UNIVERSIDAD POLITÉCNICA TERRITORIAL DEL ESTADO MÉRIDA

“KLÉBER RAMÍREZ”
PROGRAMA DE ESTUDIOS ABIERTOS

COMUNIDAD DE APRENDIZAJE CIENCIA DE MATERIALES CNTO-CIDA

Diseño y simulación computacional para la optimización de una fuente de

iones tipo End-Hall

Propuesta de Trabajo de investigación como requisito para de Doctor en

ecología para el desarrollo humano. Sub-área: Optica

Candidato: Estudiante Graduado Miguel Ángel Palmera Dávila, Msc.

Tutora: Dra. Ana Velázquez

Mérida, octubre del 2025

 Resumen

Este trabajo presenta una metodología integral para el diseño y la

optimización de una fuente de iones tipo End-Hall, basándose en la fuente
"Strelok-2". Se usó Autodesk Inventor para el modelado geométrico y COMSOL
Multiphysics para las simulaciones metafísicas, se desarrollaron modelos
computacionales del campo magnético y del régimen térmico. Los resultados
demuestran que la reducción controlada de la componente radial del campo
magnético (Br y Ba,) a través de la optimización del diseño de los imanes,
mejora significativamente la eficiencia de ionización al expandir el volumen de
plasma y mejorar el confinamiento de electrones. El análisis térmico determinó
que el uso de materiales de alta conductividad y un sistema de enfriamiento
efectivo son esenciales para la estabilidad y buen funcionamiento del
dispositivo. Se confirma que la simulación es una herramienta predictiva
invaluable para optimizar el rendimiento y la durabilidad de las fuentes de
iones, aportando una base sólida para su futuro desarrollo y escalado en
aplicaciones industriales y científicas.
 Índice

RESUMEN........................................................................................................................................... 2

ÍNDICE................................................................................................................................................ 3

INTRODUCCIÓN................................................................................................................................... 6

CAPÍTULO I. LA INVESTIGACIÓN........................................................................................................... 8

1.1. JUSTIFICACIÓN DE LA INVESTIGACIÓN...........................................................8

1.2. INTERROGANTE CIENTÍFICA............................................................................9
1.3. OBJETIVOS DE LA INVESTIGACIÓN................................................................10
 Objetivo General....................................................................................................................10
 Objetivos Específicos..............................................................................................................10
1.4. VARIABLES......................................................................................................11
 Variables Independientes:......................................................................................................11
 Variables Dependientes:.........................................................................................................12
1.5. DELIMITACIÓN Y LIMITACIÓN DE LA INVESTIGACIÓN................................12
 Delimitación:..........................................................................................................................12
 Limitación:.............................................................................................................................13
1.6. ENFOQUE, PARADIGMA Y TIPO DE INVESTIGACIÓN......................................14
CAPITULO II. TEORÍA Y MÉTODOS DE FORMACIÓN DE RECUBRIMIENTOS ÓPTICOS.............................15

2.1. BASES TEÓRICAS SOBRE LA TECNOLOGÍA DE RECUBRIMIENTOS ÓPTICO

POR DEPOSICIÓN ASISTIDA POR IONES......................................................................15
 Crecimiento de películas delgadas.........................................................................................15
 Modelo de zona estructural (MZE) Thorton para el crecimiento de la película......................15
 Fundamentos del proceso IBAD..............................................................................................21
 Propiedades de los recubrimientos........................................................................................24
2.2. MÉTODOS QUÍMICOS Y FÍSICOS PARA LA FORMACIÓN DE RECUBRIMIENTOS
ÓPTICOS POR DEPOSICIÓN AL VACÍO.........................................................................26
 Métodos químicos..................................................................................................................26
o Deposición química de vapor a baja presión (DQVBP) Low pressure chemical vapor deposition
(LPCVD)........................................................................................................................................................26
o Deposición química de vapor por impulso de plasma (DQVIP) (Plasma impulse chemical vapor
deposition):.................................................................................................................................................28
o Deposición química de vapor mejorada por plasma (DQVMP) (Plasma enhanced chemical vapor
deposition (PECVD)):....................................................................................................................................29
o Deposición de vapor químico por plasma de alta densidad (DVQPAD) (High density plasma chemical
vapor deposition (HDPCVD)):.......................................................................................................................31
 Métodos físicos......................................................................................................................33
o Evaporación por haz de electrones (Electron Beam).........................................................................33
o Pulverización catódica por magnetrón (Magnetron Sputtering):.......................................................34
o Pulverización catódica por haz de iones (PCHI) (IBS - Ion Beam Sputtering.......................................37
2.3. DISPOSITIVOS TECNOLÓGICOS PARA LOS RECUBRIMIENTOS DE
INTERFERENCIA ÓPTICA.............................................................................................39
 Sistema de pulverizacion catódica por magnetrón (Magnetron Sputtering):........................39
o Diseño típico de un sistema típico de sputtering por magnetrón......................................................40
 Evaporación por haz de electrones:........................................................................................46
o El principio de funcionamiento del evaporador de haz de electrones...............................................47
 o Ventajas y desventajas de un evaporador de haz de electrones........................................................50
 Fuentes de iones.....................................................................................................................52
o Parámetros críticos de la fuente de iones:.........................................................................................53
o Ventajas y desventajas de las fuentes de Iones.................................................................................55
2.4. TIPOS DE FUENTES DE IONES PARA PROCESOS DE DEPOSICIÓN ASISTIDA EN
EL VACÍO PARA RECUBRIMIENTOS ÓPTICOS..............................................................56
 Fuente de iones End-Hall........................................................................................................57
 Fuente de plasma coaxial Fuente de plasma avanzada (APSpro)...........................................65
 Fuente de iones de radiofrecuencia EDC Lion 300..................................................................67

CAPITULO III. DISEÑO Y OPTIMIZACIÓN DE UNA FUENTE DE IONES TIPO END-HALL...........................70

3.1. DISEÑO DE LA FUENTE DE IONES CON AUTODESK INVENTOR.....................70

 Características y capacidades principales de Autodesk Inventor:...........................................70
 Ventajas y desventajas de Autodesk Inventor.........................................................................71
o Ventajas:............................................................................................................................................72
o Desventajas:......................................................................................................................................72
3.2. DISEÑO DE LA FUENTE DE IONES TIPO END-HALL CON AUTODESK
INVENTOR....................................................................................................................73
3.3. USO DE AUTODESK INVENTOR EN EL PROCESO DE DISEÑO.........................76
3.4. SIMULACIÓN DE LA FUENTE DE IONES CON COMSOL MULTIPHYSICS.....77
 Características y capacidades principales de COMSOL Multiphysics:.....................................78
 Modelo de la fuente de iones.................................................................................................81
 Ventajas de la simulación de fuentes de iones con COMSOL Multiphysics:............................82
 Desventajas de la simulación de fuentes de iones con COMSOL Multiphysics:.......................82
 Simulación de Fuentes de Iones con COMSOL Multiphysics:...................................................83

CAPÍTULO IV. ESTUDIOS PARA EL DESARROLLO UNA FUENTE DE IONES END-HALL..............................84

4.1. PRINCIPIOS FÍSICOS Y DISEÑO DE UNA FUENTE DE IONES END-HALL......84

 Principios Físicos Fundamentales...........................................................................................84
 Características constructivas de las fuentes de iones End-Hall y física de la descarga...........90
4.2. DESARROLLO DE UN MODELO FÍSICO-MATEMÁTICO PARA EL CÁLCULO DE
PARÁMETROS DE CORRIENTE Y PRINCIPIOS DE CONSTRUCCIÓN DE FUENTES DE
IONES DE BAJA ENERGÍA............................................................................................97
4.3. DISEÑO DE LOS COMPONENTES DE ESENCIALES DE LA FUENTE DE IONES
104
4.4. SIMULACIÓN DE CAMPOS MAGNÉTICOS EN EL CANAL DE ACELERACIÓN
106
 Simulación del campo magnético de la fuente End-Hall.......................................................107
 Cálculos del campo magnético.............................................................................................107
.....................................................................................................................................................108
 Modelado Geométrico y Asignación de Materiales..............................................................109
 Módulos de Física Empleados y Condiciones de Contorno....................................................109
 Malla Computacional...........................................................................................................110
4.5. MODELADO Y ANÁLISIS TÉRMICO DE LA FUENTE DE IONES END-HALL. 110
 Principios Teóricos de la Transferencia de Calor...................................................................111
o Conducción: Transferencia de Calor a Través de Sólidos..................................................................111
o Convección: Transferencia de Calor por Flujo de Fluido..................................................................112
o Radiación: Transferencia de Calor sin un Medio Físico....................................................................112
  Fenómenos de Interfaz y Acoplamiento...............................................................................113
 Mecanismos de Transferencia de Energía del Plasma a las Paredes....................................114
 Análisis de Materiales para la Fuente de Iones....................................................................116
o La Conductividad Térmica (k)...........................................................................................................116
o La Capacidad Calorífica Específica (cp).............................................................................................117
o El Coeficiente de Expansión Térmica (α)..........................................................................................117
 Modelado y Física Acoplada.................................................................................................118
o Física Multifísica Acoplada...............................................................................................................118
o Modelado Geométrico y Mallado....................................................................................................118
 Definición de Materiales y Propiedades Termofísicas...........................................................119
 Condiciones de Contorno y Cargas Térmicas:.......................................................................119

CAPITULO V. RESULTADOS Y CONCLUSIONES DE LAS SIMULACIONES................................................120

5.1. ANÁLISIS DE LOS RESULTADOS DE LA SIMULACIÓN DEL CAMPO

MAGNÉTICO EN LA FUENTE DE IONES END-HALL..................................................120
5.2. RESULTADOS DE LA MODELACIÓN TÉRMICA EN LA FUENTE DE IONES
END-HALL.................................................................................................................124
5.3. CONCLUSIONES.............................................................................................127
5.4. RECOMENDACIONES FUTURAS DE LA INVESTIGACIÓN...............................129
BIBLIOGRAFÍA:................................................................................................................................ 131
 Introducción

El control preciso de la materia a escala atómica y nanométrica

constituye la frontera de la física y la ingeniería moderna, lo cual es es
fundamental para industrias que abarcan desde la microelectrónica, la
manufactura de alta resistencia hasta los recubrimientos ópticos. Dentro de
este panorama, los haces de iones se han consolidado como una herramienta
indispensable para la elaboración de recubrimientos según sea la necesidad.
Una fuente de iones es un dispositivo que produce y confina un plasma para
generar y dirigir un haz de partículas cargadas con energía y flujo bien
definidos. Este control es esencial en procesos avanzados de ingeniería de
materiales, siendo la Deposición Asistida por Haz de Iones (IBAD) una de sus
aplicaciones más relevantes.

La técnica IBAD combina la deposición física de vapor con el bombardeo

simultáneo de iones energéticos, permitiendo la modificación y el control de las
propiedades de la película depositada. Esto resulta en la fabricación de
recubrimientos con una adhesión al sustrato superior, tensiones internas
reducidas y la capacidad de sintetizar compuestos metaestables, como el
nitruro de boro cúbico (c-BN), que son inalcanzables con métodos
convencionales. En este contexto, las fuentes de iones tipo End-Hall (a veces
denominadas fuentes de iones de efecto Hall) han ganado una tracción
significativa debido a su capacidad para producir haces de iones de gran área,
con alta densidad de corriente y baja energía, características ideales para el
tratamiento superficial y la deposición asistida industrial.

La fuente de iones End-Hall opera bajo el principio de una descarga de

plasma asistida por un campo magnético radial. El funcionamiento se basa en
inyectar gas neutro (como Argón o Xenón) en un canal de descarga donde se
aplica un potencial eléctrico (voltaje de descarga) entre un ánodo y un cátodo.
El plasma se genera y se mantiene gracias a un campo magnético radial y axial
(Br y Ba) que confinan fuertemente a los electrones, obligándolos a moverse en
trayectorias ciclotrónicas azimutales (la corriente de Hall), lo que prolonga su
tiempo de residencia y aumenta drásticamente la probabilidad de colisión e
ionización de los átomos neutros. Los iones resultantes, al ser mucho más
pesados, no son afectados significativamente por el campo magnético y son
acelerados por el campo eléctrico axial fuera de la fuente, formando el haz.

A pesar de su eficiencia y simplicidad relativa, el diseño de una fuente

End-Hall presenta desafíos físicos y de ingeniería cruciales que limitan su
rendimiento y vida útil, particularmente a altas potencias como, por ejemplo, la
distribución y magnitud del campo magnético deben ser perfectamente
optimizadas. Una configuración magnética subóptima lleva a una pérdida de
electrones (mala contención) o a una ionización ineficiente del propulsor,
reduciendo el rendimiento del haz de iones. La interacción intensa del plasma
caliente con las paredes internas del canal de descarga y los electrodos genera
una carga térmica sustancial. El sobrecalentamiento no controlado provoca la
erosión del material, el fenómeno de sputtering y la degradación de los
componentes magnéticos (imanes permanentes), lo que reduce la vida
operativa y la estabilidad del haz. Abordar estos desafíos requiere un enfoque
de ingeniería que vaya más allá del ensayo y error.

La interconexión entre el comportamiento magnético y la gestión térmica

es el núcleo de la optimización de estos dispositivos. Un plasma más eficiente
(mejor confinamiento magnético) puede generar menos calor residual en las
paredes, y un control térmico adecuado permite operar los imanes a su máxima
capacidad sin riesgo de desmagnetización. Por lo tanto, esta investigación se
justifica en la necesidad de desarrollar un diseño optimizado que integre los
requerimientos de eficiencia magnética y estabilidad térmica de una fuente
End-Hall.

Para lograr este objetivo central, la presente tesis se enfoca en el uso de

la simulación multifísica computacional. Este enfoque permite explorar
sistemáticamente un vasto espacio de diseño, variando geometrías y
materiales, sin incurrir en los altos costos y tiempos asociados a la construcción
de múltiples prototipos físicos. Se tomó como base la geometría de la fuente
Strelok-2 por ser una arquitectura representativa y ampliamente estudiada en la
literatura.

Se quiere desarrollar un modelo geométrico tridimensional detallado y

paramétrico de la fuente de iones (basada en la Strelok-2) utilizando software
CAD (Autodesk Inventor), preparando la geometría para su uso en
simulaciones computacionales. Luego se Implementará y resolverá un modelo
computacional del campo magnético en COMSOL Multiphysics para analizar su
distribución espacial y evaluar su configuración para el confinamiento de
electrones y la formación del haz iónico.

En esta investigación, también se desarrollará e implementará un

modelo computacional de transferencia de calor en COMSOL Multiphysics para
analizar el régimen térmico de los componentes clave y evaluar la eficacia del
sistema de enfriamiento.

Y para finalizar, se propondrá modificaciones de diseño (geométricas,

magnéticas, térmicas) y/o ajustes en los parámetros de operación, basados en
el análisis sistemático de los resultados de simulación, con el fin de optimizar el
rendimiento de la fuente para cumplir con los requisitos de la técnica de
deposición asistida por iones.
 CAPÍTULO I. La investigación

1.1. Justificación de la investigación

Las fuentes de iones constituyen pilares tecnológicos fundamentales en

la ciencia y la industria contemporáneas, con una relevancia particular en el
ámbito del procesamiento de materiales. Su habilidad para generar y controlar
haces de partículas cargadas permite modificar las propiedades de las
superficies, sintetizar nuevos materiales y fabricar dispositivos con
funcionalidades a medida (Smith & Chen, 2019). Dentro de este contexto, su rol
en la producción de recubrimientos ópticos es especialmente significativo. La
asistencia iónica durante los procesos de deposición (como la deposición física
de vapor asistida por iones, IAD) o el grabado iónico previo a la misma son
técnicas probadas que permiten un control preciso sobre la microestructura de
las películas delgadas, incrementando su densidad, mejorando la adhesión al
sustrato y, en consecuencia, optimizando las propiedades ópticas deseadas,
tales como la transparencia, la reflectividad, la dureza o el índice de refracción,
elementos cruciales para aplicaciones avanzadas como los recubrimientos
antirreflectantes (AR) de alto rendimiento (Brown & Davis, 2018) .

En este campo de aplicación, las fuentes de iones tipo End-Hall han

ganado protagonismo debido a características operativas ventajosas como su
capacidad para generar altas corrientes iónicas, su fiabilidad en entornos
industriales y su escalabilidad a grandes áreas de proceso (Smith & Chen,
2019). Estas propiedades las convierten en una elección adecuada y costo-
efectiva para procesos de recubrimiento a gran escala. Sin embargo, a pesar
de sus ventajas, lograr un rendimiento óptimo y consistente que satisfaga las
exigencias cada vez más rigurosas de las aplicaciones ópticas de precisión
presenta desafíos técnicos inherentes. La uniformidad espacial y energética del
haz iónico, la eficiencia en el uso del gas y la energía de descarga, la
estabilidad operativa y la gestión térmica eficiente de los componentes son
aspectos clave que requieren un control y una comprensión profundos para
maximizar la calidad del recubrimiento final, minimizar defectos y prolongar la
vida útil de la fuente en operación continua (Lee & Kim, 2021).

