Capítulo

14
El MOSFET (metal-oxide semiconductor FET, FET metal-óxido
semiconductor) tiene una fuente, una puerta y un drenador.

Sin embargo, el MOSFET se diferencia del JFET en que la puerta

está aislada del canal. Por esta razón, la corriente de puerta es aún
más pequeña que en un JFET. El MOSFET a veces se denomina IGFET

(insulated-gate FET, FET de puerta aislada).

Existen dos clases de MOSFET, el tipo que opera en modo de

vaciamiento y el tipo que opera en modo de enriquecimiento. El

MOSFET en modo de enriquecimiento se usa tanto en circuitos

discretos como en circuitos integrados. En circuitos discretos, se

aplica principalmente a circuitos de conmutación de potencia, lo

que significa suministrar y bloquear corrientes grandes. En circuitos

integrados, se aplica fundamentalmente en circuitos de conmutación

digitales, el proceso básico que hay detrás de las modernas

computadoras. Aunque su utilización ha disminuido notablemente,

el MOSFET en modo de vaciamiento todavía tiene aplicación en las

primeras etapas de los circuitos de comunicaciones de alta frecuencia,

como por ejemplo, los amplificadores de RF.

452
 Objetivos
Después de estudiar este capítulo, deberá ser
capaz de:

■ Explicar las características y el

funcionamiento de los transistores
MOSFET en modo de vaciamiento
(D-MOSFET) y en modo de
enriquecimiento (E-MOSFET).
Contenido del capítulo ■ Dibujar las curvas características de
los D-MOSFET y E-MOSFET.
14.1 MOSFET en modo de ■ Describir cómo se emplean los E-
vaciamiento MOSFET en los conmutadores digitales.
14.2 Curvas del MOSFET en modo de ■ Dibujar un esquemático de un cir-
vaciamiento cuito típico de conmutación digital
con CMOS y explicar su funcio-
14.3 Amplificadores MOSFET en modo
namiento.
de vaciamiento
■ Comparar los FET de potencia con los
14.4 MOSFET en modo de transistores de unión bipolares (BJT).
enriquecimiento
■ Nombrar y describir varias aplica-
14.5 La región óhmica ciones de los FET de potencia.
14.6 Conmutación digital ■ Analizar el funcionamiento en
14.7 CMOS continua y en alterna de los circuitos
amplificadores con D-MOSFET y
14.8 FET de potencia E-MOSFET.
14.9 Amplificadores E-MOSFET
14.10 Cómo probar un MOSFET

Vocabulario
analógico interfaz resistencias de carga activa
convertidor de continua- MOSFET en modo de sistema de alimentación
alterna vaciamiento ininterrumpida (SAI)
convertidor de continua- MOSFET en modo de enrique- sustrato
continua cimiento tensión umbral
digital MOSFET (metal-oxide VMOS (MOS vertical)
FET de potencia semiconductor FET)
MOS complementario (CMOS) polarización por realimenta-
ción de drenador

453
454 Capítulo 14

14.1 MOSFET en modo de vaciamiento

/D)LJXUDPXHVWUDXQMOSFET en modo de vaciamiento '026)(7
depletion-mode 026)(7 XQIUDJPHQWRGHPDWHULDOn FRQXQDSXHUWDDLVODGD
DODL]TXLHUGD\XQDUHJLyQp DODGHUHFKD/DUHJLyQp VHGHQRPLQDsustrato
INFORMACIÓN ÚTIL /RVHOHFWURQHVTXHIOX\HQGHVGHODIXHQWHKDFLDHOGUHQDGRUGHEHQDWUDYHVDUHO
Al igual que un JFET, un MOSFET en HVWUHFKRFDQDOH[LVWHQWHHQWUHODSXHUWD\HOVXVWUDWRp
modo de vaciamiento se considera un (QODSDUWHL]TXLHUGDGHOFDQDOKD\GHSRVLWDGDXQDGHOJDGDFDSDGHGLy
[LGRGHVLOLFLR 6L2  (OGLy[LGRGHVLOLFLRHVORPLVPRTXHHOYLGULRHVXQ
dispositivo normalmente en conducción,
DLVODQWH(QXQ026)(7ODSXHUWDHVGHPHWDO3XHVWRTXHODSXHUWDPHWiOLFD
ya que ambos dispositivos tienen HVWiDLVODGDGHOFDQDOODFRUULHQWHGHSXHUWDGHVSUHFLDEOHIOX\HLQFOXVRFXDQGR
corriente de drenador cuando VGS 5 0 V. ODWHQVLyQGHSXHUWDHVSRVLWLYD
Recuerde que en un JFET, IDSS es la /D)LJXUDa PXHVWUDXQ026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRFRQXQD
máxima corriente de drenador posible. WHQVLyQGHSXHUWDQHJDWLYD/DDOLPHQWDFLyQ VDD IXHU]DDTXHORVHOHFWURQHV
OLEUHVIOX\DQGHVGHODIXHQWHKDFLDHOGUHQDGRUDWUDYHVDQGRHOHVWUHFKRFDQDO
En un MOSFET en modo de vaciamiento, VLWXDGRDODL]TXLHUGDGHOVXVWUDWR p$OLJXDOTXHHQXQ-)(7 ODWHQVLyQGH
la corriente de drenador puede exceder SXHUWD FRQWURODODDQFKXUDGHOFDQDO&XDQWRPiVQHJDWLYDHVODWHQVLyQGH
el valor de I DSS si la tensión de puerta SXHUWDPiVSHTXHxDHVODFRUULHQWHGHGUHQDGRU&XDQGRODWHQVLyQGHSXHUWD
tiene la polaridad correcta para HV ORVXILFLHQWHPHQWHQHJDWLYDODFRUULHQWHGHGUHQDGRUVHLQWHUUXPSH3RU
WDQWRHOIXQFLRQDPLHQWRGHXQ026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRHVVLPLODU
aumentar el número de portadores de
DOGHXQ-)(7 FXDQGRVGS HVQHJDWLYD
carga en el canal. En un D-MOSFET de 3XHVWRTXHODSXHUWDHVWiDLVODGDWDPELpQSRGHPRVXWLOL]DUXQDWHQVLyQGH
canal n, I D es mayor que IDSS cuando V GS HQWUDGDSRVLWLYDFRPRVHPXHVWUDHQOD)LJXUDb/DWHQVLyQGHSXHUWDSR
es positiva. VLWLYDDXPHQWDHOQ~PHURGHHOHFWURQHVOLEUHVTXHDWUDYLHVDQHOFDQDO&XDQWR
PiVSRVLWLYDHVODWHQVLyQGHSXHUWDPD\RUVHUiODFRQGXFFLyQGHVGHODIXHQWH
KDFLDHOGUHQDGRU

14.2 Curvas del MOSFET en modo de vaciamiento

/D)LJXUDa PXHVWUDHOFRQMXQWRGHFXUYDVGHGUHQDGRUGHXQ026)(7HQPRGRGHYDFLDPLHQWRGHFDQDOn Wt
SLFR2EVHUYHTXHODVFXUYDVSRUHQFLPDGHVGS 5 VRQSRVLWLYDV\ODVFXUYDVSRUGHEDMRGHVGS 5 VRQQHJDWL
YDV&RPRFRQXQ-)(7ODFXUYDLQIHULRUHVSDUDVGS 5 VGS RII \ODFRUULHQWHGHGUHQDGRUVHUiDSUR[LPDGDPHQWH
LJXDODFHUR&RPRVHSXHGHYHUFXDQGRVGS 5 9ODFRUULHQWHGHGUHQDGRUVHUiLJXDODIDSS(VWRGHPXHVWUDTXH
HO026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRR'026)(7HVXQGLVSRVLWLYRnormalmente en conducción&XDQGRVGS
VHKDFHQHJDWLYDODFRUULHQWHGHGUHQDGRUVHUHGXFH $ GLIHUHQFLDGHO-)(7 GHFDQDOnHO'026)(7 GHFDQDOn
SXHGHWHQHUXQDVGS SRVLWLYD\FRQWLQXDUiIXQFLRQDQGRFRUUHFWDPHQWH(VWRVHGHEHDTXHQRH[LVWHQLQJXQDXQLyQ
pn SDUDSRGHUSRODUL]DUHQGLUHFWD&XDQGRVGS VHKDFHSRVLWLYDID DXPHQWDUiVLJXLHQGRODVLJXLHQWHHFXDFLyQFXD
GUiWLFD

9*6
1 2
2
,' 5 ,'66 1 2 }
9*6(off) (14.1)

Figura 14.1 MOSFET en modo de Figura 14.2 (a) D-MOSFET con puerta negativa. (b) D-MOSFET con puerta positiva.
vaciamiento.
'5(1$'25 '5(1$'25 '5(1$'25

n n
Q  
38(57$ 38(57$
p VDD p VDD
38(57$ S 68675$72 ± ±
± 
n n
Q VGG VGG
 )8(17( ± )8(17(
6L2
)8(17(
a b
MOSFET 455

Figura 14.3 MOSFET en modo de vaciamiento de canal n. (a) Curvas de drenador. (b) Curva de transconductancia.
I'

 I'
9''
5'

02'2'( 02'2'(
I'66  9$&,$0,(172 (15,48(&,0,(172
± 9*6 RII I'66
±
9'6 9*6
9'' 9*6 RII

D E

Figura 14.4 Símbolos esquemáticos del D-MOSFET. (a) Canal n. (b) Canal p.
'5(1$'25 '5(1$'25

38(57$ 38(57$

)8(17( )8(17(
D E

&XDQGRODWHQVLyQ VGS HVQHJDWLYDHO'026)(7 RSHUDHQPRGRGHYDFLDPLHQWR&XDQGR VGS HVSRVLWLYDHO

'026)(7 RSHUDHQPRGRGHHQULTXHFLPLHQWR$OLJXDOTXHHO-)(7 ODVFXUYDVGHO'026)(7WLHQHQXQDUHJLyQ
yKPLFDXQDUHJLyQGHIXHQWHGHFRUULHQWH\XQDUHJLyQGHFRUWH
/D)LJXUDb HVODFXUYDGHWUDQVFRQGXFWDQFLDGHXQ026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWR'HQXHYRIDSS HV
ODFRUULHQWHGHGUHQDGRUFRQODSXHUWDFRUWRFLUFXLWDGDDODIXHQWH$KRUDIDSS \DQRHVODPi[LPDFRUULHQWHGHGUH
QDGRUSRVLEOH/DFXUYDGHWUDQVFRQGXFWDQFLDWLHQHIRUPDSDUDEyOLFD\VLJXHODPLVPDUHODFLyQFXDGUiWLFDTXHH[LV
WtDHQHO-)(7(QFRQVHFXHQFLDHODQiOLVLVGHXQ026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRHVSUiFWLFDPHQWHLGpQWLFRDO
GHXQFLUFXLWRFRQ-)(7/DSULQFLSDOGLIHUHQFLDHVWiHQTXHVGS VHDQHJDWLYDRSRVLWLYD
7DPELpQH[LVWHHO026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRGHFDQDOp. (VWiIRUPDGRSRUXQFDQDOp GUHQDGRUIXHQWH
MXQWRFRQXQVXVWUDWRGHWLSRn8QDYH]PiVODSXHUWDHVWiDLVODGDGHOFDQDO(OIXQFLRQDPLHQWRGHXQ026)(7
GHFDQDOp HVFRPSOHPHQWDULRDOGHO026)(7 GHFDQDOn/RVVtPERORVHVTXHPiWLFRVSDUDORV026)(7 HQPRGR
GHYDFLDPLHQWRGHFDQDOn \FDQDOp VHPXHVWUDQHQOD)LJXUD

Ejemplo 14.1
8Q026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRWLHQHORVYDORUHVVGS RII 5 29 HIDSS 5 P$¢&XiOVHUiODFRUULHQWHGH
GUHQDGRUFXDQGRVGS VHDLJXDOD2929919 \19"
SOLUCIÓN $SOLFDQGROD(FXDFLyQ  REWHQHPRV
VGS 5 29 ID 5 P$
VGS 5 29 ID 5 P$
VGS 5 9 ID 5 P$
VGS 5 19 ID 5 P$

VGS 5 19 ID 5 P$

PROBLEMA PRÁCTICO 14.1 5HSLWDHO(MHPSORSDUDORVYDORUHVVGS RII 5 29 HIDSS 5 P$

456 Capítulo 14

14.3 Amplificadores MOSFET en modo de vaciamiento

8Q026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRHV~QLFRSRUTXHSXHGHIXQFLRQDUFRQWHQVLyQGHSXHUWDSRVLWLYDRQHJDWLYD
(QFRQVHFXHQFLDSRGHPRVILMDUVXSXQWRQ HQVGS 5 9FRPRVHPXHVWUDHQOD)LJXUDa&XDQGRODVHxDOGH
HQWUDGDHVSRVLWLYDID DXPHQWDSRUHQFLPDGHIDSS&XDQGRODVHxDOGHHQWUDGDHVQHJDWLYDID GHFUHFHSRUGHEDMR
GHIDSS3XHVWRTXHQRH[LVWHQLQJXQDXQLyQpn SDUDSRODUL]DUHQGLUHFWDODUHVLVWHQFLDGHHQWUDGDGHO026)(7 VH
PDQWLHQHPX\DOWD3RGHUXWLOL]DUXQDWHQVLyQVGS GHFHURQRVSHUPLWHFRQVWUXLUHOVHQFLOORFLUFXLWRGHSRODUL]DFLyQ
GHOD)LJXUDb3XHVWRTXHIG HVFHURVGS 5 9 HID 5 IDSS/DWHQVLyQGHGUHQDGRUHV
9'6 5 9'' 2 ,'66 5' (14.2)
'HELGRDOKHFKRGHTXHXQ'026)(7 HVXQGLVSRVLWLYRQRUPDOPHQWHHQFRQGXFFLyQWDPELpQHVSRVLEOHXWL
OL]DUHOPHFDQLVPRGHDXWRSRODUL]DFLyQDxDGLHQGRXQDUHVLVWHQFLDGHIXHQWH(OIXQFLRQDPLHQWRVHUiHOPLVPRTXH
HOGHXQFLUFXLWRGH-)(7 DXWRSRODUL]DGR

Figura 14.5 Polarización cero.

9''

5'

I'

5*
9*6

D E

Ejemplo 14.2
(ODPSOLILFDGRU'026)(7 PRVWUDGRHQOD)LJXUDWLHQHORVYDORUHVVLJXLHQWHVVGS RII 5 29IDSS 5  P$
\gmo 5 —6¢&XiOHVODWHQVLyQGHVDOLGDGHOFLUFXLWR"

SOLUCIÓN &RQODIXHQWHSXHVWDDWLHUUDVGS 5 9 HID 5 P$

VDS 5 9 ± P$ NV 5 9
3XHVWRTXHVGS 5 9gm 5 gmo 5 —6
/DJDQDQFLDGHWHQVLyQGHODPSOLILFDGRUVHFDOFXODDSOLFDQGRODH[SUHVLyQ
AV 5 gmrd
/DUHVLVWHQFLDGHGUHQDGRUHQDOWHUQDHVLJXDOD
rd 5 RD i RL 5  . i  . 5 NV
\AV HV
AV 5 m6 NV 5 
3RUWDQWR
VRXW 5 VLQ AV 5 P9  5 P9
MOSFET 457

Figura 14.6 Amplificador D-MOSFET.

