Réalisé par : Mohammed Mesbane Ilyass 23017599 , Saad Maaroufi 24006423
TP N°1
TP N°2 Transistor Bipolaire
Introduction
Le transistor bipolaire est l’un des composants électroniques les plus utilisés
dans les circuits analogiques. Il joue un rôle important dans les systèmes d’ampli-
fication et de commutation des signaux électriques.
Le transistor bipolaire possède trois électrodes principales : la base, le collecteur
et l’émetteur.
Dans ce travail pratique, nous avons étudié le fonctionnement du transistor
bipolaire à l’aide du logiciel de simulation OrCAD/PSpice.
Objectifs du TP
— Étudier le fonctionnement du transistor bipolaire.
— Comprendre les régimes statique et dynamique.
— Déterminer les tensions et courants de polarisation.
— Étudier le gain en tension.
— Réaliser des simulations sous OrCAD/PSpice.
Matériel Utilisé
— Résistances électriques.
— Condensateurs électrolytiques.
— Transistor bipolaire NPN.
— Générateur de signal.
— Oscilloscope.
— Alimentation continue.
— Logiciel OrCAD/PSpice.
Procédure de Simulation
Dans cette partie, nous avons réalisé le montage électronique à l’aide du logi-
ciel OrCAD/PSpice. Les différentes étapes suivies pendant la simulation sont
présentées ci-dessous.
2
1. Ouverture du logiciel
Nous avons commencé par ouvrir le logiciel OrCAD Capture CIS afin de
créer un nouveau projet de simulation électronique.
2. Création d’un nouveau projet
Un nouveau projet de type Analog or Mixed A/D a été créé afin de per-
mettre la simulation analogique du circuit électronique étudié.
3. Ajout des bibliothèques
Après la création du projet, nous avons ajouté les bibliothèques nécessaires
contenant les différents composants électroniques utilisés dans le montage.
Ces bibliothèques permettent d’accéder aux :
— Résistances R
— Condensateurs C
— Transistors bipolaires
— Sources de tension
— Masse électrique
3
4. Réalisation du schéma électronique
Nous avons ensuite placé les différents composants électroniques dans l’espace
de travail puis réalisé les connexions électriques entre eux afin d’obtenir le schéma
complet du montage amplificateur.
Schéma du Montage
Le schéma suivant représente le montage amplificateur à transistor bipolaire
étudié au cours de ce travail pratique.
Les différents composants électroniques du montage ont été ajoutés à partir des bi-
bliothèques du logiciel, notamment les résistances, les condensateurs, le transistor
2N2222, les sources de tension ainsi que la masse électrique.
A. Transistor utilisé dans les simulations
Dans cette manipulation, nous avons utilisé un transistor bipolaire NPN faible
puissance de type 2N2222. Avant son utilisation dans les simulations, nous avons
4
consulté la notice technique du composant afin d’identifier ses principales carac-
téristiques électriques.
Les données retenues sont les suivantes :
— La puissance maximale dissipée par le transistor est :
PD = 500 mW
— L’intensité maximale du courant collecteur est :
IC = 600 mA
— La valeur moyenne du gain en courant continu est :
β = hF E ≈ 100
Les données précédentes ont été extraites à partir de la fiche technique du
transistor 2N2222, présentée ci-dessous :
La fiche technique du transistor bipolaire 2N2222 fournit les principales carac-
téristiques électriques nécessaires à l’étude du composant. Elle permet de connaître
5
les limites de fonctionnement du transistor, notamment la puissance maximale
dissipée, le courant collecteur maximal ainsi que le gain en courant continu.
Grâce à ses bonnes performances en amplification et sa large utilisation dans
les circuits électroniques, le transistor 2N2222 est particulièrement adapté aux
montages étudiés dans ce travail pratique réalisé sous OrCAD/PSpice.
B.1 Étude Théorique
Dans cette partie, nous allons déterminer les principales grandeurs électriques
du montage de polarisation du transistor bipolaire 2N2222 en appliquant les lois
fondamentales de l’électronique.