A pesar de los avances tecnológicos existentes en fuentes End-Hall,

persiste la necesidad de investigar y desarrollar diseños que mejoren su
capacidad para cumplir con las especificaciones estrictas demandadas por las

complejos procesos físicos internos que rigen su funcionamiento (descarga E ⊥

aplicaciones ópticas avanzadas. Esto implica un conocimiento detallado de los

H, interacciones plasma-pared, transporte de partículas) y la identificación de

los parámetros de diseño y operación óptimos para aplicaciones específicas
(Bader & Wang, 2020). La complejidad de estos fenómenos hace que el diseño
basado puramente en la experimentación física sea un proceso costoso, lento
y, a menudo, subóptimo para lograr una verdadera optimización.
 Ante esta necesidad de comprender y mejorar el rendimiento de las
fuentes End-Hall en el contexto de las aplicaciones ópticas y la complejidad de
los procesos involucrados, la presente investigación se justifica por su enfoque
sistemático en el diseño y modelado computacional de una fuente de iones tipo
End-Hall. La utilización de herramientas avanzadas de diseño tridimensional
(como Autodesk Inventor) y simulación multifísica (como COMSOL
Multiphysics) ofrece una metodología eficiente (Bader & Wang, 2020). Este
enfoque computacional permite explorar un amplio espacio de diseño de
manera virtual, predecir el comportamiento de la fuente bajo diversas
condiciones operativas y analizar las interacciones complejas entre los campos
electromagnéticos, el plasma de descarga y la dinámica de partículas
cargadas, así como evaluar la distribución térmica en los componentes clave.
Al proporcionar una comprensión profunda de la física del dispositivo y permitir
la evaluación del impacto de las modificaciones de diseño de forma controlada,
esta metodología computacional se justifica como una vía eficiente y necesaria
para identificar los factores limitantes del rendimiento y proponer
modificaciones de diseño optimizadas que aborden los desafíos específicos
para las aplicaciones ópticas, contribuyendo así al avance tecnológico de las
fuentes End-Hall en este campo.

1.2. Interrogante Científica.

Esta sección tiene como propósito articular la pregunta o el conjunto de

interrogantes clave que impulsan la presente investigación. A partir de la
justificación previamente expuesta en la Sección 1.1, donde se identificaron los
desafíos en el rendimiento y la necesidad de optimización de las fuentes de
iones tipo End-Hall para aplicaciones ópticas, se formula la pregunta central
que este estudio busca abordar mediante una metodología sistemática de
diseño y simulación computacional.

La interrogante científica principal que guía este trabajo se puede

formular de la siguiente manera:

o ¿Influyen los parámetros de diseño (geométricos, configuración de

campos magnéticos) y la gestión térmica en el rendimiento (uniformidad
espacial y energética del haz, eficiencia, estabilidad operativa) de una
fuente de iones tipo End-Hall operando a baja presión, ¿y cómo pueden
ser optimizados mediante modelado y simulación multifísica para cumplir
con los exigentes requisitos de las aplicaciones ópticas avanzadas?

Para abordar esta interrogante principal de manera exhaustiva y sistemática, se

desglosa en las siguientes preguntas específicas:

o ¿De qué manera la configuración geométrica del canal de aceleración y

la distribución espacial del campo magnético auxiliar se relacionan con
el confinamiento de electrones, la distribución de potencial y la
localización y estructura de la capa de ionización dentro del canal de
descarga de la fuente End-Hall?
 o ¿Cuál es la distribución de cargas térmicas sobre los componentes clave
de la fuente generadas por la interacción con la descarga de plasma, y
cómo puede diseñarse y optimizarse un sistema de enfriamiento
eficiente para mantener la integridad estructural, la estabilidad del
rendimiento operativo y prolongar la vida útil de la fuente a potencias
elevadas?

o ¿Cómo influyen las modificaciones en el diseño geométrico, la

configuración del campo magnético y los parámetros de operación de la
descarga (como el voltaje aplicado y el flujo de gas) en las
características críticas del haz iónico extraído, tales como la densidad de
corriente extraída, la uniformidad espacial del haz, su divergencia y la
distribución de energía de los iones?

o ¿Hasta qué punto el modelado y la simulación multifísica, utilizando

herramientas computacionales avanzadas como COMSOL Multiphysics,
pueden predecir con fiabilidad el comportamiento complejo de una
fuente de iones End-Hall y servir como una herramienta robusta y
eficiente para guiar el proceso iterativo de optimización del diseño
basado en criterios de rendimiento específicos para aplicaciones
ópticas?

1.3. Objetivos de la Investigación

Los objetivos de la presente investigación definen claramente las metas

que se buscan alcanzar a través del desarrollo de este trabajo de tesis. Estos
objetivos se derivan directamente de la justificación de la investigación y
buscan responder a la interrogante científica planteada.

 Objetivo General

Diseñar, usando, simulaciones multifisica, modelados y optimizaciones

computacionales, una fuente de iones tipo End-Hall

 Objetivos Específicos

Para alcanzar el objetivo general, se plantean los siguientes objetivos

específicos:

o Desarrollar un modelo geométrico tridimensional detallado y paramétrico

de la fuente de iones tipo End-Hall de referencia (basada en la Strelok-2)
utilizando software CAD (Autodesk Inventor), preparando la geometría
para su uso en simulaciones computacionales.

o Implementar un modelo computacional del campo magnético auxiliar de

la fuente en COMSOL Multiphysics para analizar y comprender su
 distribución espacial, y evaluar su configuración para el confinamiento de
electrones y la formación del haz iónico.

o Desarrollar un modelo computacional de transferencia de calor en

COMSOL Multiphysics para analizar el régimen térmico de los
componentes clave de la fuente durante la operación, incluyendo la
simulación del sistema de enfriamiento, con el fin de evaluar su eficacia
para mantener la integridad y estabilidad del rendimiento.

o Proponer modificaciones de diseño (geométricas, magnéticas, térmicas)

y/o ajustes en los parámetros de operación de la fuente, basados en el
análisis sistemático de los resultados de simulación, con el fin de
optimizar el rendimiento de la fuente para cumplir con los requisitos
específicos de la técnica de deposición asistida por iones.

1.4. Variables

En el contexto de una investigación basada en modelado y simulación

computacional para la optimización de un sistema físico complejo, como una
fuente de iones, resulta fundamental identificar y definir claramente las
variables involucradas. Estas variables representan los parámetros que influyen
en el comportamiento del sistema estudiado y que son objeto de manipulación,
medición o control durante el proceso de investigación. Su correcta
identificación y clasificación son esenciales para estructurar los experimentos
computacionales (simulaciones), analizar los resultados de manera efectiva y
comprender las relaciones causa-efecto entre el diseño, las condiciones de
operación y el rendimiento de la fuente de iones tipo End-Hall.

En la presente investigación, las variables se clasificaron de la siguiente

manera:

 Variables Independientes:

Corresponden a aquellos parámetros del diseño de la fuente de iones tipo

End-Hall y sus condiciones de operación que fueron modificados o variados a
conveniencia, en las simulaciones computacionales con el objetivo de evaluar
su impacto en el rendimiento y la estabilidad. Estas variables de entrada al
modelo incluyeron:

o Parámetros Geométricos: Dimensiones críticas del canal de descarga

(por ejemplo, longitud, ancho), la configuración de los electrodos (ánodo,
cátodo), la geometría de los componentes del sistema magnético (por
ejemplo, dimensiones del núcleo de hierro, posición y tamaño de los
imanes) y la configuración del sistema de enfriamiento (por ejemplo,
tamaño y posición de los canales de refrigeración).
 o Parámetros del Campo Magnético Auxiliar: Magnitud y la forma de la
distribución espacial del campo magnético estático aplicado en la región
de descarga.

o Parámetros de Operación de la Descarga: Principalmente el voltaje

aplicado entre el ánodo y el cátodo (voltaje de descarga) y el flujo
másico de gas de trabajo inyectado en la cámara de descarga.

 Variables Dependientes:

Son los parámetros medidos, observados o calculados a partir de los

resultados de las simulaciones multifísicas en COMSOL Multiphysics como
consecuencia de la variación de las variables independientes. Estas variables
de salida reflejan el comportamiento físico y el rendimiento de la fuente bajo
diferentes configuraciones de diseño y condiciones de operación, e incluyeron:

o Características del Plasma de Descarga: Distribuciones espaciales de

la densidad y temperatura de electrones, densidad de iones, potencial
eléctrico y potencial flotante del plasma dentro del canal.

o Características del Haz Iónico: Flujo total de iones extraído (corriente

iónica del haz), distribución espacial de la densidad de corriente del haz
en el plano de salida, uniformidad del perfil del haz, divergencia del haz
y distribución de energía de los iones (IED).

o Rendimiento Global de la Fuente: Métricas clave como la eficiencia de

ionización, la eficiencia másica y la eficiencia eléctrica de la fuente bajo
diferentes condiciones de operación.

o Distribución Térmica: Mapas de temperatura en los componentes

clave de la fuente (ánodo, paredes del canal, sistema magnético) y flujos
de calor, así como la eficacia del sistema de enfriamiento para disipar la
carga térmica.

1.5. Delimitación y Limitación de la Investigación

Para establecer el marco preciso dentro del cual se desarrolla la presente

investigación, esta sección se dedica a definir la delimitación y a reconocer las
limitaciones inherentes al alcance del estudio. La delimitación especifica las
fronteras conceptuales, metodológicas y el enfoque del trabajo, clarificando qué
aspectos son centrales para la investigación. Por otro lado, las limitaciones
identifican aquellos aspectos que no fueron abordados o que representan
simplificaciones propias del enfoque adoptado, reconociendo así las fronteras
prácticas del estudio.

 Delimitación:
 La presente investigación se delimita específicamente al diseño y modelado
computacional de una fuente de iones tipo End-Hall, con un enfoque particular
en la optimización de su rendimiento para aplicaciones en la técnica de
deposición asistida por iones (IAD), especialmente en el contexto de
recubrimientos ópticos avanzados. El estudio se centra en:

o El análisis teórico de los principios físicos fundamentales que rigen el

funcionamiento de las fuentes End-Hall

o El modelado geométrico tridimensional de la fuente y sus componentes

clave utilizando software CAD especializado (Autodesk Inventor).

o La simulación multifísica utilizando software avanzado (COMSOL

Multiphysics) para analizar aspectos críticos del comportamiento de la
fuente, incluyendo la distribución del campo magnético auxiliar, el
régimen térmico de los componentes principales y la dinámica del
plasma de descarga y el transporte del haz iónico extraído.

o La evaluación del impacto de las modificaciones de diseño geométricos,

configuración magnética y el sistema de enfriamiento

o La propuesta de un diseño optimizado basado en el análisis sistemático

de los resultados del modelado y la simulación computacional.

 Limitación:

A pesar de la profundidad y el detalle del análisis computacional, la

investigación presenta ciertas limitaciones inherentes al enfoque adoptado y a
los recursos disponibles, que deben ser reconocidas:

Los modelos de simulación multifísica utilizados, si bien son avanzados,

requieren simplificaciones y aproximaciones de la compleja realidad física de
una descarga de plasma. Por ejemplo, los modelos de plasma pueden basarse
en suposiciones sobre la naturaleza del plasma (ej. plasma frío vs caliente,
equilibrio vs no equilibrio), la geometría utilizada para las simulaciones de
plasma/haz puede simplificarse (ej. a 2D axisimétrico si la simetría
predominante lo permite), o ciertos fenómenos físicos secundarios (ej.
sputtering de las paredes a largo plazo, efectos de memoria en la cámara)
pueden no ser incluidos explícitamente (Wang & Lee, 2022).

o La precisión de los resultados de simulación y, por tanto, la fiabilidad de

la optimización propuesta, está intrínsecamente ligada a la precisión y
las limitaciones de los modelos computacionales utilizados, la calidad de
la malla y los datos de entrada (propiedades de materiales, condiciones
de contorno) empleados en las simulaciones (Zhao, 2021).

o La investigación se enfoca en la optimización dentro de la topología

básica y los principios operativos establecidos de una fuente End-Hall.
 No se exploran conceptos radicalmente diferentes de fuentes de iones o
cambios fundamentales en el principio de operación.

o La complejidad completa de todas las interacciones posibles a largo

plazo en un entorno industrial (ej. ensuciamiento progresivo de
componentes, envejecimiento de imanes/cátodo) puede no estar
cubierta exhaustivamente en los modelos actuales.

o Reconocer explícitamente estas delimitaciones y limitaciones es crucial

para interpretar correctamente los resultados presentados en los
capítulos subsiguientes y comprender el alcance exacto y las
contribuciones específicas de la presente tesis.

1.6. Enfoque, paradigma y tipo de investigación

Para contextualizar adecuadamente la base metodológica sobre la que

se fundamenta la presente investigacio, esta sección define el enfoque, el
paradigma y el tipo de investigación adoptados. Estos elementos establecen la
perspectiva desde la cual se aborda el problema de estudio, la naturaleza del
conocimiento que se busca generar y la estrategia general empleada para la
generación, recolección y análisis de datos (en este caso, datos obtenidos a
través de simulaciones computacionales).

El enfoque de esta investigación es cuantitativo. Este enfoque se

caracteriza por basarse en la generación y el análisis de datos numéricos para
explorar y comprender un fenómeno. En el presente estudio, esto se manifiesta
en la creación de modelos matemáticos-físicos que describen el
funcionamiento de la fuente de iones, la manipulación de variables de diseño y
operación expresadas numéricamente, y la obtención de resultados
cuantificables a partir de las simulaciones computacionales. El análisis se
centra en establecer relaciones numéricas entre variables y predecir el
comportamiento del sistema de forma cuantitativa.

El paradigma que subyace a esta investigación se alinea con el enfoque

positivista o, más específicamente, post-positivista, que es el marco
predominante en las ciencias naturales y la ingeniería. Desde esta perspectiva,
se asume que existe una realidad externa y objetiva (el funcionamiento de la
fuente de iones bajo las leyes de la física) que puede ser estudiada y
comprendida de manera sistemática y objetiva a través de la modelización y la
experimentación (en este caso, la experimentación virtual mediante simulación
computacional). Se busca generar conocimiento verificable y, dentro de los
límites de los modelos, generalizable, orientado a la explicación y predicción
del comportamiento del sistema.

En cuanto al tipo de investigación, este estudio puede clasificarse como

una investigación aplicada. Su propósito principal es resolver un problema
práctico y tecnológico concreto: la optimización del diseño y el rendimiento de
una fuente de iones tipo End-Hall para una aplicación industrial específica (la
técnica de deposición asistida por iones para recubrimientos ópticos).
Asimismo, posee un fuerte componente de investigación explicatoria, al buscar
comprender y explicar las complejas relaciones causales entre los parámetros
de diseño/operación y las propiedades del plasma y el haz iónico. Dada que la
metodología central se basa en el uso extensivo de modelos y simulaciones
numéricas como herramienta principal para generar conocimiento, se clasifica
también como una investigación basada en modelado y simulación
computacional. Finalmente, al estar orientada a la creación, evaluación y
mejora de un artefacto tecnológico (la fuente de iones) con el fin de proponer
un diseño optimizado, incorpora aspectos de investigación de diseño en
ingeniería.

CAPITULO II. Teoría y métodos de formación de recubrimientos ópticos

1.1. Bases teóricas sobre la tecnología de recubrimientos óptico por

deposición asistida por iones

 Crecimiento de películas delgadas

El papel de los iones energéticos en las técnicas de deposición al vacío ha

sido reconocido por la comunidad científica desde hace tiempo. La
investigación en este campo se intensificó a partir de la década de 1970, con
figuras pioneras como Weissmantel (Weissmantel et al., 1979) y Pranevicius
(Pranevicius, 1979). J.M.E. Harper y sus colegas, además de Auciello y Kelly,
también contribuyeron significativamente con estudios que sentaron las bases
para una comprensión más profunda de la interacción entre iones y superficies
(Auciello & Kelly, 1984; Harper et al., 1984).

La técnica de deposición asistida por haz de iones (IBAD), que bombardea

películas en crecimiento con partículas energéticas, puede inducir
modificaciones beneficiosas en diversas propiedades. Estas incluyen la mejora
de la adhesión, la densificación de películas a bajas temperaturas del sustrato,
el control de las tensiones residuales, la alteración de la textura y el tamaño de
grano, y la modificación de las propiedades ópticas, la dureza y la ductilidad.

Sin embargo, en muchas técnicas de recubrimiento basadas en plasma, es

difícil separar el grado de los flujos iónicos y la energía de los iones, así como
el impacto de las partículas neutras, lo cual complica la caracterización de las
propiedades del recubrimiento resultante.

 Modelo de zona estructural (MZE) Thorton para el crecimiento de la

película

La microestructura de las películas delgadas está intrínsecamente

relacionada con la movilidad de los adátomos durante su crecimiento. El
suministro de energía de estos átomos, que viene afecta por su movilidad, se
logra mediante diversos mecanismos como: a) efecto térmico, b) bombardeo
iónico y c) reacciones químicas en el sustrato. Los efectos de estos
mecanismos en el crecimiento de las películas delgadas pueden explicarse
mediante el modelo de zona estructural (MZE). Este modelo predice la
morfología y la microestructura de las películas en función de las condiciones
de deposición que influyen en la movilidad de los adátomos y es aplicable a
una amplia gama de materiales es un marco conceptual que describe la
microestructura de las películas delgadas en función de las condiciones de
deposición. El concepto del MZE fue propuesto por Movchan y Demchishin en
1969, basándose en sus observaciones sobre la estructura de películas
metálicas gruesas depositadas por evaporación al vacío (Movchan &
Demchishin, 1969)., En este trabajo pionero, el parámetro clave era la
temperatura homóloga (Th), definida como la relación entre la temperatura de
crecimiento de la película (T) y la temperatura de fusión del material (Tm),
ambas expresadas en grados Kelvin:

T
T h=
Tm
… ( 1)

Basándose en el análisis de numerosas muestras, Movchan y

Demchishin concluyeron que pueden distinguirse tres zonas. En la Zona 1 (Th
<0,3), la movilidad de los adátomos es baja, lo que favorece una nucleación
continua de los granos. Esto da como resultado una estructura de grano fino
con granos texturizados y fibrosos que tienden a alinearse en la dirección del
flujo de vapor incidente y cuyas superficies terminan en formas de cúpula
(Movchan & Demchishin, 1969). Esta zona presenta una alta densidad de
imperfecciones de red y porosidad en los límites de grano. A temperaturas más
elevadas, en la Zona 2 (0,3<Th<0,5), predomina la difusión superficial, lo que
conduce al crecimiento de granos columnares uniformes. El tamaño de estos
granos aumenta con Th y pueden extenderse a lo largo de todo el espesor de la
película, resultando en una superficie con facetas (vertientes). Finalmente, a
temperaturas aún mayores, en la Zona 3 (Th >0,5), la difusión en masa y la
recristalización dan lugar a películas densas con granos de mayor tamaño.

