜋
de 2 en valeur absolue, le courant est ainsi en avance sur la tension d’un quart de période. On
dit que tension et courant sont en quadrature de phase.
 L’impédance complexe d’une bobine d’inductance de valeur 𝐿 est 𝑍 = 𝑗𝐿𝜔.
On notera que cette impédance complexe est purement imaginaire. Son module tend vers 0
quand 𝜔 tend vers 0 (courant et tension continus), et vers l’infini quand 𝜔 tend vers l’infini
𝜋
(courant et tension de très haute fréquence). Le déphasage entre courant et tension est de − 2 ,
le courant est en retard sur la tension d’un quart de période.
 L’association en série de deux impédances complexes 𝑍1 et 𝑍2 est une impédance
complexe de valeur 𝑍 = 𝑍1 + 𝑍2
 L’association en parallèle de deux impédances complexes 𝑍1 et 𝑍2 est une impédance
1 1 1 𝑍 𝑍
complexe de valeur 𝑍𝑒𝑞 tel que 𝑍 = 𝑍 + 𝑍 . Soit 𝑍𝑒𝑞 = 𝑍 1+𝑍2
𝑒𝑞 1 2 1 2

4- Quadripôle
Nous n’allons pas entrer ici dans les détails de cette théorie, mais juste indiquer ce qui nous
sera utile pour l'étude des filtres et transistors.

4.1 Définition
Un quadripôle est une boite noire à quatre bornes dans laquelle des courants électriques
peuvent circuler. Cette boite comporte deux bornes d'entrée et deux bornes de sortie :
𝒊𝒆 𝒊𝒔

𝒗𝒆 𝒗𝒔

𝒊𝒆 𝒊𝒔

Figure 29 : Symbole d’un quadripôle

La condition pour que est que le courant entrant par une des bornes d'entrée (respectivement
de sortie) soit égal au courant sortant par l'autre borne d'entrée (respectivement de sortie).
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 Quatre paramètres électriques caractérisent alors le quadripôle :
- La tension et le courant d'entrée 𝒗𝒆 𝒆𝒕 𝒊𝒆 ,

- La tension et le courant de sortie 𝒗𝒔 𝒆𝒕 𝒊𝒔 .

Deux de ces variables sont indépendantes. Les autres y sont liées par les paramètres du
quadripôle.
En général un quadripôle est alimenté par un dipôle générateur (source de tension ou source
de courant). Le quadripôle alimente à son tour un dipôle récepteur (charge 𝑍𝑐 ). Son rôle
principal consiste à adapter les conditions de fonctionnement du dipôle générateur et du
dipôle récepteur destinés à être connectés l'un à l'autre.
A A
ie is
Zg
eg(t) ve vs Zc

ie is
B B
Dipôle générateur Quadripôle Dipôle Récepteur
Figure 30 : Quadripôle dans un circuit

4.2 Paramètres hybrides

Vu qu'on a quatre variables (𝒗𝒆 , 𝒊𝒆 , 𝒗𝒔 𝒆𝒕 𝒊𝒔 ,) dont deux indépendantes, il y a plusieurs
possibilités pour écrire les équations liant ces variables. Nous choisirons ici les équations
faisant intervenir les paramètres hybrides. Cette approche est le formalisme le plus simple pour
décrire le fonctionnement des transistors. On démontre que l'on peut écrire :
𝒗𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 . 𝒊𝒆 + 𝒉𝟏𝟐 . 𝒗𝒔
{
𝒊𝒔 = 𝒉𝟐𝟏 . 𝒊𝒆 + 𝒉𝟐𝟐 . 𝒗𝒔
En écriture matricielle, ce système d’équations s’écrit :
𝒗𝒆 𝒉 𝒉𝟏𝟐 𝒊𝒆
[ 𝒊 ] = [ 𝟏𝟏 ][ ]
𝒔 𝒉𝟐𝟏 𝒉𝟐𝟐 𝒗𝒔
La matrice de transfert [ℎ] est appelée matrice hybride du quadripôle. La signification des
paramètres est la suivante :
- 𝒉𝟏𝟏 est l'impédance d'entrée du quadripôle avec la sortie en court-circuit ;
- 𝒉𝟏𝟐 est un coefficient (sans dimension) quantifiant la réaction de la sortie sur l'entrée ;
- 𝒉𝟐𝟏 est le gain en courant avec sortie en court-circuit ;
- 𝒉𝟐𝟐 est l'admittance de sortie avec entrée à vide.

4.3 Schéma équivalent du quadripôle

A partir des paramètres hybride définis ci-dessus, on peut donner un schéma électrique
équivalent du quadripôle.
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Figure 31: Schéma équivalent d'un quadripôle

Ce schéma est typiquement celui qui sera utilisé pour représenter le transistor en petits signaux
alternatifs.

5- Fonctions de transfert – Filtres linéaires.

On s’intéresse ici à la réponse fréquentielle des réseaux linéaires par opposition à la réponse
temporelle étudiée jusqu’à présent. On justifiera dans cette partie l’importance des régimes
sinusoïdaux dans les réseaux linéaires par le théorème de Fourier indiquant que « tout signal
périodique peut-être décomposé en une somme de fonctions sinusoïdales ». Ainsi connaître
le comportement fréquentiel d’un système permet ensuite de connaître son comportement
pour n’importe quel signal périodique (et plus seulement sinusoïdal).
On introduira des outils mathématiques pour l’étude fréquentielle d’un système linéaire :
- fonction de transfert,
- diagramme de Bode.
On utilisera ces outils d’analyse dans le cas de filtres linéaires simples usuels.

5.1 Fonction de transfert d’un quadripôle linéaire

a) Quadripôle
Tous les quadripôles étudiés seront linéaires et fonctionneront en RSP. On utilisera donc le
formalisme complexe.

Figure 32: Autre schéma équivalent d'un quadripôle

On définit l’impédance d’entrée par

Du point de vue de la charge de sortie (dipôle branché sur la sortie), un quadripôle est
modélisable par un générateur de Thévenin dont l’impédance est appelée « impédance de sortie
»:
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b) Fonction de transfert
On définit alors, pour un quadripôle et une charge donnés :

c) Représentation d’une fonction de transfert : diagramme de Bode

Le diagramme de Bode consiste à représenter en fonction de 𝑙𝑜𝑔𝜔 (voire log x lorsqu’on peut
définir une pulsation réduite) :
- le gain en décibel 𝐺𝑑𝐵(𝜔),
- le déphasage 𝜑(𝜔).
À noter que l’intervalle qui sépare 𝜔 et 10𝜔 est appelé une décade. La pente d’une courbe de
gain en dB est donc exprimée en dB/déc.

d) Pulsation de coupure
La ou les pulsations de coupures 𝜔𝑐 sont telles que :

La bande passante est l’intervalle de pulsations ∆𝜔 tel que

5.2 Filtres linéaires

a) Généralités sur les filtres
Un filtre est un quadripôle dont la fonction de transfert dépend de w. Un filtre passif (par
opposition à un filtre actif) ne contient que des dipôles passifs et ne fournit pas d’énergie au
signal d’entrée.

b) Filtres d’ordre 1
 Filtre passe-bas d’ordre 1

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  Filtre passe-haut d’ordre 1

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  Composition de filtres d’ordre 1

Très souvent une fonction de transfert peut se mettre sous la forme d’un produit ou d’un rapport
de fonctions de transfert d’ordre 1 comme :

Pour le tracé, on prendra :

On pose alors :

On a alors

On a ici deux pulsations frontières, il est donc impossible de définir une pulsation réduite. Ces
deux pulsations frontières délimitent 3 domaines où il faut chercher des équivalents. On peut
soit utiliser le tableau proposé en cours soit faire un tracé par sommation des graphes :

Les équivalents de chaque gain en dB, sont donnés ci-dessous et on obtient le diagramme

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suivant :

Figure 33: Diagramme de Bode du gain de la composition de filtres d’ordre 1

La courbe noire finale est donc la somme des courbes rouge et bleue en pointillés.
On procède de même pour le diagramme de Bode de la phase

Figure 34 : Diagramme de Bode du déphasage de la composition de filtres d’ordre 1

La courbe noire finale est donc la somme des courbes rouge et bleue et pointillés.

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c) Filtres d’ordre 2
 Filtre passe-bande

Remarque : on a en fait un circuit RLC série pour lequel on regarde la résonance en

intensité.

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  Filtre passe-bas d’ordre 2

À noter ici, la pente à – 40 dB/déc dans la partie x > 1. Ce filtre est un meilleur filtre passe bas
que son équivalent d’ordre 1 mais présente une amplification parasite pour 𝑄 > 1⁄ (due à la
√2
résonance en tension aux bornes du condensateur).
Remarque : on a en fait un circuit RLC série pour lequel on regarde la résonance en tension
aux bornes du condensateur.

 Filtre coupe bande (ou rejecteur)

On donne, à titre documentaire, la forme de la fonction de transfert d’un tel filtre ainsi que
l’allure du diagramme de Bode du gain en dB pour un filtre coupe bande.

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Chapitre 1 : Les bases des semi-conducteurs

1- Introduction

L’électronique est la partie de la physique et de la technique qui étudie et utilise les variations
de grandeurs électriques (champs électromagnétiques, charges électroniques) pour capter,
transmettre et exploiter de l’information. Les semi-conducteurs sont les éléments de bases de
la fabrication de tous les dispositifs électroniques. Ce sont corps dont la résistivité est
intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants. On peut donc contrôler leur
conduction électrique (cas des diodes) ou l’amplification (cas des transistors). Ce contrôle peut
être statique (une fois pour toutes) par dopage (diodes) ou dynamique, par un courant circulant
dans une des broches du composant (transistors). Avant de décrire ce qu'est un matériau semi-
conducteur, il est nécessaire de décrire certaines propriétés énergétiques des électrons dans le
matériau.

1- Energie de l'électron dans un solide

La cohésion des atomes d'un solide est due à la mise en commun d'électrons pour former des
liaisons (électrons de valence). Selon leur position dans l'atome, les électrons sont dans
différents états énergétiques : ces états correspondent à certaines "bandes énergétiques" qui sont
séparées les unes des autres par des bandes interdites. Dans chaque bande énergétique il y a un
grand nombre de niveaux énergétiques permis, avec un maximum possible de 2 électrons par
niveau (Fig. 1).

Figure 1 : Représentation classique du diagramme des bandes d'énergie du solide.

 L’électron qui se trouve dans la bande de valence participe à une liaison covalente
au sein du cristal.
 Un électron ayant acquis suffisamment d’énergie peut se trouver dans la bande de
conduction. Il est alors mobile dans le matériau et peut participer à un phénomène de
conduction.
 La mécanique quantique a montré que les électrons dans un atome ne peuvent pas
prendre des niveaux d’énergie quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés. Entre

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 la bande de valence et la bande de conduction existe donc une bande interdite. Pour
rendre un électron mobile, il faut donc apporter de l’énergie en quantité suffisante
pour franchir cet écart.

Les électrons du solide comblent les bandes les plus basses comme dans un atome isolé (en
réalité une telle configuration n'existe que lorsque la température absolue est nulle). Quand la
température s'élève l'agitation thermique provoque des déplacements d'électrons de la bande de
valence vers la bande de conduction et réciproquement. (Figure 2)

Figure 2 : Recombinaisons entre bande de conduction et bande de valence

2- Types de matériaux
En fonction de la largeur de la bande interdite, on distingue trois types de matériaux, dont les
conducteurs, les isolants et les semi-conducteurs.

2.1- Les matériaux conducteurs

Les bandes de valence et de conduction ont une partie commune. Autrement dit, la bande de
conduction est partiellement remplie. A toute température, il existe des électrons mobiles
susceptibles de participer aux phénomènes de conduction électrique sans fournir d’énergie et le
solide conduit alors l'électricité (mobilité suffisante des électrons dans le réseau atomique).

Figure 3 : Diagramme de bandes d’un matériau conducteur

2.2- Les matériaux isolants

La bande de valence et la bande de conduction sont séparées par une bande interdite de grande
largeur (𝐸𝑔 = 8 à 10 eV) qui ne permet pas aux électrons (même pour des températures élevées)
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de passer dans la bande de conduction. La bande de conduction est alors vide en permanence et
le solide ne contient aucun électron capable de participer à la conduction.

2.3- Les matériaux semi-conducteurs

Les matériaux semi-conducteurs se situent entre les conducteurs et les isolants. Dans un semi-
conducteur la “ largeur ” de la bande interdite est de l’ordre de 1 eV (𝐸𝑔 de 0,6 eV à 2 ou 3 eV)

Figure 4 : Diagramme de bandes d’un matériau semi-conducteur

Les semi-conducteurs ont une résistivité électrique comprise entre 102 Ω et 109 Ω. En
électronique, les trois principaux semi-conducteurs les plus utilisés sont :

 Le Silicium (Si) : c'est le plus utilisé pour la fabrication des composants électroniques.
 Le Germanium (Ge) : il est d’utilisation plus limitée (trop sensible en température,
courants de fuite importants)
 L’Arséniure de Gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la fabrication de composants
optoélectroniques ainsi que des composants plus rapides que ceux en silicium. Ces
applications sont cependant relativement rares.

2.3.1 Semi-conducteur intrinsèque

Un matériau semi-conducteur est dit "intrinsèque" lorsqu’il est parfaitement pur. C’est-à-dire
ne contenant aucun élément étranger. Sa structure cristalline est constituée par des atomes
possédant 4 électrons de valence sur couche périphérique : chaque atome est entouré par 4
autres atomes et la liaison de cet atome avec ses voisins est réalisée par la mise en commun des
électrons de valence pour atteindre 8 électrons, maximum pour une couche stable. C'est la
structure du silicium qui possède un arrangement des atomes en forme de tétraèdre (un atome
central relié à 4 atomes voisins).

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Figure 5 : Représentation en 2D de la structure solide du silicium pur avec ses 4 liaisons
covalentes par atome.

Dans un cristal de silicium pur, tout se passe comme si chaque atome était entouré de 8 électrons
de valence : il est alors dans une configuration stable où il n'y a pas de mouvement d'électrons
entre les atomes. Le matériau semi-conducteur intrinsèque se comporte alors comme un isolant
et son diagramme énergétique se traduit par une occupation totale de la bande de valence et par
un vide complet de la bande de conduction (à 0K). Si un électron reçoit suffisamment d'énergie,
il peut passer dans la bande de conduction et le matériau devient alors conducteur : c'est le cas
lorsque l'on n’est pas à la température du zéro absolu, le matériau a alors une conductivité
intrinsèque, caractéristique du type de semi-conducteur, (conductivité qui est très faible
comparée à celle d'un matériau conducteur mais qui est une caractéristique fondamentale de ce
type de matériau.)

Lorsqu'un électron saute de la bande de valence dans la bande de conduction (ce qui signifie
qu'il a quitté l'atome où il se trouvait pour se déplacer dans le matériau), il laisse à sa place un
"trou" qui est une place vide d'électron ou un site vacant (qui peut être assimilé à une charge
libre positive ; en effet, l’électron quittant la liaison de valence à laquelle il appartenait
démasque une charge positive du noyau correspondant.) (Figure 6b): un électron voisin peut
prendre cette place et à son ancienne place un trou va apparaître. Les électrons et les trous
peuvent alors se déplacer dans le matériau semi-conducteur et leur mouvement combiné
constitue un courant électrique. La création d’une paire électron libre-trou est appelée
génération alors qu’on donne le nom de recombinaison au mécanisme inverse.

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Figure 6 : Liaison de covalence en (a) et création d’une paire électron trou en (b)

Figure 7 : Progression d’un trou sous l’effet d’un champ électrique

2.3.2 Les matériaux semi-conducteurs "dopés" ou semi-conducteur extrinsèques

Pour que le silicium devienne naturellement conducteur, il faut diminuer sa résistivité. Il faut
donc faire apparaître des électrons libres ou des lacunes pour avoir un terrain propice au passage
du courant électrique. Ceci se fait par "dopage" du semi-conducteur de base. Le dopage est
l’action qui consiste à rendre un semi-conducteur extrinsèque. Par extension, ce terme qualifie
également l’existence d’une concentration d’atomes étrangers. On donne le nom d’impuretés
ou dopants aux atomes étrangers introduits dans la maille cristalline.

Il est possible de doper ce matériau de 2 façons :

a) Semi-conducteurs extrinsèques de type n ou N

En introduisant dans un matériau semi-conducteur de base (le silicium) plus d'électrons que les
niveaux de valence ne peuvent accepter, il restera après recombinaison des électrons libres dans
le matériau ; ces électrons se situant dans la bande de conduction (il n'y a pas de site ou ils
pourraient se placer): on est alors en présence d'un semi-conducteur de type 𝑛.
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Ce dopage est réalisé généralement par l'introduction d’un atome pentavalent (métalloïde :
phosphore (P), arsenic (As), antimoine (Sb)) dans le semi-conducteur intrinsèque. Ces
impuretés sont appelées donneurs car chacune d’entre elles donne un électron libre.

Figure 8 : Silicium dopé de type 𝑁 : le dopage augmente le nombre d’électrons libre

Remarque : On peut admettre que le nombre volumique des électrons libres est égal au nombre
volumique des impuretés et que le nombre volumique des trous (charges libres positives) est
négligeable; ils constituent des porteurs minoritaires dans la zone N.

La neutralité globale du semi-conducteur est donc conservée ; à chaque électron libre

dans le cristal, correspondant un ion positif d’impureté dans le même cristal.

b) Semi-conducteurs extrinsèques de type 𝒑 𝒐𝒖 𝑷

En retirant des électrons au matériau semi-conducteur de base (le silicium), on laisse des sites
inoccupés par ces électrons dans les couches de valence, donc des trous et une prédominance
positive du matériau qui sera alors dit du type P. Ceci est généralement réalisé en introduisant
un atome trivalent (par exemple Bore (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) ou Indium (In)) dans le
semi-conducteur. Les impuretés, pouvant accepter des électrons, sont appelées accepteurs.

Figure 9 : Silicium dopé de type P : le dopage augmente le nombre des trous libres

Remarque :

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  Le nombre volumique des trous est approximativement égal au nombre volumique des
impuretés. Le nombre volumique des électrons libres est alors considéré comme négligeable.
Ils constituent des porteurs minoritaires dans la zone P.
 Il faut remarquer que le semi-conducteur extrinsèque, type P ou type N, est globalement
neutre. On peut le comparer à un réseau géométrique dont certains nœuds sont chargés et dans
lequel stagne un « gaz » de charges mobiles qui neutralise les charges fixes du réseau. On
élargit, par la suite, la notion de semi-conducteur de type N à un semi-conducteur dont le
nombre volumique des donneurs l’emporte sur celui des accepteurs et celle de semi-conducteur
de type P à un semi-conducteur dans lequel le nombre volumique des accepteurs est
prépondérant.

En résumé : doper un matériau semi-conducteur améliore sa conductivité mais le rend aussi

réceptif de préférence aux électrons ou aux trous.

3- La jonction PN
L’adjonction de deux semi-conducteur de type N et P respectivement ou le dopage non
uniforme d’un semi-conducteur, qui met en présence une région de type N et une région de type
P, donne naissance à une jonction PN. Une telle jonction est aussi appelée diode.

3.1- Avant la réalisation de la jonction PN

La situation dans chaque type de semi-conducteur dopé est la suivante :

(a)

(b)

Figure 10 : semi-conducteurs en équilibre électrique (type N (a) ; type P (b))

3.2- Après la réalisation de la jonction

Lorsque les zones P et N sont mises en contact, la surface de transition entre les deux régions
est appelée jonction PN abrupte. Du fait de la continuité du réseau cristallin, les « gaz » de trous
de la région P et d’électrons de la région N ont tendance à uniformiser leur concentration dans
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tout le volume à disposition. Cependant, la diffusion des trous vers la région N et des électrons
libres vers la région P provoque un déséquilibre électrique si bien que, dans la zone proche de
la jonction, la neutralité électrique n’est plus satisfaite. On trouve, dans la région P, des atomes
accepteurs ionisés et des électrons, soit une charge locale négative, et dans la région N, des
atomes donneurs ionisés et des trous, soit une charge locale positive. Il s’est donc créé un dipôle
aux abords de la jonction et, conjointement, un champ électrique 𝐸⃗𝑖 . Une fois l’équilibre atteint,
ce champ électrique est tel qu’il s’oppose à tout déplacement global de charges libres.

Figure 11 : Semi-conducteurs après la réalisation de la jonction PN

La région dans laquelle la neutralité n’est pas satisfaite est appelée zone de déplétion ou zone
de charge spatiale ou zone de transition ou zone désertée alors que les autres régions sont
dites régions neutres.

Le champ électrique interne créé par le dipôle est nommé champ de rétention de la diffusion
car il s’oppose à toute diffusion des charges mobiles.

Le courant 𝐼𝑑 est appelé courant de diffusion total. Il correspond au bilan de la migration des
porteurs majoritaires. Il est orienté de P vers N.

Remarque : Généralement, la concentration des charges mobiles dans la zone de charge

spatiale est négligeable vis-à-vis du nombre volumique des charges fixes. On idéalise cet état
de fait et l’on admet qu’il n’y a pas de charges mobiles dans la zone de déplétion :

3.3- Création d'une barrière de potentiel

Une fois la jonction formée, le mouvement des électrons et des trous a créé une barrière de
potentiel 𝑽𝟎 (la hauteur de cette barrière dépend de la quantité de dopant incluse dans le semi-
conducteur) qui résulte de l'accumulation de charges P et N de chaque côté de cette jonction et
qui s'oppose dorénavant au passage des électrons de la zone N vers la zone P et des trous de la
zone P vers la zone N. cette barrière de potentiel est de l’ordre de 0,6 à 0,7 V pour le Silicium
et 0,3 V pour le Germanium.

Par contre les électrons de la zone P et les trous de la zone N peuvent très bien franchir la
jonction et sont même attirés par cette barrière qui est pour eux un "fossé ».

La situation dans les 2 parties du matériau est alors la suivante :

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- dans la zone N les électrons "intérieurs" sont repoussés par la barrière de potentiel et
s'accumulent sur la face extérieure de cette zone, ils sont rejoints par les électrons "minoritaires"
venant de la zone P.

- dans la zone P, les trous créés par le départ des électrons et les trous non occupés par les
électrons venus de la zone N lors de la création de la jonction sont repoussés par la barrière de
potentiel et ils s'accumulent sur la face extérieure de la zone P.

- finalement il se crée un champ électrique entre les 2 faces extérieures du matériau P-N, et si
l'on met en relation ces 2 faces (par un fil conducteur), les électrons vont migrer par ce fil
conducteur pour aller se recombiner avec les trous dans le matériau. Cette migration d'électrons
est un courant électrique (temporaire).

Si le champ 𝐸⃗ maintient les porteurs majoritaires dans leurs zones respectives, il n’interdit pas
le passage des porteurs minoritaires (trous de la zone N et les électrons de la zone P), donnant
naissance à un courant très faible 𝐼𝑠 appelé courant de saturation. A ce courant s’oppose celui
des porteurs majoritaire IM ayant une énergie suffisante pour franchir la barrière de potentiel.
Sans énergie extérieur, le courant global doit être nul (conservation de l’énergie). Ainsi on aura :
𝐼𝑑 = 𝐼𝑀 = 𝐼𝑠

Leurs expressions communes dans ce cas sont données par la relation :

𝑞𝑉0
𝐼𝑀 = 𝐼𝑠 = 𝐼0 𝑒 𝑘𝑇

q = -e =-1,6x10-19C; k (Cte de Boltzman) = 1,38x10-23J/K; T: température absolue en Kelvin

(0K = -273°C ; 300K = 27°C) ; I0 = Courant qui traverserait la jonction s’il n’y avait pas de
barrière de potentiel (on l’appelle encore courant de diffusion libre).

3.4- Jonction polarisée en direct

La polarisation d’un composant électronique est l’alimentation de ce dernier par une tension
continue pour se placer à son point de fonctionnement.

Considérons le circuit de la figure 12 dans lequel une tension positive est appliquée entre la
région P et la région N d’une jonction PN (𝑉 = 𝑈𝑃𝑁 > 0).

Figure 12 : Polarisation en direct de la jonction PN

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La jonction PN est dite polarisée en direct. Cette polarisation correspond à la superposition au
champ interne 𝐸⃗𝑖 , un champ externe 𝐸⃗𝑒 dû au tension 𝑈𝑃𝑁 . Le champ résultant 𝐸⃗𝑟 a pour effet
de diminuer la hauteur de la barrière de potentiel et par conséquent, le nombre de porteurs
majoritaires capables de franchir la jonction augmente.

Le pôle + de la source attire les électrons et apporte des trous dans le circuit.

Le pôle - de la source attire les trous et apporte des électrons dans le circuit.

Au fur et à mesure que la tension s'élève, la barrière de potentiel se rétrécit. 𝑉0devient 𝑉0 − 𝑉;

avec 𝑉 > 0. Elle finit par disparaître et le courant peut circuler.

𝐼𝑠 le courant des minoritaires étant indépendant de la hauteur de la barrière, reste égale

𝑞𝑉0
𝐼𝑠 = 𝐼0 𝑒 𝑘𝑇

(𝐼𝑠 ≅ Cte et dépend du semi-conducteur et de son dopage)

𝐼𝑀 , le courant des majoritaires devient:

𝑞(𝑉0 −𝑉) −𝑞𝑉

𝐼𝑀 = 𝐼0 𝑒 𝑘𝑇 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑇

Au total, il circule du semi-conducteur P vers le semi-conducteur N, un courant 𝐼𝑑 appelé

courant direct :
−𝑞𝑉
𝐼𝑑 = 𝐼𝑀 − 𝐼𝑠 = 𝐼𝑆 [𝑒 𝑘𝑇 − 1]

C’est la loi de Schockley qui exprime le courant circulant à travers la jonction PN en fonction
de la tension à ses bornes.
−𝑞
Soit 𝜆 = , on a 𝜆 ≅ 40 à 27°𝐶 (300𝐾) 𝑠𝑜𝑖𝑡 𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 [𝑒 40𝑉 − 1];
𝑘𝑇

dès que 𝑉 > 0,1𝑉𝑜𝑙𝑡, on a 𝑒 40𝑉 ≫ 1, d’où 𝐼𝑑 ≅ 𝐼𝑠 . 𝑒 𝜆𝑉 . Le courant qui traverse dans la
jonction PN polarisée en direct évolue de manière exponentielle avec la tension entre ses
bornes.

3.5- Jonction PN polarisée en inverse

Considérons le circuit de la figure 13 dans lequel une tension négative est appliquée entre la
région P et la région N d’une jonction PN (𝑉 = 𝑈𝑃𝑁 < 0).

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Figure 13 : Polarisation en inverse de la jonction PN

La jonction PN est dite polarisée en inverse. Le champ extérieur 𝐸⃗𝑒 vient s’ajouter au champ
interne 𝐸⃗𝑖 et le champ résultant 𝐸⃗𝑟 a pour effet d’empêcher la circulation des porteurs
majoritaires. La jonction est bloquée. Le courant inverse est pratiquement nul.

En effet, le pôle - de la source attire les trous (+) et le pôle + attire les électrons. La barrière de
potentiel s'élargit. 𝑉0devient 𝑉0 + 𝑉; avec 𝑉 > 0;

𝑞(𝑉0 +𝑉) 𝑞𝑉
𝐼𝑀 = 𝐼0 𝑒 𝑘𝑇 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑇

Le courant total s’écrit :

𝑞𝑉
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 − 𝐼𝑀 = 𝐼𝑆 [1 − 𝑒 𝑘𝑇 ]

Dès que 𝑉 > 0,1𝑉𝑜𝑙𝑡, on a 𝑒 −40𝑉 <<1 d’où 𝐼𝑑 ≅ 𝐼𝑠

Toute conduction devient impossible, le système est bloqué. L'épaisseur du dispositif restant
dans la pratique de quelques dixièmes de mm, il arrive un moment où la tension positive devient
suffisamment grande pour arracher des électrons dans la zone neutre. Ces électrons sont
fortement accélérés, et leur grande vitesse libère d'autres électrons par chocs.

Les électrons, de plus en plus nombreux, rendent toute la masse conductrice. Le montage se
trouve tout à coup en court-circuit.

Ce phénomène est appelé "effet d'avalanche ou, vu ses effets désastreux sur le silicium,
"claquage".

Remarque : Une jonction bloquée n'a pas une résistance infinie. Elle laisse passer un très faible
-9
courant de quelques nA (nanoampère = 10 A) dû aux électrons ou trous libérés par agitation
thermique à température ambiante. Ce courant est appelé "COURANT DE FUITE EN
INVERSE".

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3.6- Caractéristique d’une Jonction polarisée

Le tracé des fonctions 𝐼𝑑 = 𝑓(𝑉) correspondant aux polarisations direct et inverse, permet
d’avoir la courbe de la caractéristique courant-tension (I-V) de la jonction PN. La figure 14 ci-
dessous donne la forme générale pour une jonction PN réelle.

Figure 14 : Caractéristique 𝐼𝑑 = 𝑓(𝑉) d’une jonction PN.

4- Autres types de semi-conducteurs

Il existe trois grandes familles de semi-conducteurs : les semi-conducteurs des groupes IV, III-
V et II-VI. Le tableau ci-dessus répertorie les principaux de chaque famille :

Groupe IV III-V II-VI

Principaux Si, C, Ge, BN, BP, BAs, AlN, BeO, BeS, BeSe, BeTe, MgO,
Sn, SiC AlP, AlAs, AlSb, MgS, MgSe, MgTe, ZnO, ZnS,
semi- GaN, GaP, GaAs, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe,
conducteurs GaSb, InN, InP, CdTe, HgS, HgSe,HgTe
InAs, InSb

Les composés des groupes III-V et II-VI sont des composés intermétalliques se comportant
comme un semi-conducteur. Chacun de ces semi-conducteurs a un domaine d’application bien
précis. L’arséniure de gallium (GaAs) par exemple convient pour des fréquences très élevées
(domaine des GHz) (télécommunications par satellite) il peut, s'il est convenablement dopé,
atteindre les longueurs d'onde de la lumière (diodes lumineuses ou LEDs). Son seuil de tension
de la barrière de potentiel est légèrement supérieur à 2 V contre 0,7 V pour le silicium. Son
développement commercial est déjà très important et on le trouve dans de nombreuses
applications.

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Chapitre 2 : Les diodes et leurs applications : Circuits à
diodes

1- Définition
Une diode est un matériau (semi-conducteur) dont on peut contrôler la conduction électrique.
C’est un composant passif non linéaire. Elle est utile pour réaliser des fonctions électroniques
telles que le redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).

2- Diode à jonction PN
2.1- Symbole de la diode à jonction

C’est un composant formé par l’adjonction d’un semi-conducteur P et d’un semi-conducteur N.

Son symbole est :

Figure 1 : Représentation symbolique (a) de la diode à jonction (b)

Figure 2 : Photo d’une diode à jonction

2.2- Polarisation d’une diode à jonction

La figure suivante donne les deux modes de polarisation d’une diode à jonction

(a) Polarisation directe (b) Polarisation inverse

Id Ii

VAK

Figure 3: Polarisations d’une diode : (a) directe et (b) inverse

En polarisation directe, la tension appliquée (𝑉𝐴𝐾 > 0) permet le passage d’un courant
électrique de l’anode vers la cathode appelé courant direct 𝑰𝒅 .
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En polarisation inverse, la tension appliquée (𝑉𝐴𝐾 < 0) empêche le passage du courant. Le
courant inverse 𝑰𝒊 est pratiquement nul.

3- Caractéristique d’une diode à jonction

La caractéristique d’un dispositif est la courbe donnant les variations du courant qui le traverse
en fonction de la tension entre ses bornes.

3.1- Caractéristique d’une diode réelle à base silicium

La figure 3 montre un circuit réalisable en laboratoire. Après avoir effectué les connexions, on
mesure le courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes. On peut aussi
inverser la polarité de la source continue et mesurer en fonction le courant en fonction de la
tension en polarisation inverse. En traçant le courant en fonction de la tension, on obtient la
courbe de la figure 4 qui est la caractéristique courant-tension d’une diode à jonction

Figure 3 : Circuit de caractérisation d’une diode à jonction

Cette caractéristique est de la forme :

Figure 4 : Caractéristique I-V d’une diode à jonction

Cette caractéristique correspond au régime statique (tension et courant indépendants du temps).

Elle est semblable à celle d’une jonction PN obtenue au chapitre précédent. Les courant dans
la diode est donc donné par les relations suivantes ;

 Polarisation en direct :
−𝑞𝑉
𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 [𝑒 𝑘𝑇 − 1]

 Polarisation en inverse:

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 𝑞𝑉
𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 [1 − 𝑒 𝑘𝑇 ] ≅ 𝐼𝑠

On observe de cette courbe que :

 Pour 𝑽𝒅 < 𝟎, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1μA ,
- la diode est dite “bloquée”
- dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
- le courant “inverse”, Is , augmente avec la température
 Pour 𝑽𝒅 [0,~ Vo], on se trouve dans la Zone « du coude » où il y a une augmentation
exponentielle du courant
𝜂𝑉
𝐼𝑑 ≅ 𝐼𝑠 [exp ( 𝑉 𝑑 ) − 1] , avec 12 (facteur “d’idéalité”)
𝑇

VT = k • T/e

k = 1,38.10-23 J/K= constante de Boltzmann

e= 1,6.10-19C, T la température en Kelvin

Is = courant inverse

- le comportement est fortement non-linéaire

- un forte variation avec la température
𝑉𝑇 (300𝐾) = 26𝑚𝑉

 Pour 𝑽𝒅 ≫ ~𝟎, 𝟕𝑽, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près
linéaire
- la diode est dite “passante”
- mais 𝑰𝒅 n’est pas proportionnel à 𝑽𝒅 (il existe une “tension seuil” 𝑽𝟎 )
La tension seuil notée 𝑽𝟎 𝒐𝒖 𝑽𝒔 , est la tension au dessous de laquelle le courant qui traverse la
diode est très faible (de quelques µ𝐴 à quelques 𝑚𝐴) selon le type de la diode. C’est une
caractéristique importante de la diode. D’après le relevé de la caractéristique, cette tension vaut
environ : 0,6 à 0,7 V pour le Silicium et 0,2 V pour le Germanium.