Les données du montage sont :
R1 = 560 kΩ
R2 = 880 kΩ
RC = 1 kΩ
RE = 100 Ω
β = 220
VCC = 22 V
VBE ≈ 0.7 V
1. Calcul de la tension de base VB
Dans le régime actif du transistor bipolaire :
VBE = VB − VE
D’après le polycopié on a :
VBE ≈ 0.6V
La tension d’émetteur est donnée par :
VE = RE × IE
6
Or :
IE ≈ 8.115 mA
Donc :
VE = 100 × 8.115 × 10−3
VE ≈ 0.8115 V
Alors :
VB = VE + VBE
VB = 0.8115 + 0.6
VB ≈ 1.50 V
2. Calcul du courant de base IB
Le gain en courant du transistor est défini par :
IC
β=
IB
Donc :
IC
IB =
β
Avec :
IC ≈ 8.08 mA
et :
β = 220
Application numérique :
8.08 × 10−3
IB =
220
IB ≈ 36.7 × 10−6 A
7
IB ≈ 36.7 µA
3. Calcul du courant collecteur IC
Le courant collecteur est donné par :
IC = β × IB
Application numérique :
IC = 220 × 36.7 × 10−6
IC ≈ 8.07 × 10−3 A
IC ≈ 8.07 mA
4. Calcul de la tension collecteur VC
En appliquant la loi des mailles dans la branche collecteur :
VC = VCC − RC × IC
Application numérique :
VC = 22 − (1000 × 8.07 × 10−3 )
VC = 22 − 8.07
VC ≈ 13.93 V
5. Calcul de la tension VCE
La tension collecteur-émetteur est définie par :
VCE = VC − VE
Application numérique :
VCE = 13.93 − 0.8115
8
VCE ≈ 13.12 V
6. Calcul du gain en courant β
Le gain en courant du transistor est donné par :
IC
β=
IB
Application numérique :
8.07 mA
β=
36.7 µA
β ≈ 220
Les résultats théoriques obtenus sont cohérents avec les valeurs observées lors
de la simulation sous OrCAD/PSpice, ce qui confirme le bon fonctionnement
du transistor bipolaire dans le régime actif linéaire.
B.2 Simulation sous OrCAD/PSpice
Après l’étude théorique, nous avons réalisé le schéma électronique sous le logi-
ciel OrCAD/PSpice afin d’étudier le fonctionnement du transistor bipolaire en
régime statique.
Les différents composants électroniques du montage ont été ajoutés à partir des
bibliothèques du logiciel, notamment les résistances, les condensateurs, le transis-
tor 2N2222, les sources de tension ainsi que la masse électrique.
Le schéma réalisé sous OrCAD/PSpice est présenté ci-dessous :
9
Afin d’effectuer les différentes mesures électriques du montage, nous avons placé
des voltmètres au niveau de l’entrée et de la sortie du circuit.
Le voltmètre placé à l’entrée permet de mesurer la tension appliquée à la base
du transistor, tandis que le voltmètre placé à la sortie permet de mesurer la tension
de sortie au niveau du collecteur.
Nous avons également utilisé les marqueurs de courant proposés par le logiciel
OrCAD/PSpice afin d’observer les différentes valeurs des courants circulant
dans le circuit électronique.
Les résultats obtenus après simulation sont les suivants :
IB = 34.93 µA
IC = 8.08 mA
IE = 8.115 mA
Le gain en courant du transistor est donné par :
IC
β=
IB
Application numérique :
8.08 × 10−3
β=
34.93 × 10−6
10
β ≈ 231
B.3 Comparaison des Résultats
VBE IB IC VCE β
Théorique 0.6 V 36.7 µA 8.07 mA 13.12 V 220
Simulation 0.701 V 34.93 µA 8.08 mA 13.88 V 231
Conclusion
L’étude théorique réalisée à l’aide des lois fondamentales de l’électronique a
permis de déterminer les principales grandeurs électriques du montage telles que
les courants et les tensions de polarisation.
Les simulations effectuées sous OrCAD/PSpice ont permis de visualiser le
comportement réel du transistor et de comparer les résultats théoriques avec les
résultats pratiques obtenus par simulation.
Les résultats obtenus montrent une bonne concordance entre les calculs théo-
riques et la simulation, ce qui valide le bon fonctionnement du montage électro-
nique étudié.
C. Montage Amplificateur Émetteur Com-
mun
C.1 Calcul de la résistance interne rbe
Dans le modèle équivalent du transistor bipolaire en petits signaux, la résis-
tance interne d’entrée du transistor est donnée par :
β × VT
rbe = h11 =
IC
Avec :
β = 231
11
VT = 26mV
IC = 8.08mA
Application numérique :
231 × 26 × 10−3
rbe =
8.08 × 10−3
6.006
rbe =
8.08 × 10−3
rbe ≈ 743Ω
La résistance rbe représente la résistance interne d’entrée du transistor bipolaire
dans le modèle en petits signaux.