9''
9

NV
5'

9RXW

5/
 NV
9LQ 5*
P9 0V
±

PROBLEMA PRÁCTICO 14.2 (QHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDVLHOYDORUGH gmo GHO026)(7 HV m6

¢FXiOVHUiHOYDORUGHVRXW"

&RPR VHPXHVWUDHQHO(MHPSORHO026)(7 HQ PRGRGHYDFLDPLHQWRWLHQHXQDJDQDQFLDGHWHQVLyQ

UHODWLYDPHQWHEDMD8QDGHODVSULQFLSDOHVYHQWDMDVGHHVWHGLVSRVLWLYRHVVXH[WUHPDGDPHQWHDOWDUHVLVWHQFLDGHHQ
WUDGDORTXHQRVSHUPLWHHPSOHDUHVWHGLVSRVLWLYRFXDQGRVREUHFDUJDUHOFLUFXLWRSXGLHUDVHUXQSUREOHPD$GHPiV
ORV026)(7 SUHVHQWDQH[FHOHQWHVSURSLHGDGHVGHEDMRUXLGRORTXHFRQVWLWX\HXQDYHQWDMDGHILQLWLYDHQFXDOTXLHU
HWDSDLQLFLDOGHXQVLVWHPDHQHOTXHODVHxDOVHDGpELOORTXHHVPX\FRP~QHQPXFKRVWLSRVGHFLUFXLWRVHOHFWUy
QLFRVGHFRPXQLFDFLRQHV

Figura 14.7 MOSFET de dos puertas.

9''

5'

$O&$* 9RXW

9LQ

5*
458 Capítulo 14

$OJXQRV026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRFRPRHOPRVWUDGRHQOD)LJXUDVRQGLVSRVLWLYRVGHGRVSXHU
WDV8QDSXHUWDSXHGHVHUYLUFRPRWHUPLQDOSDUDODVHxDOGHHQWUDGDPLHQWUDVTXHODRWUDSXHGHFRQHFWDUVHDXQD
WHQVLyQ FRQWLQXDGHFRQWURODXWRPiWLFRGHJDQDQFLD(VWRQRVSHUPLWHFRQWURODUODJDQDQFLDGHWHQVLyQGHO
026)(7 \YDULDUODGHSHQGLHQGRGHODDPSOLWXGGHODVHxDOGHHQWUDGD

14.4 MOSFET en modo de enriquecimiento

(O 026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRIXHSDUWHGHODHYROXFLyQKDFLDHOMOSFET en modo de enriquecimiento R
E-MOSFET enhancement-mode MOSFET . 6LQHO(026)(7 ODVFRPSXWDGRUDVSHUVRQDOHVTXHDKRUDHVWiQWDQ
H[WHQGLGDVQRH[LVWLUtDQ

Idea básica
/D)LJXUDa PXHVWUDXQ(026)(7(OVXVWUDWRp DKRUDVHH[WLHQGHKDVWDWRFDUHOGLy[LGRGHVLOLFLR&RPRSR
GHPRVYHU\DQRKD\XQFDQDO n HQWUHODIXHQWH\HOGUHQDGRU¢&yPRIXQFLRQDXQ(026)(7"/D)LJXUD b
PXHVWUDODVWHQVLRQHVGHSRODUL]DFLyQQRUPDOHV&XDQGRODWHQVLyQGHSXHUWDHVFHURODFRUULHQWHHQWUHODIXHQWH\HO
GUHQDGRUHVFHUR/XHJRXQ(026)(7 HVXQGLVSRVLWLYRTXH normalmente HVWien corte FXDQGRODWHQVLyQGH
SXHUWDHVLJXDODFHUR
/D ~QLFDIRUPDGHREWHQHUXQDFRUULHQWHHVFRQXQDWHQVLyQGHSXHUWD
SRVLWLYD&XDQGRODWHQVLyQGHSXHUWDVHKDFHSRVLWLYDDWUDHHOHFWURQHVOLEUHV
DODUHJLyQp(VWRVVHUHFRPELQDQFRQORVKXHFRVMXQWRDOGLy[LGRGHVLOLFLR
INFORMACIÓN ÚTIL &XDQGRODWHQVLyQGHSXHUWDHVORVXILFLHQWHPHQWHSRVLWLYDWRGRVORVKXHFRV
Con el E-MOSFET, VGS tiene que ser
TXHWRFDQHOGLy[LGRGHVLOLFLRHVWiQOOHQRV\ORVHOHFWURQHVOLEUHVFRPLHQ]DQ
DIOXLUGHVGHODIXHQWHKDVWDHOGUHQDGRU(OHIHFWRHVHOPLVPRTXHHOGHFUHDU
mayor que VGS(umbral) para obtener una XQD GHOJDGD]RQDGHPDWHULDOGHWLSR n MXQWR DOGLy[LGRGHVLOLFLR(VWD
corriente de drenador. Por tanto, cuando GHOJDGDFDSDFRQGXFWRUDVHGHQRPLQD capa de inversión de tipo n. &XDQGR
los E-MOSFET están polarizados, H[LVWH ORVHOHFWURQHVOLEUHVSXHGHQIOXLUIiFLOPHQWHGHVGHODIXHQWHDOGUH
autopolarizados, polarizados mediante QDGRU
/DWHQVLyQVGS PtQLPDTXHFUHDODFDSDGHLQYHUVLyQGHWLSRn VHGHQRPLQD
fuente de corriente o emplean
tensión de umbral \VHGHVLJQDFRPR VGS XPEUDO &XDQGRVGS HVPHQRUTXH
polarización cero no se pueden utilizar, VGS XPEUDO  ODFRUULHQWHGHGUHQDGRUHVFHUR&XDQGR VGS HV PD\RUTXH
porque estas formas de polarización VGS XPEUDO XQDFDSDGHLQYHUVLyQGHWLSRn FRQHFWDODIXHQWHFRQHOGUHQDGRU\
dependen del funcionamiento en modo ODFRUULHQWHGHGUHQDGRUSXHGHFLUFXODU9DORUHVWtSLFRVGHVGS XPEUDO SDUDGLV
de vaciamiento. Esto deja la polarización SRVLWLYRVGHSHTXHxDVHxDOYDUtDQHQWUH\9
6HGLFHTXHHO-)(7 HVXQdispositivo en modo de vaciamiento SRUTXHVX
de puerta, la polarización mediante
FRQGXFWLYLGDG GHSHQGHGHOIXQFLRQDPLHQWRGHODV]RQDVGHGHSOH[LyQ(O
divisor de tensión y la polarización de (026)(7 VHFODVLILFDFRPRdispositivo en modo de enriquecimiento SRUTXH
fuente como métodos de polarización de XQDWHQVLyQGHSXHUWDPD\RUTXHODWHQVLyQGHXPEUDO³HQULTXHFH´ DXPHQWD
los E-MOSFET. VXFRQGXFWLYLGDG&RQXQDWHQVLyQGHSXHUWDGHFHURXQ-)(7 conducePLHQ
WUDVTXHXQ(026)(7HVWien corte. 3RUWDQWRHO(026)(7VHFRQVLGHUDXQ
GLVSRVLWLYRQRUPDOPHQWHHQFRUWH

Figura 14.8 MOSFET en modo de enriquecimiento (a) No polarizado. (b) Polarizado.

5'
'5(1$'25

Q Q

38(57$ S 68675$72 S 9''
 ±
Q Q
9*6
6L2 ±
)8(17(

D E
MOSFET 459

Figura 14.9 Gráficas del E-MOSFET. (a) Curvas de drenador. (b) Curva de transconductancia.

I' I'

9*6 9

Ï+0,&$
I' VDW
9*6 9

9*6 9 $&7,9$

9*6 XPEUDO
9'6 9*6
9*6 XPEUDO 9*6 RQ

D E

Curvas de drenador
8Q(026)(7 GHSHTXHxDVHxDOWLHQHXQDOLPLWDFLyQGHSRWHQFLDGH : RPHQRV/D)LJXUDa PXHVWUDXQ
FRQMXQWRGHFXUYDVGHGUHQDGRUGHXQ(026)(7GHSHTXHxDVHxDOWtSLFR/DFXUYDLQIHULRUHVODFXUYDGHVGS XP
EUDO &XDQGRVGS HVPHQRUTXHVGS XPEUDO ODFRUULHQWHGHGUHQDGRUHVDSUR[LPDGDPHQWHLJXDODFHUR&XDQGR VGS
HVPD\RUTXHVGS XPEUDO HOGLVSRVLWLYRFRQGXFH\ODFRUULHQWHGHGUHQDGRUHVWiFRQWURODGDSRUODWHQVLyQGHSXHUWD
/DSDUWHFDVLYHUWLFDOGHODJUiILFDHVODUHJLyQyKPLFD\ODVSDUWHVFDVLKRUL]RQWDOHVGHILQHQODUHJLyQDFWLYD
&XDQGRHVWiSRODUL]DGRHQODUHJLyQyKPLFDHO(026)(7 HVHTXLYDOHQWHDXQDUHVLVWHQFLD&XDQGRHVWiSRODUL
]DGRHQODUHJLyQDFWLYDHVHTXLYDOHQWHDXQDIXHQWHGHFRUULHQWH$XQTXHHO(026)(7 SXHGHRSHUDUHQODUHJLyQ
DFWLYDVXSULQFLSDOXVRHVHQODUHJLyQyKPLFD
/D )LJXUD b PXHVWUD XQDFXUYDGHWUDQVFRQGXFWDQFLDWtSLFD1RKD\FRUULHQWHGHGUHQDGRUKDVWDTXH
VGS 5 VGS XPEUDO /DFRUULHQWHGHGUHQDGRUHQWRQFHVDXPHQWDUiSLGDPHQWHKDVWDTXHDOFDQ]DHOYDORUGHODFR
UULHQWHGHVDWXUDFLyQ ID VDW 3RUHQFLPDGHHVWHSXQWRHOGLVSRVLWLYRHVWDUiSRODUL]DGRHQODUHJLyQyKPLFD3RU
WDQWR ID QR SXHGHDXPHQWDU LQFOXVRDXQTXH VGS DXPHQWH 3DUDJDUDQWL]DUODVDWXUDFLyQIXHUWHVHXWLOL]DXQD
WHQVLyQGHSXHUWDVGS RQ PX\SRUHQFLPDGHVGS XPEUDO FRPRVHPXHVWUDHQOD)LJXUDb

Símbolo esquemático
&XDQGRVGS 5 HO(026)(7 HVWiHQFRUWHSRUTXHQRH[LVWHFDQDOGHFRQGXFFLyQHQWUHODIXHQWH\HOGUHQDGRU
(OVtPERORHVTXHPiWLFRGHOD)LJXUDa PXHVWUDXQDOtQHDGHFDQDOGHWUD]RVFRQHOILQGHLQGLFDUTXHVXFRQ
GLFLyQHVQRUPDOPHQWHHQFRUWH&RPR\DVDEHPRVXQDWHQVLyQGHSXHUWDPD\RUTXHODWHQVLyQGHXPEUDOFUHDXQD
FDSDGHLQYHUVLyQGHWLSRn TXHFRQHFWDODIXHQWHDOGUHQDGRU/DIOHFKDDSXQWDDHVWDFDSDGHLQYHUVLyQODFXDOVH
FRPSRUWDFRPRXQFDQDOn FXDQGRHOGLVSRVLWLYRHVWiFRQGXFLHQGR
7DPELpQH[LVWHXQ(026)(7 GHFDQDOp(OVtPERORHVTXHPiWLFRHVVLPLODUH[FHSWRHQTXHODIOHFKDDSXQWD
KDFLDDIXHUDFRPRVHPXHVWUDHQOD)LJXUDb

Tensión máxima puerta-fuente

/RV026)(7 WLHQHQXQDGHOJDGDFDSDGHGLy[LGRGHVLOLFLRXQDLVODQWHTXHEORTXHDODFRUULHQWHGHSXHUWDWDQWRSDUD
WHQVLRQHVGHSXHUWDSRVLWLYDVFRPRQHJDWLYDV(VWDFDSDGHDLVODQWHGHEHVHUWDQGHOJDGDFRPRVHDSRVLEOHFRQHOILQ

Figura 14.10 Símbolos esquemáticos del E-MOSFET. (a) Dispositivo de canal n. (b) Dispositivo de canal p.