Barna y Adamik propusieron límites de zona ligeramente diferentes e

introdujeron una zona de transición designada como Zona T, ubicada entre las
Zonas 1 y 2. Esta zona de transición se observa típicamente para valores de Th
entre 0,2 y 0,4. En ella, la difusión superficial es significativa, pero la difusión en
los límites de grano está fuertemente limitada. Esta combinación de
mecanismos conduce a un crecimiento competitivo y resulta en la formación de
granos con morfología en forma de V, generando una estructura que no es
homogénea a lo largo del espesor de la película (Barna, 1983; Barna & Adamik,
1998.

La existencia de esta Zona T, junto con el hecho de que los MZE

tradicionales (como el de Movchan y Demchishin) fueron originalmente
desarrollados para ilustrar la microestructura de películas relativamente
gruesas obtenidas por evaporación (es decir, crecidas mucho más allá de su
fase de nucleación) y no incluyen todos los parámetros de deposición
relevantes en técnicas más modernas, subraya las limitaciones de una
representación simplista (Barna, 1983; Barna & Adamik, 1998. Esto significa
que un MZE básico puede no ser directamente aplicable o suficiente para
describir la microestructura en el crecimiento de películas delgadas o para
materiales específicos de interés para el investigador sin considerar estas
extensiones y otros factores.

Con la llegada de técnicas como el magnetrón sputtering, el Modelo de

Zona Estructural (MZE) requirió la inclusión de nuevos parámetros. Thornton
(Thornton, 1974) propuso un MZE bidimensional que demostró que la
microestructura de la película no solo depende de la temperatura homóloga
(Th), sino también de la presión del gas de trabajo. Este parámetro es crucial
porque influye en la energía cinética de las partículas incidentes y en su camino
libre medio, afectando directamente la movilidad de los adátomos y el
mecanismo de crecimiento.

En su diagrama, Thornton también incluyó la zona de transición (Zona

T), previamente identificada por otros autores. La Zona T (Figura 1) se
caracteriza por un crecimiento columnar competitivo que resulta en granos con
morfología en forma de 'V'. Esta estructura es densa y presenta baja porosidad
interna en comparación con la Zona 1. Las superficies de las películas
cultivadas en esta zona tienden a ser más lisas y menos rugosas que las de las
películas de las zonas 1 y 2.

Figura 2.1. Modelo de la zona de Thorton

Con la incorporación de la asistencia por haz de iones en ciertos

procesos de deposición, Messier et al. (1984) propusieron un modelo de zona
estructural (MZE) modificado. En este modelo, un eje que representa la energía
de los iones incidentes (o la relación de flujo iónico/atómico) reemplaza o
complementa el eje de presión del gas de trabajo presente en los diagramas
previos, como el de Thornton.
 La tensión de polarización aplicada al sustrato se convierte en un
parámetro experimental clave para controlar la energía de los iones que inciden
sobre la película en crecimiento. El bombardeo iónico resultante produce
efectos en la movilidad de los adátomos similares a los de un aumento en la
temperatura del sustrato. En consecuencia, al incrementarse la energía o el
flujo iónico, la región correspondiente a la Zona T se expande, mientras que la
Zona 1 (porosa) disminuye. Esto promueve la formación de películas delgadas
más densas y, a menudo, con un mayor grado de cristalinidad.

El voltaje de polarización aplicado durante la deposición no solo afecta la

microestructura, sino que también influye en las propiedades mecánicas de las
películas delgadas. Por ejemplo, la aplicación de un voltaje elevado (≥100V) al
sustrato puede aumentar la deformación de la red cristalina, lo que a menudo
provoca altos esfuerzos residuales y una reducción de la adherencia entre el
sustrato y la película.
Para comprender la compleja interacción de los parámetros de
deposición asistida por iones, se han desarrollado modelos MZE
tridimensionales (Figura 2.1). Estos modelos permiten analizar la influencia
simultánea de la temperatura normalizada (Th), la tensión de polarización del
sustrato y la relación entre el flujo iónico y el flujo de átomos depositados
(Ji /Ja). Según se ilustra en la Figura 2.2, es posible alcanzar la tercera zona
estructural, caracterizada por alta densidad y gran tamaño de grano, mediante
una combinación específica de parámetros, como una alta densidad de
corriente iónica (Ji), valores intermedios de temperatura normalizada y una baja
tensión de polarización.

Figura 2. El modelo de zona que incluye la relación entre la densidad de corriente de los
iones y la densidad de corriente de los átomos (Kelly y Arnell, 1999).

Las investigaciones recientes se han centrado en las condiciones de

crecimiento de películas dominadas por flujos de iones muy grandes. Estos
procesos son a menudo denominados "deposición energética" o "condensación
energética" de la fase de plasma e incluyen técnicas como la deposición por
arco catódico filtrado, HIPIMS, el autodispersado sostenido, y otras formas de
deposición física de vapor ionizado. Dada la influencia significativa de los iones
en estos métodos, los investigadores han propuesto la necesidad de un modelo
de zona estructural (MZE) más completo que incorpore adecuadamente los
efectos de los iones en el crecimiento de la película.

En respuesta a esta necesidad, los investigadores han propuesto un

modelo de zona estructural (MZE) ampliado que generaliza la representación
clásica (como la ilustración de la figura 2.3 de Thornton). En este enfoque, la
microestructura se describe en función de parámetros generalizados: una
energía cinética generalizada E∗, que describe el flujo de energía (en términos

temperatura generalizada T∗ (equivalente a la temperatura homóloga Th). Sin

de momento y masa) incidente en la superficie de crecimiento, y una

embargo, también se aclara que cualquier representación de este tipo

solamente puede servir como una orientación aproximada. Esto se debe a que
cada combinación específica de sustrato, material de la película y condiciones
de deposición representa un sistema único cuyas particularidades no se
describen completamente mediante un MZE general.

Figura. 2.3. Modelo de zona de Thorton ampliado

 Efectos del bombardeo de iones (ion beam assisted

deposition depotion IBAD) en el crecimiento de la película

El bombardeo de iones durante la deposición de una película delgada

puede influir de forma beneficiosa en diversos aspectos del crecimiento de la
película y en sus propiedades finales (Harper et al., 1984). La técnica de
deposición asistida por iones (IBAD) se clasifica comúnmente en tres
categorías principales según el objetivo de la asistencia iónica (Wei & Vohs,
1998; Martin & Netterfield, 1987):

 IBAD no reactivo, en el que el objetivo principal de los iones,

normalmente iones de gas inerte (Ar+), es influir en la nucleación y el
crecimiento de los elementos o compuestos depositados.

 IBAD reactivo, en el que el propósito del haz de iones es tanto influir en

el crecimiento de la película como proporcionar especies iónicas
reactivas para el crecimiento de un compuesto químico (por ejemplo,
deposición de Si o Ti con bombardeo de iones de nitrógeno para
producir Si3N4 o TiN).

 Una variación de esta técnica reactiva consiste en proporcionar especies

reactivas en forma de gas molecular de relleno (por ejemplo, N 2 u O2),
que es activado por el haz de iones en la superficie de crecimiento y
luego se incorpora a la película de compuesto en crecimiento.

Figura 2.4. Esquema del crecimiento de la película en presencia de un bombardeo de

iones energéticos. Aunque esta de forma simplificada, se encuentra representado varios
de los fenómenos que ocurren durante el crecimiento asistido

Esta última variación, que utiliza un gas reactivo de relleno, puede

emplearse a veces para crear compuestos estequiométricos, especialmente si
el proceso de deposición es compatible con la reacción con dicho gas. También
es útil para compensar la pérdida de un elemento constitutivo (por ejemplo, el
oxígeno) que ocurre al evaporar compuestos (como Al2O3 o SiO2) que tienden a
descomponerse a alta temperatura, resultando en un recubrimiento (o
"película") rico en metales en ausencia del gas de relleno reactivo (como O2).

La Figura 2.4 presenta un esquema del proceso IBAD, ilustrando la

interacción entre los átomos que se depositan, los iones energéticos incidentes
y el sustrato. En particular, la figura destaca una zona de mezcla física entre la
superficie original del sustrato y el recubrimiento, la cual es producida por la
intermezcla atómica inducida por el bombardeo de iones (un efecto más
pronunciado con energías de iones más altas).

 Fundamentos del proceso IBAD

Diversos aspectos del crecimiento y las propiedades de las películas delgadas

se ven influenciados por el bombardeo de iones durante la deposición (Harper
et al., 1984). Entre ellos se encuentran la adhesión, la nucleación, la densidad,
la tensión interna, la morfología, la composición y la posibilidad de deposición a
baja temperatura (Movchan & Demchishin, 1969; Thornton, 1974).

Las ventajas del proceso IBAD, en particular la mejora significativa de la

adhesión interfacial, permiten la deposición de recubrimientos con mayor
estabilidad y, en algunos casos, algo más gruesos antes de que ocurran fallos
por tensiones residuales, en comparación con películas depositadas sin
asistencia iónica (Wei & Vohs, 1998). Esta mejora en la adhesión es resultado
de la intermezcla atómica inducida por el bombardeo iónico y los efectos de
limpieza del sustrato en las fases iniciales de la deposición.

Estas ventajas potenciales (Tabla 2.1) han fomentado la exploración de esta

técnica en diversas áreas (Tabla 2.2), algunas de las cuales se discuten con
más detalle a continuación.

Tabla 2.1. Ventajas y limitaciones de la deposición asistida por haz de iones

Ventajas Limitaciones
Control de muchas
propiedades de Procesamiento de la
recubrimiento y línea de visión
crecimiento
Recubrimientos de
Tensión, densidad,
escamas de pocas
nucleación, textura,
micras de
composición
espesor
Se pueden obtener
Complejidad de los
propiedades de
equipos
película metaestable
 Tabla 2.2. Áreas de aplicación de la deposición asistida por haz de iones

Mecánica Química Otros

Recubrimientos
Tribología: Fricción
Corrosión acuosa opticos; índice de
y desgaste
refracción valores

Capas protectoras,
películas delgadas
Contacto rodante Oxidación
magnéticas para
fatiga térmica
memorias y
sensores

Creación/
modificación de
Catálisis
nanoestructuras y
MEMS

Figura 2.5. Configuración experimental del IBAD utilizando la

deposición por pulverización catódica.

El efecto de un haz de iones sobre el crecimiento de la película y sus

propiedades físicas resultantes dependerá de las especies iónicas, de la
energía de los iones (Eion) y de la relación de flujo relativo entre los iones (JI) y
los átomos depositados (JA), definida habitualmente como Ri = JI/JA. Los datos
que ilustran el efecto del bombardeo iónico sobre las propiedades de la película
se expresan a menudo utilizando la relación de flujo relativo ión/átomo (Ri) o la
energía media depositada por átomo (Eave), en eV/átomo. Esta última se calcula
simplemente como el producto de la relación de flujo Ri y la energía media de
los iones Eion (Eave=Ri ×Eion).

En un sistema IBAD, la deposición y el bombardeo iónico suelen

funcionar a presiones más altas (es decir, de 10 –5 a 10–4 torr) que las
empleadas normalmente para la deposición térmica sola (de 10 –6 a 10–7 torr). A
medida que aumenta la presión de funcionamiento, también aumenta la
probabilidad de incorporar contaminación no deseada por gases residuales en
la película depositada. Para minimizar la contaminación de los gases residuales
durante la deposición deben considerarse las siguientes condiciones y criterios,
basados en las tasas de flujo relativas de iones, neutrales, gases residuales y
gases de relleno, como se indica en la Figura 2.6.

Figura 2.6. Tabla de tasas de flujo de iones, gases y átomos neutros utilizada para
planificar y comparar las condiciones de deposición en el procesamiento de IBAD.

El efecto del bombardeo iónico en el crecimiento de la película y sus

propiedades físicas depende de varios factores críticos: las especies iónicas, la
energía del ion (Eion) y la relación de flujo relativo (Ri) entre los iones (JI) y los
átomos depositados (JA). Esta última se define como Ri=JI/JA (Mattox, 2010).

Los datos que ilustran el impacto del bombardeo iónico se expresan a

menudo en términos de la relación de flujo Ri o la energía media depositada
por átomo (Eave), en eV/átomo, que se calcula como Eave=Ri×Eion (Ohring,
2002).

En los sistemas de deposición asistida por iones (IBAD), las presiones

de operación suelen ser más altas (10−5 a 10−4 torr) que en la deposición
térmica (10−6 a 10−7 torr). Este aumento de presión incrementa la probabilidad
de contaminación por gases residuales, lo que puede afectar negativamente la
pureza de la película (Thornton, 1974).

Para minimizar esta contaminación, es crucial considerar las tasas de

flujo relativas de iones, neutrales, gases residuales y gases de relleno. El
control de estos flujos, como se ilustra en la Figura 2.6, es esencial para el
procesamiento de IBAD. Si la tasa de deposición de átomos se fija en 0.5
nm/seg, el flujo de llegada de átomos es de aproximadamente 1×1015
átomos/cm2/seg. Para una relación de flujo de Ri=1, se requiere una presión
base muy baja. Por ejemplo, una presión parcial de 10−6 torr puede introducir
una tasa de llegada de contaminantes de 5×1014 átomos/cm2/seg, lo que
compromete la pureza de la película.

 Propiedades de los recubrimientos

Al realizar el procesamiento IBAD de elementos altamente reactivos (por

ejemplo, Ti, Cr, Nb), las presiones parciales de las especies presentes en el
vacío residual influyen críticamente en la elección de las tasas de deposición o
en la presión de vacío de fondo necesaria para minimizar la incorporación de
impurezas. La Tabla 2.3 enumera las propiedades del recubrimiento (o
"película") afectadas por el bombardeo iónico, las cuales se describirán con
mayor detalle a continuación.

Table 2.3. propiedades del recubrimiento afectadas por el bombardeo iónico.

PROPIEDAD DEL
PARÁMETRO IBAD
RECUBRIMIENTO

Limpieza por
pulverización de iones,
NUCLEACIÓN
mezcla de haces de
iones
Limpieza por
pulverización de iones,
ADHESIÓN
mezcla de haces de
iones
DENSIDAD Flujo de iones

ESTRÉS Flujo de iones y energía

Temperatura del
TAMAÑO DEL
sustrato, energía de los
GRANO
iones

Orientación del haz de

TEXTURA iones/sustrato; especies
de iones y energía

Especies de iones y
ESTEQUIOMETRÍA
tasa de llegada (R)

 Nucleación
 El efecto de los iones en la nucleación y coalescencia de las películas
delgadas fue ilustrado por el trabajo pionero de Pranevicius, que demostró
cómo el bombardeo iónico con iones de argón redujo significativamente el
tiempo de incubación necesario para lograr la continuidad eléctrica de una
película de aluminio (Pranevicius, 1979). Este efecto se atribuyó al aumento de
la movilidad de los adátomos y a la generación de nuevos sitios de nucleación,
lo que favoreció la formación y el crecimiento de las islas de material.

 Adhesión

La adhesión del recubrimiento al sustrato es un factor crítico influenciado

por el bombardeo iónico (Baglin, 1984). La limpieza por haz de iones, o
grabado iónico, es un medio eficaz para preparar los sustratos, actuando a
través de dos mecanismos principales. Primero, se eliminan capas
contaminantes como agua, hidrocarburos y óxidos adsorbidos en la superficie
(Mattox, 2010). Segundo, el bombardeo iónico puede modificar la superficie del
sustrato, volviéndola más reactiva y favorable para la unión con el material de
la película. Un ejemplo de esto es la desorción de oxígeno en óxidos, lo que
aumenta la densidad de átomos metálicos disponibles para la unión (Harper et
al., 1984).

 Densidad

El bombardeo iónico interrumpe el crecimiento columnar poroso que se

observa en las películas depositadas sin asistencia iónica, lo que estimula la
formación de puentes entre los granos y conduce a una mayor densidad
(Thornton, 1974; Ohring, 2002). La interacción entre un ion energético y la
superficie genera una cascada de colisiones que promueve el
empaquetamiento atómico y el relleno de poros. A altas relaciones de flujo
ión/átomo, el proceso de ion peening (un martilleo a nivel atómico) es
especialmente eficaz para compactar la película, eliminando la estructura
columnar y promoviendo el crecimiento de una estructura compacta y densa
(Messier et al., 1984).

