Université du Québec

Institut national de la recherche scientifique

Centre Energie Matériaux Télecommunications

CONCEPTION DE COMPOSANTS RADIOFREQUENCES POUR LES

SYSTEMES DE DETECTION LARGE BANDE A HAUTE PUISSANCE

Par
Ahmed Moulay

Thèse présentée pour l’obtention du grade de

Philosophiae Doctor, Ph.D.
en Télécommunications

Jury d’évaluation

Examinateur externe Park Chan-Wang

Université du Québec à Rimouski

Examinateur externe Hettak Khelifa

Centre de recherches sur les communica-
tions (CRC)
Examinateur interne et président de Denidni Tayeb A.
jury
Institut National de la Recherche Scienti-
fique
Directeur de recherche Tarek Djerafi
Institut National de la Recherche Scienti-
fique

©Ahmed Moulay, 2021

Dédicace
À mes parents, mon épouse, mes enfants, mes frères et sœurs et à tous mes proches.

ii
Remerciements

Le travail présenté dans ce mémoire a été réalisé au sein du Laboratoire des Télécommunica-
tions RF du centre Energie Matériaux et Télécommunications (EMT) de l’Institut National de la
Recherche Scientifique (INRS).
Je remercie vivement Monsieur Denidni, Professeur à l’Institut National de la Recherche Scien-
tifique (INRS), qui m’a fait l’honneur d’accepter la présidence de ce jury.
J’adresse mes plus sincères remerciements à Monsieur Park, Professeur de l’Université du Québec
à Rimouski, et Monsieur Hettak, Docteur au Centre de recherches sur les communications Canada,
pour l’honneur qu’ils me font en acceptant de juger ce travail.
Je suis très reconnaissant envers Monsieur Tarek Djerafi, Professeur à l’Institut National de la
Recherche Scientifique (INRS), d’avoir accepter d’être mon directeur de thèse et je le remercie pour
ses conseils avisés et sa disponibilité. Je lui exprime ma profonde gratitude pour m’avoir accueilli
dans son laboratoire et surtout de s’être investi sans compter et efficacement pour mener à bien
cette étude. Sans son enthousiasme communicatif, sa bonne humeur, et sa volonté constante “ de
faire mieux ”, cette thèse ne présenterait pas l’aspect qu’elle a aujourd’hui.
Je ne saurais oublier de remercier les professeurs Denidni et Tatu de m’avoir aiguillé par leurs
conseils ainsi que leurs disponibilités.
Le travail présenté est également un travail d’équipe. De tels résultats n’auraient pu être ob-
tenus sans plusieurs membres du laboratoire qui m’ont aidé à leur manière, soit directement, soit
simplement en me manifestant de la sympathie, tels, Walid, Abdou, Kerrar, Moein et bien d’autres
encore : doctorants (à l’INRS), sans oublier le personnel administratif de l’INRS. Ils ont contribué
à ce que ces années de thèse se déroulent sous le signe de la bonne humeur. Merci également aux
techniciens de l’Institut National de la Recherche Scientifique (INRS).
Enfin mes remerciements s’adressent en dernier lieu à ma famille, et à mes proches pour m’avoir
soutenu dans les hauts et les bas d’un projet de recherche.

iii
Résumé

La spectroscopie à base de résonance paramagnétique électronique (RPE) est un outil spécifique

et incontournable à la mise en évidence des espèces radicalaires et paramagnétiques dans diverses
matrices. La RPE peut être effectuée à une fréquence radio ou hyperfréquence arbitraire. Les ap-
plications RPE qui sont déjà développées à ce jour présentent des caractéristiques assez limitées en
termes de puissance et largeur de bande. Pour ces applications à haute puissance, le défi majeur
est d’améliorer les performances en utilisant des composants micro-ondes et en onde millimétrique
faibles pertes avec haute tenue en puissance qui ont une très large bande d’opérations pour couvrir
une grande gamme de détection.
Dans ce manuscrit, des composants de base pour les systèmes de détection large bande à haute
puissance seront présentés. Les guides d’ondes intégrées de taille standard présentent une perfor-
mance limitée en termes de tenue en puissance et coefficient de transmission. Les guides métalliques
qui offrent une tenue en puissance adéquate ont une taille assez grande et sont difficiles à intégrer
avec les autres composants actifs et passifs sur une même plateforme. Une nouvelle catégorie de
ligne de transmission basée sur un guide d’onde intégré au substrat surdimensionné est proposée
afin d’améliorer les performances des lignes de transmission standard en termes de tenue en puis-
sance et largeur de bande d’opérations. Une gamme de diviseurs/combineurs de puissance est aussi
proposée comme élément de base seront associés aux amplificateurs de puissance pour la génération
du signal haute puissance. Un rectificateur ultra large bande est proposé afin de pouvoir mesurer
le signal réfléchi à partir de l’échantillon. Une structure distribuée est exploitée pour avoir un bon
compromis entre largeur de bande et efficacité du détecteur ainsi une meilleure tenue en puissance.
L’intégration de ces composants permettra de développer un système relativement faible cout
et de taille compacte. Les composants développés à l’issue de ce projet devront être translatés en
fréquence afin de concevoir un système de détection en onde millimétrique.
Mots-clés Atténuation; diviseur de puissance; capacités de traitement de la puissance; guide
d’ondes intégré au substrat (SIW); guide d’ondes rectangulaire (RWG); guide d’ondes surdimen-
sionné; rectification de puissance RF; rugosité de surface; système de haute puissance; ultra-large
bande.

v
Abstract

Electron Paramagnetic Resonance (EPR) spectroscopy is a specific and essential tool for the
detection of radical and paramagnetic species in various matrices. EPR can be performed at an
arbitrary radio or microwave frequency. The current EPR applications are limited in terms of power
and bandwidth. For these high power applications, the main challenge is to improve the performance
by using low loss microwave and millimeter wave components with high power handling which have
a very large operating bandwidth to cover a large detection range.
In this manuscript, basic components for high power broadband detection systems will be pre-
sented. Standard size integrated waveguides have limited performance in terms of power handling
and transmission coefficient. Metal waveguides that offer adequate power handling are larger in size
and are difficult to integrate with other active and passive components on the same platform. A
new category of transmission line based on an oversized substrate integrated waveguide is proposed
to improve the performance of standard transmission lines in terms of power handling and opera-
ting bandwidth. A variety of power dividers/combiners are also proposed as basic elements to be
associated with power amplifiers for high power signal generation. An ultra wide band rectifier is
proposed to measure the reflected signal from the sample. A distributed structure is exploited to
achieve a good compromise between bandwidth and efficiency of the detector and a higher power
handling.
The integration of these components will allow the development of a relatively low cost and
compact system. The components developed at the end of this project will have to be translated in
frequency in order to design a millimeter wave detection system.
Keywords Attenuation; high power system; oversized waveguide; power handling capabilities;
power splitter; rectangular waveguide (RWG); RF power rectification; substrate integrated wave-
guide (SIW); surface roughness; ultra-wideband.

vii
Table des matières

Remerciements iii

Résumé v

Abstract vii

Table des matières ix

Liste des figures xi

Liste des tableaux xv

1 Introduction générale 1
1.1 Problématique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Méthodologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Organisation de la thèse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4 Contributions originales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5 Liste de publications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.5.1 Articles dans une revue internationale avec comité de lecture - Papiers régu-
liers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.5.2 Communications internationales avec actes (Conférences) . . . . . . . . . . . . 9
1.5.3 Posters scientifiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.5.4 Articles en finalisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2 Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 11

2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2 Pertes de SIW et la tenue en puissance considérant l’effet de la rugosité du surface . 16
2.2.1 Les pertes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2.2 Effet de profil de conducteur (rugosité de surface) . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.2.3 La tenue en puissance (PHC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.3 Études paramétriques de l’OS-SIW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.3.1 Épaisseur du substrat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.3.2 Largeur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.4 Modes d’excitation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.5 Transition SIW vers OS-SIW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.6 Comparaison des performances des lignes de transmission . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.7 Résultats expérimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

ix
3 Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 35
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.2 Diviseur de puissance Wilkinson à base de guide d’ondes intégré au substrat de largeur
fixe et résistances d’isolation distribuées . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.2.1 Configuration et design du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.2.2 Discussion des résultats obtenus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.3 Diviseur de puissance Gysel avec impédance caractéristique unique . . . . . . . . . . 44
3.3.1 Conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.3.2 Interprétation des résultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.4 Diviseur/combineur de puissance à quatre voies basé sur un diviseur de Luzzatto
utilisant un pont isolateur installé verticalement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.4.1 Conception et implémentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.4.2 Analyse du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.4.3 Résultats expérimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

4 Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 63

4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.1.1 Signal ultra large bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.1.2 Collecte de la puissance RF disponible dans le spectre UWB . . . . . . . . . . 65
4.2 Rectificateur multi-étages ultra-large bande amélioré pour la transmission de puis-
sance des signaux pulsés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
4.3 Rectification des signaux avec harmoniques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.3.1 Signal sinusoïdal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.3.2 Signal carré . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.4 Contraintes de la conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.4.1 Modèle de la diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.4.2 Effet de RFload et nombre de cellule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
4.5 Validation expérimentale du concept . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.5.1 Mesure du signal sinusoïdal mono-ton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.5.2 Mesure du signal pulsé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84

5 Système de détection RF à champ proche haute puissance 87

5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
5.2 Système de détection proposé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
5.2.1 Réseau d’amplificateurs de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
5.2.2 Conception d’une transition multiports pour le réseau d’amplificateurs . . . . 92
5.2.3 Sonde en onde millimétrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93

6 Conclusion et travaux futures 95

Références 99

x
Liste des figures

1.1 Schéma bloc du système proposé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

2.1 Structure du guide d’onde SIW surdimensionné (OS-SIW) avec la transition vers le
SIW standard. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2 L’atténuation du SIW (avec h=0.508 mm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3 Effet de rugosité de surface sur (a) l’atténuation du conducteur et (b) l’atténuation
totale du SIW (h=0.508 mm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.4 Effet de rugosité de surface sur APHC (avec h= 0.508 mm). . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5 Effet de l’épaisseur du substrat SIW (avec rugosité de surface) sur (a) l’atténuation
du conducteur, (b) l’atténuation totale, (c) l’APHC et (d) le PPHC. . . . . . . . . . . 22
2.6 Effet de largeur du SIW sur (a) la perte du SIW et (b) la tenue puissance (avec
h=0.508 mm et f =90 GHz). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.7 Modes pris en charge dans (a) SIW standard, (b) OS-SIW 3a et (c) OS-SIW 5a. . . . 24
2.8 Taper proposé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.9 Longueur de taper pour les différentes formes étudiées vs rapport n à -30 dB de
coefficient de réflexion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.10 Comparaison des paramètres des lignes de transmission (a) perte, (b) capabilité en
la puissance (pour h=0.508 mm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.11 Photographie des composants fabriqués. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.12 Banc de mesure. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.13 Paramètres S mesurés (a) OS-SIW 3a avec 68 mm de longueur totale et (b) OS-SIW
5a avec 107 mm de longueur totale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.14 Atténuation de (a) OS-SIW 3a et (b) OS-SIW 5a. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.15 Atténuation mesurée de différentes lignes de transmission fabriquées. . . . . . . . . . . 32
2.16 Résultats de comparaison APHC (a) OS-SIW 3a et (b) OS-SIW 5a. . . . . . . . . . . 33

3.1 Techniques de combinaison en micro-ondes et onde millimétrique. . . . . . . . . . . . 36

3.2 Exemple d’application de diviseur/combineur de puissance (amplificateurs de puis-
sance multiport). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.3 Diviseur/combineur Wilkinson proposé. (a) Schéma de la topologie proposée et (b)
plan de symétrie du circuit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.4 WPD à base de SIW proposé, (a) topologie et (b) photographie du circuit fabriqué
(h=0.508 mm, a=12.05 mm, R1 =13 mm, R0 =1.9 mm, φ1 =107°, φ2 =73°). . . . . . . 40
3.5 (a) Nombre de résistances estimé en fonction de h pour différents packaging SMC
disponibles (unité: mm) et (b) l’isolation S23 correspondant à 10 GHz de fréquence
et 0.5 mm d’épaisseur de substrat (h). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

xi
3.6 Résultats expérimentaux, (a) coefficient de réflexion a l’entrée, (b) isolation, (c) co-
efficient de transmission et déséquilibre des amplitudes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.7 Configuration du diviseur/combineur de puissance: (a) WPD modifié [10], (b) GPD
proposé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.8 Analyse des branches d’isolation WPD et GPD: (a) analyse en mode pair-impair, (b)
coefficient de transmission des branches d’isolation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.9 Résultats de simulation: (a) Gysel conventionnel ie: Z1 =Z3 =70.7Ω, Z2 =50Ω, R=50Ω
et tout les longueurs θ égal a 90○ ; (b) GPD proposé avec Z1 =Z2 =Z3 =50Ω, R=100Ω,
θ1 =θ2 =54.7○ et θ2 =90○ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
′ ′′
48
3.11 Résultats mesurés et simulés: (a) coefficient de réflexion, (b) isolation et(c) coefficient
de transmission. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.12 Diviseur/combineur de puissance, (a) réseau de Luzzatto en structure nid d’abeilles
(à trois voies) et (b) topologie proposée (à quatre voies). . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.13 Structure de la branche d’isolation en pont, (a) topologie verticale avec (R=0 mm,
L1 =4.4 mm, L2 =6.6 mm) pour le plan 1 et (R=3.3 mm, L1 =3.3 mm, L2 =0 mm)
pour le plan 2, (b) paramètres S simulés et (c) déphasage simulé. . . . . . . . . . . . . 54
3.14 Analyse des circuits, (a) diviseur de puissance à N voies proposé, (b) conversion
étoile-triangle, (c) équivalence en étoile d’un LPD à N voies proposé et (d) réseau à
quatre ports équivalent. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.15 Photographie du circuit fabriqué. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.16 Paramètres S simulés et mesurés, (a) pertes de retour, (b) isolation et (b) pertes
d’insertion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

4.1 Schéma simplifié représentant les spécifications d’un spectre large bande. . . . . . . . 64
4.2 Schéma bloc d’un système de collecte d’énergie RF ultra-large-bande. . . . . . . . . . 65
4.3 Niveau de puissance des signaux UWB mesurés à l’aide d’un analyseur de spectre,
(a) dans le laboratoire RF, (b) dans l’immeuble Bonaventure et (c) à l’extérieur de
la place Bonaventure. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.4 Concept de système de collecte/transfert d’énergie UWB. . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4.5 Circuit d’un détecteur de puissance RF à base de diode à polarisation nulle. . . . . . 69
4.6 Domaine temporel et fréquentiel des signaux d’entrée étudiés. . . . . . . . . . . . . . . 70
4.7 Caractérisation du modèle de la diode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.8 Circuit de rectificateur d’énergie RF, a) modèle équivalent de diode optimisé (avec
L1opt =L2opt = 0,6 nH et C1opt =C2opt = 0. 04 pF) et (b) configuration à N cellule avec
LDC =50 nH, CLn =CL1 =120 pF, RFLoad = 120Ω et RL = 100Ω optimisé pour un
circuit à cinq étages. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
4.9 Effet de RFload sur le coefficient de réflexion et l’efficacité du circuit. . . . . . . . . . . 75
4.10 Effet du nombre de cellules sur l’efficacité du détecteur. . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4.11 Photographie du prototype fabriqué. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.12 Résultats mesurés et simulés du coefficient de réflexion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.13 Puissance RF en fonction de la sortie DC à différentes fréquences UWB, résultats (a)
simulés et (b) mesurés. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.14 Efficacité mesurée et simulée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.15 Schéma bloc de la rectification des pulses avec R = 1kΩ et C = 5nF . . . . . . . . . . . 81
4.16 Mesure du signal fourni par le générateur de signaux Agilent 81133A à 1V d’amplitude
et 50% de rapport cyclique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
4.17 Voltage DC mesuré en fonction de la fréquence et l’amplitude du la pulse. . . . . . . 82

xii
4.18 Sortie DC mesurée et simulée en fonction du rapport cyclique à 2 GHz et 1V d’am-
plitude. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.19 Transfert de puissance UWB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.20 Tension en courant continue reçue par l’antenne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84

5.1 Principe de la microscopie millimétrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88

5.2 Schéma bloc de système de détection proposé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
5.3 Optimisation de la transition multiports . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
5.4 Distribution du champ magnétique au long de la sonde. . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.5 Zoom sur la partie rayonnante de la sonde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93

xiii
Liste des tableaux

2.1 Critères de performances des guides d’ondes pour les systèmes en ondes millimétriques 13
2.2 Comparaison des performances des tapers étudiés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

3.1 Comparaison des différents WPD a base de SIW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

3.2 Comparaison des performances des structures GPD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.3 Performances des diviseurs/combineurs de puissance réalisés . . . . . . . . . . . . . . . 60

4.1 Composantes DC calculées . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

4.2 État de l’art de collecte de puissance RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

xv
Chapitre 1

Introduction générale

1.1 Problématique

Les applications possibles des micro-ondes à haute puissance couvrent un large éventail de tech-
nologies comme le radar de nuages (Cloud Radar), les stations de base, les satellites à énergie
solaire, etc. Les applications spatiales de la télédétection et des communications dans les bandes
Ka (26.5-40 GHz) et W (75-110 GHz) utilisent des composants à haute puissance et à large bande
pour assurer des liaisons de données. Dans le traitement des matériaux, les micro-ondes sont utilisés
pour chauffer les aliments, les textiles, le bois, les polymères, les minéraux, les céramiques struc-
turelles et fonctionnelles, les composites, les structures multicouches et les produits chimiques. La
communauté de la physique des plasmas a déjà tiré parti des progrès récents dans l’utilisation des
micro-ondes et des ondes millimétriques à haute puissance dans les domaines du chauffage des plas-
mas par radiofréquence (RF) pour la recherche sur la fusion par confinement magnétique, tel que
l’entraînement par courant hybride inférieur (1-8 GHz), le chauffage par résonance cyclotronique
électronique (ECRH) (28-170 GHz), la commande par courant cyclotronique électronique (ECCD),
la production de plasma (démarrage) et les mesures de diagnostique par plasma telles que la dif-
fusion Thomson collective ou les expériences de propagation des impulsions thermiques. D’autres
applications importantes sont le traitement des plasmas et des matériaux, les sources d’ions multi-
chargés et de rayons X légers, la spectroscopie électronique à large bande et à haute fréquence, la
communication par satellite spécialisé et dans l’espace lointain, la télémétrie et l’imagerie radar à
haute résolution dans les sciences atmosphériques et planétaires, ainsi que les moteurs de la pro-
2

chaine génération d’accélérateurs linéaires à haut gradient en physique des particules élémentaires.
L’atténuation ohmique élevée et la faible tenue en puissance des guides d’ondes métalliques standard
supportant le mode fondamental sont prohibitives pour ces applications. Ainsi, pour concevoir des
guides d’ondes à faible atténuation et à forte puissance, il est préférable de recourir à des structures
surdimensionnées.

Les maladies du cœur et les autres formes de maladies vasculaires ont été un élément dévastateur
sur la vie des Canadiens depuis plusieurs années. En dépit de la diminution des taux de mortalité au
cours des 30 dernières années, elles demeurent l’une des principales causes de mortalité et d’invali-
dité au Canada, de même que dans la plupart des pays industrialisés. En plus, avec l’augmentation
de l’espérance de vie de la population, un grand nombre de personnes vont subir une interven-
tion chirurgicale à cœur ouvert. A la fin de cette intervention, au rétablissement de la circulation
sanguine dans le cœur, l’afflux de grandes quantités d’oxygène entraîne la production de radicaux
libres qui précipitent certaines cellules en souffrance vers la mort. Le contrôle de ces radicaux dans
ce genre de chirurgie réduit le risque des dommages irréversibles pour le cœur. La spectroscopie à
base de résonance paramagnétique électronique RPE (ou EPR: Electron Paramagnetic Resonance)
est un outil spécifique et incontournable à la mise en évidence des espèces radicalaires et para-
magnétiques dans diverses matrices. Cette forme de spectroscopie se base sur l’interaction entre
matière et rayonnement électromagnétique. La RPE peut être réalisée à une fréquence radio ou
hyperfréquence arbitraire conformément à l’équation de résonance de l’électron libre qui dépend
du champ magnétique et du rapport gyromagnétique de l’élément. Cependant, due aux limites en
puissance et largeur de bande passante, la gamme des radicaux détectable dans les systèmes actuels
est très limitée. La taille de spectroscope RPE existant ne permet pas les applications in situ et en
temps réel, pendant une intervention à cœur ouvert par exemple. De plus, la taille de la sonde est
relativement grande par rapport aux particules à mesurer. Des efforts doivent être poursuivis en
vue de réduire la taille, le coût et élargir la bande passante de RPE pour détecter plusieurs espèces
radicalaires in situ en temps réel.