D E
460 Capítulo 14

GHSURSRUFLRQDUDODSXHUWDHOPi[LPRFRQWUROVREUHODFRUULHQWHGHGUHQDGRU 
3XHVWRTXHODFDSDDLVODQWHHVWDQGHOJDGDSXHGHVHUGHVWUXLGDIiFLOPHQWHPH
INFORMACIÓN ÚTIL GLDQWHXQDWHQVLyQSXHUWDIXHQWHH[FHVLYD
Los MOSFET en modo de enriqueci- 3RUHMHPSORXQ1WLHQHXQDWHQVLyQVGS Pi[ GH696LODWHQVLyQ
miento a menudo se emplean en los SXHUWDIXHQWHVHKDFHPiVSRVLWLYDTXH 19 RPiVQHJDWLYDTXH 29OD
GHOJDGDFDSDDLVODQWHVHUiGHVWUXLGD
amplificadores de clase AB, en los que
$GHPiVGHDSOLFDQGRGLUHFWDPHQWHXQDWHQVLyQVGS H[FHVLYDHVWDGHOJDGD
los E-MOSFET se polarizan con un valor FDSDGHDLVODQWHVHSXHGHGHVWUXLUPHGLDQWHPpWRGRVPiVVXWLOHV6LH[WUDHR
de VGS que excede ligeramente el PRQWDXQ026)(7 HQXQFLUFXLWRHVWDQGRODDOLPHQWDFLyQFRQHFWDGDODVWHQ
valor de V GS(umbral) . Esta “polarización VLRQHVWUDQVLWRULDVGHELGDVDORVHIHFWRVLQGXFWLYRVSXHGHQKDFHUTXHVHH[FHGD
lenta” evita la distorsión de cruce. Los ODOLPLWDFLyQGHWHQVLyQVGS Pi[ ,QFOXVRUHWLUDUXQ026)(7 SXHGHGHSRVLWDU
ODVXILFLHQWHFDUJDHVWiWLFDFRPRSDUDTXHVHH[FHGDODWHQVLyQVGS Pi[ eVWDHV
MOSFET en modo de vaciamiento no son
ODUD]yQSRUODTXHORV026)(7 DPHQXGRVHVXPLQLVWUDQFRQXQDQLOORGH
adecuados para los amplificadores de FDEOHDOUHGHGRUGHORVWHUPLQDOHVRHQYXHOWRVHQSDSHOGHDOXPLQLRRLQVHUWD
clase B o clase AB, porque cuando GRVHQHVSXPDFRQGXFWRUD
V GS 5 0 V fluye una alta corriente de $OJXQRV026)(7 HVWiQSURWHJLGRVSRUXQ]HQHULQWHJUDGRHQSDUDOHORFRQ
OD SXHUWD\ODIXHQWH/DWHQVLyQGHO]HQHUHVPHQRUTXHODWHQVLyQOtPLWH
drenador.
VGS Pi[ 3RUWDQWRHOGLRGR]HQHUVHURPSHUiDQWHVGHTXHVHSURGX]FDFXDO
TXLHU WLSRGHGDxRHQODFDSDDLVODQWH/DGHVYHQWDMDGHHVWRVGLRGRV]HQHU
LQWHUQRVHVTXHUHGXFHQODDOWDUHVLVWHQFLDGHHQWUDGDGHO026)(7 (QFXDO
TXLHUFDVRHQDOJXQDVDSOLFDFLRQHVPHUHFHODSHQDSDJDUHVWHSUHFLR\DTXHORV026)(7 VRQFDURV\VLQRGLV
SRQHQGHO]HQHUGHSURWHFFLyQSXHGHQUHVXOWDUGHVWUXLGRVIiFLOPHQWH
(QUHVXPHQORVGLVSRVLWLYRV026)(7 VRQGHOLFDGRV\SXHGHQGHVWUXLUVHIiFLOPHQWH'HEHQPDQLSXODUVHFRQ
FXLGDGR$GHPiV QRGHEHQXQFDFRQHFWDUORVRGHVFRQHFWDUORVHVWDQGRODDOLPHQWDFLyQFRQHFWDGD3RU~OWLPR
DQWHVGHUHWLUDUXQGLVSRVLWLYR026)(7 GHXQFLUFXLWRHOWpFQLFRGHEHFRQHFWDUVHDWLHUUDWRFDQGRHOFKDVLVGHO
HTXLSRHQHOTXHHVWpWUDEDMDQGR

14.5 La región óhmica

$XQTXHHO(026)(7 SXHGHSRODUL]DUVHHQODUHJLyQDFWLYDUDUDYH]VHKDFHSRUTXHSULQFLSDOPHQWHVHXWLOL]D
FRPRGLVSRVLWLYRGHFRQPXWDFLyQ/DWHQVLyQGHHQWUDGDWtSLFDHVELHQXQQLYHOEDMRRXQQLYHODOWR/DWHQVLyQGH
QLYHOEDMRHV9 \HOQLYHOGHWHQVLyQDOWRHVVGS RQ XQYDORUHVSHFLILFDGRHQODVKRMDVGHFDUDFWHUtVWLFDV

Resistencia drenador-fuente en conducción

&XDQGRXQ(026)(7 HVWiSRODUL]DGRHQODUHJLyQyKPLFDHVHTXLYDOHQWHDXQDUHVLVWHQFLDRDS RQ &DVLWRGDVODV
KRMDVGHFDUDFWHUtVWLFDVHVSHFLILFDQHOYDORUGHHVWDUHVLVWHQFLDSDUDXQDFRUULHQWHGHGUHQDGRU\XQDWHQVLyQSXHUWD
IXHQWHGHWHUPLQDGDV
/D)LJXUDLOXVWUDHVWHFRQFHSWR6HKDLQGLFDGRHOSXQWRGHSUXHEDQSUXHED HQODUHJLyQyKPLFDGHODFXUYD
VGS 5 VGS RQ (OIDEULFDQWHPLGHID RQ \VDS RQ HQHVWHSXQWRQSUXHED$ SDUWLUGHHVWHGDWRHOIDEULFDQWHFDOFXODHO
YDORUGHRDS RQ DSOLFDQGRODVLJXLHQWHGHILQLFLyQ

Figura 14.11 Medida de RDS(on).

I'

9*6 9*6 RQ

I' RQ 4SUXHED

9'6
9'6 RQ
MOSFET 461

9'6(on)
5'6(on) 5 } (14.3)
,'(on)

3RUHMHPSORHQHOSXQWRGHSUXHEDXQ 91/ WLHQHVDS RQ 5  9 HID RQ 5  P$$SOLFDQGROD(FXDFLyQ

 WHQHPRV
9
RDS RQ 5 }} 5 V
 P$

/D)LJXUDPXHVWUDODKRMDGHFDUDFWHUtVWLFDVGHXQ(026)(7 GHFDQDOn 12EVHUYHTXHHVWH

026)(7 HQPRGRGHHQULTXHFLPLHQWRWDPELpQVHVXPLQLVWUDFRPRGLVSRVLWLYRGHPRQWDMHVXSHUILFLDO)tMHVHWDP
ELpQHQHOGLRGRLQWHUQRLQFOXLGRHQWUHORVWHUPLQDOHVGHGUHQDGRU\IXHQWH(QODKRMDVHHVSHFLILFDQORVYDORUHV
PtQLPRVWtSLFRV\Pi[LPRVGHHVWHGLVSRVLWLYR/DVHVSHFLILFDFLRQHVGHHVWRVGLVSRVLWLYRVDPHQXGRYDUtDQHQXQ
DPSOLRUDQJRGHYDORUHV

Tabla de transistores E-MOSFET

/D7DEODHVXQDPXHVWUDGHGLVSRVLWLYRV(026)(7GHSHTXHxDVHxDO/RVYDORUHVGHVGS XPEUDO WtSLFRVVHHQ
FXHQWUDQHQWUH\ 9/RVYDORUHVGH RDS RQ YDUtDQHQWUH\ VORTXHVLJQLILFDTXHHO(026)(7 SUH
VHQWDXQDUHVLVWHQFLDEDMDFXDQGRHVWiSRODUL]DGRHQODUHJLyQyKPLFD&XDQGRVHSRODUL]DHQODUHJLyQGHFRUWH
SUHVHQWDXQDUHVLVWHQFLDPX\DOWDDSUR[LPDGDPHQWHVHFRPSRUWDFRPRXQFLUFXLWRDELHUWR3RUWDQWRORVWUDQVLV
WRUHV(026)(7 WLHQHQH[FHOHQWHVUHODFLRQHVon-off

Polarización de la región óhmica

(QOD)LJXUDaODFRUULHQWHGHVDWXUDFLyQGHGUHQDGRUHQHVWHFLUFXLWRHV
9''
,'(sat) 5 } (14.4)
5'
\ODWHQVLyQGHFRUWHGHGUHQDGRUHVVDD/D)LJXUDb PXHVWUDODUHFWDGHFDUJDHQFRQWLQXDHQWUHXQDFRUULHQWH
GHVDWXUDFLyQID VDW \XQDWHQVLyQGHFRUWHVDD
&XDQGR VGS 5  HOSXQWR Q VH HQFXHQWUDHQHOH[WUHPRLQIHULRUGHODUHFWDGHFDU JD HQFRQWLQXD&XDQGR
VGS 5 VGS RQ HOSXQWRQ VHHQFXHQWUDHQHOH[WUHPRVXSHULRUGHODUHFWDGHFDUJD&XDQGRHOSXQWRQ VHHQFXHQ
WUDSRUGHEDMRGHOSXQWRGHSUXHEDQSUXHEDFRPRVHPXHVWUDHQOD)LJXUDbHOGLVSRVLWLYRHVWiSRODUL]DGRHQ
ODUHJLyQyKPLFD'LFKRGHRWUDPDQHUDXQ(026)(7HVWiSRODUL]DGRHQODUHJLyQyKPLFDFXDQGRVHVDWLVIDFHOD
VLJXLHQWHFRQGLFLyQ
,'(sat) , ,'(on) cuando 9*6 5 9*6(on) (14.5)
/D(FXDFLyQ  HV LPSRUWDQWH\DTXHQRVLQIRUPDGHVLXQ(026)(7 HVWiIXQFLRQDQGRHQODUHJLyQDF
WLYD RHQODUHJLyQyKPLFD 'DGRXQFLUFXLWR(026 SRGHPRVFDOFXODUODFRUULHQWH ID VDW  6LID VDW HVPHQRUTXH
ID RQ FXDQGRVGS 5 VGS RQ  VDEHPRVTXHHOGLVSRVLWLYRHVWiSRODUL]DGRHQODUHJLyQyKPLFD\HVHTXLYDOHQWHDXQD
UHVLVWHQFLDSHTXHxD

Tabla 14.1 Ejemplos de EMOS de pequeña señal

Dispositivo VGS (th), V VGS (on), V ID (on) RDS (on), V ID(máx) PD(máx)

VN2406L 1,5 2,5 100 mA 10 200 mA 350 mW

BS107 1,75 2,6 20 mA 28 250 mA 350 mW

2N7000 2 4,5 75 mA 6 200 mA 350 mW

VN10LM 2,5 5 200 mA 7,5 300 mA 1W

MPF930 2,5 10 1A 0,9 2A 1W

IRFD120 3 10 600 mA 0,3 1,3 A 1W

462 Capítulo 14

Figura 14.12 Hoja de características del 2N7000.

MOSFET 463

Figura 14.12 (continuación)

464 Capítulo 14

Figura 14.13 ID (sat) menor que ID (on) con VGS 5 VGS (on) asegura la saturación.
9'' I'

9*6 9*6 RQ

5'
I' RQ 4SUXHED

I' VDW 4

9
9*6


9'6
9''
D E

Ejemplo 14.3
¢&XiOHVODWHQVLyQGHVDOLGDHQHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDa"

Figura 14.14 Conmutación entre el corte y la saturación.

9 I'

NV

9RXW
P$
9
1


9'6
9
D E

9 9

NV NV

9RXW 9RXW

V

F G

SOLUCIÓN /RVYDORUHVPiVLPSRUWDQWHVGHO1HVWiQGLVSRQLEOHVHQOD7DEOD
VGS RQ 5 9

ID RQ 5 P$
RDS RQ 5 V
MOSFET 465

'DGRTXHODDPSOLWXGGHODWHQVLyQGHHQWUDGDYDUtDHQWUH\ 9HO1FRQPXWDUiGHOHVWDGRGH
VDWXUDFLyQDOGHFRUWH on-off 
/DFRUULHQWHGHVDWXUDFLyQGHGUHQDGRUHQHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDa HV
 9
ID VDW 5 }} 5 P$
 NV

/D)LJXUDb PXHVWUDODUHFWDGHFDUJDHQFRQWLQXD3XHVWRTXHP$ HVPHQRUTXHP$HOYDORUGHID RQ 

HO1HVWiSRODUL]DGRHQODUHJLyQyKPLFDFXDQGRODWHQVLyQGHSXHUWDHVXQQLYHODOWR
/D )LJXUD c HV HOFLUFXLWRHTXLYDOHQWHSDUDODWHQVLyQGHHQWUDGDGHSXHUWDGHQLYHODOWR'DGRTXHHO
(026)(7 SUHVHQWDXQDUHVLVWHQFLDGHVODWHQVLyQGHVDOLGDHV
V
VRXW 5 }} 9 5 9
NV 1 V

3RUHOFRQWUDULRFXDQGRVGS HVWiDQLYHOEDMRHO(026)(7 VHFRPSRUWDFRPRXQDELHUWR )LJXUDd \OD

WHQVLyQGHVDOLGDHVODWHQVLyQGHDOLPHQWDFLyQ
VRXW 5 9

PROBLEMA PRÁCTICO 14.3 8WLOL]DQGR OD)LJXUD a VXVWLWX\DHO1SRUXQ(026)(7

91/ \KDOOHHOYDORUGHODWHQVLyQGHVDOLGD

Ejemplo 14.4
¢&XiOHVODFRUULHQWHGHO/('HQHOFLUFXLWRGHOD)LJXUD"
SOLUCIÓN &XDQGR VGS HVWi DQLYHOEDMRHO/('HVWi
Figura 14.15 Encendido y apagado de un diodo LED. DSDJDGR&XDQGRVGS HVWiDQLYHODOWRHOIXQFLRQDPLHQWRHV
9 VLPLODUDOGHOHMHPSORDQWHULRU\DTXHHO1HQWUDHQVD
WXUDFLyQIXHUWH6LLJQRUDPRVODFDtGDGHWHQVLyQGHO/('OD
FRUULHQWHTXHIOX\HSRUpOHV
NV
ID < P$

6LVXSRQHPRVXQDFDtGDGHWHQVLyQGH9 HQHOHO/('
 9 2 9
9 ID 5 }} 5 P$
1 NV

PROBLEMA PRÁCTICO 14.4 5HSLWDHO(MHPSOR
XWLOL]DQGR XQ(026)(7 91/ \ XQDUHVLVWHQFLDGH
GUHQDGRUGHV

Ejemplo 14.5
¢4XpRFXUUHHQHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDa VLXQDFRUULHQWHSRUODERELQDGHP$RPD\RUFLHUUDORVFRQWDFWRV
GHOUHOp"

SOLUCIÓN (O(026)(7 VHHVWiXWLOL]DQGRSDUDDFWLYDU\GHVDFWLYDUHOUHOp3XHVWRTXHODERELQDGHOUHOpSUH

VHQWDXQDUHVLVWHQFLDGHVODFRUULHQWHGHVDWXUDFLyQHV
9
ID VDW 5 } 5 P$
V
3XHVWRTXHHVPHQRUTXHODFRUULHQWHID RQ GHO91/HOGLVSRVLWLYRWLHQHXQDUHVLVWHQFLDGHVyORV YpDVHOD
7DEOD 
466 Capítulo 14

Figura 14.16 La señal de corriente de entrada a nivel bajo controla la alta corriente de salida.

