REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA

“ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”
VICE-RECTORADO PUERTO ORDAZ
Departamento de Ingeniería Electrónica

Tema 1: El Diodo
Clase 1
Autor: Prof. Betty Maza

Puerto Ordaz, Noviembre 2016

 INTRODUCCION
 A continuación se revisan los fundamentos
básicos de la teoría de los átomos para
comprender las características de los materiales
de acuerdo a la movilidad de las partículas
subatómicas y los fenómenos eléctricos que se
producen debido a esta movilidad
 Estudiaremos las características de los

semiconductores, estos tipos de materiales serán

determinantes para la construcción de la juntura
PN que es la base de los componentes
electrónicos.

Realizado por: B. Maza

 COMPETENCIAS
 Conoce las características de las partículas
subatómicas en los materiales
 Entiende los principios y propiedades de los

semiconductores.
 Identifica las características de los tipos de

materiales según sus propiedades

eléctricas.
 Distingue los tipos de semiconductores.

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 PRE-REQUISITOS
 Conocimientos previos de Física en cuanto a
cargas eléctricas, campo eléctrico, Ley de
Coulomb
 Conocimientos previos de Química básica

en cuanto a elementos de la tabla periódica

y sus características.

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 CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES
 Una de las propiedades características de los
materiales es la resistividad (ρ), que es la inversa de
la conductividad (σ).

Resistencia y Resistividad
R=V R=ρ L
I A

σ=1
ρ J=σE

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ELEMENTOS DE LA TABLA PERIODICA
USADOS EN ELECTRONICA

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Dopaje: Proceso de agregar impurezas en
un semiconductor extremadamente puro
(semiconductor intrínseco) con el fin de
cambiar sus propiedades eléctricas.

El dopado fue desarrollado

originalmente por John
Robert Woodyard mientras
trabajaba para la Sperry
Gyroscope Company durante
la Segunda Guerra Mundial.

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 TIPOS DE SEMICONDUCTORES
Intrínseco: Se denomina así a aquellos
semiconductores puros.
Extrínseco: Se denomina así a aquellos
semiconductores con dopajes ligeros (de
aproximadamente de 1 átomo agregado por
cada 100.000.000 de átomos) y moderados.
Degenerado: Se le llama a aquellos
semiconductores altamente dopados que
actúan más como un conductor que como
un semiconductor.

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 SEMICONDUCTORES Y MATERIALES
DOPANTES
Grupo IV

Silicio (Si),
Simples:
Germanio (Ge)

Compuestos:Carburo de Silicio (SiC)

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ELEMENTOS Y MATERIALES DOPANTES

Grupo III o Grupo V

Boro (B),
Arsénico (As),
Simples Fósforo (P),
Galio(Ga)

Compuestos: GaAs, GaP, AlAs,

AlP, InP

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 MATERIALES TIPO N Y TIPO P

Silicio dopado por Fósforo Silicio dopado por Boro

(dopaje tipo N) (dopaje tipo P)

Aceptor
Donante
Se agregan Impurezas
Se agregan Impurezas
Pentavalentes
Trivalentes (Boro, Galio,
(Fosforo, Antimonio y
Aluminio e Indio)
Arsénico)

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 CONDUCCIÓN EN LOS
SEMICONDUCTORES
Se produce cuando se
aplica una diferencia de
potencial al material
Arrastre o deriva semiconductor (Campo
Eléctrico)

Conducción por:
Se produce en materiales con una
variación en la concentración
debido a una distribución de
Difusión dopado no homogénea o de la
inyección de portadores + o – en
una región.

Para el proceso de Difusión se requieren 3 condiciones

esenciales:
1. Partículas móviles
2. Movimiento aleatorio de partículas
3. Distribución espacial no uniforme de las partículas

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 EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LOS
SEMICONDUCTORES
Ec
Energía

Ev
Conductor Semiconductor Aislante

Temperatura

Los Conductores tienen un coeficiente de temperatura positivo.

Los Semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo.
Los Semiconductores puros a temperatura ambiente se comportan
como un Aislante.

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 ¿QUÉ ES UN DIODO?