Le schéma équivalent de la diode réelle est donc le suivant:

Figure 5 : Schéma équivalent de la diode réelle

3.2- Limite de fonctionnement de la diode réelle

La caractéristique globale d’une diode au silicium est de la forme :

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 Figure 6 : Caractéristique I-V générale d’une diode à jonction

Elle met en exergue deux zones de claquage de la jonction :

- La zone de claquage par effet Zener ou avalanche ou zone de claquage en inverse

correspondant à une tension en inverse élevée. 𝑽𝒎𝒂𝒙 est de l’ordre de quelques dizaines de
Volts.
 L’effet d’avalanche détruit la jonction si la diode n’était pas conçue pour fonctionner
dans cette zone. Car la puissance la traversant est trop importante.
 𝑽𝒎𝒂𝒙 = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou « P.R.V » (Peak Reverse Voltage).
- La zone de claquage en direct correspondant à la zone située au-delà de l’hyperbole
de puissance maximale (L’intersection entre cette hyperbole et la caractéristique de la diode
permet de trouver 𝑰𝑭𝒎𝒂𝒙 c’est la limite max. de courant imposée par le fournisseur de la diode
mesurée. Au-delà, il ne garantit plus que la diode puisse dissiper la puissance sans dépasser la
limite de température de 150 °C.)
Remarque :
La diode réelle se distingue de la diode idéale par

• Un seuil de tension dans le sens direct 𝑽𝟎 (0,6 à 0,7 V pour Si).

• Une chute de tension en direct qui dépend du courant (résistance du silicium dopé).

• Un seuil de tension qui varie en fonction de la température : il diminue de 2 mV chaque

fois que la température augmente de 1 °C. C'est un coefficient de température négatif
qui posera quelques problèmes dans le cas du transistor.

• Le blocage en inverse n'est pas parfait. Les courants de fuite de quelques 𝑛𝐴 à 20 °C

double tous les 8 °C lorsque la température augmente.

• La tension inverse n'est pas infinie, le claquage apparaît en fonction de la construction

de la diode.

3.3- Linéarisation de la caractéristique

La caractéristique de la diode n’est pas linéaire et la modélisation des signaux à ces bornes
devient complexe. On se ramène habituellement au cas linéaires en effectuant une linéarisation

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de la caractéristique. Dans ce cas les différents morceaux de la courbe sont assimilés à des
droites.
On distingue alors deux zones de fonctionnement de la diode:
- 𝑽𝒅 > 𝑽𝟎 : le courant est non nul et varie linéairement en fonction de la tension, on dit que
la diode est passante.
- 𝑽𝒅 < 𝑽𝟎 : le courant est pratiquement nul, on dit que la diode est bloquée.

Figure 7: Linéarisation de la caractéristique Id=f(Vd) d’une diode

3.4- Diode dans un circuit et droite de charge

3.4.1- Point de fonctionnement

Il correspond au point d’intersection entre la caractéristique courant-tension de la diode et celle

du générateur alimentant le circuit dans lequel la diode est montée. Il donne dont l’intensité du
courant traversant la diode et la tension entre ces bornes. Ces deux grandeurs 𝐼𝑑 𝑒𝑡 𝑉𝑑 peuvent
être lues directement sur le graphe ou déterminées par les lois de Kirchhoff.

3.4.2- Droite de charge

Soit le montage suivant dont on cherche à déterminer le point de fonctionnement :

Figure 7 : Diode dans un circuit simple

On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.
𝑉𝑎𝑙 −𝑉𝑑
Les lois de Kirchoff permettent d’avoir : 𝐼𝑑 = 𝑅𝐿

C’est la Droite de charge de la diode dans le circuit.

Sa construction sur la caractéristique courant-tension de la diode permet de déterminer

graphiquement le point de fonctionnement du circuit.

 Cette procédure est valable quel que soit la caractéristique I(V) du composant !

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 Figure 8 : Droite de charge et point de fonctionnement d’un circuit à diode

4- Modèles Statiques à segments linéaires

La nature non linéaire de la caractéristique courant – tension de la diode rend complexe
l’analyse des circuits électriques à diode. Pour simplifier la tâche, on doit remplacer la diode
par son schéma équivalent selon la tension à ses bornes autrement dit selon son état (passant ou
bloqué). On distingue à cet effet trois modèles d’approximation de schéma équivalent de la
diode appelés modèles statiques à segments linéaires de la diode. Le choix de l’utilisation de
l’une ou l’autre de ces modèles dépend de la disponibilité des données sur la diode, ainsi que
de la précision que l’on recherche dans les résultats de l’analyse du circuit.

4.1- Première approximation: Diode « idéale »

La représentation graphique du modèle idéal d’une diode à jonction PN est représentée à la

figure 9.

Figure 9 : Modèle idéal d’une diode à jonction PN

Dans cette approximation, la diode n’a pas de tension seuil. Il s’agit d’un interrupteur fermé en
polarisation directe (Figure 10a) et ouvert en polarisation inverse (Figure 10b).

 En direct, la diode est considérée comme un court-circuit (un conducteur parfait) : 𝑉𝑑 =

0 pour 𝐼𝑑 ≥ 0.
 En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : 𝐼𝑑 = 0 pour 𝑉𝑑 ≤ 0.
Ce modèle est le plus simple, mais le moins précis. Il est utilisé pour des estimations rapides et
pour des analyses de circuits complexes.

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 (a)

(b)

Figure 10 : Schémas équivalents de la diode à jonction dans le modèle idéal

Les modèles électriques peuvent aussi se déduire en fonction de la tension de la source

d’alimentation du circuit comme suit :

- Si Val >0, la diode est passante et correspond à un interrupteur fermé ;

- Si Val< 0, la diode est bloquée et correspond à un interrupteur ouvert.

4.2- Seconde approximation : Diode « semi - idéale » ou modèle à seuil

On rajoute au modèle idéal précèdent, la tension de seuil 𝑉0 qui représente la tension du coude de la
diode. Cette tension correspond à la barrière de potentiel à vaincre de la jonction PN, elle est appelée
aussi le potentiel de contact de la jonction PN.

Figure 11 : Modèle semi - idéale à seuil d’une diode à jonction PN

 En direct, on rajoute une force contre électromotrice 𝑉0 : 𝑉𝑑 = 𝑉0 pour 𝐼𝑑 ≥ 0.

 En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : 𝐼𝑑 = 0pour 𝑉𝑑 ≤ 𝑉0 .

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Figure 12 : Schémas équivalents de la diode à jonction dans le modèle semi-idéal

Les modèles électriques peuvent aussi se déduire en fonction de la tension de la source

d’alimentation du circuit comme suit :

- Si 𝑽𝒂𝒍 > 𝑽𝟎 , la diode est passante et correspond à un récepteur de f.c.é.m. 𝑉0.

- Si 𝑽𝒂𝒍 < 𝑽𝟎 ., la diode est bloquée et correspond à un interrupteur ouvert.

Note : 𝑉0 est de l’ordre de 0,6 à 0,7 V pour le Silicium et 0,3 V pour le Germanium.

4.3- Troisième Approximation : modèle linéarisé ou modèle réel de la diode

Dans ce modèle, dès que la tension dépasse 𝑉0 , on rajoute en série une résistance 𝑅𝑓 qui reflète une
variation linéaire du courant en fonction de la variation de la tension.

Figure 13 : Modèle linéarisé ou réel de la diode à jonction PN au Si

 En direct, on rajoute une force contre électromotrice 𝑉0 et une résistance dynamique moyenne
𝑅𝑓 : 𝑉𝑑 = 𝑉0 + 𝑅𝑓 𝐼𝑑 pour 𝐼𝑑 ≥ 0.
 En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : 𝐼𝑑 = 0 pour 𝑉𝑑 ≤ 𝑉0 . Une
résistance dynamique en inverse 𝑅𝑟 très grande existe aussi (𝑅𝑟 ≫ 𝑀Ω).

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Figure 14 : Schémas équivalents de la diode à jonction dans le modèle réel

En fonction de la tension de la source d’alimentation du circuit, les modèles électriques de la

diode dans le modèle linéarisé sont:

- Si 𝑽𝒂𝒍 > 𝑽𝟎 , la diode est passante et correspond à un récepteur de f.c.é.m. 𝑉0 et de

résistance interne 𝑅𝑓 (résistance dynamique de la diode)
- Si 𝑽𝒂𝒍 < 𝑽𝟎 , la diode est bloquée et correspond à un résistor.

La résistance dynamique moyenne 𝑅𝑓 est déterminée par la pente moyenne de la partie utilisée de la
caractéristique directe de la diode :

∆𝑉𝑑
𝑅𝑓 =
∆𝐼𝑑

Ce dernier modèle représente une très bonne approximation linéaire de la caractéristique d’une diode
réelle. Il est plus précis que le deuxième, mais plus complexe.

Remarques :

- En polarisation inverse, on peut aussi déterminer une résistance dynamique 𝑅𝑖 que est
de très grande valeur.
- Le choix du modèle de la diode à utiliser lors de l’analyse d’un circuit dépend de la
précision requise.

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En résumé, on a les trois modèles d’approximation suivants de la diode à jonction (au
silicium)

Modèle idéal de la diode : Pour une analyse rapide des circuits à diode

Modèle semi-idéal de la diode : Pour une analyse technique simple des circuits à diode.

Modèle linéarisé ou réel de la diode : Pour une analyse technique approfondie des circuits à
diode.

4.4- Exemple de calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas

équivalents

Le schéma équivalent de la diode dépendant de son état (passante ou bloquée), la démarche

suivante peut être adoptée :

Démarche (pour débutant...):

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a) choisir un schéma (ou état) en vous aidant de la droite de charge

b) trouver graphiquement le point de fonctionnement Q de la diode

c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ

S’il y a contradiction, il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode. Recommencer le calcul

avec l’autre schéma.

Démarche pour étudiants confirmés...

- Un coup d’œil attentif suffit pour trouver l’état (passant/bloqué) de la diode !

- Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent...

Exemple d’application: Calcul du point de fonctionnement Q du circuit suivant, en utilisant

la 3ième approximation de la diode

Figure 15 : Exemple d’application des modèles à segments linéaires de la diode

En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée, on obtient : 𝑉𝑑 ≈ 5𝑉 > 𝑉0 . Ce est contraire au
comportement d’une diode bloquée (𝑉𝑑 < 𝑉0). Cette hypothèse serait donc une mauvaise.
En utilisant la 2ème approximation (modèle semi-idéal) (𝑅𝑓 = 0 𝑒𝑡 𝑅𝑖 → ∞), on obtient à partir
de l’hypothèse de diode passante : 𝑉𝑑 = 0,6𝑉 𝑒𝑡 𝐼𝑑 = 4,4𝑚𝐴. Ce résultat est proche de celui
obtenu avec le modèle réel de la diode mais avec peu de calcul. Ainsi, la 2ème approximation
est souvent suffisante pour une analyse rapide du fonctionnement d’un circuit.

5- Comportement dynamique d’une diode

5.1- Analyse statique et dynamique d’un circuit

L’analyse statique se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques (ou
composantes continues, ou encore composantes statiques)

Elle correspond à l’analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes

L’analyse dynamique ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou
“signaux” électriques, ou encore composantes alternatives (AC))

Elle n’a d’intérêt que s’il y a des sources variables!

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Notation : lettres majuscules pour les composantes continues et lettres minuscules pour les
composantes variables

Illustration : Etude de la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.

𝑉𝑒 est une source statique (continue) alors que 𝑣𝑒 est une source alternative sinusoïdale.

 Analyse statique : V (t) = "V"=?

 Analyse dynamique : v(t) =V (t)−V =?
1ere méthode : Calcul direct en utilisant le pont diviseur de tension, on a :

𝑅2
𝑉(𝑡) = [𝑉 + 𝑣𝑒 (𝑡)] = 𝑉 + 𝑣(𝑡)
𝑅1 + 𝑅2 𝑒

Avec :

𝑅2 𝑅2
𝑉= 𝑉𝑒 𝑒𝑡 𝑣(𝑡) = 𝑣 (𝑡)
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑒

2eme méthode : Par le principe de superposition :

 Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique

 la source statique 𝑉𝑒 est à l’origine de 𝑉 , et 𝑣𝑒 est à l’origine de 𝑣(𝑡).
Analyse statique : 𝒗𝒆 (𝒕) = 𝟎

Le circuit électrique devient :

« Schéma statique » du circuit

La loi du pont diviseur de tension permet d’avoir :

𝑅2
𝑉= 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑒

Analyse dynamique : 𝑽𝒆 = 𝟎
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 La loi du pont diviseur de tension permet d’avoir :

𝑅2
𝑣(𝑡) = 𝑣 (𝑡)
𝑅1 + 𝑅2 𝑒

Remarques : - Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”

- A “haute” fréquence (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être remplacé par
un court-circuit.
- Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-
linéaires ! On peut cependant faire les extrapolations suivantes :
 Le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linéarité du
composant non-linéaire.
 L’amplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du
composant reste approximativement linéaire.

5.2- Fonctionnement d’une diode dans un de ses domaines de linéarité (D.L.)

La caractéristique courant-tension d’une diode réelle présente deux domaines de linéarité en

fonction de l’état de la diode.

Figure 16 : Caractéristique courant-tension linéarisée d’une diode réelle

Tant que le point de fonctionnement reste dans le D.L. la diode peut être décrite par le
modèle linéaire approprié.

ATTENTION, l’utilisation des modèles à segments linéaires n’est plus valable si le point de
fonctionnement passe dans la zone du coude.

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5.3- Modèle faibles signaux (basses fréquences)

Supposons la diode à jonction polarisée en direct au point Q par une tension 𝑉𝑑𝑄 , créant un
courant 𝐼𝑑𝑄 à travers la jonction. L’étude en régime statique consiste à déterminer le point de
polarisation (𝑉𝑑𝑄 , 𝐼𝑑𝑄 ). Superposons à cette tension, une tension variable 𝑣 de faible amplitude
(étude en régime dynamique).

On suppose les variations de la tension variable suffisamment lentes (basse fréquence) pour
que la caractéristique “statique” reste valable. On aura alors des variations de faible
amplitude autour du point de fonctionnement statique Q ; ainsi la caractéristique : 𝐼𝑑 =
𝑓( 𝑉𝑑 ) peut être approximée par la tangente en Q.

Figure 17 : Caractéristique courant-tension d’une diode réelle

En régime dynamique, la diode est équivalente à une simple résistance dynamique évaluée à
partir de la tangente à la courbe de sa caractéristique au point de fonctionnement.

Figure 18 : Schéma équivalent dynamique d’une diode réelle

Remarque : Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !

On distinguera :

- La résistance dynamique en directe 𝒓𝒇 pour 𝑉𝑑𝑄 > 0

𝒅𝑰𝒅 −𝟏
𝒓𝒇 = |
𝒅𝑽𝒅 𝑽 >𝟎
𝒅

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- La résistance dynamique en directe 𝒓𝒊 pour 𝑉𝑑𝑄 < 0
𝒅𝑰𝒅 −𝟏
𝒓𝒊 = |
𝒅𝑽𝒅 𝑽 <𝟎
𝒅
 Pour 𝑽𝒅 ≫ 𝑽𝟎 , 𝒓𝒇 ≈ 𝑹𝒇 ;
 Pour 𝑽𝒅 < 𝟎, 𝒓𝒓 ≈ 𝑹𝒓 ;
𝜼𝑽𝒅 −𝟏
𝒅𝑰𝒅 −𝟏 𝒅 𝜼𝑽𝑻
 Pour 𝑽𝒅 ∈ [𝟎, ~𝑽𝟎 ], 𝒓𝒇 = 𝒅𝑽 | ≅ 𝒅𝑽 (𝑰𝒔 𝒆 𝑽𝑻
− 𝑰𝒔 )| = ;
𝒅 𝑽𝒅 𝒅 𝑰𝟎

 Proche de 𝑽𝟎 la caractéristique 𝐼𝑑 = 𝑓( 𝑉𝑑 ) s’écarte de la loi exponentielle.

 Résumé des schémas équivalents faibles signaux, basse fréquence :

Figure 19: Schémas équivalents dynamiques d’une diode réelle fonction du point de
fonctionnement ou de l’état de la diode

5.4- Réponse fréquentielle des diodes

 Limitation à haute fréquence :

Pour des raisons physiques, le courant 𝐼𝑑 ne peut suivre les variations instantanées de 𝑉𝑑 au-
delà d’une certaine fréquence. En effet il y a apparition d’un déphasage entre 𝐼𝑑 et 𝑉𝑑 . Le
modèle dynamique basse fréquence ne sera plus valable.

 Le temps de réponse de la diode dépend :

 du sens de variation (passant →bloqué, bloqué →passant) (↔signaux de grande
amplitude)
 du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)
 Variation de 𝑉𝑑 de faible amplitude, sous polarisation directe (𝑽𝑸 𝒅 >0). une petite
variation de 𝑉𝑑 induit une grande variation 𝐼𝑑 , c’est -à-dire des charges qui traversent
la diode
 Aux hautes fréquences,

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La résistance dynamique précédente n’est pas suffisante pour caractériser la diode à jonction
au point de fonctionnement pour des petites variations rapides (𝑣, 𝑖) autour de ces valeurs de
repos. La relation liant les petites variations de courant 𝑖 aux petites variations de tension 𝑣 est
en fait :

𝑣 𝑑𝑣
𝑖= +𝐶
𝑅𝑓 𝑑𝑡

Les charges restent “stockées” dans la diode (elles n’arrivent pas à suivre les variations de
𝑉𝑑 ). Cette dernière se comporte comme un condensateur, dont la valeur augmente avec 𝐼𝑑 .

La capacité C est la somme de deux composantes :

𝐶 = 𝐶𝑗 + 𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓

𝐶𝑗 est la capacité de jonction ou de transition et 𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓 est la capacité de diffusion.

Le deuxième terme est prépondérant en polarisation directe, 𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓 ≫ 𝐶𝑗 .

On montre que la capacité de diffusion 𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓 est proportionnelle au courant traversant la

jonction ; elle est due principalement aux variations de charges diffusées dans la région la
moins dopée.

𝐼𝑑𝑄
𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓 ∝
𝑇
Ordre de grandeur : 𝐶𝑑𝑖𝑓𝑓 ~ 40 nF à 1mA, 300K.

 Modèle faible signaux haute fréquence (𝑽𝒅 > 𝟎) :

Figure 20 : Schéma équivalent de la diode polarisée en direct en petits signaux.

𝑸
 Variation de 𝑽𝒅 de faible amplitude, sous polarisation inverse (𝑽𝒅 <0) :
En polarisation inverse, la largeur de la zone de transition dépend de la tension externe
appliquée. Une variation de 𝑉𝑑 entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode,
qui à son tour déplace les charges électriques.

Aux hautes fréquences, ce déplacement donne lieu à un courant mesurable, bien supérieure à
𝐼𝑠 . Ce comportement peut encore être modélisé par une capacité électrique 𝐶𝑗 représentant la
capacité de jonction. On montre que :

𝐼𝑑𝑄
𝐶𝑗 ∝
√𝑉𝑑 − 𝑉𝑑𝑄
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𝐶𝑗 = capacité de “transition” ou “déplétion” ; son ordre de grandeur : ~pF.

En polarisation inverse, pour le silicium, on peut négliger le courant inverse. La capacité de

diffusion est également négligeable devant la capacité de transition. C’est-à-dire qu’en
polarisation inverse, le schéma équivalent se résume à une capacité, égale à 𝐶𝑗 .

Remarque :

La capacité 𝐶𝑗 varie en raison inverse de 𝑉𝑑𝑄 pour une jonction abrupte. On a donc réalisé
l’équivalent d’une capacité (en petits signaux) électriquement variable par une tension de
commande 𝑉𝑑𝑄 . Une diode utilisant cette propriété est appelée varicap ou varactor selon
l’utilisation.

6- Quelques diodes spéciales

6.1- La diode Zener

C’est une diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par
une tension seuil négative ou « tension Zener » (𝑉𝑧 ). C'est un claquage contrôlé, où le courant
se stabilise et ne prend pas des valeurs destructrices, comme le cas d’une diode classique.

Elle est destinée à la régulation ou la stabilisation de tension, c'est-à-dire qu'utilisée

correctement, elle assure une tension constante et stable.

Effet Zener :

En polarisation inverse (plusieurs volts), il existe un champ électrique important de l’ordre de

𝐸 = 107 𝑉/𝑚, des électrons dans la bande de valence du côté P peuvent passer directement
dans la bande de conduction du côté N, par un processus quantique appelé « effet tunnel ». Cet
effet, donnant naissance à une augmentation du courant inverse, est appelé effet Zener.

ou

Figure 21 : Symbole de la diode zener

 Principe de fonctionnement
• En sens direct : cette diode fonctionne comme une diode conventionnelle et ne présente
pas d'intérêt particulier.
• En sens inverse : c'est le domaine d'utilisation de la diode Zener.

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La tension d'avalanche ou tension Zener est bien définie, elle est précise et se situe, selon le
modèle de diode, entre 2,4 et 200 V.

Le courant que peut supporter la diode Zener en inverse varie de quelques mA à quelques
ampères. Toujours se référer aux indications du fabricant.

 Courbe caractéristique de la diode Zener

Figure 22 : caractéristique I-V générale d’une diode Zener

𝑉𝑧 : tension Zener (par définition, 𝑉𝑧 > 0 ).

𝐼𝑚𝑖𝑛 : courant minimal (en valeur absolue) au-delà duquel commence le domaine linéaire
« Zener » ; 𝐼𝑚𝑖𝑛 ~0,01 − 0,1𝑚𝐴.

𝐼𝑚𝑎𝑥 : courant maximal que la diode peut supporter (𝑃𝑚𝑎𝑥 ≈ 𝑉𝑧 . 𝐼𝑚𝑎𝑥 .

𝒅𝑰 −𝟏
𝑹𝒛 = 𝒅𝑽𝒅 | : résistance Zener
𝒅 𝑽𝒅 <𝑽𝒛
 Schémas équivalents :

On suppose que le point de fonctionnement Q se trouve dans le domaine Zener.

 Modèle statique :

 Modèle dynamique, basses fréquences, faibles signaux :

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6.2- Diode électroluminescente (ou LED)

La diode électroluminescente ou LED (Light Emitting Diode), est une diode qui émet des
radiations lumineuses invisibles (infrarouge) ou visibles (rouge, orange, jaune, vert ou bleu)
lorsqu’elle est polarisée en directe. Ces diodes ont des caractéristiques intéressantes comme une
durée de vie quasi illimitée (100 000 heures) et une petite taille. On les rencontre dans de
nombreuses applications telles que : les feux tricolores de circulation, les panneaux d'affichage
électroniques (heure, température, noms des places publiques, ...). Les diodes à infrarouges
servent beaucoup dans les télécommandes d'appareils TV, les systèmes d’alarme, …

V
Figure 23: Diode électroluminescente

6.3- Diodes varicap (ou varactor) : diode à capacité variable

Comme vu plus haut, la diode varicap est une diode à jonction polarisée en inverse, à capacité
électriquement variable. Elle est équivalente à une capacité C dont la valeur est variable en
fonction de la tension inverse appliquée (tension du point de fonctionnement). Ce type de diode
permet de réaliser une capacité variable commandée par une tension. Avec la technologie
actuelle, la valeur de la capacité ne peut dépasser quelques 100 pF (pico farad = 10-12F). Ces
diodes sont utilisées à hautes fréquences (à partir de 100 MHz) pour régler la fréquence de
résonance d’un capteur (circuit RLC) de signaux radiofréquences de l’lRM (Imagerie par
Résonance Magnétique).
I

Figure 24: Diode Varicap

6.4- Diodes Schottky

La diode Schottky est constituée par une zone métallique (or, argent ou platine) et une zone
N. Les électrons libres sont ainsi les seuls porteurs majoritaires dans la jonction. Cette
jonction hétérogène est très utilisée dans les circuits logiques rapides Elle est donc très utilisée
en haute fréquence. Sa tension 𝑉0 très petit et son temps de réponse très court.

Figure 25: Diode Schottky

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6.5- Photodiode

Elle fournit un courant inverse dépendant de l’éclairement. Cette diode réalise la fonction
inverse d’une LED. Ses applications majeures concernent son utilisation comme capteur de
lumière : conversion d’un signal optique, fourni par une fibre optique par exemple, en signal
électrique; récepteur des télécommandes infrarouges. La photodiode, soumise à une différence
de potentiel d’une part et à un rayonnement d’autre part se comporte comme un générateur de
courant. On réalise ainsi une source de courant commandée par un flux lumineux.

v
Figure 26: Photodiode

Remarque générale sur les applications des diodes :

En modifiant certains paramètres (concentration en impureté, géométrie de la jonction, etc.) on

obtient des composants diversifiés utilisables dans de nombreux domaines dont le classement
succinct est le suivant :

 Diodes de redressement et de l’électronique de puissance :

 Diodes de redressement classique,
 Diodes à avalanche contrôlée,
 Diodes rapides de commutation et de récupération,
 Diodes haute tension, etc.
 Diodes de signal dans le domaine général
 Diodes rapides1
 Diodes à faible courant de fuite, etc.
 Diodes utilisées en avalanche inverse
 Diodes stabilisatrices de tension (diodes « Zener »),
 Diodes de référence,
 Diodes de protection, etc.
 Diodes de l’électronique rapide
 Diodes tunnel et backward,
 Diodes Schottky,
 Diodes varicap,
 Diodes PIN,
 Diodes gunn,
 Diodes Impatt, etc.
 Diodes de l’optoélectronique
 Diodes électroluminescentes LED,
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  Diodes laser,
 Photodiodes,
 Photopiles,
 Cellules photovoltaïques, etc.

7- Applications des Diodes

Le fonctionnement de la plupart des systèmes électroniques tels que les postes TV HD, les
chaînes stéréo, les ordinateurs, etc, nécessite une tension continue. Cependant, la tension
fournie par le réseau électrique est alternative. Il faut donc transformer cette tension alternative
(tension AC) en tension continue (tension DC). La partie du montage qui effectue cette
opération s’appelle alimentation. Elle est constituée de circuits appelés redresseurs, qui
permettent au courant de circuler dans une seule direction. La figure 1 ci-dessous donne le
synoptique général du circuit de redressement de la tension alternative.

Figure 1 : Synoptique général du circuit de redressement de la tension alternative

7.1- Domaines d’utilisation des diodes

Il existe de nombreuses applications des diodes, on peut citer :

 Redressement et filtrage des courants (ou tensions) alternatifs (utiliser pour les
alimentations continues) ;
 Circuit comparateur (comparaison entre deux tensions) ;
 Détecteur de crêtes (détection radio) ;
 Les circuits limiteurs (sélection de signal) ;
 Les circuits logiques (opérateurs Booléennes) ;
 Multiplicateurs de tension ;
 Stabilisation de tension, à l’aide de diode Zener.
Nous proposons ici uniquement trois applications essentielles : le redressement d’une tension
alternative, la stabilisation d’une tension redressée et l’écrêtage d’une tension.

7.2- Redressement – Filtrage

7.2.1- Redressement

Le redressement est l’une des principales applications des diodes, il consiste à transformer une
tension bidirectionnelle en une tension unidirectionnelle appelée tension redressée. C’est la
conversion d’une tension sinusoïdale de moyenne nulle en une tension de moyenne non nulle
et plus grande que zéro. Nous nous limiterons dans le cadre de ce cours aux cas des charges
purement résistives. On distingue deux type de redresseur à diode. Les redresseurs simples
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 mono-alternances et les redresseurs doubles alternances. Le réseau dans ce cas est monophasé.
Nous supposons dans la suite du cours que la diode est idéale (𝑉𝑑 = 𝑉0 = 0, 𝑅𝑓 = 0 𝑒𝑡 𝑅𝑓 =
∞).

[Link]- Redresseur monophasé simple alternance à diodes

a) Schéma du montage

Le montage redresseur monophasé, est donné par la figure 2. Il est caractérisé par :

 Un transformateur monophasé possédant 𝑛1 spires au primaire et 𝑛2 spires au secondaire.

 Une diode de redressement : D.

 Une charge purement résistive.

Figure 2 : Montage redresseur monophasé simple alternance à diodes

b) Analyse du fonctionnement

Le signal d’entrée 𝑣𝑒 est sinusoïdal d’amplitude 𝑉𝑚𝑎𝑥 et fréquence 𝑓 (généralement 𝑓 =

50𝐻𝑧) :

𝑣𝑒 (𝑡) = 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(2𝜋𝑓𝑡)

On écrit aussi :

𝑣𝑒 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)

Avec 𝜃 = 2𝜋𝑓𝑡 = 𝜔𝑡

L’étude du montage conduit à discuter l’existence du courant 𝑖𝑠 (𝑡) dans la charge en

fonction de l’état de la diode.
𝑇
 Pendant l’alternance positive de la tension d’entrée (0 < 𝜃 < 𝜋 𝑜𝑢 0 < 𝑡 < 2 ∶
𝑣𝑒 (𝑡) > 0), la diode est polarisée en direct donc elle est passante. La tension non nulle
apparaît aux bornes de la charge : 𝑣𝑠 (𝑡) = 𝑣𝑒 (𝑡).
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 𝑣𝑒 (𝑡)
Cette charge est alors parcourue par le courant 𝑖𝑠 (𝑡) = .
𝑅

𝑇
 Pendant l’alternance négative de la tension d’entrée (𝜋 < 𝜃 < 2𝜋 𝑜𝑢 <𝑡<𝑇 ∶
2
𝑣𝑒 (𝑡) < 0), la diode est polarisée en inverse donc elle est bloquée. Aucun courant ne traverse
la charge 𝑖𝑠 (𝑡) = 0𝐴. La tension aux bornes de la charge est alors nulle: 𝑣𝑠 (𝑡) = 𝑅. 𝑖𝑠 (𝑡) = 0𝑉.

Ce fonctionnement est illustré par les chronogrammes de la figure 3 :

Figure 3 : Forme d’ondes des différentes grandeurs

1 𝑇 1 2𝜋
La tension obtenue possède une valeur moyenne : 𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 = 𝑇 ∫0 𝑣𝑠 (𝑡). 𝑑𝑡 = 2𝜋 ∫0 𝑣𝑠 (𝜃). 𝑑𝜃

𝑉𝑚𝑎𝑥
Soit : 𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 = 𝜋

𝑉𝑚𝑎𝑥
Le courant moyen dans la charge est : 𝐼𝑠 𝑚𝑜𝑦 = 𝜋𝑅

1 𝑇
La valeur efficace de la tension est : 𝑉𝑠 𝑒𝑓𝑓 = 𝑉𝑠 = √𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 2 = √𝑇 ∫0 𝑣𝑠 (𝑡)2 . 𝑑𝑡

𝑉𝑚𝑎𝑥
Soit : 𝑉𝑠 𝑒𝑓𝑓 = 𝑉𝑠 = 2

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 1 𝑇
La valeur efficace du courant est : 𝐼𝑠 𝑒𝑓𝑓 = 𝐼𝑠 = √𝐼𝑠 𝑚𝑜𝑦 2 = √𝑇 ∫0 𝑖𝑠 (𝑡)2 . 𝑑𝑡

𝑉𝑠 𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑠 𝑒𝑓𝑓 = 𝐼𝑠 =
√2𝑅
𝐼𝑠 𝑒𝑓𝑓 𝜋
Le facteur de forme est : 𝐹= =
𝐼𝑠 𝑚𝑜𝑦 2

Le facteur d’ondulation de la tension est défini par :

𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑚𝑖𝑛
𝐾0 =
2𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦

𝑉𝑚𝑎𝑥 : Valeur maximale de la tension redressée, 𝑉𝑚𝑖𝑛 : Valeur minimale de la tension

redressée,

Dans ce cas :

𝑉𝑚𝑎𝑥 − 0 𝜋
𝐾0 = 𝜋 =
2𝑉𝑚𝑎𝑥 2

Le facteur d’ondulation du courant est défini par :

𝐼𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝑚𝑖𝑛
𝐾𝐼 =
2𝐼𝑠 𝑚𝑜𝑦

𝐼𝑚𝑎𝑥 : Valeur maximale du courant redressée ; 𝐼𝑚𝑖𝑛 : Valeur minimale du courant redressée,
𝜋
Dans ce cas : 𝐾𝐼 = 2

La puissance instantanée est : 𝑝 = 𝑣𝑠 (𝑡). 𝑖𝑠 (𝑡)

1 𝑇 1 2𝜋
La puissance active moyenne est : 𝑃𝑠 = 𝑇 ∫0 𝑝𝑑𝑡 = 2𝜋 ∫0 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)𝐼𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)𝑑𝜃

Soit
2𝜋
𝑉𝑚𝑎𝑥 . 𝐼𝑚𝑎𝑥 𝑉𝑚𝑎𝑥 . 𝐼𝑚𝑎𝑥 𝑅. 𝐼𝑠2𝑚𝑎𝑥
𝑃𝑠 = ∫ 𝑠𝑖𝑛2 (𝜃)𝑑𝜃 = =
2𝜋 4 4
0

La puissance apparente en monophasé est le produit de la tension efficace et le courant

efficace.

𝑆 = 𝑉𝑠 𝑒𝑓𝑓 . 𝐼𝑠 𝑒𝑓𝑓

𝑉𝑠 𝑒𝑓𝑓 2
Soit : 𝑆= 2𝑅√2

Le facteur de puissance est :

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 𝑃 √2
𝐹𝑝 = = = 0,707
𝑆 2
Conclusion

Ce dispositif rudimentaire assure l’augmentation de la tension moyenne puisqu’elle n’est plus

nulle. De plus, avec une charge résistive, l’ondulation du courant reste importante et égale à
celle de la tension. Il demande à être amélioré afin d’atteindre une valeur proche de la tension
crête avec un facteur de puissance bien meilleur que 0,71.

Cet objectif pourra être atteint en adaptant tantôt la source, le commutateur ou la charge ou
plusieurs d’entre–eux.

[Link]- Redressement monophasé double alternance

Ce redressement permet de réaliser des alimentations présentant une ondulation plus faible que
le redressement mono alternance. Pour ce type de redressement, il existe deux montages
possibles :

Montage à point milieu de transformateur,

Montage à pont.

Figure 4 : Types de montage pour le redressement double alternance en monophasé

a) Redressement double alternance à point milieu de transformateur

Nous utilisons un transformateur avec deux enroulements secondaires que l'on câble de manière
à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de phase sur les diodes. Dans ce cas, tout se
passe comme si nous avons deux montages identiques à celui de la Figure 2 qui fonctionnent
l'un pour l'alternance positive et l'autre pour l'alternance négative.

