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Funcionamiento y Simulación del DIAC DB3

El documento describe el funcionamiento y características del DIAC DB3, un dispositivo semiconductor bidireccional utilizado para disparar TRIACs en circuitos de corriente alterna. Se analizan sus etapas de funcionamiento, desde el estado de bloqueo hasta la conducción, y se presentan resultados de simulación que validan su comportamiento teórico. La práctica refuerza la comprensión del DIAC y su aplicación en el control de potencia en dispositivos electrónicos.

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Funcionamiento y Simulación del DIAC DB3

El documento describe el funcionamiento y características del DIAC DB3, un dispositivo semiconductor bidireccional utilizado para disparar TRIACs en circuitos de corriente alterna. Se analizan sus etapas de funcionamiento, desde el estado de bloqueo hasta la conducción, y se presentan resultados de simulación que validan su comportamiento teórico. La práctica refuerza la comprensión del DIAC y su aplicación en el control de potencia en dispositivos electrónicos.

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REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR


PARA LA EDUCACION UNIVERSITARIA
INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITECNICO
“SANTIAGO MARIÑO”
SEDE: CIUDAD OJEDA

Unidad III
Diac-DB3

Autor:
Tony Rico C.I: 30.816.488
INTRODUCCIÓN

En los circuitos electrónicos de corriente alterna (CA), el control del disparo y la


conmutación de dispositivos semiconductores es esencial para la regulación eficiente
de la potencia. En este contexto, el DIAC (Diode for Alternating Current) desempeña un
papel fundamental como elemento de disparo para dispositivos como el TRIAC,
utilizados en aplicaciones tales como reguladores de luz, controladores de velocidad
de motores y sistemas de control de temperatura.
El DIAC es un componente bidireccional y simétrico, capaz de conducir corriente en ambos
sentidos una vez que la tensión aplicada alcanza un valor denominado tensión de disparo
(VBO). A diferencia de otros dispositivos como el SCR o el TRIAC, el DIAC no posee una
compuerta de control, lo que simplifica su estructura y lo convierte en un elemento pasivo
ideal para el disparo automático en circuitos de corriente alterna.
En esta práctica se realiza el análisis y simulación del funcionamiento del DIAC en Proteus,
con el fin de observar su comportamiento ante distintas condiciones de voltaje y corriente. A
través de la simulación, se busca comprender el momento de disparo, el estado de conducción
y el retorno al estado de bloqueo, así como la relación entre la tensión aplicada y la corriente
conducida por el dispositivo.
El estudio práctico del DIAC modelo DB3 permite además familiarizarse con sus
características eléctricas más relevantes, como su tensión de disparo típica (≈32 V), corriente
de mantenimiento y capacidad de conducción bidireccional. De esta manera, la práctica no
solo refuerza los conceptos teóricos del funcionamiento del DIAC, sino que también ilustra su
aplicación en circuitos de control de fase mediante simulaciones precisas en el entorno de
Proteus.
1. Desarrollo de la practica

Un DIAC (Diode for Alternating Current) es un dispositivo semiconductor bidireccional


que se utiliza principalmente para el disparo o control de TRIACs en circuitos de
corriente alterna (CA).
Definición técnica:
El DIAC es un diodo de cuatro capas (PNPN o NPNP) que conduce corriente en ambas
direcciones cuando el voltaje aplicado supera un cierto valor llamado tensión de ruptura o
voltaje de disparo (VBO).
Características principales:
 Bidireccional: puede conducir en ambos sentidos de la corriente alterna.
 Sin compuerta de control: a diferencia del TRIAC o SCR, se activa únicamente
cuando el voltaje supera su nivel de disparo.
 Tensión de disparo típica: entre 20 V y 40 V.
 Una vez conducido, el DIAC permanece en conducción hasta que la corriente cae
por debajo de un valor mínimo llamado corriente de mantenimiento (IH).
Aplicaciones:
 En disparadores de TRIACs para dimmers de luz, controladores de velocidad de
motores, o reguladores de potencia en CA.
 En circuitos de conmutación y protección contra sobretensiones.
Ejemplo:
Cuando se aplica una tensión alterna creciente a un DIAC, este permanece bloqueado
hasta que el voltaje alcanza VBO. En ese punto, el DIAC entra en conducción súbitamente,
permitiendo que pase una corriente de impulso que puede disparar un TRIAC.

Simbolo
Estructura del DIAC
El DIAC (Diode for Alternating Current) es un dispositivo semiconductor bidireccional
formado por cuatro capas alternadas de materiales tipo P y N, lo que da lugar a tres uniones
PN.
Hay dos configuraciones posibles:
 PNPN
 NPNP
Partes principales:
 Dos terminales: llamados A1 y A2 (a veces MT1 y MT2).
 No tiene compuerta de control, a diferencia del SCR o TRIAC.
 Su estructura es simétrica, por lo que ambos terminales son equivalentes.
Representación interna:
A1 ─ P ─ N ─ P ─ N ─ A2

Esto hace que el DIAC se comporte igual en ambos sentidos de la corriente alterna.