L’objectif de ce projet de recherche est la conception des composants de base d’un système très
large bande avec haute tenue en puissance pour la détection des particules libres dans le sang et le
tissu humains in situ en temps réel. Les objectifs spécifiques sont :
— La conception des composants millimétriques très large bande avec haute tenue en puissance
et très faible perte à base des lignes de transmission adéquate ;
Chapitre 1. Introduction générale 3

Figure 1.1 – Schéma bloc du système proposé.

— Le développement de capteur millimétrique avec haute tenue en puissance ;

— La proposition d’un processus d’intégration de ces composants dans un système large bande
à haute puissance.

1.2 Méthodologie

L’équation de résonance de l’électron libre : 2π×f=yB dépend du rapport gyromagnétique des

diffèrent élément qui sont très variés (-5.774 MHz/T pour l’oxygène et 42.576 MHz/T pour l’hydro-
gène: un rapport de 7.4). Pour détecter le maximum d’éléments, le spectroscope doit couvrir une
large gamme de fréquence de résonance. Un signal avec balayage en fréquence est transmis à l’échan-
tillon exposé à un champ magnétique avec une sonde de mesure et un ensemble de guide d’ondes
(Figure 1.1). Le signal réfléchi sera comparé au signal de référence afin d’identifier la présence des
radicaux.

Dans les bandes millimétriques, la perte d’insertion devient problématique. Par exemple, elle
est de 2.69 dB/m en WR10 (bande W 94 GHz) à une température ambiante. L’absorption de
l’énergie transmise par les tissus et les liquide est aussi très élevée. Pour surmonter ce problème,
il est important d’envoyer un niveau de puissance élevé. D’où la nécessité de développer des lignes
de transmission large bande mais qui support ce niveau de puissance. Les systèmes RPE actuels
contrôlent la variation du champ magnétique (B) afin de détecter et quantifier l’élément visé au-
tour d’une bande de fréquences spécifique. Ce processus nécessite une plateforme considérablement
4

couteuse et encombrante. Pour le système de détection visé, nous proposons de fixer le champ et
balayer la fréquence pour élargir la gamme de détection.

Comme illustré dans la Figure 1.1, le système de détection haute puissance requiert des compo-
sants de base qui sont à la fois de haute tenue en puissance et large bande. Au niveau de génération
du signal source, des diviseurs/combineurs de puissance seront essentiels à l’implémentation des am-
plificateurs de puissance. Ensuite, pour transmettre le signal généré vers l’échantillon, un ensemble
guide d’onde et sonde haute tenue en puissance avec minimum de pertes est requis. Un détecteur
de puissance large bande sera très pratique pour la récupération du signal réfléchi.

La première étape consiste à développer des lignes transmission intégrée très large bande avec
haute tenue en puissance. Les guides d’ondes intégrée de taille standard (micro ruban, coplanaire,
guide d’onde intégré au substrat) présentent une performance limitée en termes de tenue en puis-
sance. Par contre, les guides métalliques qui offre une tenue en puissance adéquate ont une taille
assez grande et sont difficile a intégré avec les autres composants actif et passif sur une même
plateforme. Une nouvelle ligne de transmission basée sur un guide d’onde intégré au substrat surdi-
mensionné est proposée. Une étude des caractéristiques de transmission (constante de propagation,
atténuation. . . etc) et de la tenue en puissance basé sur la méthode des résonances magnétique
transversale sera effectuée pour définir les paramètres initiaux. Le logiciel commercial HFSS qui
permet la simulation des champs électromagnétiques 3D sera utilisé pour la conception précise des
lignes surdimensionnées et les transitions nécessaires pour leurs caractérisations. Pour les mesures
expérimentales, l’analyseur de réseaux vectoriels (VNA : Vector Network Analysor) sera utilisé pour
mesurer les paramètres des lignes fabriquées afin de les comparés aux résultats de simulation.

La deuxième étape consiste à développer les composants du système RPE : diviseur/combineur

de puissance, coupleur, détecteur de puissance et sonde champ proche. En utilisant la ligne de
transmission valider dans la première étape, ces composants devront couvrirent une très large bande
d’opération (55 à 110 GHz). Deux configurations seront utilisées : des structures a cellule distribuée
; des structures à faible saut impédance. Des analyses rigoureuses seront réalisées en premier lieu
pour définir un modèle opérationnel. HFSS est utilisé par la suite pour optimiser les structures. Les
différentes solutions devront être explorées pour trouver le meilleur compromis entre la largeur de
bande, l’isolation, l’efficacité énergétique et les coûts.
Chapitre 1. Introduction générale 5

Par la suite, après avoir valider le type de la ligne de transmission et la technologie à utiliser
pour la fabrication des différents composant du système nous concevrons la sonde millimétrique.
Cette sonde devra être à la fois, très large bande et haute tenue en puissance mais surtout capable
de fournir une information avec une haute définition spatiale. Des simulations de systèmes avancés,
utilisant les outils de la conception assistée par ordinateur et les modèles de composants basés sur
des mesures réelles notamment le logiciel ADS, permettront de valider l’application proposée. Enfin,
l’intégration du système avec une application qui permet l’interfaçage du système et la visualisation
des résultats de mesure en temps réel.

1.3 Organisation de la thèse

Dans cette partie nous allons décrire le déroulement de la thèse. Celle-ci est divisée en quatre
chapitres, une introduction générale et une conclusion avec les perspectives.

— Introduction générale
L’introduction générale expose la problématique et les motivations pour la réalisation de
ce projet. Ensuite, elle décrit la méthodologie et les objectifs de recherche. Elle comprend
également l’organisation de la thèse ainsi que ses contributions scientifiques.
— Chapitre 1
Ce chapitre propose un guide d’ondes surdimensionné intégré au substrat OS-SIW (Oversi-
zed Substrate Integrated Waveguide), analysé et validé expérimentalement. Les paramètres
physiques et l’effet de la rugosité de la surface du matériau sur l’atténuation et la tenue en
puissance de l’OS-SIW conduisent à l’exploitation de guides d’ondes plus larges et plus épais,
comme alternative pour améliorer la capabilité en puissance (PHC: Power Handling Capabi-
lity) et réduire les pertes. Une transition SIW (Substrate Integrated Waveguide) à l’OS-SIW
a été conçue pour permettre la caractérisation en bande W (75-110 GHz) des composants
conçus. La transition proposée permet de propager uniquement le mode TE10 souhaité dans
l’OS-SIW et d’empêcher la propagation des modes supérieurs. La configuration OS-SIW étu-
diée offre un PHC plus élevé, de faibles pertes et une intégration facile dans des systèmes en
ondes millimétriques à haute puissance.
— Chapitre 2
6

Ce chapitre introduit différents types de diviseur/combineur de puissance en utilisant dif-

férents types de lignes de transmission : Wilkinson avec guide d’ondes intégrée au substrat
de largeur fixe et une résistance d’isolation distribuée, Gysel à base d’une ligne micro ruban
à impédance caractéristique fixe, un diviseur/combineur Luzzatto à quatre ports. Tous les
diviseurs/combineurs réalisés dans ce chapitre sont à base des lignes de transmission à im-
pédance fixe ou avec un saut d’impédance minimal. Cette technique a été adoptée afin de
réduire les pertes et augmenter la tenue en puissance des composants. Une analyse théorique
est fournie afin de déterminer les paramètres optimaux des circuits étudiés.
— Chapitre 3
Ce chapitre présente un rectificateur de puissance RF ultra large bande à plusieurs étages
utilisant une diode Schottky à polarisation nulle. Un convertisseur RF-DC distribué à cinq
étages avec ligne de transmission micro ruban assure la collecte de puissance allant de 100
MHz à 11 GHz. Le circuit conçu et fabriqué est caractérisé à des fréquences multiples de
la bande UWB. Le détecteur de puissance distribué proposé améliore considérablement la
tension détectée sur une large bande d’opérations par rapport aux détecteurs RF classiques.
Le prototype conçu est associé à un signal d’onde carrée (Pulse) pour montrer le potentiel
du circuit en termes de transfert de puissance. La tension de sortie peut être contrôlée avec
le niveau du signal d’entrée, la fréquence ainsi que la largeur d’impulsion. Le capteur de
puissance associé à une antenne UWB confirme l’avantage d’utiliser un signal d’onde carrée
dans le cas de rectification ou de transfert de puissance.
— Chapitre 4
Ce chapitre présente un processus d’intégration du système de détection. L’intégration des
composants de base développés auparavant avec les éléments essentiels suivants: une transi-
tion multiport pour implémenter des amplificateurs de puissance commerciales afin de générer
un signal haute puissance, ainsi qu’ une structure rayonnante pour la détection. Ces compo-
sants permettront des mesures quantitatives locales sur une large bande avec une capacité de
puissance adéquate. L’ensemble guide d’onde et sonde développé sera étudié et caractérisé
avec le potentiel de conditionnement et intégration au système.
— Conclusion et travaux futurs
Dans cette conclusion, nous avons récapitulé les contributions de cette thèse ainsi que les
techniques utilisées pour chacune d’entre elles, les avantages et les points forts de ces tra-
Chapitre 1. Introduction générale 7

vaux sont mis en évidence. Nous avons également indiqué quelques pistes pour les nouvelles
recherches à venir.

1.4 Contributions originales

Un résumé des contributions nouvelles et scientifiques au corpus de recherche existant dans le

domaine des composants large bande en microonde et onde millimétrique est fourni ci-dessous.

— Chapitre 1 - Guide d’ondes intégré à substrat surdimensionné (OS-SIW) [P1]

Une nouvelle catégorie de lignes de transmission a été développée dans ce projet. Cette
nouvelle ligne de transmission surdimensionnée est basée sur la technologie SIW (guide d’onde
intégré aux substrats) était proposé pour la première fois. La ligne de transmission proposée
permet d’avoir une haute tenue en puissance et faible perte sur une très large bande (68-110
GHz mesurés).
— Chapitre 2 - Diviseurs/Combineurs de puissance à base des lignes de transmission
avec impédance caractéristique fixe
Trois configurations différentes de diviseurs/combineurs de puissance ont été proposées:
Diviseur de puissance Wilkinson avec une ligne de guide d’ondes intégrée au
substrat de largeur fixe et résistances d’isolation distribuée [P2]
La configuration proposée est de forme anneau. En utilisant un guide d’onde SIW avec une
impédance caractéristique fixe et un réseau de résistances distribué pour assurer l’isolation
entre les ports d’entrées, les performances du diviseur ont été nettement améliorées en termes
d’isolation et de transmission.
Diviseur de puissance de Gysel à impédance caractéristique fixe [P7]
Dans ce circuit de diviseur, une combinaison entre les dispositions Wilkinson et Gysel a été
introduite afin d’avoir un diviseur/combineur de puissance à la fois large bande et haute
tenue en puissance.
Diviseur/combinateur de puissance à quatre voies basé sur un diviseur de Luz-
zatto utilisant une branche d’isolation planaire croisée installé verticalement
[P10]
8

Dans ce travail un diviseur/combineur de puissance à quatre voies a été développé. En servant

de la troisième dimension(3-D) pour installer une structure planaire croisée afin d’assurer une
isolation entre les ports non adjacents et d’augmenter le nombre de ports.
De plus, différentes structures ont été exploité afin d’augmenter les performances des diviseurs
de puissance et le nombre de voies: tels que structure double couche ou encore multiétage.
En utilisant des lignes de transmission SIW et MSL avec une impédance caractéristique fixe,
les performances obtenues étaient satisfaisantes en termes d’isolation et transmission sur une
large bande d’opérations.
— Chapitre 3 - Rectification de signal RF ultra-large bande [P3] et [P9]
Un rectificateur de puissance RF multisection a été proposé pour la collecte et le transfert
de puissance sur une bande UWB. Le fait d’utiliser une structure distribuée nous a permet
d’élargir la bande d’opérations. L’utilisation du signal carré comme onde incidente a démontré
de bons résultats dans le cas de transfert de puissance.

1.5 Liste de publications

1.5.1 Articles dans une revue internationale avec comité de lecture - Papiers
réguliers

[P1] A. Moulay and T. Djerafi, "Oversized Substrate-Integrated Waveguide for High-Power

Millimeter-Wave Systems," in IEEE Transactions on Plasma Science, vol. 48, no. 7, pp. 2384-2390,
July 2020.

[P2] A. Moulay and T. Djerafi, "Wilkinson Power Divider With Fixed Width Substrate-
Integrated Waveguide Line and a Distributed Isolation Resistance," in IEEE Microwave and Wireless
Components Letters, vol. 28, no. 2, pp. 114-116, Feb. 2018 .

[P3] Ahmed Moulay and Tarek Djerafi, "Enhanced Ultra-Wide Band Multistage Rectifier for
Pulsed Signal Power Transmission," Progress In Electromagnetics Research C, Vol. 112, 113-125,
2021.
Chapitre 1. Introduction générale 9

[P4] A. Moulay, A. Zerfaine and T. Djerafi, "Two-Layer Four-Way Horst Power Divider and
Combiner Based-on Microstrip Line with Fixed Impedance Characteristic," in IEEE Microwave and
Wireless Components Letters,pp. 1-4, June 2021 (article soumis).

[P5] A. Zerfaine, A. Moulay and T. Djerafi, "Broadband Two Stage Power Divider/Combiner
Based on Microstrip Line with Fixed Characteristic Impedance and one Isolation Resistor," in IEEE
Microwave and Wireless Components Letters,pp. 1-4, Mars 2021 (article accepté).

[P6] A. Moulay, C. Hannachi, K. Naji SA Alkhanjar, E. Shafah, and Tarek Djerafi, "Multi-Port
Direct-Conversion Receiver Using a 4x4 Nolen Matrix for the Emerging 5G Wireless Communication
Systems," in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, pp. 1-10, June 2021 (article
soumis).

1.5.2 Communications internationales avec actes (Conférences)

[P7] A. Moulay and T. Djerafi, "Gysel Power Divider with Fixed Characteristic Impedance,"
2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020, pp. 896-899.

[P8] E. Shafah, A. Moulay and T. Djerafi, "A 2.45 GHz Signal Detector Based on Zero Biasing
Field Effect Transistor," 2019 49th European Microwave Conference (EuMC), Paris, France, 2019,
pp. 45-48.

[P9] A. Moulay and T. Djerafi, "Multi-Stage Schottky Diode Power Harvester for UWB ap-
plication," 2018 IEEE Wireless Power Transfer Conference (WPTC), Montreal, QC, Canada, 2018,
pp. 115-119.

[P10] A. Moulay and T. Djerafi, "Four Way Power Divider and Combiner Based on a Luz-
zatto Divider Using Vertically Installed Planar Bridge Isolator," 2018 48th European Microwave
Conference (EuMC), Madrid, 2018, pp. 624-627.
10

1.5.3 Posters scientifiques

A. Moulay and T. Djerafi, "Multi-Stage Schottky Diode Power Harvester for UWB application",
2018 IEEE Wireless Power Transfer Conference (WPTC), Poster Session, Montreal, Canada, June
6, 2015 (Compétition).

A. Moulay et T. Djerafi, "Diviseurs/combineurs de puissance ultra large bande avec haute

capabilité en puissance", 86e Congrès de l’ACFAS, Poster Session, Chicoutimi, Canada, 7 - 11 Mai
2018 (Compétition).

1.5.4 Articles en finalisation

A. Moulay and T. Djerafi, "Locally Loaded Gysel Power Divider and Combiner Based-on
Rectangular Waveguide with a Fixed Characteristic Impedance," in IEEE Microwave and Wireless
Components Letters, pp. 1-4, June 2021.

A. Moulay and T. Djerafi, “Near Field mm-Wave Sensor Based on High Power Oversized
Substrate Integrated Waveguide," in IEEE Sensors Journal.
Chapitre 2

Guide d’onde intégré au substrat

surdimensionné

— Un peu d’histoire!
Bien que nous soyons à l’ère des dispositifs à semi-conducteurs à l’état solide, les tubes à
micro-ondes sont encore largement utilisés dans certains domaines pour des applications où
leurs homologues à l’état solide ne sont pas en mesure de rivaliser pour fournir la puissance
requise pour des longueurs micro-ondes à ondes millimétriques. Ces applications vont du
chauffage par résonance cyclotronique électronique des plasmas dans les réacteurs de fusion
au frittage des céramiques industrielles. Cette capacité unique à produire des centaines de
kilowatts d’ondes pulsées continues à des fréquences supérieures à 1 GHz a fait des tubes à
micro-ondes une source indispensable pour les applications de haute puissance et de haute
fréquence. Les micro-ondes sont des ondes électromagnétiques dont les fréquences se situent
approximativement dans la gamme 1-300 GHz. Les micro-ondes sont utilisés pour une grande
variété d’applications (Noferesti & Djerafi, 2020, 2021; Al Khanjar et al., 2020; Al Khanjar
& Djerafi, 2020). En voici quelques-unes : tous les types d’applications de communication (de
la téléphonie mobile à l’espace lointain), les applications stratégiques (du radar au guidage
de missiles), les applications scientifiques (des accélérateurs de particules aux dispositifs de
fusion de plasma thermonucléaire et aux diagnostics de plasma) et les applications indus-
trielles (des simples fours domestiques à diverses fins de chauffage, de séchage et de frittage).
Comme nous l’avons déjà mentionné, les applications à faible puissance font largement appel
12

aux dispositifs à micro-ondes à semi-conducteurs, car ils sont de petite taille et rentables
(longue durée de vie, faible tension), tandis que pour les applications à haute puissance, le
seul choix est celui des tubes à micro-ondes (Kartikeyan M.V. & Thumm, 2004).
Depuis la première utilisation des micro-ondes, le tube creux, généralement de section rectan-
gulaire, était le moyen standard de transmission des ondes. Dans l’utilisation conventionnelle
de ce guide d’ondes, les ondes peuvent se déplacer avec précision selon un modèle défini, une
propriété très précieuse du guide d’ondes pour de nombreuses applications. Cependant, si
les mêmes techniques sont utilisées dans les bandes millimétriques et submillimétriques, la
perte de puissance dans le guide d’ondes devient un problème très sérieux et les composants
deviennent exorbitants. Ce sont les deux principales raisons du développement d’autres types
de lignes de transmission. Dans le "guide d’ondes surdimensionné", les pertes sont beaucoup
plus faibles que dans le guide standard, tandis que l’avantage de la propagation dans un mo-
dèle bien défini peut être maintenu par un "contrôle de mode" approprié. La taille du guide
peut être choisie dans une gamme appropriée. Un autre avantage important est la possibilité
de créer des composants à très large bande (Butterweck & de Ronde, 1967).
Au début des années 1950 compte tenu des difficultés mentionnées ci-dessus liées aux lignes
de transmission standards, l’intérêt des chercheurs a été orienté vers les guides d’ondes mé-
talliques dont la section transversale est considérablement plus grande que celle des guides
standards - ce que l’on appelle les guides d’ondes surdimensionnés (OSW: Oversized Wave-
guide). Ce moyen de transmission peut présenter une atténuation nettement inférieure à celle
des guides d’ondes standards, mais l’excitation parasite et la propagation de modes d’ordre
supérieur sont possibles et doivent être manipulées d’une manière ou d’une autre. Les OSW
se sont avérés très prometteurs et ont été utilisés comme base pour différents systèmes et
dispositifs. En principe, tout guide d’ondes fermé peut être étudié en élargissant les champs
en termes de séries modales. Cependant, la dualité entre les représentations du mode modal
et des rayons a été révélée par L. Felsen et B. Katsenelenbaum dès 1964 (T. K. Sarkar & Sen-
gupta, 2006). Ils ont montré que la synthèse de la série modale dans l’OSW multimodale est
asymptotiquement équivalente à l’utilisation des rayons optiques. Pour l’analyse de la pro-
pagation à longue distance dans l’OSW régulier, la protection contre les rayonnements est
la meilleure approche pour l’analyse et l’ingénierie, tandis que la diffraction des irrégularités
est plus facilement expliquée en utilisant les expansions modales.
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 13

2.1 Introduction

Les progrès dans l’utilisation des micro-ondes et des ondes millimétriques de haute puissance
ont attiré plusieurs domaines de recherche comme le radar des nuages (Cloud Radar), les stations
de base, les satellites à énergie solaire, etc. Les applications spatiales de la télédétection et des
communications dans les bandes Ka (26.5-40 GHz) et W (75-110 GHz) utilisent des composants à
haute puissance et à large bande pour fournir des liaisons de données. En ce qui concerne la physique
des plasmas, des systèmes à micro-ondes et à ondes millimétriques de haute puissance ont été
utilisés pour le chauffage des plasmas par radio fréquence, le chauffage par résonance cyclotronique
électronique (ECRH: Electronic Cyclotron Resonance Heating), le contrôle du courant des cyclotrons
électroniques (ECCD: Electronic Cyclotron Current Control Drive), la production de plasma (au
démarrage) et les diagnostics des mesures du plasma (Zhang et al., 2019; Li et al., 2013; Sharma
et al., 2014; Li et al., 2019; Koker et al., 2014; Thumm & Kasparek, 2002; Shukla et al., 2012).
La famille émergente de dispositifs à tube électronique microfabriqués en ondes millimétriques et
subterahertz permet la construction de systèmes mobiles compacts (Booske, 2008). La ligne de
transmission est un élément clé de ces systèmes. Elle doit permettre d’obtenir une très grande
capacité de puissance, des pertes minimales, une taille raisonnable et une facilité d’intégration dans
un système. Une forme optimale permettant une haute densité de transmission de puissance serait
d’une grande utilité pour les concepteurs des systèmes en ondes millimétriques (Kenney & Overfelt,
1992).

