Table des matières
1. Introduction
2. Les caractéristiques électriques du panneau solaire
3. Méthodes de modélisation
4. Implémentation en Python et MATLAB
5. Simulation sous Simulink
6. Conclusion
Chapitre 1 : Les caractéristiques électriques
du panneau solaire
Les caractéristiques I-V/P-V d'une cellule, module ou groupe photovoltaïque (PV)
donné, en montrant en détail sa capacité et son efficacité de conversion de l'énergie solaire.
Connaître les caractéristiques électriques I-V (et surtout Pmax) d‟une cellule ou d‟un
panneau solaire est très important pour déterminer les performances de sortie et l‟efficacité
solaire de l‟appareil.
[Link] système photovoltaïque :
Un générateur photovoltaïque GPV produise de l'énergie lorsqu'il est exposé au
soleil à partir des radiations solaires, le système est composé des éléments qui sont
nécessaires pour conduire, contrôler, convertir, distribuer et stocker correctement l'énergie
produite par le générateur, comme montre le schéma de la figure (II.1) [19]:
Figure II. 1 : Composants d’un système photovoltaïque.
Un générateur solaire, composé par un ensemble de panneaux photovoltaïques, qui
recueillent les radiations lumineuse du soleil et les transforment en courant continu à basse
tension (12 ou 24 V).
Un accumulateur, souvent utilisé dans les systèmes photovoltaïques pour stocker
l‟énergie produite par le générateur photovoltaïque pendant la journée et pour alimenter au
besoin en électricité (pendant la nuit et par temps nuageux).
Un régulateur de charge, pour but d'éviter des surcharges ou des décharges excessives de
l'accumulateur, qui produirait des dommages irréversibles ; et aussi pour assurer que le
système travaille toujours à l'efficacité maximale.
Un inverseur (facultatif), pour la conversion DC/AC donc le courant continu de 12 ou 24 V
stockée dans l'accumulateur, en courant alternatif de 230 V. [20]
[Link] cellules photovoltaïques :
Les cellules photovoltaïques (PV) ou solaires, comme on les appelle souvent, sont
des dispositifs à semi-conducteurs qui convertissent la lumière du soleil en électricité à
courant continu (DC). [21]
Figure II. 2 : Schéma d'une cellule photovoltaïque.
Une cellule PV au silicium typique est composée d'une tranche mince constituée d'une
couche ultra-mince de silicium dopé au Phosphore (type N) au-dessus une couche plus
épaisse de silicium dopé au Bore (type P). Une jonction P-N est formée quand les
semiconducteurs de type n et de type p sont placés en contact. Lorsque la lumière
solaire arrive à la surface d'une cellule photovoltaïque, cela provoque un champ
électrique fort et permanent à proximité de la jonction, ce champ électrique fournit une
impulsion et une direction aux électrons stimulés par la lumière, entraînant un flux de
courant lorsque la cellule solaire est connectée à une charge électrique.[22]
Figure II. 3 : La jonction PN.
Figure II. 4 : Schéma électrique équivalant d’une cellule PV.
L‟équation caractéristique est déduite d‟une manière directe à partir de la loi de Kirchhoff
(II.1)
(II.2)
( II.3)
( II.4)
( II..5)
I: Courant générer par la cellule photovoltaïque ;
Iph :Photo courant créer par la cellule ;
Id: Le courant circulant dans la diode ;
Ish: Le courant circulant dans la résistance ;
K :La constante de Boltzmann (1,381. joule/Kelvin) ; q
: La charge d'électron (1,602. C) ;
Tc : La température du module PV en kelvin ;
A : Le facteur d‟idéalité de la jonction (1<A<2).