 Schéma du montage

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 Figure 5 : Schéma du redresseur double alternance à point milieu de transformateur

Nous disposons de deux tensions sinusoïdales secondaires :

𝑣𝑒 = −𝑣𝑒′ = 𝑉√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡) = 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃), 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝜃 = 𝜔𝑡

𝑇
 Pour 0 ≤ 𝜃 ≤ 𝜋, c’est-à-dire pour 0 ≤ 𝑡 ≤ 2, 𝑣𝑒 est positive (alternance positive), la
diode 𝐷1 conduit (𝑣𝐷1 = 0) et la diode 𝐷2 est bloquée (𝑖2′ = 0). La tension aux bornes de la
diode 𝐷2 est :
𝑣𝐷2 = 𝑣𝑒′ − 𝑣𝑒 = −2𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)

𝑣𝑒 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)
Le courant qui traverse la diode 𝐷1 est : 𝑖2 = =
𝑅 𝑅

𝑣𝑒 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)
Le courant qui traverse la charge est : 𝑖𝑠 = 𝑖2 = =
𝑅 𝑅

La tension aux bornes de la charge est : 𝑣𝑠 = 𝑣𝑒

𝑇
 Pour 𝜋 ≤ 𝜃 ≤ 2𝜋, c’est-à-dire pour 2 ≤ 𝑡 ≤ 𝑇, 𝑣𝑒 est négative (alternance négative), la
diode 𝐷1 est bloquée (𝑖2 = 0) alors que la diode 𝐷2 conduit (𝑣𝐷2 = 0). La tension aux bornes
de la diode 𝐷1 est :
𝑣𝐷1 = 𝑣𝑒 − 𝑣𝑒′ = 2𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)

𝑣𝑒′ 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)

Le courant qui traverse la diode 𝐷1 est : 𝑖2′ = =
𝑅 𝑅

𝑣𝑒′ 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)

Le courant qui traverse la charge est : 𝑖𝑠 = 𝑖2′ = =
𝑅 𝑅

La tension aux bornes de la charge est : 𝑣𝑠 = 𝑣𝑒′ = 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃)

Les diagrammes du courant à travers la charge et de la tension à ses bornes sont données dans
la figure suivante :

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Figure 6: Tension et courant redressés ou aux bornes de la charge

 Courant et tension moyenne redressés

Le courant moyen dans la charge s’exprime par :
𝑇 𝜋
1 2 2𝐼𝑠 𝑚𝑎𝑥 2𝑉𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑠 𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑖𝑠 (𝑡). 𝑑𝑡 = ∫ 𝐼𝑠 𝑚𝑎𝑥 . sin(𝜃)𝑑𝜃 = =
𝑇 2𝜋 𝜋 𝜋𝑅
0 0

La tension moyenne vaut :

𝜋
2 2𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑣𝑚𝑎𝑥 . sin(𝜃)𝑑𝜃 = 𝑅𝐼𝑠 𝑚𝑜𝑦 =
2𝜋 𝜋
0

 Courant efficace redressé

𝑇 𝜋
2
1 2
4 2 2
𝐼𝑠2𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑠 = ∫ 𝑖𝑠 (𝑡). 𝑑𝑡 = ∫ 𝐼𝑠 𝑚𝑎𝑥 . sin (𝜃)𝑑𝜃 =
𝑇 2𝜋 2
0 0
Soit :
𝐼𝑠 𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑠 2√2 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑠 = = =𝐼 =
√2 𝑅√2 𝑅 𝜋 𝑠 𝑚𝑜𝑦
 Valeurs limites du courant et de la tension de la diode.

La tension inverse maximale aux bornes des diodes est : 𝑣𝐷 𝑖𝑛𝑣 𝑚𝑎𝑥 = 2𝑉𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑠 𝑚𝑜𝑦 𝐼𝑠 𝑚𝑎𝑥
Le courant moyen dans une diode est : 𝐼𝐷 𝑚𝑜𝑦 = =
2 2

Le courant maximum d’une diode doit être : 𝐼𝐷 𝑚𝑎𝑥 > 𝐼𝐷 𝑚𝑜𝑦

𝑉𝑚𝑎𝑥
La tension maximum de crête est : 𝑉𝐷 𝑚𝑎𝑥 = 𝑅

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b) Redressement double alternance à pont en monophasé

Il existe une autre façon de faire un redressement double alternance, ne nécessitant pas un
transformateur à double enroulement : on utilise quatre diodes montées en pont. Les tensions
de sortie du transformateur sont en opposition de phase. Ce montage est encore appelé de Graëtz
en monophasé.

Figure 7 : Redresseur double alternance à pont

𝑣𝑒 = 𝑉√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡) = 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛(𝜃), 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝜃 = 𝜔𝑡

𝑇
 Pendant l’alternance positive de la tension d’entrée (0 < 𝜃 < 𝜋 𝑜𝑢 0 < 𝑡 < 2 ∶
𝑣𝑒 (𝑡) > 0), les diodes 𝐷1 𝑒𝑡 𝐷2 sont polarisée en direct donc elles conduisent. Les diodes
𝐷3 𝑒𝑡 𝐷4 sont polarisées en inverse et sont donc bloquées.

Figure 8 : Redresseur double alternance à pont : alternance positive tension d’entrée

Une tension non nulle apparaît aux bornes de la charge : 𝑣𝑠 (𝑡) = 𝑣𝑒 (𝑡).
𝑣𝑒 (𝑡)
Cette charge est alors parcourue par le courant 𝑖𝑠 (𝑡) = .
𝑅

𝑇
 Pendant l’alternance négative de la tension d’entrée (𝜋 < 𝜃 < 2𝜋 𝑜𝑢 <𝑡<𝑇 ∶
2
𝑣𝑒 (𝑡) < 0), les diodes 𝐷3 𝑒𝑡 𝐷4 sont polarisée en direct donc elles conduisent. Les diodes
𝐷1 𝑒𝑡 𝐷2 sont polarisées en inverse et sont donc bloquées.

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Figure 9 : Redresseur double alternance à pont : alternance négative tension d’entrée

Une tension non nulle apparaît aux bornes de la charge : 𝑣𝑠 (𝑡) = −𝑣𝑒 (𝑡).
𝑣𝑒 (𝑡)
Cette charge est alors parcourue par le courant 𝑖𝑠 (𝑡) = − .
𝑅

La tension moyenne et la fréquence de la tension de sortie sont :

2𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑠 𝑚𝑜𝑦 = 𝑒𝑡 𝑓𝑠 = 2𝑓𝑒
𝜋
Les diagrammes du courant à travers la charge et de la tension à ses bornes ont les mêmes
formes que celles de la figure 6 précédente.

7..2.2- Filtrage
Les tensions redressées (𝑣𝑠 (𝑡)) vus précédemment sont des tensions périodiques qui croissent
jusqu’à un maximum et décroissent jusqu’à zéro et reste même nulle pendant toute la demi-
période négative dans le cas du redressement simple alternance. Ces tensions ne permettent pas
d'alimenter les circuits électroniques qui requièrent une tension continue constante comme celle
fournie par une pile. La technique la plus simple pour améliorer et réduire les ondulations de la
tension redressée est d’utiliser un filtrage capacitif en plaçant en parallèle sur la charge un
condensateur de capacité C. Cependant d’autres types de filtres existent pour cette tâche : les
filtre LC et RC.

[Link]- Redressement mono-alternance avec filtrage

Considérons le schéma de la figure suivante :

Figure 10 : Redresseur mono-alternance avec filtrage

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Analyse du fonctionnement :
𝑇
- Lorsque la diode est passante (0 < 𝑡 < 2 ∶ 𝑣𝑒 (𝑡) > 0); le condensateur se charge,
𝑇
- Lorsque la diode est bloquée (2 < 𝑡 < 𝑇 ∶ 𝑣𝑒 (𝑡) < 0), le condensateur se décharge à
travers la résistance R.

L’allure de la tension aux bornes de la charge R après filtrage est donnée par la figure 11.

Figure 11 : Forme du signal de sortie aux bornes de la charge R après filtrage

De cette figure, on observe que :

𝑇
 Pour 0 < 𝑡 ≤ , la diode est passante et le condensateur se charge
4
A l’instant 𝑡 = 0, la source 𝑣𝑒 (𝑡) est connectée aux bornes de la diode; la tension aux bornes
du condensateur passe de 0 à 𝑉𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑚 au bout d’un temps t=T/4. Ce qui correspond à la
charge condensateur).
𝑇
 Pour 𝑡 > 4, 𝑣𝑠 = 𝑣𝐶 > 𝑣𝑒 (𝑡).
La tension 𝑣𝑒 (𝑡) devient à un potentiel inferieur à celle aux bornes du condensateur; la diode
se polarise en inverse et sera bloquée et le circuit RC se trouve isolé. Le condensateur se
décharge dans la résistance R (la charge) avec une constante de temps 𝜏 = 𝑅𝐶. Lors de cette
décharge la tension 𝑣𝑠 aux bornes de R décroit exponentiellement et tend vers une valeur 𝑉𝑚𝑖𝑛
5𝑇
pour 𝑡1 = − 𝛿. A cet instant, le potentiel de l’anode redevenant supérieur au potentiel de la
4
5𝑇
cathode, la diode se remet à conduire et recharge complètement le condensateur à 𝑡 = et le
4
processus recommence. 𝛿 représente la durée de charge du condensateur.

Remarques :
∆𝑽
- Pour apprécier la qualité du filtrage, on évalue le taux d’ondulation : 𝝉𝒐𝒏𝒅 =
𝑽𝒎𝒐𝒚
- Critère de choix de la capacité de filtrage

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 La valeur crête de la tension d’ondulation étant de 2∆𝑉, on voit que pendant le temps 𝛿 , le
condensateur C se charge et que la tension à ses bornes varie de 2∆𝑉. La quantité d’électricité
reçue de la part de la source pendent le temps 𝛿 est : 𝑄𝑟 = 2𝐶. ∆𝑉.

Pendant le temps 𝑇 − 𝛿 ≅ 𝑇, le condensateur se décharge dans R et restitué une quantité

d’énergie 𝑄𝑝 telle que : 𝑄𝑝 = 𝑖(𝑇 − 𝛿) ≅ 𝑖. 𝑇.
𝑉𝑚𝑜𝑦
La conservation d’électricité reçue et restitué impose 𝑄𝑟 = 𝑄𝑝 , avec 𝑖 ≅ 𝑖𝑚𝑜𝑦 = 𝑅

De la rélation 𝑄𝑟 = 𝑄𝑝 , on pour déduire l’expression du taux d’ondulation :

∆𝑉 𝑇 1
𝜏𝑜𝑛𝑑 = = = , 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑓 𝑙𝑎 𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑′𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
𝑉𝑚𝑜𝑦 2𝑅𝐶 2𝑅𝐶𝑓

Ce calcul suppose que la constante de temps 𝜏 est très grande devant la période de la tension
d’entrée (𝜏 = 𝑅𝐶 ≫ 𝑇). Le filtrage est d’autant plus efficace (faible ondulations) que le
taux d’ondulation (𝝉𝒐𝒏𝒅 ) est faible, ce qui nécessite un RC élevé. Etant donné que la
résistance 𝑅 est généralement imposé par le circuit d’utilisation, il faut donc choisir un
condensateur de capacité 𝐶 élevé pour satisfaire cette condition. Ainsi, on l’inéquation
suivante doit être satisfaite lors du choix du condensateur de filtrage dans un redresseur mono-
𝑇
alternance : 𝐶≫𝑅

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Chapitre 3 : Transistor bipolaire en régime statique

PARTIE I : Transistor bipolaire en régime statique

1- Introduction
Le Transistor est l’élément “clef” de l’électronique. Le premier transistor à jonction fût inventé
en 1951 par William Schockley. Il s’agit d’un composant semi-conducteur actif qui amplifie
les signaux électroniques tels que ceux de la radio ou de la télévision. L’avènement du transistor
a entrainé l’invention de nombreux autres composants, comme le circuit intégré ; il s’agit d’un
petit circuit contenant des millions de transistors miniaturisés. Grâce à eux, les calculateurs
modernes et autres miracle de l’électronique sont possibles. Comme nous verront dans la suite
du chapitre, le transistor possède deux modes de fonctionnement : le mode linéaire et le mode
de commutation.

En régime de fonctionnement linéaire, un transistor peut :

 amplifier un signal : amplificateur de tension, de courant, de puissance, …

 être utilisé comme une source de courant.
En commutation (régime saturé ou bloqué), c’est un interrupteur commandé (mémoire
binaire), qui est un élément essentiel en électronique numérique

On distingue le transistor bipolaire du transistor à effet de champ. Ils diffèrent par les
mécanismes physiques.

Ils agissent en 1ière approximation comme une source de courant commandée en courant
(cas du transistor bipolaire) ou en tension (cas transistor à effet de champ).

Source de courant
Source de courant
commandé par une
commandé par un
tension.
courant.
G = transconductance
A = « gain » en courant
2- Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire
2.1- Structure d’un transistor bipolaire

Un transistor bipolaire est constitué de trois zones semi-conductrices différentes,

l’émetteur(E), la base(B) et le collecteur(C), qui se distinguent par la nature du dopage.

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L’Emetteur et le Collecteur sont de même type P ou N. Le collecteur, relié habituellement au
boîtier du transistor, est la plus grandes des zones. La base est une zone très fine séparant le
collecteur de l’émetteur. Les trois zones ont deux surfaces de séparations aux propriétés
électriques particulières appelées jonctions : jonction collecteur-base et jonction base-émetteur.
D’où l’appellation fréquente de transistor à jonction. En fonction de la nature de chaque zone,
on distingue : Les transistors PNP et NPN (ils ont un comportement analogue à condition
d’inverser les polarités des tensions.)

(a). Construction des transistors bipolaires

E C E C

B B

(b). Comparaison avec un circuit à deux diodes

C C

B
B

E
E

(c). Symbole des transistors bipolaires

Figure 1 : Structure de base des transistors bipolaires

2.2- L’effet transistor

L’effet transistor apparaît lorsqu’on polarise la jonction base-émetteur en direct et la jonction

collecteur-base en inverse (C’est le mode actif du transistor bipolaire). Le courant 𝑖𝐶 ne
devrait pas exister puisque la jonction collecteur-base est bloquée. Comme la base est très fine,
les électrons de l’émetteur diffusent dans la base et sont happés par le champ électrique du
collecteur.
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Figure 2 : Polarisation directe du transistor bipolaire et principe de l’effet transistor dans un transistor
NPN.

La grosse flèche de la figure représente le flux des électrons. Le courant dans l’une des diodes
(généralement dans la jonction base/émetteur) détermine le courant dans la seconde.

Si 𝑉𝐸𝐸 > ~ 0,7𝑉, le courant circule entre l’émetteur et la base. Ainsi, 𝑽𝑩𝑬 ~ 𝟎, 𝟕𝑽, 𝑰𝑬 >> 𝟎.
La jonction EB est dissymétrique (dopage plus élevé côté E). Le courant est alors porté
essentiellement par les électrons (peu de trous circulent de B vers E).

Dès que 𝑉𝐶𝐶 > 0, un champ électrique intense existe à l’interface Base/Collecteur. La
majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ :

Les relations entre les courants sont alors les suivantes :

𝑰𝑬 ~𝑰𝑬 𝒆𝒕 𝑰𝑩 = 𝑰𝑬 − 𝑰𝑪

𝑺𝒐𝒊𝒕 𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪

Le courant IC est contrôlé par IE, et non vice versa…

Remarques :

 Le fonctionnement du transistor bipolaire est soumise à des Contraintes de

polarisation : 𝑽𝑩𝑬 ~ 𝟎, 𝟕𝑽, 𝑽𝑪𝑩 > 𝟎, 𝟓𝑽. De plus 𝑰𝑩 non nul signifie qu’une fraction
de 𝑰𝑬 ne participant pas à la commande de 𝑰𝑪 .
 Pour le transistor PNP les porteurs majoritaires ne sont pas les électrons mais les trous
dont la mobilité est plus faible sous l’effet d’un champ électrique.

Figure 3 : Polarisation directe du transistor bipolaire et principe de l’effet transistor dans un transistor
PNP

 Les transistors NPN seront donc préférés aux PNP en termes de rapidité
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Figure 4 : Orientation de tension dans les transistors bipolaires

 La flèche dans le symbole du transistor bipolaire indique le sens du courant dans l’état
actif. C'est-à-dire le sens direct de la diode base - émetteur.

Figure 5 : Photos de quelques modèles de transistors bipolaires

2.3- Relations fondamentales

2.3.1- Montage base commune (gain en courant en base commune)

Lorsque la Base du transistor est l’électrode de référence des tensions, on a un montage base
commune. Un exemple est le suivant :

Figure 6 : Montage base commune d’un transistor NPN

Lorsque la jonction BE est polarisée en direct et la jonction CB est polarisée en inverse, on a

les relations suivantes :

𝐼𝐶 = 𝛼𝐹 𝐼𝐸
𝛼𝐹 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
= 𝑔𝑎𝑖𝑛 𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑛 𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢 𝑒𝑛 𝐵𝑎𝑠𝑒 𝐶𝑜𝑚𝑚𝑢𝑛𝑒, 𝑖𝑙 𝑒𝑠𝑡 𝑝𝑟𝑜𝑐ℎ𝑒 𝑑𝑒 1 .

Il s’agit de la proportion des porteurs majoritaires de l’émetteur qui arrivent dans le collecteur.
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 0,95 < 𝛼𝐹 < 0,99

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

2.3.2- Montage émetteur commun (gain en courant en émetteur commun)

Lorsque l’émetteur du transistor est l’électrode de référence des tensions, on a un montage

émetteur commun. Un exemple est le suivant :

Figure 7 : Montage émetteur commune d’un transistor NPN

Le bilan des courants en régime stationnaire donne :

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

Cette équation qui résume bien l’effet transistor. Le transistor dans ces conditions est en mode
linéaire ou d’amplification.

𝛽 représente le gain statique en courant du transistor dans d’un montage émetteur commun.
C’est une constante caractéristique du transistor.
𝛽≫1
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 ≈ 𝛽𝐼𝐵 = 𝐼𝐶
La constante 𝛽 varie sensiblement selon le type de transistor et très légèrement suivant
l’échantillon de transistor dans un type donné. On trouve dans la gamme commerciale β entre
20 et 900.
Les gains 𝛽 𝑒𝑡 𝛼𝐹 sont liés par la relation :
𝛼𝐹
𝛽=
1 − 𝛼𝐹
Ordres de grandeurs :
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 de quelques 𝑚𝐴 à quelques 10𝑚𝐴 ;
𝐼𝐵 de quelques 10𝜇𝐴 à quelques 100𝜇𝐴

Remarques :

De ces relations fondamentales des transistors bipolaires, on remarque que :

- Le transistor se comporte comme une source de courant commandé soit du courant de

l’émetteur soit du courant de la base.
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 - Les courants𝐼𝐵 et 𝐼𝐸 sont commandés par la tension 𝑉𝐵𝐸 .
- 𝑉𝐵𝐸 s’appelle tension de commande, plus cette tension est grande plus 𝐼𝐶 est important.

Nous avons donc un dispositif dont la grandeur de sortie est commandée par une grandeur
d’entrée.

2.4- Montage à transistor : réseau de caractéristiques du transistor bipolaire NPN

On peut voir un transistor comme un quadripôle. Comme c’est en réalité un tripôle, il faut mettre
une de ses connexions en commun entre l’entrée et la sortie du quadripôle. On peut ainsi
distinguer trois configurations possibles :

 Configuration émetteur commun (montage le plus utilisé). L’émetteur constitue

l’électrode de référence pour les tensions. On représente les caractéristiques d’un
transistor NPN par :
o 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 )|𝑉𝐶𝐸 =𝐶𝑡𝑒 𝑒𝑡 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )|𝐼𝐵 =𝐶𝑡𝑒
 Configuration collecteur commun (très rarement). Le collecteur constitue l’électrode
de référence pour les tensions. On représente les caractéristiques d’un transistor NPN
par :
o 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 )|𝑉𝐶𝐸 =𝐶𝑡𝑒 𝑒𝑡 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐵 )|𝐼𝐸 =𝐶𝑡𝑒
 Configuration base commune. Ici, la base constitue l’électrode de référence pour les
tensions. On représente les caractéristiques d’un transistor NPN par :
o 𝐼𝐸 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 )|𝑉𝐶𝐵 =𝐶𝑡𝑒 𝑒𝑡 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐵 )|𝐼𝐸 =𝐶𝑡𝑒

Le quadripôle peut alors être déterminé par les relations :

𝑉𝐵𝐸 = 𝑓(𝐼𝐵 , 𝑉𝐶𝐸 )

{
𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 , 𝑉𝐶𝐸 )

Ce sont des fonctions de deux variables, donc décrite par des surfaces dans un espace à 3D.
Pour avoir des courbes 2D, il faut paramétrer suivant une variable (il suffit de maintenir une
variable constante). Ces courbes peuvent être tracées dans un diagramme 4-quadrants

2.4.1- Caractéristique en configuration émetteur commun (cas du transistor NPN)

Toutes les caractéristiques peuvent être obtenues en réalisant un montage émetteur commun,
représenté ci-dessous (Figure 8).

Dans ce montage, (𝑉𝐵𝐸 , 𝐼𝐵 ) ce sont les grandeurs d’entrée et (𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 )les grandeurs de sortie.
Le circuit de la base est alimenté par une tension 𝑉𝐵𝐵 variable, 𝑅𝐵 est une résistance de
protection. Le circuit du collecteur est alimenté par une tension 𝑉𝐶𝐶 variable, 𝑅𝐶 est la résistance
du collecteur et joue le rôle de charge.

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Figure 8 : Montage pour les caractéristiques en configuration émetteur commune d’un transistor NPN

a) caractéristique d’entrée : 𝑰𝑩 = 𝒇(𝑽𝑩𝑬 )|𝑽𝑪𝑬=𝑪𝒕𝒆

En faisant varier 𝑉𝐵𝐵 et en maintenant 𝑉𝐶𝐸 constante, on obtient la caractéristique

d’entrée 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 )

Figure 9 : Caractéristique d’entrée d’un transistor NPN au silicium en mode émetteur commun

On observe que pour 𝑉𝐵𝐸 > 0.6𝑉, jonction EB passante, 𝐼𝐵 << 𝐼𝐸 . En effet les charges non
collectées par le champ électrique se dirigent vers la base; 𝐼𝐵 = (1 − 𝛼𝐹 )𝐼𝐸 . De plus, cette
caractéristique est légèrement influencée par 𝑉𝐶𝐸 (négligeable)

b) Caractéristique de sortie : 𝑰𝑪 = 𝒇(𝑽𝑪𝑬 )|𝑰𝑩 =𝑪𝒕𝒆

En faisant varier 𝑉𝐶𝐶 et en maintenant 𝐼𝐵 constant, on obtient la caractéristique de sortie

𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ). En pratique, on donne un réseau de caractéristiques de sortie pour plusieurs
valeurs de 𝐼𝐵 .

Figure 10 : Caractéristique de sortie d’un transistor NPN au silicium en mode émetteur commun
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Cette caractéristique fait ressortir trois modes de fonctionnement du transistor :

 Le mode actif ou fonctionnement en amplificateur

La jonction B-E est passante et la jonction C-B bloquée. Le courant 𝐼𝐶 dépend du courant 𝐼𝐵
(𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ) et varie très peu avec 𝑉𝐶𝐸 . Cette caractéristique est celle d’un générateur de courant
utilisé en tant que récepteur.
𝛼𝐹 𝛼𝐹
𝐼𝐵 = 𝛽𝐼𝐵 . 𝑑 ′ où 𝛽 =
𝐼𝐶 = 𝛼𝐹 𝐼𝐸 = 𝛼𝐹 (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) 𝑠𝑜𝑖𝑡 𝐼𝐶 =
1 − 𝛼𝐹 1 − 𝛼𝐹
′
𝛽 𝑠𝑒 𝑛𝑜𝑡𝑒 𝑎𝑢𝑠𝑠𝑖 ℎ𝐹𝐸 , 𝑐 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑒 𝑔𝑎𝑖𝑛 𝑒𝑛 𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢 𝑒𝑛 𝐸𝐶. 𝐼𝐿 𝑒𝑠𝑡 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑟𝑖𝑠 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 20 𝑒𝑡 900.

Lorsque VCE augmente, 𝛼𝐹 tend vers 1 et 𝛽 devient très grand. C’est l’effet Early.

Ce mode actif correspond aux amplificateurs de classe A.

De plus, pour le transistor au silicium, 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0,7𝑉 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐵 ≥ −0,5𝑉

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐶𝐵 > −0,5 + 0,7~0,2𝑉
 Le mode de saturation

ce mode correspond à la zone des faibles tensions 𝑉𝐶𝐸 (de 0 à quelque volt). Quand la
tension 𝑉𝐶𝐵 diminue pour devenir très faible, la jonction B-C cesse d’être polarisée en inverse
et l’effet du transistor décroit rapidement. A la limite la jonction B-C devient passante mais 𝐼𝐶
est indépendant de 𝐼𝐵 (𝐼𝐶 < 𝛽𝐼𝐵 ). On parle ici d’amplificateur de classe S.

 Le mode bloqué (classe B)

Il correspond au cas où les deux jonctions B-E et B-C sont bloquées.

𝐼𝐶 𝑒𝑠𝑡 𝑡𝑟𝑒𝑠 𝑝𝑒𝑡𝑖𝑡 𝑜𝑢 𝐼𝐶 ≈ 0.

c) Caractéristique de transfert en courant

Elle est donnée par la relation :

𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 )|𝑉𝐶𝐸 =𝐶𝑡𝑒

Elle a la forme générale suivante :

Figure 11 : Caractéristique de transfert en courant d’un transistor NPN au silicium en mode émetteur
commun

Elle montre que le courant du collecteur 𝑰𝑪 est proportionnel à 𝐼𝐵 (𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ).

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d) Caractéristique de transfert en tension
Elle est donnée par la relation :

𝑽𝑩𝑬 = 𝒇(𝑽𝑪𝑬 )|𝑰𝑩 =𝑪𝒕𝒆

Elle a la forme générale suivante :

Figure 12 : Caractéristique de transfert en tension d’un transistor NPN au silicium en mode émetteur
commun

On observe qu’elles sont presque horizontales. La tension 𝑉𝐶𝐸 présente une faible influence sur
la tension d’entrée 𝑉𝐵𝐸 . Cette caractéristique est souvent ignorée par les constructeurs.

e) Diagramme 4-quadrants

Toutes les caractéristiques du transistor configuré en émetteur commun peuvent être regroupées
dans le diagramme 4-quadrants. La forme générale est donnée à a figure 13.

On y distingue trois régimes de fonctionnement directement fixés par le réglage du point de

polarisation :
- Fonctionnement en Amplificateur (ou encore linéaire), pour 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (classe A)
- Fonctionnement en commutation de saturation, pour 𝐼𝐶 < 𝛽𝐼𝐵 (classe S)
- Fonctionnement en commutation de blocage, pour I𝐼𝐶 = 0 (classe B)
Le domaine d’utilisation du transistor est limité par une hyperbole appelée hyperbole
𝑃𝑚𝑎𝑥
d’isopuissance qui est donnée par la relation 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸

Figure 14: Zone de fonctionnement d’un transistor

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 Figure 13 : diagramme 4-quadrants d’un transistor bipolaire configuré en émetteur commun

Résumés des comportements des deux types de transistor configurés en émetteur commun

Transistor NPN au silicium en configuration Emetteur Commun

Mode actif : 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0,7𝑉 ~0,3𝑉 < 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶 ≈ 𝛽𝐼𝐵

Mode 𝐼𝐵 ≅ 0 𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶 ≈ 0

bloqué

Mode saturé 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0,8𝑉 𝑉𝐶𝐸 ≈ 0,2𝑉 𝐼𝐶 < 𝛽𝐼𝐵

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 Transistor PNP au silicium en configuration Emetteur Commun

Mode actif : 𝑉𝐵𝐸 ≈ −0,7𝑉 ~ − 0,3𝑉 < 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐶 (< 0) 𝐼𝐶 ≈ 𝛽𝐼𝐵

Mode 𝐼𝐵 ≅ 0 𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶 ≈ 0

bloqué

Mode saturé 𝑉𝐵𝐸 ≈ −0,8𝑉 𝑉𝐶𝐸 ≈ −0,2𝑉 𝐼𝐶 < 𝛽𝐼𝐵

2.4.2- Influence de la température

La caractéristique d’une jonction PN dépend de la température. En effet :

- les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T

- VBE diminue avec T, lorsque 𝐼𝐵 reste constant
- réciproquement : pour VBE maintenue fixe, 𝐼𝐸 (et donc 𝐼𝐶 ) augmente avec T
Ainsi il y a risque d’emballement thermique et la destruction du transistor.

On résout se problème en réalisant une contre-réaction dans les amplificateurs à transistors

bipolaires

Les paramètres de stabilisation dans le circuit de polarisation du transistor permet aussi de

limiter cet effet.

2.5- Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit (Point de fonctionnement)

Le point de fonctionnement (ou encore point de polarisation ou point de repos) se trouve à
l’intersection du réseau de caractéristiques vu précédemment et des équations de polarisation
du montage. On peut aussi le déterminer à partir des lois de Kirchhoff appliquées au circuit.
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Les équations de polarisation étant : la droite d’attaque (𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 )) et la droite de charge
(𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )) statiques. En régime dynamique (variable), on aura les droite d’attaque (𝑖𝐵 =
𝑓(𝑣𝐵𝐸 )) et de charge dynamique (𝑖𝐶 = 𝑓(𝑣𝐶𝐸 ))

Exemple : Soit le montage du circuit suivant : Déterminer le point de repos ou point de

fonctionnement du transistor 𝐼𝐵0 𝑜𝑢 𝐼𝐵𝑄 , 𝐼𝐶0 𝑜𝑢 𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐵𝐸0 𝑜𝑢 𝑉𝐵𝐸𝑄 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐸0 𝑜𝑢 𝑉𝐶𝐸𝑄 .

Figure 15 : Polarisation d’un transistor par deux sources de tension

- Déterminons les droites d’attaque et de charge statiques

Maille d’entrée :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 ′
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 𝑠𝑜𝑖𝑡 𝐼𝐵 = . 𝐶 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝒅𝒓𝒐𝒊𝒕𝒆 𝒅′ 𝒂𝒕𝒕𝒂𝒒𝒖𝒆 𝒔𝒕𝒂𝒕𝒊𝒒𝒖𝒆.
𝑅𝐵
De la même façon, la maille de sortie permet de montrer que l’équation de la droite de
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
charge statique est : 𝐼𝐶 = 𝑅𝐶

Le tracé de ces droites dans le réseau de caractéristique du transistor permet de trouver les
coordonnées du point de fonctionnement.

Figure 16 : Effet de la polarisation sur le réseau de caractéristique d’un transistor NP N

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La position du point Q fixe le mode de fonctionnement du transistor.

Dans les montages usuels, on utilise rarement une source de tension séparée 𝑉𝐵𝐵 pour polariser
la jonction B-E en direct. On alimente la base à l’aide d’un générateur unique 𝑉𝐶𝐶 .

2.6- Transistor bipolaire saturé- transistor bipolaire bloqué

La partie de la droite de charge statique située entre les points de blocage et de saturation définit
la zone active (𝐼𝐶𝑏𝑙𝑜𝑐𝑎𝑔𝑒 < 𝐼𝐶 < 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 ).

Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur fermé. Et au point de

blocage, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur ouvert. On dit alors que le transistor
fonctionne en commutation (tout ou rien).

Figure 17 : Point de fonctionnement et état du transistor

2.7- Circuits de polarisation du transistor

Polariser un transistor consiste à fixer les valeurs des courants et tensions de repos du transistor
à des valeurs dites de polarisation (ou de repos ou encore de fonctionnement), telle qu’ensuite,
en présence d’un signal extérieur les valeurs de ces courantes et tensions varient autour de ce
point de repos. Ce point de polarisation conditionne largement le régime de fonctionnement du
transistor. La polarisation impose au transistor les valeurs de courant et de tension en continu.

Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du

transistor

Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit.

Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transistor (𝐼𝐶 < 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 , 𝐼𝐵 < 𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥 ,
𝑉𝐵𝐸 < 𝑉𝐵𝐸𝑚𝑎𝑥 , 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 ,....)

Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :

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 ➤ sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur 𝛽 =
ℎ𝐹𝐸 ,… )

➤ stabilité thermique. (coefficient de température des différents paramètres du

transistor: 𝑉𝐵𝐸 , ℎ𝐹𝐸 ,…).

Dans la suite, nous étudierons deux exemples de circuits de polarisation les plus utilisés.

2.7.1- Polarisation par pont de base 𝑹𝟏 et 𝑹𝟐 ou polarisation par pont diviseur de tension

Le circuit de la polarisation par pont diviseur de tension est donné sur la figure 18. On peut
la transformée en utilisant les notions de générateur de Thévenin et de pont diviseur de tension
pour obtenir un circuit identique à celui de la figure 15.

Figure 18 a: Circuit de la polarisation par pont diviseur de tension

On peut modifier la figure précédente comme suit :

Figure 18 b: Circuit de la polarisation par pont diviseur de tension modifié

En appliquant les notions de générateur de Thévenin et de pont diviseur de tension sur le

circuit entre B et M, on obtient le circuit suivant :

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 Figure 18 c: Circuit de la polarisation par pont diviseur de tension modifié

La tension et la résistance de Thévenin sont :

𝑅2
𝐸𝑡ℎ = 𝐸 = 𝑉𝐵𝐵
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 𝑅2
𝑅 = (𝑅1 ∕∕ 𝑅2 ) = = 𝑅𝐵
{ 𝑡ℎ 𝑅1 + 𝑅2

2.7.2- Polarisation par une résistance de base 𝑹𝑩

Le circuit de la polarisation par une résistance de base est donné sur la figure 19.

Figure 19: Circuit de la polarisation par une résistance de base

On parle aussi dans ce cas de la polarisation par contre-réaction d’émetteur ou rétroaction

émetteur

TAF :

Déterminer l’équation de la droite d’attaque et l’équation de la droite de charge pour ce

montage.