C.2 Amplification en tension
L’amplification en tension de l’amplificateur est définie par :
vs
Av =
ve
1. Cas à vide sans condensateur CD
Lorsque la capacité de découplage CD est absente, la résistance d’émetteur
RE intervient dans le fonctionnement dynamique du montage.
L’expression du gain devient :
β × RC
Av0 = −
rbe + (β + 1)RE
Avec :
β = 231
RC = 1kΩ
12
RE = 100Ω
rbe = 743Ω
Application numérique :
231 × 1000
Av0 = −
743 + (232 × 100)
231000
Av0 = −
23943
Av0 ≈ −9.65
2. Cas en charge sans condensateur CD
Lorsque la résistance de charge RL est connectée :
RC //RL
Comme :
RC = RL = 1kΩ
Alors :
1000 × 1000
RC //RL =
1000 + 1000
RC //RL = 500Ω
Le gain devient :
β × (RC //RL )
Av = −
rbe + (β + 1)RE
Application numérique :
13
231 × 500
Av = −
743 + 23200
115500
Av = −
23943
Av ≈ −4.82
3. Cas à vide avec condensateur CD
Lorsque le condensateur CD est présent, la résistance RE est court-circuitée
en régime dynamique.
Le gain devient :
β × RC
Av0 = −
rbe
Application numérique :
231 × 1000
Av0 = −
743
231000
Av0 = −
743
Av0 ≈ −311
4. Cas en charge avec condensateur CD
Le gain devient :
β × (RC //RL )
Av = −
rbe
Application numérique :
231 × 500
Av = −
743
14
115500
Av = −
743
Av ≈ −155
Le signe négatif des différents gains indique un déphasage de :
180◦
entre le signal d’entrée ve et le signal de sortie vs .
C.3 Impédance d’entrée de l’amplificateur
L’impédance d’entrée de l’amplificateur est définie par :
ve
Re =
ie
Dans le montage émetteur commun, l’impédance d’entrée est donnée par le
parallèle entre :
— la résistance R1
— la résistance R2
— la résistance interne du transistor rbe
L’expression théorique devient :
Re = R1 //R2 //rbe
1. Calcul de R1//R2
La formule des résistances en parallèle est :
R1 × R2
R1 //R2 =
R1 + R2
Avec :
R1 = 560kΩ
R2 = 880kΩ
15
Application numérique :
560 × 880
R1 //R2 =
560 + 880
492800
R1 //R2 =
1440
R1 //R2 ≈ 342.2kΩ
2. Calcul de l’impédance d’entrée Re
Nous avons trouvé précédemment :
rbe = 163.8kΩ
Donc :
Re = 342.2k//163.8k
Application de la formule des résistances en parallèle :
342.2 × 163.8
Re =
342.2 + 163.8
56052.36
Re =
506
Re ≈ 110.7kΩ
L’impédance d’entrée de l’amplificateur est donc :
Re ≈ 111kΩ
16
C.4 Choix des valeurs des condensateurs
Les valeurs des condensateurs ont été choisies afin d’assurer un bon fonction-
nement du montage amplificateur à la fréquence utilisée.
— Les condensateurs de liaison CL1 et CL2 de valeur :
10µF
ont été choisis pour permettre le passage du signal alternatif sans atté-
nuation importante tout en bloquant la composante continue.
— Le condensateur de découplage CD de valeur :
100µF
a été choisi afin de court-circuiter efficacement la résistance d’émetteur en
régime dynamique et ainsi augmenter le gain en tension de l’amplificateur.
Ces valeurs sont adaptées à la fréquence de fonctionnement du montage et
permettent d’obtenir une amplification correcte du signal électrique.
C.5 Impédance de sortie
L’impédance de sortie de l’amplificateur est définie par :
vs
Rs =
is
Dans le montage émetteur commun, l’impédance de sortie dépend principale-
ment de la résistance de collecteur RC .
Ainsi :
Rs ≈ RC
Or :
RC = 1kΩ
Donc :
Rs ≈ 1kΩ
L’impédance de sortie du montage est donc voisine de 1 kΩ.
17
C.6 Simulation sous OrCAD/PSpice
Une tension sinusoïdale d’amplitude :
ve = 10mV
et de fréquence :
f = 10kHz
a été appliquée à l’entrée de l’amplificateur.
