Laboratorio N°12

Caracterización del Transistor MOSFET mediante

Simulación Computacional
Andrés Rı́os Duque

10 de diciembre de 2025

Resumen

Este informe presenta el análisis de las caracterı́sticas fundamentales de un tran-

sistor MOSFET de enriquecimiento de canal N, especı́ficamente el modelo 2N7000,
mediante un enfoque de simulación computacional. Al no poderse realizar la prácti-
ca de laboratorio de forma presencial debido a restricciones materiales, se empleó un
entorno simulado para obtener los datos de comportamiento del dispositivo. Se estu-
diaron las curvas de transferencia (ID vs VGS ) y las curvas de salida (ID vs VDS para
diferentes VGS ), determinando parámetros clave como la tensión umbral (VGS(th) ),
la transconductancia (gf s ), y las regiones de operación (óhmica y saturación). Los
resultados obtenidos validan los modelos teóricos y demuestran el comportamiento
del MOSFET como dispositivo controlado por tensión.

1. Introducción
El transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) represen-
ta uno de los componentes más importantes en la electrónica moderna, siendo fundamental
en aplicaciones que van desde amplificadores de señal hasta circuitos integrados digitales
complejos. A diferencia del BJT (transistor bipolar), que es controlado por corriente, el
MOSFET es un dispositivo controlado exclusivamente por tensión, lo que le confiere una
impedancia de entrada extremadamente alta en la terminal de puerta.
En particular, los MOSFETs de enriquecimiento (o enhancement mode) se caracteri-
zan por estar en estado de corte cuando la tensión puerta-fuente (VGS ) es cero, requiriendo
la aplicación de una tensión umbral positiva (VGS(th) ) para crear un canal conductor entre
el drenador y la fuente. Este laboratorio tenı́a como objetivo principal la caracteriza-
ción experimental de dicho dispositivo; sin embargo, ante la imposibilidad de realizarlo
fı́sicamente, se optó por un análisis mediante simulación computacional que permitiera

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comprender sus principios de funcionamiento y validar las ecuaciones que gobiernan su
comportamiento.

2. Objetivos
Los objetivos especı́ficos de este trabajo de simulación fueron los siguientes:

Comprender la relación fundamental entre la tensión puerta-fuente (VGS ) y la co-

rriente de drenador (ID ) mediante la obtención de la curva de transferencia del
MOSFET.

Analizar la influencia de la tensión drenador-fuente (VDS ) sobre ID para valores fijos

de VGS , identificando las regiones de operación: óhmica (o triodo) y de saturación
(o activa).

Determinar parámetros caracterı́sticos del dispositivo a partir de los datos simula-

dos, incluyendo la tensión umbral (VGS(th) ) y la transconductancia (gf s ).

Contrastar los resultados obtenidos en simulación con los modelos matemáticos

establecidos para MOSFETs de enriquecimiento.

3. Marco Teórico
El funcionamiento del MOSFET de enriquecimiento de canal N se basa en la formación
de un canal inversor bajo la compuerta cuando se aplica una VGS superior al umbral. La
corriente de drenador en la región de saturación sigue aproximadamente una relación
cuadrática:

2
ID = k VGS − VGS(th) para VGS > VGS(th)

donde k es un parámetro que depende de las caracterı́sticas fı́sicas del transistor. La

transconductancia, que mide la eficiencia del control de la puerta sobre la corriente de
drenador, se define como:

∂ID
gf s =
∂VGS VDS =cte

En la región óhmica, el MOSFET se comporta como una resistencia controlada por

voltaje, mientras que en saturación actúa como una fuente de corriente controlada por
VGS .