Tableau 2.1 – Critères de performances des guides d’ondes pour les systèmes en ondes millimétriques

Pertes Tenue en puissance Intégrabilité

MSL et CPW

-/ -/ +++ ,

SIW
+ + +++ ,

RWG
+++, +++ , -/
14

Bien que des guides d’ondes métalliques de formes différentes ont été largement adoptés. Leur
poids, leur taille et leur problème d’intégration avec les structures planaires les rendent moins utiles.
Le guide d’ondes intégré au substrat (SIW: Substrate Integrated Waveguide) est une alternative
intéressante pour surmonter ces limitations. Le concept de SIW et son intégration avec des structures
planaires ont fait l’objet de plusieurs travaux de recherches approfondies (Park et al., 2018; Ceccuzzi
et al., 2017). Cependant, la capabilité de gestion de puissance (PHC: Power Handling Capability)
ou encore la tenue en puissance du SIW standard reste insuffisante par rapport au guide d’onde
rectangulaire (RWG: Rectangular Waveguide). Les interconnexions du guide d’onde intégrée au
substrat présentées dans (Cheng et al., 2008) peuvent atteindre 70 Watts de puissance en onde
continue (CW: Continus Wave) à 30 GHz, l’analyse du PHC étant basée sur les pertes diélectriques
et métalliques, sans tenir compte de l’effet de rugosité de surface. Cet effet est plus prononcé en ondes
millimétriques, puisqu’il est proportionnel à la fréquence. La capabilité en puissance est directement
liée aux pertes du SIW, et pour améliorer la tenue en puissance, ces pertes doivent être réduites.

Les lignes coaxiales ou en bande (strip line) et les autres lignes de transmission intégrées pré-
sentent des pertes élevées en ondes millimétriques (Butterweck & de Ronde, 1967). Pour les ap-
plications à forte puissance, les limites de la taille standard du RWG en termes de puissance sont
surmontées par l’utilisation d’un guide d’onde rectangulaire surdimensionné (OSRW: Oversized Rec-

Figure 2.1 – Structure du guide d’onde SIW surdimensionné (OS-SIW) avec la transition vers le SIW
standard.
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 15

tangular Waveguide) (Butterworth et al., 1963). Les guides d’ondes ondulés surdimensionnés sont
également très utilisés pour améliorer les performances en termes du PHC et réduire les pertes.
D’autres possibilités d’améliorer l’efficacité et la largeur de bande de fréquence d’un tube à ondes
progressives d’un gyrotron utilisant un guide d’onde cylindrique surdimensionné ont été présentées
dans (Denisov et al., 1998). Plusieurs composants à base des guides d’ondes surdimensionnés ont
été développés précédemment (Butterweck & de Ronde, 1967; Thumm & Kasparek, 2002). La plu-
part d’entre eux se trouvent dans les systèmes à micro-ondes, en particulier la spectroscopie (EPR)
pour augmenter la puissance incidente à l’échantillon et réduire la perte de signal réfléchi (Sidabras
et al., 2016, 2011). L’intégrabilité, le poids et le coût du guide d’onde métallique utilisé limitent
la portabilité de ces systèmes. La ligne SIW a été proposée afin de surmonter ces limites pour les
systèmes à ondes millimétriques de faible puissance. Les quelques concepts OS-SIW rapportés dans
la littérature sont principalement des cavités résonantes pour la conception de filtres. Dans (Chen
Jin et al., 2013), un filtre passe-bande basé sur une cavité SIW surdimensionnée (OS-SIW) permet
d’obtenir de faible perte d’insertion en utilisant l’interaction entre le mode fondamental et le mode
d’ordre supérieur pour améliorer l’atténuation hors de la bande passante. Le filtre à base de SIW
semi-mode plié surdimensionné en bande K (18-27 GHz) proposé dans (Zheng et al., 2011) utilise le
couplage croisé entre les TE10 et TE20 pour améliorer les performances du filtre. La ligne de trans-
mission principale utilisée dans ces conceptions est un SIW classique avec une cavité qui supporte
différents modes de propagation TEnm simultanément.

Dans ce chapitre, on propose la conception d’une ligne de transmission OS-SIW afin d’assurer un
compromis entre une puissance élevée, faibles pertes et une intégration facile. L’objectif de ce travail
est de développer un OS-SIW avec des paramètres optimaux pour améliorer le PHC et réduire les
pertes. En contrôlant les dimensions et la forme des guides d’ondes (Figure 2.1), il est possible de
minimiser les pertes dans la gamme de fréquences souhaitée. Des transitions avec différents profils
sont également étudiées pour assurer la propagation du mode approprié et empêcher les modes
d’ordre supérieur. L’analyse, la simulation et les mesures réalisées seront utilisées pour estimer
l’amélioration des performances dans le cas d’un OS-SIW par rapport à d’autres types de lignes de
transmission dans la bande W.
16

2.2 Pertes de SIW et la tenue en puissance considérant l’effet de

la rugosité du surface

Les guides d’ondes ciblés dans ce projet devraient atteindre le même ordre de performance ou
proche de ceux du RWG en ce qui concerne la tenue en puissance. Selon les travaux de recherche
menés sur la technologie SIW, en ondes millimétriques, le SIW présente des pertes de transmission
assez considérables qui doivent être réduites. Le PHC dans le SIW estimé dans les travaux précédents
ne prend en considération que les pertes de conducteur et diélectrique sans l’estimation de l’effet de
la rugosité de surface (Cheng et al., 2008). En fait, cet effet peut doubler les pertes de conducteur.
Dans cette section, nous résumons les différentes pertes pour estimer le PHC du SIW dans la gamme
des ondes millimétriques avec effet de rugosité de surface.

2.2.1 Les pertes

Les pertes de rayonnement sont principalement dues aux espaces entre les paires de trous mé-
talliques : si les espaces sont minimes, la fuite à travers les trous métallisés est négligeable, tandis
qu’un grand espacement entre les trous métalliques cause une perte de puissance significative due
au rayonnement. Comme il n’y a pas de phénomène similaire dans les guides d’ondes rectangulaires,
il existe peu de méthodes de calcul pour ces pertes. Pour cette raison, une nouvelle formule (2.1) a
été mise au point pour calculer la constante d’atténuation due aux pertes de rayonnement (Bozzi
et al., 2014).
1 d 2.84 s 6.28
( ) (d − 1) dB
αR = a a
√ [ ] (2.1)
2 m
4.85 ( λ0 ) − 1
2a

Où λ0 est la longueur d’onde dans le milieu diélectrique à la fréquence de fonctionnement.

Les pertes de conducteur sont liées à la conductivité finie des plans et trous métalliques. La
distribution des champs dans le SIW est semblable à celle du RWG, donc la formule analytique
dérivée pour le RWG peut être adoptée pour le calcul de la constante d’atténuation due à la perte
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 17

Figure 2.2 – L’atténuation du SIW (avec h=0.508 mm).

de conducteur dans le SIW (Bozzi et al., 2014). La largeur du RWG est représentée par la largeur
équivalente aef f du SIW :

Rm ⎛ λ2 h ⎞
αc = √ 1 + 30 (2.2)
√ 2
ηh 1 − (λ0 /2aef f εr ) ⎝ 2aef f εr ⎠
√ √
avec aef f = a − d2 /(0.95 × s), la résistance surfacique Rm (Ω) = wµ0 /2σ, η = µ0 /ε0 εr , σ est la
conductivité du métal, et ε0 la permittivité du vide (Cheng et al., 2008).

Les pertes diélectriques sont liées à la perte tangente tanδ du substrat et peut être très élevée
à des fréquences d’onde millimétriques. L’atténuation due aux pertes diélectriques est donnée par
(Cheng et al., 2008):

π√ 1
αd = εr √ tan δ (2.3)
λ0 √ 2
1 − (λ0 /2aef f εr )

La Figure 2.2 montre que l’atténuation du SIW calculée à partir des équations (2.2) et (2.3) en
utilisant les paramètres de substrat sélectionné pour la fabrication des différentes lignes de trans-
mission (Rogers RT/Duroid 6002 avec h=0.508 mm, d=0.4 mm, s=0.8 mm , aef f =1.6 mm et
σ=5.8×107 S/m). Comme démontré en (Bozzi et al., 2014; Coonrod, 2014), si les règles définies
18

dans (Bozzi et al., 2014) sont respectées les pertes de rayonnement sont négligeables. On voit que
l’atténuation due au diélectrique est dominante par rapport à celle due au conducteur (95% de
l’atténuation totale), ainsi que l’atténuation totale du SIW est plus ou moins stable sur la bande
de fréquence (70-110 GHz). La solution intuitive pour réduire les pertes SIW sera de réduire prin-
cipalement les pertes diélectriques qui sont limitées par les matériaux commerciaux disponibles. En
regardant l’équation 2.3, ces pertes peuvent également être réduites soit en diminuant la permittivité
du substrat, soit en augmentant les paramètres physiques du guide SIW (largeur et épaisseur). Il
est à noter que les pertes diélectriques sont indépendantes de l’épaisseur du substrat contrairement
aux pertes de conducteur.

(a)

(b)

Figure 2.3 – Effet de rugosité de surface sur (a) l’atténuation du conducteur et (b) l’atténuation totale
du SIW (h=0.508 mm).
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 19

2.2.2 Effet de profil de conducteur (rugosité de surface)

Pour les processus des circuits imprimés (PCB : Printed Circuit Board) et les circuits microélec-
troniques, la surface entre le conducteur et le substrat est souvent rendue rugueuse pour améliorer
l’adhérence substrat-conducteur. En ondes millimétriques et dans la gamme de fréquences gigahertz,
la profondeur de peau de cuivre est équivalent à la moyenne quadratique réelle (RMS : Root Mean
Square) de la rugosité de surface et provoque une distorsion importante du signal. Par conséquent,
il est important d’estimer avec précision l’effet de rugosité de surface sur les pertes de SIW et la
gestion de la puissance aux ondes millimétriques (Yi et al., 2016; Pozar, 2011). Une formule quasi
empirique qui peut être employée pour estimer de manière approximative la rugosité de surface est
:
∆ 2
αc′ = αc [1 +
2
arctan (1.4( ) )] (2.4)
π δs

où αc est l’atténuation due à des conducteurs parfaitement lisses, αc′ est l’atténuation corrigée
pour l’effet de la rugosité de surface, ∆ est la moyenne quadratique réelle (RMS) de la rugosité de
surface et δs est la profondeur de peau du conducteur.

La Figure 2.3 présente l’effet de rugosité de surface sur l’atténuation du SIW calculée à partir
des équations (2.3) et (2.4). Sur la Figure 2.3a, on peut voir que l’atténuation du conducteur peut
être doublée en ajoutant l’effet de la rugosité défini par le facteur de correction de Morgan (MF:
Morgan factor) donné dans (Pozar, 2011). On peut également noter que, les pertes métalliques en
ajoutant l’effet de rugosité de surface, deviennent comparables au celles de diélectrique.

2.2.3 La tenue en puissance (PHC)

La capacité de traitement de puissance moyenne (APHC: Average Power Handling Capability)

du SIW est calculée à l’aide d’une équation de transfert de chaleur. Les sources de chaleur sont
principalement causées par les pertes diélectriques et ohmiques dans le SIW. L’APHC précise est
obtenue en comparant la température maximale à l’intérieur du SIW avec la température de dis-
torsion thermique des matériaux diélectriques correspondants (Cheng et al., 2008). Les facteurs qui
peuvent affecter les pertes ohmiques et diélectriques du SIW, telles que la fréquence de fonction-
nement, l’épaisseur et les propriétés des matériaux du substrat utilisé, sont également étudiés. Des
20

conclusions importantes sont données, qui peuvent fournir des suggestions utiles pour l’application
technique de la structure SIW, en particulier dans les systèmes à haute puissance.

(huc + hdc + 2hr ) aef f (Tw − T∞ )

AP HC = (2.5)
αtot

où hc est le coefficient de transfert de chaleur par convection et hr le coefficient de transfert de

chaleur par rayonnement. Tw (K) est la température du diélectrique, T∞ (K) est la température de
l’environnement (généralement 20○ C) (Cheng et al., 2008).

Figure 2.4 – Effet de rugosité de surface sur APHC (avec h= 0.508 mm).

La Figure 2.4 représente l’effet de rugosité de surface sur APHC (avec h=0,508 mm). Comme on
peut le voir, l’APHC est directement affectée par la rugosité de surface du substrat. Cet effet réduit
la puissance moyenne d’environ 12 watts sur toute la bande de fonctionnements, ce qui équivaut à
une réduction de 50% de la puissance moyenne totale.

De la même manière qu’un guide RWG métallique conventionnel, le SIW a une capacité maximale
de traitement de puissance crête (PPHC : Peak Power Handling Capability) qui peut être mesurée
avant que la distorsion diélectrique ne se produise. Ce type de distorsion est défini par le PPHC et
peut être considéré comme une puissance d’onde pulsée, contrairement à l’APHC qui est la puissance
d’onde continue (Dong et al., 2012).

¿
Á
À(1 − ( fc ) )a .h.√ε .E 2 /480π
2
P P HC = Á ef f r 0 (2.6)
f
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 21

où E0 la rigidité diélectrique des matériaux correspondants.

Selon l’équation 2.6, le PPHC dépend de la rigidité diélectrique et de l’épaisseur du substrat

à une fréquence donnée. Un substrat épais peut supporter une tension plus élevée pour le même
champ de distribution.

2.3 Études paramétriques de l’OS-SIW

La clé pour maximiser la puissance transmise dans le guide d’onde est de réduire tout type
de pertes. Étant donné que la permittivité du substrat utilisé et la tangente de perte diélectrique
sont définies par le fabricant sans accès à ces paramètres, les dimensions du guide d’ondes (aef f
et l’épaisseur h) sont les seuls paramètres accessibles qui peuvent être modifiés pour améliorer les
performances du SIW. Dans cette section, une étude paramétrique des dimensions du guide d’onde
pour trouver la structure qui garantit un PHC maximum et des pertes de transmission minimales.

2.3.1 Épaisseur du substrat

La Figure 2.5 montre l’effet de l’épaisseur du substrat sur l’atténuation SIW et le PHC en
utilisant le substrat Rogers RT/Duroid 6002 avec les spécifications données précédemment. Trois
épaisseurs disponibles pour ce substrat sont considérées : 0.254, 0.508 et 0.762 mm. On peut voir
sur la Figure 2.5a que l’atténuation du conducteur peut être réduite, en agissant sur l’épaisseur du
substrat, tout comme la réduction de l’atténuation totale (Figure 2.5b), et elles sont inversement
proportionnelles à h. L’effet de réduction des pertes est plus prononcé lorsque l’épaisseur du substrat
est augmentée de deux fois c’est-à-dire de 0.254 mm à 0.508 mm (réduction d’environ 25%) par
rapport à l’épaississement de 0.508 mm à 0.762 mm (réduction d’environ 10%).

L’APHC maximum calculé pour les différentes épaisseurs de substrat est illustré sur la Figure
2.5c. Par exemple, pour une épaisseur h=0.762 mm correspond un meilleur APHC sur la bande
de fréquence. L’épaisseur du substrat a le même effet sur le PPHC comme on peut le voir sur la
Figure 2.5d. De plus, cela démontre que le SIW a une puissance crête très élevée dans les bandes
micro-ondes et ondes millimétriques. Le SIW sur ce substrat peut supporter à 90 GHz, 200 kW ou
plus de 300 kW avec une épaisseur de 0.762 mm. L’épaisseur du substrat est limitée à aef f /2 pour
22

(a) (b)

(c) (d)

Figure 2.5 – Effet de l’épaisseur du substrat SIW (avec rugosité de surface) sur (a) l’atténuation du
conducteur, (b) l’atténuation totale, (c) l’APHC et (d) le PPHC.

éviter la propagation des modes supérieurs. En revanche, l’épaisseur est limitée aussi pour faciliter
l’intégration avec des lignes microruban (MSL: Micro-Strip Line) afin de résoudre les problèmes de
caractérisation et de mesure.

2.3.2 Largeur

D’après les équations des pertes dans les guides SIW mentionnées auparavant dans 2.2 (qui
devient 2.4 en tenant compte l’effet de rugosité) et 2.3, les deux quantités des pertes SIW sont
inversement proportionnelles à la largeur du guide d’onde. La Figure 2.6 illustre l’effet de la largeur
du SIW sur l’atténuation et le PHC du SIW à 90 GHz. Sur la Figure 2.6a, on peut voir que
l’atténuation totale est doublement réduite, on passant d’une largeur initiale égale à aef f à une
largeur de 2×aef f , par la suite elle est plus ou moins stable. En ce qui concerne l’APHC et le PPHC
du SIW, sont proportionnels à la largeur (aef f ) comme montré à la Figure 2.6b. L’agrandissement
de la largeur du SIW de 2 mm peut augmenter l’APHC d’environ 45 watts. Le PPHC est trois fois
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 23

(a)

(b)

Figure 2.6 – Effet de largeur du SIW sur (a) la perte du SIW et (b) la tenue puissance (avec h=0.508
mm et f =90 GHz).

plus élevé dans le cas où aef f =4.8 mm (OS-SIW 3a) par rapport à un SIW standard (aef f =1.6
mm).

Par ailleurs, l’augmentation de la largeur du guide d’onde permet la propagation de modes

d’ordre supérieur qui doivent être gérés. Le guide d’onde dans cette plage de largeur est appelé
guide d’onde surdimensionné.
24

2.4 Modes d’excitation

Dans un guide d’onde surdimensionné, le mode (T E10 ) est le plus souhaité. En effet, même si un
seul mode est lancé en entrée, des modes supérieurs apparaîtront facilement dans les discontinuités
de la ligne de transmission par une conversion de mode. S’il y a plusieurs composants dans le circuit,
la description mathématique peut rapidement devenir très complexe, car en pratique, la distribution
de champ est imprévisible. Si la conversion du mode souhaité en modes indésirables est négligeable,

(a)

(b)

(c)

Figure 2.7 – Modes pris en charge dans (a) SIW standard, (b) OS-SIW 3a et (c) OS-SIW 5a.
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 25

on peut se référer à un fonctionnement monomode ou à un fonctionnement stable d’un circuit de

guide d’onde surdimensionné spécifique (Butterweck & de Ronde, 1967).

Pour illustrer la présence potentielle des modes supérieurs d’un guide d’onde standard à un guide
d’onde surdimensionné, la Figure 2.7 montre la constante de propagation calculée pour différentes
largeurs du SIW. Sur la Figure 2.7a, on voit clairement que dans le cas d’un SIW standard (largeur
de référence aef f =1.6 mm), un seul mode est prédominant (T E10 ), le deuxième mode (T E20 ) est
en dehors de la bande de fonctionnement (55-110 GHz). La présence des modes supérieurs est
remarquée dans le cas d’un OS-SIW 3a (aef f =4.8 mm trois fois la largeur de référence) et dans
l’OS-SIW 5a (aef f =8 mm cinq fois la largeur de référence) comme le montrent la Figure 2.7b et la
Figure 2.7c. Ces modes d’excitation supérieurs doivent être contrôlés afin de préserver la tenue en
puissance et de réduire les pertes provoquées par la dispersion.

2.5 Transition SIW vers OS-SIW

La réalisation d’un guide d’onde surdimensionné nécessite une transition soigneusement conçue,
pour permettre l’intégration de ce composant aux outils de caractérisation disponibles. Dans cette
section, nous présentons une analyse de la forme et le profil de la transition ainsi que l’optimisation
et la conception de cette dernière. Le but d’une telle transition est de ne permettre que la propa-
gation du mode fondamental et l’adaptation d’impédance (Butterweck & de Ronde, 1967). Le cône
(taper) qui permet la transition entre un guide d’onde surdimensionné et un guide d’onde de taille
standard doit être très lisse pour conserver le mode T E10 pur dans le guide d’onde surdimensionné
(Klopfenstein, 1956; Wheeler, 1939).