9
9 9DF
V 9DF
5(/e

V

91/
9
7
V V


D E F

/D)LJXUDb PXHVWUDHOFLUFXLWRHTXLYDOHQWHSDUDVGS DQLYHODOWR/DFRUULHQWHTXHDWUDYLHVDDODERELQDGHO

UHOpHVDSUR[LPDGDPHQWHLJXDODP$PiVTXHVXILFLHQWHSDUDFHUUDUHOUHOp&XDQGRHOUHOpHVWiFHUUDGRHOFLU
FXLWRHVVLPLODUDOPRVWUDGRHQOD)LJXUD c3RUWDQWRODFRUULHQWHILQDOSRUODFDUJDHVLJXDOD $ 9 GL
YLGLGRHQWUHV 
(QOD)LJXUDa XQDWHQVLyQGHHQWUDGDGHVyOR 1 9 \XQDFRUULHQWHGHHQWUDGDGHSUiFWLFDPHQWHFHUR
FRQWURODQXQDWHQVLyQGHFDUJDGH 9 GHDOWHUQD\XQDFRUULHQWHGHFDUJDGH $ 8QFLUFXLWRFRPRpVWHUHVXOWD
~WLOHQORVVLVWHPDVGHFRQWUROUHPRWR/DWHQVLyQGHHQWUDGDSRGUtDVHUXQDVHxDOTXHVHKXELHUDWUDQVPLWLGRDODUJD
GLVWDQFLDDWUDYpVGHXQKLORGHFREUHXQFDEOHGHILEUDySWLFDRDWUDYpVGHOHVSDFLR

14.6 Conmutación digital

¢3RUTXpHO(026)(7 KDUHYROXFLRQDGRODLQGXVWULDLQIRUPiWLFD"3RUVXWHQVLyQGHXPEUDOHVLGHDOSDUDHPSOH
DUORFRPRGLVSRVLWLYRGHFRQPXWDFLyQ&XDQGRODWHQVLyQGHSXHUWDHVWiPX\SRUHQFLPDGHODWHQVLyQGHXPEUDO
HOGLVSRVLWLYRFRQPXWDGHOFRUWHDODVDWXUDFLyQ(VWDDFFLyQoff-on HVODFODYHHQODFRQVWUXFFLyQGHFRPSXWDGRUDV
&XDQGRHVWXGLHORVFLUFXLWRVGHODVFRPSXWDGRUDVSRGUiFRPSUREDUTXHXQDFRPSXWDGRUDQRUPDOHPSOHDPLOORQHV
GHGLVSRVLWLYRV(026)(7 FRPRFRQPXWDGRUHVoff-on SDUDSURFHVDUORVGDWRV ORVdatos LQFOX\HQQ~PHURVWH[
WRVJUiILFRV\WRGDFODVHGHLQIRUPDFLyQTXHSXHGDVHUFRGLILFDGDFRPRQ~PHURVELQDULRV 

Circuitos analógicos, digitales y de conmutación

(OWpUPLQRanalógico VLJQLILFD³FRQWLQXR´FRPRSRUHMHPSORXQDRQGDVLQXVRLGDO&XDQGRKDEODPRVGHXQDVHxDO
DQDOyJLFDQRVHVWDPRVUHILULHQGRDVHxDOHVTXHFDPELDQFRQWLQXDPHQWHVXQLYHOGHWHQVLyQFRPRODPRVWUDGDHQ
OD)LJXUDa/DVHxDOQRWLHQHTXHVHUVLQXVRLGDO\DTXHVLHPSUHTXHQRH[LVWDQFDPELRVUHSHQWLQRVHQWUHGRV
QLYHOHVGHWHQVLyQGLVWLQWRVVHGLFHTXHODVHxDOHVXQDseñal analógica.
(OWpUPLQRdigital KDFHUHIHUHQFLDDXQDVHxDOGLVFRQWLQXD(VWRTXLHUHGHFLUTXHODVHxDOVDOWDHQWUHGRVQLYH
OHVGHWHQVLyQGLVWLQWRVFRPRODIRUPDGHRQGDPRVWUDGDHQOD)LJXUDb /DVVHxDOHVGLJLWDOHVFRPRpVWDVRQ
HOWLSRGHVHxDOHVTXHHPSOHDQODVFRPSXWDGRUDV< HVWDVVHxDOHVVRQFyGLJRVGHODFRPSXWDGRUDTXHUHSUHVHQWDQ
Q~PHURVOHWUDV\RWURVVtPERORV
(OWpUPLQR conmutación HVPiVDPSOLRTXHHOWpUPLQRdigital. /RVFLUFXLWRVGHFRQPXWDFLyQLQFOX\HQDORV
FLUFXLWRVGLJLWDOHVFRPRXQVXEFRQMXQWR(QRWUDVSDODEUDVORVFLUFXLWRVGHFRQPXWDFLyQSXHGHQWDPELpQVHU
DSOLFDEOHVDFLUFXLWRVTXHDFWLYDQPRWRUHVOiPSDUDVFDOHIDFFLRQHV\RWURVGLVSRVLWLYRVTXHHPSOHDQFRUULHQ
WHVDOWDV

Conmutación con carga pasiva

/D)LJXUDPXHVWUDXQ(026)(7 FRQXQDFDUJDSDVLYD(OWpUPLQR pasiva KDFHUHIHUHQFLDDUHVLVWHQFLDV
QRUPDOHVFRPRRD(QHVWHFLUFXLWR vLQ SXHGHVHUXQQLYHOEDMRRXQQLYHODOWR&XDQGR vLQ HVXQQLYHOEDMRHO
MOSFET 467

Figura 14.17 (a) Señal analógica. (b) Señal digital. Figura 14.18 Carga pasiva.
Y Y 9''

5'

W W vRXW

D E vLQ

026)(7 HVWiHQFRUWH\ vRXW HVLJXDODODWHQVLyQGHDOLPHQWDFLyQ

VDD&XDQGRvLQ HVXQQLYHODOWRHO026)(7 VHVDWXUD\vRXW FDHD
XQYDORUEDMR3DUDTXHHOFLUFXLWRIXQFLRQHFRUUHFWDPHQWHODFR INFORMACIÓN ÚTIL
UULHQWH GHVDWXUDFLyQGHGUHQDGRU ID VDW WLHQH TXHVHUPHQRUTXH En la naturaleza, la mayoría de las
ID RQ FXDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVLJXDORPD\RUTXHVGS RQ (VWR
magnitudes físicas son analógicas y se
HVORPLVPRTXHGHFLUTXHODUHVLVWHQFLDHQODUHJLyQyKPLFDWLHQH
TXHVHUPXFKRPiVSHTXHxDTXHODUHVLVWHQFLDSDVLYDGHGUHQDGRU  trata de magnitudes que con frecuen-
ORTXHH[SUHVDFRPRVLJXH cia constituyen las entradas y las
salidas que un sistema va monitorizar
RDS RQ ,, RD
y controlar. Algunos ejemplos de
8QFLUFXLWRFRPRHOGHOD)LJXUDHVHOFLUFXLWRGHFRPSXWD entradas y salidas analógicas son la
GRUDPiVVHQFLOORTXHHVSRVLEOHFRQVWUXLU (VXQFLUFXLWR inversor temperatura, la presión, la velocidad, la
SRUTXH ODWHQVLyQGHVDOLGDHVODRSXHVWDDODVHxDOGHHQWUDGD
posición, el nivel de flujo y la velocidad
&XDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVWiDQLYHOEDMRODWHQVLyQGHVDOLGD
HVWiDQLYHODOWR\YLFHYHUVD1RHVQHFHVDULDXQDJUDQSUHFLVLyQHQ del flujo. Para aprovechar las ventajas
HO DQiOLVLVGHORVFLUFXLWRVGHFRQPXWDFLyQORPiVLPSRUWDQWHHV de las técnicas digitales cuando se
TXHODVWHQVLRQHVGHHQWUDGD\GHVDOLGDVHSXHGHQUHFRQRFHUIiFLO trabaja con entradas analógicas, las
PHQWHFRPRQLYHOHVEDMRRDOWR magnitudes físicas se convierten a
formato digital. Un circuito que realiza
Conmutación con carga activa esta función se denomina convertidor
/RV FLUFXLWRVLQWHJUDGRVHVWiIRUPDGRVSRUPLOHVGHWUDQVLVWRUHV analógico-digital (A/D).
PLFURVFySLFRVELSRODUHVR026/RVSULPHURVFLUFXLWRVLQWHJUD
GRVHPSOHDEDQUHVLVWHQFLDVGHFDUJDSDVLYDFRPRODPRVWUDGDHQOD
)LJXUD3HURXQDUHVLVWHQFLDGHFDU JDSDVLYDSUHVHQWDXQSUR
EOHPDLPSRUWDQWHItVLFDPHQWHHVPXFKRPiVJUDQGHTXHXQ026)(7(QFRQVHFXHQFLDORVFLUFXLWRVLQWHJUDGRV
FRQUHVLVWHQFLDVGHFDUJDSDVLYDIXHURQGHPDVLDGRJUDQGHVKDVWDTXHDOJXLHQLQYHQWyODV resistencias de carga
activaODVFXDOHVUHGXFHQHOWDPDxRGHORVFLUFXLWRVLQWHJUDGRV\KDQOOHYDGRDODFRPSXWDGRUDSHUVRQDOTXHFR
QRFHPRVKR\GtD
/DLGHDIXQGDPHQWDOIXHGHVKDFHUVHGHODVUHVLVWHQFLDVGHFDUJDSDVLYD/D)LJXUDa PXHVWUDHOLQYHQWROD
conmutación con carga activa. (O026)(7 LQIHULRUVHFRPSRUWDFRPRXQFRQPXWDGRUSHURHO026)(7 VXSHULRU
VHFRPSRUWDFRPRXQDUHVLVWHQFLDJUDQGH2EVHUYHTXHHO026)(7VXSHULRUWLHQHODSXHUWDFRQHFWDGDDOGUHQDGRU
SRUORTXHVHKDFRQYHUWLGRHQXQdispositivo de dos terminales FRQXQDUHVLVWHQFLDDFWLYDLJXDOD
9'6(activa)
5' 5 } (14.6)
,'(activa)

GRQGHVDS DFWLYD HID DFWLYD VRQODWHQVLyQ\ODFRUULHQWHHQODUHJLyQDFWLYD

3DUDTXHHOFLUFXLWRIXQFLRQHFRUUHFWDPHQWHODUHVLVWHQFLDRD GHO026)(7 VXSHULRUWLHQHTXHVHUJUDQGHFRP
SDUDGDFRQOD RDS RQ GHO026)(7 LQIHULRU3RUHMHPSORVLHO026)(7 VXSHULRUVHFRPSRUWDFRPRXQD RD GH
NV \HOLQIHULRUFRPRXQDRDS RQ GHVFRPRVHPXHVWUDHQOD)LJXUDb HQWRQFHVOD WHQVLyQGHVDOLGD
VHUiXQQLYHOEDMR
468 Capítulo 14

Figura 14.19 (a) Carga activa. (b) Circuito equivalente. (c) VGS 5 VDS produce la curva para dos terminales
9''
I'

9
Ï+0,&$
&859$'('267(50,1$/(6
4
P$ 9*6 9
NV
vRXW
P$
YRXW 9*6 9
4 P$
vLQ V 9*6 9
9'6
 9 9 9 9
D E F

/D)LJXUDc PXHVWUDFyPRFDOFXODUODUHVLVWHQFLD RD GHO026)(7 VXSHULRU'DGRTXHVGS 5 VDSFDGD

SXQWRGHWUDEDMRGHHVWH026)(7 WLHQHTXHFDHUDORODUJRGHODFXUYDSDUDGRVWHUPLQDOHVPRVWUDGDHQOD)LJXUD
c6LFRPSUXHEDFDGDXQRGHORVSXQWRVVHxDODGRVVREUHODFXUYDSDUDGRVWHUPLQDOHVYHUiTXH VGS 5 VDS
/DFXUYDSDUDGRVWHUPLQDOHVGHOD)LJXUD c LQGLFDTXHHO026)(7 VXSHULRUVHFRPSRUWDFRPRXQDUH
VLVWHQFLDRD(OYDORUGHRD YDULDUiOLJHUDPHQWHSDUDFDGDXQRGHORVGLIHUHQWHVSXQWRV3RUHMHPSORHQHOSXQWR
PiVDOWRLQGLFDGRHQOD)LJXUD cODFXUYDSDUDGRVWHUPLQDOHVWLHQH ID 5 P$ \VDS 5 9$SOLFDQGROD
(FXDFLyQ  SRGHPRVFDOFXODU
 9
RD 5 }} 5 NV
 P$
(OVLJXLHQWHSXQWRKDFLDDEDMRWLHQHGHFRRUGHQDGDVORVVLJXLHQWHVYDORUHVDSUR[LPDGRV ID 5 P$ \VDS 5
 93RUWDQWR
 9
5' = =   NV
 P$
+DFLHQGRXQFiOFXORVLPLODUHOSXQWRLQIHULRUGRQGHVDS 5 9 HID 5 P$ SURSRUFLRQDRD 5 NV
6LHO026)(7 LQIHULRUWLHQHODVPLVPDVFXUYDVGHGUHQDGRUTXHHOVXSHULRU HQWRQFHVWHQGUiXQD RDS RQ GH
9
RDS RQ 5 }} 5 V
 P$
TXHHVHOYDORUHVSHFLILFDGRHQOD)LJXUDb
&RPR\DKHPRVPHQFLRQDGRHQORVFLUFXLWRVGHFRQPXWDFLyQGLJLWDOHVQRVRQLPSRUWDQWHVORVYDORUHVH[DFWRV
VLHPSUH\FXDQGRSXHGDQGLIHUHQFLDUVHIiFLOPHQWHODVWHQVLRQHVFRPRQLYHOHVEDMRV\DOWRV3RUWDQWRHOYDORU
H[DFWR GH RD QR HVLPSRUWDQWH3XHGHVHURN V &XDOTXLHUDGHHVWRVYDORUHVHVORVXILFLHQWHPHQWH
JUDQGHFRPRSDUDSURGXFLUXQDWHQVLyQGHVDOLGDDQLYHOEDMRHQHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDb

Conclusión
/DVUHVLVWHQFLDVGHFDUJDDFWLYDVRQQHFHVDULDVHQORVFLUFXLWRVLQWHJUDGRVGLJLWDOHVSRUTXHHQHOORVHVLPSRUWDQWH
WDPDxRItVLFRSHTXHxR(OGLVHxDGRUGHEHDVHJXUDUVHGHTXHOD RD GHO026)(7 VXSHULRUVHDJUDQGHFRPSDUDGD
FRQODRD RQ GHO026)(7 LQIHULRU&XDQGRVHHQFXHQWUHFRQXQFLUFXLWRFRPRHOGHOD)LJXUDaWRGRORTXH
WLHQHUHFRUGDUHVODLGHDDEiVLFDHOFLUFXLWRVHFRPSRUWDFRPRXQDUHVLVWHQFLDRD HQVHULHFRQXQFRQPXWDGRURE
WHQLpQGRVHDVtXQDWHQVLyQGHVDOLGDTXHVHUiXQQLYHODOWRRXQQLYHOEDMR

Ejemplo 14.6
¢&XiOHVODWHQVLyQGHVDOLGDHQHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDa FXDQGRODHQWUDGDHVWiDQLYHOEDMR"¢<FXDQGRODHQ
WUDGDHVWiDQLYHODOWR"
MOSFET 469

Figura 14.20 Ejemplos.

