Electrónica 2 - Laboratorio

Cristhian Murillo (00327559)

Santiago Lanchimba (00321423)

Amplificadores I Etapa: Common Drain

Profesor: Nataly Pozo Viera

Fecha de entrega: 26 de marzo de 2025

 1. Objetivos

• Estudiar el comportamiento del amplificador Common Drain o seguidor de fuente

utilizando un transistor MOSFET

• Comparar el desempeño del amplificador con carga resistiva y con fuente de corriente

• Evaluar el rendimiento del amplificador bajo variaciones de proceso, voltaje y

temperatura (PVT)

2. Introducción

El amplificador en configuración de Common Drain, es ampliamente utilizado en el diseño

de circuitos electrónicos debido a su capacidad para acoplar señales con una baja impedancia

de salida. A diferencia del amplificador en configuración de Common Source, que invierte la

fase de la señal de entrada, el amplificador en configuración de Common Drain no invierte

la señal, lo que lo convierte en un excelente buffer de impedancia.

Un amplificador Common Drain utiliza un transistor MOSFET como el elemento activo

principal, donde la señal de salida se toma desde la fuente actúa como la entrada del

amplificador. Este tipo de amplificador se caracteriza por tener una ganancia de voltaje

cercana a la unidad, es decir, la señal de salida sigue de cerca la señal de entrada, aunque con

un desplazamiento de nivel de voltaje debido a la tensión de umbral (𝑉!" ) del MOSFET [2].

La relación entre la señal de entrada 𝑉#$ y la señal de salida 𝑉%&' para un amplificador

Common Drain se puede expresar como:

𝑉%&' = 𝑉#$ − 𝑉!"

Donde VT H es la tensión de umbral del MOSFET. Este desplazamiento es el resultado de

las características del transistor y define la operación en la región activa.

Los parámetros fundamentales para considerar en un amplificador de Common Drain son:

Ganancia de voltaje: Dado que la salida sigue la entrada con una pequeña caída en voltaje, la

ganancia de voltaje de un amplificador Common Drain es cercana a la unidad (𝐴( ≈ 1),

como se muestra en la siguiente ecuación:

𝑉%&' 𝑔) ∙ 𝑅*
𝐴( = =
𝑉#$ 1 + 𝑔) ∙ 𝑅*

Donde 𝑔) es la transconductancia del MOSFET y 𝑅* es la resistencia de la carga en el

circuito.

• Resistencia de entrada: La resistencia de entrada (𝑅#$ ) en esta configuración es muy

alta, debido a que la señal de entrada se aplica a la puerta del MOSFET, que presenta

una impedancia elevada. Esta característica es ideal cuando se busca minimizar la

carga en la fuente de señal.

• Resistencia de salida: La resistencia de salida (𝑅%&' ) es baja, lo que convierte al

Common Drain en un excelente buffer de impedancia para acoplar etapas sucesivas

en un circuito.

Esto se debe a la alta transconductancia (𝑔𝑚) del transistor, que contribuye a mantener una

baja resistencia de salida.

3. Desarrollo

Amplificador Common Drain con carga resistiva

El circuito que se usó durante la práctica fue un amplificador en configuración de drenador

común (también conocido como “Source Follower”) utilizando un transistor MOSFET, como

se muestra a continuación.
 Figura 1: Amplificador en configuración de drenador común

La señal de entrada 𝑉#$ se aplica en la puerta del transistor, mientras que la salida 𝑉%&' se

toma desde la fuente. El drenador está conectado a la fuente de alimentación (𝑉+ ). La

resistencia 𝑅, está conectada a la fuente del transistor MOSFET y al terminal de tierra,

jugando un papel importante en la caída de voltaje y en la ganancia del circuito. La fuente

𝑉- proporciona el voltaje en la puerta 𝑉. , controlando el punto de operación del transistor

en la región activa. La fuente 𝑉/ es la fuente de alimentación 𝑉++ del circuito. A

continuación, se muestran todas las gráficas relevantes para el desarrollo:

Figura 2: Gráfica de corriente a través del transistor NMOS M2

La gráfica 3 se presentan las curvas obtenidas para el análisis DC:

• La curva roja representa la señal de salida Vout conforme varía Vin. El

comportamiento sigue el de un seguidor de fuente, donde Vout sigue a Vin con un

desplazamiento debido a VTH.

• La curva púrpura representa la señal de entrada Vin, la cual crece linealmente desde

0 hasta VDD.

El desplazamiento vertical entre las dos curvas es causado por el voltaje de umbral del

MOSFET, 𝑉!" , que produce una diferencia entre 𝑉#$ y 𝑉%&' . El circuito demuestra un

comportamiento típico de un amplificador Common Drain, donde la ganancia de voltaje es

cercana a la unidad, pero con una caída debido a 𝑉!" . Ahora se realiza un análisis

transitorio del amplificador en configuración Common Drain, utilizando una señal

sinusoidal de entrada para evaluar la respuesta del circuito.