Après la réalisation du schéma sous OrCAD/PSpice, nous avons configuré
les paramètres de simulation transitoire afin d’observer les signaux d’entrée et de
sortie du circuit. Le temps final de simulation utilisé est 1ms avec un pas maximal
de simulation :
T ST EP = 1 µs
Après la configuration des paramètres, nous avons exécuté la simulation à
l’aide de la commande Run afin d’obtenir les courbes des signaux électriques du
montage.
Les signaux observés montrent que le signal de sortie est amplifié par rapport
au signal d’entrée.
D’après les courbes obtenues sous OrCAD/PSpice, l’amplitude du signal
d’entrée est :
ve = 10mV
18
L’amplitude du signal de sortie observée sur la courbe est approximativement :
vs ≈ 1.2V
L’amplification en tension est donnée par :
vs
Av =
ve
Application numérique :
1.2
Av =
10 × 10−3
1.2
Av =
0.01
Av ≈ 120
Le gain en tension obtenu à partir de la simulation est donc :
Av ≈ 120
Les résultats obtenus montrent également un déphasage de :
180◦
C.7 Influence du condensateur CD
Montage avec condensateur de découplage CD
Dans cette partie, nous avons étudié l’influence du condensateur de découplage
CD sur le fonctionnement de l’amplificateur à transistor bipolaire. Plusieurs simu-
lations ont été réalisées sous OrCAD/PSpice afin de comparer le fonctionnement
du montage à vide et en charge.
Montage avec CD et en charge Circuit à vide
19
Signaux obtenus à vide
Signaux obtenus en charge
Résultats théoriques
Dans le cas du fonctionnement à vide :
RL = 1GΩ
Ainsi :
RC //RL ≈ RC
Le gain à vide théorique est donné par :
βRC
Av0 = −
rbe
Avec :
β = 231
RC = 1kΩ
rbe = 743Ω
Application numérique :
231 × 1000
Av0 = −
743
Av0 ≈ −311
Dans le cas du fonctionnement en charge :
RL = 1kΩ
20
La résistance équivalente devient :
1000 × 1000
RC //RL =
1000 + 1000
RC //RL = 500Ω
Le gain théorique en charge est donné par :
β(RC //RL )
Av = −
rbe
Application numérique :
231 × 500
Av = −
743
Av ≈ −155
Comparaison des résultats
Les résultats obtenus par simulation sous OrCAD/PSpice sont globalement
proches des résultats théoriques calculés précédemment.
À vide (RL = 1GΩ), le gain obtenu par simulation est approximativement :
Av0(sim) ≈ −250
ce qui reste proche de la valeur théorique :
Av0(th) ≈ −311
En charge (RL = 1kΩ), le gain obtenu par simulation diminue à cause de l’effet
de la résistance de charge sur le montage amplificateur.
Les écarts observés entre les valeurs théoriques et simulées proviennent princi-
palement du modèle réel du transistor 2N2222 utilisé dans OrCAD/PSpice.
Dans tous les cas, le signal de sortie présente un déphasage de :
180◦
par rapport au signal d’entrée, ce qui confirme le fonctionnement correct de
l’amplificateur à émetteur commun.
21
C.7 Influence du condensateur CD
Montage sans condensateur de découplage CD
Dans cette partie, nous avons étudié le fonctionnement de l’amplificateur sans
le condensateur de découplage CD. Plusieurs simulations ont été réalisées sous
OrCAD/PSpice afin de comparer le fonctionnement du montage à vide et en
charge.