II.3.1. Différents types de cellules PV
Tableau II. 1 :Caractéristiques énergétique des différents types de PV [23]
Technologies Monocristallin Polychristallin Amorphe
Cellule et
module
Caractéristiques • Très bon rendement 14 à • Rendement faible: 5 à 9%
20% • Bon rendement :11 à15 • Durée de vie :20 ans
• Durée de vie : 30ans % • Cout de fabrication : Peu
• Cout de fabrication :élevé • Durée de vie : 30 ans onéreux par rapport aux
• Puissance : 100 à • Cout de autres technologies
2 2
Puissance :50Wc/𝑚2,16𝑚2
150Wc/𝑚 ,7𝑚 /KWc fabrication :
•
meilleur marché que les
• Rendement faible sous un /K Wc
monocristallins
faible éclairement. Fonctionnement correct avec
Puissance : 100 8𝑚2 /K
•
•
• Perte de rendement avec un éclairement faible..
l‟élévation de la Wc
• Peu sensible aux
température. • Rendement faible sous
températures élevées
un faible éclairement
• Fabrication : élaborés à Utilisable, souple.
partir d‟un bloc d silicium • Perte de rendement avec • Surface de panneaux plus
fondu qui s‟est solidifié l‟élévation de la
importante que les autres
température
en formant un seul cristal. panneaux au silicium.
• Fabrication : élaborés à
• Couleur bleue uniforme. • Fabrication :couches très
partir de silicium de minces de silicium qui sont
qualité électronique qui appliquées sur du verre, du
plastique souple ou du métal,
en se refroidissant forme par un procédée vaporisation
plusieurs cristaux. sous vide.
• Ces cellules sont bleu
mais non uniforme : on
distingue des motifs
créés par les différents
cristaux.
Part de marché 43% 47% 10%
[Link] caractéristiques électriques d’une cellule PV :
Les caractéristiques électriques d'un module photovoltaïque sont résumées dans la
relation entre le courant de sortie et la tension I=f(V), comme montre la figure suivante [24]
Figure II. 5 : la caractéristique électrique I=f(V)
La figure (I.5) représente trois zones essentielles [25] :
Figure II. 6 : Les différentes zones de Caractéristique I(V) entre générateur et module
Zone 1 GPV fonctionne comme un générateur de courant.
Zone 2 la région intermédiaire entre les deux zones précédentes (caractérisé par une
puissance maximale).
Zone 3 le générateur est assimilable à un générateur de tension.
Les courbes caractéristiques I-V des cellules solaires résument la relation entre le courant et
la tension en série ou en parallèle sont montés sur la figure (II.19).[26]
Figure II. 7 : Caractéristiques électriques d’un module photovoltaïque
[Link] série :
La connexion de Ns cellules ou de modules identiques en série (figure(II.18)), permet
d‟augmenter la tension, le courant reste le même mais proportionnellement au nombre de
modules en série. La caractéristique résultante du groupement Par addition des tensions
élémentaires de chaque cellule.[27]
VocNs= Ns xVco (II.6) IscNs= Isc
(II.7)
VocNs : Tension du circuit ouvert de Ns cellules en série.
IscNs : Somme des tensions en circuit ouvert de Ns cellules en série.
[Link] en parallèle
La connexion parallèle de Np cellule (figure(II.18)) où les cellules sont soumises à la même
tension et la caractéristique résultant du groupement est obtenue par addition des courants
et la caractéristique résultante du groupement est obtenue par addition des courants.[28]
Vco= VcoNp (II.8)
IscNs = Np x Is (II.9)
VocNp: Tension du circuit ouvert de Np cellules en parallèle.
IscNs : Somme des courants de courts circuits de Np cellules en parallèle.
II.3.2.3 Les paramètres d’une cellule PV
Les caractéristiques d‟un module photovoltaïque sont caractérisées par un certain nombre
de paramètres extraits des caractéristiques courant-tension, permettent de comparer
différents modules éclairés dans des conditions identiques données comme suit :
• Courant de court-circuit Isc : est le courant maximal à tension nulle, fourni par le
générateur photovoltaïque lorsque le module est en court-circuit. Cette valeur est
beaucoup plus élevée que Imp.
[II.10]
Dans la majorité des cellules, la résistance série est faible si bien qu‟on peut négliger le
terme
[II.11]
On obtient :
𝑠 = �� �
𝑝𝑣
�
1+��
�
𝑐
� �ℎ
� [II.12]
��
Quantitativement, il a la plus grande valeur du courant généré par la cellule
(pratiquementIsc=Iph).
• Tension de circuit ouvert Voc : est la tension maximale fournie par le module
lorsque les bornes ne sont connectées à aucune charge. (c‟est la tension maximale
d‟une photopile ou d‟un générateur photovoltaïque).