Dans notre cas, trois formes ; linéaire, exponentielle et une forme de bouteille optimisée sont
étudiées. La forme de bouteille proposée pour la transition SIW à OS-SIW est basée sur l’équation
2.7 afin d’avoir une forme optimale et de permettre une meilleure adaptation d’impédance (Eghlidi
et al., 2006) :

⎧
⎪ ⎛ 2z 2 ⎞
⎪
Z
ln( L )
⎪
⎪
⎪ 0
⎝ L2 ⎠ Z0
0≤z≤LT /2
⎪ Z e T
Z (z) = ⎨ ⎛ (2.7)
⎪
⎪
⎪ 4z − 2z 2 −1⎞ ln( ZL )
⎪
⎪
⎪ Z e
⎝ LT L2 ⎠ Z0
LT /2≤z≤LT
⎩ 0
T
26

Figure 2.8 – Taper proposé.

Comme on peut le voir sur la Figure 2.8, la transition contient deux sections, exponentielle et
logarithmique. Cette combinaison offre une transition très lisse et une meilleure adaptation avec une
longueur acceptable. En utilisant le logiciel HFSS, les trois formes sont optimisées pour différents
rapports n=aOS /a0 (qui est plus ou moins proportionnel à Z1 /Z0 avec n strictement supérieur à
1) pour obtenir des coefficients de réflexion prédéterminés de -20 dB, -30 dB et -40 dB autour de
90 GHz comme fréquence centrale. Les longueurs de taper optimisées sont résumées dans le tableau
2.2.
Tableau 2.2 – Comparaison des performances des tapers étudiés

Length (mm)
S11 at -20dB S11 at -30dB S11 at -40dB
Taper form Linear Exponential Modified bottle Linear Exponential Modified bottle Linear Exponential Modified bottle
2 3 3.5 3 8.5 10 6 28 31 16
3 10 10 10 26 35 14 80 95 55
Ratio(n)
4 19 19 18.5 60 80 29 150 190 100
5 29 40 29 58 102 50 230 290 150

En analysant les résultats de simulation des trois formes de transition données dans le tableau
2.2, la relation entre la longueur de taper et le rapport n pour différentes valeurs du coefficient de
réflexion Γ peut être écrite comme suit :

LLinear
T (λg ) = (n − 1) log (n) × Γ−1 × 10−3 (2.8)

LExponential
T (λg ) = 0.36(n − 1)1.6 × Γ−0.97 × 10−3 (2.9)
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 27

Figure 2.9 – Longueur de taper pour les différentes formes étudiées vs rapport n à -30 dB de coefficient
de réflexion.

LM
T
odif ied
(λg ) = n2.4 × exp (Γ−0.35 ) × 10−4 (2.10)

La longueur du taper par rapport au rapport n à -30 dB du coefficient de réflexion calculé à

partir des équations 2.8, 2.9 et 2.10 sont représentées sur la Figure 2.9. On peut voir que le taper
de forme bouteille optimisé, pour un n= 5 (OS-SIW 5a), la longueur de la transition est deux fois
moins qu’une transition exponentielle ou linéaire. Il est à noter que le taper d’une forme linéaire
et exponentielle sont similaires lorsque n en dessous de 5, au-delà de cette valeur, les deux formes
convergent différemment (la forme linéaire est légèrement meilleure). En termes de miniaturisation,
le taper optimisé en forme de bouteille offre de bonnes performances par rapport aux autres formes
étudiées.

2.6 Comparaison des performances des lignes de transmission

Une comparaison avec d’autres technologies de guides d’ondes est nécessaire pour prendre en
charge le choix de conception en termes de PHC et de réduction des pertes de transmission dans
la bande d’opération. Le substrat Rogers RT/Duroid 6002 a été utilisé avec une épaisseur de 0.508
mm comme référence.
28

(a)

(b)

Figure 2.10 – Comparaison des paramètres des lignes de transmission (a) perte, (b) capabilité en la
puissance (pour h=0.508 mm).

La constante d’atténuation et l’APHC du SIW, OS-SIW et RW sont calculées à partir de 2.2 à 2.5
et pour le MSL les règles sont définies dans (Gupta & Bahland, 1979; Denlinger, 1980). Les pertes et
les résultats de L’APHC calculés pour différents composants sont illustrés dans la Figure 2.10. Dans
le cas de MSL, les pertes de rayonnement sont prises en compte. Comme le montre la Figure 2.10a,
l’atténuation OS-SIW est beaucoup plus faible que celles de MSL dans la bande de fonctionnement
et meilleure que le SIW standard. De plus, l’atténuation du guide OS-SIW est comparable à celles
d’un guide d’onde rectangulaire (RW10) notamment dans la gamme de fréquences comprise entre 68
et 90 GHz. En termes de tenue en puissance, comme on peut le voir sur la Figure 2.10b, l’OS-SIW
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 29

(a)

Figure 2.11 – Photographie des composants fabriqués.

peut être un concurrent direct de guide RWG. Ces deux caractéristiques essentielles de l’OS-SIW
permettent d’avoir une structure planaire avec des caractéristiques similaires à un guide RWG.

(a)

Figure 2.12 – Banc de mesure.

30

(a)

(b)

Figure 2.13 – Paramètres S mesurés (a) OS-SIW 3a avec 68 mm de longueur totale et (b) OS-SIW 5a
avec 107 mm de longueur totale.

2.7 Résultats expérimentaux

Pour valider les résultats théoriques et de la simulation, un ensemble de lignes de transmission

sont fabriquées et mesurées dans une bande de fonctionnements allant de 68 à 110 GHz. La transition
WR10-SIW (Djerafi et al., 2013) est utilisée pour connecter les lignes de transmission aux accès de
l’analyseur de réseau VNA (Vector Network Analyser). Le kit d’étalonnage TRL (Through-Reflect-
Line) du SIW est conçu pour éliminer l’effet de transition RWG-SIW.

Pour caractériser cette nouvelle catégorie de lignes de transmission, deux largeurs sont exploitées
pour la conception des OS-SIW. Le premier est un OS-SIW d’une largeur égale à trois fois (OS-SIW
Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 31

3a) la largeur de référence du SIW standard (aef f = 1.6 mm), et le second d’une largeur égale à
cinq fois (OS-SIW 5a) la largeur de référence. Pour chaque ligne OS-SIW, trois longueurs différentes
ont été réalisées, afin de pouvoir déterminer les pertes de transmission de chaque type. Des lignes
standard SIW et MSL ont également été fabriquées pour une comparaison de performances.

Tous les circuits sont conçus en utilisant le substrat Rogers RT/Duroid 6002 avec 0.508 mm
d’épaisseur. La photographie des composants fabriqués qui incluent SIW, OS-SIW, kit d’étalonnage
(kit TRL) et transitions sont donnés dans la Figure 2.11.

Le banc de mesure et le dispositif sous test (DUT: Device Under Test) sont illustrés dans la
Figure 2.12. La même transition SIW-RWG est utilisée pour mesurer tous les composants fabriqués.
Les résultats simulés des pertes de transmission pour chaque type de lignes ont été réalisés à l’aide
du logiciel HFSS en tenant compte de l’effet de rugosité de surface du substrat utilisé (0.4 µm est
considéré pour le substrat Rogers RT/Duroid 6002).

Les résultats de mesure des paramètres S des OS-SIW fabriqués sont représentés sur la Figure
2.13. Comme illustré sur la Figure 2.13a, les pertes de transmission sont environ 1.6 dB dans le cas
d’un OS-SIW 3a (avec une longueur totale de 68 mm compte tenu les deux transitions et l’accès
SIW) et 3.4 dB dans le cas d’un OS-SIW 5a (avec une longueur totale de 107 mm compte tenu de la
transition et de l’accès SIW) comme indiqué sur la Figure 2.13b. Un bon coefficient de réflexion est
obtenu pour OS-SIW 3a (S11 de -15 dB sur toute la bande de fonctionnements) et encore meilleur
dans le cas de OS-SIW 5a.

Les résultats d’atténuation mesurés et simulés des OS-SIW fabriqués sont donnés sur la Figure
2.14. Comme on peut le voir sur la Figure 2.14a, pour un OS-SIW 3a, les résultats mesurés et simulés
de S21 sont en bon accord. La Figure 2.14b montre les résultats d’atténuation de OS-SIW 5a, et
nous avons également un bon accord entre les résultats. L’atténuation des deux guides OS-SIW (3a
et 5a) est comparable à un guide rectangulaire comme prédit auparavant par calcul présenté dans
la Figure 2.10a.

La Figure 2.15 montre l’atténuation mesurée des différentes lignes de transmission fabriquées.
On peut voir que la nouvelle catégorie de ligne de transmission (OS-SIW) conçue dans ce projet
présente une atténuation qui peut être 2 Np/m inférieure à une ligne SIW ou MSL standard.
32

(a)

(b)

Figure 2.14 – Atténuation de (a) OS-SIW 3a et (b) OS-SIW 5a.

Figure 2.15 – Atténuation mesurée de différentes lignes de transmission fabriquées.

Chapitre 2. Guide d’onde intégré au substrat surdimensionné 33

(a)

(b)

Figure 2.16 – Résultats de comparaison APHC (a) OS-SIW 3a et (b) OS-SIW 5a.

Les performances des guides OS-SIW en termes de APHC sont estimées en se basant sur résultats
de mesure. La Figure 2.16 montre les résultats de l’APHC des lignes OS-SIW 3a et OS-SIW 5a.
Les résultats de la comparaison APHC de OS-SIW 3a sont en bon accord, comme on peut le voir
sur la Figure 2.16a. L’APHC mesuré, simulé et calculé de OS-SIW 5a est représenté sur la Figure
2.16b. Par rapport au SIW standard, une augmentation de 10 watts à 50 watts (5 fois) est faisable
en utilisant OS-SIW 3a et à 75 watts (7.5 fois) en utilisant OS-SIW 5a. Cette performance des
OS-SIW en termes d’amélioration de la tenue en puissance par rapport au SIW standard met en
évidence l’exploitation potentielle de cette nouvelle catégorie de lignes de transmission pour couvrir
les besoins des systèmes à haute puissance.
34

2.8 Conclusion

Dans ce chapitre, L’OS-SIW est une nouvelle catégorie de lignes de transmission a été proposée
pour les systèmes en ondes millimétriques à haute puissance. Une étude théorique des pertes et
de la capacité gestion de la puissance du SIW standard est réalisée en considérant l’effet de la
rugosité de surface pour la première fois (de nos meilleures connaissances, ce phénomène n’a pas
été pris en compte dans les travaux précédents pour le calcul de la tenue en puissance des SIWs).
Cette considération a permis une meilleure estimation de l’atténuation et de la tenue en puissance
des guides SIW standard. L’étude paramétrique a permis de réduire les pertes de transmission et
d’augmenter la tenue en puissance, montrant l’effet positif de l’agrandissement de la largeur et de
l’épaisseur du SIW. Ce nouveau guide d’onde surdimensionné est un type de ligne de transmission
nommé OS-SIW.

Une transition SIW vers OS-SIW a été réalisée pour permettre la caractérisation de cette nouvelle
catégorie de lignes de transmission et empêcher la propagation des modes d’ordre supérieur. Une
analyse des trois formes de taper a été réaliser afin de pouvoir déterminer une transition optimale.
Le choix de la transition adéquate est basé sur les performances en termes coefficient de réflexion
et la longueur du taper. Il a été démontré qu’une transition de forme bouteille offre une meilleure
adaptation d’impédance avec une longueur raisonnable.

Les mesures des prototypes fabriqués ont démontré que l’utilisation de l’OS-SIW améliore effica-
cement, sur une large bande de fréquence, la tenue en puissance et réduit considérablement les pertes
de transmission par rapport à une ligne standard du SIW et MSL. Cela fait de la nouvelle catégorie
de lignes de transmission (OS-SIW) un très bon choix pour les futurs systèmes de communication
en ondes millimétriques, qui nécessitent une puissance de transmission élevée.
Chapitre 3

Diviseurs/combineurs de puissance
sans saut d’impédance caractéristique

3.1 Introduction

Ce chapitre porte sur la conception des diviseurs/combineurs de puissance à base des lignes de
transmission à impédance unique. Cette nouvelle technique permet d’avoir des structures simples,
petite taille et faible coût. En plus, le saut d’impédance devient problématique dans les bandes mil-
limétriques en générant des pertes additionnelles. Un réseau de diviseurs/combineurs de puissance
est indispensable pour notre système pour permettre d’atteindre un niveau de puissance nécessaire.

La figure 3.1 illustre les différentes techniques de combinaison utilisées dans les systèmes mi-
croondes et onde millimétrique. Au niveau des puces, les concepteurs s’efforcent d’utiliser des cir-
cuits de recombinaison faibles pertes en technologie planaire en s’appuyant sur des structures de
transmission, comme les lignes microruban ou les guides d’onde coplanaires. Des structures de com-
binaison comme les coupleurs de Wilkinson et les coupleurs de Lange sont également très utilisées
aux fréquences millimétriques, où les pertes des circuits sont majeures.

Au niveau circuit, un grand nombre de techniques de combinaison sont disponibles. Les concep-
teurs ont également un large choix de structures pour la réalisation du combineur de puissance,
comme les lignes de transmission et les cavités résonnantes. Typiquement, une première sélection de
36

Figure 3.1 – Techniques de combinaison en micro-ondes et onde millimétrique.

la technique de combinaison porte sur plusieurs critères de fonctionnement d’un système global qui
sont : la bande de fréquence requise, l’objectif de puissance en sortie du système, et le nombre de
ports ou modules de puissance à recombiner dans le cas d’un système amplificateur de puissance à
état solide. Enfin la combinaison spatiale peut être considérée comme un sous-ensemble des niveaux
puce et circuit ou un hybride des deux comme décret par (Bonnet, 2014).

La division de puissance est l’opération inverse de la combinaison, elle met donc en œuvre des
techniques identiques. On peut donner un exemple plus concret ; l’amplificateur de puissance qui
est composé d’un diviseur de puissance, de plusieurs modules actifs et d’un combineur de puissance
comme illustré dans la Figure 3.2.

Figure 3.2 – Exemple d’application de diviseur/combineur de puissance (amplificateurs de puissance

multiport).
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 37

La demande croissante de composants compacts et peu coûteux dans les systèmes RF et micro-
ondes attire de plus en plus l’attention. L’accent est mis sur les diviseurs/combineurs de puissance à
ondes millimétriques passives hautement intégrés à faible perte pour permettre leur mise en œuvre
au niveau du système (Feng et al., 2019; Lee et al., 2019). Les diviseurs de puissance PD (Power
Divider) sont des composants largement utilisés dans les systèmes de communication radar et micro-
ondes, y compris les réseaux d’antennes, les amplificateurs et les mélangeurs (Luo et al., 2017; Wu
et al., 2018). Les PD les plus populaires sont les structures (Wilkinson, 1960); (Gysel, 1975). Le
diviseur de puissance classique Wilkinson (WPD) a une bande passante acceptable, mais sa faible
capacité de traitement thermique définie par la résistance d’isolation en série limite ses applications.
Le diviseur de puissance Gysel (GPD) améliore la capacité de gestion de la puissance (PHC) grâce
aux résistances de charge externes. Dans le GPD standard, des segments de ligne de transmission
quart d’onde avec trois valeurs d’impédance différentes sont connectés pour obtenir l’isolation et la
division de puissance requise.

3.2 Diviseur de puissance Wilkinson à base de guide d’ondes in-

tégré au substrat de largeur fixe et résistances d’isolation dis-
tribuées

Le circuit diviseur de puissance de Wilkinson (WPD: Wilkinson Power Divider) est utilisé lors-
qu’un niveau de puissance élevé et un degré élevé d’isolation entre les ports de sortie sont requis.
Le fait que les guides d’ondes SIW sont d’excellents choix dans le cas des applications à haute puis-
sance, ce qui les rend un candidat naturel pour construire un circuit WPD. En outre, la technologie
SIW offre également des capacités d’intégration à haute densité et de production en série (Bozzi
et al., 2011; Cheng et al., 2008).

Pour concevoir un circuit utilisant des lignes SIW, l’utilisation des tronçons de ligne de transmis-
sion avec différentes impédances caractéristiques n’est pas souhaitable. Étant donné que l’augmen-
tation de l’impédance nécessite une plus grande largeur de ligne et pour les structures en mode non
TEM (Transverse Electro-Magnetic), la fréquence de coupure sera affectée ainsi que la constante
de propagation. Les circuits WPD avec la technologie SIW précédemment proposée dans (Smith &
Abhari, 2009) et (Kim et al., 2010) est basé sur un SIW demi-mode (HMSIW: Half Mode Substrate
38

Integrated Waveguide) pour assurer le rapport d’impédance requis entre les entrées et les trans-
formateurs en quart d’onde. Dans ces dernières conceptions, contrairement à la topologie standard
√
de Wilkinson, le rapport de l’impédance accès/transformateur est de 2 au lieu du 2 dans le cas
idéal. En outre, dans les circuits à base de HMSIW, la différence entre les performances simulées
et les résultats mesurés modérés en termes d’isolation est due à la discontinuité ajoutée pendant la
fabrication ou la manipulation, ce qui entraîne des pertes par rayonnement supplémentaires. Deux
√
couches sont exploitées dans (Djerafi et al., 2014), afin de générer un rapport proche de 2 (1.5 au
lieu de 1.41 le cas idéal) pour assurer l’isolation. De bons résultats ont été obtenus dans cette concep-
tion, mais la topologie à double couche utilisée rajoute un processus supplémentaire qui complique
la fabrication et augmente le coût. Tous les modèles précédents montrent des résultats modérés en
termes d’isolation, car la référence utilisée de 10 dB d’isolation n’est pas suffisante pour couvrir une
large gamme d’applications (Horst et al., 2007). Pour améliorer les performances du WPD à base
du SIW en termes d’isolation et de tenue en puissance, la section du transformateur d’impédance et
l’intégration de la résistance doivent être améliorées. Naturellement, il est plus simple de concevoir
le WDP à base du SIW en considérant les impédances caractéristiques fixes pour les sections d’accès
et de division.

3.2.1 Configuration et design du circuit

(a) (b)

Figure 3.3 – Diviseur/combineur Wilkinson proposé. (a) Schéma de la topologie proposée et (b) plan
de symétrie du circuit.
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 39

La conception proposée présentée dans ce travail, comme le montre la Figure 3.3a, étend de
WPD à section unique avec deux bras supplémentaires de (Horst et al., 2007). Le plan de symétrie
du circuit pour l’analyse en modes pair et impair est présenté sur la Figure 3.3b. Le port d’entrée et
les ports de sortie sont caractérisés par l’impédance Z0 . La division de la puissance est assurée par
deux sections de ligne de transmission avec la même impédance Z0 et une longueur θ1 . Les ports
de sortie sont connectés par une ligne de transmission avec une impédance caractéristique Z0 et
une longueur θ2 . Ces lignes supplémentaires créent une structure idéale pour intégrer la résistance
d’isolation R(r×Z0 ). La condition d’adaptation déterminée par l’analyse en mode pair et impair du
circuit représenté sur la Figure 3.3b donne :

1 + j2 tan (θ1 )
+ j tan (θ2 ) = 1 (3.1)
2 + j tan (θ1 )

1 + jr/2 tan (θ2 )

− j cot (θ1 ) = 1 (3.2)
r/2 + j tan (θ2 )

Les égalités complexes des parties réelles et imaginaires donnent:

π
θ2 = θ1, + (3.3)
2

√
θ1 = tan−1 2 (3.4)

r = 2 (1 − tan2 (θ2 )) = 1 (3.5)

Dans le SIW, l’impédance est en fonction de la fréquence de coupure et il sera plus approprié de
conserver la même largeur pour éviter la présence de mode d’ordre supérieur. Le défi de notre modèle
est d’avoir une impédance caractéristique fixe au niveau des différents ports et transformateurs,
c’est-à-dire Z1 =Z2 =Z0 (ou le proche que possible). Les longueurs d’onde θ1 et θ2 qui assurent
cette condition sont de 54.7° et 144.7°, consécutivement. Un multiple de demi-longueur d’onde peut
potentiellement être ajouté à θ1 et/ou θ2 pour satisfaire l’exigence de topologie (Djerafi et al., 2014)
en augmentant la longueur totale par multiple de λg .
40

La Figure 3.4a montre la topologie du diviseur/combineur de puissance Wilkinson proposé.