 Tensión

Las tensiones intrínsecas en las películas delgadas están directamente

relacionadas con su microestructura. Las películas depositadas sin asistencia
iónica suelen presentar una tensión de tracción. Sin embargo, con el
bombardeo iónico, la densificación inicial puede aumentar esta tensión hasta
un valor máximo. Con un incremento en la relación de flujo ión/átomo, la
compactación atómica genera una tensión de compresión (Harper et al., 1984).
Las condiciones para alcanzar un estado de tensión cero, donde la película no
tiene ni tracción ni compresión, dependen de la composición de la película y de
la energía de los iones, como lo demostró Wolf en sus estudios sobre metales y
compuestos (Wolf, 1984).

 Textura y Orientación de los Granos

 La orientación y el tamaño de los granos en películas depositadas con la
asistencia de un haz de iones (IBAD) están fuertemente ligados a la energía de
los iones y a la relación de flujo ión-átomo. Por ejemplo, Yu et al. demostraron
que las películas de niobio (Nb) crecidas bajo bombardeo de argón desarrollan
una textura de fibra (110) con un conjunto restringido de orientaciones
azimutales. En contraste, las películas de Nb depositadas sin bombardeo iónico
también presentaban una textura de fibra (110), pero sin ordenamiento azimutal
(Yu et al., 1989; Yu et al., 1990). Se observó que los granos texturizados
tendían a orientar la dirección planar (110) a lo largo de la dirección del haz de
argón incidente.

 Rugosidad Superficial

La rugosidad superficial de las películas es crítica para diversas propiedades,

especialmente en materiales a nanoescala. La energía depositada por los iones
durante el proceso IBAD influye en la morfología de la superficie a través de
varios mecanismos, como la creación de defectos, la eliminación de átomos
mediante sputtering y el aumento de la difusión superficial (Mattox, 2010).

En general, bajo condiciones de bombardeo iónico adecuadas, el IBAD tiende a

reducir la rugosidad superficial al promover la densificación y la movilidad de
los adátomos. Sin embargo, si la energía de los iones o el ángulo de incidencia
son muy altos, la rugosidad podría aumentar debido a un sputtering excesivo o
a la texturización preferencial.

1.2. Métodos químicos y físicos para la formación de recubrimientos

ópticos por deposición al vacío

El uso de películas delgadas en la industria óptica crece anualmente, lo

que impulsa el desarrollo de diversas tecnologías de deposición para recubrir
sustratos ópticos de distinta naturaleza en todo el mundo. Es crucial
comprender [que cada tecnología de deposición presenta un conjunto particular
de ventajas y desventajas. Cada método es único y se adapta mejor a ciertas
aplicaciones que otros, y esta comprensión es fundamental para la creación de
sistemas ópticos con un alto rendimiento.

 Métodos químicos

o Deposición química de vapor a baja presión (DQVBP) Low

pressure chemical vapor deposition (LPCVD)

Este es un proceso químico diseñado para producir recubrimientos

duros, normalmente de alta pureza. Este método también se utiliza
ampliamente en la fabricación de semiconductores (Figura 2.7). Laboratorios
como el de Deposition Sciences Inc. en Santa Rosa, California, y otros, han
adaptado esta tecnología para la deposición de películas delgadas destinadas
a sistemas ópticos espectral (Pulker, 1984; Macleod, 2001).
 La LPCVD (o DQVBP) es un proceso basado en reacciones químicas
inducidas por la temperatura. Las materias primas (gases, líquidos o sólidos) se
denominan reactivos precursores. Si son líquidos, estos se introducen en un
colector de evaporación y se evaporan. A continuación, se introduce una
corriente de gas portador (por ejemplo, nitrógeno) en la cámara de reacción. La
cámara se mantiene a una temperatura típicamente alta (por ejemplo, una
temperatura nominal de 500 °C para este tipo de proceso general). Dentro de la
cámara, la alta temperatura rompe los enlaces químicos de los reactivos
precursores, y los materiales resultantes se condensan en la superficie del
sustrato, formando la película. Los residuos de la reacción y el material sin
reaccionar se eliminan del sistema mediante un flujo de gas hacia un
condensador-colector, que opera a temperaturas criogénicas para atrapar los
subproductos (Ohring, 2002).

Un ejemplo de los parámetros para un proceso específico de LPCVD:

 Velocidad de deposición: 30 - 80 Å/min

 Temperatura de proceso: 700 - 710 °C
 Presión de funcionamiento: 0,04 Pa
 Reactivo precursor: tetraetoxisilano (SiOC2H5)4)
 Consumo de tetraetoxisilano: 10-40 cm3/min

Figura 2.7. Esquema de la deposición química vapor-gas a baja presión1- Precursor

organometálico; 2- Colector de evaporación; 3- Reactor; 4- Colector del condensador; 5-
A la bomba

Las ventajas del método LPCVD incluyen una alta uniformidad de

recubrimiento (o "película") que permite formar capas en elementos ópticos con
formas complejas. El método es particularmente adecuado para la deposición
en superficies reflectoras en forma de cúpula con proporciones muy elevadas
(profundidad del reflector respecto al diámetro de la abertura). Por ejemplo, en
se han depositado con éxito recubrimientos en reflectores grandes (más de 500
mm de diámetro) y pequeños (190 mm de diámetro) con proporciones de hasta
4:1. Los recubrimientos producidos por LPCVD son bastante densos, lo que los
hace mecánica, térmica y ambientalmente duraderos. Además, presentan
pocos cambios bajo la influencia de la temperatura y la humedad.

Las desventajas del método LPCVD incluyen la alta temperatura de

trabajo (más de 500 °C), lo que exige que los sustratos utilizados sean
térmicamente estables a dichas temperaturas. Por ello, sustratos con puntos de
fusión bajos, como las lentes de plástico para gafas y otros elementos ópticos,
no pueden recubrirse con estos sistemas. El proceso es relativamente lento en
comparación con otros métodos; por ejemplo, la deposición de recubrimientos
antirreflectantes puede tardar cuatro horas, frente a menos de una hora con un
sistema de evaporación por haz de electrones (e-beam). Para películas
gruesas, el método puede generar un alto grado de tensiones mecánicas
internas residuales, con una mayor posibilidad de destruir el recubrimiento
óptico. Otra desventaja reside en las limitaciones en la elección de reactivos
precursores y, por lo tanto, en la gama de materiales que pueden aplicarse. Un
proceso de recubrimiento típico mediante LPCVD se limita a la gama de
longitudes de onda de 350 a 2500 nm.

o Deposición química de vapor por impulso de plasma (DQVIP)

(Plasma impulse chemical vapor deposition):

La Deposición Química de Vapor por Impulso de Plasma (DQVIP),

conocida internacionalmente como Plasma Impulse CVD (PICVD), es una
técnica que combina la deposición química y el uso de un plasma de
microondas (Figura 2.8). La cámara de reacción contiene el sustrato (la
superficie de deposición) y se llena con componentes gaseosos precursores,
similares a los utilizados en otros procesos de CVD. Cuando la cámara está
llena con los gases de reacción, se enciende un pulso de plasma de
microondas (Jäger & D'Odorico, 1993). El plasma descompone (activa) los
reactivos iniciales para formar, por ejemplo, capas de SiO 2 o TiO2. Los
productos de la reacción se condensan en la superficie de los elementos
ópticos y luego el proceso se repite (pulso a pulso) con nuevos reactivos.

A continuación, se presenta un ejemplo de parámetros típicos para un

proceso de PICVD:

 Velocidad de deposición: 800-1000 nm/min

 Presión de funcionamiento: ≈ 8,0 Pa
 Temperatura de proceso: entre 327 y 527 °C
 Reactivo precursor: tetracloruro de silicio (SiCl4)
 Gas de proceso (o portador): nitrógeno con un flujo de 1,3-43 l/min.
 Figura 2.8. Proceso de deposición química por impulso de plasma. 1- Gas inerte; 2-
Sustrato; 3- A la bomba; 4- Flujo de plasma; 5- Electrodo externo; 6- Válvula de aguja; 7-
Electrodo interno; 8-Encendido por chispa; 9- Capacitor.

Las ventajas del proceso PICVD (o DQVIP) incluyen su gran estabilidad

y la posibilidad de fijar el grosor de la capa ajustando el flujo de gas y la
potencia del microondas. La temperatura del proceso de deposición del
recubrimiento puede variar desde altas, para sustratos de vidrio, hasta bajas
para sustratos de plástico (por debajo de 100°C). El proceso PICVD tiene una
tasa de deposición del orden de unos cientos de nanómetros por minuto para
los óxidos. El tiempo total de deposición para un recubrimiento de espejo en la
gama del espectro visible, a baja temperatura, es de varios minutos. Este
método permite la formación de recubrimientos muy densos y mecánicamente
fuertes que son insensibles a la humedad. Los recubrimientos también pueden
ser considerados más respetuosos con el medio ambiente en comparación con
las películas delgadas depositadas por el método LPCVD.

El proceso PICVD es muy adecuado para el recubrimiento de superficies

internas y externas de estructuras tridimensionales. Recubrimientos de espejo
a baja temperatura pueden formarse en sustratos ópticos de 35 a 230 mm de
diámetro. Los procesos PICVD también pueden utilizarse para recubrir la
superficie del borde del sustrato. Este proceso se utiliza ampliamente en la
deposición de recubrimientos de espejo e IR sobre sustratos de vidrio. Además,
el proceso es fácil de automatizar y es adecuado para la producción en masa.

Las desventajas del método PICVD incluyen ciertas limitaciones en

relación con la deposición de materiales o sobre sustratos conductores. (Los
problemas de carga pueden dificultar la deposición sobre sustratos aislantes
con capas conductoras. Al igual que en el proceso LPCVD (o DQVBP), la lista
de materiales de recubrimiento que pueden depositarse está limitada por la
disponibilidad de reactivos precursores adecuados.

o Deposición química de vapor mejorada por plasma (DQVMP)

(Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)):

La Deposición Química de Vapor Mejorada por Plasma (PECVD),

conocida internacionalmente como Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition, es una técnica que utiliza una descarga de plasma para
descomponer gases de reacción en radicales activos (Smith, 1995). A menudo,
este plasma se genera mediante una descarga de diodos. El uso del plasma
permite intensificar significativamente el proceso de crecimiento del
recubrimiento, lo que lo diferencia de la deposición química de vapor
tradicional, que se basa únicamente en la descomposición térmica (figura 2.9).

Una de las principales ventajas de la PECVD es que permite la

deposición de películas amorfas y policristalinas a temperaturas de sustrato
mucho más bajas. Este control a baja temperatura ofrece una gran flexibilidad
para manipular la morfología superficial, la estructura y la composición de la
película (Suh & Kim, 2018). Este método es crucial en la industria de la
microelectrónica y los recubrimientos ópticos, ya que evita daños térmicos en
los sustratos sensibles, permitiendo un control preciso sobre las propiedades
finales del recubrimiento, como la densidad, la porosidad y el índice de
refracción.A continuación, se presenta un ejemplo de parámetros para un
proceso típico de PECVD:

 Velocidad de deposición: entre 100 y 140 Å/min

 Presión de trabajo: ≈ 1,33 Pa
 Temperatura de trabajo del sustrato: va desde 175 a 275 °C.
 Caudal de gas de trabajo: entre 20 y 360 cm3/min.

Figura 2.9. Esquema de la deposición química de vapor por plasma1- gas inerte; 2-
proceso de gas; 3- energía HF; 4- sustrato; 5- subproducto; 6-placa calentada

Otras ventajas del proceso PECVD (o DQVMP) ofrece múltiples ventajas

clave para la deposición de películas delgadas (o "recubrimientos"). Una de las
más destacadas es su capacidad para operar a bajas temperaturas (a menudo
por debajo de 300°C, dependiendo del sustrato y el material), lo que lo hace
compatible con una amplia gama de sustratos sensibles al calor, incluyendo
plásticos, y permite mantener interfaces abruptas. Además, las películas
depositadas por PECVD suelen presentar buena densidad, lo que resulta en
propiedades mejoradas como alta dureza, resistencia a la corrosión y
estabilidad ambiental (baja absorción de humedad). El método también permite
un control flexible sobre el estrés de la película y la composición (hasta cierto
punto), ofrece una tasa de deposición relativamente alta en comparación con
CVD térmico a baja temperatura, buena conformabilidad para estructuras 3D y
es escalable para la producción en masa, facilitando además la limpieza de la
cámara en algunos casos.

Las desventajas que presenta la técnica, por ejemplo, los equipos son
más complejos y costosos que los sistemas de CVD térmico, requiriendo
también personal operativo altamente cualificado. Un inconveniente
significativo son los posibles defectos inducidos por el plasma, que provienen
del bombardeo de partículas energéticas (iones y electrones) y la radiación UV,
pudiendo causar daño estructural, incorporar impurezas del gas de plasma
(como hidrógeno) y generar problemas de carga en sustratos aislantes.
Además, la gama de materiales que pueden depositarse está limitada por la
disponibilidad de precursores volátiles y adecuados, similar al LPCVD.
Finalmente, el control sobre múltiples parámetros de plasma hace que las
propiedades de la película puedan ser muy sensibles a las condiciones del
proceso, lo que puede dificultar la reproducibilidad precisa y la uniformidad a
gran escala, y la conformabilidad puede no ser ideal en estructuras de alto
aspecto ratio en comparación con CVD térmico a alta temperatura.

o Deposición de vapor químico por plasma de alta densidad

(DVQPAD) (High density plasma chemical vapor deposition
(HDPCVD)):

La Deposición de Vapor Químico por Plasma de Alta Densidad

(HDPCVD) es un método avanzado que utiliza un plasma de alta densidad,
como un plasma acoplado inductivamente, para descomponer los precursores
y, al mismo tiempo, bombardear con iones la película en crecimiento
(Lieberman & Lichtenberg, 2005). Las especies del plasma, incluidos iones y
radicales, llegan a la superficie de deposición. Esta técnica permite reducir
significativamente la temperatura de trabajo del sustrato y, simultáneamente,
lograr una alta densidad en la película depositada (figura 2.10)

Esta tecnología se presenta como una alternativa a los procesos de CVD

tradicionales, que a menudo exigen temperaturas superiores a 600-800 °C.
Con HDPCVD, es posible depositar materiales como el dióxido de silicio (SiO2),
el nitruro de silicio (SiNx o Si3N4) o el silicio amorfo (a-Si) a temperaturas mucho
más bajas. El plasma de alta densidad no solo facilita la descomposición de los
gases, sino que también proporciona una energía iónica controlable que
compacta la película, lo que se traduce en una calidad comparable a la
obtenida a altas temperaturas. Esta capacidad para trabajar a baja temperatura
y en sustratos de gran tamaño (hasta 300 mm de diámetro) ha hecho del
HDPCVD una herramienta crucial en la microfabricación (S. Wolf & R. N.
Tauber, 1986).

A continuación, se presenta un ejemplo de parámetros típicos para un proceso

de HDPCVD:

 Velocidad de deposición: va de 180 a 400 nm/min

 Presión de funcionamiento: ≈ 0,5 Pa
 Temperatura de trabajo del sustrato: entre 80 y 350 °C
 Caudal de gas de trabajo: entre 0 y 240 cm3/min
Figura 2.10. Esquema del reactor para la aplicación del método HDPCVD1 Entrada de gas
1; 2 Potencia de la bobina HF; 3 Sustrato; 4 Potencia del cartucho HF; 5 Entrada de gas

Las ventajas del método CVD para la formación de películas delgadas

destaca la excepcional alta conformabilidad, permitiendo depositar capas
uniformes sobre topografías complejas y estructuras tridimensionales. Al ser un
proceso no basado en plasma o bombardeo directo, minimiza o elimina el daño
por radiación y partículas energéticas en el sustrato y la película en
crecimiento. Facilita la obtención de alta adhesión gracias a la formación de
enlaces químicos sólidos en la interfaz y, en muchos casos, permite la
deposición selectiva. El CVD es extremadamente versátil en cuanto a la gama
de materiales que pueden depositarse, ofreciendo una amplia flexibilidad en la
química del proceso. Las películas suelen presentar una alta pureza intrínseca,
y el método es capaz de alcanzar velocidades de proceso relativamente altas.
Aunque varía según el diseño, algunos sistemas pueden presentar
características que mitigan la deposición en las paredes o facilitan la
autolimpieza.

Como desventajas de importantes para esta técnica, la deposición no

deseada en las paredes del reactor es un problema recurrente, que genera
contaminación por partículas, consume precursores y requiere ciclos de
limpieza frecuentes, limitando el tiempo de actividad. Muchos procesos de CVD
requieren altas temperaturas de sustrato, lo que restringe los tipos de
materiales de sustrato que pueden utilizarse y puede inducir estrés térmico. El
manejo de precursores químicos a menudo implica el uso de sustancias
tóxicas, corrosivas o pirofóricas, lo que exige protocolos de seguridad rigurosos
y equipos especializados para su manipulación y el tratamiento de los
subproductos reactivos. Aunque la gama de materiales es amplia, la deposición
está limitada por la disponibilidad de precursores volátiles y térmicamente
estables adecuados para cada material deseado. Finalmente, el control preciso
de los múltiples parámetros del proceso es crucial para lograr la uniformidad y
reproducibilidad deseadas, lo que puede aumentar la complejidad operativa.