Montage sans CD en charge
Montage sans CD à vide
Signaux obtenus en charge Signaux obtenus à vide
Résultats théoriques
Dans le cas du fonctionnement à vide :
βRC
Av0(th) = −
rbe + (β + 1)RE
Avec :
β = 231
RC = 1kΩ
RE = 100Ω
rbe = 743Ω
22
Application numérique :
231 × 1000
Av0(th) = −
743 + (232 × 100)
Av0(th) ≈ −9.65
Dans le cas du fonctionnement en charge :
1000 × 1000
RC //RL =
1000 + 1000
RC //RL = 500Ω
Le gain devient :
β(RC //RL )
Av(th) = −
rbe + (β + 1)RE
Application numérique :
231 × 500
Av(th) = −
743 + (232 × 100)
Av(th) ≈ −4.82
Résultats de simulation
Les valeurs obtenues par simulation sous OrCAD/PSpice sont calculées à
partir de :
vs
Av =
ve
À vide :
ve = 10mV
vs ≈ 100mV
Application numérique :
23
100mV
Av0(sim) =
10mV
Av0(sim) ≈ −10
En charge :
ve = 10mV
vs ≈ 50mV
Application numérique :
50mV
Av(sim) =
10mV
Av(sim) ≈ −5
Sans CD Avec CD
RL=1kΩ Gain à vide Av0 Gain en charge Av Déphasage Gain à vide Av0 Gain en charge Av Déphasage
Théorique −9.65 −4.82 180◦ −311 −155 180◦
Simulation −10 −5 180◦ −250 −120 180◦
C.8 Influence de la charge RL
Dans cette partie, nous allons étudier l’influence de la résistance de charge RL
sur l’amplification en tension de l’amplificateur à émetteur commun.
Le gain en tension du montage avec condensateur de découplage CD est donné
par :
β(RC //RL )
Av = −
rbe
Avec :
β = 231
RC = 1kΩ
24
rbe = 743Ω
La résistance équivalente est donnée par :
RC × RL
RC //RL =
RC + RL
1. Cas RL = 0.5kΩ
1000 × 500
RC //RL =
1000 + 500
RC //RL ≈ 333Ω
231 × 333
Av = −
743
Av ≈ −103
2. Cas RL = 1kΩ
1000 × 1000
RC //RL =
1000 + 1000
RC //RL = 500Ω
231 × 500
Av = −
743
Av ≈ −155
3. Cas RL = 1.5kΩ
1000 × 1500
RC //RL =
1000 + 1500
25
RC //RL = 600Ω
231 × 600
Av = −
743
Av ≈ −186
4. Cas RL = 2kΩ
1000 × 2000
RC //RL =
1000 + 2000
RC //RL ≈ 667Ω
231 × 667
Av = −
743
Av ≈ −207
5. Cas RL = 5kΩ
1000 × 5000
RC //RL =
1000 + 5000
RC //RL ≈ 833Ω
231 × 833
Av = −
743
Av ≈ −259
6. Cas RL = 10kΩ
1000 × 10000
RC //RL =
1000 + 10000
26
RC //RL ≈ 909Ω
231 × 909
Av = −
743
Av ≈ −282
7. Cas RL = 100kΩ
1000 × 100000
RC //RL =
1000 + 100000
RC //RL ≈ 990Ω
231 × 990
Av = −
743
Av ≈ −308
Simulation pour RL = 0.5kΩ
Circuit simulé Signal d’entrée et de sortie
Les résultats de simulation montrent que le signal de sortie est amplifié et
inversé par rapport au signal d’entrée.
ve = 10mV
vs ≈ 1V
vs
Av =
ve
27
1
Av =
10 × 10−3
Av ≈ −100
Le signe négatif indique un déphasage de 180◦ .
Simulation pour RL = 1kΩ
Circuit simulé Signal d’entrée et de sortie
Les résultats de simulation montrent que le signal de sortie est amplifié et
inversé par rapport au signal d’entrée.
ve = 10mV
D’après la courbe obtenue :
vs ≈ 1.3V
L’amplification en tension vaut :
vs
Av =
ve
1.3
Av =
10 × 10−3
1.3
Av =
0.01
Av ≈ −130
Simulation pour RL = 1.5kΩ
28
Circuit simulé Signal d’entrée et de sortie
Les résultats de simulation montrent que le signal de sortie est amplifié par
rapport au signal d’entrée.
ve = 10mV
D’après la courbe obtenue :
vs ≈ 1.5V
L’amplification en tension vaut :
vs
Av =
ve
1.5
Av =
10 × 10−3
1.5
Av =
0.01
Av ≈ −150
Simulation pour RL = 2kΩ
Circuit simulé Signal d’entrée et de sortie
Les résultats de simulation montrent que le signal de sortie est amplifié par
rapport au signal d’entrée.