Comme d’habitude, la numérotation des ports est donnée comme suit: 1 pour le port d’entrée, et 2
et 3 représentent les ports de sortie. La structure est à base d’un guide SIW en forme d’anneau. La
plus petite longueur totale appropriée de l’anneau équivalente à 2(θ1 +θ2 )+λg est d’environ 2.11λg
(en considérant la circonférence médiane du cercle). Les deux sorties sont virées d’un angle φ1 depuis
le port d’entrée. φ2 est l’angle entre les ports de sortie et l’emplacement de la résistance à la partie
centrale de l’anneau. Pour répondre aux contraintes imposées par les longueurs θ1 , θ2 et de longueur
totale, l’angle φ1 doit être 25.9° ou 111.17° et φ2 154.1° ou 68.83°, respectivement. Les valeurs de φ1
et φ2 sélectionnées sont 111.17° et 68.83°, ces valeurs permettent d’obtenir un emplacement cohérent
des ports et de simplifier la fabrication et la caractérisation du circuit. La photographe du prototype
fabriqué est fournie dans la Figure 3.4b.

(a) (b)

Figure 3.4 – WPD à base de SIW proposé, (a) topologie et (b) photographie du circuit fabriqué
(h=0.508 mm, a=12.05 mm, R1 =13 mm, R0 =1.9 mm, φ1 =107°, φ2 =73°).

La fente (slot) ajoutée entre les branches de sortie est déployée pour intégrer les résistances
d’isolation. Les résistances montées en surface (SMC : Surface Mount Component) doivent être
moulées en MSL avec une largeur équivalente à celle du pad de résistance utilisé (Djerafi et al.,
2014). L’impédance caractéristique de ce MSL n’étant pas automatiquement équivalente à la ligne
SIW, une discontinuité au niveau de la transition SIW/MSL est crée. Pour remédier à ce problème,
un réseau de résistances est placé le long de la fente. En conséquence, la topologie distribuée est
proposée pour réduire l’effet de la discontinuité des résistances SIW afin d’obtenir une meilleure
isolation.
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 41

Les dimensions du MSL sont définies par la largeur de la résistance SMC et les paramètres du
substrat. L’impédance caractéristique du SIW peut être calculée comme indiqué dans (Fesharaki
et al., 2017) ;

√
2hη 1
ZSIW = √ √ (3.6)
a εr 1 − (f /f )2
c

où η est l’impédance de l’espace libre. Le nombre n est calculé comme le rapport de Z0 (micro-
ruban) et de Zsiw en fonction de h (pour satisfaire Zsiw = Z0 /n). Dans cette conception, un substrat
avec une permittivité relatif εr de 2,94 est utilisé.

(a)

(b)

Figure 3.5 – (a) Nombre de résistances estimé en fonction de h pour différents packaging SMC dispo-
nibles (unité: mm) et (b) l’isolation S23 correspondant à 10 GHz de fréquence et 0.5 mm d’épaisseur
de substrat (h).
42

La Figure 3.5a montre n en fonction de l’épaisseur du substrat pour trois modèles standard de
la résistance SMC (3246, 1608, et 0603) et le modèle parallèle proposé. La Figure 3.5b montre les
performances d’isolation correspondantes simulées avec le simulateur de structure haute fréquence
(HFSS) d’Ansoft.

Sur la Figure 3.5a, compte tenu de l’épaisseur du substrat de 0.508 mm et de différentes résis-
tances SMC disponibles sur le marché, il est possible d’utiliser une résistance SMC du modèle 3246
(métrique), cinq résistances 1608 ou huit résistances 0603. Le niveau d’isolation augmenter avec le
nombre de résistances utilisées comme indiqué sur la Figure 3.5b. Lorsque le modèle 0603 avec huit
résistances SMC est utilisé, une isolation supérieure à 23 dB est observée sur plus de 1.5 GHz de
bande passante. Les dimensions de ce modèle permettent l’utilisation d’un nombre suffisant de slots
retranchés pour réduire la discontinuité.

3.2.2 Discussion des résultats obtenus

Les résultats de simulation et de mesure des paramètres S du prototype conçu et fabriqué

sont présentés sur la Figure 3.6. Nous pouvons voir que les résultats mesurés et simulés sont très
proches. La Figure 3.6a montre les tracés des coefficients de réflexion des ports d’entrée. Les résultats
montrent une bonne adaptation (15 dB) de 9 à 11 GHz. Sur la Figure 3.6b, une isolation supérieure
à 20 dB est observée dans 1.75 GHz de bande équivalant à une bande passante relative de 18%.
Ces résultats sont très prometteurs par rapport à d’autres, précédemment trouvés en utilisant,
différentes structures pour WPD SIW notamment dans (Djerafi et al., 2014) et plus proches des
performances de WPD à base de MSL décrit en (Wang et al., 2016). Les pertes de transmission
entre l’entrée et la sortie, comme illustrer sur la Figure 3.6c, sont d’environ 3.3 dB sur 2 GHz de
bande passante. Le rapport d’amplitude mesuré entre les coefficients de transmission S21 et S31 est
d’environ zéro. Les résultats simulés et expérimentaux confirment les performances de la structure
proposée grâce à une largeur fixe et des résistances d’isolation réparties.

Tableau 3.1 – Comparaison des différents WPD a base de SIW

Isolation Pertes (f0)

Design Bande passante (%)
[20 dB] (GHz) (dB)
(Smith & Abhari, 2009) 9.5-11.5 1-3 19
(Kim et al., 2010) 14.5-15.5 0.5-1 6.7
(Djerafi et al., 2014) 9.4-10.5 0.25-0.75 11
Modèle proposé 8.85-10.6 0.125-0.3 18
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 43

(a)

(b)

(c)

Figure 3.6 – Résultats expérimentaux, (a) coefficient de réflexion a l’entrée, (b) isolation, (c) coefficient
de transmission et déséquilibre des amplitudes.

La comparaison entre le WPD à base du SIW proposé et d’autres travaux précédents utilisant
la même technologie (SIW) est donnée dans le tableau 3.1. La bande passante est définie lorsque
l’isolation S32 est supérieure à 20 dB. La conception présentée dans (Smith & Abhari, 2009) indique
la plus large bande passante du WPD en technologie SIW. Cependant, les pertes d’insertion sont
44

très élevées. Le SIW Wilkinson deux couches à trois résistances d’isolation (Djerafi et al., 2014) a de
bonnes performances dans une bande de 1 GHz. Cependant, sa fabrication reste assez compliquée
par rapport au modèle proposé. Le modèle proposé présente le meilleur résultat en termes d’isolation
et de pertes d’insertion.

3.3 Diviseur de puissance Gysel avec impédance caractéristique

unique

Les diviseurs/combineurs de puissance Gysel GPD (Gysel Power Divider) de différentes tech-
nologies sont supposés obtenir des performances améliorées en termes de taille compacte, de faible
perte et tenue en puissance. Dans (Fahmi et al., 2019), le combineur Gysel à guide d’ondes com-
pactes pour des applications à haute puissance est introduit. Cette technique offre une large bande
passante et une puissance élevée. Le guide d’onde de crête est utilisé avec différents écarts/largeur
pour satisfaire l’exigence d’impédance caractéristique. Un GPD basé sur un guide d’ondes intégré
au substrat en demi-mode (HMSIW) a été présenté dans (Chen et al., 2018). La combinaison de
trois types de lignes de transmission est à nouveau utilisée pour répondre aux règles rigoureuses des
GPD conventionnels.

En raison de la tolérance de fabrication et l’apparition des modes d’ordre supérieur, l’utilisation

de différentes valeurs d’impédance doit être évitée. En effet, et surtout aux fréquences plus élevées,
l’utilisation de deux ou trois impédances caractéristiques impose des paramètres qui ne sont réali-
sables ni par le procédé de fabrication et/ou les matériaux utilisés (permittivité et épaisseur). En
outre, un rayonnement peut se produire au niveau des discontinuités crées par la jonction des lignes
MSL de différentes largeurs, en particulier dans la gamme des ondes millimétriques (Skrivervik &
Mosig, 1989). L’utilisation des lignes MSL de même largeur facilite les procédés de fabrication et
limite l’apparition de modes d’ordre supérieur.

Le diviseur de puissance Wilkinson modifié pour les circuits intégrés en ondes millimétriques
présentés dans (Horst et al., 2007) utilisent une même impédance caractéristique (50Ω) dans la
branche de division et d’isolation. Cependant, en raison de la résistance d’isolation série, la tenue en
puissance reste inférieure à la version conventionnelle GPD. Une structure de diviseur/combineur de
puissance de 50 Ohms dans toutes les branches qui est rapportée dans (Turan & Demir, 2002) offre
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 45

des performances comparables à une structure WPD conventionnelle en termes de bande passante,
tandis que la tenue en puissance reste insuffisante. Pour surmonter la variation d’impédance liée
au problème de la ligne SIW sans altérer d’autres caractéristiques, une impédance de référence est
utilisée dans toutes les parties de WPD (Moulay & Djerafi, 2018c). De plus, la capacité de traitement
de la puissance est améliorée à l’aide d’un réseau de résistance d’isolation distribuée.

3.3.1 Conception

La Figure 3.7a illustre le circuit WPD modifiée proposé dans (Horst et al., 2007). Dans cette
configuration, deux segments supplémentaires d’une longueur électrique de θ2 sont ajoutés dans la
section d’isolation aux celles de transformateurs initiaux θ1 . Cette conception a cinq paramètres
dans la version générale, qui sont réduits à trois lorsque l’impédance constante Z est utilisée. La
configuration proposée représentée sur la Figure 3.7b utilise des lignes de transmission MSL avec
la même impédance caractéristique (Z) pour tous les ports d’accès et trois longueurs différentes.
La division vers les ports de sortie se fait par deux lignes de transmission de même impédance Z
et de longueur θ1 . Les ports de sortie sont connectés par deux lignes de transmission d’impédance
′ ′
caractéristique Z et de longueur θ2 , θ2” , ainsi que par la résistance d’isolation R (ce qui ne donne
que quatre paramètres).

Comme illustré sur la Figure 3.7, la section de division entre les ports d’entrée et de sortie des
deux PD a la même configuration. Ces sections de transformateur divisent la puissance d’entrée

(a) (b)

Figure 3.7 – Configuration du diviseur/combineur de puissance: (a) WPD modifié [10], (b) GPD
proposé.
46

√
par un facteur de 1/ N où N est le nombre de ports de sortie. Cependant, la section d’isolation
diffère d’un type de diviseur à l’autre. Dans le WPD, une résistance série est utilisée, tandis que
dans le GPD, deux résistances shunt connectées à une ligne de transmission sont nécessaires pour
assurer l’isolation des ports. Pour déterminer les paramètres de la nouvelle structure uniforme de
GPD, l’analyse peut se concentrer uniquement sur l’équivalence entre les branches d’isolation des
configurations Wilkinson et Gysel. Par conséquent, la longueur d’onde θ1 est supposée être la même
que dans (Horst et al., 2007; Moulay & Djerafi, 2018c) :

√
r −1
θ1 = tan−1 ( 1 − ) (3.7)
2

′
Les longueurs θ2 et θ2” seront calculées en analysant les modes pairs-impairs des branches d’iso-
lation représentées sur la Figure 3.8a. Toutes les impédances, y compris les résistances R et R’,
ont été normalisées à l’impédance du système Z0 (c’est-à-dire z=Z/Z0 =1). Le circuit contient alors
quatre inconnues, qui sont les longueurs électriques des segments de la branche d’isolation, notés
′
θ2 , θ2 et θ2” , ainsi que les valeurs des résistances normalisées r et r’.

WPD
Zeven = −j cot θ2 (3.8)

r/2 + j tan θ2
WPD
Zodd = (3.9)
1 + j(r/2) tan θ2

r′ (1 − tan θ2 tan θ2 ) + j
′ ′′
GP D
Zeven = (3.10)
1 + jr′ (tan θ2 + tan θ2 )
′ ′′

r′ (tan θ2 + tan θ2 ) + jtan θ2 tan θ2

′ ′′ ′ ′′
GP D
Zodd = (3.11)
tan θ2 + jr′ (tan θ2 tan θ2 − 1)
′′ ′ ′′

Donc, les égalités complexes du mode pair donnent:

tan θ2 + tan θ2
′ ′′

tan θ2 = (3.12)
1 − tan θ2 tan θ2
′ ′′

tan θ2 tan θ2 = −1
′
(3.13)
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 47

et pour le mode impair:

(tan θ2 + tan θ2 + tan θ2 (tan θ2 tan θ2 − 1))

′′ ′ ′′
r
′ = (3.14)
(tan θ2 + tan θ2 tan θ2 tan θ2 )
′′ ′ ′′
2r

tan θ2 (tan θ2 − tan θ2 )

′′ ′

r×r =2
′
(3.15)
tan θ2 tan θ2 − tan θ2 (tan θ2 + tan θ2 ) − 1
′ ′′ ′ ′′

a partir de l’équation 3.12, nous pouvons déterminer que θ2 = θ2 + θ2

′ ′′

et l’équation 3.13 donne:

π
θ2 = θ2 − n n = 1, 3, 5, ...
′
(3.16)
2

(a) (b)

Figure 3.8 – Analyse des branches d’isolation WPD et GPD: (a) analyse en mode pair-impair, (b)
coefficient de transmission des branches d’isolation.
48

pour résoudre les équations 3.14 et 3.15, il faut que:

π
θ2 =
′′
(3.17a)
2
r×r =2
′
(3.17b)

Pour Z=Z0 =50 Ω, les longueurs d’onde θ1 sont 54.7° comme mentionné dans (Horst et al., 2007;
′ ′′
Moulay & Djerafi, 2018c), θ2 et θ2 qui garantissent cette condition selon les équations dérivées sont
54.7°, et 90° respectivement avec R=100 Ω. Pour Z0 =50 Ω, Z1 = Z2 =70.7 Ω, θ1 = 90○ , θ2 = 90○ ,
θ2 = 90○ , θ2 =90○ et R =50 Ω. Ces résultats correspondent au GPD conventionnel. Pour vérifier
′ ′′ ′

(a)

(b)

Figure 3.9 – Résultats de simulation: (a) Gysel conventionnel ie: Z1 =Z3 =70.7Ω, Z2 =50Ω, R=50Ω et tout
′ ′′
les longueurs θ égal a 90○ ; (b) GPD proposé avec Z1 =Z2 =Z3 =50Ω, R=100Ω, θ1 =θ2 =54.7○ et θ2 =90○ .
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 49

notre approche, une simulation des branches d’isolation de la configuration Wilkinson et Gysel a
été réalisée à l’aide du logiciel commercial ADS et les résultats de la simulation sont présentés sur
la Figure 3.8b. On voit que le coefficient de transmission est identique pour les deux branches en
termes d’amplitude et de phase.

Les résultats de simulation du GPD conventionnel et celui proposé sont illustrés sur la Figure
3.9 en utilisant des lignes de transmission idéales à partir du logiciel ADS. La Figure 3.9a montre
les paramètres S du GPD conventionnel, ceux du GPD proposé sont représentés sur la Figure
3.9b. Nous pouvons voir que le GPD proposé présente des performances similaires en termes de
transmission et d’adaptation par rapport au GPD classique. Il convient de noter que le GPD proposé
est plus compact que le standard (2×199.4° de longueur pour la branche de division et d’isolation
comparée à 2×270° pour le GPD idéal) et avec une impédance caractéristique fixe dans toutes les
branches qui rend la structure très simple et plus avantageuse notamment dans les circuits en bandes
millimétriques.

3.3.2 Interprétation des résultats

La Figure 3.10 montre la photographie du prototype fabriqué avec les dimensions optimisées.
Les paramètres S mesurés et simulés du prototype sont présentés sur la Figure 3.11. Il est clair
que les résultats de la mesure et de la simulation sont très semblables. La Figure 3.11a illustre les
coefficients de réflexion des ports d’entrée. Les résultats montrent une bonne adaptation (15 dB)

Figure 3.10 – Photographie du circuit fabriqué avec le substrat Rogers DUROID 6002 (h=0.762 mm,
w= 1.955 mm).
50

(a)

(b)

(c)

Figure 3.11 – Résultats mesurés et simulés: (a) coefficient de réflexion, (b) isolation et(c) coefficient
de transmission.
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 51

sur une bande de fréquence de 9.2 à 12 GHz. Sur la Figure 3.11b, une isolation supérieure à 15 dB
est observée sur 4 GHz de bande correspondant à une bande passante relative de 40%. Cette bande
passante est d’environ 2 GHz (20%) à 20 dB d’isolation et 1 GHz (10%) à 25 dB. Le coefficient de
transmission entre l’entrée et la sortie, comme le montre la Figure 3.11c, est compris entre -3.7 et
-4.7 dB sur 3.2 GHz de bande passante. Les résultats obtenus confirment les performances de la
structure proposée grâce à l’utilisation d’un MSL à largeur fixe.

La comparaison entre le GPD effectué et les autres PD est présentée dans le tableau 3.2. La
bande passante est déterminée pour un paramètre S32 inférieur à -15 et -20 dB. Le modèle proposé
présente un résultat comparable en termes d’isolation et de coefficient de réflexion. Son impédance
caractéristique égale lui donne un avantage sur les autres PD. Dans lequel, la variation des valeurs
d’impédance génère une perte supplémentaire. De plus, le GPD proposé offre une plus petite taille.
En fait, la longueur totale des trois tronçons est de 199.4°, ce qui est inférieur à 270° du GPD
standard et équivalent à la version WPD de (Horst et al., 2007). Le GPD proposé a une bande
passante plus grande que le GPD standard et une capacité de traitement thermique élevée par
rapport au WPD conventionnel.
Tableau 3.2 – Comparaison des performances des structures GPD

Conventional GPD
WPD [10]
GPD (This work)
Isolation 15 dB
[8-12] (40%) [79-110] (33%) [8-12] (40%)
[GHz] (%)
Isolation 20 dB
[8.8-11.2] (24%) [84-100] (17%) [11.3-9.3] (20%)
[GHz] (%)
Reflection
3.9 GHz (39%) 35 GHz (36%) 3.4 GHZ (34%)
coefficient 10dB
Total size (division and
2×270○ 2×199.4○ 2×199.4○
isolation branch length)

3.4 Diviseur/combineur de puissance à quatre voies basé sur un

diviseur de Luzzatto utilisant un pont isolateur installé verti-
calement

Une version du diviseur de puissance à trois voies illustrée à la Figure 3.12a a été proposée par
Luzzatto (Luzzatto, 1967), elle s’étend de la configuration du diviseur de puissance à trois voies
de Wilkinson (WPD) (Wilkinson, 1960). Dans cette structure, la longueur de chaque bras est λ/4
√
avec une impédance caractéristique de 3 de celle des ports et des charges. Le fonctionnement de
52

la jonction peut être facilement déterminé par une dérivation de la matrice d’admittance du réseau.
Si l’on suppose que les ports de sortie sont correctement chargés et que toutes les admittances
sont normalisées à celles des ports, la matrice d’ordre N correspondante est une matrice unitaire.
Par conséquent, tous les ports sont liés les uns aux autres et chaque port est adapté. Si ces deux
conditions sont garanties, le réseau peut être exploité comme un combineur.

Une topologie modifiée est implémentée avec une ligne microruban (MSL) dans (Mgombelo &
Gardiner, 1990). La résistance shunt dans les branches d’isolation entre les sorties est remplacée
par une structure équivalente avec une résistance série. Cette topologie nécessite la modification de
la longueur électrique de chaque branche de λ/4 et 3λ/4 à deux sections de λ/2. Ils démontrent
que la bande passante des coefficients de réflexion d’entrée et de sortie ainsi que celle des pertes
d’insertion augmentent lorsque Z augmente. Par conséquent, la valeur adéquate de Z sera fixée
par les performances requises. La procédure utilisée, en supposant des lignes de transmission sans
perte, consiste à égaliser la matrice de transmission (ABCD) du réseau à celle de l’impédance 3Z0 ,
√
et on obtient Z= 3Z0 R. Le LPD atteint d’excellentes performances d’isolation et d’adaptation.
Cependant, les deux versions de LPD mentionnées précédemment ne permettent qu’une division en
trois voies.

Ce travail propose un nouveau diviseur/combineur de puissance à quatre voies, basé sur la

structure de Luzzatto avec des performances améliorées en termes d’isolation et d’adaptation des
ports. De plus, la structure proposée peut être généralisée pour un nombre quelconque de ports
avec une variation minimale de l’impédance caractéristique des lignes de transmission (Z0 ). La
structure proposée présente la nouveauté d’utiliser un pont à plaques parallèles PPB (Parallel Plate
Bridge) avec la même impédance caractéristique entre les branches du diviseur. L’isolation entre les
différents ports est maintenue par deux sections de MSL et des résistances de valeurs égales. Afin
d’assurer l’isolation entre les ports opposés et d’éviter les pertes importantes causées par les sauts
d’impédance caractéristique, la troisième dimension de la structure est déployée. L’isolation obtenue
entre chaque port permet une amélioration globale des performances du diviseur. A la connaissance
de l’auteur, la conception proposée est la première implémentation d’un LPD avec plus de 3 ports
(trois voies), utilisant une structure 3D.
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 53

(a) (b)

Figure 3.12 – Diviseur/combineur de puissance, (a) réseau de Luzzatto en structure nid d’abeilles (à
trois voies) et (b) topologie proposée (à quatre voies).