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Partie II : Transistor bipolaire en régime dynamique

1- Introduction
En régime dynamique, on part des hypothèses suivantes :

 Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique ;

 Comportement approximativement linéaire.
Les grandeurs d’entrée et de sortie résultent de la superposition des grandeurs continues ou
statiques (𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐵0 , 𝐼𝐶0 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐸0 ) et des grandeurs alternatives qui sont l’effet de source
alternative. En considérant le montage du transistor en émetteur commun en régime statique de
la figure 18, dans lequel on ajoute à l’entrée du montage un générateur de tension sinusoïdale
𝑒(𝑡) = 𝐸𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡).

Figure 20 : Montage amplificateur à transistor bipolaire monté en émetteur commun

La présence de 𝑒(𝑡) fait apparaitre des composantes variables de 𝑖𝐵 (𝑡), 𝑖𝐶 (𝑡), 𝑣𝐵𝐸 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑣𝐶𝐸 (𝑡)

Pour un fonctionnement en petits signaux (E faible), on peut écrire :

𝑖𝐵 (𝑡) = 𝐼𝐵0 + 𝑖𝑏 (𝑡) 𝑣 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑣𝑏𝑒 (𝑡)

{ 𝑒𝑡 { 𝐵𝐸
𝑖𝐶 (𝑡) = 𝐼𝐶0 + 𝑖𝑐 (𝑡) 𝑣𝐶𝐸 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐸0 + 𝑣𝑐𝑒 (𝑡)

Notation : une grandeur variable est notée en minuscule et une grandeur continue en majuscule.

𝑖𝑏 (𝑡), 𝑖𝑐 (𝑡), 𝑣𝑏𝑒 (𝑡) 𝑒𝑡 𝑣𝑐𝑒 (𝑡) représentent des petites variations autour des tensions et des
courants continues (𝐼𝐵0 , 𝐼𝐶0 , 𝑉𝐵𝐸0 , 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐸0) correspondants au point de repos ou
fonctionnement.

𝑖 (𝑡) = 𝑖𝑏𝑚 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡) 𝑣 (𝑡) = 𝑣𝑏𝑒𝑚 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)

{𝑏 𝑒𝑡 { 𝐵𝐸
𝑖𝑐 (𝑡) = 𝑖𝑐𝑚 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡) 𝑣𝐶𝐸 (𝑡) = 𝑣𝑐𝑒𝑚 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)

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2- Les paramètres hybrides pour un transistor
En régime faible signaux le fonctionnement du transistor est linéaire, on peut donc le considérer
comme un quadripôle linéaire actif. On considère le montage émetteur commun et en ne
s’intéressant qu’aux composantes alternatives, le transistor peut être représenté dans son
domaine de fonctionnement par un quadripôle actif comme suit :

On peut alors lui associer les paramètres hybrides comme ci-dessous.

𝑣 = ℎ11 𝑖𝑏 + ℎ12 𝑣𝑐𝑒

{ 𝑏𝑒
𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏 + ℎ22 𝑣𝑐𝑒

En écriture matricielle, on a :
𝒗𝒃𝒆 𝒉 𝒉𝟏𝟐 𝒊𝒃
[ 𝒊 ] = [ 𝟏𝟏 ][ ]
𝒄 𝒉𝟐𝟏 𝒉𝟐𝟐 𝒗𝒄𝒆
Signification des paramètres hybrides
𝑣
ℎ11 = ( 𝑖𝑏𝑒 ) : c’est l’impédance d’entrée entre base et émetteur à sortie court-
𝑏 𝑠𝑖 𝑣𝑐𝑒 =0
circuitée. On note aussi : ℎ11 = 𝑟𝐵𝐸 . Il s’agit de la résistance dynamique de la jonction Base –
Emetteur.
𝑣
ℎ12 = ( 𝑣𝑏𝑒 ) : c’est l’amplification inverse en tension à entrée ouverte ou
𝑐𝑒 𝑠𝑖 𝑖𝑏 =0
coefficient de réaction interne. On le note aussi 𝜇 ; il est souvent négligeable.
𝑖
ℎ21 = (𝑖 𝑐 ) : : c’est l’amplification en courant à sortie court-circuitée. On montre
𝑏 𝑠𝑖 𝑣𝑐𝑒 =0
que ℎ21 ≅ 𝛽.

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 𝑖
ℎ22 = (𝑣 𝑐 ) : c’est l’admittance de sortie à entrée ouverte. On utilise souvent le
𝑐𝑒 𝑠𝑖 𝑖𝑏 =0

paramètre ρ = rCE = 1⁄h , appelé résistance de sortie à entrée ouverte.

22

𝑟𝐵𝐸 , 𝜇, 𝛽, ρ et rCE , sont les paramètres universels. Ils ne sont valables qu’aux basses
fréquences.

Les paramètres ℎ𝑖𝑗 dépendent du point de fonctionnement et peuvent être obtenus

graphiquement. Ils ne sont constants que si les variations autour du point de fonctionnement
sont faibles. Sur les fiches techniques des constructeurs, on rencontre plus les notations anglo-
saxonne des paramètres hybrides:

ℎ𝑖𝑒 au lieu de ℎ11 : entrée (input)

ℎ𝑜𝑒 au lieu de ℎ22 : sortie (output)

ℎ𝑓𝑒 au lieu de ℎ21 : transfert direct (forward transfer)

ℎ𝑟𝑒 au lieu de ℎ12 : transfert invers (reverse transfer).

3- Modèle dynamique d’un transistor aux moyennes et basses

fréquences
En régime dynamique, le paramètre hybride ℎ22 = ℎ𝑜𝑒 permet de caractériser l’effet
Early dans le transistor. Le schéma électrique équivalent du transistor bipolaire aux moyennes
et aux basses fréquences est le suivant :

En tenant compte de l’effet Early : 𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏 + ℎ22 𝑣𝑐𝑒

Figure 21 : Schéma équivalent d’un transistor en basses fréquences en utilisant les

paramètres hybrides.
1
En négligeant l’effet Early (ℎ ≈ 105 ≫ 𝑅𝐿 ), 𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏 .
22

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Figure 22 : Schéma équivalent d’un transistor sans effet Early en basses fréquences

En général ℎ22 est très faible de l’ordre de 10−5 Ω (ou 𝜌 est très grande). De même ℎ12 est très
faible. On obtient un schéma simplifié du transistor suivant

Figure 22 : Schéma équivalent d’un transistor idéal en basses fréquences

Le transistor est considéré ici comme idéal. La jonction BE passante et est représentée par sa
résistance dynamique h11. Entre le collecteur et l’émetteur, l’effet transistor est représenté par
un générateur de courant dépendant de vbe ou ib. ic= gmvbe =h21 ib = β ib or vbe= h11 ib

ℎ
Soit 𝑔𝑚 = ℎ21 = 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 à 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 𝑓𝑒𝑟𝑚é𝑒
11

1
La résistance rce = ℎ représente la résistance interne du générateur de courant dépendant.
22

Note : Le modèle dynamique ne dépend pas du type de (NPN ou PNP) du transistor. Seuls les
sens des courants changent.

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4- Amplificateurs à transistors bipolaires
4.1 Caractéristiques d’un amplificateur

Figure23 : Synoptique général d’un amplificateur

Un amplificateur a pour fonction d’amplifier la puissance du signal d’entrée. Il est toujours

alimenté par une source d’énergie externe (ici: 𝑉𝐶𝐶 et (ou) 𝑉𝐸𝐸 )

Tout amplificateur est caractérisé par les paramètres suivants :

𝑣𝑒
 son impédance d’entrée 𝑍𝑒 = 𝑖𝑒
𝑣𝑠 𝑣𝐿
 son impédance de sortie 𝑍𝑠 = lorsque l’amplificateur est non chargé et 𝑍𝑠 =
𝑖𝑠 𝑖𝐿
lorsqu’il est chargé ( 𝑍𝑠 = résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par une
charge RL)
 Le gain en tension : Il dépend de la charge.
𝑣 𝑣
En circuit ouvert, on a : 𝐴𝑣 = 𝑣𝐿 | = 𝑣𝑠
𝑒 𝑅𝐿 =∞ 𝑒
𝑣𝐿 𝑅𝐿
Gain sur charge : 𝐴𝑣𝐿 = =𝑅 𝐴𝑣
𝑣𝑒 𝐿 +𝑍𝑠
Gain composite (Il tient compte de la résistance de sortie de la source) :
𝑣 𝑍𝑒
𝐴𝑣𝑐 = 𝑣𝐿 = 𝑅 𝐴𝑣𝐿
𝑔 𝑔 +𝑍𝑒
𝑖 𝑍
 Le gain en courant : 𝐴𝑖 = 𝑖𝐿 = 𝑅𝑒 𝐴𝑣𝐿
𝑒 𝐿
𝑣𝐿 𝑖𝐿
 Le gain en puissance : 𝐴𝑝 = 𝑣 = 𝐴𝑣𝑐 𝐴𝑖
𝑔 𝑖𝑒

 L’amplificateur “idéal”:

Les gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée.

L’impédance d’entrée élevée ➙ peu de perturbation sur la source

L’impédance de sortie faible ➙ peu d’influence de la charge

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  L’amplificateur réel:

Au-delà de son domaine de linéarité le signal amplifié subit des distorsions si son amplitude est
trop élevée. Ceci est due à la non-linéarité des caractéristiques électriques des composants et au
fait que la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation.

Les amplificateurs réels ont aussi une bande passante limitée (le gain est fonction de la
fréquence du signal.) Ceci est dû aux capacités internes des composants, les condensateurs de
liaison ainsi que la dépendance en fréquence des impédances d’entrée et de sortie.

4.2 Amplificateur à transistor bipolaire monté en émetteur commun (EC)

Particularités des amplificateurs EC :

 Le transistor est en mode actif
 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transistor
La sortie est “prise” sur le collecteur
Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :
 Le circuit de polarisation (polarisation par pont diviseur de tension)
 Les modes de couplages avec la source du signal et la charge (couplage capacitif avec
la source et la charge).
 La présence éventuelle de condensateurs de “découplage”
 Détermination des caractéristiques d’un amplificateur émetteur commun
Considérons le montage amplificateur émetteur commun suivant :

Figure 24 : Circuit d’un montage amplificateur à transistor bipolaire en émetteur commun

Les condensateurs 𝐶𝐵 et 𝐶𝐶 sont appelés condensateurs de liaison ou de couplage.

𝐶𝐸 est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique ne soit pas modifier par la
présence du générateur de signaux. On l’appelle condensateur de découplage. Il est
semblable à un condensateur de couplage à la nuance près qu’il couple à la masse un point qui
n’y est pas relié. Ce condensateur sert à découpler 𝑅𝐸 en régime alternatif.
𝐶𝐶 évite que la charge « voit » la composante continue de 𝑉𝐶 et qu’elle influence le point de
repos du transistor. Autrement dit, 𝐶𝐶 élimine la composante continue à la sortie et on recueille
uniquement le signal alternatif amplifié.
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 Ces capacités sont choisis suffisamment grandes pour que l’on puisse négliger leurs
impédances aux fréquences de travail :
1 1
≪ 𝑅1 //𝑅2 𝑒𝑡 ≪ 𝑅𝑢
𝐶𝐵 𝜔 𝐶𝐶 𝜔
Ainsi en régime continu, ces condensateurs agissent comme des circuits ouverts et en régime
dynamique comme des court-circuits.

4.2.1- Analyse statique

On a le circuit de polarisation par pont diviseur de tension vu plus haut.

4.2.2- Analyse dynamique

Nous considèrerons deux cas : cas avec découplage de la résistance 𝑅𝐸 et le cas sans découplage
de la résistance 𝑅𝐸

a) Montage amplificateur à transistor bipolaire en EC sans découplage de la résistance 𝑹𝑬

Le montage équivalent est le suivant :

Figure 25a: Circuit d’un montage amplificateur à transistor bipolaire en EC sans découplage
de 𝑅𝐸
En régime dynamique:
- On supprime les générateurs de tension continue (on les court-circuite) tout en
conservant leurs résistances internes ;
- On court-circuite les capacités de liaisons ;
- On court-circuite les capacités de découplage ;
- On remplace le transistor par son schéma équivalent.
Le circuit en régime dynamique est le suivant :

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 Figure 25 b: Circuit en régime dynamique d’un montage amplificateur à transistor bipolaire
en EC sans découplage de 𝑅𝐸
L’un des pôles des résistances 𝑅1 , 𝑒𝑡 𝑅𝐶 sont renvoyés à la masse. On définit les résistances
équivalentes suivantes : 𝑟𝑐 = 𝑅𝑐 //𝑅𝐿 et 𝑟𝐵 = 𝑅1 //𝑅2 .
En remplaçant le transistor par son schéma équivalent, on établit le schéma équivalent en
dynamique du montage amplificateur à transistor bipolaire en EC sans découplage de 𝑅𝐸 . On
considère le transistor idéal.

Figure 26: Schéma équivalent en régime dynamique du montage amplificateur EC sans

découplage de 𝑅𝐸

 Calcul des caractéristiques de l’amplificateur

𝑣𝐿
 Le gain en tension sur charge : 𝐴𝑣𝐿 = 𝑣𝑒
Or 𝑣𝐿 = 𝑟𝑐 𝑖𝑐 = 𝑟𝑐 ℎ21 𝑖𝑏 𝑒𝑡 𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 𝑖𝐸 = ℎ11 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 (ℎ21 + 1)𝑖𝑏
D’où
𝑟𝑐 ℎ21
𝐴𝑣𝐿 =
ℎ11 + 𝑅𝐸 (ℎ21 + 1)
 Le gain en circuit ouvert : On remplace simplement 𝑟𝑐 𝑝𝑎𝑟 𝑅𝑐 .
Soit
𝑅𝑐 ℎ21
𝐴𝑣 =
ℎ11 + 𝑅𝐸 (ℎ21 + 1)
 Impédance d’entrée 𝒁𝒆

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 Elle dépend de l’endroit où on regarde l’entrée de l’amplificateur :
 Impédance d’entrée vue de la source :
𝒗𝒆
𝒁𝒆 =
𝒊𝒆
Pour la déterminer, on suppose que la charge est déconnectée. Ainsi, 𝑖𝑒 traverse la résistance
𝑟𝐵 //(ℎ11 + 𝑅𝐸 (ℎ21 + 1)).

𝒗𝒆
D’où 𝒁𝒆 = = 𝑟𝐵 //(ℎ11 + 𝑅𝐸 (ℎ21 + 1)) ≅ 𝑟𝐵 //(𝑅𝐸 ℎ21 ).
𝒊𝒆
 Impédance d’entrée vue après la résistance de polarisation
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 𝑖𝐸 = ℎ11 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 (ℎ21 + 1)𝑖𝑏 .
𝒗
D’où 𝒁′𝒆 = 𝒊 𝒆 = ℎ11 + 𝑅𝐸 (ℎ21 + 1) ≅ 𝑅𝐸 ℎ21
𝒆

 Le gain en courant
𝑖
𝐴𝑖 = 𝑖𝐿
𝑒

𝑣
Or 𝑖𝐿 = −𝑖𝑠 = − ℎ21 𝑖𝑏 et 𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + 𝑟 𝑒
𝐵
De plus 𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 (ℎ21 + 1)𝑖𝑏 .
−ℎ21
D’où 𝐴𝑖 = ℎ +𝑅 (ℎ +1)
1+ 11 𝐸 21
𝑟𝐵

 Impédance de sortie
Elle dépend de l’endroit où on regarde la sortie et se calcule selon la technique suivante :
 Court-circuiter le générateur d’attaque et le remplacer par sa résistance interne si elle
existe
 Débrancher la charge si l’amplificateur est chargé

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  Attaquer le montage par les bornes où la charge était placée en utilisant un nouveau
générateur ayant à ses bornes une tension 𝑣𝑠 et débitant un courant 𝑖𝑠 .
𝑣
 Ainsi 𝑍𝑠 = 𝑖 𝑠
𝑠

Avec cette technique, on a les impédances de sortie suivantes :

 Impédance de sortie vue de la charge : 𝑍𝑠 = 𝑅𝐶
 Impédance de sortie vue de 𝑅𝐶 sans tenir compte de l’effet Early : 𝑍′𝑠 = ∞
 Impédance de sortie vue de 𝑅𝐶 en tenant compte de l’effet Early

 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie

La loi de maille appliquée à la maille d’entrée dans la Figure 25 b permet de déterminer

l’équétion de la droite de charge dynamique :

𝑣𝑐𝑒 = 𝑣𝐿 − 𝑅𝐸 𝑖𝑐 , 𝑜𝑟 𝑣𝐿 = −𝑟𝑐 𝑖𝑐

D’où 𝑣𝑐𝑒 = −(𝑟𝑐 + 𝑅𝐸 )𝑖𝑐 .

L’équation de la droite de charge dynamique s écrit alors :

𝒗𝒄𝒆
𝒊𝒄 = −
𝒓 𝒄 + 𝑹𝑬

Son tracé sur la caractéristique de sortie du transistor est donné dans la figure 27.

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 Figure 27: Dynamique de sortie de l’amplificateur EC sans découplage de 𝑅𝐸
Remarque :
La forle du signal de sortie dépend de la position du point de fo,ctionnement Q. Lorsque ce
dernier touche les limites bloquée ou saturée, du domaine linéaire du transistor, le signal de
sortie subit des déformations. On dit qu’il est distordu. Autrment dit des distorsions
apparaissent dans le signal amplifié. La figure 28 suivante en donne une illustration.

Figure 28 : Distorsions du signal amplifié dues à la position du point de fonctionnement

b) Montage amplificateur à transistor bipolaire en EC avec découplage de la résistance 𝑹𝑬

Dans le montage précédent, la résistance 𝑅𝐸 est nécessaire pour la stabilité du point de

fonctionnement statique. Mais elle contribue à diminuer considérablement le gain. Pour
résoudre ce problème, on shunte 𝑅𝐸 par un condensateur en parallèle. Le schéma de la figure
24 est celui à utiliser. Le circuit en régime dynamique est le suivant :

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Figure 29: Circuit en régime dynamique d’un montage amplificateur à transistor bipolaire avec
découplage de 𝑅𝐸

En remplaçant le transistor par son schéma équivalent, on établit le schéma équivalent en

dynamique du montage amplificateur à transistor bipolaire en EC sans découplage de 𝑅𝐸 . On
considère le transistor idéal. Le Schéma équivalent en régime dynamique du montage
amplificateur EC avec découplage de 𝑅𝐸 est donc le suivant :

(a)

(b)

Figure 30a: Schéma équivalent en régime dynamique du montage amplificateur EC avec

découplage de 𝑅𝐸

 En suivant un raisonnement similaire au précédent, montrer que les

caractéristiques de l’amplificateur

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 𝑣𝐿
 Le gain en tension sur charge : 𝐴𝑣𝐿 =
𝑣𝑒
𝑟𝑐 ℎ21
𝐴𝑣𝐿 = −
ℎ11
 Le gain en circuit ouvert : On remplace simplement 𝑟𝑐 𝑝𝑎𝑟 𝑅𝑐 .
Soit
𝑣𝐿 𝑅𝑐 ℎ21
𝐴𝑣0 = | =−
𝑣𝑒 𝑅 →∞ ℎ11
𝐿

 Le gain en courant
𝑖𝑠
𝐴𝑖 =
𝑖𝑒
Le gain en courant en charge:
𝑖𝑠 ℎ21 𝑅𝑐 𝑟𝐵
𝐴𝑖 = =
𝑖𝑒 (𝑅𝑐 + 𝑅𝐿 )(𝑟𝐵 + ℎ11 )
On définit le gain en courant en sortie court-circuitée
𝑖𝑠
𝐴𝑣0 = |
𝑖𝑒 𝑅 →0
𝐿
Soit :
𝑖𝑠 ℎ21 𝑟𝐵
𝐴𝑣0 = | =
𝑖𝑒 𝑅 (𝑟𝐵 + ℎ11 )
𝐿 →0

 Impédance d’entrée 𝒁𝒆 et impédance de sortie 𝒁𝒔 :

𝑣𝑒
𝑍𝑒 = = 𝑟𝐵 //ℎ11
𝑖𝑒
𝑣𝐿
𝑍𝑠 = = 𝑅𝐶
𝑖𝑠

Remarques :
 L’amplificateur émetteur commun a un faible gain. Pour résoudre ce problème, on met
plusieurs étages amplificateurs en cascade.
 On distingue aussi :
 Les montages amplificateurs à collecteur commun (CC) ou encore montage « émetteur
suiveur ». Ils ont pour intérêt:
• Faible impédance de sortie
• Impédance d’entrée élevée
 Les montages amplificateurs à base commune (BC).

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Chapitre 4 : Transistor à effet de champ (TEC)

1- Introduction
Le transistor bipolaire repose sur deux types de charges : les électrons libres et les trous.
D’où l’origine de bipolaire. Les transistors à effet de champ (TEC) sont des composants
unipolaires car leur fonctionnement ne dépend que d’un seul type de charge. Soit les électrons
libres, soit les trous. En d’autres termes, un TEC a des porteurs majoritaires, mais pas de
porteurs minoritaires.

Il existe deux sortes de transistors à effet de champ :

- Les transistors à effet de champ à jonction ou JFET (Junction Field Effect

Transistor) ;
- Les transistors à effet de champ à métal-oxyde-semi-conducteur ou MOSFET (Metal
Oxyde Semi-conductor Field Effect Transistor). Le MOSFET est réalisé par la
superposition de trois couches, métal, oxyde et semi-conducteur.
Ce type transistor sera dit "unipolaire", car un seul type de porteur de charge participe à la
conduction : les trous (canal P) ou les électrons (Canal N).

Contrairement au transistor bipolaire qui est commandé en courant, le TEC, bien qu’également
générateur de courant, est quant à lui commandé en tension, d’où son nom de Transistor à effet
de champ.

Ce type de transistor présente deux propriétés essentielles intéressantes :

- Un courant d’entrée quasi-nul (résistance d’entrée quasi infinie) ;

- Pour une tension continue de sortie nulle, le transistor peut être assimilé à une résistance
commandée par la tension d’entrée.
Le transistor à effet de champ se distingue du transistor bipolaire par les caractéristiques
suivantes :

 Son fonctionnement est basé sur les porteurs majoritaires comme indiqué plus haut;
 Sa fabrication est simple et occupe un espace très faible ;
 Possède une très forte impédance d’entrée ;
 Il est peu sensible au bruit.

2- Le JFET (Junction Field Effect Transistor)

Le JFET est constitué d’un canal de semi-conducteur de type N (ou P) autour duquel on réalise
un anneau de semi-conducteur de type N (ou P) fortement dopé. Les deux extrémités du canal
sont munies de contact ohmique, un autre contact est réalisé sur l’anneau fortement dopé.

2.1- Principe physique pour un canal N

Soit un cylindre de silicium dopé N sur lequel on ajoute un anneau de silicium dopé P.
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Figures 1 et 2

On raccorde les deux extrémités du cylindre à une source de tension, l'anneau extérieur n'est
pas alimenté. (Figure 3 ci-dessous)
Un courant d'électrons prend naissance et s'établit du bas vers le haut du cylindre, ce qui
correspond à un sens inverse du courant électrique.
Le barreau se comporte comme une résistance (résistivité du silicium dopé) et offre un canal au
passage des électrons.
Nous appellerons :
- la borne supérieure DRAIN (D) (électrode par laquelle les porteurs quittent dans le
canal) ;
- la borne inférieure SOURCE (S) (électrode par laquelle les porteurs entrent dans le
canal) ;
- la zone conductrice du silicium CANAL.
Appliquons maintenant une tension négative sur l'anneau de silicium P. (figure 4 ci-dessous)
La borne de raccordement de l'anneau s'appellera GRILLE (en anglais : GATE) (G).
La jonction Grille - Canal constitue une diode qui est polarisée en inverse par la tension Grille
- Source. Le courant de grille est nul (𝐼𝐷 ≈ 0; tout au plus une fuite de quelques nA).

Par contre la tension de grille négative repousse les électrons ce qui a pour effet de rétrécir le
canal, donc d'en augmenter la résistance et finalement diminuer le courant drain source.

Figure 3 Figure4
Si la tension négative devient plus importante, on va avoir le pincement total du canal et le
courant 𝐼𝐷 devient nul. C'est donc bien l'effet du champ électrique de la tension de grille qui va

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régler le courant de drain, donc la résistance du canal. Contrairement au transistor bipolaire, il
n'y a pas de puissance de commande.

Figure 5
2.2- Description et symbole

La vraie structure d’un FET est différente de celle utilisée pour le principe physique. Le JFET
à canal N est dopé avec des donneurs et la conduction est dominée par le flux de porteurs
majoritaires, soit des électrons. De la même manière, le canal P est dopé avec des accepteurs et
la conduction se fait par les trous.

(b)
(a)

Figure 6 : (a) structure d’un JFET à canal N ; (b) Symbole d’un N-JFET

(a) (b)

Figure 7 : (a) structure d’un JFET à canal P ; (b) Symbole d’un P-JFET

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Ce type de transistor s'appelle J FET (Junction FET) transistor à effet de champ à jonction car
il existe une jonction formant une diode entre la grille et le canal.

2.3- Fonctionnement d’un JFET

Considérons un N-JFET polarisé comme indiqué sur la figure suivante :

Figure 8 : Principe de fonctionnement d’un JFET

Pour avoir un fonctionnement en mode actif (amplificateur) du TEC, il faut polariser la jonction
GS en inverse : 𝑉𝐺𝑆 < 0 (pour un TEC canal N). La tension 𝑉𝐷𝑆 doit être > 0 pour que par le
canal transitent les électrons de la source vers le drain (=collecteur d’électrons) : 𝑉𝐷𝑆 > 0 (pour
un TEC canal N)

Pour un TEC canal N : Les électrons, qui sont les porteurs mobiles de charges, circulent dans
le canal dont la largeur est contrôlée par la tension 𝑉𝐺𝑆 < 0.

Si 𝑉𝐺𝑆 = 0, le canal est à sa largeur maximale (zone de transition max.) : 𝐼𝐷 est maximal
(transistor saturé)

Si 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑝 (< 0)), le canal est rétréci au maximum (zone de transition min.) : 𝐼𝐷 = 0 (transistor
bloqué) (𝑉𝑝 s’appelle la tension de pincement du canal). En effet, les deux zones de déplétion
se rejoignent et le canal est supprimé. Le TEC fonctionne en déplétion ou appauvrissement.
Dans ce cas, on peut considérer le TEC comme une résistance commandée en tension.

Attention : une tension 𝑉𝐺𝑆 > 0 est destructrice pour un JFET.

Un J FET canal P est alimenté avec une polarité négative sur le drain et positive sur la grille.

Remarque : Dans le cas d'un J FET canal N, une tension positive sur la grille crée un courant
grille - source non désiré et dangereux pour le transistor.

Cette situation ne doit pas se produire. De même il ne faut pas appliquer de tension négative
sur la grille d'un J FET canal P.

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2.4- Caractéristiques du JFET (exemple d’un JFET à canal N)

Comme le cas d’un transistor bipolaire, on peut avoir trois montages de base pour le TEC :
source commune, drain commun et grille commune. On considère le montage source commune
suivant :

Figure 9 : N-JFET monté en source commune

On peut ainsi tracer plusieurs caractéristiques suivantes :

𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷𝑆 )|𝑉𝐺𝑆 =𝐶𝑡𝑒

{
𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 )|𝑉𝐷𝑆 =𝐶𝑡𝑒

Figure 10 : Réseau de caractéristique d’un N-JFET monté en source commune

On distingue quatre régions :

Région (1) : 𝑉𝐷𝑆 est faible (<200mV), 𝐼𝐷 croit linéairement. Le canal se comporte alors comme
une résistance. On l’appelle encore zone ohmique.

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Région (2) : 𝑉𝐷𝑆 augmente, la polarisation inverse de la jonction augmente et le courant 𝐼𝐷
n’augmente plus d’une manière proportionnelle avec 𝑉𝐷𝑆 : c’est la zone du coude dû au début
du pincement du canal.

Région (3) : à partir de la tension de coude, le courant 𝐼𝐷 conserve une valeur constante, c’est
la région de pincement (ou linéaire). Le TEC se comporte comme une source de courant
commandée en tension.

Si 𝑉𝐺𝑆 ≠ 0, 𝑉𝐷𝑆 𝑐𝑜𝑢𝑑𝑒 = 𝑉𝑃 + 𝑉𝐺𝑆 . Or pour un N-JFET, on a 𝑉𝐺𝑆 < 0. Ce qui conduit à :

𝑉𝐷𝑆 𝑐𝑜𝑢𝑑𝑒 < 𝑉𝑃

Région (4) : zone d’avalanche, si 𝑉𝐷𝑆 dépasse 𝑉𝐷𝑆 𝑚𝑎𝑥 , on obtient le claquage de la jonction.
Le semi-conducteur est détruit par effet avalanche.

Remarque : On régime normale le TEC est utilisé dans la zone de pincement.

Le courant constant correspondant à 𝑉𝐺𝑆 = 0 est noté 𝐼𝐷𝑆𝑆 .

La caractéristique 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 )|𝑉𝐷𝑆 =𝐶𝑡𝑒 est quasiment une parabole. On le modélise par la
relation :

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃
La caractéristique 𝐼𝐺 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 ) indique que le TEC possède une résistance d’entrée très
élevée : 𝐼𝐺 = 0 quelque soit 𝑉𝐺𝑆 < 0.

La tension 𝑉𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓 est la tension de blocage (𝐼𝐷 = 0∀ 𝑉𝐷𝑆 ), 𝑉𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓 = −𝑉𝑃

Remarque : Les caractéristiques 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 )|𝑉𝐷𝑆 =𝐶𝑡𝑒 ressemblent beaucoup à celles du

transistor bipolaire. Il faut cependant noter que c'est la tension entre grille et source 𝑉𝐺𝑆 qui
détermine le courant 𝐼𝐷

On conclut qu’en régime de fonctionnement linéaire, le JFET est un amplificateur de courant

commandé en tension et régime de commutation (régime saturé ou bloqué) le JFET est un
interrupteur commandé en tension.

2.5- JFET en régime continu (ou statique) : Polarisation automatique du TEC

On considère le montage source commune de la figure 11 suivante :

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Figure 11 : Circuit de polarisation automatique d’un n-JFET

On parle de polarisation automatique car la résistance de grille 𝑅𝐺 n’a pas d’influence sur la
polarisation (du fait que 𝐼𝐺 ≈ 0). On prend néanmoins 𝑅𝐺 ≫ 1 pour avoir de bonnes
performances en dynamique : on polarise donc avec une résistance de Grille 𝑅𝐺 ≈ 1𝑀Ω). Le
point de fonctionnement peut se déterminer soit par la méthode graphique soit par la méthode
analytique.

Remarque : il existe aussi d’autres circuit de polarisation du TEC, notamment le circuit de

polarisation par pont diviseur de tension comme dans le cas des transistors bipolaires.

2.5.1- Méthode graphique

Il s’agit de déterminer les droites de transfert et de charge et de les construire dans le réseau de
caractéristique du TEC.

Maille d’entrée :

Comme 𝐼𝐺 ≈ 0, on a : 𝐼𝐷 ≈ 𝐼𝑆 ; soit 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝑆 = − 𝑅𝐺 𝐼𝐺 = 0.

Donc :

𝑉𝐺𝑆 = − 𝑅𝑆 𝐼𝑆 (∆)

C’est la droite d’attaque statique ou droite de transfert.

Maille de sortie :

La droite de charge statique s’obtient à partir de la maille de sortie :

𝐸 = (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆

D’où ;

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 𝐸 − 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝑠 = 𝐼𝐷 = (∆𝑠 )
𝑅𝑆 + 𝑅𝐷

C’est la droite de charge statique.

Le tracé de ces deux droites dans le réseau de caractéristique du TEC permet de déterminer le
point de fonctionnement ou point de repos. (𝑉𝐺𝑆0 , 𝐼𝑆0 , 𝐼𝐷0 , 𝑉𝐷𝑆0)

Figure 12 : Droites de transfert et de charge sur réseau de caractéristique d’un n-JFET

2.5.2- Méthode analytique

La loi de maille appliquée sur les mailles d’entrée et de sortie du circuit de polarisation
automatique du n-JFET (figure 11) donne le système d’équation suivant auquel s’ajoute la loi
qui régit la caractéristique d’entrée du JFET :

𝑉𝐺𝑆 = − 𝑅𝑆 𝐼𝑆
𝐸 = (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
{ 𝐷 𝑉𝑃

Au point de fonctionnement ce système d’équation s’écrit :

𝑉𝐺𝑆0 = − 𝑅𝑆 𝐼𝑆0
𝐸 = (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )𝐼𝐷0 + 𝑉𝐷𝑆0
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷0 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
{ 𝑉𝑃

Sa résolution permet de trouver les coordonnées du point de fonctionnement P

(𝑉𝐺𝑆0 , 𝐼𝑆0 = 𝐼𝐷0 , 𝑉𝐷𝑆0).

Remarque : Comme dans le cas des transistors bipolaires, la position du point de

fonctionnement du TEC détermine état. On distinguera aussi trois mode de fonctionnement :

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Le mode linéaire correspondant à la zone 3 du réseau de caractéristiques (Figure 10), le mode
saturé et le mode bloqué. Ces deux derniers modes correspondant au fonctionnement en
commutation du TEC.

2.6- Le JFET en commutation

L'utilisation du JFET en interrupteur est une de ses principales applications. Comme le

transistor bipolaire, on va l'utiliser en régime saturé ou bloqué.

• Lorsque 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉, le courant drain - source est à son maximum, le transistor J FET
est saturé, il est équivalent à un interrupteur fermé.

• Lorsque 𝑉𝐺𝑆 est suffisamment négatif pour pincer le canal (𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 (ou 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑃 ) ),
le transistor J FET est bloqué, il est équivalent à un interrupteur ouvert. En général,
on applique sur la grille une tension un peu plus négative que la tension 𝑉𝐺𝑆 donnant
𝐼𝐷 = 0, ceci pour garantir le blocage du J FET.

2.7- Modèle dynamique du TEC

2.7.1- Modèle dynamique du TEC en basses fréquences (BF)

Dans la zone linéaire ou zone de pincement, le TEC se comporte comme une source de courant
commandée par la tension 𝑉𝐺𝑆 . On définit la transconductance ou pente 𝑔𝑚 et La résistance
drain - source 𝑟𝑑𝑠 .