[II.13]
Mais dans le cas idéal la valeur Voc est
[II.14]
• Point de puissance maximale MPP : est la puissance fournie par le module
connecté à une charge (résistance externe placée aux bornes du module). Cette
puissance est maximale (notée Pmax).
= x [II.15]
Figure II. 8 : Courant généré par une cellule PV en fonction de la tension aux bornes de la cellule PV.
VOC (V) : Tension de circuit ouvert mesurée aux bornes de la cellule PV.
ISC (A) : Intensité de court-circuit mesurée aux bornes de la cellule
P max idéale (W) : Puissance mesurée aux bornes de la cellule PV
• Rendement : Le rendement d'un générateur photovoltaïque correspond au rapport
entre la puissance électrique maximale que le générateur peut produire et le niveau
d'irradiance solaire atteignant le générateur. Le rendement d'un générateur solaire
typique est généralement faible (10-12%), en fonction du type de cellules utilisées.
𝑃𝑚𝑎𝑥
ŋ [II.16]
Avec Pinc est égale au produit de l‟éclairement et de la surface totale du module PV.
Ce paramètre reflète la qualité de conversion de l‟énergie solaire en énergie électrique.
• FF facteur de remplissage :
Le facteur de remplissage ou facteur de forme est le rapport entre la puissance
maximale fournit par le module, et le produit du courant de court-circuit par la tension
de circuitouvert (c'est-à-dire la puissance maximale d‟une cellule idéale). Le facteur de
forme indique la qualité de la cellule.
[II.17]
Figure II. 9 : Facteur de forme pour une cellule PV
[Link] paramètres qui influent sur les
caractéristiques électriques de la cellule
Les caractéristiques électriques d'une cellule PV dépendent de plusieurs paramètres
l'éclairement, la température de la jonction au niveau de la surface exposée.
[Link] de la température de la cellule :
Les cellules photovoltaïques étant destinées à fonctionner à l‟extérieur, un éclairement
(G=1000W/m2) pour différentes température (25°C, 50°C ,75°C ,100°C) l‟élévation de la
température provoque une diminution de la tension et une augmentation du courant. Et par
contre la puissance maximale du générateur subit une diminution lorsque la température
augmente. On obtient des caractéristiques électriques ainsi qu‟illustrée ci-dessous : [29]
Figure II. 10 : Caractéristique I-V /P-V d'un module pour différentes valeurs de température.
1.3.2 .Effet de l’éclairement sur la cellule photovoltaïque
[Link] de l’éclairement :
Une température constante (25°C) à différents éclairements on remarque que le courant de
la cellule dépend fortement de l‟irradiation solaire, quand l'éclairement augmente, le courant
de
court-circuit augmente, mais par contre la tension varie légèrement. Le photo-courant I
est ph
proportionnel aux flux lumineux Φ, et la surface de cellule S.[30]
Figure II. 11 : Caractéristique I-V /P-V d'un module pour différentes valeurs de
l’éclairement.
[Link] de la résistance série:
La résistance série agit sur la pente de la caractéristique dans la zone où la photodiode
qui se comporte comme un générateur de tension, et lorsqu'elle est élevée ,la valeur du
courant de court-circuit diminue (𝐼s𝑐) voir figure (III-12) et figure
Figure II. 12 : Caractéristique I-V /P-V d'un module pour différentes valeurs de Rs.
II.4. Conclusion :
Dans la première partie de ce chapitre, nous avons présenté le système photovoltaïque et
l‟effet photovoltaïque d‟une cellule solaire ainsi que ces différents types. Ensuite nous avons
montré les caractéristiques électriques de PV et l‟assemblage de plusieurs panneaux PV
séries et / ou parallèle.
Dans le chapitre suivant on vas simuler le traceur développé sous Proteus profesionelle 8
Chapitre 2 : Méthodes de modélisation
Modélisation de panneau photovoltaïque (PV)
Bienquelesprixdesmodulesphotovoltaïquesaientchutéde74 %de1995à2011[13],
lecoûtinitiald’unsystèmephotovoltaïqueestencorerelativementélevé.Uneévaluation
précisedescaractéristiquesélectriquesestdoncindispensableàlaconceptiondusystème [14].