29
ve = 10mV
D’après la courbe obtenue :
vs ≈ 2V
L’amplification en tension vaut :
vs
Av =
ve
2
Av =
10 × 10−3
2
Av =
0.01
Av ≈ −200
Simulation pour RL = 5kΩ
Circuit simulé Signal d’entrée et de sortie
Les résultats de simulation montrent que le signal de sortie est amplifié par
rapport au signal d’entrée.
ve = 10mV
D’après la courbe obtenue :
vs ≈ 2.5V
L’amplification en tension vaut :
vs
Av =
ve
30
2.5
Av =
10 × 10−3
2.5
Av =
0.01
Av ≈ −250
Simulation pour RL = 10kΩ
Circuit simulé Signal d’entrée et de sortie
Les résultats de simulation montrent que le signal de sortie est davantage am-
plifié lorsque la résistance de charge augmente.
ve = 10mV
D’après la courbe obtenue :
vs ≈ 3V
L’amplification en tension vaut :
vs
Av =
ve
3
Av =
10 × 10−3
3
Av =
0.01
Av ≈ −300
Simulation pour RL = 100kΩ
31
Circuit simulé Signal d’entrée et de sortie
Les résultats montrent que l’amplification devient maximale pour une très
grande résistance de charge.
ve = 10mV
D’après la simulation :
vs ≈ 3.2V
L’amplification en tension vaut :
vs
Av =
ve
3.2
Av =
10 × 10−3
3.2
Av =
0.01
Av ≈ −320
RL (kΩ) 0.5 1 1.5 2 5 10 100
Av Théorique -103 -155 -186 -207 -259 -282 -308
Av Simulation -100 -130 -150 -200 -250 -300 -320
Table 1 – Comparaison entre les résultats théoriques et les résultats de simulation
Comparaison entre les résultats théoriques et les résultats de simula-
tion
Les résultats obtenus expérimentalement par simulation sont très proches des
valeurs théoriques calculées.
32
On constate que le gain en tension Av augmente lorsque la résistance de charge
RL augmente.
Pour les faibles valeurs de RL , la charge absorbe davantage de courant, ce qui
réduit l’amplification du montage.
Lorsque RL devient grande, l’effet de charge diminue et le gain augmente pro-
gressivement.
Les légères différences entre les valeurs théoriques et simulées proviennent prin-
cipalement :
— des approximations utilisées dans les calculs théoriques ;
— du modèle réel du transistor utilisé dans PSpice ;
— des effets internes du transistor.
Les courbes obtenues montrent également que le signal de sortie est inversé
par rapport au signal d’entrée, ce qui confirme le fonctionnement classique d’un
amplificateur à émetteur commun avec un déphasage de 180◦ .
Discussion des performances de l’amplificateur étudié
L’amplificateur à émetteur commun étudié présente plusieurs caractéristiques
importantes.
RE : rsistanced′ metteur
La résistance RE améliore la stabilité thermique du transistor et stabilise le
point de fonctionnement.
RS : rsistancedesortie
La résistance de sortie reste relativement élevée, ce qui rend le montage sensible
à la charge connectée en sortie.
Av : gainentension
Le montage fournit une amplification importante du signal d’entrée.
Le gain dépend directement de la résistance de charge RL .
Limitations de l’amplificateur à émetteur commun
Malgré ses avantages, ce montage présente certaines limitations :
— présence d’un déphasage de 180◦ entre l’entrée et la sortie ;
— sensibilité du gain à la charge RL ;
— distorsion possible pour les grandes amplitudes ;
— stabilité limitée si la polarisation est mal choisie ;
— influence des capacités parasites aux hautes fréquences.
33
Conclusion
Cette étude a permis de mettre en évidence le fonctionnement d’un amplifica-
teur à émetteur commun utilisant un transistor bipolaire.
Les résultats théoriques et les simulations obtenues sous PSpice sont cohérents
et montrent une bonne amplification du signal d’entrée.
L’influence de la résistance de charge RL sur le gain a également été observée :
plus RL augmente, plus le gain devient important.
Conclusion générale
Au cours de ce TP, nous avons étudié le fonctionnement du transistor bipolaire
en régime amplificateur ainsi que les principales caractéristiques de l’amplificateur
à émetteur commun.
Les différentes simulations réalisées sous PSpice ont permis de comparer les
résultats théoriques avec les résultats pratiques et de vérifier le comportement
réel du montage étudié.
Ce travail nous a permis de mieux comprendre :
— la polarisation du transistor ;
— le rôle des différents composants ;
— l’influence de la charge sur le gain ;
— le phénomène de déphasage entre l’entrée et la sortie.
Enfin, après ce TP, nous avons poursuivi nos travaux pratiques par l’étude
du transistor à effet de champ (TEC), afin de comparer les performances des
différents types de transistors utilisés en électronique analogique.
34