Par définition, la pente 𝑔𝑚 est :

∆𝐼𝐷
𝑔𝑚 = |
∆𝑉𝐺𝑆 𝑉
𝐷𝑆 =𝐶𝑡𝑒

Pour le JFET, la caractéristique 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 )|𝑉𝐷𝑆 =𝐶𝑡𝑒 est modélisée par la relation :

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃

𝑑𝐼𝐷 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆

En dérivant cette relation, on obtient : 𝑔𝑚 = =− (1 − )
𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑃 𝑉𝑃

2𝐼𝐷𝑆𝑆
Cette pente est maximale lorsque 𝑉𝐺𝑆 = 0, elle est alors égale à : 𝑔𝑚0 = − .
𝑉𝑃

D’où :

𝑉𝐺𝑆 √𝐼𝐷
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 (1 − ) = 𝑔𝑚0
𝑉𝑃 √𝐼𝐷𝑆𝑆

Par définition, la résistance drain - source 𝑟𝑑𝑠 est donnée par :

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 ∆𝑉𝐷𝑆
𝑟𝑑𝑠 = |
∆𝐼𝐷 𝑉𝐺𝑆 =𝐶𝑡𝑒

C’est l’inverse de la pente des caractéristiques 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷𝑆 )|𝑉𝐺𝑆 =𝐶𝑡𝑒 . C’est donc une résistance
dynamique, autrement dit la résistance du canal pincé à une composante alternative, 𝑖𝑑 , du
courant drain. Les caractéristiques dans la zone de pincement étant presque horizontales, la
résistance drain-source 𝑟𝑑𝑠 est élevée, de l’ordre d’une centaine de kilo-ohms. Elle diminue
lorsque 𝐼𝐷 ou 𝑉𝐺𝑆 croit. Pour des courbes horizontales, 𝑟𝑑𝑠 est infinie et la conductance drain-
source 𝑔𝑑𝑠 = 1/𝑟𝑑𝑠 est nulle.

 Schéma équivalent d’un TEC en basses fréquences

𝑣𝑔𝑠
Comme la résistance d’entrée ( 𝑟 = ) du TEC est >>>1 (𝑖𝑔 ≈ 0), on la prendra ∞ dans le
𝑖𝑔
schéma équivalent. Au regard du principe de fonctionnement et des caractéristiques du JFET,
son schéma équivalent en basses fréquences vu comme un quadripôle, est le suivant :

Figure 13 : Schéma équivalent d’un N-JFET en basses fréquences

Comme la résistance de sortie 𝑟𝑑𝑠 du TEC est encore plus élevée (on la prend infinie)
que celle du transistor bipolaire (1/ℎ22 ≫ 1) la schéma équivalent en dynamique du TEC, vu
comme un quadripôle devient :

Figure 14 : Schéma équivalent d’un N-JFET idéal en basses fréquences

C’est le schéma équivalent le plus utilisé dans l’étude en régime dynamique des amplificateurs
à TEC.

2.7.2- Modèle dynamique du TEC en hautes fréquences (HF)

Lorsque la fréquence augmente, il faut prendre en compte les capacités parasites. Toute jonction
PN polarisée en inverse constitue un condensateur. Pour le TEC, on considère deux
condensateurs parasites, l'un entre grille et source (𝐶𝑔𝑠 ), l'autre entre grille et drain (𝐶𝑔𝑑 ),.

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Le schéma équivalent en hautes fréquences du n-JFET, vu comme un quadripôle, est le suivant :

Figure 15 : Schéma équivalent d’un N-JFET en hautes fréquences

Remarque :
En hautes fréquences la résistance d’entrée n’est plus infinie. D’autre part, il existe une
réaction de la sortie sur l’entrée due à la présence de la capacité 𝐶𝑔𝑠 .

En resumé :
Le TEC est un amplificateur de courant (𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 )commandé en tension (𝑣𝑔𝑠 ), d’où son nom :
Effect de champ (électrique)→ tension (de commande). ( La commande ne se fait pas par le
courant de grille : 𝑖𝑔 ≈ 0). (alors que le transistor bipolaire est amplificateur de courant (β𝑖𝑏 )
commandé en courant (𝑖𝑏 )). Sa résistance d’entrée r est très élevée (on prendra ∞ ) (alors que
celle du transistor bipolaire est faible)
Le TEC est désormais moins fragile que par le passé aux charges électrostatiques (celles-ci ne
sont plus destructrices du fait de protection interne du TEC par diode zener).
Utilisation : En amplification, le TEC présente moins de bruit et de distorsion en
radiofréquences que le transistor bipolaire. Il est très pratique du fait de sa commande en
tension.

2.8- Amplificateur à JFET

Comme les transistors bipolaires, les TEC peuvent être utilisés pour amplifier les signaux
variables. On va ainsi distinguer les montages amplificateurs source commune, grille
commune et drain commun.

2.8.1- Montage amplificateur à TEC source commune

Le schéma de principe pour un montage amplificateur source commune est le suivant :

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Figure 16 : Schéma d’un montage amplificateur source commune
En régime faible signaux et basses fréquences, le schéma équivalent de cet amplificateur est le
suivant en remplaçant le TEC par son schéma équivalent (figure 14 ou 15) :

Figure 17 : Schéma équivalent en régime dynamique basses fréquences d’un montage

amplificateur source commune

2.8.2- Montage amplificateur à TEC drain commun

Le schéma de principe pour un montage amplificateur drain commun est le suivant :

Figure 18 : Schéma d’un montage amplificateur drain commun

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Figure 19 : Schéma équivalent en régime dynamique basses fréquences d’un montage
amplificateur drain commun

2.8.3- Montage amplificateur à TEC grille commune

Le schéma de principe pour un montage amplificateur grille commune est le suivant :

Figure 20 : Schéma d’un montage amplificateur grille commune

Figure 21 : Schéma équivalent en régime dynamique basses fréquences d’un montage

amplificateur grille commune
Les schémas équivalents des figures 17, 19 et 21 permettent de déterminer les caractéristiques
(gains en courant et en tension, impédances d’entrée et de sortie) des amplificateurs comme
dans le cas des transistors bipolaires.
TAF : Déterminer les caractéristiques (gains en courant et en tension, impédances d’entrée et
de sortie) des amplificateurs à JFET des figures 16, 18 et 20.

3- Le MOSFET (Metal oxyde semi-conductor FET) appelé souvent

MOS simplement)
Les MOSFET sont des transistors similaires au TEC à jonction, mais pour lesquels la grille est
totalement isolée du canal. Il s’agit des composants unipolaires de très faibles dimensions
(technologie submicronique). Ils présentent des très faible consommation d’énergie et sont de
fabrication simple. Les MOSFET sont des composants dominants en électronique numérique
intégrée (mémoire, µprocesseurs, circuit mixtes).

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3.1- Description et symbole

Il existe deux types de transistors MOSFET: l’un dit à appauvrissement, et l’autre dit à
enrichissement. Dans le MOSFET à appauvrissement, un canal entre le drain et la source existe
initialement, mais sa section diminue au cours du fonctionnement, d’où leur nom. Par conte
dans le MOSFET à enrichissement, ce canal, initialement absent, se crée au cours du
fonctionnement, d’où leur nom. La grille agit sur la conductivité du canal par effet capacitif, en
la réduisant en régime d’appauvrissement, ou en l’augmentant en régime d’enrichissement.
Pour chaque type de transistor, le canal peut être dopé n ou p. La figure 22 donne la structure
ainsi que les symboles des MOS canal n qui sont les plus utilisés.

(a) n-MOS à appauvrissement (b) n-MOS à enrichissement

Figure 22 : Structures et symboles des MOS canal n

Excepté pour quelques applications particulières (comme dans les amplificateur RF (Radio-
Fréquences) des circuits de communication à hautes fréquences), les MOSFET à
appauvrissement ne sont pas très utilisés. Les MOSFET à enrichissement sont très employés,
aussi bien dans les circuits discrets que dans les circuits intégrés. Leurs usages principaux
étaient dans la commutation de puissance, c’est-à-dire la commutation de forts courants (dans
les convertisseurs de puissance). Ils sont aussi utilisés aujourd’hui principalement pour la
commutation numérique (le processus fondamental dans les ordinateur modernes)

3.2- Caractéristiques du MOSFET

Les caractéristiques du MOSFET sont semblables à celles des JFET puisque les
fonctionnements sont analogues ; en particulier, le canal pouvant également se pincer, le
courant ID est alors quasiment indépendant de VDS . Seules les valeurs de VGS changent,
puisqu’elles peuvent prendre des valeurs positives.

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Chapitre 5 : Les amplificateurs opérationnels : Quelques
montages de base

1- Description et symbole de l’Ampli. Op.

L’amplificateur opérationnel est le composant actif le plus important dans les systèmes analogiques.
L’amplificateur opérationnel est un circuit intégré. Il est composé de différents éléments parmi
lesquels des transistors, des diodes ou des résistances. Il possède deux entrées, une sortie et deux
bornes nécessaires à son alimentation. On l’appelle encore amplificateur à circuits intégrés linéaire
ou amplificateur de différence intégré ou encore amplificateur linéaire intégré.
+
Vcc
E
-
- 
S
E
+
+

-
Vcc
(a) Le composant (b) Son symbole
Figure 1 : Photo de l’Ampli Op et son symbole

 +Vcc et –Vcc correspondent aux deux tensions d’alimentation de l’amplificateur

opérationnel, elles ne sont généralement pas représentées. Dans tout le cours qui suit, +Vcc
sera égale à + 15 V, et -Vcc sera égale à - 15 V. (Note : l’alimentation de l’ampli op est
symétrique afin de permettre d’obtenir des tensions de sortie positive et négative).
 E+ est l’entrée non inverseuse, une tension appliquée à cette borne donne une tension de sortie
de même signe, ou en phase si la tension est alternative.
 E- est l’entrée inverseuse, une tension appliquée à cette borne donne une tension de sortie de
signe contraire, ou en opposition de phase si la tension est alternative.
 S est la sortie, elle donne une tension proportionnelle à la différence de potentiel entre les
deux entrées.
 le symbole “ ” signifie que l’amplificateur opérationnel est idéal : “ ” rappelant le
symbole d’un amplificateur (multiplicateur par un nombre réel) et “ ∞ ” indiquant que son
𝑽𝒔 𝑽𝒔
amplification différentielle 𝑨𝒅 = = est infinie. ( est appelée la tension d'entrée
𝑽𝒅 ℇ
différentielle (parfois notée 𝑉𝑑 ))
 La tension d'offset d'entrée est la tension qui doit être appliquée entre les deux bornes d'entrée
d'un amplificateur opérationnel pour annuler ou amener la tension de sortie à zéro.
L'annulation de l'offset (offset nul) applique effectivement cette tension pour s'assurer que
l'offset est supprimé de la sortie.
 N.C est une borne non connectée.

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 Remarque :
L’ancien symbole de l’ampli Op est le suivant et est encore très utilisé.

Figure 1 : Ancien symbole de l’ampli op.

2- Propriétés de l’ampli op.

Les tensions autour de l’ampli op sont représentées sur son symbole comme suit :

Figure 2 : Tensions dans un ampli op.

𝑉 − est le potentiel sur la borne inverseuse,

𝑉 + est le potentiel sur la borne non inverseuse .

La différence de potentiel, 𝑉𝑑 entre 𝑉 + et 𝑉 − est de la forme : 𝑉𝑑 = 𝑉 + − 𝑉 − .

 L’amplification différentielle propre, dite en boucle ouverte, est très élevée, de l’ordre de 105.
La tension à la sortie donne une tension proportionnelle à la différence de potentiel entre les deux
entrées, cependant, en aucun cas elle ne peut être supérieure aux valeurs absolues des différentes
tensions d’alimentation du composant. Elle est donc comprise entre +𝑉𝐶𝐶 et -𝑉𝐶𝐶 .
 L’impédance d’entrée est très grande, les intensités des courants d’entrées 𝑖 + 𝑒𝑡 𝑖 − (appelés
courants de polarisation), sont très faibles, de l’ordre du pico ampère.
 L’impédance de sortie est très faible, l’intensité du courant de sortie ne peut dépasser quelques
dizaines de milliampères, il est donc conseillé de ne pas utiliser une charge trop faible en
sortie de l’amplificateur opérationnel.
La valeur de la tension à la sortie de l’amplificateur opérationnel dépend de la valeur de la
différence de potentiel entre 𝑉 + et 𝑉 − , soit 𝑉𝑑 .
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 𝑉𝑠
(V) + 𝑉𝑝

- 𝑉𝑝 𝑉𝑑 (V)

Figure 3 : Caractéristique de transfert d’un ampli op

Deux parties sont à étudier :

 Lorsque la tension à la sortie est égale soit à +𝑉𝑝 , soit à −𝑉𝑝 , l’amplificateur travaille en
régime non linéaire, ou, régime de saturation. La valeur absolue de la tension Vp est
légérement inférieure à la tension Vcc.
 Sur un intervalle très restreint, la tension de sortie est proportionnelle à la différence : 𝑉𝑑 =
𝑉 + − 𝑉 − . Cet intervalle correspond à un régime linéaire, un zoom sur cette partie permet de
visualiser ce fonctionnement.
𝑉𝑠 (V)
+ Vcc
0,3
mV

𝑉𝑑 (V)
- Vcc

Figure 4 : Zoom de la partie linéaire de la caractéristique de transfert d’un ampli op

C’est la caractéristique de transfert en tension 𝑉𝑠 = 𝑓 (𝑉𝑑 ) de l’amplificateur opérationnel

3- Modèle électrique équivalent de l’amplificateur opérationnel en

petits signaux

Figure 5a : Schéma équivalent de l’ampli op en petits signaux

Il comprend :

- la résistance d’entrée différentielle 𝑅𝑒𝑑 ≫ 3. 103 Ω

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- la résistance de sortie 𝑅𝑠 ≫ 10Ω

- la source de tension 𝐴𝑑 . 𝜀 où 𝐴𝑑 ̴ 100 000 est l’amplification différentielle et  est la tension

d'entrée différentielle.

On préfère souvent simplifier ce modèle électrique équivalent et faire l’étude d’un montage avec
celui représenté ci-contre :

Figure 5b: Schéma équivalent simplifié de l’ampli op en petits signaux

4- L’amplificateur opérationnel parfait ou idéal

 L’impédance d’entrée est très grande, nous dirons même que celle-ci est infinie pour simplifier
l’étude de ce composant. De ce fait, les intensités des courants d’entrées 𝑖 + 𝑒𝑡 𝑖 − sont considérées
comme nulles dans tous les cas et dans tous les montages proposés, ceci quel que soit le
fonctionnement de l’amplificateur opérationnel.
Dans tous les cas, pour un amplificateur idéal : 𝑖 + 𝑒𝑡 𝑖 − = 0𝐴

 Le gain différentiel est infini ; 𝐴𝑑 = ∞. Ce qui implique que la différence vd est nulle. Soit :
𝑉 = 𝑉−.
+

 L’impedance de sortie est nulle . La tension de sortie en charge est égale à la tension de sortie
à vide, c-à-d 𝑉𝑠 = 𝐴𝑑 . 𝑉𝑑 quel que soit la charge.
La caractéristique de sortie 𝑉𝑠 en fonction de la différence des deux tensions d’entrée sera idéalisée
comme suit :

𝑉𝑠 (V)
+ Vcc

- Vcc 𝑉𝑑 (V)

 La tension de sortie de l’amplificateur opérationnel ne peut prendre que deux valeurs avec un
fonctionnemnt en régime non linéaire, ces deux valeurs sont les tensions d’alimentation +𝑉𝐶𝐶 ou
−𝑉𝐶𝐶 , nous considérons ainsi que l’amplificateur ne subit aucune perte.
Dans tous les cas d’un fonctionnement non linéaire pour un amplificateur idéal :

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 Pour 𝑽𝒅 > 𝟎, 𝑽𝒔 = +𝑽𝑪𝑪 ;
Pour 𝑽𝒅 < 𝟎, 𝑽𝒔 = −𝑽𝑪𝑪
Remarque :
Pour un amplificateur opérationnel est réel, on ne fait plus l’approximation, en linéaire 𝑉 + = 𝑉 − ,
mais on revient à la relation de base 𝑉𝑠 = 𝐴𝑑 . 𝑉𝑑 = 𝐴𝑑 . (𝑉 + − 𝑉 − ).

5- Les montages de base à amplificateurs opérationnels en

fonctionnement linéaire
Il est possible de réduire l’amplification différentielle afin que le fonctionnement de l’amplificateur
opérationnel se situe dans la zone où la tension de sortie est comprise entre les deux tensions
d’alimentation, autrement dit que 𝑉𝑑 la différence entre les potentiels 𝑉 + et 𝑉 − , soit pratiquement
nulle.

Pour cela il convient de relier la sortie avec l’entrée inverseuse, cette liaison est parfois nommée
contre réaction négative ou boucle de réaction négative, on réinjecte une partie de la tension de sortie
sur l’entrée inverseuse.

Dans ce type de fonctionnement la tension 𝑉𝑑 = 𝑉 + − 𝑉 − est appelée .

v- i-
- 
s

i+
+
v+

Figure 6: Ampli op en fonctionnement linéaire

Dans tous les cas d’un fonctionnement linéaire :  = 𝑽+ − 𝑽− = 𝟎𝑽, soit 𝑽+ − 𝑽− . Et l'AOP
fonctionne en régime linéaire.

Remarque : On reconnaît un montage linéaire lorsqu’un composant est branché entre la sortie et
l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel; cela produit une contre-réaction assurant la
stabilité du montage.

5.1- Montage suiveur ou adaptateur d’impédance

Soit le montage suivant :

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 - 
A
+

ve vs

Figure 7: Montage suiveur à ampli op.

Les oscillogrammes des tensions sont représentés ci-dessous :

Figure 8: Oscillogrammes des tensions dans un montage suiveur à ampli op.

La tension appliquée sur l’entrée non inverseuse est 𝑉𝑒.

Il y a une liaison entre 𝐸 − , l’entrée inverseuse et S la sortie, le fonctionnement est donc linéaire.

Le fonctionnement étant linéaire  = 0𝑉, 𝑉𝐴 , le potentiel en A est égal à 𝑉𝑒.

Il n’y a aucun élément entre A et la sortie donc 𝑉𝑠 = 𝑉𝐴 − 𝑉𝑒.

𝑉𝑆
𝑉𝑠 = 𝑉𝑒 , soit 𝐴𝑉 = = 1; Impédance d'entrée très grande ; Impédance de sortie très faible
𝑉𝑒
Avec ce montage, le signal d’entrée est intégralement restitué à la sortie, cependant il présente une
résistance d’entrée pratiquement infinie. Il est utilisé comme adaptateur d’impédance.

Applications : l’ohmmètre numérique, relevé de la tension délivrée par un capteur, …

5.2- Montage amplificateur non-inverseur

Le montage et les oscillogrammes sont les suivantes :

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 u2

R2
u1

R - 
1 A
i +

ve v
s

Figure 9: Montage amplificateur non-inverseur à ampli op.

Les oscillogrammes des tensions sont représentés ci-dessous :

Figure 10: Oscillogrammes des tensions dans un Montage suiveur à ampli op.

Le signal à amplifier est appliqué sur l'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel.

Une fraction du signal de sortie est ramenée sur l'entrée inverseuse par un diviseur de tension à deux
résistances. Ce signal est donc en opposition de phase avec le signal d'entrée. Il y a contre-réaction.

La tension appliquée sur l’entrée non inverseuse est 𝑉𝑒.

 Etude N° 1 :
0 vs
+
R1 R 2 R1
Appliquons le théorème de Millman au point A : 𝑽𝑨 = = v
1 1 R1 + R 2 S
+
R1 R 2

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  Etude N° 2 :
L’intensité du courant i, dans R1, est la même dans R2, car le courant 𝑖 − est nul.

La tension aux bornes de la résistance R1 peut s’exprimer comme suit :

vA
𝑢1 = 𝑉𝑚𝑎𝑠𝑠𝑒 − 𝑉𝐴 = 𝑅1 . 𝑖 donc : 𝑖 = - (1)
R1

La tension aux bornes de la résistance R2 peut s’exprimer comme suit :

vA - vS
𝑢2 = 𝑉𝐴 − 𝑉𝑠 = 𝑅2 . 𝑖 donc : i = (2)
R2

R1
En égalisant les équations (1) et (2) : 𝑉𝐴 = vS
R1 + R 2

Il y a une liaison entre 𝐸 − , l’entrée inverseuse et S la sortie, le fonctionnement est linéaire,  = 0𝑉,
donc 𝑉𝐴 , le potentiel en A est égal à 𝑉𝑒.

L’amplification en tension est donc de la forme :

𝑽𝑺 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐
𝑨𝑽 = =
𝑽𝒆 𝑹𝟏

5.3- Montage amplificateur inverseur

Le montage et les oscillogrammes sont les suivantes :

u2

i R2
u1

R1 - 
A
+
ve vs

Figure 11: Montage amplificateur inverseur à ampli op

Le signal à amplifier est appliqué sur l'entrée inverseuse de l'amplificateur opérationnel.

Le signal de sortie est en opposition de phase avec le signal d'entrée.

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On ramène une fraction du signal de sortie sur l'entrée inverseuse. La contre-réaction est établie.

L’entrée non inverseuse est reliée à la masse donc le potentiel de V+ est égal à 0 V.

En utilisant les théorèmes généraux des circuits électriques, montrer que le gain en tension de ce
montage est :

𝑽𝑺 𝑹𝟐
𝑨𝑽 = =−
𝑽𝒆 𝑹𝟏

5.4- Montage amplificateur de différence

Soit le montage suivant :

i 2

R2
u1

A
R1 - 
B
R1 +

R2
v1 v2 vs

Figure 12: Montage amplificateur de différence à ampli op

En utilisant les théorèmes généraux des circuits électriques, montrer que la tension 𝑉𝐴 vaut :

R 2 v1  R1 v S
𝑉𝐴 =
R1  R 2

Il y a une liaison entre 𝐸 − , l’entrée inverseuse et S la sortie, le fonctionnement est linéaire,  = 0𝑉

donc : 𝑉𝐴 = 𝑉𝐵

R2
Egalisons les équations (1) et (2) : v S = (v 2 - v 1 )
R1

5.5- Montage sommateur inverseur

Soit le montage suivant :

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 u1 u
i1 i
R1 R
u2
i2
R2 A
- 
i3
R3

u3
+
v1 v2 v3 vs

Figure 13: Montage amplificateur sommateur inverseur à ampli op

Si plusieurs signaux se trouvent simultanément sur l'entrée inverseuse, on en retrouve la somme à la

sortie mais inversée.

L’entrée non inverseuse est reliée à la masse donc le potentiel de V+ est égal à 0 V.

En utilisant les théorèmes généraux des circuits électriques, montrer que la tension 𝑉𝑠 vaut :

v1 v2 v3
vs = - R ( + + )
R1 R2 R3

Si toutes les résistances ont la même valeur : v s = - (v1 + v2 + v3 )

5.6- Montage dérivateur

Soit le montage suivant :

u
i
uC R

C
- 
A
+
ve vs

Figure 14: Montage dérivateur à ampli op

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L’entrée non inverseuse est reliée à la masse donc le potentiel de V+ est égal à 0 V.

Il y a une liaison entre 𝐸 − , l’entrée inverseuse et S la sortie, le fonctionnement est linéaire,  = 0𝑉

donc 𝑉𝐴 , le potentiel en A est égal à 0 V.

𝑉𝐴 = 0 𝑉, la tension 𝑢𝑐 est donc égale à 𝑉𝑒 :

𝑢𝑐 = 𝑉𝑒 (1)

q
La tension uc est également égale à : . La charge q peut se mettre sous la forme :
C

𝑞 = 𝐶. 𝑉𝑒 (2)

𝑉𝐴 = 0 𝑉, la tension 𝑢 est donc égale à −𝑉𝑆. Soit 𝑉𝑆 = −𝑅. 𝑖

dq
Sachant que : 𝑖 = (3)
dt

dv e
Les deux équations (2) et (3) montrent que : 𝑉𝑆 = - RC.
dt

5.7- Montage intégrateur

Soit le montage suivant :

uC

i C

R - 
A
+
ve vs

Figure 15: Montage dérivateur à ampli op

L’entrée non inverseuse est reliée à la masse donc le potentiel de V+ est égal à 0 V.

Il y a une liaison entre 𝐸 − -, l’entrée inverseuse et S la sortie, le fonctionnement est linéaire,  = 0𝑉

donc vA, le potentiel en A est égal à 0.

𝑉𝐴 = 0 𝑉, la tension 𝑉𝑒 est donc égale à : R.i (1)

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𝑉𝐴 = 0 𝑉, la tension 𝑢𝐶 est donc égale à : -𝑉𝑆 .

q
La tension 𝑢𝐶 est également égale à : .
C

Sachant que : q =  idt .

1
vs peut donc se mettre sous la forme : vs = -
C  idt (2)

Les deux équations (1) et (2) montrent que :

1
𝑉𝑆 = − ∫ 𝑉𝑒 𝑑𝑡
𝑅𝐶

6- Les montages de base à amplificateurs opérationnels en

fonctionnement non linéaire ou en saturation
Les montages précédents sont qualifiés de "linéaires" car l'amplificateur fonctionne avec la condition
V+ ≅ V-, ou  = 𝑉𝑑 ≅ 0, soit dans sa plage de fonctionnement linéaire.

Nous allons voir maintenant plusieurs montages (et il en existe bien d'autres) dans lesquels cette
condition n'est plus vérifiée.

Pour ce faire, on va forcer artificiellement les deux entrées à des valeurs différentes, ce qui impliquera
en sortie deux seules valeurs : +Vsat et -Vsat (respectivement les tensions de saturation positive et
négative) parce que l’amplification différentielle infinie (très grande pour les amplificateurs
opérationnels réels).

Vu que l'ampli ne peut prendre que deux valeurs de tension en sortie, ces montages sont appelés
montages en commutation, et peuvent être interfacés avec des circuits logiques, qui ne connaissent,
eux aussi, que deux états.

- 
vd
+
v1 v2 vs

Figure 16: Fonctionnement Non-linéaire de l’ampli op

Pour un fonctionnement en comparateur :

Si 𝑽𝟏 < 𝑽𝟐 alors 𝑽𝒅 > 𝟎, donc 𝑽𝒔 = +𝑽𝑪𝑪 ;

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 Si 𝑽𝟏 > 𝑽𝟐 alors 𝑽𝒅 < 𝟎, donc 𝑽𝒔 = −𝑽𝑪𝑪

Le mode de fonctionnement NON-LINEAIRE se caractérise par l'absence d'éléments électroniques

entre la sortie et l'entrée inverseuse V-.

Ce montage est utile pour comparer entre elles deux tensions, ou une tension inconnue à une tension
de référence.

6.1 Comparateur sans seuil

Figure 17: Comparateur sans seuil

𝑉− = 0 𝑉

Quand 𝑉𝑒 = 𝑉 + < 𝑉 − alors 𝜀 < 0. Donc 𝑉𝑠 = −𝑉𝑐𝑐

Quand 𝑉𝑒 = 𝑉 + > 𝑉 − alors 𝜀 > 0. Donc 𝑉𝑠 = +𝑉𝑐𝑐

Figure 18: Chronogramme tensions dans un comparateur sans seuil

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6.2 Comparateur à un seuil

Figure 19: Comparateur à un seuil

Le pont diviseur de tension sur la résistance 𝑅1 donne :

𝑅1
𝑉+ = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑐𝑐

Quand 𝑉𝑒 = 𝑉 − < 𝑉 + alors 𝜀 > 0. Donc 𝑉𝑠 = +𝑉𝑐𝑐 = +𝑉𝑠𝑎𝑡

Quand 𝑉𝑒 = 𝑉 − > 𝑉 + alors 𝜀 < 0. Donc 𝑉𝑠 = −𝑉𝑐𝑐 = −𝑉𝑠𝑎𝑡

D'où les chronogrammes obtenus avec un signal triangulaire 𝑉 + et une tension continue 𝑉 − .

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Figure 20: Chronogramme tensions dans un comparateur à un seuil

6.3 Comparateur à deux seuils (à hystérésis ou trigger)

Si le signal est entaché de bruit, il se produira plusieurs basculements au moment de l'égalité des
tensions d'entrée du comparateur.

Figure 21: Multiples basculement dans un comparateur à un seuil

Pour remédier à ce problème, on réalise un comparateur à deux seuils.

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Figure 22: Comparateur à deux seuils

(Bornes + et – inversées par rapport au montage amplificateur non inverseur)

𝑅2 𝑅2
𝑉 + = 𝑢𝑅2 = 𝑢𝑠 = × ±𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2

 Si 𝑢𝑠 = +𝑉𝑠𝑎𝑡,, l’amplificateur opérationnel reste en saturation positive tant que 𝑢𝑒 +

𝜀 − 𝑉 + = 0 (loi des mailles), c'est-à-dire tant que

𝑅2
𝑢𝑒 = −𝜀 + 𝑉 + < 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑠𝑎𝑡

(car 𝜀 > 0en saturation positive)

 De même, si 𝑢𝑠 = −𝑉𝑠𝑎𝑡,, l’amplificateur opérationnel reste en saturation négative tant

que 𝑢𝑒 + 𝜀 − 𝑉 + = 0 (loi des mailles), c'est-à-dire tant que

𝑅2
𝑢𝑒 = −𝜀 + 𝑉 + > − 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑠𝑎𝑡

On pose :

𝑅2
𝑢1 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑠𝑎𝑡

Le graphe de 𝑢𝑠 en fonction de 𝑢𝑒 est le suivant :

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Figure 23: Chronogramme tensions dans un comparateur à deux seuils

On remarque que 𝑢𝑠 peut avoir deux valeurs différentes à certains endroits pour une valeur de
𝑢𝑒 . La valeur de 𝑢𝑠 dépend alors dans cette zone du dernier changement d’état de saturation de
l’amplificateur opérationnel.

 Application du comparateur à hystérésis de préférence au comparateur simple :

Dans le cas où on a affaire à un signal peu clair, on observe qu’un seul changement d’état au lieu
de plusieurs dans le cas d’un comparateur simple

Figure 24 : Choix entre comparateurs à hystérésis et simple

6.4 Autres utilisations des Amplificateurs opérationnels.

Les montages à bases d'amplificateurs opérationnels, sont utilisés dans de nombreux autres cas :
 les conversions de signaux (courant-tension, tension-courant, numérique analogique, etc..),
 le filtrage (passe bas, passe haut, passe bande, etc...),
 les opérations arithmétiques (valeur absolue, intégration, dérivation, etc...),
 le redressement (avec seuil ou sans seuil),
 la mémorisation de signaux analogiques,

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  la génération de signaux périodiques.

L'amplificateur opérationnel est un composant privilégié :

 Son faible coût est à comparer à celui d'un transistor courant.

 Sa mise en œuvre est aisée.
 La compréhension de son rôle dans un circuit est généralement simple; la lecture des schémas
électriques l'incluant peut être facile.
 Il permet une réalisation élégante de nombreux opérateurs.
 Ses domaines d'utilisation sont multiples

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PARTIE II : BASES DE L’ELECTROTECHNIQUE
Introduction
L'électrotechnique est l'étude des applications techniques de l'électricité, notamment la
production, le transport, le traitement, la transformation et l'utilisation de l'énergie électrique.

Traditionnellement on associe l'électrotechnique aux "courants forts" par opposition aux "courants
faibles" qui seraient du domaine exclusif de l'électronique.
Cependant si on rencontre bien en électrotechnique:
- de très fortes puissances, de plusieurs mégawatts ( MW ) à quelques milliers de MW,
principalement lors de la production et du transport de l'énergie électrique ( une tranche de
centrale nucléaire a une puissance de 1300 MW ) ;
- on rencontre aussi de faibles puissances, de l'ordre du kW ou du W, pour le chauffage,
l'électroménager, etc. ;
- il y a aussi des très faibles puissances, de quelques µ W pour les micro moteurs de montres à
quartz, à quelques nW dans la motorisation de certaines techniques d'exploration médicale ;
L'électrotechnique dite classique traite essentiellement des machines usuelles et des réseaux en
régime permanent. L'électrotechnique approfondie généralise et complète la précédente en
s’interessant aux phénomènes transitoires.

Dans ce cours, nous donnerons les instruments d'étude analytique des machines électriques et
montrerons comment on les utilise pour analyser le fonctionnement de ces machines électriques en
régime transitoire ou dynamique. La connaissance du comportement des machines électriques en
régime variable est en réalité très importante pour deux raisons:

- L'augmentation des puissances unitaires ou puissances actives et des puissances massiques (le
ratio d'une puissance (en W) par une masse (en kg); elle traduit la capacité d'un dispositif d'une
masse donnée à développer une puissance) nécessite une connaissance précise des contraintes
électriques et mécaniques maximales; celles-ci se rencontrent lors des régimes transitoires.
- L'augmentation croissante des processus industrielles notamment leur contrôle et
automatisation, nécessite la connaissance du comportement des machines en régime dynamique.
En effet, l'électrotechnique est liée étroitement à l'électronique (de puissance) et à l'automatique
auxquelles elle a fréquemment recours, en particulier pour la commande des moteurs.

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CHAPITRE 1: SYSTEME ELECTRIQUES MONOPHASES ET
TRIPHASES, PUISSANCES ELECTRIQUES
1.1Le régime monophasé.
1.1.1 Rappels sur les grandeurs variables périodiques
 Définition

Une grandeur analogique (tension ou intensité) périodique est constituée par : une suite de motifs
identiques.

Figure 1.1: Exemple de signal alternative périodique

 Période

La période T est la durée correspondant à ce motif; elle s’exprime en seconde (s).

 Fréquence

La fréquence du signal est le nombre de périodes par secondes. Elle s’exprime en fonction
de la période par la relation suivante : f = 1/T s’exprime en en Hertz (Hz).

 Valeur instantanée

La valeur instantanée d’une grandeur variable est la valeur qu’elle prend à tout instant ; on la
note par une minuscule : u(t) ou u.

 Valeur moyenne

On dispose d'une intensité périodique i(t) de période T. Pendant une période T, le courant périodique
i transporte la quantité d'électricité Q (cette quantité d'électricité représente l'aire A entre la courbe
et l'axe des abscisses). La même quantité d'électricité peut être transportée par un courant d'intensité
constante <i> ou i avec < 𝒊 > = 𝑨/𝑻

Figure 1.2 : Valeur moyenne d’une grandeur périodique

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  Mesure

Pour mesurer la valeur moyenne d’une tension ou de l’intensité d’un courant on utilise des
appareils à aiguille magnétoélectriques en position DC, ou des appareils numériques en position
DC.

