DIFFRACTIOl'I CRIST ALLll'IE

-
t d'identifier une structure •
'fT . . 11· . 1 s permettan
, d experimenta e
B •· D 1 raction cnsta me • Les metho 1 cristal.
es nements avec e
. . , '. . de divers rayon lff
cnstallme font appel a I interaction · s · F ormu 1e de Bragg-Wu l ons
. de lans reticu~ l ' li uent ainsi : es ray
l. Reflexion de ra ons X sur une famt!le n reseau cristalhn s exp ql'action de ces rayons
.
Les interferences des R.X pr ovoquees par u bent sur un en· stal · Sous de meme longueur
emis par une anode, ou ray_ons primaires,/?:ibrer et emettent des railon~ayons secondaires.
primaires les atomes du cnstal se metten faible. On les appe et 'b\e que s'il y a
d'onde [Link] d'une intensite beaucoup P uf:s 'ble leur detection n'eS possi
At t extremement ai ,
L'intensite de ces rayons an11;;
1des intensites.
superposition par interference et done cumu
Les plans reticulaires a1, a2, a3, . . . . sont 1.
perpendiculaires au plan de la figure.
Chaque nceud est le siege d'un atome du
cristal. Un faisceau de RX parallele frappe
une serie de plan reticulaires sous un angle
8 (c'est l'angle du rayon incident et du plan
' I

reflecteur et non la normale a ce plan comme

en optique), on l' appelle angle d'inclinaison
incidente.·
Les rayons secondaires emis par le,s atomes · a,
Interferent car ii y a entre eux un decal age_ I). ·
Cette interference aboutit a une augmentation
d' intensite maximale si la difference de marche
(~) est egale a un nombre entier de longueur a3
d'onde ()..), i.e, I).= M avec ~= I, 2, 3, · · ·
pour des interferences const~~ives.
depend de l'inclinaison ~nc1d~nte et de la
distance d entre les plans ret1culaires.
entre les rayons 1 et 2 on a /).. = AC - BC
On a la relation suivante :
dans le triangle ABC on a BC = AC cos 20
2
on obtient /). = AC ( 1 - cos 20) = 2 AC sin 0
CD d
dans le triangle ADC on a d = CD et AC = -.-
sm0. = -:--
sm 0
d'ou L) = nA = ~d .sin 2 0 = 2d sin 0 formule de Bragg-Wulff
sm0

on determine experimentalement l'inclinaison incidente 8 ; connaissant sa valeur et celle de A,

on peut alors determiner la distance d entre les plans reticulaires. La determination de d se fait
avec un rayonnement monochrome (1 unique).

La condition d'interference constructive par des ondes diffusees par les atomes du cristal est
done decrite par la loi de Bragg-Wulff :
« si un rayon incident de longueur d'onde A. rencontre des plans reticulaires d'interval\e d
a
sous l'angle 0, il donnera naissance un rayon diffracte dans la direction du rayon reflechi p~
ces plans sous la condition n1 = 2dsin0 ».
 I DIFFRACTION CRIS TALLINE ]

B.·----==:..!!.!.!~~!!!.!.!l!!:...!•
Diffraction cristalline . · · entales perm
ettant d'identifier une structure
Les methodes expenm ts avec le cristal.
cri st alline font appel a !'interaction de divers rayonnemen
, . . 'ticulaires : Formu le d e Bragg-Wulff
. .
Reflexion de rayons X sur une fam11le de plans re
I. L . ll 'n s'expliquent ams1 : les rayons
. ,
es interferences , par un reseau en sta 'tal
des R.x ·provoquees 1 Sous J'act10n . d e ces rayons
,em1s. par une anode ou rayons pnma1res,
. . t o mbent sur ,un enst des. rayons de meme" Iongueur
. . ' t , ibrer et emetten d .
P~•marres, l~s atomes _du cri_st~l se metten a v . On Jes appelle rayo~s secon , ~tres.
d onde mats d'une mtens1te beaueoup plus _faible. d , ction n'est possible que s 11 y a
L'intensite de ces rayons etant extremement fa1ble, le~r, e1e
superposition par interference et done cumul des intenSites.
Les plans reticulaires a1, a2, a3, . . . . sont
perpendiculaires au plan de la figure. 1.
Chaque nreud est le siege d'un atome du 1.
cristal. Un faisceau de R.X parallele frappe
une serie de plan reticulaires sous un angle
e (c'est I'angle du rayon incident et du plan
reflecteur et non Ia nonnale a ce plan comme
en optique), on l'appeile angle d'inclinaison
incidente. ·
Les rayons secondaires emis par les atomes -
Interferent car ii y a entre eux un decalage ~- at
a
Cette interference aboutit une augmentation
d'intensite maximale si Ia difference de marche
a
(Li) est egale un nombre entier de longueur a
3
d'onde (A), i.e, Li= M avec n= I, 2, 3, ...
pour des interferences constructives.
Li depend de I'inclinaison incidente et de la
distanced entre les plans reticulaires.