9 9

5' NV 5' NV

YRXW YRXW

5'6 RQ  V 5'6 RQ  V

YLQ YLQ

D E

SOLUCIÓN &XDQGRODVHxDOGHHQWUDGDHVWiDQLYHOEDMRHO026)(7VXSHULRUHVWiHQDELHUWR\ODWHQVLyQGHVD
OLGDDXPHQWDSUiFWLFDPHQWHKDVWDODWHQVLyQGHDOLPHQWDFLyQ
vRXW 5 9
&XDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVXQQLYHODOWRHO026)(7 LQIHULRUSUHVHQWDXQDUHVLVWHQFLDGHV(QHVWHFDVR
ODWHQVLyQGHVDOLGDGHVFLHQGHSUiFWLFDPHQWHDOQLYHOGHWLHUUD

V
vRXW 5 }} 9 5 P9
NV 1 V

PROBLEMA PRÁCTICO 14.6 5HSLWDHO(MHPSORXWLOL]DQGRXQYDORUSDUDRD RQ GHV

Ejemplo 14.7
¢&XiOHVODWHQVLyQGHVDOLGDHQHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDb"

SOLUCIÓN &XDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVWiDQLYHOEDMR
vRXW 5 9
&XDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVWiDQLYHODOWR
V
vRXW 5 } 9 5 9
NV
6LFRPSDUDHVWRVUHVXOWDGRVFRQORVGHOHMHPSORDQWHULRU SXHGHFRPSUREDUTXHODUHODFLyQ on-off QRHVWDQEXHQD
3HURHQORVFLUFXLWRVGLJLWDOHVXQDDOWDUHODFLyQon-off QRHVLPSRUWDQWH(QHVWHHMHPSORODWHQVLyQGHVDOLGDHVELHQ
9 R9(VWDVWHQVLRQHVSXHGHQGLIHUHQFLDUVHVLQSUREOHPDVFRPRORVQLYHOHVEDMR\DOWRUHVSHFWLYDPHQWH

PROBLEMA PRÁCTICO 14.7 (QHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDbFXDQGRVLQ HVXQQLYHODOWR¢FyPRGH

JUDQGHSXHGHVHURDS RQ \TXpYDORUSRUGHEDMRGH9 SXHGHWHQHUVRXW"

14.7 CMOS
(QODFRQPXWDFLyQFRQFDUJDDFWLYDHOFRQVXPRGHFRUULHQWHFRQXQDVDOLGDDQLYHOEDMRHVDSUR[LPDGDPHQWHLJXDO
DID VDW (VWRSXHGHUHVXOWDUSUREOHPiWLFRHQORVHTXLSRVTXHIXQFLRQDQFRQEDWHUtDV8QDIRUPDGHUHGXFLUHOFRQ
470 Capítulo 14

Figura 14.21 Inversor CMOS. (a) Circuito. (b) Gráfica de entrada-salida.

9''

4 YRXW

vLQ vRXW 9''

9''
4

YLQ
9'' 9''

D E

VXPRGHFRUULHQWHHQXQFLUFXLWRGLJLWDOFRQVLVWHHQXWLOL]DUGLVSRVLWLYRV CMOS (Complementary MOS, MOS

complementario)(QHVWHFDVRHOGLVHxDGRUGHFLUFXLWRVLQWHJUDGRVFRPELQDWUDQVLVWRUHV026)(7 GHFDQDOn \
GHFDQDOp
/D)LJXUDa PXHVWUDHOPHFDQLVPRQ HVXQ026)(7 GHFDQDOp \Q HVXQ026)(7 GHFDQDOn(VWRV
GRVGLVSRVLWLYRVVRQFRPSOHPHQWDULRVHVGHFLUORVYDORUHVGHVGS XPEUDO VGS RQ ID RQ HWFVRQLJXDOHVSHURGHVLJ
QRVRSXHVWRV(OFLUFXLWRHVVLPLODUDOGHXQDPSOLILFDGRUGHFODVH%SXHVWRTXHXQ026)(7 FRQGXFHPLHQWUDV
TXHHORWURQR

Funcionamiento básico
&XDQGRVHXWLOL]DXQFLUFXLWR&026FRPRHOGHOD)LJXUDa HQXQDDSOLFDFLyQGHFRQPXWDFLyQODWHQVLyQGH
HQWUDGDHVRXQQLYHODOWR 1VDD RXQQLYHOEDMR 9 &XDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVXQQLYHODOWRQ QRFRQ
GXFH\Q FRQGXFH(QHVWHFDVRQ VHFRPSRUWDFRPRXQFRUWRFLUFXLWR\ODWHQVLyQGHVDOLGDGLVPLQX\HKDVWDHO
QLYHOGHWLHUUD3RUHOFRQWUDULRFXDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVXQQLYHOEDMR
Q FRQGXFH\Q QRFRQORTXHDKRUD
Q VHFRPSRUWDFRPRXQFRUWRFLUFXLWR\ODWHQVLyQGHVDOLGDDXPHQWDKDVWD1VDD&RPRODWHQVLyQGHVDOLGDHVWi
LQYHUWLGDHVWHFLUFXLWRVHGHQRPLQDCMOS inversor.
/D )LJXUD b PXHVWUD FyPRYDUtDODWHQVLyQGHVDOLGDFRQODWHQVLyQGHHQWUDGD&XDQGRODWHQVLyQGH
HQWUDGDHVFHURODWHQVLyQGHVDOLGDHVXQQLYHODOWR&XDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVXQQLYHODOWRODWHQVLyQGHVD
OLGDHVXQQLYHOEDMR(QWUHORVGRVH[WUHPRVH[LVWHXQSXQWRGHFUXFHFXDQGRODWHQVLyQGHHQWUDGDHVLJXDOD
VDD (QHVWHSXQWRDPERV026)(7 WLHQHQODPLVPDUHVLVWHQFLD\ODWHQVLyQGHVDOLGDHVLJXDODVDD 

Consumo de potencia
/DYHQWDMDPiVLPSRUWDQWHGHO&026HVVXH[WUHPDGDPHQWHEDMRFRQVXPRGHSRWHQFLD3XHVWRTXHDPERV026
)(7 HVWiQFRQHFWDGRVHQVHULHHQHOFLUFXLWRGHOD)LJXUD aHOFRQVXPRGHFRUULHQWHHQUHSRVRYLHQHGHWHU
PLQDGRSRUHOGLVSRVLWLYRTXHQRFRQGXFH'DGRTXHVXUHVLVWHQFLDHVGHORUGHQGHORVPHJDRKPLRVHOFRQVXPR
GHSRWHQFLDen reposo LQDFWLYLGDG VHDSUR[LPDDFHUR
(OFRQVXPRGHSRWHQFLDDXPHQWDFXDQGRODVHxDOGHHQWUDGDFRQPXWDGHOQLYHOEDMRDOQLYHODOWR\YLFHYHUVD
/DUD]yQGHHVWRHVODVLJXLHQWHHQHOSXQWRPHGLRGHXQDWUDQVLFLyQGHXQQLYHOEDMRDXQQLYHODOWRRDODLQYHUVD
DPERVGLVSRVLWLYRV026)(7 HVWiQHQFRQGXFFLyQORTXHVLJQLILFDTXHODFRUULHQWHGHGUHQDGRUDXPHQWDWHPSR
UDOPHQWH'DGRTXHODWUDQVLFLyQHVPX\UiSLGDVyORVHSURGXFHXQEUHYHLPSXOVRGHFRUULHQWH(OSURGXFWRGHOD
WHQVLyQ GHDOLPHQWDFLyQGHOGUHQDGRUSRUHVWHEUHYHLPSXOVRGHFRUULHQWHLPSOLFDTXHHOFRQVXPRGHSRWHQFLD
PHGLRdinámico HVPD\RUTXHHOFRQVXPRGHSRWHQFLDHQUHSRVR(QRWUDVSDODEUDVXQGLVSRVLWLYR&026GLVLSD
PiVSRWHQFLDPHGLDFXDQGRVHSURGXFHXQDWUDQVLFLyQTXHFXDQGRHVWiHQUHSRVR
6LQHPEDUJRSXHVWRTXHORVLPSXOVRVGHFRUULHQWHVRQPX\EUHYHVODGLVLSDFLyQPHGLDGHSRWHQFLDHVPX\EDMD
LQFOXVRFXDQGRORVGLVSRVLWLYRV&026VHHQFXHQWUDQHQORVHVWDGRVGHFRQPXWDFLyQ'HKHFKRHOFRQVXPRPHGLR
GHSRWHQFLDHVWDQEDMRTXHORVFLUFXLWRV&026 DPHQXGRVHHPSOHDQHQDSOLFDFLRQHVDOLPHQWDGDVPHGLDQWHEDWH
UtDVFRPRSRUHMHPSORFDOFXODGRUDVUHORMHVGLJLWDOHV\DXGtIRQRV
MOSFET 471

Ejemplo 14.8
/RVGLVSRVLWLYRV026)(7 GHOD)LJXUDa WLHQHQRDS RQ 5 V \RDS RII 5  0V¢&XiOVHUiHODVSHFWRGH
ODIRUPDGHRQGDGHVDOLGD"

Figura 14.22 Ejemplo.

9

4
YRXW
9

 YRXW
$ %

0 V 9

4

W
$ %
D E

SOLUCIÓN /DVHxDOGHHQWUDGDHVXQLPSXOVRUHFWDQJXODUTXHFRQPXWDGHD 19 HQHOSXQWRA \GH1

9 DHQHOSXQWRB$QWHVGHOOHJDUDOLQVWDQWHGHWLHPSRAQ HVWiFRQGXFLHQGR\Q QR3XHVWRTXHQ WLHQHXQD
UHVLVWHQFLDGHV IUHQWHDODUHVLVWHQFLDGH 0V GHQODWHQVLyQGHVDOLGDDXPHQWDKDVWD19
(QWUHORVSXQWRVA \BODWHQVLyQGHHQWUDGDHVGH19(VWDWHQVLyQKDFHTXHQ VHFRUWH\Q FRQGX]FD(Q
HVWHFDVRODEDMDUHVLVWHQFLDGH Q KDFHTXHODWHQVLyQGHVDOLGDGLVPLQX\DKDVWDSUiFWLFDPHQWHFHUR/D)LJXUD
b PXHVWUDODIRUPDGHRQGDGHVDOLGD

PROBLEMA PRÁCTICO 14.8 5HSLWDHO(MHPSORFRQVLQLJXDODLPSXOVRVGH 19 HQWUHORVLQVWDQWHV

A \B

14.8 FET de potencia

(QODVVHFFLRQHVDQWHULRUHVQRVKHPRVFHQWUDGRHQORV026)(7HQPRGRGHHQULTXHFLPLHQWRGHSHTXHxDVHxDOHV
GHFLU ORV026)(7 GH EDMDSRWHQFLD $XQTXH KD\GLVSRQLEOHVFRPHUFLDOPHQWHDOJXQRV(026)(7 GH EDMD
SRWHQFLDGLVFUHWRV YpDVHOD7DEOD HOSULQFLSDOXVRGHORV(026GHEDMDSRWHQFLDVHHQFXHQWUDHQORVFLUFXL
WRVLQWHJUDGRVGLJLWDOHV
(O(026 GHDOWDSRWHQFLDHVGLIHUHQWH(QHO(026GHDOWDSRWHQFLDHO(026)(7 HVXQGLVSRVLWLYRGLVFUHWR
DPSOLDPHQWHXWLOL]DGRHQDSOLFDFLRQHVTXHFRQWURODQPRWRUHVOiPSDUDVXQLGDGHVGHGLVFRLPSUHVRUDVIXHQWHVGH
DOLPHQWDFLyQHWF(QHVWDVDSOLFDFLRQHVHO(026)(7 VHFRQRFHFRPRFET de potencia

Dispositivos discretos
/RVIDEULFDQWHVHVWiQSURGXFLHQGRGLIHUHQWHVGLVSRVLWLYRVWDOHVFRPR90267026KH[)(7WUHQFK026)(7 \
ZDYH)(77RGRVHVWRV)(7 GHSRWHQFLDXWLOL]DQJHRPHWUtDVGHFDQDOGLIHUHQWHVSDUDDXPHQWDUVXVYDORUHVPi[LPRV
SHUPLWLGRV(VWRVGLVSRVLWLYRVSXHGHQPDQHMDUFRUULHQWHVPi[LPDVGHVGH$ KDVWDPiVGH$\SRWHQFLDVPi
[LPDVTXHYDQGHVGH: KDVWDPiVGH:
/D)LJXUDDPXHVWUDODHVWUXFWXUDGHXQ026)(7 HQPRGRGHHQULTXHFLPLHQWRHQXQFLUFXLWRLQWHJUDGR/D
IXHQWHVHHQFXHQWUDDODL]TXLHUGDODSXHUWDHQHOFHQWUR\HOGUHQDGRUHQODSDUWHGHUHFKD/RVHOHFWURQHVOLEUHV
IOX\HQHQVHQWLGRKRUL]RQWDOGHVGHODIXHQWHDOGUHQDGRUFXDQGRVGS HVPD\RUTXHVGS XPEUDO (VWDHVWUXFWXUDOLPLWD
ODFRUULHQWHPi[LPDSRUTXHORVHOHFWURQHVOLEUHVGHEHQIOXLUDORODU JRGHODHVWUHFKDFDSDGHLQYHUVLyQORTXHVH
472 Capítulo 14

Figura 14.23 Estructuras MOS: (a) Estructura convencional del MOSFET. (b) Estructura del VMOS.
)8(17( )8(17(
38(57$