 Signal alternatif

Un signal est dit alternatif si sa valeur moyenne est nulle.

 Valeur efficace

On appelle intensité efficace, notée I, du courant variable i, l’intensité du courant continu qui
dissiperait la même énergie dans la même résistance pendant la même durée. On peut montrer
que :
I est la valeur efficace en ampères (A)
𝑰 = √𝒊𝟐 (𝒕) avec :
𝒊 est la valeur instantanée en ampères (A).
 Mesure

Pour mesurer la valeur efficace d’une tension ou de l’intensité d’un courant on utilise des appareils à
aiguille ferromagnétiques, ou des appareils numériques RMS (ou TRMS) en position AC.

1.1.2 Rappels sur la description des grandeurs sinusoïdales.

 Définitions

Une grandeur alternative sinusoïdale est une grandeur périodique dont la valeur instantanée est une
fonction sinusoïdale du temps.

Figure 1.3: Signal alternative sinusoïdal

L’expression temporelle de la tension est :

𝒖(𝒕) = 𝑼𝒎𝒂𝒙 𝒔𝒊𝒏 (𝝎𝒕 + 𝝋𝒖) 𝒐𝒖 𝒖(𝒕) = 𝑼√𝟐 𝒔𝒊𝒏 (𝝎𝒕 + 𝝋𝒖)

Avec :

𝒖(𝒕) est la valeur instantanée de la tension.

𝑼𝒎𝒂𝒙 est la valeur maximale ou amplitude de u.
𝑼 est la valeur efficace de u.
𝝎 est la pulsation ou vitesse angulaire en rad/s
𝝎𝒕 + 𝝋𝒖 est la phase à l'instant t exprimée en radian.

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𝝋𝒖 est la phase à l'origine (t=0).
 Amplitude

Par définition, le sinus varie entre –1 et 1 ; donc u varie entre −𝑼𝒎𝒂𝒙 et +𝑼𝒎𝒂𝒙.
L’amplitude d’une grandeur sinusoïdale est sa valeur maximale.
 Pulsation
𝝎 en radian par seconde : rad/s (car 𝜽 = 𝝎𝒕 est en radian)
on montre que 𝜔𝑇 = 2 𝜋 où 𝑻 est la période du signal (en s) or 𝑻 = 𝟏/𝒇 donc 𝝎 = 𝟐𝝅/𝑻 = 𝟐𝝅𝒇
et 𝒇 fréquence du signal (en Hz).
 Phase à l’origine

A chaque instant t correspond un angle (car 𝜔𝑡 en rad), on l’appelle phase θ.

𝝋𝒖 est la phase de u(t) quand t= 0 s
 Valeur moyenne

La valeur moyenne d’une grandeur sinusoïdale est nulle puisqu’elle est alternative.
 Valeur efficace

On démontre que la valeur efficace 𝑼 peut s’exprimer en fonction de l’amplitude 𝑈𝑚𝑎𝑥 ∶ : 𝑼 = 𝑼𝒎𝒂𝒙/√𝟐
La valeur efficace est celle indiquée par les voltmètres et les ampèremètres. En électrotechnique on
donne toujours la valeur efficace des tensions et des courants. Ainsi quand on parle du réseau électrique
domestique à 220 V il s'agit bel et bien de la valeur efficace de la tension.

Attention au type d'appareil de mesure utilisé.

Les voltmètres et ampèremètres ferromagnétiques et électrodynamiques indiquent la valeur efficace
quelque soit la forme du signal mesuré (sinusoïdal ou non) ; tandis que les appareils magnétoélectriques
ne donnent une valeur efficace exacte que pour des grandeurs sinusoïdales.
 Représentation de Fresnel

On peut faire correspondre à toute fonction sinusoïdale un vecteur de Fresnel partant de l'origine du
repère, de module l'amplitude de la fonction et faisant un angle égale à sa phase instantanée avec l'axe
( Ox ) pris comme origine des phases, grâce à sa projection sur l'axe ( Ox ).

Exemple : pour une tension

𝒖(𝒕) = 𝑼 √𝟐 𝒔𝒊𝒏 (𝝎𝒕 + 𝝋)

On associe donc à cette tension un vecteur tournant à 𝝎 et on le représente à l’instant t= 0 s.

Figure 1.4 : Représentation de Fresnel

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On retrouve bien u en projection sur ( Ox )
 on a :
 norme du vecteur ↔ valeur efficace
 angle entre vecteur et l’axe OX ↔ phase à l’origine φ
Par convention on représentera les vecteurs de Fresnel à t = 0 et avec comme module la valeur efficace
de la grandeur considérée.
Par exemple, pour une tension 𝑢 = 𝑈√2. 𝑐𝑜𝑠( 𝜔𝑡 ) et un courant 𝑖 = 𝐼 √2. 𝑐𝑜𝑠( 𝜔𝑡 + 𝝋 ).
On dessine :

𝝋 est le déphasage entre les deux vecteurs ( on prendra souvent les tensions comme référence pour les
déphasages ).
Attention: dans un même diagramme de Fresnel on ne peut représenter que des grandeurs ayant la
même pulsation.
 Exemple
Représenter par leur vecteur de Fresnel ces deux tensions :
𝑢1(𝑡) = 2√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 + 𝜋/4); 𝑢2(𝑡) = 3√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 𝜋/6)

 Représentation par un nombre complexe

On caractérise également les grandeurs sinusoïdales par les composantes de leurs vecteurs représentatifs
dans le plan complexe.
Le vecteur de Fresnel est un outil intéressant mais il conduit à des diagrammes vectoriels et donc à une
résolution graphique (des problèmes). On utilise donc un autre outil pour étudier un circuit en régime
sinusoidal.
 On caractérise également les grandeurs sinusoïdales 𝑢(𝑡) par les composantes de leurs
vecteurs représentatifs dans le plan complexe, 𝑈.
 A une grandeur sinusoïdale u(t), on associe une grandeur complexe U
 On a :
- module U de U ↔ valeur efficace U de 𝒖(𝒕)
- argument 𝝋 de U ↔ phase à l’origine 𝝋 de 𝒖(𝒕)

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 𝑢 = 𝑈√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔 𝑡 + 𝜑) ↔ 𝑈 = (𝑈 ; 𝜑) = 𝑈. 𝑐𝑜𝑠 𝜑 + 𝑗𝑈. 𝑠𝑖𝑛 𝜑
 Déphasage
Lorsqu’on observe à l’oscilloscope deux tensions sur un même circuit, on constate qu’elles sont
décalées: on dit qu’il existe une différence de phase ou déphasage.
Considérons deux tensions de même fréquence:
𝑢1 = 𝑈1 √2 sin(𝜔 𝑡 + 𝜑 1)
𝑢2 = 𝑈2 √2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔 𝑡 + 𝜑 2)

On peut les représenter par leurs vecteurs de Fresnel

𝜑 = 𝜑 1 − 𝜑 2 déphasage de 𝑢2 par rapport à 𝑢1

Avance ou retard :

On a un courant et une tension de pulsation ω :

 𝑢(𝑡) = 𝑈√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔 𝑡 + 𝜑𝑢)
 𝑖(𝑡) = 𝐼 √2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔 𝑡 + 𝜑𝑖)
donc, le déphasage de 𝑢 par rapport à 𝑖 est l’angle (𝐼 , ⃗⃗⃗𝑈) ∶ 𝜑 = 𝜑𝑢 − 𝜑𝑖
si 𝜑𝑢 > 𝜑𝑖 𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 𝜑 > 0 𝑒𝑡 𝑢 𝑒𝑠𝑡 𝑒𝑛 𝑎𝑣𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑠𝑢𝑟 𝑖

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si 𝜑𝑢 < 𝜑𝑖 𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 𝜑 < 0 𝑒𝑡 𝑢 𝑒𝑠𝑡 𝑒𝑛 𝑟𝑒𝑡𝑎𝑟𝑑 𝑠𝑢𝑟 𝑖

Cas particuliers :

 Dipôles élémentaires passifs linéaires

Un dipôle élémentaire peut être une résistance, une bobine parfaite ou un condensateur.

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  Modèle équivalent d’un dipôle passif linéaire.
 Modèle série :
Groupement série R, L : (bobine réelle)

 Modèle parallèle:

1.1.3 Puissances électriques en alternatif monophasé : Théorème de Boucherot – Facteur de

puissance
a) Puissance
La puissance électrique instantanée est le produit de la tension par le courant.

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 𝑢 (𝑡) = 𝑈√2 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 𝑒𝑡 𝑖(𝑡) = 𝐼√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 𝜑).
𝑝 (𝑡) = (𝑈√2 sin 𝜔𝑡) × (𝐼√2 sin(𝜔𝑡 − 𝜑)) = 2𝑈𝐼𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡. 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 𝜑)
= 𝑈𝐼𝑐𝑜𝑠𝜑 − 𝑈𝐼𝑐𝑜𝑠(2𝜔𝑡 + 𝜑)
On constate que la puissance instantanée est la somme :
 d’un terme constant " 𝑈𝐼𝑐𝑜𝑠𝜑 "
 et d’un terme variant périodiquement " 𝑈𝐼𝑐𝑜𝑠(2𝜔𝑡 + 𝜑 ".
 Puissance active

La puissance active est la moyenne de la puissance instantanée. La valeur moyenne du terme

périodique est nulle (c’est une fonction périodique alternative). Il reste donc le terme constant.

𝑷 = 𝑼. 𝑰. 𝒄𝒐𝒔 𝝋 unité : le watt (W).

 Puissance réactive

𝑸 = 𝑼. 𝑰. 𝒔𝒊𝒏 𝝋 unité : le voltampère réactif (VAR).

 Puissance apparente

La puissance apparente ne tient pas compte du déphasage entre u(t) et i(t).

𝑺 = 𝑼. 𝑰unité : le voltampère (VA).

b) Puissances consommées par les dipôles passifs élémentaires

c) Théorème de Boucherot
« Les puissances active et réactive absorbées par un groupement de dipôles sont
respectivement égales à la somme des puissances actives et réactives absorbées par chaque
élément du groupement. »
𝑃𝑡 = ∑ 𝑃𝑖 𝑒𝑡 𝑄𝑡 = ∑ 𝑄𝑖

(On présente les résultats dans un tableau et on calcul𝐼𝑡 et cos 𝜑𝑡 .)

𝑄𝑡 𝑃𝑡
𝑡𝑔𝜑𝑡 = ⟹ 𝑜𝑛 𝑑𝑒𝑑𝑢𝑖𝑡 𝑐𝑜𝑠𝜑𝑡 𝑒𝑡 𝐼𝑡 =
𝑃𝑡 𝑈𝑐𝑜𝑠𝜑𝑡
𝑆𝑡 𝑃𝑡
𝑂𝑢 𝑆𝑡 = √𝑄𝑡2 + 𝑃𝑡2 ⟹ 𝐼𝑡 = 𝑒𝑡 𝑐𝑜𝑠𝜑𝑡 =
𝑈 𝑆𝑡
Remarque : Ce théorème ne s'applique pas aux puissances apparentes, que l'on ne peut cumuler
(la puissance apparente est une somme complexe, de composantes pas nécessairement en
phase).

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 d) Relèvement du facteur de puissance
Pour diminuer le courant en ligne, on ajoute un condensateur en parallèle sur le récepteur.

On en déduit la capacité du condensateur de la manière suivante :

𝑄𝐶 = −𝐶𝜔𝑈 2 = 𝑄 ′ − 𝑄 ⟹ −𝐶𝜔𝑈 2 = 𝑃. 𝑡𝑔𝜑 ′ − 𝑃. 𝑡𝑔𝜑
Finalement :
𝑃. (𝑡𝑔𝜑 − 𝑡𝑔𝜑 ′ )
𝐶=
𝜔𝑈 2
1.2Le régime triphasé.
Les réseaux triphasés sont très répandus dans le monde industriel en raison de leurs nombreuses
propriétés favorables à la production, au transport et à l'utilisation des grandeurs électriques.

1.2.1 Réseau triphasé équilibré

a) Définition
Un système triphasé est un réseau à trois grandeurs (tensions ou courants) sinusoïdales de même
fréquence et déphasées, les unes par rapport aux autres, d’un angle de 2π/3.
Le système est équilibré si les grandeurs sinusoïdales sont de même valeur efficace. Il est direct si
les phases sont ordonnées dans le sens trigonométrique et inverse dans l'autre cas.

Figure : Réseau triphasé équilibré

b) Tensions délivrées
 Représentation temporelle des tensions

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Figure : Représentations des tensions simples et composées dans un réseau triphasé

 Les tensions simples

Ce sont les d.d.p entre les divers conducteurs de phase et de point neutre (réel ou fictif) : 𝑣1, 𝑣2, 𝑣3.
 𝑣1(𝑡) = 𝑉√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡)
 𝑣2(𝑡) = 𝑉√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 2𝜋/3)
 𝑣3(𝑡) = 𝑉√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 4𝜋/3)
𝑉 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟 é𝑓𝑓𝑖𝑐𝑎𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛

 Les tensions composées

Ce sont les d.d.p entre les conducteurs des phases consécutives : 𝑢12, 𝑢23, 𝑢31
𝜋
 𝑢12(𝑡) = 𝑉√3 √2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 + 6 ) = 𝑈√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 + 𝜋/6)
 𝑢23(𝑡) = 𝑉√3√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 𝜋/2) = 𝑈√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 𝜋/2)
 𝑢31(𝑡) = 𝑉√3√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 7𝜋/6) = 𝑈√2 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − 7𝜋/6)
𝐴𝑣𝑒𝑐 𝑈 = 𝑉√3
Par exemple : 𝑢12(𝑡) = 𝑣1(𝑡) − 𝑣2(𝑡)
 Ecriture en complexe :
Les tensions simples :
𝑣1 = [𝑉, 𝑂°]; 𝑣2 = [𝑉, −12𝑂°] 𝑒𝑡 𝑣1 = [𝑉, −24𝑂°]
𝑉 𝑉
𝑣1 (𝑉0); ⃗⃗⃗⃗
Ou encore : ⃗⃗⃗⃗ 𝑣2 (−2𝜋) ; 𝑣3 (−4𝜋)
⃗⃗⃗⃗
3 3

Les tensions composées :

𝑢12 = 𝑣1 − 𝑣2 = [𝑉√3, +3𝑂°];

𝑢23 = 𝑣2 − 𝑣3 = [𝑉√3, −9𝑂°]

𝑒𝑡 𝑢31 = 𝑣3 − 𝑣1 = [𝑉√3, +15𝑂°]

𝑈 𝑈 𝑈
𝑜𝑢 𝑒𝑛𝑐𝑜𝑟𝑒: ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢12 ( 𝜋 ) ; ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢23 ( 3𝜋) ; 𝑢31 ( 7𝜋) ;
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
6 − 6 − 6

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  Representation vectorielle de Fresnel des tensions
A partir des expressions définies précédemment, il est possible de représenter les différentes tensions.
La représentation vectorielle de Fresnel des tensions :

Remarque : On voit ainsi apparaître un nouveau système de tensions triphasées : 𝑢12, 𝑢23, 𝑢31.

La relation qui existe entre l'amplitude V et U se calcule facilement à partir du triangle des tensions:
2. 𝑉. 𝑐𝑜𝑠 (𝜋/6) = 𝑈 c'est à dire 𝑼 = 𝑽√𝟑
Ainsi, un système triphasé à basse tension sur le réseau est intitulé : 230V/400V, 230Vreprésentant
la tension simple efficace et 400V la tension composée efficace.

c) Récepteurs triphasés équilibrés

c1- Définitions
Un récepteur triphasé est un récepteur constitué de trois
éléments, d’impédance Z.

Le récepteur est dit équilibré si les trois éléments sont

identiques.

Les courants i du réseau sont appelés courants en ligne

alors les courants j qui traversent les dipôles sont appelés
courants par phase.

La manière de branchement du récepteur triphasé au réseau électrique triphasé s’appelle couplage. On

distingue essentiellement deux types de couplage : couplage étoile et couplage triangle.

c2- Couplage étoile

Le montage est le suivant:

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 Ou

Comme il s’agit des mêmes impédances, de ce fait 𝒊𝟏 + 𝒊𝟐 + 𝒊𝟑 = 𝟎, donc 𝒊𝑵 = 𝟎.

Le courant dans le fil neutre est nul. Le fil neutre n’est donc pas nécessaire.
Pour un système triphasé équilibré, le fil neutre ne sert à rien.

 Relation entre les courants

En régime équilibré le courant dans le neutre est nul et les impédances des dipôles étant identiques,
l’application de la loi des nœuds donne 𝑖1 +𝑖2 + 𝑖3 = 0.
Le couplage étoile engendre une égalité entre les courants en ligne et les courants par phase,
𝑖1 = 𝑗1
𝐼 = 𝐼2 = 𝐼3 = 𝐼
{𝑖2 = 𝑗2 ⇒ {1 ⇒ 𝐼=𝐽
𝐽1 = 𝐽2 = 𝐽3 = 𝐽
𝑖3 = 𝑗3

 Puissances

La puissance absorbée par chaque dipôle (phase) est,

P𝑖 (i=1,2,3) = V. I. cos 𝜑
(𝜑 est le déphasage entre la tension et le courant de la même ligne)
Pour déterminer la puissance globale absorbée par le récepteur on applique le théorème de Boucherot,
on trouve ;
P = 3𝑃1 = 3V. I. cos 𝜑 = √3𝑈. 𝐼. 𝑐𝑜𝑠𝜑 (𝑜𝑛 𝑎 𝑉 = 𝑈/√3)
De même, la puissance réactive s’écrit,
Q = 3𝑄1 = 3V. I. sin 𝜑 = √3𝑈. 𝐼. 𝑠𝑖𝑛𝜑
On distingue, la puissance apparente et le facteur de puissance :
P
S = √3𝑈. 𝐼 , k = S = cos 𝜑

 Pertes Joules (puissance dissipée)

L'effet Joule est un effet thermique qui se produit lors du passage du courant électrique dans un
conducteur. Il se manifeste par une augmentation de l'énergie interne du conducteur et généralement de
sa température.
Soient P𝑟 la puissance de la résistance 𝑟, 𝑈𝑟 sa tension a ces bornes et 𝐼 l’intensité du courant qui la
traverse.
P𝑟 = 𝑈𝑟 . 𝐼
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Or, comme tout conducteur ohmique, elle vérifie la loi d’ohm. Donc
U𝑟 = 𝑟. 𝐼 ⇒ 𝑃𝑟 = (𝑟. 𝐼). 𝐼 = 𝑟. 𝐼 2
Pour déterminer les pertes Joule globales qui intéresse la partie résistive du récepteur :

 Pour une phase de récepteur

1
Pertes(phase) = 𝑃𝐽1 = 𝑟. 𝐼 2 = 𝑅𝐼 2
2
 Pour le récepteur complet :
3 2
Pertes(compet) = 𝑃𝐽 = 3. 𝑃𝐽1 = 3. 𝑟. 𝐼 2 = 𝑅𝐼
2
Avec 𝑅 = 2𝑟, la résistance vue entre deux bornes

c3- Couplage triangle :

Le montage est le suivant :

Ou

Comme il s’agit des mêmes impédances, 𝑖1 + 𝑖2 + 𝑖3 = 0 et 𝑗1 + 𝑗2 + 𝑗3 = 0. Ici en aucun cas

le fil neutre n’est nécessaire.

 Relation entre les courants

L’application de la loi des nœuds sur un couplage triangle engendre les relations suivantes entre les
courants en ligne et les courants par phase,
𝑖1 = 𝑗12 − 𝑗31
{ 𝑖2 = 𝑗23 − 𝑗12
𝑖3 = 𝑗31 − 𝑗23
Et puisque le réseau et le récepteur étant équilibrés ;
𝐼 = 𝐼2 = 𝐼3 = 𝐼
{ 1
𝐽12 = 𝐽23 = 𝐽31 = 𝐽
Pour un couplage triangle : 𝐼 = √3. 𝐽

 Puissances
La puissance absorbée par chaque dipôle (phase) est,
P𝑖 (i=1,2,3) = U. J. cos 𝜑
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(𝜑 est le déphasage entre la tension et le courant de la même phase)
Pour déterminer la puissance globale absorbée par le récepteur on applique le théorème de Boucherot,
on trouve ;
P = 3𝑃1 = 3U. J. cos 𝜑 = √3𝑈. 𝐼. 𝑐𝑜𝑠𝜑 (𝑜𝑛 𝑎 𝐽 = 𝐼/√3)
De même, la puissance réactive s’écrit,
Q = 3𝑄1 = 3U. J. sin 𝜑 = √3𝑈. 𝐼. 𝑠𝑖𝑛𝜑
On distingue, la puissance apparente et le facteur de puissance,
P
S = √3𝑈. 𝐼 , k = S = cos 𝜑

 Pertes Joules (puissance dissipée)

On s’intéresse à la partie résistive du récepteur,

Les pertes globale dans le récepteur s’écrit;

Pertes(phase) = 𝑃𝐽1 = 𝑟. 𝐽2
Pertes(compet) = 𝑃𝐽 = 3. 𝑃𝐽1 = 3. 𝑟. 𝐽2
La résistance vue entre deux bornes est,
2. 𝑟. 𝑟 2
𝑅= = .𝑟
2. 𝑟 + 𝑟 3
On a
𝐽 = 𝐼/√3
On obtient,
3
𝑃𝐽 = 𝑅𝐼 2
2
Remarques :
Quel que soit le couplage, les puissances s’expriment de la même façon en fonction :
- de la tension composée U
- du courant en ligne I
Ces deux grandeurs sont les seules qui soient toujours mesurables quel que soit le couplage, même
inconnu, du récepteur utilisé.

1.2.2 Récepteur triphasé déséquilibré

Un récepteur est non équilibré s’il est constitué de trois impédances différentes Z1, Z2 et Z3, couplées en
étoile ou en triangle.

a) Couplage étoile avec neutre

On détermine la somme des trois courants en ligne, c'est à dire le courant dans le neutre, dans la charge
étoile déséquilibrée :

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Cette somme n'est plus nécessairement nulle : Un courant circule dans le conducteur de neutre.

b) Couplage triangle
On détermine les courants I1, I2 et I3 à partir des courants J1, J2 et J3 calculés par :

La relation 𝑰 = √𝟑𝑱 n’est plus valable car le système est déséquilibré.

c) Puissance dans une charge triphasée déséquilibrée
Donc d’après ce théorème, la puissance active absorbée par le récepteur est la somme des puissances
véhiculées par chaque phase : 𝑃 = 𝑃1 + 𝑃2 + 𝑃3
En cas de charge déséquilibrée, tensions et courants sont déphasées de 𝜑1 , 𝜑2 𝑜𝑢 𝜑3 suivant les
phases.
La puissance active est :𝑃 = 𝑉1 𝐼1 𝑐𝑜𝑠 𝜑1 + 𝑉2 𝐼2 𝑐𝑜𝑠 𝜑2 + 𝑉3 𝐼3 𝑐𝑜𝑠 𝜑3

Et la puissance réactive s'écrit alors : 𝑄 = 𝑉1 𝐼1 𝑠𝑖𝑛 𝜑1 + 𝑉2 𝐼2 𝑠𝑖𝑛 𝜑2 + 𝑉3 𝐼3 𝑠𝑖𝑛 𝜑3

1.2.3 Relèvement du facteur de puissance

Pourquoi améliorer le facteur de puissance?

Une trop grande consommation d'énergie réactive (facteur de puissance faible) pour une installation
électrique va augmenter considérablement ses courants en ligne bien que sa puissance active n'est pas
changée. Pour limiter les courants en ligne et donc les pertes par effet joule, on doit donc installer des
batteries de condensateurs sources d'énergie réactive en parallèle sur notre installation. On appelle cette
technique "Compensation de l'énergie réactive ". Cette compensation permet d'améliorer le facteur de
puissance (cos φ).

a) Calcul de la capacité des condensateurs de compensation

a1) Couplage des condensateurs en triangle
La Tension aux bornes d’un condensateur est U
La Puissance réactive absorbée par un condensateur est:
𝑄𝐶1 = − 𝐶𝜔𝑈 2
(Signe – signifie que le condensateur fournit de la
puissance réactive)
La puissance réactive absorbée par les trois
condensateurs : 𝑄𝐶 = 3𝑄𝐶1 = −3𝐶𝜔𝑈 2

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  Détermination de la capacité :

On en déduit la capacité du condensateur de la manière suivante:

La relation (1) donne :

𝑄𝐶 = −3𝐶𝜔𝑈 2 = 𝑄’ − 𝑄 𝑆𝑜𝑖𝑡: − 3𝐶𝜔𝑈 2 = 𝑃. 𝑡𝑔 𝜑′ − 𝑃. 𝑡𝑔 𝜑

Finalement:

𝑃. (𝑡𝑔𝜑 − 𝑡𝑔 𝜑′)
𝐶 = 𝐶∆ =
3𝜔𝑈 2
a1) Couplage des condensateurs en étoile

En utilisant le même raisonnement que précédemment, on montre que la capacité du condensateur est
donnée par la relation :

𝑃. (𝑡𝑔𝜑 − 𝑡𝑔 𝜑′) 𝑃. (𝑡𝑔𝜑 − 𝑡𝑔 𝜑′)

𝐶𝑌 = = = 3𝐶∆
3𝜔𝑉 2 𝜔𝑈 2

Remarque:

Le couplage en étoile est donc moins intéressant puisque la capacité des condensateurs nécessaires est
trois fois plus grande que pour le couplage en triangle. Plus la capacité est grande, plus le condensateur
est volumineux et onéreux.

1.2.4 Mesure de la puissance active consommée par une charge triphasée

En électrotechnique les mesures de puissance (en monophasé ou triphasé) sont effectuées au moyen de
wattmètres, dont le symbole est donné ci-après :

Figure: Symbole du wattmètre

Cet appareil permet de mesurer la puissance active correspondant au courant i traversant son circuit
courant et à la tension v aux bornes de son circuit tension.
Le wattmètre possède au moins quatre bornes : deux bornes pour mesurer la tension et deux bornes pour
mesurer le courant. Il y a donc deux branchements à réaliser : un branchement en parallèle (comme un

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voltmètre) pour mesurer la tension, et un branchement en série (comme un ampèremètre) pour mesurer
le courant. Le wattmètre tient compte du déphasage.
En régime sinusoïdal équilibré, la puissance active consommée par la charge peut être mesurée avec
trois wattmètres montés comme le présente la figure suivante :

Figure : Câblage des wattmètres dans la méthode des trois wattmètres

On a :
𝑊1 = 〈𝑣1 . 𝑖1 〉
𝑊2 = 〈𝑣2 . 𝑖2 〉
𝑊3 = 〈𝑣3 . 𝑖3 〉
D’où la puissance globale :
𝑊1 + 𝑊2 + 𝑊3 = 〈𝑣1 . 𝑖1 〉 + 〈𝑣2 . 𝑖2 〉 + 〈𝑣3 . 𝑖3 〉 = P
La puissance active est donnée par la somme des trois puissances actives mesurées par les wattmètres.
Résumé (système triphasé)

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1.3 Puissance en régime périodique non sinusoïdale
1.3.1 Décomposition en série de Fourrier
a) Théorème
Un signal s(t) de période T (fréquence f) peut être décomposé sous certaines conditions en une somme
comprenant :

 Un terme constant,
 Un terme sinusoïdal de fréquence f (appelé fondamental ou premier harmonique),
 Une suite limitée ou non, de terme sinusoïdaux de fréquence multiple entier de f (appelés les harmoniques)
∞

s(t) = 𝑆0 + ∑(𝐴𝑘 𝑐𝑜𝑠𝑘𝜔𝑡 + 𝐵𝑘 𝑠𝑖𝑛𝑘𝜔𝑡)

𝑘=1
(Composante continue) (composante alternative)

Ou bien s(t) = 𝑆0 + ∑∞
𝑘=1 𝑆𝑘 √2 𝑠𝑖𝑛(𝑘𝜔𝑡 + 𝜑𝑘 )

Avec : 𝜔 = 2𝜋𝑓 est la pulsation du fondamentale, k désigne le rang de l’harmonique, Sk sa valeur efficace et 𝜑𝑘
est son déphasage lu à l’échelle de sa pulsation kw.
𝑡0 +𝑇 𝑡0 +𝑇 𝑡0 +𝑇
1 2 2 𝐴2 + 𝐵𝑘2
𝑆0 = ∫ 𝑠(𝑡)𝑑𝑡 , 𝐴𝑘 = ∫ 𝑠(𝑡)𝑐𝑜𝑠𝑘𝜔𝑡 𝑑𝑡 , 𝐵𝑘 = ∫ 𝑠(𝑡)𝑠𝑖𝑛𝑘𝜔𝑡 𝑑𝑡 , 𝑆𝑘 = √ 𝑘
𝑇 𝑇 𝑇 2
𝑡0 𝑡0 𝑡0

𝐴𝑘
𝜑𝑘 = 𝐴𝑟𝑐𝑡𝑎𝑛
𝐵𝑘

b) Simplification due à certaines symétries

Si on prend pour origine des temps l’axe de symétrie. 𝑠(𝑡) = 𝑠(−𝑡) c.à.d 𝑠(−𝑡) est une fonction paire alors le
𝑇
4
calcul se réduit à : expression de 𝑆0 et 𝐴𝑘 = 𝑇 ∫02 𝑠(𝑡)𝑐𝑜𝑠𝑘𝜔𝑡 𝑑𝑡 (le calcul de A est sur la moitié de la période)
car 𝐵𝑘 = 0 ( pas de terme en sinus)

Si 𝑠(𝑡) = −𝑠(−𝑡), c.à.d 𝑠(𝑡) est une fonction impaire alors le calcul se réduit à : 𝑆0 = 0, 𝐴𝑘 = 0 (pas de terme
𝑇
4
en cosinus) et on calcule B sur la moitié de la période 𝐵𝑘 = 𝑇 ∫02 𝑠(𝑡)𝑠𝑖𝑛𝑘𝜔𝑡 𝑑𝑡

c) Spectre d’un signal

Il s’agit d’un diagramme pour lequel on porte en abscisse le rang k des harmoniques et en ordonnée la valeur
efficace Sk. on trace un segment vertical correspondant à chaque harmonique

Figure : Représentation spectrale

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1.3.2 Expression des puissances
Lorsque la tension est périodique de période T , le courant est en général lui aussi périodique et de même période .
On peut alors écrire
∞

v(t) = 𝑉0 + ∑ 𝑉𝑘 √2 𝑠𝑖𝑛(𝑘𝜔𝑡 + 𝜃𝑘 )
𝑘=1
∞

i(t) = 𝐼0 + ∑ 𝐼𝑘 √2 𝑠𝑖𝑛(𝑘𝜔𝑡 + 𝜗𝑘 )
𝑘=1

a) Puissance active
En posant 𝜑𝑘 = 𝜃𝑘 − 𝜗𝑘 on montre que puissance moyenne est
∞

P = 𝑉0 𝐼0 + ∑ 𝑉𝑘 𝐼𝑘 𝑐𝑜𝑠 𝜑𝑘
𝑘=1

La puissance active n’est transportée que par le fondamental du courant.

Ces charges non linéaires sont responsables de la pollution harmonique du réseau alternatif de distribution, qui
engendre une distorsion de la tension d’alimentation et une surcharge des câbles et des équipements.

b) Puissance réactive
Lorsque les valeurs moyennes 𝑉0 𝑒𝑡 𝐼0 de la tension et du courant sont nulle ce qui est généralement le cas des
machines à courant alternatif alimentées par des convertisseurs statiques (onduleur), le calcul de la puissance
réactive Q aboutit à :
∞

𝑄 = ∑ 𝑉𝑘 𝐼𝑘 𝑠𝑖𝑛 𝜑𝑘
𝑘=1

c) Puissance apparente
C’est par définition le produit des valeurs efficaces du courant et de la tension. En utilisant la relation de Parseval

𝑆 = 𝑉𝐼 = √∑∞ 2 ∞ 2
𝑘=0 𝑉𝑘 ∑𝑝=0 𝐼𝑝

Le facteur de puissance est toujours le même

d) Puissance déformante
Pour illustrer cette notion on reprend le cas des charges non linéaires. La tension u (t) est sinusoïdale, le courant
est périodique alternatif, on le développe en série de Fourier
∞

𝑣(𝑡) = 𝑉√2 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑒𝑡 𝑖(𝑡) = ∑ 𝐼𝑘 𝑠𝑖𝑛(𝑘𝜔𝑡 −𝜑𝑘 )

𝑘=1

Les puissances actives et réactives sont mises en jeu par les harmoniques de même rang. Ici uniquement le
fondamental du courant et la tension

𝑄 = 𝑉𝐼1 𝑠𝑖𝑛𝜑1 𝑃 = 𝑉𝐼1 𝐶𝑜𝑠𝜑1 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑃2 + 𝑄 2 = (𝑉𝐼1 )2

𝑆 2 = (𝑉𝐼)2 = 𝑉 2 . ( 𝐼12 + 𝐼22 + 𝐼32 + ⋯ + 𝐼𝑃2 + ⋯ ) = V 2 𝐼12 + V 2 𝐼22 + V 2 𝐼32 + ⋯ + V 2 𝐼𝑃2 + ⋯

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Si on remplace V 2 𝐼12 par la relation 𝑃2 + 𝑄 2 , on aura alors 𝑆 2 = 𝑃2 + 𝑄 2 + V 2 𝐼22 + V 2 𝐼32 + ⋯ + V 2 𝐼𝑃2 + ⋯

Si on compare à la relation obtenue en régime sinusoïdal il apparait que 𝑆 2 > 𝑃2 + 𝑄 2

On introduit la quantité D telle que 𝑆 2 = 𝑃2 + 𝑄 2 + 𝐷 2

D = √V 2 𝐼22 + V 2 𝐼32 + ⋯ + V 2 𝐼𝑃2 + ⋯

D est la puissance déformante du dipôle. Son nom rappelle qu’elle est liée à une présence d’harmonique qui
déforme le signal. Elle disparait en régime purement sinusoïdal.

