ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE CONVERSORES ESTATICOS
INFORME

PRÁCTICA No: 2
TEMA: Circuitos de protección para transistores
GRUPO:
ESTUDIANTES: Carlos Yánez, Lizbeth Quinga

1. OBJETIVOS
• Comprender el funcionamiento de las redes de protección (Snubber) que se utilizan
comúnmente en transistores.
• Utilizar la simulación digital como herramienta de diseño de redes de protección.
• Utilizar la simulación para observar los transitorios de conmutación de encendido y apagado
de un transistor para una carga altamente inductiva, inicialmente sin redes snubber y luego
con redes incluidas

2. INTRODUCCION
Los circuitos de protección dirigidos para transistores son los encargados de proteger contra
condiciones eléctricas adversas, como sobre corrientes, sobrevoltajes, calentamientos o descargas
parasitas. Esto sucede por la naturaleza sensible ante estos cambios generados durante las
transiciones de encendido, y apagado, por lo que es necesario de la implementación de ciertos
elementos de protección para estos elementos a fin de poder alargar su vida útil.

Los circuitos de protección que se analizaran se tratan de los Snubber de apagado, encendido y
sobretensión, siendo circuitos que permiten limitar las variaciones tanto de voltaje como de
corriente, pudiendo absorber la energía transitoria que se generan durante las diferentes
transiciones.

La implementación de estos circuitos depende del transistor, así como del circuito en el que se
encuentra, pudiendo variar entre el snubber de apagado, encendido o de sobretensión. La
inserción de estos circuitos permite reducir las pérdidas por conmutación, interferencias magnéticas
y sobretensiones.

3. MATERIALES E INSTRUMENTOS
Materiales

- Resistencias comerciales de diferentes valores.

- Transistor en este caso el TIP 122
- Carga resistiva (foco) e inductiva.
 - Diodos rápidos y de conmutación normal
- Condensadores comerciales que soporten alta potencia.
- Puente de diodos de potencia.
- Condensadores de 1000uF

Instrumentos

- Osciloscopio
- Puntas de prueba
- Fuente variable DC
- Variac
- Inductor de protección del osciloscopio
- Onda de corriente

4. RESULTADOS Y DISCUSIONES
4.1 Presentar las formas de onda obtenidas en el laboratorio, analizar y explicar los resultados
obtenidos.

En primeras instancias se realizó las mediciones de voltaje en el colector-emisor y la corriente del

colector, lo que permite tener la grafica en la que se relacionan estos dos factores. Para la primera
toma de datos se implementó únicamente una carga R, en presencia de un diodo de libre
circulación en la carga, de lo que se obtuvo los siguientes resultados. Se considera que aún no se
implementó una red Snubber.

Figura 1 Vce y Ic del transistor

En la figura 1, se muestra la forma de onda del voltaje previamente mencionado, así como de la
corriente, donde se puede ver los valores RMS, y medio de ambas magnitudes. Se puede ver una
señal cuadrada donde en el caso de la forma de onda de corriente se presenta ciertos valores que
varían, además de estar en fase. Con estas dos graficas y realizando la adecuación para que el
voltaje se ubique en el eje x mientras que la corriente se ubique en el eje y, de ello se obtuvo la
siguiente figura. Cabe mencionar que la dirección de corriente fue tomada al contrario por lo que
los resultados de corriente en cuanto a su onda son inversos.
 Figura 2 Relación entre Vce e Ic

En la figura, se puede ver la relación entre el voltaje y corriente pudiendo ver la presencia de
pérdidas de conmutación bajas, pues el are que forma esta figura es baja, notando también que la
conmutación es rápida y estable.

Figura 3 Tiempos de conmutacion con carga R

En la figura 3, se puede notar la toma de datos en cuanto a los tiempos de conmutación del
transistor, notando que el tiempo de subida tiene un valor 616 ns, y el tiempo de bajada tiene un
valor de 25us. Pudiendo notar que por los valores de los tiempos de conmutación existen mayor
índice de perdidas al momento del apagado del transistor, esto se genera ya que no se colocó
ninguna medida de protección.

Con carga RL.

Se realizaron las mismas tomas de datos, de lo cual se obtuvo los siguientes resultados.
 Figura 4 Vce y Ic de la carga RL

En la figura 4, se puede notar la presencia de la carga inductiva en la corriente, lo que se puede

apreciar en la forma de onda de la corriente como al momento del encendido la corriente sube de
apoco hasta llegar un punto y es donde se genera el apagado del transistor. Siendo esta corriente
extra que no se puede ver en el caso anterior lo que genera perdidas y valores que pueden afectar
negativamente al transistor. Además, que en la forma de onda de voltaje de igual manera se eleva
demasiado por presencia del inductor en la carga.
De igual manera se implementó la relación del voltaje y corriente ubicándolos en el eje x y y
respectivamente. Obteniendo la siguiente imagen,

Figura 5 Relación entre voltaje y corriente

Pudiendo notar que existe mayor corriente durante el apagado pues existe la presencia de la carga
inductiva que es lo que genera este incremento de corriente en el apagado, lo que podría afectar o
dañar al transistor.