On a la relation suivante : entre les rayons 1 et 2 on a = AC - BC

dans le triangle ABC on a BC == AC cos 20
on obtient ~=AC (1 - cos 28) = 2 AC sin 2 8
.
dans le tnangle
CD. == -d-
ADC on a d == CD et AC==--
sin 0 sin 0
d'ou Li== n/4 = ~d .sin 20 == 2d sin 0 formule de Bragg-Wulff
sm0

On determine experimentalement l'inclinaison incidente 0; connaissant sa valeur et celle de l,

on peut alors determiner la distanced entre les plans reticulaires. La determination de d se fait
avec un rayonnement monochrome (A. unique).

La condition d'interference constructive par des ondes diffusees par les atomes du cristal est
done decrite par la loi de Bragg-Wulff:
« si un rayon incident de longueur d'onde A rencontre des plans reticulaires d'interval\e d,
sous I' angle 8, ii donn~~a naissance _a un rayon diffracte dans la direction du rayon reflechi par
ces plans sous la cond1t1on n1 = 2dsm0 ».
 . , , • x c
endant cette reflexion ne peut se faire que pour certaines
Un cnstal peut reflechir les R . · ep 'fl • optique (loi de Snell-Descartes) en
d"1 . C' t des differences avec 1a re ex1on , .
~:t ~~~fice ei~t:;uit par Bragg-Wulff consiste a assimiler chaque plan a un rniroir qm
reflechit.

L es mesures d , angle de di"ffraction permettent seulement de determiner

,. le reseau
· , d duf: cristal.
·
Pour conna'itre la disposition des atomes du motif, des mesures d mtens1tes u a1sceau
diffracte sont necessaires.

2. Diffraction par un reseau cristallin :

a) Reseau reciproque: ·
En cristallographie on fait usage d'un reseau qu' on appelle « reseau
reciproque ». II s'agit d'un concept purement mathematique, introduit par P.P. Ewald en 1921,
qui n'a pas la signification physique du reseau structural. 11 permet de considerer de fa~on pus
pratique les plans cristallins, leurs directions et les intervalles reticulaires.
A partir du reseau reel (ou direct) caracterise par les vecteurs de translation de baseii,b,c, on
peut construire un reseau imaginaire de points tel que chacun de ces points comporte une
relation de reciprocite avec le reseau initial. Le reseau reciproque correspond a l' espace des
vecteurs d'onde.
On designe par a*,b*,c * la base du reseau reciproque, ces vecteurs sont lies a la base a,b,c
du reseau direct par les equations vectorielles :
-* = 2TC
a
b XC
-
a.(b x c)
b* = 2,r c :a
a .(b x c)
_*
C = 2 1C
ax b
-
a .(b x c)

Volume de la maille du reseau direct : V = ii.(b x c)

Volume de la mailJe du reseau reciproque : VR =a * .(b * xc*)
Soit Vn .V = (2,r) 3
Proprietes existantes entre les parametres des deux reseaux :
ii* .ii=2Jr a*.b =O a• .c= O a*normalauplan(b,c)
b*.a= 0 b * .b = 21t ; b • .c = O b •normal au plan (a,c)
c* .a= o c * .b = 0 ; c • .c = 21t c * normal au plan (a,b)
qui peut etre recrit : ej * .ei =21l<5ii =21t quand i =j
=0 quand i j

b) Reseaux reciproques du systeme cubique :

Cubique Simple: a= ai;b =a];c = ak a*= 2 1[ T;b* = 2 1t ];c• = 2 1t k

a a a
,
Le reseau . . 21t
rec1proque est un reseau cubique simple d ' arete
a
. C - a - - - - a
Cu b1que entre : a = (i + j - k t b = (-T + ] + k); c = (i _ ] + k)
2 2
 I