3.4.1 Conception et implémentation

La configuration proposée de LPD est illustrée sur la Figure 3.12a. Il étend la conception originale
de Luzzatto avec la même impédance caractéristique entre les branches de sortie, en ajoutant une
résistance d’isolation en série entre les ports de sortie. Tous les ports d’entrée et de sortie ont une
impédance caractéristique de 50Ω. La division vers les ports de sortie est réalisée par deux tronçons
√
de ligne de transmission MSL de même impédance Z1 ( nZ0 ) et de longueur θ1 . Les ports de sortie
sont reliés par une ligne de transmission d’impédance caractéristique Z2 et de longueur θ2 . Ces lignes
supplémentaires créent une structure idéale pour loger les résistances d’isolation R.

Dans la littérature, différents concepts ont été proposés, étudiés et développés en utilisant la troi-
sième dimension (la dimension verticale) des structures planaires (Djerafi et al., 2012; Chi & Chang,
2006). L’objectif de ces concepts est de surpasser les problèmes associés aux structures planaires
tels que la taille, l’encombrement, en plus de l’utilisation de sauts d’impédance indésirables. La
structure développée dans ce travail est une structure transversale composée de deux plaques croi-
sées assurent l’isolation entre les ports opposés. Chaque plaque contient une PPB d’une impédance
caractéristique Z2 et d’une longueur θ2 , ainsi que la résistance d’isolation R, ce qui représente une
54

(a)

(b) (c)

Figure 3.13 – Structure de la branche d’isolation en pont, (a) topologie verticale avec (R=0 mm,
L1 =4.4 mm, L2 =6.6 mm) pour le plan 1 et (R=3.3 mm, L1 =3.3 mm, L2 =0 mm) pour le plan 2, (b)
paramètres S simulés et (c) déphasage simulé.

longueur totale de λ. Le problème est que, la symétrie des ports opposés et l’épaisseur du substrat
utilisé ne permet pas une connexion facile aux plans de masse du pont d’isolation et de la structure
planaire. Pour surmonter ce problème, un décalage est prévu pour l’emplacement des PPB afin de
faciliter leur mise à la terre à celui de la structure planaire à travers des trous. Cette structure est
équivalente à la ligne de transmission à plaques parallèles. La Figure 3.12b nous montre la structure
croisée définie par la combinaison de deux branches d’isolation des ports non adjacents.

La structure PPB (Figure 3.13a) a été conçue avec un substrat Rogers RT/duroid 6002 d’une
épaisseur de 0.762 mm et des résistances SMC de modèle 0603 (métrique). Comme on peut le voir
sur la Figure 3.13b, la structure additionnelle verticale offre une bonne adaptation sur la bande
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 55

passante de fonctionnement ainsi qu’une isolation de plus de 25 dB. La Figure 3.13c montre le
déphasage imposé par la structure. On peut voir aussi que la structure offre un déphasage presque
linéaire avec zéro degré à la fréquence centrale (10 GHz) et de presque ±20 degrés aux limites de
la bande passante (9-11 GHz).

3.4.2 Analyse du circuit

Les caractéristiques principales d’un diviseur de puissance sont: faibles pertes d’insertion, faibles
pertes de retour et une isolation élevée entre les ports de sortie. Une autre propriété souhaitable
d’un diviseur de puissance est une bande passante plus large en fonction du nombre de sections est
utile pour le diviseur de puissance à N voies. La Figure 3.14a illustre la topologie LPD modifiée à N
voies proposée. La branche d’isolation du diviseur de puissance définit la structure delta comme le
montre la Figure 3.14c. Dans le cas de θ2 =λ/2, la conversion delta étoile de la branche d’isolation
du LPD peut être représentée comme indiqué sur la Figure 3.14b. Si la conversion dans le LPD est
remplacée par la structure de conversion en étoile similaire au diviseur de puissance Wilkinson, le
WPD à N voies ((Taub & Fitzgerald, 1964)) peut être constitué comme représenté sur la 3.14d.

Le WPD à N voies est utilisé pour combiner et diviser une haute puissance RF pour chaque port
d’entrée. Cette conception offre une faible perte d’insertion, une isolation élevée entre les ports de
sortie, une bonne adaptation d’impédance pour tous les ports, des résistances de charge externes de
haute tenue en puissance et une capacité de contrôler le déséquilibre au niveau des ports d’entrée.
D’autres conversions sont possibles en considérant un θ2 non identique aux deux configurations. Les
branches N−1 peuvent être combinées pour construire un réseau équivalent réduit illustré dans la
Figure 3.14d.

Comme le diviseur Wilkinson traditionnel, la clé de cette conception réside dans sa symétrie.
En divisant le circuit en deux le long de sa ligne de symétrie et en utilisant l’analyse des modes
pairs et impairs, la complexité de l’analyse peut être considérablement réduite. La résistance R
sera ainsi divisée fictivement en deux résistances en série de valeur R/2. De même, l’impédance du
port d’entrée peut être divisée en parallèle, doublant ainsi l’impédance effective du port. Toutes les
impédances, y compris la résistance R, sont normalisées à l’impédance du système pour faciliter
l’analyse. La conception contient alors cinq inconnues, qui sont l’impédance caractéristique (z1 ) et
56

(a) (b)

(c) (d)

Figure 3.14 – Analyse des circuits, (a) diviseur de puissance à N voies proposé, (b) conversion étoile-
triangle, (c) équivalence en étoile d’un LPD à N voies proposé et (d) réseau à quatre ports équivalent.

la longueur électrique (θ1 ) des bras de transmission, l’impédance caractéristique (z2 ) et la longueur
électrique (θ2 ) des bras d’isolation, et la résistance normalisée r.

Le circuit réduit présenté à la Figure 3.14d est similaire au WPD modifié par Horst (Horst et al.,
2007) ou aussi celui décrit dans (Moulay & Djerafi, 2018c). L’analyse en mode pair-impair du circuit
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 57

et de la structure généralisée comme un diviseur de puissance à N voies est décrite par les équations
suivantes :

√
Z1 = Z2 = N Z0 (3.18)

R
= Z0 (3.19)
N

π
θ1 = + nπ (3.20)
4

θ2 = nπ. (3.21)

En partant de ces règles, il est possible de concevoir n’importe quel diviseur de puissance. En
considérant 50 Ω comme référence, pour la version à 3 voies (N=3): Z1 =Z2 =86.6 Ω, θ1 =90° et θ2 =
180°. Dans le cas de N=4, il faut utiliser: Z1 =Z2 =100 Ω, θ1 =90° et θ2 =180°.

3.4.3 Résultats expérimentaux

Les résultats de simulation du diviseur/combineur de puissance à quatre voies LPD modifié, basé
sur les règles définies, sont obtenus à l’aide des logiciels ADS et HFSS (High Frequency Structure

Figure 3.15 – Photographie du circuit fabriqué.

58

Simulator) d’Ansoft. Les performances du LPD à quatre voies fabriqué sont présentées dans cette
section. La photographie du circuit est donnée à la Figure 3.15. Les structures planaires et verticales

(a)

(b)

(c)

Figure 3.16 – Paramètres S simulés et mesurés, (a) pertes de retour, (b) isolation et (b) pertes d’in-
sertion.
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 59

ont été fabriquées séparément à l’aide d’un processus standard de PCB, puis assemblées pour une
taille totale de 29×29×15 mm3 .

Les paramètres S mesurés et simulés sont représentés sur la Figure 3.16 et ils sont en bon accord.
La Figure 3.16a montre une adaptation acceptable (au moins 15 dB) de 10 GHz à 11 GHz au port
1 (S11 ) et au port 2 (S22 , similaire pour S33 , S44 et S55 ). De même, une isolation de plus de 20 dB
est obtenue pour S24 (S35 ) et S23 (S34 , S45 et S25 ) sur 4 GHz de bande d’opérations correspondant
à 40% de bande passante relative. Le LPD modifié offre une meilleure isolation sur la bande de
fonctionnements par rapport au LPD modifié à trois voies rapporté dans (Mgombelo & Gardiner,
1990).

Les pertes d’insertion entre les ports d’entrée et de sortie S21 (S31 , S41 , S51 ) comme montré la
Figure 3.16c est d’environ 6.7 dB sur 1 GHz de bande passante avec une erreur d’environ 0.3 dB liée
au processus de fabrication, à la permittivité diélectrique et aux pertes du connecteur. Les résultats
simulés et expérimentaux confirment les performances de la structure proposée grâce à l’utilisation
de MSL à largeur fixe et à la mise en œuvre d’une structure en 3D.

3.5 Conclusion

Dans ce chapitre différents types de diviseurs/combineurs de puissance ont été présentés. En

utilisant différentes technologies de lignes de transmission principalement microruban (MSL) et
guide d’onde intégré au substrat (SIW). Il a été démontré qu’en utilisant des lignes de transmission
avec une impédance caractéristique fixe dans toutes les sections de diviseur, permet d’obtenir de
meilleures performances en termes d’isolation et coefficient de transmission ainsi que la tenue en
puissance.

Un diviseur/combineur WPD à base d’un guide SIW avec une impédance caractéristique fixe
et un réseau de résistances d’isolation distribuées optimales a été présenté en première partie du
chapitre. Le prototype a été fabriqué et mesuré; les résultats obtenus montrent que l’utilisation
d’une ligne SIW à largeur fixe et d’un nombre optimal de résistances d’isolation améliore considé-
rablement les performances d’isolation du circuit. Par rapport aux travaux précédents, la topologie
présentée offre une isolation et une adaptation améliorées sur une large bande passante et une
faible atténuation. La structure est simple et facile à fabriquer et sera utile dans la conception de
60

divers composants micro-ondes comme les réseaux d’alimentation, les mélangeurs, etc. Ce circuit
démontre que la largeur de bande d’isolation peut être étendue en ajoutant un réseau de résistances
d’isolation, et cette méthode peut être utilisée dans d’autres diviseurs de puissance pour différentes
applications, en notant que ce circuit fournit une isolation à large bande pour un WPD comparable
à ceux basés sur des lignes MSL.

La deuxième section présente un diviseur/combineur de puissance Gysel modifié à base des

lignes MSL d’impédance caractéristique de 50 Ohm dans toutes les sections. Le prototype fabriqué
et mesuré montre encore une fois que l’utilisation de la même impédance caractéristique améliore
considérablement les performances en termes d’isolation et la capabilité de puissance. Par rapport
aux travaux précédents, le modèle présenté présente des performances très stables en termes d’isola-
tion, d’adaptation et de pertes d’insertion sur toute la bande. La structure simple et uniforme de la
configuration proposée convient par exemple pour construire un réseau d’alimentation qui requiert
une puissance élevée dans la gamme des ondes millimétriques.

Dans la dernière partie du chapitre, il a été démontrer que en appliquant plusieurs modifications,
un diviseur/combineur de puissance à N voies peut être dérivé et mis en œuvre à partir du diviseur
LPD conventionnel à trois voies. En particulier, l’utilisation des lignes MSL avec la même impédance
caractéristique et un pont d’isolation entre les ports opposés a permis de généraliser la topologie à
N voies. Cela fournit également une isolation élevée sur une large plage de fréquences. Les résultats
expérimentaux du prototype réalisé à 10 GHz ont montré d’excellentes performances en termes
d’isolation (20 dB) et d’adaptation (10 dB) sur 4 GHz de bande passante. La structure 3D présentée
dans cette partie a permis la réalisation d’un LPD à quatre voies pour la première fois et peut être
utilisée pour développer des diviseurs/combinateurs de puissance à N voies.

Tableau 3.3 – Performances des diviseurs/combineurs de puissance réalisés

(Moulay & Djerafi, 2018c) (Moulay & Djerafi, 2020) (Moulay & Djerafi, 2018a)
Nombre de port 3 3 4
Technologie de fabrication SIW MSL MSL
Structure Planaire Planaire 3D
Substrat Rogers Duroid 6002 Rogers Duroid 6002 Rogers Duroid 6002
Epaisseur 0.5 mm 0.762 mm 0.762 mm
Bande passante (%)
23 34 30
Adaptation à -10 dB
Bande passante (%)
18 20 50
Isolation à -20 dB
Perte d’insertion (∆ dB) 0.125-0.3 0.8-1.2 0.3
Réseau d’isolation 5 résistances SMD 2 résistances SMD 4 résistances SMD
Faible saut d’impédance
Impédance caractéristique Fixe (Z=50Ω) Fixe (Z=50 Ω)
Z1=50 et Z2=75
Chapitre 3. Diviseurs/combineurs de puissance sans saut d’impédance caractéristique 61

Le tableau 3.3 résume les performances et spécifications des différents diviseurs/combineurs de

puissance réalisés dans ce chapitre. Ce qu’il faut souligner, que l’utilisation des lignes de transmission
avec une impédance caractéristique unique contribue énormément à l’amélioration des performances
des diviseurs/combineur de puissance. L’autre avantage de ce concept est de rendre les structures
plus simples et faciles à fabriquer. Dans le futur d’autres configurations devront être exploitées
afin de généraliser cette méthode de conception c’est-à-dire impédance caractéristique unique. Une
validation de concept pour d’autres types de diviseurs de puissance et d’autres technologies de ligne
de transmission est en cours de finalisation.
Chapitre 4

Détection, collecte et transmission

ultra large bande de la puissance RF

4.1 Introduction

L’objectif principal de ce chapitre est de développer un rectificateur de puissance distribué très

large bande en utilisant des diodes Schottky à polarisation nulle qui peut supporter une haute
puissance pour satisfaire les exigences du système visé. Pour des raisons pratiques de validation du
concept, le design a été adapté pour un signal UWB pulsé allant de 100 MHz à 11 GHz de bande
d’opérations. Des mesures de niveau de puissance des différents signaux présents dans le spectre
UWB ont été également fournies. Les différents scénarios élaborés pour la collecte de la puissance
RF devront permettre de fournir une information plus précise du niveau du signal à mesurer et
d’établir les conditions réelles pour la rectification UWB (Moulay & Djerafi, 2021).

4.1.1 Signal ultra large bande

Les expérimentations sur l’électromagnétisme et les réponses impulsionnelles de certaines classes

de réseaux sans fil dans les années 60 ont données naissance aux techniques dites large bande.
Cependant l’acronyme anglais UWB (Ultra Wideband) n’est apparu qu’au cours des années 80
alors que l’utilisation de cette technique date des années 70 et qu’un brevet est déjà posé depuis
64

1973 par G.F. Ross. Les États-Unis font examiner la possibilité d’utiliser de l’ultralarge bande en
août 1998. En réponse aux commentaires de divers industriels, la FCC (Federal Communication
Committee) a émis un avis de proposition de réglementation. Dans cet avis, publié en 2000, la FCC
reconnaît les capacités intéressantes de l’ultra large bande pour des applications futures. Enfin en
avril 2002, cette commission :
— définit les critères d’un signal ultra large bande :

BP ≥ 500M Hz

ou
fH − fL
2 ≥ 20%
fH + fL

Avec :
- BP, la bande passante définie à -10 dB de la puissance maximale émise
- fH , la fréquence supérieure de la bande passante
- fL , la fréquence inférieure de la bande passante
— autorise l’utilisation de la bande de fréquence [3.1–10.6] GHz pour le développement d’ap-
plications commerciales civiles en définissant le gabarit de la puissance isotrope rayonnée
équivalente.
Suite à cet avis, l’Europe a également défini un gabarit d’émission pour les communications
sans fil ultra large bande dans la bande [3.1-10.6] GHz. L’allocation de cette bande de fréquence n’a
pas été sans concession. Une large bande de fréquence a été attribuée, en contrepartie la puissance
d’émission du signal est faible. De plus contrairement aux Etats-Unis où la puissance d’émission
maximale est constante sur toute la bande, en Europe cette bande a été divisée en plusieurs sous-

Figure 4.1 – Schéma simplifié représentant les spécifications d’un spectre large bande.
Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 65

parties allouant à chacune une puissance d’émission maximale et ceci afin de ne pas perturber les
systèmes préexistants sur le marché de la communication sans fil. Cette réglementation permet aux
systèmes placés sur le marché avant le 31 décembre 2010 de bénéficier de deux bandes de fréquence
[4.2-4.8] GHz et [6-8.5] GHz avec une puissance d’émission à −41.3 dBm/MHz.

4.1.2 Collecte de la puissance RF disponible dans le spectre UWB

L’intérêt majeur de l’ultra large bande UWB réside dans la bande passante disponible pour
l’émission du signal. Dans les paragraphes qui suivent, nous présenterons plus en détail l’influence
de ce paramètre sur la propagation du signal.

Dans les villes et les zones fortement peuplées, il existe un grand nombre de sources RF telles
que les stations de radio et de télévision, les stations de base mobiles et les réseaux sans fil. Il est
possible de collecter une partie de cette énergie et de la convertir en énergie utile, afin de rendre un
appareil sans fil réellement autonome. L’idée principale de ce travail est de concevoir un système
large bande pour récupérer l’énergie des sources RF présentes dans l’environnement pour [3 GHz à
11 GHz] de bande passante. Le schéma bloc de ce projet est illustré dans la Figure 4.2).

Habituellement, le signal UWB a une densité spectrale de puissance très faible (≤−41 dBm/Hz),
pour mettre en place des scénarios réels pendant la collecte de l’énergie RF, nous procédons à

Figure 4.2 – Schéma bloc d’un système de collecte d’énergie RF ultra-large-bande.

66

une mesure des signaux UWB disponibles dans différents environnements. La Figure 4.3 illustre le
niveau de puissance des signaux UWB mesurés à l’aide d’un analyseur de spectre pour les déférents
scénarios représenté dans la Figure 4.2. On voit la présence de plusieurs bandes et standards de
fréquence à usage civil tel-que SRD, AWS 1&2, WIFI, LTE. . . etc. Dans la Figure 4.3a on peut
bien voir que les niveaux de densité spectrale des signaux mesurés varient entre −70 et −60 dBm
dans le cas d’un espace plus confiné. On voit sur la Figure 4.3b qu’on gagne environ 10 dBm de

(a)

(b)

(c)

Figure 4.3 – Niveau de puissance des signaux UWB mesurés à l’aide d’un analyseur de spectre, (a)
dans le laboratoire RF, (b) dans l’immeuble Bonaventure et (c) à l’extérieur de la place Bonaventure.
Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 67

densité spectrale en étant dans un espace plus ouvert. À l’extérieur de l’immeuble les niveaux de
densité spectrale des signaux disponibles varient entre −40 à −60 dBm et on constate la présence
des signaux RF d’autres standards à usage civil comme l’indique la Figure 4.3c.

4.2 Rectificateur multi-étages ultra-large bande amélioré pour la

transmission de puissance des signaux pulsés

Les techniques de transfert d’énergie sans fil WPT (Wireless Power Transfer) et de collecte
d’énergie sans fil WPH (Wireless Power harvesting) ont récemment connu une croissance très ra-
pide et suscité l’intérêt des chercheurs. Le WPT permet le transfert sans fil d’énergie électrique par
le biais de champs électromagnétiques variant dans le temps. La WPH, quant à elle, utilise l’éner-
gie électromagnétique rayonnée. Ces techniques permettent de surpasser le besoin d’alimentation
des appareils dans les dispositifs d’internet des objets IoT (Internet of Things), car l’utilisation,
la recharge et le remplacement des piles deviendront prohibitifs et non durables pour de multiples
appareils. Parallèlement, avec la demande croissante de systèmes à faible puissance tels que les
réseaux de capteurs sans fil et les systèmes d’identification par radiofréquence RFID (Radio Fre-
quency Identification), la collecte d’énergie à partir de signaux RF disponibles en continu devient
une option supplémentaire pour ces dispositifs. Dans les systèmes de collecte/transfert d’énergie
sans fil (WPH/T), le rectificateur est un dispositif essentiel et l’efficacité du rectificateur détermine
l’efficacité globale des systèmes. Nombreux types de récupération d’énergie ont été étudiés en utili-
sant différentes sources d’énergie (Shi et al., 2021; Zheng et al., 2019; Zahra & Djerafi, 2021; Park
et al., 2021; Shen et al., 2020; Du & Zhang, 2018; Zahra & Djerafi, 2018).