Le facteur de puissance s’exprime par :

𝑃 𝑃
𝑓𝑝 = =
𝑆 √𝑃 + 𝑄 2 + 𝐷 2
2

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CHAPITRE 2: GENERALITES SUR LES CIRCUITS COUPLES
MAGNETIQUEMENT OU CIRCUITS MAGNETIQUES
2.1 Matériaux magnétiques
⃗ , devient un aimant
Un corps linéaire et isotrope, placé dans un champ d’excitation magnétique 𝐻
⃗ . Avec 𝜒 la susceptibilité magnétique.
d’aimantation 𝐽, tel 𝐽 = 𝜒𝐻

On obtient ainsi un champ magnétique grâce à des aimants permanents ou bien des circuits électriques
parcourus par des courants appelés électroaimants
On distingue trois types de matériaux magnétiques:

- Les paramagnétiques (rares); l’Oxygène (O), le Platine (Pt); 𝜒 = 𝑐𝑠𝑡𝑒 > 0; 𝜒 très petite
10−3 à 10−7 , tel 𝐽 𝑒𝑡 𝐻
⃗ sont de même sens. Très faible aimantation temporaire.
- Les diamagnétiques (près que tout les corps); 𝜒 = 𝑐𝑠𝑡𝑒 < 0; 𝜒 très petite 10−4 à 10−6 , tel 𝐽 𝑒𝑡 𝐻
⃗
sont de sens opposés. Aimantation très faible et temporaire.
- Les ferromagnétiques sont constitués d'éléments métalliques tels que le fer (surtout), le nickel et
le cobalt qui leur permettent de prendre une forte aimantation. 𝐽 très élevée, non proportionnelle
à𝐻⃗ , avec saturation. 𝜒 est variable. 𝜒(𝐻) > 0 grande 104 à 106 . 𝐽 𝑒𝑡 𝐻 ⃗ sont de même sens.
Aimantation forte et persistence.
Lorsqu’un matériau ferromagnétique est place dans un champ d’excitation magnétique 𝐻 ⃗ , le matériau
acquiert une aimantation induite qui persite après le retrait du champ extérieur. Ce champ dit rémanant
peut être détruit par un champ opposé (champ coercitif), mais aussi par des chocs ou des courts-circuits.

Dans un champ d’excitation alternative, on obtient un cycle d’hystérésis après excitation et désexcitation
dans les deux sens (Figure 1.1). Les chocs et vibrations rétrécicent le cycle d’hystérésis. Ces phénomènes
sont à l’origine du vieillissement des tôles des machines électriques soumises en permanence à des
échauffements suivis de refroidissements.

Figure 1.1: Cycle d’hystérésis d’un matériau ferromagnétique

On classe les matériaux ferromagnétiques en:

 Les matériaux (magnétiquement) doux qui se caractérisent par :

- une induction ou aimantation à saturation élevée ;

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 - un champ coercitif faible;
- une facilité de magnétisation et de démagnétisation;
- des pertes faibles;
- des utisisations en alternative.
 Les matériaux (magnétiquement) durs qui se caractérisent par;
- une aimantation à saturation relativement faible;
- un champ coercitif important;
- un champ rémanent important;
- une bonne tenue à l’aimantation;
- pas de cycles;
- Des pertes importantes
Note: Les matériaux magnétiques doux sont principalement utilisés dans les transformateurs et les
électroaimants. Les matériaux magnétiques durs sont très utilisés dans les accouplements magnétiques,
les suspensions, les micromoteurs pour le spatial, les alternateurs à aimants permanents pour
l’automobile, les actionneurs pour la robotique, …

 Les pertes par hystérésis dans un matériau ferromagnétique doux

Les matériaux magnétiques utilisés dans les machines électriques principalement les transformateurs
sont feuilletés. Chaque feuille de tôles est constituée de fer avec adjunction d’un petit pourcentage de
silicium. Ces tôles soumises à des champs d’excitations magnétiques alternatifs ont des pertes par
hystérésis données par la formule de Steinmetz,
1,6
𝑊𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑘𝑔 = 𝜂𝑓𝐵𝑚𝑎𝑥

Où 𝑓 est la fréquence du champ alternative, 𝜂 = 5. 10−2 à 1,6. 10−2 selon la proportion croissante de
silicium.

 Les pertes par courants de Foucault dans un matériau ferromagnétique doux

Les matériaux ferromagnétiques doux soumis à des champs variables, même d’amplitude constant, ont
des pertes par courants de Foucault données par:

𝑊𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑘𝑔 = 𝛾𝑒 2 𝑓 2 𝐵𝑚𝑎𝑥
2

𝛾 = 17. 10−4 à 3,5. 10−4 selon la proportion croissante de silicium.

Les courants induits dans la masse du matériau obligent à feuilleter tous les organes. L’épaisseur 𝑒 des
tôles a une influence énorme sur les pertes. On réduit donc 𝑒 au minimum compatible avec la résistance
mécanique des tôles. Le feuilletage est réalisé dans le plan de déplacement du champ d’excitation. Pour
une machine donnée, 𝑒 est fixée ainsi que la nature des tôles.

2.2 Les circuits magnétiques

a) Définition
Un circuit magnétique est le volume où se referment toutes les lignes d’un champ magnétique. Dans
tous les domaines où on aura à utiliser des phénomènes magnétiques (par exemple: machines, appareils
de mesure), on sera amené à canaliser les lignes de champ magnétique dans un circuit bon conducteur
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du flux magnétique. Ce circuit sera constitué principalement par des matériaux ferromagnétiques et en
particulier par du fer.

Figure 1.2: Exemple de circuit magnétique d’un transformateur

On obtient un champ magnétique grace á des aimants permanents ou bien des circuits
électriques parcourus par des courants

b) Champs magnétique et induction magnétique

Lorsqu’un champ magnétique 𝐻 ⃗ (ou champ d’exitation magnétique) circule dans un matériau
⃗ , dont la variation suit
ferromagnétique, il se crée dans le matériau, un champ d’induction magnétique 𝐵
la relation :
⃗ = 𝜇. 𝐻
𝐵 ⃗
avec B: induction magnétique en Tesla (T), H : Champ magnétique en (A/m) et 𝜇: la perméabilité
magnétique du matériau.
On definit la perméabilité relative 𝜇𝑟 comme suit:
𝜇
𝜇𝑟 =
𝜇0
−7
Avec 𝜇0 = 4𝜋10 H/m est la perméabilité du vide.
Le tableau suivant donne les perméabilités magnétiques de quelques materiaux
Tableau 1.1. Perméabilités de quelques materiaux magnétiques
Matériau Fer Acier Acier au cobalt
Perméabilité (H/m) 10 000 40 000 à 50 000 3 500

c) Force magnétomotrice (f.m.m.)

La force magnétomotrice est la cause qui engendre le flux magnétique .elle vaut:
𝑓. 𝑚. 𝑚. = 𝑁. 𝐼
Avec N : le nombre de spires; 𝐼: le courant traversant les spires

d) Flux magnétique (ou "flux d'induction")

Considérons un circuit (C) placé dans un champ d’induction magnétique 𝐵 ⃗ et une surface
⃗ à travers la surface (S)
quelconque (S) qui s'appuie sur lui (Figure 1.3). Le flux magnétique du champ 𝐵
est exprimé par la relation:
⃗ . ⃗⃗⃗⃗
∅ = ∬𝑆 𝐵 𝑑𝑆

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 Figure 1.3: Définition du flux magnétique

Si le circuit est plan (uniforme), le flux magnétique devient:

⃗ . 𝑆 = 𝐵𝑆. cos(𝜃) = 𝐵𝑛 𝑆
∅=𝐵

⃗ sur le vecteur axial de la surface de circuit (C), 𝜃est l’angle

𝐵𝑛 est la composante normale de 𝐵
entre la normale à la surface 𝑆 et la direction des lignes de champ.
⃗ ∕ ∕ 𝑆, alors ∅ = 𝐵𝑆 (𝑒𝑛 𝑊𝑒𝑏𝑒𝑟 (𝑊𝑏))
Dans le cas où 𝐵

e) Tension induite dans un circuit électrique

La variation du flux dans un circuit électrique engendre une tension appelée "Force électromotrice
induite" (f.e.m.).

- La loi de Faraday

Pour les circuits filiformes bobinés et comportant N spires, la f.e.m est donnée par la loi de Faraday. Elle
énonce que “ le force électromotrice induite dans un circuit fermé baigné par un champ magnétique est
directement proportionnelle à la variation dans le temps du flux du champ magnétique pénétrant dans le
circuit.” Elle s'exprime par la relation suivante:

𝑑∅
𝑒=𝑁
𝑑𝑡

Dans le cas où l'effet du flux s'oppose à la cause qui lui a donné naissance, on met un signe (-) dans la
formule de la f.e.m.: c’est la loi de Lenz. Elle énonce que le sens du courant induit est tel qu’il s’oppose
par ses effets magnétiques à la cause qui a produit le courant.

𝑑∅
𝑒 = −𝑁
𝑑𝑡

Figure 1.4: Loi de Faraday

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 - Loi de Faraday dans un conducteur électrique mobile

⃗ dans un champ d’induction

Considérons un fil conducteur de longueur (𝑙) se déplaçant à une vitesse 𝑉
⃗ (Figure 1.5.), on peut écrire:
uniforme 𝐵

𝑑∅ = 𝐵𝑑𝑆 = 𝐵𝑙𝑑𝑥

𝑑∅ 𝑑𝑥
𝑒= = 𝐵𝑙 = 𝐵𝑙𝑉 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑁 = 1
𝑑𝑡 𝑑𝑡

Note: Dans le cas où la f.e.m. dans le fil conducteur s’oppose à la tension de la source 𝐸0 , on ajoute le
signe (-) (loi de Lenz).

Figure 1.5: Loi de Faraday dans un conducteur électrique mobile

Théorème d’Ampère

Il s’énoncé comme suit: “La circulation de l’excitation magnétique le long d’une courbe fermée est égale
à la somme algébrique des forces magnetomotrices qui traversent toute la surface s’appuyant sur le
contour”. La somme algébrique des courants est appelé force magnétomotrice f.m.m.

⃗ . ⃗⃗⃗
∫𝐻 𝑑𝑙 = 𝑁𝐼 = 𝑓. 𝑚. 𝑚.

Pour déterminer la force magnétomotrice, il faut procéder en deux temps:

- Orientation du contour: il faut choisir un sens de parcours afin de déterminer la normale

à toute surface s’appuyant sur le contour.

- Somme algébrique: pour la faire, il faut déterminer les courants qui doivent être comptés
positifs et ceux qui doivent être comptés négatifs. Les courants dans le sens de la normale
seront comptés positifs, les autres négatifs.

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 Figure 1.6: Exemples de circulation de l’excitation magnétique

f) Réluctance d’une portion de circuit magnétique

- Relation d’Hopkinson

Pour une portion de circuit de longueur 𝑙 et de section droite 𝑆 et comportant 𝑁 spires (figure
1.7).

Figure 1.7: Portion du circuit

Le théorème d'ampère permet d’écrire

𝑓. 𝑚. 𝑚. = 𝐻. 𝑙 = 𝑁𝐼

𝐵 ∅
Or 𝐻 = 𝜇 et 𝐵 = 𝑆 . Soit:

∅
𝐻=
𝜇. 𝑆

On obtient la f.m.m.

𝑙. ∅
𝑓. 𝑚. 𝑚. =
𝜇. 𝑆
𝑙
Le terme est appelée réluctance. on la note ℜ et elle est experimée en 𝐻 −1 , d’où la relation
𝜇.𝑆
d’Hopkinson:

𝑓. 𝑚. 𝑚. = ℜ. ∅

𝑙
ℜ=
𝜇. 𝑆

g) Force électroélectromotrice d’auto-induction (f.é.m de “Self-induction”)

Considérons une bobine autour d'un noyau de section (S) constante et de longueur moyenne 𝑙 alimentée
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par une source V (Figure 1.8).

Figure 1.8: F.é.m de “Self-induction”

𝑁𝐼
D'après le théorème d'ampère, on obtient: 𝐻 = 𝑙

𝐵
Sachant que 𝐻 = 𝜇 , l'induction magnétique de ce circuit est donnée par l'équation suivante:
𝑁𝐼
𝐵=𝜇
𝑙
Le flux d’induction magnétique ∅ sera défini comme suit en fonction de la réluctance du circuit
magnétique ℜ:
𝑁𝐼 𝑁𝐼 𝑁𝐼
∅ = 𝐵. 𝑆 = 𝜇 𝑆= =
𝑙 𝑙 ℜ
𝜇𝑆
Cette relation introduit une proportionnalité ente le flux d’induction magnétique et la différence de
potentiel magnétique scalaire (𝑁𝐼) associée à la réluctance du noyau correspondant. (la différence de
potentiel magnétique est appelé aussi "force magnétique notée e”).

𝑑∅ 𝑁 2 𝑑𝐼
𝑒=𝑁 = .
𝑑𝑡 𝑙 𝑑𝑡
𝜇𝑆

𝑁2
Le facteur de proportionnalité ( 𝑙 ) s'appelle l'inductance propre de la bobine et notée 𝐿:
𝜇𝑆

𝑁2 𝑁2
𝐿= =
𝑙 ℜ
𝜇𝑆
Finalement:

𝑑𝐼
𝑒 = 𝐿. 𝑒𝑡 𝑁∅ = 𝐿𝐼
𝑑𝑡

2.3 La bobine à noyau de fer

a) Constitution
La bobine à noyau de fer est constituée essentiellement:

• D’un circuit magnétique formé d’un empilement de tôles magnétiques minces isolées entre elles par
une couche de vernis.
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• D’une bobine de N spires

Figure 1.9: Constitution d’une bobine à noyau de fer

b) Etude du fonctionnement
Si on alimente la bobine à noyau de fer par une tension 𝑢(𝑡) = 𝑈√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡 + 𝜑), on aura une force
magnétomotrice 𝑁𝐼 qui engendre un flux ∅1 = ∅ + ∅𝑓 , avec ∅ : flux circulant dans le circuit magnétique
ou flux de magnétisation (on note aussi ∅𝑚 ) et ∅𝑓 : flux de fuite dans l’air. L'inductance propre de la
bobine est:

𝑁∅1
𝐿=
𝑖
Dans ces conditions ; on définit deux autres inductances, faisant intervenir ces flux de fuite (∅𝑓 ) et de
magnétisation (∅) :

- l’inductance de fuite (𝐿𝑓 ) est:

𝑁∅𝑓
𝐿𝑓 =
𝑖
- l’inductance de magnétisation (𝐿𝑚 ) est:
𝑁∅
𝐿𝑚 =
𝑖
D'où, l'inductance propre est donc donnée par l'équation suivante:

𝐿 = 𝐿𝑚 + 𝐿𝑓

Le coefficient de fuite (𝐶𝑓 ) est définit comme suit :

∅ ∅ 𝐿𝑚
𝐶𝑓 = = =
∅1 ∅ + ∅𝑓 𝐿

Conventionnellement, le coefficient 𝐶𝑓 est toujours plus petit que 1.

Le circuit magnétique équivalent est le suivant:

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 Figure 1.10: Circuit magnétique équivalent

Or d’après la loi d’Hopkison appliquée au schéma magnétique équivalent, on aura:

𝑁𝑖 = ℜ∅1 = ℜ𝑓 ∅𝑓 = ℜ𝐶𝑀 ∅

Avec ℜ: réluctance du circuit magnétique équivalent, ℜ𝑓 : Réluctance de fuite et ℜ𝐶𝑀 : Réluctance de

circuit magnétique.

On montre ainsi que les trois réluctances sont liées par une relation semblable à celles des résistances
parallèles:

1 1 1
= +
ℜ ℜ𝑓 ℜ𝐶𝑀

Remarques:

- De la définition de la notion de réluctance, on donne la loi d’ohm magnétique pour un circuit

magnétique de réluctance ℜ = ∑ ℜ𝑖 alimenté par un flux magnétique ∅:

⃗ . ⃗⃗⃗
𝑓. 𝑚. 𝑚. = 𝑁𝐼 = ∫ 𝐻 𝑑𝑙 = ∅ ∑ ℜ𝑖

𝐵
- Sachant que 𝐻 = 𝜇 et que 𝑓. 𝑚. 𝑚. = 𝑁𝐼 = ℜ. ∅, on trouve l’expression générale de la réluctance
d’un circuit magnétique:

𝑑𝑙 𝑙
ℜ=∫ =
𝜇𝑆 𝜇. 𝑆

c) Equations électriques: Formule de Boucherot

En considérant la bobine à noyau de fer comme constituée de son inductance propre (𝐿) et de la résistance
propre (𝑟), la loi des mailles appliquée au schéma électrique équivalent ci-dessus donne:

𝑢 + 𝑒1 = 𝑟. 𝑖

𝑑∅1 𝑑∅ 𝑑∅𝑓
Avec : 𝑒1 = −𝑁 = −𝑁 𝑑𝑡 − 𝑁
𝑑𝑡 𝑑𝑡

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 𝑁∅𝑓
Sachant que: 𝐿𝑓 = 𝑖

On peut réécrire:

𝑑∅ 𝑑𝑖(𝑡)
𝑢(𝑡) = 𝑟. 𝑖(𝑡) + 𝑁 + 𝐿𝑓
𝑑𝑡 𝑑𝑡

Ou en écriture complexe:

𝑈 = 𝑟𝐼 + 𝑗𝐿𝑓 𝜔𝐼 + 𝑗𝑁𝜔∅

Figure 1.11: Circuit électrique équivalent

Si on suppose qu'il n’y a pas de flux de fuite et que la résistance de la bobine est suffisamment faible
pour que l'on puisse négliger la chute de tension 𝑟𝑖 (Hypothèses de Kapp), il vient que :

𝑑∅
𝑢(𝑡) = −𝑒 = 𝑁
𝑑𝑡
𝑈√2 𝜋 𝜋
d’où ∅(𝑡) = 𝑁𝜔
𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 + 𝜑 − 2 ) = ∅𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝜑 − 2 )

𝑈√2
Avec ∅𝑚𝑎𝑥 = 𝑁𝜔

Le flux dans le circuit magnétique est sinusoïdal et en quadrature retard par rapport à la tension. La
valeur efficace de la tension est exprimée comme suit:

𝑈 = 4,44𝑁𝑓∅𝑚𝑎𝑥 = 4,44𝑁𝑓𝐵𝑚𝑎𝑥 𝑆

où S est la section de circuit magnétique et 𝐵𝑚𝑎𝑥 est l’induction maximale en Tesla. Cette équation est
appelée formule de Boucherôt; elle permet de calculer le nombre de spires

d) Pertes dans le circuit magnétique

La présence d’un circuit magnétique va entraîner des pertes supplémentaires. On note par 𝑃𝑓 les pertes
dans le fer d’un circuit magnétique. Elles se traduisent par un échauffement du circuit magnétique. Les
pertes fer s’écrivent:

𝑃𝑓 = 𝑃𝐻 + 𝑃𝑐𝐹

avec 𝑃𝐻 : pertes par Hystérisis et 𝑃𝑐𝐹 : pertes par courant de Foucault .

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e) Force électroélectromotrice d’auto-induction de “transformation”
Considérons deux bobines à noyau de fer réalisées dans un même noyeau ferromagnétique (figure 1.12).

Figure 1.12: F.é.m. de transformation

Le circuit de la bobine N°1 parcouru par un courant 𝐼1 alternatif (source 𝑉1) de 𝑁1 spires et le circuit de
la bobine N°2 en circuit ouvert de 𝑁2 spire. Le flux alternatif ∅ dȗ à la circulation de 𝐼1 traverse les deux
circuits, s'il n y a pas de fuites. Il apparait donc aux bornes du circuit N°2 une f.é.m. dite "de
transformation".

𝑑∅ 𝑑∅
𝑒1 = 𝑁1 𝑒𝑡 𝑒2 = 𝑁2
𝑑𝑡 𝑑𝑡

On en déduit que:

𝑒2 𝑁2
=
𝑒1 𝑁2

f) Forme générale de la f.é.m. induite

Considérons un circuit mobile (à entrefer variable) dont la position est définie par un paramètre de
déplacement (x), et excité par un courant 𝑖 (figure 1.13)

Figure 1.13: Circuit magnétique à entrefer variable

Le flux ∅ circulant dans le circuit magnétique définit parfois le "flux totalisé", ou encore le "flux-spires".
Il est donné aussi en fonction de deux variables (𝑖 𝑒𝑡 𝑥) comme suit: ∅(𝑖, 𝑥)

Si on applique la loi de Faraday, en dérivant partiellement par rapport à 𝑖 𝑒𝑡 𝑥, on obtient:

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 𝑑∅ 𝑑∅ 𝑑𝑖 𝑑∅ 𝑑𝑥
𝑒= = . + .
𝑑𝑡 𝑑𝑖 𝑑𝑡 𝑑𝑥 𝑑𝑡
𝑑∅ 𝑑𝑖
- Le terme: . est appelé f.é.m. de transformation
𝑑𝑖 𝑑𝑡

𝑑∅ 𝑑𝑥
- Le terme: 𝑑𝑥 . 𝑑𝑡 est appelé f.é.m. de vitesse.

g) Notion d’inductance "mutuelle"

Considérons deux bobines dans un milieu de perméabilité 𝜇. (Figure 1.14)

Figure 1.14: Couplage entre bobines électriques

On parle dans un tel cas de couplage magnétique des bobinages correspondants. Les flux totalisés dans
les deux bobines s'écrivent alors:

∅1 = 𝑁1 (∅𝑚 + ∅𝑓1 ) 𝑒𝑡 ∅2 = 𝑁2 (∅𝑚 + ∅𝑓2 )

D'après le théorème d'Hopkinson appliqué sur les trois tubes de flux et leurs matériaux, on a :

- Le flux de mangétisation (ou flux commun) :

𝑁1 𝑖1 𝑁2 𝑖2
∅𝑚 = ∅𝑚1 + ∅𝑚2 = +
ℜ𝐶𝑀 ℜ𝐶𝑀
𝑁1 𝑖1
- Le flux de fuite sur la bobine 1: ∅𝑓1 = ℜ𝑓1

𝑁2 𝑖2
- Le flux de fuite sur la bobine 2: ∅𝑓2 =
ℜ𝑓2

Note: Le tube d'induction est l'ensemble des lignes de champ qui s'appuient sur un contour fermé.

Les flux totalisés dans les deux bobines deviennent alors:

1 1 𝑁1 𝑁2 𝑁1 𝑁2 1 1
∅1 = 𝑁12 𝑖1 ( + )+ 𝑖2 𝑒𝑡 ∅2 = 𝑖1 + 𝑁22 𝑖2 ( + )
ℜ𝐶𝑀 ℜ𝑓1 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝑓2

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 𝑁∅1
Par analogie avec le cas de l’inductance propre (𝐿 = ), les inductances propres et mutuelles de deux
𝑖
bobines sont:

- Inductances propres (totales) :

1 1 1 1
𝐿11 = 𝑁12 ( + ) = 𝐿𝑚1 + 𝐿𝑓1 𝑒𝑡 𝐿22 = 𝑁22 ( + ) = 𝐿𝑚2 + 𝐿𝑓2
ℜ𝐶𝑀 ℜ𝑓1 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝑓2

𝑁1 𝑁2
- Inductances mutuelles: 𝐿12 = 𝐿21 = 𝑀 = ℜ𝐶𝑀

Ainsi, les flux totalisés dans les deux bobines deviennent:

∅1 = 𝐿11 𝑖1 + 𝑀𝑖2 𝑒𝑡 ∅2 = 𝐿22 𝑖2 + 𝑀𝑖1

h) Coefficient de couplage et coefficient de dispersion

Dans le cas d’un système caractérisé par des flux de fuites nuls, on peut écrire:

𝑁12 𝑁22 𝑁1 𝑁2
ℜ𝑓1 = ℜ𝑓2 = ∞; 𝐿11 = ; 𝐿22 = ; 𝐿12 = 𝐿21 =
ℜ𝐶𝑀 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝐶𝑀

On en déduit la relation: 𝐿12 = 𝐿21 = √𝐿11 𝐿22

Dans le cas général (avec flux de fuite), on peut poser: 𝐿12 = 𝐿21 < √𝐿11 𝐿22

Le coefficient de couplage (𝐶𝑐 ) est le quotient de l’inductance mutuelle par l’inductance mutuelle
𝑀
correspondant à un couplage parfait: 𝐶𝑐 = <1
√𝐿11 𝐿22

2.4 Analogies entre circuits électriques et magnétiques

Des analogies peuvent être tirées entre les grandeurs associées aux circuits électriques et celles liées aux
circuits magnétiques à partir des similitudes avec certaines équations obtenues plus haut. Ces analogies
sont résumées dans le tableau suivant:

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 Tableau 1.2. Analogies entre circuits électriques et magnétiques

Relation et grandeur Circuit électrique Circuit magnétique

Champ 𝐸⃗ ⃗
𝐻

Vecteur caractéristique 𝑗 ⃗
𝐵

Relation spécifique des 𝐸⃗ ⃗ = 𝜇. 𝐻

𝐵 ⃗
matériaux 𝑗= = 𝜎𝐸⃗
𝜌

Flux caractéristique 𝑖 = ∫𝑆 𝑗⃗⃗⃗⃗

𝑑𝑆 𝜙 = ∫𝑆 ⃗⃗⃗𝐵 ⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆

Résistance 𝑅 = ∫𝑐 𝑑𝑙 ⁄𝜎𝑆 ℜ = ∫𝑐 𝑑𝑙 ⁄𝜇𝑆

Eléments en série 𝑅 = ∑ 𝑅𝑘 ℜ = ∑ ℜ𝑘
𝑘 𝑘

Eléments en parallèle 𝑅 = 1⁄∑ 1/𝑅 ℜ = 1⁄∑ 1/ℜ

𝑘 𝑘 𝑘 𝑘

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CHAPITRE 3: LES TRANSFORMATEURS
3.1 Généralités
Le transformateur est un convertisseur « alternatif-alternatif » qui permet de modifier la valeur efficace
d’une tension alternative en maintenant inchangées la fréquence et la forme de l’onde.

Les transformateurs sont des machines entièrement statiques ; ce qui est à l’origine de leur excellent
rendement. Leur utilisation est primordiale pour le transport de l’énergie électrique où l’on préfère «
transporter des volts plutôt que des ampères ». Ils assurent l’élévation de la tension entre la source
(alternateurs fournissant une tension de 20 kV) et le réseau de transport (de 50 kV à 400 kV au Cameroun
et 50 kV à 225 kV au Burkina Faso), puis ils permettent l’abaissement de la tension du réseau vers
l’usager. En outre, le transformateur procure un isolement entre les réseaux et permet de changer le
régime de neutre.

Les transformateurs sont réalisés en toutes puissances et tensions, de quelques VA et à basse tension
pour l’alimentation de circuits électroniques à quelques centaines de MVA et de kV pour l’alimentation
ou le couplage des réseaux de transport de l’énergie électrique. Le transformateur est également utilisé
comme adaptateur d’impédance en électronique.

3.2 Les transformateurs monophasés

Le transformateur monophasé est un convertisseur “alternatif - alternatif”. Il a pour rôle de modifier

les amplitudes des grandeurs alternatifs (tensions, courants) en maintenant la fréquence et la forme
d’ondes inchangées, en vue d’adopter le récepteur(charge) au réseau électrique. Les transformateurs sont
des machines statiques et possèdent un excellent rendement. Leur utilisation est primordiale pour le
transport d’énergie électrique. Ils assurent l’élévation de la tension entre les alternateurs (source) et le
réseau de transport, puis ils abaissent la tension du réseau pour l’exploiter par les utilisateurs.

3.2.1 Constitution et principe de fonctionnement

Il est constitué d’un circuit magnétique fermé (de grande perméabilité, feuilleté et constitué par des tôles
de 0,2 à 0,3mm d’épaisseur afin de limiter les courants de Foucault) comportant deux bobinages : le
primaire et le secondaire. Le primaire comporte 𝑁1 spires (l’indice 1 désignant par la suite toute les
grandeurs au primaire, l'indice 2 les grandeurs au secondaire). Cette machine est basée sur la loi de
Faraday. En effet, le primaire étant alimenté par une tension sinusoïdale, il en résulte un flux sinusoïdal
dans le circuit magnétique. Ce flux induit à son tour la création d'une force électromotrice sinusoïdale
𝑒2 au secondaire (enroulement comportant 𝑁2 spires). Cette f.e.m. permet d'alimenter une charge
branchée aux bornes du secondaire. On lui adopte alors la convention générateur. Les enroulements
primaires et secondaires sont isolés électriquement mais ils sont accouplés magnétiquement.

Le schéma de principe d'un transformateur est donné dans la figure suivante:

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 Figure 2.1. Schéma de principe d'un transformateur monophasé

Le circuit électrique lié au générateur est appelé le circuit primaire, celui qui est lié au récepteur est
appelé le circuit secondaire.

Le transformateur monophasé peut être représenté par l’un de deux symboles suivants :

Figure 2.2. Symbole du transformateur monophasé

3.2.2 Modèle de transformateur parfait (ou idéal)

a) Définition
On appelle transformateur parfait, ou idéal, un transformateur vérifiant les conditions suivantes:

- Les pertes dans le fer sont nulles, (𝑃𝑓 = 𝑃𝐻 + 𝑃𝑐𝐹 = 0);

- Les résistances des enroulements sont nulls (𝑅1 = 𝑅2 = 0), autrement dit pas de pertes Joules;

- Les flux de fuit sont nuls (𝐿𝑓1 = 𝐿𝑓2 = 0);

- Le circuit magnétique est parfait (𝜇 → ∞, donc la réluctance ℜ = 0: « supraréluctant »)

b) Equations de fonctionnement
Le schéma électrique équivalent d’un transformateur monophasé parfait est:

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 Figure 2.2. Circuit électrique équivalent d’un transformateur idéal

Avec:
𝑑∅(𝑡)
𝑒1 (𝑡) = −𝑁1 : force électromotrice induite au primaire
𝑑𝑡

𝑑∅(𝑡)
𝑒2 (𝑡) = −𝑁2 : force électromotrice induite au secondaire
𝑑𝑡

Equations des tensions

La loi de mailles appliquée au primaire et au secondaire donne:

𝑑∅(𝑡)
𝑉1 (𝑡) + 𝑒1 (𝑡) = 𝑅1 𝑖1 (𝑡) = 0, 𝑠𝑜𝑖𝑡 𝑉1 (𝑡) = −𝑒1 (𝑡) = 𝑁1
{ 𝑑𝑡
𝑑∅(𝑡)
𝑉2 (𝑡) − 𝑒2 (𝑡) = 𝑅2 𝑖2 (𝑡) = 0, 𝑠𝑜𝑖𝑡 𝑉2 (𝑡) = 𝑒2 (𝑡) = −𝑁2
𝑑𝑡
En écriture complexe, on obtient:

𝑉1 = 𝑗𝑁1 𝜔∅ 𝑒𝑡 𝑉2 = −𝑗𝑁2 𝜔∅

Soit :

𝑉2 𝑁2
=− = −𝑚
𝑉1 𝑁1

En considérant les valeurs efficacies, on peut écrire:

𝑉2 𝑁2
= =𝑚
𝑉1 𝑁1
𝑁
𝑚 = 𝑁2 est le rapport de transformation.
1

Selon la valeur qu’il prend, on peut distinguer:

-Si 𝑚 > 1 ⇒ 𝑉2 > 𝑉1 (Le transformateur est élévateur)

-Si 𝑚 < 1 ⇒ 𝑉2 < 𝑉1 (Le transformateur est abaisseur)

-Si 𝑚 = 1 ⇒ 𝑉2 = 𝑉1 (Le transformateur est utilisé comme un isolateur)

Equations des courants

D’après la loi d’Hopkinson, on peut écrire l’équation suivante:

𝑁1 . 𝑖1 + 𝑁2 . 𝑖2 = ℜ. ∅

or par hypothèse ℜ = 0, soit 𝑁1 . 𝑖1 + 𝑁2 . 𝑖2 = 0. Finalement, on obtient :

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 𝑖2 𝑁1 1
=− =−
𝑖1 𝑁2 𝑚

Si on remplace les grandeurs temporelles par des grandeurs efficaces, on aboutit à la relation suivante,
valable dans le cas idéal:

𝐼2 𝑁1 1
= =
𝐼1 𝑁2 𝑚

Note: Les tensions (et les courants) au primaire et au secondaire sont en opposition de phase.

c) Schéma équivalent
Le schéma électrique équivalent d’un transformateur monophasé idéal est le suivant:

Figure 2.3: Schéma équivalent d’un transformateur ideal

Sur le premier schéma, les points portés sur les bobinages indiquent la borne d'entrée du courant pour
obtenir des flux orientés dans le même sens. Une fois ce sens repéré, il faut ensuite orienter les courants
de telle manière à toujours faire apparaître le primaire en récepteur et le secondaire en générateur.

Le deuxième schéma est représenté avec le rapport de transformation.

d) Diagramme vectoriel: Impédance ramenée au primaire – Adaptation d'impédance.

Supposons que le transformateur débite le courant 𝑖2 sous la tension 𝑉2 dans un récepteur qui présente
un déphasage 𝜑2 , on retrouve ce même angle entre 𝑉1 et 𝑖1 . On peut représenter le diagramme vectoriel
des tensions comme le montre la figure suivante:

Figure 2.4: Diagramme vectoriel d’un transformateur ideal

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Le dipôle alimenté par le secondaire peut être représenté par une f.é.m. 𝐸2 et une impédance 𝑍2 (modèle
de Thévenin) comme le montre la figure suivante:

Figure 2.5: Transformateur parfait alimentant un dipôle modélisé par Thévenin.

Cherchons à quel générateur (𝐸1 , 𝑍1) est équivalent le montage vu des bornes A et B:

𝑉2 = 𝐸2 + 𝑍2 𝑖2

Éliminons 𝑉2 𝑒𝑡 𝑖2 en les remplaçant par leurs expressions en fonction des grandeurs primaires:

𝑁2 𝑁1
𝑉2 = − 𝑉1 𝑒𝑡 𝑖2 = − 𝑖1
𝑁1 𝑁2

𝑁1 𝑁1 𝑁1 𝑁1 2
𝑉1 = − (𝐸2 − 𝑍2 𝑖1 ) = − 𝐸2 + ( ) 𝑍2 𝑖1 )
𝑁2 𝑁2 𝑁2 𝑁2

Soit:

𝑉1 = 𝐸1 + 𝑍1 𝑖1

Avec :

𝑁1 𝑁1 2 𝑍1 𝑁1 2 1
𝐸1 = − 𝐸2 𝑒𝑡 𝑍1 = ( ) 𝑍2 𝑜𝑢 𝑏𝑖𝑒𝑛 =( ) = 2
𝑁2 𝑁2 𝑍2 𝑁2 𝑚

D’où le schéma du générateur équivalent en entrée du transformateur:

Figure 2.6: Modèle de Thevenin du transformateur parfait alimentant un dipôle.