·l -
a -: k-) ==>
a - ·- - a(~ k-)·c--(l +
a = - (i + j);b = - J + ' - 2 _
2 2 2,r - k)
2 _ -· 2" -: + f )· c* = - U - 1 +
a*= "(T+] - k);b* = -;;(-z+J '
a , u cubique centre.
Le reseau reciproque est un resea
Reseau direct eseau direct ont la dimension
Reseau reciproque Les vecteurs du r , , · q
c.s C.S
, eur ([L]), ceux du reseau rec1pro -
c.c C.F.C
dune Joi ndgu1·mensi~n de l'inverse d'une longue-
ue ont a . ' de
C.F.C _1) Le reseau direct est un reseau
C.C
re~~~e r:l OU ordinaire, le reseau ~eciproq-
ue est un re;[Link] de l'espace de Founer.

c) Plans reticulaires du reseau direct et vecteurs du reseau reciproque : ,· 1·

1 ret1cu aires
Soit une famille (hkl) de pan~
du reseau direct, on definit le vecteur d * du reseau reciproque par d* =ha* +kb* +le* .
Le vect eur d- * est perpend1culaire
. au plan (hld) . On 1e consi·d'ere comme le_ vecteur_ de
translation du reseau reciproque (similaire au vecteur du reseau reel r = nJi + n 2 b + n3 c ).
T oute rangee du reseau reciproque est
perpendiculaire a une famille de plans Ona a.d* = 21lh
reticulaires du reseau direct. E.J* = 2JTk
indices de Miller sont egaux aux c.d* = 2JT1
md1ces de la rangee reciproque.
2
Le module du vecteur d* est donne par d* = 1r ou dhkl est la distance entre plans
dhlcl

reticulaires (pour un cube on a d,,1cz = a ). C'est la distance reciproque d* entre

.Jhz +k2 +/2 .
deux nreuds voisins sur une rangee. C'est une distance mesuree par la norme du vecteur
d * ou les hld sont premiers entre eux. C'est l'inverse de la distance dhk.l entre les plans
reticulaires.

3. Condition generale de diffraction par un cristal :

a) Relation de Laue :
Soit un faisceau incident, de longueur d'onde "A,,
dont la direction est definie par le vecteur k0 .
Soit un faisceau diffracte dont la direction est
definie par le vecteur k .

On considere une diffusion elastique :

----6~
lf I lfl
0 =
2
= ; M
( V\ .. 11\2, ¥\:\)
On determine la difference de phase entre les ondes diffusees . ,
(n1, n2, n3) et par l'atome OsitU:e al'origine du reseau. par un atome M s1tue au nceud
 \ I r·.
t::
La difference de mareh
-
e parcourue est :
- - k0 ) avec
5 == -1.(0M)(k -
_ 21[ -
k - -u
- A
8
cl>_~== --.A.(O . - o
et

21[
- 21[ -
k == -uo
o A
M) (k k )
-
La difference de phase est a}ors : - A A G- t appele vecteur de diffusion.
_ (0'1--,,) G Le vecteur es
- - cl> - 21C JVJ .
On pose G == k - ko :::.:> - · t
I

I
Sachant que OM -- nl a+,n/J + nin n d'ti
e
- b- ,c- )
. dans le repere o,a,
m1e
(rangee du reseau n1, 2, 3
. - -- -a)
21[ - E+ n c).G == -21[.(nia.G + n2b.G + n3c.
On a alors <J) == - - .X(n1a + n2 3
A
. 2 == (21tp) + ni(2nq) + n3(21tr)
== -(n1 <l> a + n2 <J)b + n/'P c)
d <J) - 2m s01t nn °1
<J)
Les rayons sont en phase quan - m - 2~ · ••avec··· P,q,r E
z ceux sont les
ct> - 2'1TY1•"et···w - 1
"
II faut done que cl> a == 21T[J" · ' b - '"'1 c

entiers de Laue. .. lles il a diffraction, i.e, quand pour ~es _trois

Ceux sont les conditions de Laue pour lesqueh / ue les entiers de Laue sont defims en
rangees du reseau, tout~s les on!es sont en p ase e q -
posant: p = a.G;q =b.G;r =c.G.
Quand ii y a diffraction, le vecteur de diffu~ion peut i,\re_ considere comme un vecteur du
reseau reciproque d'un plan d'indice p,q,r (e_:1t1ers ~e Laue) .
G=d· = pa" +qb" +re
Ce plan ,dont la trace est dm:ee par la bi~sectrice de I' angle 20 = (k, ,k) . reflechit I' onde

incidente ko dans la direction de diffraction k.