Funcionamiento del DIAC


Etapas de funcionamiento:
1. Estado de bloqueo (no conducción):
 Cuando el voltaje entre A1 y A2 es bajo, ninguna unión PN está polarizada
suficientemente.
 El DIAC no conduce (corriente prácticamente nula).
 En este estado, actúa como un aislante.
2. Tensión de ruptura (VBO):
 Al aumentar el voltaje, llega un punto donde una de las uniones se polariza
fuertemente.
 Cuando el voltaje alcanza el valor de disparo (VBO), el DIAC entra
bruscamente en conducción.
3. Conducción (estado ON):
 Una vez superado el voltaje de ruptura, el dispositivo permite el paso de
corriente.
 El voltaje entre A1 y A2 disminuye drásticamente, mientras la corriente
aumenta rápidamente.
 Se mantiene conduciendo hasta que la corriente cae por debajo de un
valor mínimo llamado corriente de mantenimiento (IH).
4. Bloqueo nuevamente:
 Cuando la corriente cae por debajo de IH, el DIAC se apaga y vuelve a su
estado bloqueado.
 Esto sucede naturalmente en corriente alterna cuando la señal cambia de
polaridad.

Ficha Tecnica del diac-DB3


El DIAC DB3 es un dispositivo semiconductor bidireccional utilizado principalmente para el
disparo de TRIACs en circuitos de control de fase. Su estructura simétrica permite la
conducción en ambas direcciones cuando el voltaje supera la tensión de disparo.
Características Eléctricas Principales
Parámetro Símbolo Valor típico Valor máximo Unidad
Tensión de VBO+ 32 36 V
disparo
positiva
Tensión de VBO− −32 −36 V
disparo
negativa
Tensión de VTM 5 — V
sujeción (en
conducción)
Corriente de IBO 50 — µA
disparo
Corriente de IH 2 8 mA
mantenimiento
Corriente de ITRM — 2 A
pico no
repetitiva
Tensión de VRMS — 200 V
ruptura en
estado
bloqueado
(RMS)
Temperatura de Tj — −40 a +125 °C
operación
Potencia de Ptot — 150 mW
disipación
media
Capacitancia CT 2 — pF
entre
terminales
Simetría de ΔVBO ±3 — V
disparo

El DB3 es ampliamente utilizado en circuitos de control de potencia en corriente


alterna, como atenuadores de luz (dimmers), controladores de velocidad de motores y
reguladores de temperatura.

Circuito a Montar
Componentes

Bateria

Diac-DB3

Resistencia de 1k
Practica

12v

13v
14v

15v
18v

20v
24v

30v
33v

36v
El Voltaje Negativo

Cambiamos la posicion de la bateria y volvemos a Calcular

-12v
-13v
-14v

-15v
-18v

-20v
-24v

-30v

-38v
Valores Obtenidos

voltajes Va1-a2 VR1 IA-IH


12v 12v 0 0,12
13v 13v 0 0,13
14v 14v 0 0,18
15v 15v 0 0,28
18v 18v 0 0,60
20v 20v 0 0,82
24v 24v 0 1,26
30v 30v 0 1,92
33v 33v 0 2,87
36v 14,4v 21,6v 21,6

Voltajes negativos

voltajes Va1-a2 VR1 IA-IH


-12v -12v 0 -0,12
-13v -13v 0 -0,13
-14v -14v 0 -0,18
-15v -15v 0 -0,28
-18v -18v 0 -0,60
-20v -20v 0 -0,82
-24v -24v 0 -1,26
-30v -30v 0 -1,92
-33v -33v 0 -2,87
-38v -14,4v -23,6v -23,6
Grafica de los Valores obtenidos en la Practica
ENLACE DEL VIDEO EXPLICATIVO DE LA PRACTICA

[Link]
Conclusión

Al finalizar la práctica de simulación del DIAC DB3 en el entorno de Proteus, se logró


comprobar de manera satisfactoria su comportamiento característico como dispositivo
semiconductor bidireccional utilizado para el disparo de TRIACs. Los resultados
obtenidos en la simulación confirmaron que el DIAC permanece en estado de bloqueo
mientras la tensión aplicada entre sus terminales es inferior a la tensión de disparo
(VBO), y que entra bruscamente en conducción al alcanzar aproximadamente 32 V, valor
que coincide con el especificado en su ficha técnica.
Asimismo, se observó que una vez iniciado el proceso de conducción, el voltaje
entre los terminales del DIAC disminuye considerablemente, mientras la corriente
aumenta de forma súbita, manteniendo el dispositivo en conducción hasta que la
corriente cae por debajo de la corriente de mantenimiento (IH), lo que provoca su retorno
al estado de bloqueo. Este comportamiento fue claramente representado en la curva
característica de tensión versus corriente, la cual mostró la típica forma de disparo
simétrico del DIAC, validando la teoría analizada previamente.
La práctica permitió reforzar la comprensión del funcionamiento interno del DIAC, su
principio de operación y su papel dentro de los circuitos de control de fase en corriente
alterna. Además, se constató la precisión del modelo DB3 frente a los valores teóricos del
datasheet, evidenciando la coherencia entre el análisis teórico y los resultados
experimentales obtenidos por simulación.
En conclusión, el estudio y simulación del DIAC DB3 demostraron la importancia de
este componente como elemento de disparo confiable y eficiente, esencial para el
control de potencia en dispositivos electrónicos de CA, consolidando así su relevancia
en aplicaciones prácticas de electrónica de control y automatización.

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