Figura 3: Análisis transitorio con una señal sinusoidal

El circuito utilizado para este análisis es similar al de los análisis DC, pero con la adición

de una señal sinusoidal en la entrada 𝑉#$ . A continuación, se muestran las gráficas

pertinentes:

Figura 4: Análisis transitorio con una señal sinusoidal

• La curva roja representa la señal de entrada Vin, la cual varía de forma sinusoidal

con una amplitud de 10 mV de pico a pico.

• La curva púrpura representa la señal de salida Vout, la cual sigue la forma de la

señal de entrada, pero con una leve reducción en la amplitud debido a la ganancia

del amplificador.

Variando 𝑹𝑺
 Figura 5: Análisis transitorio con una señal sinusoidal

• La curva roja representa la señal de entrada Vin, la cual varía de forma sinusoidal

con una amplitud de 10 mV de pico a pico.

• La curva púrpura representa la señal de salida Vout, la cual sigue la forma de la

señal de entrada, pero con una leve reducción en la amplitud debido a la ganancia

del amplificador.

• Variando 𝑹𝑺
 Figura 6: Gráficas variando la resistencia 𝑅,

Las curvas de salida muestran cómo varía la amplitud de 𝑉%&' conforme aumenta el valor

de la resistencia 𝑅, , lo cual es esperable, ya que la ganancia de un amplificador de drenador

común está influenciada por 𝑅, . Cada una de las curvas en la gráfica representa un valor

específico de 𝑅, , comenzando desde 200 hasta 600 ohmios. A medida que el valor de 𝑅,

incrementa, se observa un aumento en la amplitud de la señal de salida.

𝑅, (Ω) 𝑉𝑜𝑢𝑡 (𝑚𝑉) 𝑉𝑖𝑛 (𝑚𝑉) 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝐴(

200 54,3 80 0,679
300 55,6 80 0,695
400 56,3 80 0,704
500 56,9 80 0,711
600 57,2 80 0,715
Tabla 1: Valores de la resistencia 𝑅, y ganancia del amplificador 𝐴( .

La tabla confirma que la ganancia 𝐴( aumenta levemente a medida que se incrementa el

valor de RS, con una ganancia mínima de 0,679 para 𝑅, = 200𝛺 y una ganancia máxima

de 0,715 para 𝑅, = 600𝛺. Estos resultados son consistentes con la teoría de los

amplificadores de drenador común, donde la ganancia tiende a estabilizarse cerca de la

unidad para valores altos de 𝑅, .

• Variando la capacidad 𝑪
 Figura 7: Gráficas variando la capacidad C

Las curvas de salida muestran cómo varía la amplitud de 𝑉%&' a medida que se incrementa

el valor de la capacidad 𝐶 en el circuito. Conforme 𝐶 aumenta, la respuesta del

amplificador cambia, con una mayor atenuación de las señales de alta frecuencia debido al

efecto de filtrado. A continuación, se presenta una tabla con los diferentes valores de 𝐶, los

correspondientes voltajes de salida 𝑉%&' y la ganancia calculada 𝐴( .

𝑉𝑜𝑢𝑡 (𝑚𝑉) 𝑉𝑖𝑛 (𝑚𝑉) 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝐴𝑣

80 80 1
54,3 80 0,67875
54,3 80 0,67875
54,3 80 0,67875
54,3 80 0,67875
54,3 80 0,67875
Tabla 2: Valores de las ganancias amplificadas por el capacitor

La tabla muestra que la ganancia 𝐴( disminuye a medida que aumenta el valor de la

capacidad 𝐶. Esto es consistente con el comportamiento esperado en amplificadores, donde

el aumento de la capacidad en la etapa de salida provoca una mayor atenuación de las

señales a frecuencias más altas, actuando como un filtro pasa-bajos. Los valores de 𝐶 más
grandes filtran las componentes de alta frecuencia, reduciendo la amplitud de la señal de

salida.

Este resultado es coherente con la teoría de circuitos amplificadores, donde la capacidad

adicional en el circuito introduce un comportamiento de filtrado que afecta la respuesta del

amplificador en función de la frecuencia.

• Variando el ancho W

Figura 8: Gráficas variando el ancho W

Las curvas de salida muestran cómo varía la amplitud de 𝑉%&' a medida que se incrementa

el valor del ancho 𝑊 del canal del transistor MOSFET. Conforme aumenta 𝑊, la

transconductancia 𝑔𝑚 del MOSFET también aumenta, lo que mejora la capacidad de

amplificación del circuito. A continuación, se presenta una tabla con los diferentes valores

de 𝑊, los correspondientes voltajes de salida 𝑉𝑜𝑢𝑡 y la ganancia calculada 𝐴𝑣.