Les recherches rapportées sur le WPH/T montrent une performance généralement optimisée
autour d’une ou deux bandes (Shafah et al., 2019; Liu et al., 2017; Kawasaki et al., 2017; Liu et al.,
2015; Niotaki et al., 2014). Dans (Kawasaki et al., 2017) utilisant une diode GaN à 5.8 GHz, il
obtient une puissance de sortie continue de 200 mW avec 0.5 W (27 dBm) de puissance d’entrée
ce qui correspond à 40% de rendement. Ce système nécessite un niveau de puissance d’entrée assez
élevé (au niveau de l’antenne), ce qui n’est pas facile dans des circonstances réelles. Un rectificateur
bibande (dual band) à plage de puissance étendue utilisant un procédé PCB présenté dans (Liu et al.,
2015), l’efficacité obtenue est d’environ 50% en utilisant 7 segments de ligne de transmission pour
une adaptation bibande. Un signal plus élaboré devrait être utilisé pour augmenter l’efficacité. La
68

Figure 4.4 – Concept de système de collecte/transfert d’énergie UWB.

combinaison de deux tons est exploitée dans la (Shariati et al., 2018) pour améliorer la récupération
de la puissance RF. Le WPH dans la bande de radiodiffusion FM (Frequency Modulation) présenté
dans (Shariati et al., 2018) montre l’effet de l’excitation multitons sur la réponse de sortie en courant
continu (CC) du circuit redresseur.

Afin d’obtenir un rendement élevé dans le cas d’un transfert de puissance, il est nécessaire
d’envoyer une puissance élevée qui n’est pas autorisée par les autres standards. La faible densité
spectrale de puissance peut être déployée dans le système WPT pour surmonter la limite de puissance
établie par la commission fédérale des communications FCC (Zeng et al., 2017). Le signal pulsé
contient naturellement de la puissance électromagnétique sur une large bande de fréquences et peut
être une solution pratique pour transférer de l’énergie RF. Habituellement, un signal UWB a une
très faible densité spectrale de puissance (≤−41 dBm/Hz). L’UWB est la promesse d’applications
fertiles pour le sondage des canaux et l’imagerie selon (Henning, 2012; Ross & Lexington, 1973;
Albreem, 2015). Seuls quelques rectificateurs de puissance large bande sont rapportés (Zheng et al.,
2019; Moulay & Djerafi, 2018b). Ces conceptions ont été optimisées pour la rectification d’un seul
signal sinusoïdal dans une bande de fréquence relativement large.

Cette partie détaille la conception et l’étude d’un rectificateur UWB qui permet la rectification
du signal pulsé avec un minimum d’altération. Ce détecteur couvre les différents scénarios de col-
lecte/transfert d’énergie sans fil (WPH/T), comme l’illustre la Figure 4.4. Le rectificateur proposé
Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 69

est capable de détecter la présence d’un signal à un ton, multitons ainsi qu’un signal pulsé. Ce
concept permet de récolter plus de puissance RF à des niveaux de densité plus faibles. Dans ce
scénario, le niveau de la tension de sortie peut être contrôlé non seulement avec le niveau du signal
reçu, mais aussi avec sa périodicité et son rapport cyclique. Une analyse théorique de la rectification
du signal carré et ces harmoniques est réalisée pour estimer le potentiel de signal carré. Ensuite,
l’étude de l’effet des différents paramètres du rectificateur est fournie afin d’améliorer la gamme
de puissance et aussi l’efficacité. Enfin la validation, la caractérisation du prototype fabriqué est
réalisée, le concept de transfert de puissance UWB est présenté et validé.

4.3 Rectification des signaux avec harmoniques

Le circuit simple d’un détecteur de puissance RF à base de diode à polarisation nulle est illustré
à la Figure 4.5. Lorsque le signal RF traverse la diode, il subit un phénomène non linéaire. Cette non-
linéarité peut être décrite comme une expansion polynomiale autour du point de fonctionnement de
la diode (Boaventura & Carvalho, 2011; Bahl, 2009). En considérant un polynôme d’ordre quatre
pour maintenir une rectification de base, l’approximation du courant parcourant la diode peut être

Figure 4.5 – Circuit d’un détecteur de puissance RF à base de diode à polarisation nulle.
70

Figure 4.6 – Domaine temporel et fréquentiel des signaux d’entrée étudiés.

écrite comme suit :

id = Iq + k1 (vd − Vq ) + k2 (vd − Vq )2 + k3 (vd − Vq )3 + k4 (vd − Vq )4 + ... (4.1)

où vd = Vin − Vout et k1 , k2 ,..., kn sont les coefficients du modèle obtenus à partir des dérivées
successives du courant de la diode comme montré dans (Boaventura & Carvalho, 2011).

2 n
k1 = 1! ∣ ;k2 = 2! ∣ ;...;kn = n! ∣
∂Id 1 ∂ Id 1 ∂ Id
1
∂Vd ∂V 2 ∂V n
(4.2)
Vd =Vq d Vd =Vq d Vd =Vq

Les signaux vd et id seront représentés par les signaux génériques x(t) et y(t) respectivement.
Seuls les termes d’ordre pairs seront pris en compte, car les termes impairs n’ont pas d’effet sur la
composante DC (Jose Carlos & Carvalho, 2003; Boaventura & Carvalho, 2011).

y (t) = k2 x2 (t) + k4 x4 (t) (4.3)

Deux formes d’onde sont étudiées pour le signal d’excitation RF, comme illustré à la Figure 4.6.
Le signal de sortie représentée par (4.3) est considéré pour un signal sinusoïdal et un signal carré
et sera analysé dans une gamme de fréquences allant de 100 MHz à 11 GHz.
Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 71

4.3.1 Signal sinusoïdal

Une forme sinusoïdale de signal RF monoton d’amplitude B et pulsation w1 peut s’écrire comme
suit:
x (t) = B cos (w1 t + ϕ1 ) (4.4)

En considérant l’équation (4.3), le signal de sortie de la diode devient :

B 2 k2 3B 4 k4 B 2 k2
y (t) = 2 + 8 + 2 cos (2w1 t + 2ϕ1 ) + B 4 k4 cos (2w1 t + 2ϕ1 ) + B 4 k4 cos (4w1 t + 2ϕ1 ) (4.5)

Les composantes 2w1 et 4w1 seront filtrés, car elles sont hors bande du rectificateur de puissance.
Après avoir normalisé l’amplitude à 1 (en divisant par B), la composante DC sera exclusivement
les termes restants :
ydc = 0.50k2 + 0.37k4 (4.6)

Cela montre que pour maximiser la puissance rectifiée, la diode doit fonctionner dans la région
quadratique où k2 est maximal.

4.3.2 Signal carré

En utilisant les séries de Fourier, nous pouvons décrire un signal carré idéal comme une forme
de série infinie :
4 ∞ sin ((2k + 1) 2πf t)
x (t) = ∑ (4.7)
π k=0 (2k + 1)

4 1 1
x (t) = (sin (2πf t) + sin (6πf t) + sin (10πf t) + ...) (4.8)
π 3 5

Si l’on considère que le rectificateur de puissance est excitée par un signal carré et on remplace
l’équation (4.8) dans (4.3), la sortie de la diode devient :

2
y (t) = k2 ( π4 (sin (2πf t) + 31 sin (6πf t) + 15 sin (10πf t)))
4
(4.9)
+k4 ( π4 (sin (2πf t) + 31 sin (6πf t) + 15 sin (10πf t)))
72

Le rectificateur proposé couvrira les fréquences jusqu’à 11 GHz. Par conséquent, pour un signal
d’entrée carré d’une fréquence allant jusqu’à 2.2 GHz (11 GHz/5), il convient de prendre en consi-
dération les composantes fondamentales, 3eme et 5eme ordre. Dans ce cas, la composante continue
approximative de (4.9) est :
ydc = 0.93k2 + 1.24k4 (4.10)

Pour un signal d’entrée dont la fréquence est comprise entre 2.2 et 3.66 GHz (11 GHz/3), seuls
les composantes fondamentales et 3eme ordre sont prises en compte et y(t) devient:

2 4
y (t) = k2 ( π4 (sin (2πf t) + 31 sin (6πf t))) + k4 ( π4 (sin (2πf t) + 13 sin (6πf t))) (4.11)

Les produits d’intermodulation supérieurs à 11 GHz seront automatiquement éliminés par le

détecteur de puissance, car ils sont hors bande d’opérations, et la composante continue à la sortie
est:
ydc = 0.81k2 + 0.64k4 (4.12)

Enfin, dans le cas d’un signal d’entrée carré dont la fréquence est supérieure à 3.66 GHz, seul le
fondamental sera pris en compte, et y(t) devient :

2 4
y (t) = k2 [ π4 sin (2πf t)] + k4 [ π4 (sin (2πf t))] (4.13)

y (t) = k2 π162 [ 12 − 12 cos (4πf t)] + k4 256

π4
[ cos 8πf t−44cos 4πf t+3 ] (4.14)

Pour une composante DC de:

ydc = 0.81k2 + 1.9k4 (4.15)

Ce cas est équivalent à un signal sinusoïdal avec un facteur de 4/π.

Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 73

Le Tableau 4.1 résume la composante continue du rectificateur calculé pour le signal d’entrée
sinusoïdal et carré, en considérant que la bande d’opérations s’étend jusqu’à 11 GHz. En réalité,
pour estimer la puissance récoltée lorsque le signal est à basse fréquence, nous devons considérer un
ordre maximum des composantes. L’erreur est encore négligeable si l’on considère la composante
de 5eme ordre. Le Tableau 4.1 montre clairement que la puissance récoltée est presque deux fois
plus élevée lorsque le signal est carré. L’effet du coefficient k4 est important ainsi que k2 peut être
prédominant.
Tableau 4.1 – Composantes DC calculées

Signal d’entrée Harmoniques composante DC

Sinusoidal (4.5) 1 ydc = 0.50k2 + 0.37k4
Carrée (< 2.2 GHz) (4.9 ) 5 ydc = 0.93k2 + 1.24k4
Carrée (2.2 to 3.66 GHz) (4.11) 3 ydc = 0.81k2 + 0.64k4
Carrée (> 3.66 GHz) (4.13 et 4.14) 1 ydc = 0.81k2 + 1.9k4

4.4 Contraintes de la conception

La conception du rectificateur est un compromis entre plusieurs exigences de la performance

globale du système, notamment la fréquence de fonctionnement, la largeur de bande, la sensibilité,
la gamme dynamique et les températures extrêmes.

La haute impédance d’entrée de la diode complique l’adaptation sur une large bande du réseau
des détecteurs/rectificateurs de puissance RF tout en conservant sa sensibilité. Dans les systèmes à
haute fréquence, cela devient plus complexe, car il faut tenir compte des effets de la capacité et de
l’inductance du boîtier, de la résistance de contact ohmique de la diode, ainsi que de la capacité et
de la résistance de la jonction.

Un rectificateur de puissance RF à plusieurs étages basé sur une diode Schottky à polarisation
nulle a été conçu. Le rectificateur de puissance UWB a été conçu à l’aide du logiciel commercial
ADS en utilisant la diode Schottky de modèle SKYWORKS SMS7630/079 dont la fiche technique
est fournie dans (Skyworks, 2015) pour avoir les meilleures performances en termes de largeur de
bande et d’efficacité.
74

4.4.1 Modèle de la diode

Afin d’obtenir une meilleure performance du circuit de collecte/transfert de l’énergie UWB,

une caractérisation de la diode utilisée est indispensable. Les paramètres du modèle SPICE de la
diode Schottky fourni par le fabricant sont utilisés pour effectuer les simulations sous ADS. Comme
illustré dans l’encart de la Figure 4.7, le plan de mesure est ramené au niveau de la diode à l’aide
d’un kit de calibration TRL (Through-Reflected-Line) fabriqué à cet effet. Comme on peut le voir
sur la Figure 4.7, le coefficient de réflexion mesuré est différent de celui fourni par le fabricant,
ce décalage est probablement dû aux effets de l’empaquetage (packaging) des diodes. Le résultat
expérimental montre un dispositif sous test (DUT) plus dispersif et réfléchissant. Le modèle basé
sur les mesures sera utilisé dans les prochaines étapes de la conception, y compris le modèle de
packaging des composants à éléments groupés (Figure 4.8a).

Figure 4.7 – Caractérisation du modèle de la diode.

Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 75

(a) (b)

Figure 4.8 – Circuit de rectificateur d’énergie RF, a) modèle équivalent de diode optimisé (avec
L1opt =L2opt = 0,6 nH et C1opt =C2opt = 0. 04 pF) et (b) configuration à N cellule avec LDC =50 nH,
CLn =CL1 =120 pF, RFLoad = 120Ω et RL = 100Ω optimisé pour un circuit à cinq étages.

4.4.2 Effet de RFload et nombre de cellule

La Figure 4.8b illustre la configuration du circuit de collecte de puissance à plusieurs étages

incluant une inductance série. La diode a une impédance d’entrée très élevée. Donc, l’augmentation
du nombre de cellules parallèles réduit l’impédance totale du circuit, et l’ajout d’une inductance
série réduit l’effet capacitif des diodes. En conséquence, la réduction de l’impédance d’entrée du
circuit facilite l’adaptation d’impédance et l’intégration dans d’un système. Les inductances séries
seront modélisées par des lignes de transmission microruban à haute impédance.

(a) (b)

Figure 4.9 – Effet de RFload sur le coefficient de réflexion et l’efficacité du circuit.

76

L’impédance résultante est un paramètre critique pour la conception du détecteur de puissance

distribué. Cela permet de maximiser le transfert de puissance de la source au détecteur et de
mieux adapter la tension de sortie continue. Grâce aux éléments répartis, on obtient de bonnes
performances sur une large gamme de fréquences. Comme la résistance de charge RF (RFload ) joue
un rôle essentiel pour court-circuiter les pertes de retour RF, elle doit avoir une valeur optimale
pour garantir un bon compromis entre la largeur de bande et la sensibilité du système.

L’effet de la résistance RFload simulé sur le coefficient de réflexion et l’efficacité est illustré à
la figure 4.9. Il est à noter qu’un compromis est requis pour obtenir une meilleure adaptation des
entrées et une efficacité maximale sur toute la largeur de bande. La valeur de RFload qui répond le
mieux à ces exigences est de 120 Ω.

L’impact du nombre d’étages est déterminé en fonction de l’efficacité du circuit, comme le montre
la figure 4.10. On peut voir qu’un détecteur à 5 étages est plus efficace que celui à 9 étages. En
outre, le circuit à 5 étages présente une plus grande sensibilité, une gamme dynamique plus élevée
et une plage de puissance plus large.

Figure 4.10 – Effet du nombre de cellules sur l’efficacité du détecteur.

Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 77

Figure 4.11 – Photographie du prototype fabriqué.

4.5 Validation expérimentale du concept

La photographie du circuit fabriqué est présentée à la Figure 4.11. Le substrat utilisé est de type
Rogers RT/duroid 6002 d’une épaisseur de 0.762 mm.

La Figure 4.12 représente le coefficient de réflexion de circuit rectificateur de puissance dans la

bande de fonctionnements, un bon accord entre les résultats mesurés et simulés est observé. Une
calibration standard est utilisée pour la caractérisation expérimentale. Un coefficient de réflexion de
−10 dB est obtenu sur une largeur de bande considérée de 11 GHz, allant de 100 MHz à 10 GHz (un

Figure 4.12 – Résultats mesurés et simulés du coefficient de réflexion.

78

(a)

(b)

Figure 4.13 – Puissance RF en fonction de la sortie DC à différentes fréquences UWB, résultats (a)
simulés et (b) mesurés.

coefficient de réflexion acceptable de −8 dB est observé à 11 GHz). Une légère différence observée
entre les résultats simulés et mesurés est due au procédé de fabrication.
Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 79

4.5.1 Mesure du signal sinusoïdal mono-ton

La Figure 4.13 montre la tension de sortie en courant continu en fonction de la puissance

d’entrée du détecteur distribué pour différentes fréquences dans la bande de fonctionnements. Une
représentation en 3D des résultats de la simulation et des mesures est privilégiée afin de fournir une
meilleure vue des performances du circuit proposé sur toute la bande de fréquences. Les résultats
de la simulation présentés à la figure 4.13a montrent un comportement identique par rapport à
la puissance d’entrée sur la bande de fonctionnements du rectificateur de puissance. Les résultats
mesurés correspondants sont présentés à la Figure 4.13b, demeurent en bon accord avec ceux simulés.
Le même niveau de saturation est observé avec une baisse par rapport à la fréquence.

L’efficacité mesurée et simulée est représentée en fonction de la puissance d’entrée à la Figure

4.14. Un rendement de conversion de puissance maximum de 48% est mesuré à 6 GHz pour une
puissance d’entrée de −40 à 17 dBm. On peut observer que le rendement augmente avec la fréquence
d’entrée (de 40 à 45%) et le rendement de conversion de puissance est calculé selon la formule (4.16).

Poutdc V2
η= = out (4.16)
Pin RL Pin

Le tableau 4.2 résume quelques travaux réalisés pour la collecte de puissance RF dans le cas
d’une bande passante multiple, ultralarge et un seul ton comme référence. Il est important de noter

Figure 4.14 – Efficacité mesurée et simulée.

80

que les quelques travaux qui couvrent la rectification du signal UWB, la bande de fonctionnements
est souvent inférieure au spectre alloué pour les systèmes UWB qui est de 3 à 11 GHz.

Tableau 4.2 – État de l’art de collecte de puissance RF

Elément Efficacité
Fréquence (GHz)
rectificateur Puissance d’entrée
Single 60%
(Liu et al., 2017) HSMS282C
2.45 at 13 dBm
Duel-band GaAs pHEMT 55%, 48%
(Liu et al., 2015)
0.915, 1.8 + Avago HSMS2850 at 5 dBm
Triple-band 48%, 51%, 45%
(Shen et al., 2020) Avago HSMS2850
1.85, 2.18, 2.45 at -5 dBm
C-band 30%
(Kawasaki et al., 2017) GaN Diode
5.1-5.8 at 38 dBm
Ultra-Wide-band 46-66%
(Zheng et al., 2019) Skyworks SMS7630
0.6-3 at 17 dBm
Ce Ultra-Wide-band 40-45%
Skyworks SMS7630
travail 0.1 − 11 at 8 dBm

4.5.2 Mesure du signal pulsé

La conception proposée du rectificateur à plusieurs étages offre une large bande de fonction-
nements avec une efficacité maximale. Le transfert de puissance UWB nécessite un dispositif de
collecte de puissance RF à large bande pour permettre une transmission maximale de la puissance
à la charge, et peut être utilisé pour rectifier un signal à large spectre tel qu’un signal pulsé de
différentes formes. La modulation de largeur d’impulsion (PWM : Pulsed Width Modulation), ou
modulation de durée d’impulsion (PDM : Pulsed Duration Modulation) est une méthode permettant
de réduire la puissance moyenne délivrée par un signal électrique en le découpant efficacement en
parties discrètes. En plus de l’amplitude, le signal PWM est défini par deux paramètres principaux
: un rapport cyclique (cycle de puissance) et une fréquence (Yang et al., 2012; Metivier, 2013).

Le concept de rectification utilisé pour les mesures de transfert de puissance UWB est illustré
à la Figure 4.15. Ce concept est déployé dans différents circuits intégrés comme dans les boucles à
verrouillage de phase (PLL : Phase-Locked Loop) pour convertir efficacement le signal d’erreur de la
pompe de charge en tension de commande continue. Le générateur de signal fournit une impulsion
contrôlée en termes de largeur (rapport cyclique), de période (fréquence) et d’amplitude. En outre,
le transfert de puissance est assuré par le circuit rectificateur de puissance à cinq étages proposés.
Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 81

Figure 4.15 – Schéma bloc de la rectification des pulses avec R = 1kΩ et C = 5nF .

Le filtre passe-bas est ajouté au rectificateur UWB à cinq étages pour atténuer les signaux haute
fréquence généralement associés à la porteuse ou au bruit. Le filtre passe-bas le plus simple est
un circuit RC passif. Le filtre passe-bas de premier ordre utilisé n’a qu’un seul composant réactif.
Les paramètres qui définissent le filtre sont la fréquence de coupure et la constante de temps qui
représente la durée de charge du condensateur (Sinar & Knopf, 2018).

La Figure 4.16 représente la forme d’onde du signal mesuré à la sortie du générateur des
Pulses/profils Agilent 81133A utilisé. Il convient de noter que le pulse produit par le générateur

Figure 4.16 – Mesure du signal fourni par le générateur de signaux Agilent 81133A à 1V d’amplitude
et 50% de rapport cyclique.
82

Figure 4.17 – Voltage DC mesuré en fonction de la fréquence et l’amplitude du la pulse.

est limité à 3 GHz avec une amplitude maximale de 2 V, et que sa forme commence à se dégrader
autour de 2 GHz.

La Figure 4.17 indique la tension de sortie DC du circuit mesurée en fonction de la fréquence

d’entrée. Afin de mieux montrer les performances obtenues, les résultats sont opérés pour un signal

Figure 4.18 – Sortie DC mesurée et simulée en fonction du rapport cyclique à 2 GHz et 1V d’amplitude.
Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 83

d’entrée de 0.1 à 2V d’amplitude. Nous pouvons voir que notre circuit peut récupérer 99% de la
tension d’impulsion d’entrée avec des amplitudes de 0.5 v et plus. Cette efficacité est maintenue pour
toutes les fréquences comprises dans la bande de fonctionnements du détecteur. À une fréquence
inférieure à 1 GHz, 11 harmoniques sont rectifiées par le circuit à cinq étages. Nous constatons que
plus que le pulse est riche en harmoniques, plus que la tension de sortie est élevée. On peut noter
que la composante continue augmente avec la fréquence, voir l’équation (4.8).