)8(17( '5(1$'25 6L2

38(57$
n n
p p
n n
&$1$/ &$3$(3,7$;,$/n–

6,/,&,2'(7,32p 68675$72n

68675$72 '5(1$'25
a b

KDVLPEROL]DGRPHGLDQWHODOtQHDGHSXQWRV'HELGRDTXHHOFDQDOHVPX\HVWUHFKRORVGLVSRVLWLYRV026FRQ
YHQFLRQDOHVWLHQHQFRUULHQWHVGHGUHQDGRUPi[LPDVSHTXHxDV\XQDEDMDGLVLSDFLyQGHSRWHQFLD
/D)LJXUDb PXHVWUDODHVWUXFWXUDGHXQGLVSRVLWLYRVMOS (Vertical MOS)7LHQHGRVIXHQWHVHQODSDUWH
VXSHULRUTXHKDELWXDOPHQWHHVWiFRQHFWDGDV\HOVXVWUDWRVHFRPSRUWDFRPRHOGUHQDGRU &XDQGRVGS HVPD\RUTXH
VGS XPEUDO ORVHOHFWURQHVOLEUHVIOX\HQHQYHUWLFDO\KDFLDDEDMRGHVGHODVGRVIXHQWHVKDFLDHOGUHQDGRU 3XHVWR
TXHHOFDQDOGHFRQGXFFLyQHVPXFKRPiVDQFKRDORODUJRGHDPERVODGRVGHODUDQXUDHQ9ODFRUULHQWHSXHGHVHU
PXFKRPiVJUDQGH(VWRSHUPLWHDOGLVSRVLWLYR9026FRPSRUWDUVHFRPRXQ)(7 GHSRWHQFLD
/D7DEODHQXPHUDXQDVHULHGHGLVSRVLWLYRV)(7 GHSRWHQFLDFRPHUFLDOPHQWHGLVSRQLEOHV2EVHUYHTXH
VGS RQ HVLJXDOD 9 SDUDWRGRVHVWRVGLVSRVLWLYRV3XHVWRTXHVRQGLVSRVLWLYRVItVLFDPHQWHJUDQGHVUHTXLHUHQ
WHQVLRQHVVGS RQ DOWDVSDUDJDUDQWL]DUHOIXQFLRQDPLHQWRHQODUHJLyQyKPLFD&RPRSXHGHYHUORVYDORUHVOtPLWHV
GHSRWHQFLDGHHVWRVGLVSRVLWLYRVVRQFRQVLGHUDEOHVVRQFDSDFHVGHPDQHMDUDSOLFDFLRQHVFRPRFRQWUROHVHQDXWR
PRFLyQLOXPLQDFLyQ\FDOHIDFFLyQ
(ODQiOLVLVGHXQFLUFXLWR)(7GHSRWHQFLDHVLJXDOTXHHOFRUUHVSRQGLHQWHDOGHORVGLVSRVLWLYRVGHSHTXHxDVHxDO
&XDQGRVHH[FLWDFRQXQDVGS RQ GH  9 HO)(7 GHSRWHQFLDSUHVHQWDXQDUHVLVWHQFLDSHTXHxD RDS RQ HQODUHJLyQ
yKPLFD&RPRDQWHVXQDID VDW PHQRUTXHID RQ FXDQGRVGS 5 VGS RQ JDUDQWL]DTXHHOGLVSRVLWLYRHVWDUiSRODUL]DGR
HQODUHJLyQyKPLFD\VHFRPSRUWDUiFRPRXQDUHVLVWHQFLDSHTXHxD

Carencia de calentamiento descontrolado

&RPRVHKDYLVWRHQHO&DStWXORORVWUDQVLVWRUHVGHXQLyQELSRODUHVSXHGHQUHVXOWDUGHVWUXLGRVGHELGRDOcalen-
tamiento descontrolado. (OSUREOHPDFRQORVWUDQVLVWRUHVELSRODUHVHVHOFRHILFLHQWHGHWHPSHUDWXUDQHJDWLYRGH
VBE&XDQGRODWHPSHUDWXUDLQWHUQDDXPHQWDVBE GLVPLQX\HORTXHLQFUHPHQWDODFRUULHQWHGHFROHFWRUIRU]DQGR
DTXHODWHPSHUDWXUDVHDPiVDOWD3HURXQDWHPSHUDWXUDPiVDOWDUHGXFHWRGDYtDPiV VBE6LQRVHGLVLSDHOFDORU
GHODIRUPDDSURSLDGDHOWUDQVLVWRUELSRODUVHFDOHQWDUiGHIRUPDGHVFRQWURODGD\UHVXOWDUiGHVWUXLGR
8QDYHQWDMDLPSRUWDQWHGHORV)(7 GHSRWHQFLDVREUHORVWUDQVLVWRUHVELSRODUHVHVODFDUHQFLDGHFDOHQWDPLHQWR
GHVFRQWURODGR/DUHVLVWHQFLDRDS RQ GHXQ026)(7 WLHQHXQFRHILFLHQWHGHWHPSHUDWXUDSRVLWLYR&XDQGRODWHP
SHUDWXUDLQWHUQDDXPHQWDRDS RQ DXPHQWD\UHGXFHODFRUULHQWHGHGUHQDGRUORTXHKDFHGHVFHQGHUODWHPSHUDWXUD
(QFRQVHFXHQFLDORV)(7 GHSRWHQFLDVRQLQKHUHQWHPHQWHHVWDEOHVFRQODWHPSHUDWXUD\QRVHFDOLHQWDQGHIRUPD
GHVFRQWURODGD

Tabla 14.2 Ejemplos de dispositivos FET de potencia

Dispositivo VGS(on), V ID (on), A RDS(on), V ID(máx), A PD(máx), W

MTP4N80E 10 2 1,95 4 125

MTV10N100E 10 5 1,07 10 250

MTW24N40E 10 12 0,13 24 250

MTW45N10E 10 22,5 0,035 45 180

MTE125N20E 10 62,5 0,012 125 460

MOSFET 473

FET de potencia en paralelo

/RVWUDQVLVWRUHVGHXQLyQELSRODUHVQRSXHGHQFRQHFWDUVHHQSDUD INFORMACIÓN ÚTIL
OHORSRUTXHVXVFDtGDVGHWHQVLyQVBE QRVHDSUR[LPDQORVXILFLHQWH
6LLQWHQWDPRVFRQHFWDUORVHQSDUDOHORVHSURGXFHXQHIHFWRGHaca- En muchos casos, se usan dispositivos
paramiento de corriente. (VWRTXLHUHGHFLUTXHHOWUDQVLVWRUFRQOD bipolares y dispositivos MOS en el
PHQRUWHQVLyQVBE WRPDPiVFRUULHQWHGHFROHFWRUTXHORVGHPiV mismo circuito electrónico. Un circuito
/RV )(7 GH SRWHQFLDFRQHFWDGRVHQSDUDOHORQRVXIUHQHVWH
que hace de interfaz conecta la salida de
SUREOHPDGHODFDSDUDPLHQWRGHODFRUULHQWH6LXQRGHORV)(7 GH
SRWHQFLDWUDWDGHDFDSDUDUODFRUULHQWHVXWHPSHUDWXUDLQWHUQDDX un circuito con la entrada del siguiente:
PHQWDUi (VWRDXPHQWDVXUHVLVWHQFLD RDS RQ  ORTXHUHGXFHVX su función consiste en tomar la señal de
FRUULHQWH GHGUHQDGRU (OHIHFWRJOREDOHVTXHWRGRVORV)(7 GH salida del excitador y acondicionarla de
SRWHQFLDWHQJDQODPLVPDFRUULHQWHGHGUHQDGRU manera que sea compatible con los
requisitos de la carga.
Desconexión más rápida
&RPRVHKDPHQFLRQDGRDQWHULRUPHQWHORVSRUWDGRUHVPLQRULWDULRV
GH ORVWUDQVLVWRUHVELSRODUHVVHDOPDFHQDQHQHOiUHDGHODXQLyQ
GXUDQWHODSRODUL]DFLyQGLUHFWD&XDQGRVHLQWHQWDSRQHUHQFRUWHXQWUDQVLVWRUELSRODUODVFDUJDVDOPDFHQDGDVIOX
\HQGXUDQWHXQWLHPSRLPSLGLHQGRTXHVHSURGX]FDXQSDVRDODUHJLyQGHFRUWHUiSLGD3XHVWRTXHXQ)(7 GH
SRWHQFLDQRWLHQHSRUWDGRUHVPLQRULWDULRVSXHGHKDFHUTXHGHMHGHIOXLUODFRUULHQWHPXFKRPiVUiSLGDPHQWHTXH
XQWUDQVLVWRUELSRODU1RUPDOPHQWHXQ)(7 GHSRWHQFLDSXHGHKDFHUTXHGHMHGHIOXLUXQDFRUULHQWHGHORUGHQGH
DPSHULRVHQXQDGpFLPDVGHQDQRVHJXQGRVSRUORTXHHVGHDYHFHVPiVUiSLGRTXHXQWUDQVLVWRUGHXQLyQ
ELSRODUFRPSDUDEOH

FET de potencia como interfaz

/RVFLUFXLWRVLQWHJUDGRVGLJLWDOHVVRQGLVSRVLWLYRVGHEDMDSRWHQFLDSRUTXHSXHGHQVyORVXPLQLVWUDUFRUULHQWHVGH
FDUJDSHTXHxDV6LGHVHDPRVXWLOL]DUODVDOLGDGHXQFLUFXLWRLQWHJUDGRGLJLWDOSDUDH[FLWDUXQDFDU JDGHDOWDFR
UULHQWHSRGHPRVHPSOHDUXQ)(7 GHSRWHQFLDFRPRinterfaz XQGLVSRVLWLYR%TXHSHUPLWHTXHXQGLVSRVLWLYR$
VHFRPXQLTXHFRQRFRQWUROHXQGLVSRVLWLYR& 
/D)LJXUDPXHVWUDFyPRSXHGHFRQWURODUXQ&,GLJLWDOXQDFDUJDGHDOWDSRWHQFLD/DVDOLGDGHO&,GLJL
WDOH[FLWDODSXHUWDGHO)(7 GHSRWHQFLD&XDQGRODVDOLGDGLJLWDOHVWiDQLYHODOWRHO)(7 GHSRWHQFLDVHFRPSRUWD
FRPRXQLQWHUUXSWRUFHUUDGR&XDQGRODVDOLGDGLJLWDOHVWiDQLYHOEDMRHO)(7 GHSRWHQFLDRSHUDFRPRXQLQWH
UUXSWRUDELHUWR/DLQWHUID]HQWUHORV&,GLJLWDOHV (026\&026GHSHTXHxDVHxDO FRQFDU JDVGHDOWDSRWHQFLD
HVXQDGHODVDSOLFDFLRQHVPiVLPSRUWDQWHVGHORV)(7 GHSRWHQFLD
/D)LJXUD HVXQHMHPSORGHXQ&,GLJLWDOTXHFRQWURODXQDFDU JDGHDOWDSRWHQFLD&XDQGRODVDOLGDGHO
&026HVWiDQLYHODOWRHO)(7 GHSRWHQFLDVHFRPSRUWDFRPRXQLQWHUUXSWRUFHUUDGR(QWRQFHVODWHQVLyQHQHOGH
YDQDGRGHOPRWRUHVDSUR[LPDGDPHQWH 9\HOHMHGHOPRWRUJLUD&XDQGRODVDOLGDGHO&026 HVWiDQLYHOEDMR
HO)(7 GHSRWHQFLDHVXQFLUFXLWRDELHUWR\HOPRWRUGHMDGHJLUDU

Figura 14.24 El FET de potencia es la interfaz entre Figura 14.25 Utilización de un FET de potencia para controlar un motor.
el CI digital de baja potencia y la carga de alta potencia.
9

9''
02725
0
 7

&$5*$'(
$/7$327(1&,$
)(7'(
YLQ &026 327(1&,$
)(7'(
&, 327(1&,$
',*,7$/
474 Capítulo 14

Convertidores de continua-alterna (cc-ca; dc-ac)

&XDQGRVHSURGXFHXQDIDOORUHSHQWLQRHQODDOLPHQWDFLyQODVFRPSXWDGRUDVGHMDQGHIXQFLRQDU\SXHGHQSHUGHUVH
GDWRVYDOLRVRV8QDVROXFLyQFRQVLVWHHQXWLOL]DVXQsistema de alimentación ininterrumpida (SAI) R836 unin-
terruptible power supply 8Q6$,FRQWLHQHXQDEDWHUtD\XQFRQYHUWLGRUGHFRQWLQXDHQDOWHUQD FFFD /DLGHDEi
VLFDHVODVLJXLHQWHFXDQGRVHSURGXFHXQIDOORGHDOLPHQWDFLyQODWHQVLyQGHODEDWHUtDVHFRQYLHUWHHQXQDWHQVLyQ
DOWHUQDTXHVHDSOLFDDODFRPSXWDGRUD
/D)LJXUDPXHVWUDXQconvertidor de continua-alterna (cc-ca)ODLGHDEiVLFDVHIXQGDPHQWDHQXQ6$,
&XDQGRODDOLPHQWDFLyQIDOODRWURVFLUFXLWRV DPSOLILFDGRUHVRSHUDFLRQDOHVTXHHVWXGLDUHPRVPiVDGHODQWH VHDF
WLYDQ\JHQHUDQXQDRQGDFXDGUDGDSDUDH[FLWDUODSXHUWD/DRQGDFXDGUDGDGHHQWUDGDKDFHTXHHO)(7 FRQPXWH
GHXQHVWDGRDRWUR'DGRTXHHQORVGHYDQDGRVGHOWUDQVIRUPDGRUDSDUHFHUiXQDRQGDFXDGUDGDHOGHYDQDGRGHO
VHFXQGDULRSXHGHVXPLQLVWUDUODWHQVLyQDOWHUQDQHFHVDULDSDUDPDQWHQHUDODFRPSXWDGRUDHQIXQFLRQDPLHQWR8Q
6$,FRPHUFLDOHVPiVFRPSOHMRTXHHVWRSHURODLGHDEiVLFDGHFRQYHUWLUFRUULHQWHFRQWLQXDHQDOWHUQDHVODPLVPD

Convertidores de continua-continua (cc-cc; dc-dc)

/D)LJXUDHVXQconvertidor de continua-continuaXQFLUFXLWRTXHFRQYLHUWHXQDWHQVLyQFRQWLQXDGHHQ
WUDGDHQXQDWHQVLyQFRQWLQXDGHVDOLGDTXHSXHGHVHUPiVJUDQGHRPiVSHTXHxD(O)(7GHSRWHQFLDFRQPXWDGH
XQQLYHODORWURSURGXFLHQGRXQDRQGDFXDGUDGDHQHOGHYDQDGRGHOVHFXQGDULR(OUHFWLILFDGRUGHPHGLDRQGD\HO
ILOWURFRQFRQGHQVDGRUDODHQWUDGDSURGXFHQHQWRQFHVODWHQVLyQGHVDOLGDVRXW8WLOL]DQGRGLIHUHQWHVUHODFLRQHVGH
HVSLUDV SRGHPRVREWHQHUXQDWHQVLyQFRQWLQXDGHVDOLGDTXHVHUiPiVJUDQGHRPiVSHTXHxDTXHODWHQVLyQ
GHHQWUDGDVLQ3DUDREWHQHUPHQRVUL]DGRSRGHPRVHPSOHDUXQUHFWLILFDGRUGHRQGDFRPSOHWDRXQUHFWLILFDGRUHQ
SXHQWH(OFRQYHUWLGRUGHFRQWLQXDHQFRQWLQXDHVXQDGHODVSDUWHVPiVLPSRUWDQWHVGHXQFLUFXLWRGHFRQPXWDFLyQ
RGHODVIXHQWHVGHDOLPHQWDFLyQFRQPXWDGDV(VWDDSOLFDFLyQVHDERUGDUiHQHO&DStWXOR

Figura 14.26 Convertidor de continua en alterna rudimentario.

9*6 RQ
)(7'( 9DF
 327(1&,$

9EDWHUtD

Figura 14.27 Convertidor de continua en continua rudimentario.