Les fabricants de PV fournissent habituellement les caractéristiques électriques
typiquesdeleursmodulesPV,tellesquelecourantaupointdepuissancemaximum(MPP) Imp, la
tension au niveau de la MPP Vmp, la puissance au niveau de la MPP Pmax, la
[Link]ésau
niveaudesconditionsd’essaistandard(STC)quicorrespondentàunmoduletempérature
de25etirradiancede1000W/m²à1,5distributionspectraledemassed’[Link]
caractéristiques de courant et de tension (I-V) figure 2.1 sous plusieurs tests différents
conditionspeuventégalementêtreprésentéesparlesfabricants.
ToutdispositifPVpeutêtremodéliséàl’aidedesmodèlesdecircuitéquivalents[8].Ces modèles
électriques, qui permettent de prédire les caractéristiques I-V d’une cellule ou
d’unmodulePVdansunenvironnementdetravailautrequelesSTC,sontdesoutilsde performance
prédictive qui permettent aux concepteurs de systèmes PV de comprendre, d’optimiser et
de développer des systèmes de production d’énergie PV. Elles sont
largementappliquéespourestimersiunsystèmedeproductiond’électricitéphotovoltaïqueest
économiquementfaisable.Récemment,denombreusestechniquesMPPTontétéproposées
pour surmonter les problèmes causés par les conditions d’ombrage partiel et l’évolution
rapide conditions environnementales [15], [16]. Par exemple, Chen et al. ont utilisé
l’optimisationdesmaraisdeparticules(PSO)modéliséepourrechercherleGlobalMaximum
PowerPoint(GMPP).En[17],[18],leréseauPVétaitenreconstructionadaptative représenté par
un algorithme de contrôle intégré avec des modèles de modules PV émulés. Ces méthodes
ont mis en évidence la nécessité d’un modèle électrique
photovoltaïquefiableavecunegrandeprécisionmaistrèscomplexe.
Signi ne pas faire de recherche . Des essais ont été réalisés pour développer des modèles
électriquesdesystèmesphotovoltaïques[15].Cesmodèlescomprennentdesmodèlesanalytique
s fondés sur la physique des cellules photovoltaïques, des modèles empiriques et une
combinaison de ces deux approches [8]. Leurs expressions mathématiques formulent
lecourantterminalIaveclescaractéristiquestechniqueslespluscrucialesetlesvariables
d’environnement, telles que la tension terminale V , la température ambiante T, et
l’irradiance G. Même si les autres facteurs d’environnement (p. ex., poussière et vitesse du
vent)peutmodifierlescaractéristiquesélectriquesdesmodulesPV,ilesttoutàfaitimpossiblepour
obtenirunmodèlequitientcomptedechaqueeectsurlaperformanced’un
modèlePV[15].Parmilesnombreusesapprochesdemodélisation,.Lemodèlemono-diode
(SD)estgénéralementconsidérécommeounboncompromisentresimplicitéetprécision [7].
Compte tenu de la perte de recombinaison dans la région d’épuisement, Sah [19] a
introduitunmodèleplusprécisappelémodèleàdoublediode(DD)..
En conséquence, un effort de calcul plus important est nécessaire pour dans les trois
prochaines sous-sections, nous présenterons une variété de modèles électriques
photovoltaïques,ycomprislemodèlelemodèleSDetlemodèleDD..
Fig. 2.1 : Caractéristique courant-tension etCaractéristique puissance-tension d’un
modulephotovoltaïque.
2.2.1 Modèle à une seule diode
Comme indiqué dans [12], le courant de sortie I dépend de la résistance de contact dû
base métallique avec la couchep semi-conducteur, les résistances des corps p et n, la
résistancedecontactdelacouchenaveclagrillemétalliquesupérieure,etlarésistancede
[Link]àpeuprèsreprésentéesparlarésistancedesé[Link],le
shuntrésistanceRpexisteprincipalementenraisonducourantdefuitedelajonctionp-n
etdépendsurlaméthodedefabricationdelacellulePV[14].Entenantcomptedeseffets
dessériesrésistance,Townsend[20]aprésentéunmodèledecircuitensupposantquela résistance
de shunt est infini. Dans cette thèse, ce modèle est nommé modèle simplifié à
diodeunique(SSD)etsavaleurdecourantterminalestdonnéepar:
(2.1)
Du e et Beckman [21] ont amélioré le modèle SSD en y ajoutant un parallèle résistance
danslemodèledecircuitéquivalent,appelémodè[Link]-Vestdonnéeparla
formulesuivante.