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4. Metodologı́a y Procedimiento Simulado
Dado que la práctica de laboratorio no pudo realizarse de forma presencial, se siguió
un protocolo de simulación computacional que emuló el montaje experimental descrito
en la guı́a. Se utilizó un modelo simulado del MOSFET 2N7000, configurando el circuito
equivalente en un entorno de simulación de circuitos. El procedimiento se dividió en dos
etapas principales:

4.1. Obtención de la Caracterı́stica de Transferencia

Se configuró el circuito para mantener constante la tensión drenador-fuente en VDS = 3
V (valor dentro de la región de saturación para asegurar que el canal estuviese pellizcado).
Posteriormente, se varió sistemáticamente la tensión puerta-fuente (VGS ) desde 0 V hasta
aproximadamente 4 V, registrando en cada paso el valor correspondiente de la corriente
de drenador (ID ). Este barrido permitió observar la transición desde el estado de corte
hasta la conducción en saturación.

4.2. Obtención de las Caracterı́sticas de Salida

Para dos valores fijos de polarización de puerta (VGS = 3,1 V y VGS = 3,5 V), se realizó
un barrido de la tensión drenador-fuente (VDS ) desde valores cercanos a 0 V hasta superar
claramente la tensión de saturación. Para cada valor de VDS , se registró la corriente ID .
Este proceso permitió trazar las curvas ID vs VDS para cada VGS , identificando visualmente
la región óhmica (donde ID crece linealmente con VDS ) y la región de saturación (donde
ID se estabiliza).
Los datos resultantes de estas simulaciones se organizaron en las siguientes tablas:

3
 Cuadro 1: Datos simulados de la caracterı́stica de transferencia (VDS = 3 V)
VGG (V) VGS (V) ID (mA)
0 0 0
7.09 2.2 0
7.63 2.38 0
7.79 2.45 0
8.03 2.5 0
8.2 2.57 0
10.04 3.09 0.51
10.41 3.15 0.77
10.76 3.2 0.81
11 3.3 2.5
11.45 3.35 4.6
11.7 3.4 6.2
12.02 3.5 10.2
12.44 3.6 15.4
12.8 3.7 22.6
13.48 3.8 37.2
14.2 3.84 43.01
15.08 3.88 47.9

Cuadro 2: Datos simulados de la caracterı́stica de drenador

VDS (V) ID (mA) - VGS=3.1 V VDS (V) ID (mA) - VGS=3.5 V
0.011 1.39 0.04 8.12
0.14 1.45 0.09 12.3
0.19 1.5 0.14 15.3
0.28 1.55 0.17 16.3
0.31 1.56 0.53 19.2
0.6 1.6 0.72 19.5
2.18 1.63 1.07 19.6

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5. Análisis de Resultados y Discusión
5.1. Caracterı́stica de Transferencia y Determinación del Um-
bral
Los datos de la Tabla 1 revelan claramente el comportamiento esperado de un MOS-
FET de enriquecimiento. Para valores de VGS inferiores a aproximadamente 3.0 V, la
corriente de drenador es prácticamente nula (corte). Esto confirma que el dispositivo si-
mulado requiere una tensión mı́nima para comenzar a conducir. El punto en VGS = 3,09
V con ID = 0,51 mA puede considerarse el inicio de la conducción, lo que sitúa la tensión
umbral VGS(th) en un valor cercano a 3.0 V. Este valor es coherente con las especificaciones
tı́picas de transistores MOSFET de señal pequeña como el 2N7000.
Por encima del umbral, se observa un crecimiento rápido y no lineal de ID con VGS , ca-
racterı́stico de la dependencia cuadrática predicha por la teorı́a. Por ejemplo, al aumentar
VGS de 3.3 V a 3.88 V (un incremento del 17.6 %), la corriente ID pasa de 2.5 mA a 47.9
mA, lo que representa un aumento de más de 1800 %. Esta fuerte sensibilidad destaca la
eficacia del MOSFET como dispositivo de control.