 Métodos físicos

o Evaporación por haz de electrones (Electron Beam)

Entre los métodos físicos de deposición en vacío más utilizados en la

actualidad se encuentra la técnica de evaporación por haz de electrones
(Morton & Dinca, n.d.). La esencia del método reside en la evaporación de la
materia prima colocada en un crisol, lograda mediante el calentamiento
focalizado de un cañón de haz de electrones (Morton & Dinca, n.d.). Un
esquema de un sistems de evaporador se muestra en la figura 2.11. El cañón
genera una corriente de electrones que es enfocada por un electroimán sobre
el crisol con el material a vaporizar. Cuando el haz calienta el material, este se
evapora, y el vapor resultante se desplaza hacia la parte superior de la cámara,
donde se condensa en los sustratos. Para mejorar la uniformidad del espesor,
los sustratos se hacen girar en la cámara en un plano o en un sistema de
rotación planetaria. Para mejorar la calidad del recubrimiento (durabilidad), el
sustrato se calienta, a menudo a una temperatura nominal como 300°C (Morton
& Dinca, n.d.).

También se puede conseguir un efecto similar, como el aumento de

densidad, mediante la asistencia de un haz de iones procedente de una fuente
de iones autónoma que se dirige al sustrato durante la deposición (Cuomo et
al., n.d.; Martin et al., n.d.; Morton & Dinca, n.d.). En esta tecnología, el grosor
de las distintas capas suele controlarse mediante un sistema de control óptico
en tiempo real.
Figura 2.11 - Esquema de un evaporador de haz de electrones. 1- soporte de sustrato; 2-
obleas; 3- pistola de iones; 4- pistola de haz de electrones; 5- fuente de resistencia; 6-
calentadores; 7-alimentación de alto voltaje/alimentación; 8-sistema de rotación
planetaria; 9-bomba de crio o difusión
Un ejemplo de los parámetros típicos para un proceso de evaporación
por Haz de Electrones es el siguiente:

 Velocidad de deposición: 5-10 Å/seg;

 Presión de funcionamiento: ≈ 0,01 Pa;
 Tensión de aceleración: hasta 10 kV;
 Corriente de emisión: hasta 200 mA

Las ventajas del método de Evaporación por Haz de Electrones son

diversas. Permite la deposición fácil y rápida de varios materiales (gracias a
unidades con múltiples crisoles, útil para la formación de recubrimientos
multicapa, incluso en diseños compactos). Facilita la aplicación de materiales
en forma de pellets o pastillas y logra una alta utilización del material en el
crisol, resultando en un coste relativamente bajo por proceso de deposición. El
sistema de control óptico integrado permite un control y corrección flexibles de
las características de la capa durante el proceso. Además, este método es
comúnmente utilizado para depositar películas con un alto grado de
transparencia, esenciales para aplicaciones ópticas.

No obstante, el método de Evaporación por Haz de Electrones presenta

ciertas desventajas. Existe una limitación en la carga de lotes sobre el carrusel
del proceso en la producción en serie, dado que el sistema solo utiliza la parte
superior de la cámara, que además tiene un volumen de vacío relativamente
grande. Si bien su tasa de deposición es competitiva, puede ser más lenta en
comparación con algunas tecnologías químicas de plasma de alta tasa (como
PICVD). Para obtener recubrimientos densos, se requiere una temperatura de
sustrato relativamente alta, lo que dificulta el recubrimiento de sustratos
sensibles a bajas temperaturas. Finalmente, esta tecnología no permite el
recubrimiento de productos con una superficie muy desarrollada y, en
consecuencia, no proporciona un nivel de conformabilidad aceptable, al ser un
proceso direccional.

o Pulverización catódica por magnetrón (Magnetron Sputtering):

El método de pulverización catódica por magnetrón es ampliamente utilizado en

diversos campos industriales y científicos (Shon et al., 1999; Golosov et al., 2014). Se
emplea para producir capas funcionales delgadas con elevadas propiedades eléctricas,
mecánicas y químicas en micro y nanoelectrónica, así como para el recubrimiento de
cristales de ventanas arquitectónicas de grandes dimensiones (más de 3 metros)
(Seshan, n.d.). Para las aplicaciones de micro y nanoelectrónica se utilizan sistemas de
batch (o "agrupación") con diámetros de sustrato de hasta 300 mm, mientras que para
el recubrimiento arquitectónico se emplean líneas de vacío de producción "In-line" que
cubren cientos de metros cuadrados por minuto con sistemas de magnetrón sputtering
de más de 3,2 m de longitud. .En electrónica y óptica, las máquinas de tipo batch se
utilizan más comúnmente para la producción por lotes; un ejemplo se muestra en la
Figura 14. Normalmente, las fuentes de magnetrón (a veces referidas como MSS -
magnetron sputtering system en el contexto del sistema completo) se sitúan en la
periferia de la cámara y los sustratos están en la superficie de un tambor central. El
tambor gira, asegurando la deposición uniforme del recubrimiento en todos los
sustratos.

El componente básico de estos sistemas es la fuente de magnetrón, mostrada

en la Figura 2.12 (Zhukov et al., n.d.). La fuente consiste en un blanco (que actúa como
cátodo) detrás del cual hay un conjunto de imanes que crean una trampa magnética
(Shon et al., 1999). Encima de los imanes, se coloca una placa de material llamada
blanco (target) (Zhukov et al., n.d.).

Figura 2.12. Esquema de un magnetrón sputtering. 1-Aplicador de microondas; 2- Sensor

de gas reactivo y retroalimentación; 3- Sustratos; 4- Fuente de corriente constante; 5-
Rotación del tambor; 6-Bomba
Después de evacuar la cámara, esta se llena con un gas de trabajo,
normalmente argón. Se aplica una tensión al cátodo (el blanco). Los electrones,
contenidos en la parte frontal del cátodo, se aceleran e ionizan los átomos y
moléculas del gas, quedando atrapados por el campo magnético de la fuente.
Como resultado de esta ionización, se forman iones que pulverizan el blanco, y
una corriente de material, en su mayoría atómico, es transportada hacia el
sustrato. Durante este proceso, se pueden añadir a la cámara gases
químicamente activos, normalmente oxígeno o nitrógeno, para producir
películas (o "recubrimientos") de nitruros u óxidos (sputtering reactivo). Sin
embargo, los procesos reactivos de corriente continua (CC) tienen una serie de
limitaciones (como el envenenamiento del blanco). Por lo tanto, se utilizan
fuentes de magnetrón alimentadas por pulsos (por ejemplo, frecuencia media -
MF) o por RF (13,56 MHz) para mitigar estos problemas. Estos procesos de
sputtering (incluyendo sus variantes pulsadas/RF) también son muy adecuados
para depositar sobre sustratos de gran superficie con gran uniformidad.
Además, el bombardeo con haces de iones se utiliza a menudo (ya sea como
pre-tratamiento o simultáneamente) para limpiar los sustratos e influir en las
propiedades de adhesión entre el sustrato y el recubrimiento.

A continuación, se presenta un ejemplo de parámetros típicos para un

proceso de pulverización catódica por magnetrón:

 Tasa de deposición: 1,2-40 nm/min;

  Tensión de encendido: 1 kV;
 Presión de trabajo: 0,04 - 1 Pa;
 Temperatura del sustrato: 40-400 °C
 Tensión de Polarización del Sustrato (Substrate Bias): 0-150 V.

Las ventajas del método de pulverización catódica por magnetrón son

diversas. Incluyen una alta capacidad de carga y una velocidad de aplicación
comparativamente rápida para obtener recubrimientos de alta calidad. Por
ejemplo, recubrimientos transparentes en el espectro visible pueden aplicarse
en menos de una hora. Las películas producidas por este proceso suelen tener
buenas propiedades mecánicas, ambientales y térmicas y pueden funcionar a
temperaturas de hasta 1000 °C (temperatura de operación de la película). El
control de los parámetros del proceso, como la tensión de polarización del
sustrato, permite ajustar y reducir a cero las tensiones internas. Además, la
técnica permite pulverizar simultáneamente varios materiales (codeposición),
como dos con índices de refracción diferentes, para formar películas con un
valor de índice de refracción intermedio que puede modificarse dentro de un
amplio rango ajustando la composición. Aunque a menudo requiere calentar el
sustrato para optimizar las propiedades, el proceso de deposición por
magnetrón se considera de baja a moderada temperatura en comparación con
el CVD térmico de alta temperatura, lo que permite recubrir sustratos sensibles
como plásticos y otros materiales con puntos de fusión bajos. La variante de
sputtering por RF es particularmente ventajosa, permitiendo trabajar
eficazmente con blancos dieléctricos y depositar de forma reproducible
materiales multielementos con estequiometría definida.

Las desventajas del método de pulverización catódica por magnetrón

incluyen varios aspectos. La presión de funcionamiento relativamente alta
conduce a la incorporación de átomos del gas de trabajo (normalmente argón)
en la película (o "recubrimiento"), lo que reduce su densidad y, en
consecuencia, afecta negativamente a otras propiedades. Esto puede limitar la
idoneidad de las películas para aplicaciones muy exigentes como
recubrimientos UV de alta calidad, espejos para láseres de alta potencia o
recubrimientos con reflectancia ultra alta (R > 99,9%).

Otro inconveniente son los costes de material, especialmente para

blancos (targets) de materiales de alto precio, dada la considerable cantidad de
material necesaria para fabricar un blanco, a diferencia de los pocos gramos
utilizados en un sistema de evaporación por haz de electrones. Además, los
sistemas de sputtering por magnetrón requieren más tiempo para cambiar los
blancos, un proceso que no puede hacerse sin romper el vacío en la cámara.

Finalmente, cuando se depositan materiales dieléctricos (aislantes), es

necesario utilizar fuentes de alimentación pulsadas (DC pulsada, MF) o de alta
frecuencia (RF) para evitar la acumulación de carga positiva en la superficie del
blanco que detendría la descarga, lo que incrementa la complejidad y el coste
del equipo en comparación con el sputtering DC simple.
 o Pulverización catódica por haz de iones (PCHI) (IBS - Ion Beam
Sputtering.

El método de pulverización catódica por haz de iones (IBS, por sus

siglas en inglés) es similar a la pulverización catódica por magnetrón, ya que
ambos sistemas utilizan un blanco y un flujo de iones para pulverizarlo (McNeil
et al., 1989). En la figura 2.13 se obserab un esquema general de este sistema.
Sin embargo, el método de IBS se distingue por utilizar un haz de iones dirigido
desde una fuente de iones autónoma (Cuomo et al., 1989; Martin et al., 1983;
Scrivens, 2004), lo que implica que la generación del flujo de iones no depende
de las propiedades del blanco. La fuente de los iones suele ser una descarga
luminosa independiente o un plasma no autodescargable. El haz de iones se
extrae y los iones se aceleran hasta la energía deseada en un sistema óptico-
iónico especializado, como rejillas de extracción (McNeil et al., 1989). El flujo
de material procedente del blanco pulverizado se condensa en un sustrato, que
puede mantenerse a temperatura ambiente o calentarse a una temperatura
determinada.

El bombardeo del blanco (target) suele realizarse con iones de un gas

inerte, comúnmente argón, transportados en un flujo concentrado: un haz. Para
pulverizar el blanco con mayor eficacia, el haz de iones suele incidir en él con
un ángulo de 45° (McNeil et al., 1989). El material pulverizado se deposita en
los sustratos, que pueden estar montados en un carrusel tecnológico giratorio o
en un tambor. El espesor de la película se determina mediante un sistema de
control por cristal de cuarzo o un sistema de control óptico (Willey, 1998)
A continuación, se presenta un ejemplo de parámetros típicos para un proceso
de IBS:

 Velocidad de deposición: 0.6-60 nm/min

 Presión de funcionamiento: ≈ 0,01 Pa;
 Energía de los iones: 0,1-10 keV;
 Corriente del haz de iones: ≈ 0,05-0,3 A;
 Temperatura del sustrato: entre 25 y 400 °C

Las ventajas del método de pulverización catódica por haz de iones

(IBS) incluyen la posibilidad de aplicar películas delgadas y ultrafinas de
diferentes materiales con un control excepcional. La absorción y la dispersión,
como parámetros ópticos críticos, suelen ser extremadamente bajas en estas
películas, medidas típicamente en partes por millón (millonésimas). Esta baja
dispersión y absorción de los elementos ópticos recubiertos permite su uso en
sistemas ópticos láser de alta potencia, así como para recubrimientos con
reflectancia ultra alta (R > 99,99%) y en productos para la gama UV, donde la
pérdida óptica es crítica. Debido a la tasa de pulverización relativamente baja,
esta tecnología ofrece la máxima precisión y reproducibilidad, resultando en
recubrimientos de muy alta calidad. Las películas presentan una estructura
ultradensa, muy cercana a la del material a granel, lo que les confiere una alta
durabilidad.
 Figura 2.13. Diagrama esquemático del sputtering por haz de iones. 1- objetivo; 2- flujo
de iones; 3- pistola de iones; 4- bomba detrás del sistema; 5- fuente de energía; 6-
sistema de rotación; 7- soporte del sustrato; 8- material atomizado 9- convertidor del
objetivo 10- puerta

Las desventajas del método IBS (o pulverización catódica por haz de

iones) incluyen su baja velocidad de recubrimiento. Por ello, la aplicación de un
recubrimiento antirreflectante típico en el rango visible puede requerir muchas
horas, lo que hace que la técnica sea inaceptable para la producción de
grandes volúmenes. Existen limitaciones significativas en cuanto a la masa y el
tamaño máximo de los sustratos que pueden recubrirse; los sistemas
industriales suelen limitarse a sustratos de hasta varios centímetros de
diámetro. Los recubrimientos producidos por este método pueden presentar
tensiones internas residuales muy elevadas. La deposición de un recubrimiento
multicapa sobre un sustrato delgado puede incluso provocar la deformación de
este último. La técnica IBS, al igual que la evaporación por haz de electrones,
ofrece una baja conformabilidad y, por tanto, sólo es adecuada para el
recubrimiento de superficies relativamente lisas de elementos ópticos.

Como resultado del análisis comparativo de las diversas técnicas de

deposición en vacío (CVD, PECVD, HDPCVD, IBS, y Evaporación por Haz de
Electrones), se determinó que el método de evaporación por haz de electrones
es el preferido para llevar a cabo las investigaciones sobre la formación de
recubrimientos antirreflectantes en el marco del presente trabajo. Esta elección
se fundamenta en que la Evaporación por Haz de Electrones logra un equilibrio
adecuado entre la calidad de las películas obtenidas (suficiente para las
propiedades ópticas requeridas en recubrimientos AR en el rango visible/UV
cercano, especialmente cuando se optimizan parámetros como la temperatura
del sustrato o se considera la asistencia iónica) y aspectos prácticos como una
velocidad de deposición competitiva (más alta que técnicas lentas como IBS,
facilitando ciclos de investigación más rápidos) y un coste/complejidad de
equipamiento generalmente menor en comparación con sistemas de plasma o
IBS de alta gama. Además, es una técnica bien establecida y versátil para la
deposición de una amplia gama de materiales ópticos comunes, y su
compatibilidad con sistemas de control óptico en tiempo real facilita la
fabricación precisa de las estructuras multicapa características de los
recubrimientos antirreflectantes.

1.3. Dispositivos tecnológicos para los recubrimientos de interferencia

óptica

La tecnología de deposición de películas delgadas ha evolucionado

enormemente desde que se introdujo el primer recubrimiento de interferencia
óptica de una sola capa ya hace más de 70 años (Czajkowski, n.d.; Fulton,
n.d.). Hoy en día, técnicas avanzadas como la pulverización catódica por
magnetrón, la pulverización catódica por haz de iones (IBS) y la evaporación
asistida por iones (IBAD) se encuentran entre las tecnologías preferidas para la
producción de películas delgadas (o "recubrimientos").

El proceso de diseño y desarrollo de recubrimientos de películas

delgadas ha mejorado considerablemente desde que Alexander Smakula
inventó, realizó y patentó el primer procedimiento de recubrimiento de una sola
capa en 1935, mientras trabajaba en Carl Zeiss en Jena (Alemania). Él creó el
primer método práctico de deposición de películas delgadas utilizando
tecnología de vacío para aplicar un compuesto de fluoruro a una lente de vidrio.
El resultado fue la eliminación de los efectos de reflexión desfavorables
inherentes al vidrio. La contribución de Smakula al desarrollo de los
recubrimientos de interferencia óptica no solo mejoró significativamente el
rendimiento de muchos dispositivos ópticos, sino que también despertó un
nuevo interés entre los investigadores para seguir explorando la tecnología de
películas delgadas (Czajkowski, n.d.; Fulton, n.d.) . En aquel momento, las
lentes fotográficas eran la principal aplicación de las películas delgadas; desde
entonces, la industria del recubrimiento óptico ha crecido hasta servir a un
mercado global valorado en aproximadamente 2.100 millones de dólares en
todo el mundo

 Sistema de pulverizacion catódica por magnetrón (Magnetron

Sputtering):

Los sistemas de Magnetron Sputtering (SMS) y, por lo tanto, el método de

pulverización catódica por magnetrón, se han desarrollado rápidamente en las
últimas tres décadas (Musil, 1998; Depla & Mahieu, 2008). En ese período, el
método se estableció como una de las principales opciones de proceso para la
deposición de películas delgadas asistida por plasma para diversas
aplicaciones (Golosov et al., 2014; Seshan, 2002). Estos sistemas permiten
una gran variedad de formas para los blancos (targets) de sputtering, para los
soportes de sustrato y para su mutua disposición espacial Se presenta una
visión general de las tendencias actuales en el desarrollo del magnetrón y de
las ventajas de los recubrimientos obtenidos por magnetron sputtering.
Una de las características distintivas del SMS es el confinamiento del plasma
cerca de la superficie del blanco (target), gracias al atrapamiento de los
electrones por el campo magnético (Shon et al., 1999).