(2.2)
Le schéma électrique correspondant du modèle SD est illustré à la figure (2.2). Dans la
littérature existante, le modèle SD est fréquemment utilisée dans la modélisation et la
simulationPV[10],[22].
Plus récemment, ces modèles PV sont fréquemment utilisés pour faciliter l’optimisation
entempsréeldel’énergiePV[6],[23].Lebesoincroissantd’estimationdelaperformance à grande
vitesse a suscité un intérêt renouvelé pour l’application du modèle SSD et du
modè[Link],leurexactituden’[Link],laracineitérative
fastidieuseLesméthodesterminales(méthode Newton-Raphson)sontencore nécessaires dans
le modèle SD et le modèle SSD pour résoudre les relations I-V transcendantales implicites.
Fig. 2.2:Schémaélectriquedumodèleàunediode.
2.2.2 Modèle à double diode
Les caractéristiques sombres des cellules PV ont été intensivement étudiées par de
[Link]èleDD,ladeuxièmediode,enparallèleavecleRest,est
utilisépourmodéliserlarecombinaisonDanslazonedechargespécial[24].Lafigure2.3
présentelegraphiqueélectriquede
Quantité
nomdumodèle paramètres équationdemodèle
dediodes
V
ModèleISD 1 I ph ,I o1 ,A 1 I=I ph − I o1 e A 1 v 2 − 1 (2.4)
V + IR s
ModèleSSD 1 I ,I ,A 1,Rs I=I ph − I o1 e A 1Vt
− 1 (2.5)
ph o1
V + IR s
I = I ph − I o1 e − 1 A 1Vt
I ph ,I o1 ,A 1,
ModèleSD 1 V + IR s (2.6)
Rs,Rp −
Rp
Fig. 2.3:Schémaélectriquedumodèleàdoublediode. V + IR s
I = I ph − I o1 e A 1 V t − 1
I ph ,I o1 ,A 1,
ModèleDD 2
lemodèleàdoublediode;sonmodèleélectriqueestexpriméenéquation(2.6):
V + IR s
V + IR s (2.7)
I o2 ,A 2,Rs,Rp − I o2 e A 2 V t − 1 −
Rp
(2.3)
Tab. 2.1:Propriétésdediversmodèlesélectriquesphotovoltaïques
où Io1 et Io2 sont les courants de saturation inverse dû première et deuxième
diode;[Link]ême,lesconstantesd’idéalitédesdeuxdiodessontdénotéespar A1 et
[Link]èrentquelemodèleDDestplusprécisquelemodèleSD,
maisblâmépourêtreimprécisenparticulieràdefaiblesniveauxd’irradiance[25].
2.2.3 Modèle de module PV
Dans un grand système de production photovoltaïque, les modules photovoltaïques sont
utilisés en tant que composants de base à la place. Les cellules PV, parce que la
puissancedesortiedescellulesPVestlimitéeà[Link] ont
développé le modèle de module PV afin de prédire les caractéristiques II avant de
modélisertoutlesystème[25].
Le module PV est un assemblage intégré et connecté de cellules PV. En supposant qu’il y
a Ns cellules connectées dans un module, la tension de sortie et la résistance du
modulesontmisesàl’échelleconformémentauxrèglessuivantes
V ′ = Ns · V
I′ = I
(2.8)
Rs′ = Ns · Rs
Rp′ = Ns · Rp
où V’, I’, R’s , et R’p ici représentent la tension de bornes, la résistance de série et
résistancededérivationdumodulePV,[Link]èssubstitutiondesrèglesde
miseàl’échelledel’équation(2.8),nousobtenonsleséquationssuivantespourunmodule PV ;
(2.9)
(2.10)
(2.11)
(2.12)
Dans cette mémoire , seuls le modèle SD est considéré puisque le modèle est
fréquemmentutilisédanslamodélisationPVetlecontrôledusystè[Link]édela
description, les modèles de prévision de la relation I-V des cellules et modules PV sont
abrégéscommesuit:suit:
[Link]:modèleàunediode; [Link]:modèledemoduleàunediode.