Un plan reticulaire qui possede des indices de Miller (hid) est u~ ?Ian qui satisfait aux
. · d L .. avec p=nh · q=nk · r=nl ou n est le plus grand d1v1seur commun de p,q,r.
cond1t10ns e aue , ,
Les indices de Miller sont done des entiers de Laue.
d 1
Les plans (pqr) sont n fois plus rapproches que les plans (hkl) : d pqr = ;

Le vecteur de diffusion alors a un vecteur du reseau reciproque quand il Y a

Gs'identifie
_ _ -. - \- \ 2rr
diffraction, i.e, Gjoue le role de d" : G = d pqr =pa* +qb *+re* et d * = d
pqr

b) Sphere d'Ewald :
Quand l' angle 0 considere varie, l' extremite du vecteur de diffusion

Gdecrit une sphere de rayon 2,r que l' on peut considerer centree au centre de gravite du
A
cristal. Cette sphere est appelee sphere d'Ewald. La construction geometrique de la sphere
d'Ewald montre qu'il ya diffraction chaque fois qu'un nceud du reseau appartient la surface a
de la sphere. L'ensemble des vecteurs Gdetermine les reflexions des Rayons X possibles.
La construction d'Ewald montre que:
'-i•.. ~~.,,,- k

~ ?&
'

JCI
·2- = \k- \sin. O--.. '\L.. lr
0 • •, - - -
-
2Jr.
sin
0
2d pqr A. --..

car 1I(~1-1-,· I= ;;--

J - c21rpq,
p,,,
or d _ d M1 11 sin 0
11 2d,,., A.
11 A.. = 2dh,·i sin 0 relati on <le Bragg-Wulff
I

Remarque : 2Ti/ I
, CA,.. f( C.. •
,:) ti:.
I
/,A ('QIIL 1
Pour qu ' il y ait diffraction, ii faut que <1> soit -r>
un multipl e entier de 2rr pour tout atome M
du reseau pour des entier n1 n2 n3 quelconques.
La condition necessaire et suffisante est que
!es hkl soient entiers, i.e, que Gsoit un vecteur
du reseau reciproque et que G.l aux plans
reticulaires. G jouc le role de J· avec :
2
G=ha·+ ff/ + le· et \e\= 1r =\ha· +kb.+ let\
dhkl

c) Zones de Brillouin : . 'tation geometrique de la

Les zones de Brillouin donnent une mterpre l h , . des bandes
t f n utilisee dans a t eone
condition de diffraction. C'est la seu_1e cons rue 1~ . d ·tations elementaires
d' energie pour !es electrons clans un cnstal et dans l expression es exci
des cristaux. 2
On a G= f - k 0
ou Gest le vecteur du reseau reciproque avec \f\ = \fo\ = ;
2

G =k - k 0 k =G+ k0 k =kt + 2k .G+ G

2
0
2
or
-2
k =k =-y
-2
0
4.1r - -
2k 0 .G + G - 0
-2 -

lJ
Le vecteur - Gest aussi un vecteur du reseau reciproque, ce qui permet d' ecrire la relation

precedente sous la forme if,{; = (;' qu' on peut 0crire k, ( (;) = ce qui permet de

definir dans le reseau reciproque des plans appeles plans de Brillouin qui ne sont autre que les
plans bissecteurs des vecteurs du reseau reciproque.
La construction de Brillouin met en evidence tous les vecteurs d' onde incidents k 0
auquels le
cristal fait subir une diffraction de Bragg.
On peut tracer les plans mediateurs de tous les vecteurs du reseau reciproque. Ces plans
definissent des regions de l'espace reciproque appelees: premiere, seconde, .. ... zone de
Brillouin.
Dans l' espace 3-D, les zones de Brillouin ont la forme de polyedres dont les faces sont
paralleles aux plans diffractants.
La symetrie du cristal se retrouve dans la forme de la zone de Brillouin consideree.
 llnhire

-
O A : k•

I
_ _· _ ._ ·_.

k • ci•
R61t111u rllcip roqu e

4 . Facteur de structure :
La sphere d'Ewald definit a travers un nreud du reseau une direction
de diffraction mais pas l' intensite des rayons diffractes dans cette direction.
On fait correspondre a chaque plan reticulaire (hkl), un nombre proportionnel a l' amplitude
du rayon diffracte qu'on appellera Facteur de structure.
L'intensite diffusee par un atome resulte de l'intensite diffusee par chacun des electrons. On
definit le facteur de diffusion atomique f qui materialise l'interaction onde-matiere et qui
depend de la nature du rayonnement.
Le facteur d diffusion est du au fait que l' atome n' est pas ponctuel mais est constitue d'un
nuage electronique de densite de charge volumique constante. Chaque electron de ce nuage
diffuse une certaine intensite dont la somme pour tous les electrons donnerait l'intensite
diffusee par l'atome.