 El diodo ideal es un componente discreto que

permite la circulación de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido,
mientras que la bloquea en el sentido
contrario..
Símbolo electrónico:

ÁNODO CÁTODO
Ánodo Cátodo

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 ¿QUÉ ES UN DIODO?
 Actualmente los diodos se fabrican a partir de
la unión de dos materiales semiconductores de
características opuestas, es decir, uno de tipo
N y otro de tipo P, dejando al exterior los
terminales (contactos) que corresponden al
ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)

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 PRINCIPIO DE OPERACIÓN DEL DIODO

 Cuando una tensión positiva se

aplica al lado P y una negativa al
lado N, los electrones en el lado N
son empujados al lado P y los
electrones fluyen a través del
material P mas allá de los límites del
semiconductor.

De igual manera los huecos en el

material P son empujados con una
tensión negativa al lado del
material N y los huecos fluyen a
través del material N.

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 PRINCIPIO DE OPERACIÓN (CONT)

En el caso opuesto, cuando

una tensión positiva se aplica
al lado N y una negativa al lado
P, los electrones en el lado N
son empujados al lado N y los
huecos del lado P son
empujados al lado P. En este
caso los electrones en el
semiconductor no se mueven y
en consecuencia no hay
corriente

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 PRINCIPIO DE OPERACIÓN

 El diodo puede trabajar de dos maneras distintas:

POLORIZACIÓN INVERSA
DIRECTA
En
Es
Eseste
En cuando
caso
cuando
este casola
lala
corriente
corriente
corriente
la corrienteen atraviesa
que
noelcircula
diodo eldesea
atraviesa diodo
por circular
con y
el diodo,
mucha
en sentido
facilidad
opuesto
el diodo sigue
se comporta lacomportándose
a la
ruta
prácticamentedeflecha (laprácticamente
la flecha
como flecha
un deldel
(la circuito
diodo),
como
diodo),
o seaun corto
abierto o sea
del ánodo del
circuito.
cátodo
al cá[Link] ánodo.

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 ECUACIONES

ECUACIÓN CARACTERÍSTICA TENSIÓN –INTENSIDAD EN

EL DIODO
(ECUACION
VT es la tensión térmica DE SHOCKLEY) ambiente 25 ºC
a temperatura
y es igual a 25,71 mV, este valor se obtiene de la
expresión :

VT = K*T/ q
DONDE: I0 es la corriente de saturación inversa
VT Donde:
es la tensión por efecto térmico
K=1,38x10-23
n es J/ºK
la constante de fabricación Si = 1
q=1,6x10 C-19
Ge = 2
T= ºK
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 CURVA CARACTERÍSTICA

Es una forma grafica de observar el funcionamiento del Diodo. Se

refiere a una relación de Corriente-Tensión.

DONDE :

OFF = Corte

ON = Saturación

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 ZONAS DE TRABAJO DEL DIODO
 Se distinguen 3 zonas de trabajo para un diodo:
 Zona Directa
 Zona Inversa
 Zona de Ruptura

 Las zona Directa e

Inversa se describen
mediante la ecuación
característica del diodo, en la zona de ruptura el
dispositivo puede llegar a destruirse sino se
limita la corriente que circula por el.

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 ZONAS DE TRABAJO DEL DIODO

 En zona directa, para V > 0 y si V >~ 4Vζ , la

característica del diodo puede aproximarse
por,

i ~IS e(v/nVζ)
 En zona inversa, para V < 0 y si V »Vζ, la
característica del diodo puede aproximarse
por,
i ~- IS

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 MODELOS CIRCUITALES PARA EL
DIODO
 MODELO IDEAL
 Este modelo fue definido para simplificar el análisis de los
circuitos. Se considera al diodo como un corto circuito (cable)
cuando esta en polarización directa y como un circuito abierto
cuando se ha polarizado de forma inversa.
ID
P.D.
A K
P.I.
A K A K VD
 MODELO DE FUENTE FIJA
 Este modelo aproxima el diodo a una fuente de tensión fija para
el estado de conducción (polarización directa). ID
Vζ
P.D.
A K
P.I. Vζ VD
A K
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 MODELOS CIRCUITALES PARA EL
DIODO
 MODELO CON RESISTENCIA
 Este es el modelo que mas se aproxima al comportamiento
real del diodo, se modela el dispositivo como una fuente fija
con una resistencia.
Vζ Rd
ID

P.D.