Ahora se analizará el circuito añadiendo una red sunbber para el apagado del transistor, lo que
afecta positivamente en el circuito permitiendo reducir estas sobre corrientes. Se analizo para una
carga inductiva pues en este caso es donde se produce mayores sobre corrientes.
De la implementación de la red sunubber de apagado se obtuvo la siguiente figura.
 Figura 6 Voltaje, corriente y potencia con carga RL y red Snubber de apagado

En la figura 6, se puede observar el voltaje en el colector emisor del transistor, así como la corriente
de colector, de igual manera se realizó la obtención de la curva de potencia para este circuito
donde se obtuvo valores RMS y medio de cada magnitud mencionada. Se puede ver que en
presencia de una red snubber la forma de onda de corriente baja y sube formando una onda
triangular, pues la energía que se genera durante las transiciones tanto de apagado como de
encendido se podría decir que se disipa por la red snuber mejorando la eficiencia del circuito.
Mientras que la forma de onda de voltaje se puede ver que posee valores alto de voltaje.
La forma de onda de a potencia se puede ver el efecto de la corriente, así como del voltaje, en la
potencia, por lo que se obtiene el resultado mencionado.

Al igual que el caso anterior se realizó la relación entre el voltaje y corriente mencionados, de lo
que se obtuvo el siguiente resultado

Figura 7 Relación entre voltaje y corriente

De la figura 7, se puede notar que a comparación del caso en el que no se presenta una red
snubber, la forma de onda obtenida de corriente es baja lo que confirma el funcionamiento de esta
red, ya que baja el valor de perdidas de corriente mejorar así la eficiencia y tiempo de vida del
transistor.

4.2 Presentar en una tabla los datos experimentales de la corriente de colector, el voltaje
colector-emisor y la potencia de pérdidas en el semiconductor, y contrastarlos con los
obtenidos en simulación. Comentar los resultados obtenidos.

Con las figuras mostradas en el literal anterior se pudo realizar la toma de datos lo que se obtiene a
continuación.
Con carga R

Tabla 1 Valores obtenidos de la carga R

Variable Real Simulado % Error

Voltaje RMS 249 V 242 V 2.81
Corriente RMS 705 mA 680 mA 3.55
Corriente media 415 mA 400 mA 3.61

Con carga RL

Tabla 2 Valores obtenidos de carga RL

Variable Real Simulado % Error

Voltaje RMS 43.6 V 42.3 V 2.98
Corriente RMS 467 mA 450 mA 3.64
Corriente media 252 mA 240 mA 4.76

Con carga RL y red Snubber

Tabla 3 Valores obtenidos de la carga RL con red Snubber

Variable Real Simulado % Error

Voltaje RMS 216 V 210 V 2.78
Corriente RMS 510 mA 495 mA 2.94
Corriente media 400 mA 385 mA 3.75
Potencia 72.2 VA 69.8 VA 3.32

Con estas tablas en primer lugar se puede notar que no existen grandes variades entre los datos
reales obtenidos de la toma de datos en el laboratorio con los datos simulados, ya que se puede
ver que existen menores porcentajes de error.
Además se puede notar en presencia de una carga RL con red Snubber la corriente RMS y media
tienen valores mas altos a los valores obtenidos en presencia de una red Snubber pudiendo notar
que en presencia de una red Snubber se redujo los valores de corriente lo que se esperaba pues
como se notó sin una red Snubber existen sobre corrientes durante el apagado más altos a
comparación de cuando existe una red Snubber pudiendo notar que esta red si trabaja de manera
correcta y cumple la función a la que se destinó.

5. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Carlos Yánez
 - Se pudo observar con el desarrollo de la práctica que un circuito mantiene perdidas de
corriente por presencia de una carga RL, siendo el inductor el que genera ciertos de niveles
de corriente de perdidas en la carga apareciendo durante el apagado, lo que genera sobre
corrientes, notando que al colocar una red Snubber de apagado se reduce esta sobre
corriente y permite mejorar la eficiencia del circuito y destacando la importancia de colocar
estas redes en todos los circuitos que exista la presencia de transistores, pues esto
aumentaría la vida útil de diferentes electrodomésticos.

- Se recomienda revisar la conectividad de las borneras con los cables a fin de que exista una
buena conexión entre el terminal y el elemento del laboratorio, pues en caso contrario no
existirá una buena conexión y no funcionara.

Lizbeth Quinga

- En la práctica se observaron las formas de onda de tensión y corriente en la carga durante

el encendido y apagado del transistor con carga resistiva, resistiva e inductiva sin Snubber
evidenciando sobre pico altos que incrementaban el esfuerzo sobre el dispositivo y
afectaban los tiempos de conmutación. Al incorporar una red Snubber de apagado estos
picos de tensión disminuyeron.

- Se recomienda verificar las especificaciones eléctricas de cada componente y realizar un

montaje con lazos cortos para minimizar inductancias parásitas.

6. REFERENCIAS
No se usaron referencias en el presente informe.