l’estimation des paramètres pour Modèles
photovoltaïque
Comme discuté dans la section des aperçus, les modèles électriques PV impliquent une série
de paramètres. Ces modèles ne peuvent pas être utilisés directement en raison de l’absence
de paramètres de modèle appropriés à la caractérisation des cellules PV. L’estimation des
paramètres est une discipline qui fournit des outils pour estimer les constantes apparaissant
dans le modèle. Avec les paramètres obtenus de cette façon, la différence entre les données
simulées et expérimentales peut être minimisée.
Dans la littérature, les méthodes conventionnelles d’estimation des paramètres sont classées
en deux catégories principales :
i. Techniques d’analyse ;
ii. Techniques d’extraction numérique.
2.3.1 techniques analytiques
Une technique analytique utilise des équations mathématiques pour décrire les
paramètres des modèles électriques PV. Il y a beaucoup de recherches sur le traitement du
problème de l’estimation des paramètres par des expressions analytiques en termes de
paramètres physiques, tels que le coefficient de diffusion des électrons dans le
semiconducteur,laduréedeviedesporteursminoritaires,ladensitéintrinsèquedesporteurs, etc.
[28] . Cependant, les valeurs de ces paramètres physiques ne sont normalement pas
fourniesparlesfabricants,cequiinciteleschercheursàexploreruneautrefaçondeformulerlespar
amètresenutilisantl’informationdisponibledanslafeuillededonnées.([Link].,
coefficientdecourantdecourt-circuitKi,coefficientdetensiondecircuitouvertKv,Isc, Voc, Vmp,
Imp, etc.). Dans[14] , l’Iph est exprimé en termes de fonction linéaire comme suit :
(2.13)
où Iphn, Gn et Tn sont utilisés pour désigner le photocourant, l’irradiance solaire et la cellule
température mesurée aux STC, respectivement . ∆T est la différence entre T et
Tn.
Basésurlathéoriedesdiodes,MessengeretVentre[6]ontprésentéuneexpressionlinéaire
approximativepourlecourantdesaturationdesdiodes Io1,quipeutêtreexpriméen
(2.14)
oùEgestl’écartdebandematé[Link], Eg estrégléàunniveauraisonnable
enfonctiondesmatériauxsemi-conducteurs(Eg =1.12eVpourleSipolycristallinà25)
[Link].[29]ontprésentéuneméthode
d’estimationpour Eg dansunelargegammedetempératures:
Eg = Egn(1 − 0.0002677∆T) (2.15)
où Egn est une valeur normale aux STC (Egn = 1.12 eV pour les cellules de silicium et Egn =
1.6eV pourlescellulesamorphesàtriplejonction).
Lavaleurdufacteurd’idéalité[Link]édesmoyens
d’estimer la valeur correcte de cette constante [7]. Par souci de simplicité, on peut
supposerqu’A1 estindépendantdelatempératureetdéfinirlavaleurdanslaplage 1 ≤ A1 ≤ 2
Un grand nombre de méthodes analytiques ont été appliquées pour déterminer les
valeursde Rs etde Rp [Link][30],lesformulesmathématiquessontdérivées
deprédictions Rs etde [Link],lespentesauxpointsdecircuitouvertetdecourtcircuit ne
sont généralement pas indiquées dans les fiches techniques I-V. Le processus itératif a été
proposé dans ‘[31] en fonction de plusieurs conditions analytiques. Cette
approchepeutpermettred’obteniruneerreurabsoluemoindre,etnonpasaudétriment d’une
complexité de calcul accrue. Considérant le fait que Rs et Rp varient en mode linéaire
presque inverse avec l’irradiance solaire, Brano [31].a démontré une expression
amélioréepourlasérieetlesrésistancesdeshunt :
(2.16)
oùlesvaleursdesrésistances Rsn et Rpn
sontévalué[Link]ées,lemodèleestcapablededécrire
analytiquementlescaractéristiques I-V d’un générateur PV pour chaque condition générique
de température opérationnelle etd’irradiancesolaire[23].