Pour le cas d'un atome l'intensite diffusee I est telle que :

Amplitude A::::: /(0)a 0 int ensite : J::::: / 2 (0)1 0 ou Io est l'intensite diffusee par seul e-

Le facteur de diffusion atomique f depend de l'angle 0, il depend aussi du nombre atomique

Z et de la longueur d' onde A.
8
11 existe des tables qui donnent pour les differents atomes la valeur de f en fonction de sin .
;\,

Pour sine = 0,2 le = 10 4 , 4

les intensites en diffraction d'electrons sont 10 fois plus
A JRX
importantes que pour les RX : la diffraction par RX permet une profondeur a analyser de
quelques microns, alors que la diffraction par e- permet une profondeur a analyser de quelques
dizaines d'angstrrems.

Soit un cristal dont le motif contient n atomes definis par leurs coordonnees xi, y i> z i par
rapport aux vecteurs de base a, b, c .
Soit un rayon incident k et un rayon diffracte k, telle que une reflexion sur un plan (hkl) se
G= k -ko = a·
0

produise, i.e, tel que = hii" + kb" + le" OU G est le vecteur du reseau
reciproque.
Soient J;, f 2 , • .• . ,fn les facteurs de diffusion des atomes d' amplitude A1,A2, ..... An .
L'amplitude diffusee par l'atome «i » est Ai = fia 0 ou a 0 est l' amplitude diffusee par un e-.
En notation complexe, pour tous les atomes homologues de « i )), dans le cristal, l' onde
resultante d'amplitude Nfia 0 et de phase cl>i diffractee par les atomes s'ecrit:
 - - 1,,.;;• + kb. + tc·
- -- X- ;a+ y- , b- + Z;C- et G - '"'
r
I
r, I )
,-; ·G- == 21f (hx , + ky '. + z i
,~
I
d , OU·

L ' amplitude de l' onde diffractee par tout le cristal eSt a]ors :
,, , d e a tous les atomes du moff1 .
A == '°'
A.e -;:, .a == ,.,
L...J ,
r - 210c1ix, +1r:y, .. ", l la somme est eten u
,vaoL.,J ,e
. ,~ I l• I
L ' amplitude A de l'onde diffractee peut s'ecrire :
,, F est le facteur de structure.
A == Na 0 F hkl ou F Irk/ = '°'J,
L., 1
exp(-2tri)(hx.
1 + ky, + lz ,)' hk.l
i= I
J A2 ~ F 2 == F:i,/ .Fhkl
On peut ecrire F =: :Z:.t: exp - i(r G)
n
d'ou l'intens1te
· '
~ hkl

. '"'1 ,-1 ; [ '. ]2 [" .r_sm· 2~(hx,. + ky,. + lz ;)T

So1t en dOveloppant : F/;,, = I;,f, cos2K(hx; +ky; + lz;) + L,-J, '" 'J

Exemple de calcul du facteur de structure : •11 t 4 atomes situes en

1) On prend un reseau CFC d'atomes identiques: 4 nc~uds par mat e e
(000), (1/2 1/2 0), (1/2 0 1/2), (0 1/2 1/2).
4

Fhk1 = "'l,.J; exp-27Ii(hx; +ky; +lz;)

i=I

L /; cos 21r(hx + ky + lz;) - tf. / sin 21r(hx

4 4
F hkl = 1 1 1 1 + ky; + lz;)
i~

Les atomes etant identiques on a done / 1 == f d' ou

h+k h+l k+l]
Fhkt = J cos(O) + cos 21r(--) + cos 21r(--) + cos 21r(-
2-) 2
[ 2
. h+k . h+l . k+l]
- if sin( 0) + sm 2;r(--) + sm 21r(-- ) + sm 21r(--)
[ 2 2 2

Les termes en sinus sont nuls quelque soient les h,k,l entiers.
Les termes en cosinus dependent de la parite des h,k,l.
On en tire la Regle de Selection (ou Condition de Diffraction) :
Fhkl = 4 f si h, k, 1 tous pairs ou tous impairs

=O si h, k, 1 de parite mix:te
done F 111 = 4 f et ensuite I : : : F
2
=16f 2
afin de determiner l' intensite.