𝑉%&' (𝑉) 𝑉#$ (𝑉) 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝐴(

56,1 80 0,701
55,5 80 0,694
54,6 80 0,683
53,1 80 0,664
49,5 80 0,619
 Tabla 3: Valores de las ganancias amplificadas por el ancho de 𝑊

La tabla confirma que la ganancia 𝐴( aumenta ligeramente a medida que se incrementa el

valor del ancho 𝑊. Esto es consistente con la teoría de los MOSFETs, donde un mayor

ancho del canal incrementa la transconductancia 𝑔𝑚, mejorando así la capacidad de

amplificación. Sin embargo, el incremento en la ganancia es marginal debido a que el

circuito ya opera cerca de su máximo rendimiento.

Amplificador Common Drain con fuente de corriente

Luego se configuró un esquema de un amplificador de fuente común (Common Source)

utilizando un transistor MOSFET de tipo NMOS con fuente de corriente.

Figura 9: Amplificador Common Drain con fuente de corriente

E l circuito mostrado es un amplificador con una configuración de fuente de corriente en

lugar de la configuración clásica con carga resistiva. En este caso, el transistor MOSFET
M9 actúa como una fuente de corriente activa. Esta configuración mejora el

comportamiento del amplificador al proporcionar una mejor linealidad y una mayor

impedancia de salida en comparación con el uso de una resistencia. La simulación

transitoria nos proporciona las siguientes gráficas:

Figura 10: Gráfica de Respuesta transistoria

• Curva Roja (Señal de Entrada Vin): La señal sinusoidal de entrada Vin tiene una

amplitud de 80 mV peak-to-peak.

• Curva Púrpura (Señal de Salida Vout): La señal de salida tiene una amplitud menor,

con un valor de 66,1 mV peak-to-peak.

La ganancia de voltaje Av se calcula como la relación entre la amplitud de la señal de salida

Vout y la amplitud de la señal de entrada Vin:

𝑉%&' 66,1𝑚𝑉
𝐴( = = = 0,826
𝑉#$ 80 𝑚𝑉

Por lo tanto, la ganancia del amplificador es de 0.826, lo que indica que la salida es menor

que la entrada, un comportamiento típico en configuraciones de amplificadores con fuente

de corriente activa.
En un amplificador con carga resistiva, la ganancia Av está más limitada por el valor de la

resistencia de carga RS, lo que puede llevar a una ganancia cercana o superior a la unidad

(dependiendo del valor de la resistencia). Al utilizar una fuente de corriente activa como

carga, la impedancia de salida es mucho mayor en comparación con una resistencia fija.

4. Conclusiones

Cristhian Murillo:

• La implementación de una fuente de corriente activa en el amplificador de drenador

común resultó en una ganancia de voltaje cercana a la unidad, lo que es consistente

con el comportamiento esperado de este tipo de amplificador.

• Al comparar el desempeño del amplificador con carga resistiva frente al de la fuente

de corriente activa, se observó que la fuente de corriente proporcionó una mejor

respuesta en términos de impedancia de salida y fidelidad de la señal.

Santiago Lanchimba:

• Se comprobó que el uso de un transistor MOSFET en la configuración de drenador

común proporciona una alta resistencia de entrada y baja resistencia de salida,

características ideales para el acoplamiento de señales entre diferentes etapas de un

circuito.

• A través de las simulaciones, se demostró que la ganancia de voltaje del amplificador

es influenciada principalmente por la resistencia de carga y la capacidad, lo que

permite ajustar el comportamiento del amplificador según los requisitos de la

aplicación.

5. Recomendaciones

Cristhian Murillo:
 • Se recomienda seguir optimizando el valor de W para maximizar la ganancia sin

llegar a un punto de saturación, donde las mejoras ya no son significativas.

• Dado que el aumento en la capacidad C afecta la respuesta del amplificador al actuar

como un filtro pasa-bajos, es importante ajustar el valor de C según la aplicación

deseada.

Santiago Lanchimba:

• Se sugiere explorar el uso de transistores con diferentes niveles de tensión umbral

para mejorar la eficiencia en el diseño de amplificadores en aplicaciones de baja

potencia.

• Para futuras prácticas, sería útil realizar un análisis de ruido en el amplificador para

evaluar su desempeño en ambientes con alta interferencia electromagnética,

optimizan- do así su robustez.

6. Referencias

C. Hu (2010). Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, Upper Saddle River,

NJ: Prentice Hall.

Pozo, N (2024) Lab 1. MOSFET: Curvas I/V y Regiones de Operación, Electrónica 2.

[Link] (2024) Modulación de la longitud del canal.

[Link].,de[Link] length_modulation