Lestechniquesanalytiquesconcluentdesrelationsapproximativesaveclesdonnéesexpérimental
es. Bien que simples, elles dépendent généralement des points clés de la courbe
I-V[23].
Leserreurspeuventêtreimportantesetnepeuventpasêtreamélioréessicespointscléssontinc
orrectementspécifiés
2.3.2 techniques numériques
Avecl’aided’uneméthodestatistique,lestechniquesd’extractionnumériquess’adaptent à de
nombreux points de fonctionnement sur les courbes I-V pour obtenir une solution
plusprécise‘[27].Cesméthodesd’ajustementdecourbeminimisentl’erreurϵ dequadrature
moyenne(RMS)donnéeentantque:
(2.17)
où d (d = 1, 2 , ..., N) est le nombre de données I-V mesurées. Les données simulées et
mesuréessontnotéespar ,respectivement.
Les techniques d’extraction numérique sont normalement considérées comme des
approches précises dans l’estimation des paramètres puisque toutes les données mesurées
peuventêtreutilisé[Link],ilestaxiomatiquequeleursperformances
soientégalementliéesautyped’algorithmed’ajustement,àlafonctiondecoûtainsiqu’aux
valeursinitialesdesparamètresàextraire[27].Lesprocéduresnonlinéairesd’ajustement de
courbe sont assez compliquées tant mathématiquement qu’en termes de code
informatique [32]. De plus, les algorithmes peuvent être coûteux en calcul, car la taille des
donnéesrequisesestconsidérablementgrande.
2.3.3 Techniques d’algorithme évolutif
Les techniques évolutives (Evolutionary Algorithms, EA) sont reconnues pour leur
efficacité à résoudre des problèmes d’optimisation complexes, non linéaires et
multimodaux. Elles ne nécessitent pas de connaissance préalable des dérivées de la
fonction objectif. Parmi ces techniques, le War Strategy Optimization (WSO) émerge
comme une approche robuste pour l’estimation des paramètres des modèles
photovoltaïques.
Le WSO s’inspire de stratégies militaires où des unités (solutions candidates) interagissent
selon des tactiques offensives et défensives pour conquérir l’espace de recherche.
Contrairement à des approches comme le PSO ou GA, qui reposent principalement sur
l’adaptation de la position et de la vitesse des particules ou chromosomes, WSO modélise
un comportement stratégique et adaptatif en réponse à un champ de bataille dynamique
(l’espace de solution).
L’objectif du WSO est de minimiser l’erreur RMS entre les données expérimentales et
celles générées par le modèle, défini comme suit :
Le processus commence par la génération d’une population initiale de solutions (armées),
puis chaque solution évolue selon des tactiques de guerre : reconnaissance,
renforcement, replis stratégiques, et attaques coordonnées. Ces mécanismes permettent
d’explorer efficacement l’espace de solution tout en évitant les minima locaux.
Schéma fonctionnel de l'estimation par WSO :
1. Initialisation des unités stratégiques (solutions aléatoires dans l’espace des
paramètres)
2. Évaluation de la performance selon la fonction RMS
3. Application des stratégies (offensive, défensive, mutation, adaptation)
4. Mise à jour de la meilleure solution
5. Convergence vers un minimum global
Ce comportement permet à l’algorithme WSO de présenter une convergence rapide et
une bonne robustesse par rapport aux autres algorithmes évolutifs. De plus, son
implémentation peut être adaptée dynamiquement aux contraintes du système PV
simulé, rendant cette approche particulièrement intéressante pour la modélisation en
temps réel des systèmes photovoltaïques.
Fig.2.4:Schémafonctionneldelaméthoded’estimationdesparamètrespourlesmodèles
électriquesphotovoltaïques.
LestechniquesEApeuventobtenirlasolutionlapluspréciseparrapportauxautres
méthodessileurspointsinitiauxetlesparamètresdel’algorithmesontcorrectementdéfinis.
D’autre part, la plupart de ces méthodes appliquent plusieurs agents ou particules dans la
recherche aléatoire et ne fournissent pas une amélioration significative de l’efficacité de
calcul. Compte tenu du fait que l’extraction est la composante principale d’un
simulateurdesystèmePV,lavitessedesimulationglobaleseraitgrandementcompromise
[37].