9*6 RQ 
)(7'( & 5 9RXW
 327(1&,$ ±

9LQ

Ejemplo 14.9
¢&XiOHVODFRUULHQWHDWUDYpVGHOGHYDQDGRGHOPRWRUGHOD)LJXUD"

SOLUCIÓN /D7DEODSURSRUFLRQDVGS RQ 5 9ID RQ 5 $ \RDS RQ 5 V SDUDXQ0731((Q

OD)LJXUDODFRUULHQWHGHVDWXUDFLyQHV
9
ID VDW 5 } 5 $
V
MOSFET 475

3XHVWRTXHHVPHQRUTXH$HO)(7 GHSRWHQFLDHVHTXLYDOHQWHD
Figura 14.28 Ejemplo de control de un motor.
XQD UHVLVWHQFLDGH V ,GHDOPHQWHODFRUULHQWHDWUDYpVGHO
9 GHYDQDGRGHOHV $6LLQFOXLPRVODUHVLVWHQFLDGH V HQORV
FiOFXORVODFRUULHQWHVHUi

 9
02725 ID 5 }} 5 $
0
V V 1  V

PROBLEMA PRÁCTICO 14.9 5HSLWD HO(MHPSORXWL

9 OL]DQGRXQ07:1(\XWLOLFHORVGDWRVIDFLOLWDGRVHQOD7DEOD
0731( 


Ejemplo 14.10
'XUDQWHHOGtDHOIRWRGLRGRGHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDHVWiFRQGXFLHQGR\ODWHQVLyQGHSXHUWDHVXQQLYHOEDMR
3RUODQRFKHHOIRWRGLRGRQRFRQGXFH\ODWHQVLyQGHSXHUWDDXPHQWDKDVWD 193RUWDQWRHOFLUFXLWRHQFLHQGH
ODOiPSDUDDXWRPiWLFDPHQWHSRUODQRFKH¢&XiOHVODFRUULHQWHDWUDYpVGHODOiPSDUD"

SOLUCIÓN /D 7DEOD SURSRUFLRQDORVGDWRVVL

Figura 14.29 Control automático de luz. JXLHQWHVSDUDXQ0791(VGS RQ 5  9 ID RQ 5
9  $ \RDS RQ LJXDOD V(QHOFLUFXLWRGHOD)LJXUD
ODFRUULHQWHGHVDWXUDFLyQHV
/È03$5$ 9
5 V ID VDW 5 } 5 $
V

3XHVWRTXHHVPHQRUTXH$TXLHUHGHFLUTXHHO)(7 GH
0791(
SRWHQFLDHVHTXLYDOHQWHDXQDUHVLVWHQFLDGH V\OD
FRUULHQWHSRUODOiPSDUDHV

5 )272',2'2  9
ID 5 }} 5 $
 V 1  V

PROBLEMA PRÁCTICO 14.10 +DOOHODFRUULHQWHSRUODOiPSDUDGHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDXWLOL]DQGRXQ

0731(\ORVGDWRVGLVSRQLEOHVHQOD7DEOD

Ejemplo 14.11
(OFLUFXLWRGHOD)LJXUDOOHQDDXWRPiWLFDPHQWHXQDSLVFLQDFXDQGRHOQLYHOGHODJXDHVWiEDMR&XDQGRHOQLYHO
GHDJXDHVWiSRUGHEDMRGHODVGRVVRQGDVPHWiOLFDVODWHQVLyQGHSXHUWDDXPHQWDKDVWD19HO)(7 GHSRWHQFLD
FRQGXFH\ODYiOYXODGHODJXDVHDEUHSDUDOOHQDUODSLVFLQD
&XDQGRHOQLYHOGHODJXDVHHOHYDSRUHQFLPDGHODVVRQGDVPHWiOLFDVODUHVLVWHQFLDHQWUHODVVRQGDVVHKDFHPX\
EDMDSRUTXHHODJXDHVXQEXHQFRQGXFWRU(QHVWHFDVRODWHQVLyQGHSXHUWDSDVDDQLYHOEDMRHO)(7 GHSRWHQFLD
VHDEUH\ODYiOYXODGHDJXDVHFLHUUD
¢&XiOHVODFRUULHQWHDWUDYpVGHODYiOYXODGHODJXDGHOD)LJXUDVLHO)(7GHSRWHQFLDWUDEDMDHQODUHJLyQ
yKPLFDFRQXQDRDS RQ GHV"

SOLUCIÓN /DFRUULHQWHSRUODYiOYXODHV
476 Capítulo 14

Figura 14.30 Rellenador automático de piscinas.

9

9È/98/$
V
'(/$*8$
5

621'$6
0(7È/,&$6
1,9(/'(/$*8$
'(/$3,6&,1$

 9
ID 5 }} 5 $
 V 1  V

Ejemplo 14.12
¢4XpIXQFLyQUHDOL]DHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDa"¢&XiOHVODFRQVWDQWHGHWLHPSRRC"¢&XiOHVODSRWHQFLDGH
ODOiPSDUDSDUDVXLQWHQVLGDGGHOX]Pi[LPD"

Figura 14.31 Encendido gradual de una lámpara.

9 I'

0V /$03
 V
9*6 9*6 RQ

0791(

&$5*$'(/&21'(16$'25

0V µ)
9'6
9''

D E

SOLUCIÓN &XDQGRHOLQWHUUXSWRUPDQXDOVHFLHUUDHOFRQGHQVDGRUVHFDU JDOHQWDPHQWHKDVWD9&XDQGROD

WHQVLyQGHSXHUWDDXPHQWDSRUHQFLPDGHVGS XPEUDO HO)(7 GHSRWHQFLDFRPLHQ]DDFRQGXFLU3XHVWRTXHODWHQVLyQ
GHSXHUWDHVWiFDPELDQGROHQWDPHQWHHOSXQWRGHWUDEDMRGHO)(7GHSRWHQFLDVHGHVSOD]DOHQWDPHQWHDWUDYpVGHOD
UHJLyQDFWLYDPRVWUDGDHQODJUiILFDGHOD)LJXUD b(QFRQVHFXHQFLDODOiPSDUDFRPLHQ]DDEULOODUJUDGXDO
PHQWH&XDQGRHOSXQWRGHWUDEDMRGHO)(7 GHSRWHQFLDDOFDQ]DILQDOPHQWHODUHJLyQyKPLFDODLQWHQVLGDGGHOD
OiPSDUDHVPi[LPD(OHIHFWRJOREDOHVXQencendido gradual GHODOiPSDUD
/DUHVLVWHQFLDGH7KHYHQLQTXHYHHOFRQGHQVDGRUHV
RTH 5 0V i 0V 5 NV
/DFRQVWDQWHGHWLHPSRRC HV
MOSFET 477

RC 5 NV m) 5 V

8WLOL]DQGROD7DEODYHPRVTXHSDUDHO0791(RDS RQ HVLJXDODV/DFRUULHQWHSRUODOiPSDUDHV
 9
ID 5 }} 5 $
 V 1  V

\ODSRWHQFLDGHODOiPSDUDHV

P 5 $ V 5 :

14.9 Amplificadores E-MOSFET

&RPRVHKDH[SOLFDGRHQODVVHFFLRQHVDQWHULRUHVHO(026)(7WLHQHVXSULQFLSDOXVRFRPRFRQPXWDGRU6LQHP
EDUJRHQDOJXQDVDSOLFDFLRQHVHVWHGLVSRVLWLYRVHXWLOL]DFRPRDPSOLILFDGRU(QWUHGLFKDVDSOLFDFLRQHVVHLQFOX\HQ
ORVDPSOLILFDGRUHVGH5)GHDOWDIUHFXHQFLDHPSOHDGRVHQODVSULPHUDVHWDSDVGHORVHTXLSRVGHFRPXQLFDFLRQHV\
ORV(026)(7 GHSRWHQFLDHPSOHDGRVHQORVDPSOLILFDGRUHVGHSRWHQFLDGHFODVH$%
(QORV(026)(7VGS WLHQHTXHVHUPD\RUTXHVGS XPEUDO SDUDTXHKD\DFRUULHQWHGHGUHQDGRUORTXHHOLPLQD
ODDXWRSRODUL]DFLyQODSRODUL]DFLyQGHIXHQWHGHFRUULHQWH\ODSRODUL]DFLyQFHUR\DTXHWRGRVHVWRVPpWRGRVGHSR
ODUL]DFLyQRSHUDQHQPRGRGHYDFLDPLHQWR(VWRQRVGHMDODSRODUL]DFLyQGHSXHUWD\ODSRODUL]DFLyQPHGLDQWHGL
YLVRUGHWHQVLyQ(VWRVGRVPpWRGRVGHSRODUL]DFLyQIXQFLRQDUiQFRQORV(026)(7 SRUTXHSXHGHQRSHUDUHQ
PRGRGHHQULTXHFLPLHQWR
/D)LJXUDPXHVWUDODVFXUYDVGHGUHQDGRU\ODFXUYDGHWUDQVFRQGXFWDQFLDGHXQ(026)(7 GHFDQDOn
/DFXUYDGHWUDQVIHUHQFLDSDUDEyOLFDHVVLPLODUDODGHO026)(7HQPRGRGHYDFLDPLHQWRDXQTXHFRQDOJXQDVLP
SRUWDQWHVGLIHUHQFLDV(O(026)(7 VyORRSHUDHQPRGRGHHQULTXHFLPLHQWR$GHPiVODFRUULHQWHGHGUHQDGRUQR
DSDUHFHKDVWDTXHVGS 5 VGS XPEUDO 'HQXHYRHVWRGHPXHVWUDTXHHO(026)(7 HVXQGLVSRVLWLYRQRUPDOPHQWH
HQFRUWHFRQWURODGRSRUWHQVLyQ3XHVWRTXHODFRUULHQWHGHGUHQDGRUHVFHURFXDQGR VGS 5 ODIyUPXODHVWiQGDU
GHODWUDQVFRQGXFWDQFLDQRVHUiYiOLGDSDUDHO(026)(7 /DFRUULHQWHGHGUHQDGRUSXHGHKDOODUVHVRPRVLJXH
,' 5 N[9*6 2 9*6(umbral)]2 (14.7)
GRQGHk HVXQYDORUFRQVWDQWHSDUDHO(026)(7 \TXHGDGHWHUPLQDGDSRUODVLJXLHQWHH[SUHVLyQ
, ' (on)
N5 
[ 9*6 (on)  9*6 (umbral) ] (14.8)

/DKRMDGHFDUDFWHUtVWLFDVGHXQ)(7 HQPRGRGHHQULTXHFLPLHQWRGHFDQDOn 1VHPXHVWUDHQOD)LJXUD

'HQXHYRORVYDORUHVLPSRUWDQWHVTXHVHQHFHVLWDQVRQ ID RQ VGS RQ \VGS WK  >WK XPEUDO@/DVHVSHFL
ILFDFLRQHVSDUDHO1LQGLFDQXQDPSOLRUDQJRSDUDFDGDXQRGHORVYDORUHV(QORVFiOFXORVVHHPSOHDUiQ
VLHPSUHORVYDORUHVWtSLFRV3RGHPRVYHUTXHID RQ HVP$ FXDQGRVGS 5 93RUWDQWRXWLOL]DUHPRV9

Figura 14.32 Un E-MOSFET de canal n. (a) Curvas de drenador. (b) Curva de transconductancia.
I' I'
9*6 

9''
5'
9*6  I' RQ

9*6 
9*6 XPEUDO
9'6 9*6
9'' 9*6 XPEUDO 9*6 RQ
D E
478 Capítulo 14

SDUDORVYDORUHVGH VGS RQ 3RGHPRVYHUWDPELpQTXH VGS WK WLHQHXQYDORUWtSLFRGH 9 FXDQGRVDS 5 VGS H

ID 5 P$

Ejemplo 14.13
8WLOL]DQGRODKRMDGHFDUDFWHUtVWLFDVGHO1\ORVYDORUHVWtSLFRVKDOOHHOYDORUGHODFRQVWDQWH k \GHID SDUD
ORVYDORUHVGHVGS GH9 \9

SOLUCIÓN 8WLOL]DQGRORVYDORUHVHVSHFLILFDGRV\OD(FXDFLyQ  YHPRVTXHk HV

P$
k 5 }}
>9 2 9@
k 5 3 2 $9
&RQRFLGRHOYDORUGHODFRQVWDQWH kSRGHPRVREWHQHUID SDUDORVGLVWLQWRVYDORUHVGH VGS3RUHMHPSORVL VGS 5
9ID HV
ID 5 3 2 $9 >9 2 9@
ID 5 P$
\FXDQGRVGS 5 9 ID HV
ID 5 3 2 $9 >9 2 9@
ID 5 P$

PROBLEMA PRÁCTICO 14.13 8WLOL]DQGR ODKRMDGHFDUDFWHUtVWLFDVGHO1\ORVYDORUHVPtQLPRV

HVSHFLILFDGRVGHID RQ \VGS WK KDOODUHOYDORUGHODFRQVWDQWHk \GHID FXDQGRVGS 5 9

/D)LJXUDa PXHVWUDRWURPpWRGRGHSRODUL]DFLyQSDUDORV(026)(7 GHQRPLQDGRpolarización por

realimentación de drenador(VWHPpWRGRGHSRODUL]DFLyQHVFRPSDUDEOHDODSRODUL]DFLyQSRUUHDOLPHQWDFLyQGH
FROHFWRUXWLOL]DGDHQORVWUDQVLVWRUHVGHXQLyQELSRODUHV&XDQGRHO026)(7HVWiFRQGXFLHQGRWLHQHXQDFRUULHQWH
GHGUHQDGRUID RQ \XQDWHQVLyQGHGUHQDGRUVDS RQ 3XHVWRTXHSUiFWLFDPHQWHQRKD\FRUULHQWHGHSXHUWD VGS 5
VDS RQ $OLJXDOTXHHQODSRODUL]DFLyQSRUUHDOLPHQWDFLyQGHFROHFWRU ODSRODUL]DFLyQSRUUHDOLPHQWDFLyQGHGUH
QDGRUWLHQGHDFRPSHQVDUODVYDULDFLRQHVHQODVFDUDFWHUtVWLFDVGHO)(73RUHMHPSORVLID RQ WUDWDGHDXPHQWDUSRU
DOJXQDUD]yQVDS RQ GLVPLQXLUiORTXHUHGXFHVGS \FRPSHQVDSDUFLDOPHQWHHOLQFUHPHQWRRULJLQDOGHID RQ 
/D)LJXUDb PXHVWUDHOSXQWRQ VREUHODFXUYDGHWUDQVFRQGXFWDQFLD(OSXQWRQ WLHQHODVFRRUGHQDGDVGH
ID RQ \VDS FRQ $ PHQXGRODVKRMDVGHFDUDFWHUtVWLFDVGHORV(026)(7VSURSRUFLRQDQXQYDORUGHID RQ SDUDVGS
5 VDS RQ &XDQGRVHGLVHxDXQFLUFXLWRDVtVHGHEHVHOHFFLRQDUXQYDORUGHRD TXHSURGX]FDHOYDORUHVSHFLILFDGR
GHVDS\SXHGHKDOODUVHDSOLFDQGRODVLJXLHQWHH[SUHVLyQ