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On notera de ce dernier résultat que, pour les impédances, c’est le carré du rapport des nombres de spires
qui compte (théorème du transfert d’impédance). Cela permettra de simplifier les schémas équivalents
du transformateur.
𝑍2
Si 𝐸2 = 0, alors 𝑉1 = 𝑍1 𝑖1 avec 𝑍1 = 𝑚2

Tout se passe comme si le générateur alimentant le primaire du transformateur était directement relié à
une charge d'impédance 𝑍1 , c'est l'impédance ramenée au primaire. Cette propriété des transformateurs
est parfois utilisée pour réaliser l'adaptation d'impédance en puissance d'un générateur avec une charge
non adaptée.

Par exemple dans le domaine de l’électronique, cette relation est souvent utilisée afin de calculer les
transformateurs chargés d’adapter les impédances des hauts-parleurs à l’impédance de sortie des
amplificateurs.

d) Bilan de puissance

𝑉2 𝑁2 𝑖2 𝑁1 1
On a déjà établit que: =− = −𝑚 𝑒𝑡 =− =− .
𝑉1 𝑁1 𝑖1 𝑁2 𝑚

Soit:

𝑉2 𝑖1
= 𝑜𝑢 𝑏𝑖𝑒𝑛 𝑉1 . 𝑖1 = 𝑉2 . 𝑖2 . 𝑠𝑜𝑖𝑡 𝑆1 = 𝑆2
𝑉1 𝑖2

Sachant que:

𝑆1 = 𝑉1 . 𝑖1 = 𝑃1 + 𝑗𝑄1 𝑒𝑡 𝑆2 = 𝑉2 . 𝑖2 = 𝑃2 + 𝑗𝑄2

Les puissances active et réactive absorbées par le primaire seront totalement transmises à la charge
connectée au secondaire (pas des pertes). Le rendement d’un transformateur parfait est alors égal à
1.

La puissance active 𝑃 s’exprime comme: 𝑃 = 𝑃1 = 𝑃2 = 𝑆. 𝑐𝑜𝑠𝜑

Tandis que la puissance réactive 𝑄 vérifie : 𝑄 = 𝑄1 = 𝑄2 = 𝑆. 𝑠𝑖𝑛𝜑

𝜑 = 𝜑1 = 𝜑2

𝑃, 𝑄 𝑒𝑡 𝑆 sont reliées par la relation : 𝑆 = √𝑃2 + 𝑄 2

Conclusion: Le transformateur idéal conserve les puissances actives, réactives et apparentes. Il

conserve aussi le déphasage.

3.2.3 Modèle de transformateur réel (ou industriel)

Dans un transformateur réel, on ne néglige plus les pertes. Aussi doit-on prendre en compte:

- les pertes Joule dans les enroulements sont non-nulles;

- les pertes fer ne sont plus nulle;

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- les flux de fuite au niveau du noyau ne sont pas nulls.

Figure 2.7: Schéma de principe d'un transformateur réel

a) Equations des flux

Le flux fournit par chacun des enroulements peut être exprimé comme:

∅1 = ∅𝑚 + ∅𝑓1 𝑒𝑡 ∅2 = ∅𝑚 + ∅𝑓2

D’où le flux de magnétisation (commun):

𝑁1 𝑖1 𝑁2 𝑖2
∅𝑚 = ∅𝑚1 + ∅𝑚2 = +
ℜ𝐶𝑀 ℜ𝐶𝑀
Les flux totalisés dans les deux bobines s'écrivent alors:

𝜆1 = 𝑁1 ∅1 = 𝑁1 (∅𝑚 + ∅𝑓1 ) 𝑒𝑡 𝜆2 = 𝑁2 ∅2 = 𝑁2 (∅𝑚 + ∅𝑓2 )

1 1 𝑁1 𝑁2 𝑁1 𝑁2 1 1
𝜆1 = 𝑁12 𝑖1 (
+ )+ 𝑖2 𝑒𝑡 𝜆2 = 𝑖1 + 𝑁22 𝑖2 ( + )
ℜ𝐶𝑀 ℜ𝑓1 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝑓2
Les équations des flux de deux bobines couplées magnétiquement sont:

𝜆1 = 𝐿11 𝑖1 + 𝑀𝑖2 𝑒𝑡 𝜆2 = 𝐿22 𝑖2 + 𝑀𝑖1

1 1 1 1
𝐴𝑣𝑒𝑐: 𝐿11 = 𝑁12 ( + ) = 𝐿𝑚1 + 𝐿𝑓1 𝑒𝑡 𝐿22 = 𝑁22 ( + ) = 𝐿𝑚2 + 𝐿𝑓2
ℜ𝐶𝑀 ℜ𝑓1 ℜ𝐶𝑀 ℜ𝑓2
𝑁1 𝑁2
𝐿12 = 𝐿21 = 𝑀 =
ℜ𝐶𝑀

b) Equations des tensions

Les tensions induites dans les deux bobines sont données par :

𝑑𝜆1 𝑑𝑖1 𝑑𝑖2 𝑑𝜆2 𝑑𝑖2 𝑑𝑖1

𝐸1 = = 𝐿11 +𝑀 𝑒𝑡 𝐸2 = = 𝐿22 +𝑀
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡

D’après la loi de maille appliquée aux circuits électriques (primaire et secondaire), on aura:

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 𝑑𝜆1 𝑑𝑖1 𝑑𝑖2
𝑉1 = 𝑅1 𝑖1 + = 𝑅1 𝑖1 + 𝐿11 +𝑀
{ 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑑𝜆2 𝑑𝑖2 𝑑𝑖1
𝑉2 = −𝑅2 𝑖2 − = −𝑅2 𝑖2 − 𝐿22 −𝑀
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑑∅𝑚 𝑑∅𝑓1
𝑉1 = 𝑅1 𝑖1 + 𝐸1 = 𝑅1 𝑖1 + 𝑁1 + 𝑁1
𝑑𝑡 𝑑𝑡
On peut aussi écrire simplement: { 𝑑∅ 𝑑∅
𝑉2 = −𝑅2 𝑖2 + 𝐸2 = −𝑅2 𝑖2 − 𝑁2 𝑑𝑡𝑚 − 𝑁2 𝑑𝑡𝑓2

𝑁1 ∅𝑓1 𝑁2 ∅𝑓2
Sachant que: 𝐿𝑓1 = et 𝐿𝑓2 =
𝑖1 𝑖2
𝑑∅𝑚 𝑑𝑖1
𝑉1 = 𝑅1 𝑖1 + 𝑁1 + 𝐿𝑓1
{ 𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑑∅𝑚 𝑑𝑖2
𝑉2 = −𝑅2 𝑖2 − 𝑁2 − 𝐿𝑓2
𝑑𝑡 𝑑𝑡
En écriture complexe, on aura:
𝑉1 = 𝑅1 𝑖1 + 𝑗𝐿𝑓1 𝜔𝑖1 + 𝑗𝑁1 𝜔∅𝑚
{
𝑉2 = −𝑅2 𝑖2 − 𝑗𝐿𝑓2 𝜔𝑖2 − 𝑗𝑁2 𝜔∅𝑚

Si on pose 𝑉1′ = 𝑗𝑁1 𝜔∅𝑚 𝑒𝑡 𝑉2′ = −𝑗𝑁2 𝜔∅𝑚 , on a en notation complexe :

𝑉1 = 𝑉1′ + 𝑅1 𝑖1 + 𝑗𝐿𝑓1 𝜔𝑖1

{
𝑉2 = 𝑉2′ − 𝑅2 𝑖2 − 𝑗𝐿𝑓2 𝜔𝑖2
Et en notation simple:
𝑑𝑖1
𝑉1 = 𝑉1′ + 𝑅1 𝑖1 + 𝐿𝑓1
{ 𝑑𝑡
𝑑𝑖 2
𝑉2 = 𝑉2′ − 𝑅2 𝑖2 − 𝐿𝑓2
𝑑𝑡

c) Equations aux ampères tours: f.m.m.

Lorsque le transformateur est en charge, une force magnétomotrice (f.m.m.) naît dans son circuit
magnétique et engendre un flux ∅𝑚 dans ce circuit.
𝑁 𝑖 𝑁 𝑖
La loi d'Hopkinson nous permet d’écrire: ∅𝑚 = ∅𝑚1 + ∅𝑚2 = ℜ1 1 + ℜ2 2 .
𝐶𝑀 𝐶𝑀

Soit: 𝑁1 𝑖1 + 𝑁2 𝑖2 = ∅𝑚 ℜ𝐶𝑀

d) Schémas équivalents du transformateur réel

En considérant qu'au fonctionnement nominal du transformateur, la chute de tension au primaire due à

𝑑∅𝑚
𝑅1 et 𝐿𝑓1 est faible devant 𝑉1′ (hypothèse de Kapp) on a 𝑉1 ≈ 𝑉1′ = +𝑁1 . On est ainsi dans le cas
𝑑𝑡
d'un flux forcé, c'est à dire quasiment indépendant de la charge du transformateur. On peut considérer
que le flux est le même quelle que soit la charge, y compris s'il est à vide. Or à vide 𝑖2 = 0 , d’où:

𝑁1 𝑖10 = ∅𝑚 ℜ𝐶𝑀

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Avec 𝑖10 le courant au primaire lorsque le transformateur est à vide; on l’appelle courant magnétisant.
C’est lui qui est à l'origine des pertes fer.

Si on remplace ce résultat dans la première expression de la loi d'Hopkinson, on obtient:

𝑁1 𝑖1 + 𝑁2 𝑖2 = 𝑁1 𝑖10

Soit :

𝑁1 (𝑖1 − 𝑖10 ) + 𝑁2 𝑖2 = 0

𝑜𝑢 𝑏𝑖𝑒𝑛 𝑖10 = 𝑖1 + 𝑚𝑖2

𝑉2′ 𝑁
Si on considère cette équation et le fait que = − 𝑁2 = −𝑚 , on peut construire le cœur d'un schéma
𝑉1′ 1
𝑁
équivalent du transformateur réel avec un transformateur parfait de rapport de transformation 𝑚 = 𝑁2.
1

Les équations précédentes donnant les tensions 𝑉1 𝑒𝑡 𝑉2 permettent de compléter le schéma équivalent
avec les résistances d'enroulement et les inductances de fuite. Le courant de magnétisation absorbé par
le schema équivalent de la bobine à noyau de fer, permet de modéliser les pertes fer du circuit
magnétique.

On obtient le schéma équivalent du transformateur réel donné figure suivante:

Figure 2.8: Schéma équivalent du transformateur réel

𝑅0 (Ω): Résistance de circuit magnétique

𝐿0 (𝐻): Inductance du circuit magnétique.
On a ainsi prise en compte les pertes fer et le courant magnétisant.
Ce schéma équivalent est cependant compliqué à manipuler, en particulier on a du mal à determiner les
inductance de fuite 𝐿𝑓1 𝑒𝑡 𝐿𝑓2 . D'où l'intérêt de disposer de schémas simplifiés.
 Premier schéma simplifié.
Le courant magnétisant 𝑖10 est généralement faible devant 𝑖1 et la chute de tension dans 𝑅1 et 𝐿𝑓1
négligeable. On considère que l'on peut déplacer 𝑅0 et 𝐿0 devant 𝑅1 et 𝐿𝑓1 sans modifier
significativement le modèle précédent:

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 Figure 2.9: Schéma équivalent modifié du transformateur réel

 Impédances ramenées au secondaire.

A partir des équations des tensions du schéma de la figure 2.9;
′
𝑑∅𝑚 𝑑𝑖1′ 𝑑∅𝑚 𝑑𝑖2
𝑉1 = 𝑅1 𝑖1 + 𝑁1 + 𝐿𝑓1 𝑒𝑡 𝑉2 = −𝑅2 𝑖2 − 𝑁2 − 𝐿𝑓2
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
On obtient en additionant 𝑁2 𝑉1 𝑒𝑡 𝑁1 𝑉2:
𝑑𝑖1′ 𝑑𝑖2
𝑁2 𝑉1 + 𝑁1 𝑉2 = 𝑁2 (𝑅1 𝑖1′ + 𝐿𝑓1 ) − 𝑁1 (𝑅2 𝑖2 + 𝐿𝑓2 )
𝑑𝑡 𝑑𝑡
Si on divise cette équation par 𝑁1 et on exploite le fait que 𝑖1′ = −𝑚𝑖2 , on obtient finalement:
𝑑𝑖2
𝑚𝑉1 + 𝑉2 + (𝑅2 + 𝑚2 𝑅1 )𝑖2 + (𝐿𝑓2 + 𝑚2 𝐿𝑓1 ) =0
𝑑𝑡
Cette équation permet d’obtenir le schéma simplifié du transformateur réel avec les impédances
ramenées au secondaire :

Figure 2.10: Schéma équivalent du transformateur réel avec impédances ramenées au secondaire

Avec 𝐿𝑠 = 𝐿𝑓2 + 𝑚2 𝐿𝑓1 𝑒𝑡 𝑅𝑠 = 𝑅2 + 𝑚2 𝑅1

 Impédances ramenée au primaire.

De façon similaire, si on divise l’équation
𝑑𝑖1′ 𝑑𝑖2
𝑁2 𝑉1 + 𝑁1 𝑉2 = 𝑁2 (𝑅1 𝑖1′ + 𝐿𝑓1 ) − 𝑁1 (𝑅2 𝑖2 + 𝐿𝑓2 )
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑖′
par 𝑁2 et on exploite le fait que 𝑖2 = − 𝑚1 , on obtient finalement:
𝑅2 ′ 𝐿𝑓2 𝑑𝑖1′
𝑚𝑉2 + 𝑉1 + (𝑅1 +
) 𝑖 + (𝐿𝑓1 + ) =0
𝑚2 1 𝑚2 𝑑𝑡
Cette équation permet d’obtenir le schéma simplifié du transformateur réel avec les impédances
ramenées au primaire:

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Figure 2.11: Schéma équivalent du transformateur réel avec impédances ramenées au primaire
𝐿 𝑅
Avec 𝐿𝑝 = 𝐿𝑓1 + 𝑚𝑓22 𝑒𝑡 𝑅𝑝 = 𝑅1 + 𝑚22
Schéma simplifié dans le cadre de l'approximation de Kapp.
En considérant 𝑖10 ≪ 𝑖1 , on peut remplacer la bobine fictive magnétisante modélisée par 𝑅0 et 𝐿0 par un
circuit ouvert sans conséquence sur l'intensité 𝑖1 .
On a alors le schéma simplifié dans le cadre de l'approximation de Kapp en considérant les impédances
ramenées au secondaire (figure 2.12).

Figure 2.12: Schéma équivalent du transformateur réel dans le cadre de l'approximation de Kapp avec
impédances ramenées au secondaire

On obtient un schéma similaire en ramenant les impédances au primaire.

e) Détermination des éléments du schéma électrique équivalent du transformateur réel

Un transformateur est conçu pour fonctionner de façon optimale à une tension nominale et un courant
nominal donnés; ces valeurs sont inscrites sur sa plaque d'identification ou plaque signalétique. Les
paramètres du schéma équivalent du transformateur doivent être determinés par des essais
expérimentaux. On peut effectuer des mesures directement sous tensions et courants nominaux.
Cependant il est préférable de séparer les essais (Essais à vide et essais en court-circuit), ce qui, en outre,
permet de travailler à puissance réduite et ainsi limiter les risques liés à la manipulation des fortes
puissances.

 Essai à vide.

Cet essai s'effectue sous tension nominale, le secondaire étant en circuit ouvert (cf. figure 2.13). On
mesure la tension à vide au secondaire, le courant et la puissance à vide absorbées par le primaire.

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 Figure 2.13: Essai à vide du transformateur réel
Cet essai permet de déterminer le rapport de transformation du transformateur.
𝑁2 𝑉20
𝑚= =
𝑁1 𝑉10
Les courants primaires (à vide 𝐼10 est très faible, de l'ordre du dixième du courant nominal) et secondaires
étant respectivement très faible et nul respectivement, on négligera les pertes «cuivre», c’est à dire les
pertes Joule. On aura: 𝑅1 𝐼12 ≈ 0 𝑒𝑡 𝑅2 𝐼22 ≈ 0. La puissance mesurée au primaire (𝑃10 = 𝑃𝐽10 + 𝑃𝑓𝑒𝑟 ) est
assimilée aux seules pertes fer.
𝑃10 ≈ 𝑃𝑓𝑒𝑟
L'essai à vide permet de mesurer les pertes fer.
Dans le cadre de l'approximation choisie, la puissance active est consommée dans 𝑅0 . Ainsi la résistance
de circuit magnétique vaut:
2
𝑉10
𝑅0 =
𝑃10
On définit la puissance réactive au sens de Kapp. D’où:
2
𝑄𝐾 = √𝑆 2 − 𝑃10
Et la réactance de circuit magnétique vaut:
2 2
𝑉10 𝑉10
𝑋0 = 𝐿0 𝜔 =
=
𝑄𝐾 √𝑉10 2 2 2
𝐼10 − 𝑃10
Cet essai permet également de déterminer le courant magnétisant.

 Essai en court - circuit.

L'essai en court-circuit est réalisé avec le secondaire branché en court-circuit. On applique au primaire
une tension réduite 𝑉1𝑐𝑐 ≪ 𝑉1𝑛 (tension nominale), on augmente progressivement 𝑉1𝑐𝑐 depuis 0 jusqu’à
avoir 𝐼2𝑐𝑐 = 𝐼2𝑛 .

Figure 2.14: Essai en court-circuit du transformateur réel

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Dans cet essai également la puissance active fournie au secondaire est nulle (𝑉2 = 0 ⇒ 𝑃2 = 0), la
puissance active mesurée au primaire correspond donc aux pertes fer et aux pertes joules au primaire et
au secondaire:
𝑃1𝑐𝑐 = 𝑃𝐽1𝑐𝑐 + 𝑃𝑓𝑒𝑟 + 𝑃𝐽2𝑐𝑐
𝑃1𝑐𝑐 étant faible, on peut généralement négliger les pertes fer et ainsi l'essai en CC permet de mesurer
les pertes joules:
𝑃1𝑐𝑐 = 𝑃𝐽1𝑐𝑐 + 𝑃𝐽2𝑐𝑐
Si on considère les impédances ramenées au secondaire, on a:
2
𝑃1𝑐𝑐 = 𝑅𝑠 𝐼2𝑐𝑐
Ainsi :
𝑃1𝑐𝑐 𝑃1𝑐𝑐
𝑅𝑠 = 2 = 𝑚2 2
𝐼2𝑐𝑐 𝐼1𝑐𝑐
(𝐼1𝑐𝑐 courant mesuré au primaire )
Si on considère le module de l'impédance totale ramenée au secondaire on a:
𝑉2𝑐𝑐 𝑉1𝑐𝑐 𝑉1𝑐𝑐
𝑍𝑠 = =𝑚 = 𝑚2
𝐼2𝑐𝑐 𝐼2𝑐𝑐 𝐼1𝑐𝑐
D’où
𝑋𝑠 = 𝐿𝑠 𝜔 = √𝑍𝑠2 − 𝑅𝑠2

Essai en charge - Chute de tension en charge.

On choisi l'impédance de charge, 𝑍𝑐 , telle que le transformateur fonctionne dans ces conditions
nominales de tension et de courant. On définit la chute de tension au secondaire Δ𝑉2 comme la différence
des tensions secondaires à vide et en charge:
Δ𝑉2 = 𝑉20 − 𝑉2
Elle dépend du courant I2 et de déphasage φ2 et peut être négative (surtention 𝑉2 > 𝑉20). Généralement
la chute de tension est donnée par sa valeur relative:
Δ𝑉2
𝜀% = . 100
𝑉20
En considérant le modèle du transformateur réel avec les impédances ramenées au secondaire (cf. figure
2.15), on peut écrire:
𝑑𝑖2
𝑚𝑉1 + 𝑉2 + 𝑅𝑠 𝑖2 + 𝐿𝑠 =0
𝑑𝑡
En notation complexe, on à:
−𝑚𝑉1 = 𝑅𝑠 𝑖2 + 𝑗𝐿𝑠 𝜔𝑖2 + 𝑉2

Figure 2.15: Schéma équivalent du transformateur réel chargé avec impédances ramenées au secondaire
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La tension au secondaire du transformateur parfait du modèle (−𝑚𝑉1) correspond à la tension à vide
mesurée sous la même tension primaire nominale (𝑉20 ), d’où:

𝑉20 = −𝑚𝑉1

𝑉20 = 𝑅𝑠 𝑖2 + 𝑗𝐿𝑠 𝜔𝑖2 + 𝑉2

On peut ainsi tracer le diagramme de Fresnel (ou diagramme de Kapp) suivant:

On obtient ainsi :
Δ𝑉2 ≈ 𝑅𝑠 𝐼2 𝑐𝑜𝑠(𝜑2 ) + 𝐿𝑠 𝜔𝐼2 𝑠𝑖𝑛(𝜑2 )

𝜑2 étant le déphasage entre 𝑉2 𝑒𝑡 𝑖2 .

f) Caractéristiques en charge
Ce sont les courbes donnant la variation de la tension en charge en fonction du courant dans la charge.
𝑉2 = 𝑓(I2 ) à 𝜑2 = 𝑐𝑠𝑡𝑒 𝑒𝑡 𝑉1 = 𝑉1𝑛 .

Figure 2.16: Allure de la tension en charge

g) Bilan énergétique et rendement

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L'essai en charge est effectué aux conditions nominales, il est possible de calculer le rendement du
transformateur. La chaîne de perte dans un tranformateur est donnée sur la figure 2.17.

Figure 2.17: Chaîne des pertes dans un transformateur réel

Si l’on fait le bilan, on obtient la relation:

𝑃1 = 𝑃𝐽1 + 𝑃𝐽2 + 𝑃𝑓𝑒𝑟 + 𝑃2

La puissance absorbée par le primaire est: 𝑃1 = 𝑉1 𝐼1 𝑐𝑜𝑠(𝜑1 ) = 𝑃2 + ∑ 𝑝𝑒𝑟𝑡𝑒𝑠

La puissance utile est : 𝑃2 = 𝑉2 𝐼2 𝑐𝑜𝑠(𝜑2 ) = 𝑃1 − ∑ 𝑝𝑒𝑟𝑡𝑒𝑠

Les pertes par effet joule totales sont:𝑃𝐽 = 𝑅1 𝐼12 + 𝑅2 𝐼22 = 𝑅𝑝 𝐼12 = 𝑅𝑠 𝐼22 ≈ 𝑃1𝑐𝑐

𝑃1𝑐𝑐 est la puissance active mesurée au primaire lors de l'essai en CC.

Les pertes fer sont: 𝑃𝑓𝑒𝑟 = 𝑃10

𝑃10 est la puissance active mesurée au primaire lors de l'essai à vide.

L’expression du rendement d’un transformateur monophasé est la suivante:

𝑃2
𝜂=
𝑃1

Il peut être déterminé pratiquement à l’aide de deux wattmètres pour les faibles puissances. Pour les
grandes puissances, on utilise généralement la méthode des pertes séparées basée sur l’estimation des
pertes. La relation utilisée est la suivante:

𝑉2 𝐼2 𝑐𝑜𝑠(𝜑2 )
𝜂=
𝑉2 𝐼2 𝑐𝑜𝑠(𝜑2 ) + ∑ 𝑝𝑒𝑟𝑡𝑒𝑠

L’allure de la courbe de rendement en fonction du courant au secondaire est donnée par la figure
suivante:

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 Figure 2.18: Allure de rendement

C’est une courbe croissante au début; elle passe par un maximum puis elle décroit.

Remarques

– Le transformateur aura toujours un rendement meilleur que celui d’une machine tournante à cause des
pertes mécaniques.

– Le rendement nominal d’un transformateur est généralement supérieur à 90%.

– Le meilleur rendement est obtenu avec une charge résistive.

√𝑃10
– Le rendement maximal est obtenu par un courant optimal 𝐼2𝑜𝑝𝑡 tel que 𝐼2𝑜𝑝𝑡 = 𝑅𝑠

3.2.4 Transformateurs spéciaux

Dans les applications industrielles, on rencontre un grand nombre de transformateurs de construction

spéciale. La plupart possèdent des propriétés de base que nous avons étudiées dans les paragraphes
précédents:

- La tension induite dans un enroulement est proportionnelle au nombre de spires;

- Lorsque le transformateur est en charge, les ampères-tours du primaire sont égaux aux ampères-
tours du secondaire ;
- Le courant absorbé à vide (courant d’excitation absorbé en permanence) est négligeable par
rapport à la valeur du courant de pleine charge du primaire.
On peut citer entre autres:

- Les autotransformateurs;
- Les transformateurs de tension (TT);
- Les transformateurs de courant (TI).

a) Autotransformateur

On appelle autotransformateur, un transformateur composé d’un enroulement unique monté sur un

circuit magnétique. Pour un autotransformateur abaisseur, par exemple, la haute tension est appliquée à
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l’enroulement complet et la basse tension est obtenue entre une extrémité de l’enroulement et une prise
intermédiaire.

Figure 2.19: Autotransformateur

Soit un autotransformateur (Figure 2.19) composé d’un enroulement AB de 𝑁1 spires montées sur un
circuit magnétique. L’enroulement est raccordé à une source de tension constante 𝑉1. Le courant
d’excitation crée un flux et, comme dans tout transformateur, ce flux demeure constant tant que 𝑉1 est
constante. Supposons que l’on sorte une prise C entre les extrémités A et B de l’enroulement, et que 𝑁2
spires soient comprises entre les bornes A et C. Comme la tension induite est proportionnelle au nombre
de spires, la tension entre ces bornes est :

𝑁2
𝑉2 = 𝑉
𝑁1 1

Cette relation est la même que celle obtenue avec un transformateur conventionnel à deux enroulements
ayant 𝑁1 et 𝑁2 spires respectivement au primaire et au secondaire. Cependant, comme les enroulements
primaires AB et secondaire AC ont une borne commune A, ils ne sont plus isolés. Si l’on branche une
charge entre les bornes A et C, le courant 𝐼2 provoque la circulation d’un courant 𝐼1 au primaire (voir
figure 2.20).

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 Figure 2.20: Tensions et courants dans un autotransformateur.

La section BC de l’enroulement est traversée par le courant 𝐼1 . D’après la loi des nœuds appliquée en A,
la section CA est traversée par une intensité (𝐼2 − 𝐼1). De plus, la force magnéto-motrice créée par 𝐼1
doit être égale et opposée à celle produite par (𝐼2 − 𝐼1 ). On a donc:

𝐼1 (𝑁1 − 𝑁2 ) = 𝑁2 (𝐼2 − 𝐼1 )

Soit :

𝐼1 𝑁1 = 𝑁2 𝐼2

Enfin, si l’on suppose que les pertes fer et le courant magnétisant sont négligeables, la puissance
apparente absorbée par la charge doit être égale à celle fournie par la source. Par conséquent, 𝑉1 𝐼1 =
𝑉2 𝐼2 .

On constate que ces équations sont identiques à celles obtenues avec un transformateur conventionnel
𝑁
ayant un rapport de transformation 𝑁2. Cependant, dans un autotransformateur, l’enroulement secondaire
1
fait partie de l’enroulement primaire. Il s’ensuit qu’un autotransformateur est plus petit, moins lourd et
moins coûteux qu’un transformateur conventionnel de même puissance. Cette économie devient
particulièrement importante lorsque le rapport de transformation se situe entre 0,5 et 2. Par contre,
l’absence d’isolation entre la haute tension et la basse tension constitue un inconvénient parfois
prohibitif.

Les autotransformateurs servent au démarrage à tension réduite des moteurs, à la régulation de la tension
des lignes de distribution et, en général, à la transformation de tensions de valeurs assez rapprochées.
Un transformateur à deux enroulements peut être monté en autotransformateur : il suffit de relier le
secondaire en série avec le primaire. Selon le mode de connexion, la tension secondaire peut s’ajouter à
la tension primaire ou se soustraire de celle-ci. Lorsqu’on utilise des transformateurs conventionnels
comme autotransformateurs, il est important d’appliquer les règles suivantes:

- le courant dans un enroulement ne doit pas dépasser la valeur nominale;

- la tension aux bornes d’un enroulement ne doit pas être supérieure à la valeur nominale;
- si le courant nominal circule dans un enroulement, le courant nominal circule automatiquement
dans l’autre (égalité des ampères-tours dans les deux enroulements)
- si la tension nominale apparaît aux bornes d’un enroulement, la tension nominale
correspondante apparaît automatiquement aux bornes de l’autre.

 Autotransformateur variable
Lorsque l’on a besoin d’une tension variable de 0 à 220 V ou plus, on a souvent recours à un
autotransformateur ayant une prise mobile (Figure 2.21). Le transformateur comprend un enroulement
d’une seule couche de fil bobiné sur un noyau magnétique toroïdal et un balai en graphite mobile que
l’on peut déplacer au moyen d’un bouton de réglage. Le balais glisse sur les spires, et à mesure que le
point de contact se déplace, la tension 𝑉2 augmente proportionnellement au nombre de spires parcourues.
Si la source de tension 𝑉1 est connectée sur une prise fixe englobant 85 % des spires, on peut faire varier
la tension 𝑉2 de 0 à la tension 𝑉1. Ainsi, par exemple, si 𝑉1 = 220𝑉, 𝑉2 pourra varier entre 0 et 220 V.
On préfère l’autotransformateur au rhéostat car, pour une position donnée du curseur, la tension 𝑉2 varie
beaucoup moins avec la charge, et les pertes joule sont bien moindres.
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 Figure 2.21: Schéma de principe d’un autotransformateur variable.

Figure 2.22: Photos d’autotransformateurs variables.

b) Transformateur de tension (TT)

Les transformateurs de tension sont utilisés sur les lignes à haute tension pour alimenter des appareils
de mesure (voltmètre, wattmètre, etc.) ou de protection (relais). Ils servent à isoler ces appareils de la
haute tension et à les alimenter à des tensions appropriées. Le rapport de transformation est choisi de
façon que la tension secondaire soit d’une centaine de volts, ce qui permet l’utilisation d’instruments de
fabrication courante pour la mesure de tension élevées. Le primaire des transformateurs de tension est
branché en parallèle avec le circuit dont on veut connaître la tension. Leur construction diffère très peu
de celle des transformateurs conventionnels. Cependant, leur puissance nominale est généralement faible
(inférieure à 500 VA) de sorte que le volume de l’isolation dépasse souvent celui du cuivre et de l’acier
utilisé. Les transformateurs de tension installés sur les lignes HT sont toujours raccordés entre une ligne
et le neutre. Cela élimine la nécessité d’utiliser deux grosses bornes de porcelaine, une des deux
extrémités de l’enroulement étant reliée à la terre. Par exemple, la figure 2.23 montre un transformateur
utilisé sur une ligne à 140 kV, il comprend une grosse borne (traversée) en porcelain afin d’isoler la
ligne haute tension du boitier qui est mis à la terre. Ce dernier renferme le transformateur proprement
dit.

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 Figure 2.23: Transformateur de tension.

Afin d’éviter le risque de choc électrique en touchant l’instrument de mesure ou un de ses fil de
raccordement, un des fils de l’enroulement secondaire doit systématiquement être relié à la masse
(Figure 2.24).

Figure 2.24: Transformateur de tension: nécessité du branchement du secondaire à la terre.

Le voltmètre ayant une très forte impédance, le transformateur de tension est pratiquement à vide. On a:
𝑉2 𝑁
= 𝑁2, et comme 𝑉1 ≫ 𝑉2, il faut : 𝑁1 ≫ 𝑁2 . L’impédance ramenée au primaire du transformateur de
𝑉1 1
tension sera très grande:

𝑁2 2
𝑍 𝑟𝑎𝑚𝑒𝑛é𝑒 = ( ) 𝑍𝑣𝑜𝑙𝑡𝑚è𝑡𝑟𝑒
𝑁1

c) Transformateur de courant (TI)

Les transformateurs de courant sont utilisés pour ramener à une valeur facilement mesurable les courants
intenses des lignes à haute ou à basse tension. Ils servent également à isoler les appareils de mesure ou
de protection des lignes à haute tension (Figure 2.25). Le primaire de ces transformateurs est monté en
série avec la ligne dont on veut mesurer l’intensité. Ces transformateurs étant employés seulement à des
fins de mesure et de protection, leur puissance sera faible, de l’ordre de 15 à 200 VA. Le courant nominal

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secondaire est généralement compris entre 1 et 5 A. L’emploi des transformateurs de courant sur les
lignes à haute tension est indispensable pour des raisons de sécurité. Le transformateur de courant est
court-circuité par un ampèremètre. Comme, en général, 𝐼2 ≪ 𝐼1 , il faut : 𝑁2 ≫ 𝑁1 . Si 𝑍𝑎𝑚𝑝è𝑟𝑒𝑚è𝑡𝑟𝑒 est
l’impédance de l’ampèremètre, l’impédance ramenée dans le circuit principal

𝑁1 2
𝑍 𝑟𝑎𝑚𝑒𝑛é𝑒 = ( ) 𝑍𝑎𝑚𝑝è𝑟𝑒𝑚è𝑡𝑟𝑒
𝑁2

est très faible et n’entraîne qu’une très faible chute de tension dans le primaire du TI. On ne doit jamais
ouvrir le secondaire d’un TI lorsque le primaire est alimenté. S’il est nécessaire de retirer un instrument
raccordé au secondaire, il faut auparavant mettre le secondaire en court-circuit et ensuite retirer
l’instrument, ou encore, ce qui est souvent plus facile à réaliser, court-circuiter le primaire. Si on ouvre
le circuit secondaire d’un TI, le courant dans le primaire continue à circuler, inchangé, car celui-ci ne
dépend que de la charge du réseau. Les ampères-tours du primaire ne sont plus compensés par ceux du
secondaire, il se produit une saturation du circuit magnétique.

Figure 2.25: Transformateur de courant.

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