La Figure 4.18 illustre les résultats mesurés et simulés du signal de sortie en fonction du rapport
cyclique à une fréquence de 2 GHz et une amplitude de 1V. On note une bonne correspondance
entre les résultats simulés et mesurés et la sortie dc est proportionnelle au rapport cyclique. Comme
on peut le voir, la tension de sortie augmente proportionnellement avec le rapport cyclique pour
un pic de 60%, puis elle stagne. Ainsi, on peut voir que le rendement est meilleur pour un rapport
cyclique compris entre 25% et 70% de la période du signal d’entrée. Cela signifie que plus le niveau
haut de l’impulsion est large, plus que la puissance rectifiée augmente.

Pour tester notre circuit dans un environnement réel, la Figure 4.19 montre la configuration du
banc de mesure dédié. Pour la transmission, un générateur de signaux est utilisé pour générer le
signal transmis (sinusoïdal et pulse) qui alimente une antenne UWB. A la réception, le rectificateur
de puissance est associé à une antenne similaire à celle de l’émission pour collecter la puissance
transmise et pour mesurer la composante continue un multimètre digital est utilisé.

Figure 4.19 – Transfert de puissance UWB.

84

Figure 4.20 – Tension en courant continue reçue par l’antenne.

Deux types de signaux utilisés dans ce test (sinusoïdal et carré) ont été envoyés avec la même
fréquence (2 GHz) et la même amplitude (1 V). Pour des distances de 0.6 à 3 m (2 à 10 pieds), la
tension continue mesurée est représentée à la Figure 4.20. On peut voir que pour la même distance,
la tension continue mesurée dans le cas d’un signal carré est nettement plus élevée (3 fois) que celle
du signal sinusoïdal. Cela confirme l’avantage d’utiliser un signal carré (pulse) dans le cas de la
récolte ou du transfert de puissance.

4.6 Conclusion

Ce chapitre a traité principalement la détection, la collecte et la transmission de la puissance

RF sous un spectre UWB. L’avantage d’utiliser la bande UWB pour la récupération de l’énergie
RF est la largeur de spectre qui peut contenir plusieurs standards de communications civils avec
une faible densité spectrale de puissance.

Un rectificateur à cinq étages ultra-large bande amélioré pour le transfert de puissance sans
fil d’un signal pulsé a été proposé. La caractérisation du modèle de diode a permis d’obtenir de
meilleures performances en termes de rendement et de plage dynamique. Une technique de réseau
Chapitre 4. Détection, collecte et transmission ultra large bande de la puissance RF 85

d’adaptation d’impédance à large bande a été performée pour répondre aux exigences en termes
d’adaptation sur une largeur de bande de 100 MHz à 11 GHz. Les mesures de détection de si-
gnal reflètent la bonne performance de la conception où le rectificateur de puissance est mesuré à
différentes fréquences de l’UWB.

Le circuit rectificateur de puissance RF proposé permet de rectifier un signal carré avec une
faible densité spectrale de puissance et différents rapports cycliques. De plus, ce redresseur offre un
contrôle plus efficace de la sortie en courant continu en contrôlant le rapport cyclique ou la fréquence
du signal d’entrée ainsi que l’amplitude. Le montage de mesure du champ lointain montre que le
transfert de puissance exploitant un signal d’entrée carré peut être 3 fois plus efficace que le signal
sinusoïdal.

Au-delà de l’application de récolte/transfert d’énergie étudiée, cette configuration est très com-
patible avec la détection de signaux large bande (ondes continues modulées en fréquence ou pul-
sées) nécessaire pour la configuration du système RPE proposé. La diode à polarisation nulle réduit
considérablement la complexité du système et les exigences en matière de compatibilité et couplage
électromagnétique.
Chapitre 5

Système de détection RF à champ

proche haute puissance

5.1 Introduction

Le système RPE visé (en mode sans-contacte) consiste en une structure sonde/antenne à champ
proche à balayage associée à un système de détection. En champ proche, la résolution spatiale est
dictée par la distance de l’antenne à l’échantillon et par la taille de la sonde d’antenne. Le défi consiste
donc à concevoir l’antenne avec les dimensions caractéristiques appropriées à notre application (à
l’échelle millimétrique). La largeur de bande constitue également un problème important, vu que la
RPE proposée est employée pour examiner des phénomènes dépendant de la fréquence. La largeur
de bande est limitée par les outils de mesure et par la sonde de champ proche utilisée.

Les sondes résonnantes sont plus sensibles, mais doivent être utilisées dans une plage de fré-
quences étroite. La présence du résonateur permet à l’ensemble de l’instrument de fonctionner dans
un ensemble des fréquences prédéfinies. La plus basse fréquence fonctionnelle dépend de la dimen-
sion de la sonde et du câble. Le facteur de qualité qui diminue avec la fréquence en raison des
pertes définit la bande de fréquences supérieure. La gamme de fréquences typique utilisée dans les
microscopes microonde avec ce type de sonde est inférieure à 20 GHz. Par exemple, dans Gregory
et al. (2017), les sondes perpendiculaires à la surface de l’échantillon et connectées à un analyseur
de réseau vectoriel (plage RF 100 kHz-8.5 GHz) sont utilisées pour mesurer les variations du signal
88

d’impédance RF. Dans Coakley et al. (2015), les résultats présentés sont obtenus à 18.5 GHz en
utilisant une sonde avec une pointe sphérique (0.1 mm de diamètre), ainsi qu’une pointe de sonde
conique à extrémité arrondie de 0.01 mm de diamètre, ce qui a permet une imagerie avec une ré-
solution supérieure (environ 10 µm). Les sondes d’ouverture et les guides d’ondes creux coniques
peuvent aider à couvrir des fréquences plus élevées. La fente à base de guide d’onde rectangulaire
(WR19) présentée dans Nozokido et al. (2001) permet d’obtenir des images bidimensionnelles en
champ proche. Les expériences effectuées à une fréquence (60 GHz) montrent que la résolution de

Figure 5.1 – Principe de la microscopie millimétrique

Chapitre 5. Système de détection RF à champ proche haute puissance 89

l’image est égale à la largeur de la fente de 80 µm. Une lame diélectrique est utilisée dans Ohmiya
et al. (2012) comme sonde à balayage à 60 GHz avec une résolution de 6 µm.

La Figure 5.1 représente un schéma de fonctionnement de la microscopie millimétrique. Une

source millimétrique délivre un signal haute puissance qui est rayonné au-dessus d’un échantillon
par une sonde, puis la sonde détecte une grandeur physique (une intensité de rayonnement) caracté-
ristique de son interaction avec l’échantillon. L’échantillon où la sonde est associée à un système de
déplacement (système motorisé, piézo-électrique. . . ) qui permet de placer la sonde dans le champ
proche de l’échantillon à une distance h0 (h0 <<λ). Plus la sonde est proche de l’échantillon plus
l’intensité du signal est élevée; ainsi en balayant la surface parallèlement au plan de l’échantillon, il
est possible de mesurer des variations de cette grandeur physique. En associant la sortie du détec-
teur à la position relative de la sonde, nous pouvons obtenir une image de la topographie de l’objet.
Comme la résolution spatiale du microscope dépend de la taille de l’ouverture, la sonde comprend
une ouverture à fentes dont la plus grande dimension est de l’ordre de la longueur d’onde λ et la
plus petite dimension de la fente est d’environ λ/30 Chusseau et al. (2017); Töpfer et al. (2015);
Haddadi & Lasri (2012).

Pour surmonter les limitations des mesures électrodynamiques traditionnelles, une nouvelle fa-
mille de sondes non résonantes sera développée. Ils permettront des mesures quantitatives locales
à large bande avec une capacité de puissance adéquate. Nous proposons de développer et réaliser
une sonde sans contact non résonante (directement connectée au générateur haute puissance) basée
sur les lignes surdimensionnées déjà conçues à cet effet. Les sondes développées seront étudiées et
caractérisées avec le potentiel de conditionnement et intégration au système.

5.2 Système de détection proposé

La Figure 5.2 illustre les différents étages du système de détection visé dans ce projet de re-
cherche. Une source RF composée d’un oscillateur contrôlé en tension (VCO : Voltage Controlled
Oscillator) associé à un amplificateur à faible bruit (LNA : Low Noise Amplifier) et un multiplicateur
de fréquence délivre le signal initial à puissance moyenne. Grâce à un diviseur de puissance, le signal
sera envoyé dans deux réseaux d’amplificateurs afin d’augmenter la puissance du signal incident.
Le signal haute puissance délivré sera transmis à l’échantillon via l’ensemble guide d’ondes/sonde
90

Figure 5.2 – Schéma bloc de système de détection proposé

OS-SIW conçues à cet effet. L’échantillon est associé à un champ magnétique permanent, le signal
réfléchi sera rectifié par le détecteur UWB distribué. A noter que pour les essais préliminaires de
prototype l’ensemble de la source RF sera remplacé par un générateur VNA 1-110 GHZ disponible
au niveau du laboratoire.

5.2.1 Réseau d’amplificateurs de puissance

Au cours des dernières années, la conception architecturale des systèmes de communication

a bénéficié, du point de vue de flexibilité, de l’adoption des amplificateurs de puissance multiport
(MPA : Multi Port Amplifier). En particulier, les systèmes de communication par satellite utilisent ce
type d’amplificateur pour répartir de manière flexible plusieurs canaux de transmission vers plusieurs
ports de sortie (ces satellites utilisent aussi des niveaux de puissance assez élevée). Un des paramètres
essentiels d’un amplificateur multiport est l’isolation entre les différentes voies de sortie qui doit être
suffisante pour garantir une isolation acceptable entre les différentes branches. Les amplificateurs
de puissance multiport permettent de combiner des amplificateurs discrets reconfigurables qui se
dégradent progressivement en cas de panne Angeletti & Lisi (2008).
Chapitre 5. Système de détection RF à champ proche haute puissance 91

Des amplificateurs commerciaux seront implémentés au niveau de générateur RF. Vu la multi-

tude des modèles disponible sur le marché qui s’offre à nous, le choix de type d’amplificateur doit
répondre aux exigences du système tel que:
— Largeur de bande d’opérations,
— Boîtier moins encombrement,
— Gain élevé,
— Rendement élevé,
— Haute performance,
— Rapport prix/performance,
— Robustesse,
— Longévité du produit.
Pour pouvoir monter en puissance une multi transition SIW-MSL sera conçue permettant d’im-
plémenter un certain nombre d’amplificateurs selon les besoins en puissance du système.

Figure 5.3 – Optimisation de la transition multiports

92

5.2.2 Conception d’une transition multiports pour le réseau d’amplificateurs

Au niveau de la transition multiport, une optimisation est nécessaire afin d’assurer une division
égale de la puissance de la source RF selon le nombre de ports (Pn ) requis. L’emplacement et la
distance entre les ports (di ), longueur du taper (LT i ) et la largeur (WT i ) de la transition seront les
principaux paramètres à optimiser. La Figure 5.3 représente la structure de la transition multiport
qu’on propose pour implémenter le réseau d’amplificateurs de puissance.

5.2.3 Sonde en onde millimétrique

La sonde millimétrique qu’on propose est en forme d’un taper pour assurer une transition d’un
guide SIW à un OS-SIW (Moulay & Djerafi, 2020), l’autre extrémité du l’OS-SIW qui l’élément
rayonnant constitue la sonde à circuit ouvert. La figure 5.4 nous montre la répartition du champ
magnétique tout au long de la sonde. On peut voir que l’onde stationnaire est uniforme qui nous
donne une bonne information que le signal émis est stable en amplitude et phase.

L’échantillon à mesurer sera placé dans la zone de champ proche pour pouvoir déceler les pro-
priétés des matériaux sous test. Comme illustré à la Figure 5.5, on a une zone de rayonnement
considérable pour couvrir l’emplacement de l’échantillon et pouvoir extraire les informations re-
quises à travers les paramètres S ou le détecteur de puissance.

Figure 5.4 – Distribution du champ magnétique au long de la sonde.

Chapitre 5. Système de détection RF à champ proche haute puissance 93

Figure 5.5 – Zoom sur la partie rayonnante de la sonde.

5.3 Conclusion

Dans ce chapitre l’intégration des composants de base développés dans les chapitres précédents
afin de construire un système de détection en onde millimétrique que nous souhaitons réaliser est
proposée. A commencer par une transition multiport pour contrôler les besoins en puissance du
système ainsi que séparer l’étage amplificateur de puissance au générateur du signal. Cela nous
permettra de réduire le coût et la taille du système d’une part et d’autre part contrôler la puissance
sur une certaine largeur de bande d’opérations. Ensuite, un ensemble guide d’onde et sonde à la fois
haute tenue en puissance et large bande sert à transmettre le signal vers l’échantillon. Finalement,
l’association du détecteur de puissance UWB distribué et l’ensemble guide d’onde et sonde permet-
tront de mesurer le signal provenant de l’échantillon sous test. Les contraintes dues à la fabrication
ainsi qu’à la situation pandémique ne nous ont pas permis malheureusement d’aller jusqu’au bout
de notre projet de recherche.
Chapitre 6

Conclusion et travaux futures

Dans ce travail, différents composants micro-onde et ondes millimétriques ont été présentés avec
la particularité d’utiliser des lignes de transmission avec une impédance caractéristique fixe. Les di-
viseurs/combineurs de puissance à base d’un guide d’onde intégré au substrat (SIW) à largeur fixe et
d’un nombre optimal de résistances d’isolation ou des lignes microruban de même impédance carac-
téristique peuvent améliorer considérablement les performances d’isolation et la tenue en puissance,
et aussi réduire les pertes d’insertion. Le détecteur de puissance multiétages à structure distribuée
réalisé offre une meilleure sensibilité sur une large bande d’opérations.

La nouvelle catégorie de lignes de transmission a été proposée pour les systèmes à ondes milli-
métriques de haute puissance. Une étude théorique des pertes et de la tenue en puissance du SIW
standard est réalisée en considérant l’effet de la rugosité de surface pour la première fois (de nos
meilleures connaissances, ce phénomène n’a pas été pris en compte dans les travaux précédents pour
le calcul de la tenue en puissance des SIWs). Cette considération a permis une meilleure estima-
tion de l’atténuation et de la tenue en puissance des guides SIW standard. L’étude paramétrique a
permis de réduire les pertes de transmission et d’augmenter la tenue en puissance, montrant l’effet
positif de l’élargissement de la largeur et de l’épaisseur du SIW. Une transition optimale SIW vers
OS-SIW a été proposée pour permettre la caractérisation de cette nouvelle catégorie de lignes de
transmission et empêcher une propagation des modes supérieurs. Les résultats expérimentaux ont
démontré que l’utilisation de l’OS-SIW améliore efficacement la tenue en puissance et réduit consi-
dérablement les pertes de transmission par rapport à une ligne SIW standard et MSL sur une large
bande de fréquence. Cela fait de la nouvelle catégorie de lignes de transmission (OS-SIW) un très
96

bon choix pour les futurs systèmes de communication en ondes millimétriques, qui nécessitent une
puissance de transmission élevée.

Différents types de diviseurs/combineurs de puissance ont été également présentés dans ce ma-
nuscrit de thèse en utilisant différentes technologies de lignes de transmission principalement mi-
croruban et guide d’onde intégré au substrat (SIW). Il a été prouvé qu’en utilisant des lignes de
transmission avec une impédance caractéristique fixe ou à faible saut d’impédance dans toutes les
sections de diviseur, permet d’obtenir de meilleures performances en termes d’isolation et coeffi-
cient de transmission ainsi que la capabilité en puissance. Cette configuration est plus adapté aux
structures guide d’onde (y compris SIW) vu la relation largeur/impédance et fréquence de coupure.
La bande passante d’isolation peut être étendue en ajoutant un réseau de résistances d’isolation,
l’utilisation de la même impédance caractéristique MSL améliore considérablement les performances
d’isolation et la capabilité de puissance. En particulier, l’utilisation des lignes MSL avec la même
impédance caractéristique et un pont d’isolation entre les ports opposés a permis de généraliser
la topologie à N voies. Cela fournit également un facteur d’isolation élevé sur une large plage de
fréquences. Par rapport aux travaux précédents, les modèles présentés offrent des performances très
stables en termes d’isolation, d’adaptation et de perte d’insertion sur toute la bande. Les struc-
tures proposées dans ce travail sont simples, faciles à fabriquer, petites taille, et très utile pour la
conception des systèmes de communication RF et micro-ondes.

La rectification et transmission de la puissance RF sous un spectre UWB a été abordée afin

de montrer davantage l’utilisation de la bande UWB pour la récupération de l’énergie RF. Un
rectificateur à cinq étages ultra-large bande amélioré pour le transfert de puissance sans fil d’un
signal pulsé a était proposé à cet effet. Une technique de réseau d’adaptation d’impédance à large
bande a été implémentée pour répondre aux exigences en termes d’adaptation sur une largeur de
bande de 100 MHz à 11 GHz. Les résultats préliminaires confirment que cette technique permet de
couvrir une largeur de bande de 100 Mhz a 20 voir 40 GHz (200%). Les mesures de détection de
signal reflètent la haute performance de la conception où le rectificateur de puissance est mesuré à
différentes fréquences de l’UWB. Le circuit rectificateur proposé permet de rectifier un signal carré
avec une faible densité spectrale de puissance et un rapport cyclique différent. Le montage de mesure
du champ lointain montre que le transfert de puissance utilisant un signal d’entrée carré peut être
trois fois plus efficace que le signal sinusoïdal. Une meilleure combinaison de plusieurs signaux avec
un contrôle des harmoniques et la conception d’une antenne UWB sont prévues afin d’optimiser le
Chapitre 6. Conclusion et travaux futures 97

système de récolte/transfert de puissance. Une adaptation de ce rectificateur permettra la détection

large bande, mais aussi dans un mode pulsé du signal associé a la sonde.

La translation en fréquence des composants conçus à l’issue de ce projet afin de répondre aux exi-
gences du système de détection micro-ondes et onde millimétrique est envisageable pour construire
un prototype fonctionnel, une proposition d’un processus d’intégration de ces composants dans un
système large bande à haute puissance a été aussi présentée. Le nouveau système proposé permet-
tra la détection de plusieurs paramètres des matériaux d’une façon plus précise et plus rapide. La
nouvelle gamme de ligne de transmission et de composants très large bande avec haute tenue en
puissance développée à l’issue de ce projet sera très utile pour d’autres applications sans fil. Le
projet offrira également des avancées pratiques dans le domaine de la médecine. Le système visé ne
nécessite aucun équipement spécialisé. Il est donc peu couteux et facile à utiliser. Le système aura
donc le potentiel de remplacer les systèmes existants (RPE infrarouge, RPE quasi optique, etc.),
qui sont généralement plus couteux et moins sécuritaires.

Perspectives

Au niveau des composants proposés dans cette thèse, dans le cas des guides d’ondes surdimen-
sionnés et afin de montrer encore plus les performances de cette nouvelle catégorie des lignes de
transmission, d’autres composants en onde millimétrique à haute tenue en puissance devront être
développés tels que les filtres, coupleurs, antennes. . . etc.

La nouvelle méthode adoptée dans cette thèse, des composants passifs à impédance caractéris-
tique fixe ou à faible saut d’impédance devront offrir de meilleures performances en termes d’isola-
tion et transmission tout en conservant une taille miniature et une structure facile à intégrer dans
un système. Cette nouvelle méthode sera élargi afin de concevoir d’autres types de diviseurs pour
améliorer encore les performances des diviseurs de puissance en termes d’isolation, transmission et
de bande. D’autres concepts devront être associés à la technique d’impédances fixe afin d’augmenter
le nombre de ports d’entrée/sortie et aussi la bande d’isolation à 40 dB qui devient une option de
choix pour les systèmes microonde.

Concernant la rectification de la puissance RF, d’autres structures devront être déployées afin
d’améliorer l’efficacité du rectificateur et élargir la gamme dynamiques de détection sur une large
98

bande. Des antennes sont en cours de conception afin de pouvoir maintenir une détection à bande
unique et multibande séparément. Cette méthode permettra de mieux contrôler les signaux reçus en
termes d’amplitude et phase pour prévenir le chevauchement des spectres des différents standards
UWB.

Le système devra être intégré sur une même plate-forme et testé. D’autres travaux futurs devront
être consacrés à étendre l’utilisation de cette technique de détection dans d’autre domaine or que la
médecine. Notamment dans l’environnement pour détecter le taux d’oxygène dans l’eau, l’air, etc.,
ainsi que dans le domaine industriel et agricole.
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 ProQuest Number: 30449464

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