9'' 2 9'6(on)
5' 5 }} ,'(on) (14.9)

Ejemplo 14.14
/DKRMDGHFDUDFWHUtVWLFDVSDUDHO(026)(7 PRVWUDGRHQOD)LJXUD a HVSHFLILFDID RQ 5 P$ \VDS RQ 5
96LVDD 5 9VHOHFFLRQHXQYDORUGHRD TXHSHUPLWDDO026)(7 RSHUDUHQHOSXQWRQ HVSHFLILFDGR
SOLUCIÓN +DOODPRVHOYDORUGHRD XWLOL]DQGROD(FXDFLyQ  
9 2  9
RD 5 }} 5 NV
 P$
PROBLEMA PRÁCTICO 14.14 (QOD)LJXUDaFDPELHVDD D19 \FDOFXOHRD
MOSFET 479

(OYDORUGHODWUDQVFRQGXFWDQFLDHQGLUHFWD gFSVHHVSHFLILFDHQODPD\RUtDGHODVKRMDVGHFDUDFWHUtVWLFDVGH
ORV 026)(7 3DUDHO1VHSURSRUFLRQDXQYDORUPtQLPR\XQYDORUWtSLFRSDUD ID 5  P$(OYDORU
PtQLPRHVGHP6\HOYDORUWtSLFRHVLJXDODP6(OYDORUGHODWUDQVFRQGXFWDQFLDYDULDUiGHSHQGLHQGRGHO
DI D
SXQWRGHWUDEDMR Q GHOFLUFXLWRGHDFXHUGRFRQODVUHODFLRQHV ID 5 k >VGS 2 VGS WK @ \gm 5 } }$ SDUWLUGH
D VG S
HVWDVHFXDFLRQHVSRGHPRVGHWHUPLQDUTXH

JP 5 2 N [9*6 2 9*6(umbral)] (14.10)

Figura 14.33 Polarización por realimentación de drenador. (a) Método de polarización. (b) Punto Q.
9'' 9

5'

5* I'

0V
 I' RQ 4

9'6 RQ

± 9*6
9*6 XPEUDO 9'6 RQ

D E

Ejemplo 14.15
(QHOFLUFXLWRGHOD)LJXUDKDOOH VGSIDgm \VRXW/DVHVSHFLILFDFLRQHVGHO026)(7 VRQk 5 3 2
$9ID RQ 5 P$ \VGS XPEUDO 5 9

SOLUCIÓN (QSULPHUOXJDUKDOODPRVHOYD
Figura 14.34 Amplificador E-MOSFET. ORUGHVGS
9'' VGS 5 VG
9
NV
NV 0V 9 5 9
VGS 5 }}

$ FRQWLQXDFLyQFDOFXODPRVID

0V ID 5 3 2 $9 >9 2 9@ 5

V
P$
(OYDORUGHODWUDQVFRQGXFWDQFLDgm HV
9RXW
gm 5 k >9 2 9@ 5 P6
4
/DJDQDQFLDGHWHQVLyQGHHVWHDPSOLILFDGRUHQ
IXHQWHFRP~QHVODPLVPDTXHODGHRWURVGLVSR
VLWLYRV)(7
1
NV AV 5 gmrd

9LQ
NV GRQGH rd 5 RD i RL 5  V i  NV 5  V
P9
± 3RUWDQWR
AV 5 P6 V 5 \

VRXW 5 AV VLQ 5  P9 5 P9

PROBLEMA PRÁCTICO 14.15 5HSLWDHO(MHPSORFRQR 5 NV

480 Capítulo 14

Tabla-resumen 14.1 Amplificadores MOSFET

Circuito Características

D-MOSFET • Dispositivo normalmente en conducción.

9''
• Métodos de polarización:

5' polarización cero, polarización de puerta,

9RXW
autopolarización y polarización mediante
divisor de tensión
2
1 2
V S
ID 5 IDSS 1 2 }G}

VGS(off)
5/
9LQ 5*
VDS 5 VD 2 VS
±

1 2
V S
gm 5 gmo 1 2 }G}
VGS (off )

AV 5 gmrd Zin < RG Z out < RD

E-MOSFET • Dispositivo normalmente en corte

9''
• Métodos de polarización:

polarización de puerta, polarización

5 5' mediante divisor de tensión y polarización
por realimentación de drenador
9RXW

ID 5 k [VGS 2 VGS(th)]2
ID(on)
 5/ k 5 }}2
9LQ 5
[VGS(on) 2 VGS(th)]
±
gm 5 2 k [VGS 2 VGS(th)]

AV 5 gmrd Zin < R1iR2

Zout < RD

/D7DEODUHVXPHQPXHVWUDORVDPSOLILFDGRUHV'026)(7 \(026)(7 MXQWRFRQVXVHFXDFLRQHV\FDUDFWH

UtVWLFDVEiVLFDV

14.10 Cómo probar un MOSFET

/RVGLVSRVLWLYRV026)(7 UHTXLHUHQXQFXLGDGRHVSHFLDOFXDQGRVHOHVSUXHEDSDUDGHWHUPLQDUVXFRUUHFWRIXQ
FLRQDPLHQWR&RPRVHKDPHQFLRQDGRDQWHULRUPHQWHODGHOJDGDFDSDGHGLy[LGRGHVLOLFLRTXHKD\HQWUHODSXHUWD
\HOFDQDOSXHGHGHVWUXLUVHIiFLOPHQWHVLVGS HVPD\RUTXHVGS Pi[ $ FDXVDGHODSXHUWDDLVODGD\GHODFRQVWUXF
FLyQGHOFDQDOSUREDUORVGLVSRVLWLYRV026)(7 FRQXQyKPHWURRXQPXOWtPHWURGLJLWDOQRUHVXOWDPX\HIHFWLYR
8QEXHQPpWRGRGHSUREDUHVWRVGLVSRVLWLYRVFRQVLVWHHQHPSOHDUXQWUD]DGRUGHFXUYDV6LQRVHGLVSRQHGHXQWUD
]DGRVGHFXUYDVSXHGHQFRQVWUXLUVHFLUFXLWRVGHSUXHEDVHVSHFLDOHV/D)LJXUD a PXHVWUDXQFLUFXLWRFDSD]
GHSUREDUWDQWRORV026)(7 HQPRGRGHYDFLDPLHQWRFRPRORV026)(7 HQPRGRGHHQULTXHFLPLHQWR&DP
ELDQGRHOQLYHOGHWHQVLyQ\ODSRODULGDGGHVVHSXHGHSUREDUHOGLVSRVLWLYRHQORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWRGH
YDFLDPLHQWR\HQULTXHFLPLHQWR/DFXUYDGHGUHQDGRUPRVWUDGDHQOD)LJXUDb HVSHFLILFDXQDFRUULHQWHGHGUH
QDGRUDSUR[LPDGDGHP$ FXDQGRVGS 5 9(OHMHy VHILMDSDUDYLVXDOL]DUP$GLY
MOSFET 481

8QDDOWHUQDWLYDDORVPpWRGRVGHSUXHEDDQWHULRUHVFRQVLVWHVLPSOHPHQWHHQVXVWLWXLUHOFRPSRQHQWH0LGLHQGR
ORVYDORUHVGHODVWHQVLRQHVGHQWURGHOFLUFXLWRDPHQXGRHVSRVLEOHGHGXFLUVLHOGLVSRVLWLYR026)(7 HVGHIHF
WXRVR\ODVXVWLWXFLyQGHOPLVPRSRUXQFRPSRQHQWHTXHVHVHSDTXHHVFRUUHFWROHOOHYDUiDODFRQFOXVLyQILQDO

Figura 14.35 Circuito de prueba de un MOSFET.

b
482 Capítulo 14

Resumen
SEC. 14.1 MOSFET EN MODO Cuando la tensión de puerta es igual a la otro no. El inversor CMOS es un circuito
DE VACIAMIENTO tensión umbral, una capa de inversión de digital básico. Los dispositivos CMOS
El MOSFET en modo de vaciamiento, o tipo n conecta la fuente y el drenador. presentan la ventaja de tener un muy
D-MOSFET, tiene una fuente, una puerta Cuando la tensión de puerta es mucho bajo consumo de potencia.
y un drenador. La puerta está aislada del mayor que la tensión umbral, el
dispositivo conduce fuertemente. A SEC. 14.8 FET DE POTENCIA
canal, por lo que su resistencia de en-
trada es muy alta. El D-MOSFET tiene causa de la delgada capa aislante, los Los E-MOSFET discretos pueden fabricar-
limitado su uso principalmente a los MOSFET se destruyen fácilmente si no se se para manejar corrientes muy altas.
circuitos de RF. toman precauciones a la hora de Estos dispositivos se conocen como FET
manipularlos. de potencia, y resultan útiles en controles
SEC. 14.2 CURVAS DEL MOSFET de automoción, unidades de disco,
EN MODO DE SEC. 14.5 LA REGIÓN ÓHMICA convertidores, impresoras, iluminación,
VACIAMIENTO Puesto que el E-MOSFET es fundamen- calefacción, motores y otras aplica-
Las curvas de salida de un D-MOSFET son talmente un dispositivo de conmutación, ciones.
similares a las de los JFET cuando el normalmente opera entre el corte y la
saturación. Cuando está polarizado en la SEC. 14.9 AMPLIFICADORES
dispositivo MOS opera en modo de
vaciamiento. A diferencia de los JFET, los región óhmica, se comporta como una E-MOSFET
D-MOSFET también pueden trabajar en resistencia pequeña. Si ID(sat) es menor Además de su uso principal como con-
modo de enriquecimiento. Cuando que ID(on) cuando VGS 5 VGS(on), quiere mutadores de potencia, los E-MOSFET
trabajan en dicho modo, la corriente de decir que el E-MOSFET está operando en tienen aplicación como amplificadores.
drenador es mayor que IDSS. la región óhmica. La característica de dispositivo normal-
mente en corte de los E-MOSFET
SEC. 14.3 AMPLIFICADORES SEC. 14.6 CONMUTACIÓN establece que VGS tiene que ser mayor
MOSFET EN MODO DE DIGITAL que VGS(th) cuando se emplean como
VACIAMIENTO Analógico significa que la señal cambia amplificador. La polarización por
Los D-MOSFET se emplean principal- de forma continua; es decir, no se realimentación de drenador es similar a
mente como amplificadores de RF. Los producen saltos repentinos. Digital la polarización por realimentación de
D-MOSFET tienen una buena respuesta a quiere decir que la señal salta de un colector.
alta frecuencia, generan niveles bajos de nivel de tensión a otro distinto. Los cir-
ruido eléctrico y mantienen valores altos cuitos de conmutación incluyen circuitos SEC. 14.10 CÓMO PROBAR
de impedancia de entrada sea VGS de alta potencia, así como circuitos digi- UN MOSFET
negativa o positiva. Los D-MOSFET de tales de pequeña señal. La conmutación Es complicado probar de manera segura
doble puerta se pueden utilizar con con carga activa es aquella en la que los los dispositivos MOSFET utilizando un
circuitos de control automático de dispositivos MOSFET se comportan uno óhmetro. Si no se dispone de un trazador
ganancia (CAG). como una resistencia de alto valor y el de curvas de semiconductores, los
otro como un conmutador. MOSFET pueden probarse dentro de
SEC. 14.4 MOSFET EN MODO
circuitos de prueba o mediante una
DE ENRIQUECIMIENTO SEC. 14.7 CMOS simple sustitución.
El MOSFET en modo de enriquecimiento El CMOS utiliza dos MOSFET comple-
o E-MOSFET normalmente está en corte. mentarios, conduciendo uno de ellos y el

Definiciones
(14.1) Corriente de drenador del D-MOSFET: (14.3) Resistencia en la región activa (on):
I'
ID

9*6 9*6 RQ
I' RQ 4SUXHED

IDSS 9'6
9'6 RQ
2
1 2
V S
ID 5 IDSS 1 2 }G}
VGS VGS (off)
VGS RII VDS(on)
RDS(on) 5 }
ID(on)
MOSFET 483

(14-6) Resistencia para dos terminales: (14.8) Constante k del E-MOSFET:

I' ID (on)
k=
[ VGS (on)  VGS (umbral) ]
2

I' DFWLYD

VDS (activa) (14.10) gm del E-MOSFET:

RD 
ID (activa) gm 5 2 k [VGS 2 VGS(umbral)]
9'6
9'6 DFWLYD

Derivaciones
(14.2) Polarización cero para un D-MOSFET: (14.5) Región óhmica:
VDS 5 VDD 2 IDSS RD I'

(14.4) Corriente de saturación: 9*6 9*6 RQ

I' RQ
4SUXHED ID(sat) , ID(on)
9'' I' VDW
I' 4
9'6
5'
I' VDW
(14.7) Corriente de drenador del E-MOSFET:
ID 5 k [VGS 2 VGS(umbral)]2
9*6 9'6
9''
(14.9) RD para la polarización por realimentación de drenador:

V D VDD 2 VDS(on)
ID(sat) 5 }D} RD 5 }}
ID(on)
RD

Cuestiones

1. Un D-MOSFET puede trabajar 4. ¿Cuál de los siguientes dispositivos 7. La tensión VGS(on) de un E-MOSFET
a. sólo en modo de vaciamiento revolucionó la industria informá- de canal n es
tica? a. menor que la tensión de umbral
b. sólo en modo de enriquecimiento
a. JFET b. igual a la tensión de corte puerta-
c. en modo de vaciamiento o en
modo de enriquecimiento b. D-MOSFET fuente
d. en modo de baja impedancia c. E-MOSFET c. mayor que VDS(on)
d. FET de potencia d. mayor que VGS(umbral)
2. Cuando ID > IDSS en un D-MOSFET
de canal n, el dispositivo 5. La tensión que activa un dispo-
sitivo EMOS es la tensión de 8. Una resistencia normal es un ejem-
a. se destruirá plo de
a. corte puerta-fuente
b. está trabajando en el modo de a. dispositivo de tres terminales
vaciamiento b. estrangulamiento
b. carga activa
c. umbral
c. está polarizado en directa c. carga pasiva
d. codo
d. está trabajando en modo de enri- d. dispositivo de conmutación
quecimiento
6. ¿Cuál de estos parámetros puede
aparecer en la hoja de caracterís- 9. Un E-MOSFET con la puerta conec-
3. La ganancia de tensión de un am- ticas de un MOSFET en modo de tada al drenador es un ejemplo de
plificador D-MOSFET depende de enriquecimiento?
a. dispositivo de tres terminales
a. RD a. VGS(th)
b. carga activa
b. RL b. ID(on)
c. carga pasiva
c. gm c. VGS(on)
d. dispositivo de conmutación
d. Todas las anteriores d. Todas las anteriores