ESTUDIO DEL LAS CARACTERISTICAS Y FUNCIONAMIENTO DEL DIODO EN EL CAMPO ELECTRONICO
1. JUSTIFICACION: La realizacin de este tema permitir visualizar y comprender mejor el funcionamiento del diodo de uso electrnico.
2. OBJETIVOS GENERAL:
Conocer y Analizar el funcionamiento del diodo de uso electrnico ESPECIFICOS: . Estudiar los principios de funcionamiento del diodo de uso electrnico Analizar las caractersticas del diodo y los tipos de diodos utilizados en electrnica 3. MARCO TEORICO 3.1 EL DIODO El primer tubo de vaco era un diodo. Se le conoca tambin con el nombre de rectificador. El diodo es un dispositivo semiconductor. Se le utiliza en todas aquellas aplicaciones en que se usaba el antiguo diodo al vaco, pero tiene la ventaja de ser mucho ms pequeo, ms fcil de usar y menos costoso. El trmino semiconductor se refiere a un tipo de dispositivo cuyas propiedades no permiten clasificarlo entre los conductores ni entre los aisladores. En condiciones apropiadas, conduce una corriente elctrica de manera bien definida y controlada. Es el material bsico de todos los circuitos electrnicos modernos. Tanto el silicio como el germanio son materiales semiconductores y ambos se utilizan en la fabricacin de diodos, transistores y otros componentes. Se refinan hasta un grado de pureza, agregndose luego cantidades pequesimas y controladas de ciertas impurezas. Segn el tipo de impureza que se agregue, se dice que el silicio o el germanices material N o P. Cuando se juntan un trozo de silicio N y otro de silicio P, se firma un diodo de unin. Tambin se puede formar con germanio N y P. El silicio y el germanio nunca se mezclan para hacer uniones.1 3.1 HISTORIA Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo. En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente
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podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando us este dispositivo, l confirm que una corriente fluia del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente. Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre de 1904. En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930. El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada de 1950. En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En 1919,William Henry Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa separado, y ode (de ), que significa camino.2
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3.2 ESTRUCTURA Y SMBOLO
Fuente:[Link] _4_Mat_Semi.pdf
El material tipo P recibe el nombre de nodo. El material tipo N recibe el nombre de ctodo 3.2.1 DIODO DE UNION PN Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.
Fuente [Link] El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal. En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formacin de los diodos de semiconductores para pasar despus a exponer el comportamiento elctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal. 3.2.2 Formacin de la unin PN Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En
ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios). Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN
Fuente [Link] En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: 1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P 3
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Formacin de la unin PN
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3.3 EL DIODO IDEAL Puede ser considerado como el elemento no lineal ms fundamental. Es un dispositivo de dos terminales para el cual su smbolo es el siguiente: Diodo ideal
Figura 1 Fuente [Link] Caracterstica de i-v es la siguiente:
Caracterstica de diodo ideal
Figura 2 Fuente [Link] La caracterstica del diodo ideal puede representarse como sigue: si un voltaje negativo (relativo a la direccin de referencia indicada en la figura del diodo) se aplica al diodo, no fluir corriente y el diodo se comportar como un circuito abierto.
Los diodos operados en este modo se dice que estn en polarizacin inversa este diodo tiene corriente cero cuando se opera en la direccin inversa. Por otro lado si una corriente positiva (relativa a la direccin de referencia indicada en la figura del diodo) se aplica al diodo ideal, aparecer una cada de voltaje cero en el diodo. En otras palabras, el diodo ideal se comporta como un cortocircuito en sentido directo, deja pasar cualquier corriente con cada d voltaje cero. La Terminal positiva del diodo se le denomina nodo y la Terminal negativa se denomina ctodo.4 3.4 POLARIZACIN DIRECTA DE UN DIODO En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:
POLARIZACIN DIRECTA
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El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
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Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. 3.5 POLARIZACIN INVERSA DE UN DIODO En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. POLARIZACIN INVERSA
Fuente [Link] Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.5
3.6 CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO
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Fuente [Link] 3.6.1 Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. 3.6.2 Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. 3.6.3 Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. 3.6.4 Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. 3.6.5 Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: 3.6.6 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. 3.6.7 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.
3.7 CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE Ecuacin caracterstica del diodo: se deduce de la ley de la unin I0 : corriente inversa de saturacin (constante a T constante) : constante. Su valor es aproximadamente 1 para el Germanio. En el caso del Silicio su valor es 2 para corrientes pequeas y 1 para corrientes moderadas o grandes. VT : Tensin equivalente de la temperatura VT = T/11.600 a temperatura ambiente (T=300 K) VT = 0026 TENSIN-CORRIENTE
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Tensin umbral (V): tensin directa mnima para que se inicie la conduccin. La corriente inversa I0 aumenta con la temperatura aproximadamente un 7% por C para el Si. La corriente inversa de saturacin se duplica aproximadamente por cada 10 C de aumento de temperatura. Si I0 = I01 cuando T = T1, cuando la temperatura es T I0 viene dado por:6
4. MODELOS MATEMTICOS El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:
Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente ) n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:
Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn, y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental). La ecuacin de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna.
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Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. La regin de ruptura no esta modelada en la ecuacin de diodo de Schockley. Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:
Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de todos es el diodo ideal.7
4. PRINCIPALES CARACTERSTICAS COMERCIALES A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites:
o o o
Corriente mxima continua (IFM) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica tambin el tiempo que dura el pico Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia mxima del pico
1. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. 2. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. 3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa 4. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo.
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Adems, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. 8
Fuente [Link]/tutoriales/[Link]