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Magnetorresistencia y Efecto Hall

La magnetorresistencia es una propiedad por la cual la resistencia eléctrica de ciertos materiales varía en presencia de un campo magnético. Esta propiedad se utiliza en discos duros, donde las cabezas lectoras detectan variaciones en la resistencia eléctrica causadas por los "bits" almacenados como pequeños imanes, permitiendo la lectura de datos. El efecto Hall ocurre cuando un campo magnético perpendicular induce cargas hacia un lado de un conductor, generando un voltaje transversal. Tanto la magnetorresistencia como el efecto Hall se us

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Magnetorresistencia y Efecto Hall

La magnetorresistencia es una propiedad por la cual la resistencia eléctrica de ciertos materiales varía en presencia de un campo magnético. Esta propiedad se utiliza en discos duros, donde las cabezas lectoras detectan variaciones en la resistencia eléctrica causadas por los "bits" almacenados como pequeños imanes, permitiendo la lectura de datos. El efecto Hall ocurre cuando un campo magnético perpendicular induce cargas hacia un lado de un conductor, generando un voltaje transversal. Tanto la magnetorresistencia como el efecto Hall se us

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MAGNETORRESISTENCIA

EFECTO HALL
MAGNETORRESISTENCIA
La magnetorresistencia es una propiedad
que tienen ciertos materiales de variar su
resistencia eléctrica cuando son sometidas a
un campo magnético. Este efecto fue
descubierto por William Thomson en 1857,
aunque no fue capaz de disminuir la
resistencia en más de un 5% (hoy en día se
llega hasta al 600 %).
Las investigaciones recientes han permitido
descubrir materiales que presentan
magnetorresistencia gigante,
magnetorresistencia colosal y
magnetorresistencia de efecto túnel. Tanto la
MR como la GMR se basan en el espín de los
electrones y por eso forman parte de la
espintrónica. Los ordenadores actuales hacen
uso de esta propiedad. Los discos duros
utilizan bien magnetoresistencia, bien
magnetoresistencia gigante.
Las cabezas lectoras de los discos duros están
compuestas por un grupo de elementos tal que
su resistencia eléctrica depende del campo
magnético. Los “bits” en un disco duro se
guardan como un pequeño imán. La cabeza de
lectura eléctrica tiene una resistencia eléctrica
que varía cuando pasa por encima del “pequeño
imán” que es un bit. Por tanto, cuando un bit
pasa por debajo de la cabeza lectora hay una
variación de la resistencia que puede detectarse
fácilmente.
EFECTO HALL
El efecto Hall se produce cuando se ejerce
un campo magnético transversal sobre un
cable por el que circulan cargas. Como la
fuerza magnética ejercida sobre ellas es
perpendicular al campo magnético y a su
velocidad, las cargas son impulsadas hacia
un lado del conductor y se genera en él un
voltaje transversal o voltaje Hall (VH).
Edwin Hall (1835 - 1938) descubrió en
1879 el efecto, que, entre otras
muchas aplicaciones, contribuyó a
establecer, diez años antes
del descubrimiento del electrón, el
hecho de que las partículas circulan
por un conductor metálico tienen
carga negativa.
En la figura se muestra una lámina de un
material que conduce una corriente de
intensidad i cuando sus extremos se
conectan a una batería. Si medimos la
diferencia de potencial entre los lados
opuestos, nos dará cero, tal como se
muestra en la figura de la izquierda.
La situación cambia cuando se aplica un
campo magnético B perpendicular a la
corriente en la lámina, veremos que
aparece una diferencia de
potencial VH muy pequeña entre los
lados opuestos tal como se muestra en la
figura de la derecha.
que el voltaje Hall es directamente
proporcional a la corriente eléctrica y al
campo magnético y es inversamente
proporcional al número de portadores
por unidad de volumen. Por lo tanto, con
un sensor de efecto Hall, se puede
determinar la fuerza que ejerce un campo
magnético si se conoce la corriente a la
que se aplica dicho campo, y viceversa.
INTEGRANTES
JUAN CARLOS AGUDELO CASTAÑO
WISLEINER HERNANDEZ FLACO
LADYS PEREA DIAZ

Gracias .

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