Las características de emisión de un SMS cambian muy lentamente con

el tiempo, como resultado de la erosión gradual del blanco en la zona de fuerte
pulverización (el erosion track). El SMS es esencialmente una fuente con un
gran "stock" de material pulverizable en el blanco, lo que hace posible construir
plantas con SMS continuas (In-line), capaces de integrar limpieza iónica,
grabado y deposición de material en un solo ciclo de vacío, lo cual es necesario
para construir una producción automatizada flexible.

o Diseño típico de un sistema típico de sputtering por magnetrón

El sistema de magnetrón sputtering se realiza en cámaras de vacío (Figura

2.14). Dentro de estas cámaras se encuentra el sustrato, que puede conectarse
a un potencial positivo o negativo, o dejarse flotante, mientras que el blanco
(target) se utiliza como cátodo.

Figura 2.14. Diagrama esquemático del sistema magnetrón sputtering multi-blanco

El proceso se inicia evacuando el aire de la cámara de vacío mediante

una bomba mecánica hasta alcanzar una presión de 1×10 −2 mbar. A esta
presión se enciende una bomba turbomolecular para llegar a una presión de
fondo de 6×10−6 mbar. Posteriormente, la cámara se llena con un gas de
trabajo, generalmente Argón. Se aplica una diferencia de potencial (tensión)
entre el ánodo y el cátodo (típicamente de 300 a 5000 V), lo que crea una
descarga eléctrica luminosa (plasma) y la ionización del gas. Esta descarga se
automantiene gracias a la emisión de electrones secundarios desde el cátodo.
Los iones positivos del plasma se aceleran hacia el blanco (cargado
negativamente), impactándolo con suficiente energía y momento para
pulverizar átomos del material del blanco. Estos átomos pulverizados viajan a
través de la cámara y se condensan en la superficie del sustrato, formando la
película (Zhukov et al., n.d.; Seshan, 2002).

En el magnetrón sputtering no reactivo, el gas inerte Argón no es

partícipe de la formación de compuestos; su función principal es generar el
plasma que pulveriza el material del cátodo (blanco). No obstante, este sistema
puede ser reactivo cuando se añade un segundo gas químicamente activo,
como nitrógeno u acetileno. Estos gases reaccionan con los átomos
pulverizados del blanco (por ejemplo, un metal) sobre la superficie del sustrato,
resultando en la formación de un compuesto (como un nitruro o un carburo)
que se deposita como película (Depla & Mahieu, 2008).

El sistema magnético de un magnetrón también puede basarse en un

electroimán. Sin embargo, el uso de electroimanes supone ciertas desventajas:
un aumento del tamaño de la fuente, la necesidad de estabilizar la alimentación
del solenoide y desafíos en el aislamiento eléctrico del mismo bajo condiciones
de intensa refrigeración por agua. Por lo tanto, los sistemas magnéticos
basados en electroimanes se utilizan con mayor frecuencia en estudios
experimentales para seleccionar la configuración y la magnitud óptimas del
campo magnético en relación con las condiciones específicas y el diseño del
sistema de magnetrón sputtering (SMS) (Shon et al., 1999). Una forma más
práctica y tradicional, especialmente en sistemas de producción, es utilizar
imanes permanentes. Dependiendo de la configuración del campo magnético,
los SMS se dividen en los siguientes tipos:

A) Equilibrado (Figura 18a);

B) Desequilibrado tipo I (Figura 18b);
C) Desequilibrado tipo II (Figura 18c).

Figura 2.15 SMS con un blanco planar y diferentes configuraciones de campo magnético
a - sistema magnético equilibrado; b - sistema magnético desequilibrado con disipación
 del campo magnético fuera del sustrato (tipo 1); c - sistema magnético desequilibrado
con un componente de campo vertical dirigido hacia el sustrato (tipo H)

Esta descripción esquemática del principio de funcionamiento de un

magnetrón es una aproximación y no refleja toda la complejidad de los
numerosos procesos interrelacionados que ocurren en el sistema.

Los principales parámetros de funcionamiento de un sistema de

sputtering por magnetrón son: el voltaje del electrodo; la magnitud de la
corriente de descarga; la densidad de corriente del blanco; la magnitud de la
presión del gas de funcionamiento y la inducción del campo magnético. En
general, la tasa de deposición depende de varios factores. Entre ellos se
encuentran los siguientes:

La tasa de pulverización del blanco, que viene determinada

principalmente por la tasa de pulverización intrínseca del material del blanco, la
energía de los iones y su densidad en la superficie del cátodo. Las tasas de
pulverización y de deposición son proporcionales a la potencia eléctrica
aplicada.

El tamaño de la zona de erosión, que determina el factor de utilización

del material del blanco y es aproximadamente igual al área del blanco sobre la
que las líneas de campo magnético son paralelas a la superficie.
La distancia entre el blanco y el sustrato, que se elige para aislar el
sustrato de la zona de descarga intensa (también influye en la uniformidad y la
tasa).

Los parámetros de funcionamiento de los sistemas de sputtering por

magnetrón se indican en la Tabla 2.4, Мамаев, А. С. (2012)

Tabla 2.4. Parámetros del SMS por corriente continua.

Parámetro Valor
Presión, Pa 10-2 – 1
Presión de gas de funcionamiento, Pa 0,3 - 1,5
Corriente de descarga, A 0,25 - 1
(1-100 para la
potencia)
Tensión de descarga, V 400 - 800
Potencia específica, W/cm 2 ~100
2
Densidad de corriente iónica, A/cm 0,1 - 0,2
Inducción magnética, Tesla 0,01 - 0,05
Densidad del plasma, cm-3 1010 - 1014
 Energía, eV:
Electrones primarios 2 – 20
Electrones secundarios 400 – 800
Iones 0,2 – 2
Reflexión de los átomos del gas de trabajo en el blanco 50 – 150
Evaporación de los átomos del objetivo 20 – 100
Radio hidromagnético (mm):
Electrón 1-3
Ion 5 -50
Anchura del espacio catódico oscuro (mm) 3
Distancia al sustrato. Cm 5-20
Velocidad de deposición, nm/min hasta 3.600
Grado de utilización del material objetivo. % Hasta el 80
Uniformidad del grosor de la película aplicada. % <±0.02
Diámetro del objetivo, m 0.05-5
Material objetivo Metales,
aleaciones,
compuestos
Superficie del sustrato, m Hasta 3,2 x 6
Velocidad de pulverización, μm/min:
Para material con baja tasa de pulverización (W, M, etc.) 0,1 -0,5
Para materiales con alta tasa de atomización (Ag, Au, Pt, Si) 1- 1,5

Los sistemas de pulverización por magnetrón se pueden dividir (o "se

dividen") en varios tipos según la forma del blanco: planar (con disco o cátodo
extendido); cónico; y cilíndrico Мамаев, А. С. (2012). (Véase la Figura 2.16.).

 Planar.
 Cónico.
 Cilíndrico.

Figura 2.16. Principales tipos de esquemas de diseño de SMS utilizados. a - SMS plana, b
- SMS con objetivo cónico, c - cilíndrica SMS. 1 - cátodo (blanco); 2 - ánodo; 3 - sistema
magnético; 4 - dirección de las líneas de fuerza del campo magnético
Dependiendo de la geometría del sistema magnético, las fuentes de magnetrón
(o "los conjuntos catódicos") pueden diseñarse con diferentes configuraciones.
Entre las más utilizadas se encuentran las de forma:

 Cilíndrica (Figura 2.17)

 Circular (Figura 2.18)
 Rectangular (o lineal) (Figura 22.19);
Con el magnetrón cilíndrico, el blanco (target) de material de
pulverización se convierte en un tubo (Zhukov et al., n.d.). El sistema
magnético puede montarse dentro del tubo (resultando en la pulverización de la
superficie exterior del blanco) o alrededor de él (pulverizando la superficie
interior del blanco) (Shon et al., 1999). El plasma se localiza en la superficie de
pulverización mediante un campo magnético en forma de arco anular. El
sustrato se coloca alrededor del cátodo (para el sputtering externo) o hacia el
interior de su eje (para el sputtering interno). En este último caso, se obtiene un
mayor factor de utilización del blanco. Estos sistemas se caracterizan por
densidades de corriente de 10 mA/cm² a 200-300 mA/cm² y una uniformidad
suficientemente alta de los recubrimientos aplicados. En los SMS (o
magnetrones) cilíndricos, el factor de utilización del material del blanco puede
alcanzar el 80% (Golosov et al., 2014; Seshan, 2002).

Figura 2.17. Sistema de magnetrón sputtering cilíndrico.

Sin embargo, existen dos desventajas inherentes a los magnetrones cilíndricos

con cátodos giratorios. Por lo general, la anchura del sistema magnético debe
ser pequeña, lo que provoca giros bastante bruscos de los electrones a la
deriva en los extremos del sistema magnético. Esto resulta en un aumento de
las pérdidas de electrones en los extremos del blanco. Una segunda
desventaja es la erosión acelerada del blanco en los lugares donde los imanes
(y la ranura de pulverización) forman un giro en forma de U. Esto da lugar a la
formación de ranuras en ambos extremos del blanco donde la tasa de erosión
supera la media a lo largo del blanco.

Un sistema de magnetrón circular (un tipo de magnetrón planar).

Además, el sistema magnético permite concentrar el campo en la superficie de
pulverización del cátodo, lo que permite duplicar la densidad de corriente en el
cátodo y lograr mayores tasas de deposición.

Aunque en un sistema con un magnetrón cónico se consigue una

deposición de la película más uniforme en ciertas condiciones, para recubrir
una gran superficie de sustratos simultáneamente con alta uniformidad, a
menudo son necesarios dispositivos de rotación planetaria en la cámara.

Figura 2.18. Sistema de magnetrón sputtering circular.

Los sistemas de magnetrón sputtering han evolucionado hacia la

generalización de los sistemas planares o rectangulares (Seshan, 2002). En
estos sistemas, el conjunto de imanes está montado en un soporte refrigerado
por agua que no introduce contaminación en la cámara de trabajo (Shon et al.,
1999). Los magnetrones planares permiten alcanzar altas densidades de
corriente en la zona de pulverización, conocida como la pista de erosión
(erosion track), y velocidades de deposición comparables a las de los métodos
de evaporación en alto vacío (Depla & Mahieu, 2008; Seshan, 2002).

Una desventaja de este sistema es que la erosión se concentra en una

estrecha zona anular del blanco, lo que resulta en una baja utilización del
material del blanco, generalmente alrededor del 25% (Depla & Mahieu, 2008).
 Figura 2.19. Sistema de magnetrón sputtering extendido
con blanco rectangular
Aunque existe una gran variedad de diseños de sistemas de pulverización
por magnetrón, los más comunes en la industria son los sistemas con
configuraciones de blancos planos. Estos diseños son relativamente fáciles de
mantener y permiten la aplicación de una amplia gama de recubrimientos
deseados con propiedades específicas.

 Evaporación por haz de electrones:

Los haces de electrones se utilizan ampliamente en equipos tecnológicos

para calentamiento, soldadura, fusión, el procesamiento dimensional y para la
investigación fundamental y aplicada, incluida la nanotecnología (Morton &
Dinca, n.d.). La esencia de la interacción con haz de electrones es que la
energía cinética del haz (pulsado o continuo) se convierte en energía térmica
en la zona de tratamiento. Dado que la potencia y la densidad de energía del
haz son elevadas, es posible producir una amplia gama de efectos térmicos en
el material: calentamiento a temperaturas específicas, fusión y vaporización a
altas velocidades. La capacidad de concentrar la energía térmica en la zona de
tratamiento para lograr los efectos necesarios (como la vaporización de
prácticamente cualquier material) y llevar a cabo el proceso en vacío garantiza
la pureza del material procesado, así como la completa automatización del
equipo (Morton & Dinca, n.d.).

Los evaporadores de haz de electrones se basan en el hecho de que la

energía cinética de una corriente de electrones acelerados que bombardean la
superficie de una sustancia se convierte en energía térmica, lo que hace que se
caliente hasta su temperatura de evaporación (Seshan, 2002).

El esquema de un evaporador de haz de electrones (figura 2.20) consta de

tres partes principales: el cañón de electrones, el sistema de desviación (o
deflectores) y el crisol refrigerado por agua. El cañón de electrones tiene como
función generar un flujo de electrones. Este consta de un termocátodo de
tungsteno (elemento 6 en la figura) y un sistema de enfoque (elemento 7). Los
electrones emitidos por el cátodo pasan a través del sistema de enfoque, se
aceleran debido a la diferencia de potencial entre el cátodo y el ánodo
(generalmente hasta 10 kV) y forman un haz de electrones (elemento 8).

Figura 2.20. Esquema de un evaporador de haz de electrones.1 - punta de poste, 2 -

electroimán, 1 - crisol refrigerado por agua, 4 - material a evaporar, 6 - termocátodo, 7 -
sistema de enfoque, 8 - haz electromagnético, 9 - película fina, 10 – sustrato
El sistema de desviación está diseñado para crear un campo magnético
perpendicular a la dirección de la velocidad de los electrones que salen del
sistema de enfoque del cañón. Este sistema consiste en las puntas de los polos
(elemento. 1 en la figura) y el electroimán (elemento 2). Entre las puntas de los
polos se sitúan el crisol refrigerado por agua (elemento 3) y el cañón de
electrones. Al desviar el haz de electrones con el campo magnético, este se
dirige a la parte central del crisol. En el lugar de incidencia del haz se crea una
zona local de evaporación, a menudo en la fase líquida del material. El material
en el crisol (elemento 4) bombardeado con electrones se evapora, y el flujo de
vapor (elemento 5) se deposita como una película delgada (elemento 9) sobre
el sustrato (elemento 10). Variando la corriente en la bobina del electroimán, el
haz puede ser barrido a lo largo de la superficie del material en el crisol,
evitando la formación de un "cráter" y mejorando la utilización del material a
vaporizar.

Los crisoles de cobre refrigerados por agua, con capacidades de 50 cm³

o más, permiten un funcionamiento continúo prolongado sin necesidad de
añadir material de evaporación durante el proceso. Además, gracias a la
refrigeración, el material en estado fundido generalmente no entra en contacto
directo con las paredes de cobre del crisol, lo que evita reacciones no
deseadas.

Las desventajas de estos evaporadores por haz de electrones son la

complejidad de los equipos de alimentación y control de alta tensión. También
presentan dificultad para vaporizar metales de alta conductividad térmica (como
cobre, aluminio, plata y oro) debido a la rápida disipación del calor hacia el
crisol refrigerado por agua. Se suma la necesidad de sustituir frecuentemente
el cátodo (filamento) y los requisitos de seguridad asociados a la alta tensión
de alimentación necesaria para generar el haz.
 o El principio de funcionamiento del evaporador de haz de
electrones

Para generar el flujo de electrones se utiliza un cañón de electrones

(Morton & Dinca, n.d.), compuesto por un termocátodo de tungsteno y un
sistema de enfoque. Los electrones emitidos pasan por este sistema, son
acelerados por una diferencia de potencial de hasta 10 kV entre el cátodo y el
ánodo y se forman en un haz de electrones. El sistema de desviación genera
un campo magnético perpendicular a la dirección de desplazamiento de los
electrones que salen del sistema de enfoque del cañón. Este campo dirige el
haz de electrones hacia la parte central del crisol refrigerado por agua,
creándose una zona localizada de calentamiento y vaporización del material (a
menudo en fase líquida) en el punto de incidencia del haz. El flujo de material
vaporizado se deposita en forma de una película delgada sobre un sustrato que
suele situarse a cierta distancia por encima del vaporizador. Variando la
corriente en la bobina del solenoide de control del deflector, el haz puede ser
escaneado a lo largo de la superficie del material en el crisol, lo que evita la
formación de un "cráter" en el material a vaporizar.

Fig.2.21. Evaporador de haz de electrones

En el cañón de electrones se produce la emisión de electrones libres

desde la superficie del cátodo. Estos electrones son acelerados y focalizados
por campos electrostáticos y magnéticos, formando un haz que es conducido a
la cámara de trabajo a través de la abertura de salida. El haz de electrones es
guiado hacia el crisol que contiene el material a vaporizar; los parámetros
requeridos del haz se consiguen utilizando principalmente lentes de enfoque
magnético y sistemas de deflectores. Solo en alto vacío el haz puede pasar sin
obstáculos hasta el objetivo (el material en el crisol).(Figura. 2.22)
 Figura 2.22. Ilustración del funcionamiento de un
sistema de evaporador de haz de electrones

Al bombardear una superficie con un haz de electrones, la energía

cinética del haz se convierte en energía térmica, calentando el material hasta
una temperatura en la que se evapora a la velocidad deseada. En la corriente
de vapor resultante, se coloca un sustrato sobre el que se condensa el material
vaporizado en forma de una película delgada. El sustrato suele situarse a cierta
distancia por encima del vaporizador. La unidad de evaporación se
complementa con equipos de medición y control, especialmente importantes
para controlar el haz de electrones durante el proceso de evaporación (Morton
& Dinca, n.d.).