5.2. Caracterı́sticas de Salida y Regiones de Operación

Las curvas de salida simuladas (Tabla 2) exhiben las dos regiones de operación funda-
mentales. Para VGS = 3,1 V, en la región de bajos valores de VDS (por ejemplo, entre 0.011
V y 0.31 V), ID aumenta de 1.39 mA a 1.56 mA. Este crecimiento es casi proporcional a
VDS , correspondiendo a la región óhmica donde el canal se comporta como una resistencia
cuyo valor está modulado por VGS . A partir de VDS ≈ 0,6 V, ID se estabiliza alrede-
dor de 1.63 mA, entrando en la región de saturación donde la corriente es esencialmente
independiente de VDS y depende solo de VGS .
Para un mayor voltaje de puerta (VGS = 3,5 V), se observa el mismo patrón pero con
niveles de corriente significativamente más altos. La saturación se alcanza alrededor de
ID ≈ 19,6 mA. La comparación entre ambas curvas ilustra claramente cómo un incremento
en VGS no solo eleva el nivel de saturación de la corriente, sino que también puede desplazar
ligeramente el punto de transición entre las regiones.

5.3. Cálculo de Parámetros Caracterı́sticos

A partir de los datos de simulación, es posible estimar algunos parámetros útiles:

Tensión umbral VGS(th) : Tomando como referencia el primer punto con corriente
no despreciable, se estima VGS(th) ≈ 3,0 V.

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 Transconductancia en saturación gf s : Para VGS = 3,1 V y usando el valor de
saturación ID = 1,63 mA:

ID 1,63 mA
gf s ≈ = = 16,3 mS
VGS − VGS(th) 3,1 V − 3,0 V

Predicción para otro punto de operación: Utilizando este valor de gf s , se puede

predecir la corriente de saturación para VGS = 4,0 V:

ID ≈ gf s · (VGS − VGS(th) ) = 16,3 mS × (4,0 V − 3,0 V) = 16,3 mA

Es importante notar que esta estimación de gf s asume una dependencia lineal sim-
plificada. En realidad, la transconductancia varı́a con el punto de operación, ya que la
relación exacta es cuadrática.

6. Conclusiones
Mediante el análisis de simulación computacional realizado en este laboratorio vir-
tual, se logró caracterizar satisfactoriamente el comportamiento del transistor MOSFET
2N7000 en modo de enriquecimiento. Los resultados obtenidos validan de manera consis-
tente los principios teóricos fundamentales:
Primero, se confirmó la existencia de una tensión umbral (VGS(th) ≈ 3,0 V) por debajo
de la cual el dispositivo permanece en corte, caracterı́stica definitoria de los MOSFETs de
enriquecimiento. Segundo, se verificó la dependencia cuadrática de la corriente de drenador
ID con respecto a VGS en la región de saturación, tal como lo predicen los modelos fı́sicos
del dispositivo.
Tercero, las curvas de salida simuladas exhibieron claramente las dos regiones de ope-
ración: la región óhmica, donde el MOSFET actúa como una resistencia controlada por
voltaje, y la región de saturación, donde funciona como una fuente de corriente controlada
por VGS . La transición entre estas regiones se hizo evidente en los datos.
Finalmente, aunque el estudio se realizó mediante simulación y no con componentes
fı́sicos, los resultados demuestran de manera efectiva cómo el MOSFET opera como un
dispositivo controlado exclusivamente por tensión, con una impedancia de entrada extre-
madamente alta en la puerta. Este análisis proporciona una base sólida para comprender
su aplicación en circuitos analógicos y digitales, y resalta la utilidad de las herramientas
de simulación cuando el trabajo experimental presencial no es viable.

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Referencias
1. Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2014). Microelectronic Circuits (7th ed.). Oxford
University Press.

2. Guı́a de Laboratorio 12 - El transistor MOSFET. Departamento de Fı́sica, Univer-

sidad de Panamá.

3. Datasheet 2N7000 N-Channel MOSFET. Fairchild Semiconductor (ahora ON Semi-

conductor).