2) Dans le cas d'un reseau cubique centre avec des atomes identiques : 2 nc~uds par maille et
2 atomes situes en (000) et (1/2 1/2 1/2).
Fhkl = JlI +e - i,r(h+k+l) Fhk, = 2f si h+k+l = entier pair

=0 st h+k+l = entier impair

done il y a diffraction sur le plan (200), ( 100), (222)
il n' y a pas de diffraction sur (100), (300), (111)
 . rs different de zero : tous les
e structure est touJoU
. • le le facteur d
3) Pour le reseau cub1que simp
plans permettent la diffraction des rayons. . .
, gles de selections su1vantes .
, b' ue on a leS re
En resume pour le systeme cu tq .
C S == aucune Fhkl f. 0 toUJ?urs _0
c·c == h+k+l == 2n entier pair alors Fhkt *
C.F:c == h,k,l meme parite alors fhkt f- O

5. Methodes experimentales :
a) Methode des poudres : ( methode Deb~e-Sc~errer) f1'\ ge,O&U

Un faisceau monochromatique frappe un echant11lon monochrorn81iQue

de ray ons X
Film

finement broye contenu dans un tube c~pillair_e. Les

rayons diffractes sont generateurs de cone ~e sur le
rayon incident. L'angle au sommet de ce cone est 20
(angle de Bragg). L'intersection de ce cone e! du film Chnmbre d c D c
bye-Scherrer de diffr.1ct \C'IO
1 ri'-•
.

sensible donne une serie d'anneaux concentnques. des r:.iyons X. L·ech~ntillon est unc poudrc po ye .
rnllinc (Philips Electrooic 1nstrumcntsl.

La relation de Bragg-Wulff est verifiee pour plusieurs

Plans (hkl).Chaque famille de plans diffracte suivant
un ou plusieurs cones (du premier ordre, second ordre,
.... ,selon les valeurs den permises)
Le film ainsi obtenu est enroule suivant un cylindre de ( 0
Rayon R. On verifie que :
..!:_ = 4B(radian) L =4R0(radian)
27/R 2,r
..!:_ = 40(degre) L(mm) = 27LR(mm) .40(degre)
· - · •· Pita obt.- PM•• cMl!IWI 6a d ~ H I _ _ _...
[Link]. ,...,. u__,.,..;. • Ploilpa u.r--= 1..,._u.)
pCl'W .. lill:hlll.

2Jli?. 360 360

On utilise des echantillons tels que 2nR= 360, 240 ou 180 mm.
On peut determiner les intervalles reticulaires dhk.l,
De !'analyse qualitative, il y a identification de substances inconnues, on se sert de fiches
d'identification ASTM (American Society of Testing Materials). Chaque corps a un
diagramme de RX caracteristique.
De !'analyse quantitative, on determine la grosseur des grains, en effet la largeur des raies de
diffraction varie en raison inverse de la taille du grain. On enregistre le spectre I=f(0).

b) Methode de Laue :
C'est historiquement la premiere methode Source de
rayonnement
experimentale utilisee. (o,z. .;- t A_.)
~"'ftc.\ro .. '"'°•Y•"t
Dans cette methode un cristal est maintenu
Tete goniometrique
Immobile dans un faisceau polychromatique
D
de RX. Le cristal diffracte uniquement les
RX ~yant des longeurs d'onde pour lesquelles
Il_existe des plans separes d'une distanced et
telle que la loi de Bragg-Wulff est verifiee.
• • .• •• .. •
Il apparait des taches de diffraction qui
a
correspondent la diffraction de familles de
plans (hkl) qui sont chacune sous un angle de
Bra~ 0.L'angle e est donne par le montage
expenmental.
On a tg20 = flD • • •·
 colli!TIBteUf :Jh ~ - Sortie d-;;
c) M~thode du cristal toumant : (methode de Bragg) rayons X
On fait toumer un cristal autour d'un axe normal _-:--:.::- ·
Entrlte deS
au faisceau monochromatique RX. rayons)(

Les rayons issus de tous les plans paralleles a

1, axe vertical de rotation seront situes clans le
plan horizontal.
Les rayons reflechis par les plans ayant d'autres
orientations seront des generateurs de cones d' axe
vertical.
On imprime au cristal un mouvement de rotation
Autour d 'une direction cristallographique
remarquable [hkl].
Les taches de diffraction se repartissent sur des
cercles, elles deviennent paralleles a la strate
equatoriale lorsque le film est deroule.

obtenue -par rotation du crista1

Radiographie typique
u l'axe c
re

l'espace du reseau
de la methode d'u,n _cristal tournant d ans
rec1proque