El sistema de desviación genera un campo magnético perpendicular a la

dirección de desplazamiento de los electrones que salen del sistema de
enfoque del cañón. Este campo dirige el haz de electrones hacia la parte
central del crisol refrigerado por agua. En el punto de incidencia del haz, se
crea una zona localizada de calentamiento y vaporización del material (a
menudo en fase líquida). En el caso más sencillo, un haz de electrones se
dirige al material que se va a vaporizar desde arriba o en ángulo oblicuo a la
superficie. Variando la corriente en la bobina del solenoide de control del
deflector, el haz puede ser escaneado a lo largo del crisol, lo que evita la
formación de un "cráter" profundo en el material a vaporizar. Los generadores
de haces de electrones de largo alcance se utilizan para enfocar el haz y
obtener la potencia específica necesaria en la superficie del material (Seshan,
2002).

Los crisoles de cobre refrigerados por agua con capacidades que varían
entre 7, 13, 15, 18, 25, 40 y 156 cm³ son comunes. Esto permite un
funcionamiento continúo prolongado sin la adición de material de evaporación.
Además, el material fundido generalmente no entra en contacto directo con las
paredes de cobre del crisol gracias a la refrigeración ("cold hearth"). En
general, es posible utilizar material moldeado al tamaño del crisol (evaporación
sin crisol) o utilizar material en polvo junto con crisoles especiales (Seshan,
2002).

El proceso se lleva a cabo en una cámara de vacío donde se mantiene

un nivel de vacío típicamente de 10 −4 Pa o menor. Esto es crucial para
minimizar la influencia del gas residual en la eficacia del paso del haz de
electrones y para evitar la contaminación de la estructura de la película
resultante por otros materiales. En la tabla 7 se muestra los parámetros básicos
de trabajo de un sistema de evaporador de haz de electrones.

Aproximadamente el 30-40% de la potencia del haz de electrones se

consume para la fusión y evaporación del material (desglosado típicamente en
2-10% para fusión y 30-35% para evaporación). La energía restante se disipa
por transferencia de calor (conducción, radiación) y es arrastrada por los
electrones que escapan de la zona de calentamiento (electrones secundarios
reflejados). Esta distribución de potencia depende de la naturaleza del material
que se vaporiza y de los parámetros del haz de electrones. La mayor parte de
la pérdida de energía debida a electrones secundarios es por electrones
elásticos e inelásticos reflejados, cuya cantidad de energía arrastrada está
determinada principalmente por la naturaleza del material (alrededor del 25%
de la potencia incidente para el acero, el 38% para el tungsteno

o Ventajas y desventajas de un evaporador de haz de electrones

Las ventajas en utilizar un evaporador de haz de electrones son los

siguientes:

 Permite la aplicación de películas de una amplia gama de materiales,

incluyendo metales (incluso los refractarios), aleaciones, compuestos
semiconductores y dieléctricos, con puntos de fusión muy elevados
(hasta 3500°C en el caso de E-beam).

 Ofrece una elevada velocidad de evaporación de las sustancias

típicamente en el rango de i a 10 nm/s - y la posibilidad de regularla en
un amplio rango modificando la potencia suministrada al evaporador.

 Es posible obtener recubrimientos en alto vacío, casi libres de

impurezas, ya que la pureza está determinada principalmente por la
pureza del material fuente y el nivel de vacío mantenido. El movimiento
directo de los átomos vaporizados en la cámara de trabajo, sin colisión
significativa con el gas residual, minimiza la interacción química no
deseada.

 a uniformidad de los recubrimientos obtenidos es controlable mediante

técnicas como la rotación del sustrato y el diseño de la geometría fuente-
sustrato.
  Las desventajas en utilizar un evaporador de haz de electrones son los
siguientes:

 La adhesión de las películas delgadas a la base puede ser relativamente

pobre debido a la baja energía cinética de las partículas depositadas
(comparada con técnicas que utilizan bombardeo iónico, como el
sputtering o PECVD).

 Posible carga estática en la superficie del sustrato durante el proceso

(particularmente en E-beam debido a electrones secundarios), lo que
puede causar roturas en la película en crecimiento y afectar
negativamente a la adhesión y otras propiedades.

 Si bien la tasa de deposición puede ser alta (como se describe en las

ventajas), la productividad en producción en serie puede verse limitada
por factores como la capacidad de carga en sistemas batch y el tiempo
necesario para los cambios de material fuente (blanco).

 Como método de línea de visión, la evaporación ofrece una baja

conformabilidad, siendo más adecuada para recubrir superficies
relativamente planas o con poca topografía.

Tabla 2.5. Datos técnicos de la unidad E-BeamEvaporator.

Indian Institute of Science. (2022)

Corriente del
0 - 1,2 А ± 0,5%
rayo
Tensión de
0 -10 kV ± 0,5%
Fuente del aceleración
Haz de Potencia del
Hasta 12 kW, tensión 10 kV
electrones rayo
Corriente del
270°
rayo
Forma del haz Seno, diente de sierra, triangular, arbitrario
Crisol 15 cm3 .4 piezas (según el recipiente)
Tipo de sensor Oscilador de cuarzo, frecuencia 6 MHz
Resolución ± 0,028 Hz
Sistema Intervalo de
automático de 0,25 seg
medición
medición de Resolución de
espesores la medición del
0,034 Å
espesor de la
película
Vacío final 5·10-7 торр
Unidad de Dos pares de calentadores de lámparas IR
calentamiento del con una temperatura máxima de 45°C
sustrato
Una muestra a la vez en diferentes tamaños
(si se
Soporte giratorio para muestras dispone del equipo necesario)
(opcional) 3 pulgadas (75 mm) con 39 placas
4 pulgadas (100 mm) para 24 placas
6 pulgadas (150 mm) con 9 placas

 Fuentes de iones

Una fuente de iones es un dispositivo diseñado para producir un haz de

iones en el vacío; se define como un flujo de iones generado espacialmente
cuya velocidad de movimiento direccional es considerablemente mayor que su
velocidad térmica (Scrivens, 2004; Zhurin, n.d.2020). Las fuentes de iones son
parte integrante de diversas instalaciones tecnológicas, incluyendo
aceleradores de partículas, inyectores de átomos rápidos para sistemas de
fusión, instalaciones electromagnéticas de separación de isótopos,
espectrómetros de masas y equipos para múltiples fines tecnológicos, como la
modificación o deposición de superficies (Cuomo et al., 1989; Martin et al.,
1983).

Una fuente de iones típicamente se compone de la propia fuente y un

dispositivo de extracción (sistema de extracción iónica) (Scrivens, 2004). Los
átomos de los elementos a ionizar y acelerar pueden introducirse en la fuente
de iones mediante la introducción de gas (para gases) o por vaporización (para
materiales sólidos o líquidos). Dentro de la fuente, los átomos se ionizan y son
arrastrados por un potencial adecuado hacia el acelerador, donde adquieren la
energía deseada. La fuente de iones idealmente debe cumplir los siguientes
requisitos: estabilidad del haz a lo largo del tiempo; capacidad de obtener iones
con una carga determinada; lograr la densidad de corriente deseada a bajas
tensiones de extracción; y facilidad para cambiar de un elemento a ionizar a
otro, así como para sustituir la propia fuente.

Existen diferentes tipos de fuentes de iones, clasificadas según su principio de

operación o diseño, tales como: fuentes con cátodos calientes, fríos y huecos;
duoplasmatrones; fuentes con excitación por HF y microondas; y fuentes con
ionización de superficie (Scrivens, 2004). El principio general es que la fuente
proporciona la excitación de los átomos del gas de trabajo a una energía que
excede el potencial de ionización del átomo para producir iones con carga
positiva (Tang et al., 2007).
 Figura 2.23 Ilustración esquemática de una fuente de iones

Normalmente, las fuentes de iones incluyen los siguientes elementos

estructurales principales (Figura 2.23):

 La cámara de descarga o ionización, que sirve como estructura de

soporte de la fuente.

 El ánodo, diseñado para crear un campo eléctrico dentro de la cámara

de descarga.
 La fuente de electrones (a menudo un termocátodo) que inyecta
electrones para ionizar el gas.

 Un sistema magnético, que a menudo se utiliza para aumentar la

eficacia de la ionización y la densidad del plasma.

 Electrodos que extraen los iones de la cámara de descarga.

 Electrodos adicionales para el enfoque del haz primario de iones.

El funcionamiento de una fuente de iones se apoya en dispositivos auxiliares,

como un sistema de suministro de gas, un dispositivo de evaporación (si el
material fuente no es un gas) y diversas fuentes de energía.

Las fuentes simples de cátodo caliente están disponibles en diferentes diseños.

La fuente de electrones en este tipo de fuente es un cátodo de filamento directo
o indirecto. Los electrones se emiten perpendicularmente a la superficie del
filamento con una densidad de corriente de aproximadamente 1 A/cm².

o Parámetros críticos de la fuente de iones:

Los parámetros críticos para caracterizar una fuente de iones y su haz son:
  La corriente total del haz de iones y la densidad de corriente asociada en
una sección transversal determinada.

 La energía de los iones (generalmente expresada en eV o keV).

 El tamaño transversal característico del haz (ej. diámetro, perfil).

 La perveancia, una medida de la intensidad del haz definida como la

relación entre la corriente total (I) y la tensión de aceleración (V) elevada
a la potencia 3/2 ¿).

 La potencia del haz, calculada como el producto de la corriente total por

la energía de los iones (aproximadamente P=I × E o P=I ×V para iones
de carga simple).

 La calidad del haz, evaluada por su formación espacial y de velocidad,

incluyendo el ángulo de divergencia efectivo y la dispersión energética
de los iones.

 La composición de los componentes del haz, que puede incluir iones

positivos o negativos, atómicos o moleculares, e iones con carga
múltiple.

 La eficiencia energética de la fuente de iones, definida como la relación

entre la potencia del haz y la potencia eléctrica total consumida por la
fuente de la red.

 La eficiencia del gas, definida como la relación entre el flujo de iones

utilizables generado y el flujo de gas suministrado a la fuente de iones.

Una fuente de iones consta de dos unidades básicas: el emisor de iones y

el sistema electrostático con el que los iones se extraen, se aceleran y se
forman en un flujo direccional, conocido como el sistema iónico-óptico (IOS)
(Scrivens, 2004; Zhurin, n.d.2020). En su forma más simple, una fuente de
iones se compone de un emisor y un electrodo acelerador, o un extractor con
una salida para el haz de iones. Se utilizan lentes electrostáticas y magnéticas
para enfocar aún más el haz acelerado. Los IOS de las diferentes fuentes de
iones siguen el mismo principio, y el factor principal que determina el tipo de
fuente de iones es el método de creación del emisor de iones.

Dependiendo de la naturaleza física del emisor de iones, existen varios

tipos de fuentes de iones:

 Fuentes de ionización superficial: En las que el emisor de iones es una

superficie de material incandescente cuyo trabajo de extracción (o
"función trabajo") es superior al potencial de ionización de los átomos
incidentes (para iones positivos).
  Fuentes de plasma: En las que los iones se extraen de la superficie
(borde) del plasma, formado en la mayoría de los casos por la descarga
de gas.

 Fuentes de "campo": En las que los iones se forman por la acción de un

fuerte campo eléctrico (del orden de 108 V/cm) sobre y cerca de la
superficie de un cuerpo sólido (por ejemplo, una punta afilada) debido a
la vaporización de la materia y a la ionización de los átomos en el medio
(o gas) circundante. En los últimos años se han generalizado los
emisores de metal líquido en lugar de los de estado sólido para este tipo
de fuentes (LMIS).

o Ventajas y desventajas de las fuentes de Iones

Las fuentes de iones y su uso en técnicas como IBS o IBAD tiene una
serie de ventajas como:

 Control preciso de la energía iónica, que permiten acelerar los iones a

energías específicas y controlables (desde decenas de eV hasta varios
keV), lo cual es crucial para modificar las propiedades de la superficie o
película, mejorar la adhesión, inducir densificación o realizar grabado
selectivo.

 Control Independiente del flujo y energía, en que los sistemas como la

evaporación asistida por iones (IBAD), los parámetros del haz de iones
(flujo, energía) pueden controlarse de forma independiente de la tasa de
deposición del material fuente, ofreciendo gran flexibilidad para optimizar
las propiedades de la película.

 Generación de un haz direccional, ya que producen un flujo de iones

altamente direccional (un haz), útil para procesos de línea de visión,
grabado anisotrópico o modificación de áreas específicas.

 Compatibilidad con alto vacío en donde las fuentes de haz de iones

suelen operar en cámaras de vacío principal con presiones muy bajas
(alto vacío), minimizando las colisiones de los iones con el gas de fondo
y reduciendo la incorporación de impurezas en las películas o superficies
procesadas.

 Versatilidad en especies iónicas ya que se puede ionizar una variedad

de gases (inertes, reactivos) o incluso vapores de sólidos/líquidos,
permitiendo generar diferentes tipos de iones para aplicaciones
específicas (ej. iones de Ar para sputtering/limpieza, iones de O₂ o N₂
para oxidación/nitruración, iones de metal para implantación)

 Procesos a baja temperatura (Relativa). Donde el aporte energético del

haz de iones puede activar reacciones o promover la movilidad atómica
a temperaturas del sustrato más bajas que las requeridas por procesos
térmicos puros para lograr resultados similares (ej. densificación).
Las desventajas técnicas de las Fuentes de Iones se pueden considerar:

 Complejidad y coste, a que las fuentes de iones, especialmente las que

producen haces bien colimados, son dispositivos complejos y costosos
de adquirir y operar, que requieren fuentes de alimentación de alta
tensión y sistemas de control sofisticados.

 El mantenimiento algunos tipos de fuentes (ej. las de cátodo caliente con

filamento) requieren el reemplazo periódico del emisor (filamento), lo que
implica abrir el sistema de vacío y causa tiempo de inactividad.

 La posible contaminación de la fuente, al generar el plasma o emitir

iones, puede ser una fuente potencial de contaminación (ej. material del
filamento, material de los electrodos) que puede afectar el proceso o la
pureza de la película.

 Lograr una uniformidad de haz perfecta sobre áreas de sustrato muy

grandes con una sola fuente de haz puede ser un desafío y a menudo
requiere el movimiento del sustrato (escaneo, rotación, planetario) o el
uso de múltiples fuentes.

 El bombardeo con iones energéticos puede inducir defectos

cristalográficos o daño por radiación en el sustrato o la película, y
también puede causar un calentamiento significativo del sustrato,
requiriendo sistemas de refrigeración.

 El impacto de iones positivos en sustratos no conductores puede

generar acumulación de carga estática, lo que puede desviar el haz,
afectar la deposición o incluso dañar el sustrato o la película, requiriendo
el uso de neutralizadores de carga (ej. cañones de electrones de baja
energía).

 La eficiencia con la que la potencia eléctrica suministrada a la fuente se

convierte en potencia útil del haz de iones puede ser relativamente baja,
con pérdidas significativas en el proceso de ionización y extracción
(como se vio en el análisis de eficiencia).

1.4. Tipos de fuentes de iones para procesos de deposición asistida en

el vacío para recubrimientos ópticos.

Las fuentes de iones, dispositivos esenciales para generar haces de iones en

procesos de deposición y modificación de superficies en vacío, existen en una
amplia variedad de diseños y principios de operación (Scrivens, 2004; Zhurin,
n.d.). Si bien pueden clasificarse según criterios como la naturaleza de su
emisor (ionización superficial, por plasma, por campo) o sus características
temporales (pulsadas, estacionarias), en la práctica se utilizan diversos tipos
con configuraciones específicas optimizadas para distintas aplicaciones
tecnológicas.
En este apartado, se describirán varios de los tipos de fuentes de iones más
relevantes y comúnmente empleados en procesos de deposición asistida en
vacío para la fabricación de recubrimientos ópticos. Entre estos tipos se
incluyen: la Fuente de iones tipo End-Hall (Mahoney et al., n.d.; Oudini et al.,
n.d.; Tang et al., 2007), la Fuente de plasma coaxial, la Fuente de plasma
avanzada y la Fuente de iones de radiofrecuencia (Hagelaar et al., 2002; Martel
et al., n.d.).

 Fuente de iones End-Hall

El diseño clásico de estas fuentes, aplicado en 1989 por G. Kaufman, sigue

siendo utilizado por la mayoría de los fabricantes y se muestra en la Figura
2.24 (Cuomo et al., 1989). El diseño consiste en una cámara de descarga
(generalmente cilíndrica), un ánodo (que suele ser la propia carcasa de la
cámara de descarga) y un sistema magnético que ayuda a confinar los
electrones para optimizar la ionización del gas (Zhurin, n.d.). La fuente de
electrones (a menudo un termocátodo en forma de filamento) inyecta
electrones en la cámara de descarga para crear un plasma. Los iones se
extraen y aceleran electrostáticamente a través de un conjunto de rejillas
ubicadas en la parte frontal de la fuente, formando así el haz de iones (Cuomo
et al., 1989; Zhurin, n.d 2012).

Figura 2.24. diseño clásico de una fuente iones de rejillas (fuente Kauffman)

Este tipo de fuentes de iones funcionan mediante un sistema de descarga en el

que se combinan campos eléctricos (E) y magnéticos (H) perpendiculares para
generar y acelerar los iones. La Figura 2.25 proporciona una descripción
general del funcionamiento de un dispositivo de fuente de iones de tipo End-
Hall.
 Figura 2.25. Diseño clásico de una fuente de iones tipo End-Hall

El proceso comienza cuando átomos o moléculas neutras del gas de trabajo

son introducidos en la región de descarga de la fuente mediante un distribuidor
de gas ubicado en el extremo cerrado del dispositivo. Los electrones
provenientes del termocátodo son guiados por las líneas del campo magnético
en el canal del acelerador hasta llegar al ánodo. Una vez en la región de
descarga, estos electrones colisionan e ionizan los átomos o moléculas
neutras, generando iones y más electrones secundarios, lo que resulta en la
formación de un plasma que se mantiene en la región.