A K P.I. Vζ VD
A K

 La curva de este modelo es la que mas se asemeja a la curva

exponencial del diodo

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 MÉTODO GRAFICO: RECTA DE CARGA
 El procedimiento para el cálculo sería:
 1. Determinar la expresión de la recta de carga calculando el
circuito equivalente de Thevenin que ve el diodo.
 2. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito
Thevenin calculado superpuesta al gráfico de la curva
característica del diodo.
 3. Hallar el punto de intersección de ambas curvas

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 CARACTERISTICAS COMERCIALES DE
LOS DIODOS
A la hora de elegir un diodo para una aplicación especifica se
debe cuidar que presente unas características apropiadas
para dicha aplicación. Para ello, se debe examinar
cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante
provee.
Las características comerciales más importantes de los diodos
que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son:
1. Potencia máxima que puede disipar (Pmax),

2. Corriente máxima en directa y Corriente en inversa (Ir)

3. Tensión de ruptura en inversa (VIP) y Tensión máxima de

trabajo en inversa.
4. Caída de tensión en polarización directa (Vt o Vf)

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HOJA DE ESPECIFICACIONES

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 EFECTOS DE LA TEMPERATURA
SOBRE EL DIODO
En un diodo semiconductor, la temperatura
puede afectar algunos de los parámetros del
diodo.

En Polarización Directa:

Variación del voltaje del diodo:

ΔVD ≈ -2,5 mV/ºC
ΔT
Perjudica los niveles máximos de corriente,
tensión y potencia
 EFECTOS DE LA TEMPERATURA SOBRE
EL DIODO
En Polarización Inversa:

 Aumento de la corriente de perdidas en

inversa,
IS (T)= IS(25ºC) 2 T-25/10
 Se aleja del modelo ideal (no se logra el

equivalente de circuito abierto)

 Se incrementa el voltaje de ruptura

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 CAPACITANCIA EN EL DIODO

 CAPACIDAD POR DIFUSIÓN: Este tipo

predomina en polarización directa.

CD= q τN ID = ID τN
kT VT
 CAPACIDAD POR TRANSICIÓN O UNIÓN: Este
tipo predomina en polarización inversa

CT = CJ0
(1 + VR/VK)

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 TIEMPO DE RECUPERACIÓN DEL
DIODO
 Tiempo que tarda el diodo en cortarse
completamente, debido al reordenamiento de los
portadores según el paso de una polarización a
otra.
ID

tt = Tiempo de Transición
ts = Tiempo de almacenamiento
trr = Tiempo de recuperación t
ts tt

trr
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 CIRCUITOS DE APLICACIÓN
Existen actualmente muchas aplicaciones en las
cuales se emplean diodos, básicamente como un
elemento semiconductor con el cual podemos
modificar una señal de entrada, para obtener una
forma de onda con características diferentes.
Algunas de estas aplicaciones son:

Recortadores (Limitadores)
Multiplicadores
Rectificadores
Compuertas

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 AUTODESARROLLO

 REVISAR LA BIBLIOGRAFIA RECOMENDADA:

 BOYLESTAD. CAP. 1
 MALIK. CAP. 2
 MALVINO. CAP. 3

 En la guía de ejercicios correspondiente a diodos

conseguirá diversas configuraciones para el estudio.

 ASISTA A LA PREPARADURIA

Realizado por: B. Maza

 REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

 Boylestad, R. Electrónica: Teoría de

Circuitos. Pearson educación. 6ta Edición
 Malik. Circuitos electrónicos. Análisis,

Simulación y Diseño. Prentice-Hall.

 Malvino, A. Principios de Electrónica.

McGrawHill

Realizado por: B. Maza

 REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
“ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”
VICE-RECTORADO PUERTO ORDAZ
Departamento de Ingeniería Electrónica

Fin de la Clase 1 de
Diodos
Gracias por su atención!!!

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