Dado que la densidad de las partículas neutras disminuye rápidamente en la

dirección del ánodo al cátodo, la mayoría de las colisiones ionizantes con los
neutrales tienen lugar en la proximidad del ánodo y en su entorno. El cambio de
potencial a lo largo de las líneas del campo magnético acelera los iones en la
dirección del ánodo al cátodo. Por lo tanto, los iones son inicialmente
acelerados en dos direcciones: hacia el cátodo y radialmente hacia el eje de
simetría del dispositivo. Dependiendo de dónde se forme el ion, puede cruzar el
eje varias veces antes de salir del canal del acelerador de la fuente de iones.
Finalmente, los iones abandonan la zona de descarga al final de las líneas del
campo magnético, lo que justifica el nombre de "fuente de iones de End-Hall".

Debido a las diversas trayectorias que siguen los iones, aquellos que emergen
de la fuente forman un haz amplio. La carga positiva volumétrica de los iones
en este haz ancho se equilibra con la presencia de electrones procedentes del
termocátodo (para neutralizar el haz). La corriente anódica se determina
mediante el flujo de electrones, incluyendo tanto los electrones emitidos por el
termocátodo como los electrones secundarios generados por la ionización de
átomos o moléculas en la fuente de iones.

En la actualidad, se lleva a cabo un trabajo continuo en la mejora del diseño de

las fuentes de iones End-Hall o de rejilla con el objetivo de optimizar sus
parámetros de rendimiento (Mahoney et al., n.d..). Este proceso de mejora
incluye la consideración de diversas variantes en el diseño del cátodo-
neutralizador, la investigación de la interacción de la fuente con las paredes de
la cámara y el sistema de bombeo, así como la realización de predicciones
para las futuras generaciones de fuentes.
Las principales empresas a nivel mundial dedicadas al desarrollo y fabricación
de fuentes de Iones son Veeco Instruments, con sede en Nueva York, y
Kaufman & Robinson Inc. (Kaufman & Robinson, Inc., n.d.). Veeco Instruments
ha estado produciendo modelos clásicos de TCI, como los conocidos Mark I y
Mark II (Figura 26), con pequeñas modificaciones y actualizaciones desde el
año 2000. Estas fuentes varían en tamaño y en los parámetros del haz de
iones que pueden generar, incluyendo la corriente máxima y la energía de los
iones (ver Tabla 2.6). Además, existen versiones de estas fuentes con y sin
sistemas de refrigeración por agua, dependiendo de la potencia y aplicación.

Mark I Mark II

Figura 2.26. Fuentes de iones End-Hall Mark I y Mark II de Veeco Instruments

Tabla 2.6. Parámetros básicos las fuentes End-Hall Mark I y Mark II de Veeco Instruments
(Veeco Instruments. (n.d.). Mark I+ Gridless Ion Source)

Mark I Mark II
Cátodo/Neutralizador Desnudo o hueco Desnudo o hueco
Corriente máxima del haz, mA 200 1000
Energía del haz, eV 50-170 50-150
Diámetro de la sección transversal 5
del haz, en cm
Gases de servicio Todo inerte, Todo inerte,
O2, N2 O2, N2
Caudal de gas, cm3 ∙min 3-10 10-50
Presión de funcionamiento, Pa < 4∙10-2 < 4∙10-2
Distancia fuente - sustrato, cm Hasta el 30 30-90
Altura/Diámetro, cm 11,4 / 6,4 19 / 14
Peso, kg 6,4

Estas fuentes de iones ofrecen ventajas notables, entre las que se

incluyen la simplicidad y la confiabilidad de su diseño. Además, permiten la
utilización de gases reactivos y minimizan la pulverización (atomización) de sus
componentes internos (o "elementos de la fuente"), lo que ayuda a prevenir la
formación de impurezas no deseadas en el haz iónico y, por lo tanto, en los
recubrimientos depositados. Sin embargo, estas fuentes presentan una
desventaja importante, que radica en su baja eficiencia energética; es decir, la
relación entre la potencia eléctrica total consumida por la descarga y la
potencia útil del haz de iones generado.

Además de los modelos convencionales Mark I y Mark II, Veeco ha lanzado

versiones mejoradas de fuentes de iones anteriores (Figura 2.27) (Veeco
Instruments. (n.d.). Mark I+ Gridless Ion Source). Estas incluyen la Mark I+
High Output, que ofrece una mayor corriente de haz y está diseñada para su
uso en cámaras de vacío con un diámetro de hasta 75 cm. También se
encuentran la Mark II+ y la Mark II+ High Output, cuyos diseños mejorados
optimizan el proceso de generación de iones, lo que resulta en un aumento de
la densidad de corriente de iones del 20% al 70%, dependiendo de la tensión
de descarga. Esto permite utilizar estas fuentes en cámaras de vacío de mayor
tamaño, con diámetros de hasta 130 cm. Tanto la Mark I+ High Output como la
Mark II+ High Output utilizan un cátodo hueco como neutralizador, lo que
mejora aún más su rendimiento.

Mark I+ High output

Mark II+

Figura 27. Fuente de iones End-Hall Mark I+ High output y Mark II + Instrumentos Veeco

Kaufman & Robinson Inc. (K&R Inc.) (Kaufman & Robinson, Inc. (n.d.).
Gridless Ion & Plasma Sources), otra empresa líder en el sector, produce una
variedad de tamaños de fuentes de iones en su línea de productos. Esta gama
incluye modelos específicos como el EH 200, EH 400, EH 1000, EH 2000 y EH
3000. Estos modelos, que son del tipo End-Hall, presentan parámetros que se
detallan en la Tabla 2.7. La diversidad de opciones en esta línea de fuentes de
iones End-Hall permite adaptarlas a diferentes aplicaciones y necesidades
específicas de los usuarios.
 EH 200 EH 400 EH 1000 EH 2000 EH 3000

Figura 28. Fuentes End-Hall de Kaufman & Robinson Inc.

Tabla 2.7 Parámetros de Kaufman & Robinson Inc. (Kaufman & Robinson, Inc. (n.d.).
Gridless Ion & Plasma Sources)

EH200 EH400 EH1000 EH1000xO2 EH2000 EH3000

Cátodo / Desnudo o
Desnudo o hueco Hueco
Neutralizador hueco
50-300 50-300 50-250
Tensión de 50-300
30-300 30-150 100-300 30-150 50-300
descarga (V) 30-150
50-300 50-250 50-250
10 10 20
Corriente máxima de 5
12 15 10
descarga (A) 2 10 10
5 15 15
Corriente máxima
500 875 2000 2500 6000
del haz (mA)
Energía
25-300 25-300 25-300 25-300 35-200
haz de luz (eV)
Divergencia del haz
> 45
(°)
Gases de servicio Ar, O2, N2, H2, sustancias orgánicas, etc.
Caudal de gas (cm3
1-15 3-30 2-50 2-50 2-75 5-100
∙min)
Presión de
<13∙10 -2
funcionamiento (Pa)
Diámetro de la
sección transversal
2,5 4
del haz, en cm
Altura/Diámetro, 5,08/
7,62/9,4 10,16/14,5 10,16/14,5 10,16/14,5 15,24/24,6
(cm) 6,35
Refrigeración por Opcional
No Opcional: Opcional: Sí Opcional:
agua :
Se puede observar que las fuentes de K&R Inc. (serie EH, End-Hall) y
Veeco (son ampliamente utilizadas y comparten un conjunto de ventajas e
inconvenientes generales como fuentes para deposición. Sin embargo, es
importante notar que sus principios estructurales difieren significativamente
(con y sin rejillas)]. La serie EH de K&R Inc. es reconocida por su fiabilidad y
facilidad de uso, además de permitir la operación con gases reactivos. Sin
embargo, al igual que la gama Mark de Veeco, también tiene una eficiencia
energética relativamente baja. La ventaja principal de la serie EH de K&R
radica en la amplia variedad de tamaños y especificaciones disponibles, lo que
facilita su integración en una amplia gama de sistemas de tecnología de vacío
para diversas aplicaciones, tanto en investigación como en producción.

Por otro lado, las fuentes de alto rendimiento HCS-1000 y HCS-3000,

desarrolladas y fabricadas por la empresa rusa "Ion Sources and Technologies
Ltd" (Troitsk) (Troitsk Institute for Innovative and Thermonuclear Research.
(n.d.)), destacan por su eficiencia energética notable y, como resultado, por la
capacidad de generar corrientes de haz de iones considerables (ver Tabla 2.8)
Además, según sus desarrolladores, el diseño de las fuentes HCS minimiza la
pulverización de elementos estructurales internos en comparación con otras
fuentes de este tipo, lo que contribuye a la pureza del haz. La tabla 2.9
proporciona una comparación detallada entre las fuentes de iones HCS y
modelos específicos como las fuentes Mark II+ (Veeco) y EH 2000 (K&R).
Estas características hacen que las fuentes HCS sean una elección atractiva
para aplicaciones donde se requieren altas corrientes de iones con una
eficiencia energética significativa y un control riguroso de la pureza del haz.

HCS-1000 HCS-3000

Figura 2.28. Fuentes End-Hall de Ion Source Technology Ltd

Tabla 2.8. Parámetros del TCI de Ion Source & Technology Ltd. (Troitsk Institute for
Innovative and Thermonuclear Research. (n.d.))

HCS-1000 HCS-3000
Cátodo/Neutralizador Nota W Nota W
Tensión de descarga (V) 25-300 25-200
Corriente de descarga (A) 0,1-5 0,5-15
Corriente máxima del haz (mA) 2100 6300
Energía máxima del haz (eV) 200 230
Eficiencia energética, en % Al menos el 90
Divergencia del haz (°) 80 80
Tiempo de funcionamiento continuo (h) Al menos 10
Gases de servicio Ar, Xe, Kr, O2, N2, aire, etc.
Sistema magnético Todos los
Refrigeración por agua elementos
cargados de
calor
Altura/Diámetro (cm) 8/10,7

Tabla 2.9. Comparación de los parámetros de HCS, Mark II+ y EH 2000

 Mark II+, EH 2000, K & R HCS, Ion Source
Veeco Inc. Technology
Relación entre la
corriente de iones y
la corriente de 0,2-0,3 0,35-0,45
descarga (Ii /Id)
Relación entre la
energía de los
0,6-0,7 0,9-0,95
iones y la tensión
de descarga (Ei/U)
Relación entre la
"potencia" del haz
de iones y la 0,12-0,21 0,32-0,43
descarga (Wi /Wd)

La empresa australiana Saintech Ion Beam Systems (Saintech (n.d.). Ion

Sources) ofrece una gama de fuentes de iones End-Hall (Figura 2.29.) que se
destacan por una característica de diseño particular: el reflector está conectado
eléctricamente al ánodo. Los desarrolladores argumentan que esta
configuración simplifica significativamente el proceso de limpieza de la fuente.
A diferencia de otras fuentes [Verificar a cuáles se refiere específicamente tu
fuente], estos dispositivos no requieren ser desmontados durante el
mantenimiento preventivo, sino que únicamente necesitan limpieza periódica
cuando se retiran algunas piezas. No obstante, según los estudios disponibles
esta configuración reduce la corriente de iones del haz a aproximadamente la
mitad en comparación con una fuente convencional en la que el reflector está a
un potencial flotante. Los parámetros de las fuentes End-Hall: XIAD, ST55 y
ST3000 de Saintech Ion Beam Systems se detallan en la Tabla 2.10. Esta
elección de diseño ofrece una notable comodidad en términos de
mantenimiento, pero es importante tener en cuenta la reducción en la corriente
de iones al evaluar su idoneidad para aplicaciones específicas que demanden
altas corrientes de haz.

XIAD ST55 ST3000

Figura 2.29. Fuentes End-Hall de Saintech Ion Beam Systems

Tabla 2.10- Parámetros de trabajo de las fuentes End-Hall de Saintech Ion Beam Systems
(Saintech (n.d.). Ion Sources)
 XIAD ST55 ST3000
Cátodo/Neutralizador Nakal Nakal Nakal
Tensión máxima de descarga (V) 225 225 300
Corriente máxima de descarga (A) 5 7 10
Potencia máxima de descarga (kW) 1 1,5 3
Energía máxima del haz (eV) 200 230 300
Potencia máxima del haz de luz (kW) 1 1,3

Es interesante saber que la empresa bielorrusa "Izovak" (Izovak. (n.d.)), con

sede en Minsk, también produce una versión de fuentes de tipo End-Hall
denominada "Strelok-2" (Figura 2.30.). Los parámetros de esta fuente se
detallan en la Tabla 2.11. La disponibilidad de diversas fuentes de iones, con
distintas características y especificaciones de múltiples fabricantes, ofrece a los
investigadores y usuarios una amplia variedad de opciones para adaptarse a
sus necesidades y aplicaciones específicas.

Figura 2.30. Fuente End-Hall Strelok-2 de IZOVAC

Tabla 2.11. Parámetros de la fuente End-Hall Strelok-2 de IZOVAC (Izovak. (n.d.))

Corriente anódica (A) Hasta el 5

Corriente del haz (A) Hasta 1,5
Tensión del ánodo (cuando funciona con 50-300
argón) (V)
Tensión anódica (cuando se opera con 100-250
oxígeno) (V)
Energía media de los iones (eV) 30-200
Divergencia del haz (°) 80
Gases de trabajo Ar, O2, N2, hidrocarburos, etc.

La pureza de los gases de trabajo: 99.99 %

Caudal de gas (cm3 ∙min) 3-20
 Presión en la zona de deriva del haz de iones 5∙10-3 - 10-1
(Pa)
Refrigeración, T agua (°C) 18 - 20
Presión del agua (atm) 2a4
Caudal de agua (L/min) 1
Diámetro de la fuente (mm) 120
Altura de la fuente (mm) 110
Peso de la fuente (kg) 5,6

En resumen, existe una notable diversidad en el diseño de las fuentes de

iones tipo End-Hall disponibles en el mercado. Diversas empresas ofrecen
gamas de fuentes que varían en tamaño, permitiendo su implementación en
cámaras de vacío con diversas dimensiones. Además, se producen versiones
modificadas, algunas equipadas con sistemas de refrigeración por agua y otras
sin ellos. En los diseños más recientes, se observa una tendencia hacia el
desplazamiento del termocátodo fuera del eje central de la fuente, como una
mejora en el diseño. Esta considerable variedad de opciones disponibles
permite a los investigadores y usuarios seleccionar fuentes que se adapten
mejor a sus necesidades específicas y a las características particulares de sus
aplicaciones.

 Fuente de plasma coaxial Fuente de plasma avanzada (APSpro)

La Fuente de Plasma Coaxial avanzada (APSpro) (Bühler Group. (n.d.)),

fabricada por Leybold Optics, se basa en una región cilíndrica de descarga
brillante de corriente continua (CC) mantenida por un campo magnético axial
auxiliar. En la Figura 2.31 se puede observar un cátodo fabricado con
hexaboruro de lantano (LaB₆) ubicado en el centro de la fuente. Este cátodo
cuenta con una cavidad interna para alojar un calentador de grafito, necesario
para la emisión termoiónica. El volumen útil de la fuente está determinado por
el tamaño del tubo anódico. La bobina del solenoide, que genera el campo
magnético axial, se encuentra fuera del ánodo.

El gas de trabajo, en este caso, argón, se inyecta en las zonas inferior,

media y superior del tubo anódico. Se genera una descarga eléctrica entre el
cátodo y el ánodo, que están separados por inserciones aislantes, y esta
descarga ocurre en presencia de un campo magnético axial. Debido al
calentamiento del material del cátodo, los átomos son emitidos desde su
superficie. La descarga eléctrica entre el cátodo y el ánodo provoca la
ionización de los átomos emitidos de hexaboruro de lantano, generando iones
positivos y electrones.

La corriente en su mayoría radial de la descarga eléctrica crea un campo

magnético circular en el espacio anular entre el cátodo y el ánodo. Este campo
magnético interactúa con la corriente radial que lo genera, lo que da lugar a
una fuerza de Lorentz que se dirige de tal manera que forma un denso haz de
iones en la salida de la fuente.
 Los parámetros básicos de la fuente APSpro se presentan en la Tabla
2.12. En resumen, este diseño de fuente combina eficientemente elementos de
descarga eléctrica, ionización de materiales del cátodo (y/o gas de trabajo) y
campos magnéticos (externo axial y auto-generado azimuthal) para generar un
haz de iones denso, lo que la hace adecuada para diversas aplicaciones
tecnológicas.

Tabla 2.12 - Parámetros básicos de la fuente Hall coaxial APSpro (Bühler Group. (n.d.))

Corriente de descarga (A) 65-100

Tensión máxima de descarga (V) 200
Potencia máxima de descarga (kW) 15
Tensión de corte (V) 55-200
Potencia del calentador (kW) 1,8
Gas de trabajo O2 , Ar
Densidad de corriente iónico (μA/cm2) 1300 @ 450mm
Energía de los iones (eV) 20-250
Material del cátodo LaB6

Figura 2.31. Diseño del APSpro

 Fuente de iones de radiofrecuencia EDC Lion 300

La fuente de iones de rejilla de radiofrecuencia Lion 300 de Leybold

Optics (Leybold Optics. (n.d.)). (Figura 2.32) se basa en el principio de la
Resonancia del Ciclotrón de Electrones (ECR). Esta fuente utiliza campos
eléctricos (E) y magnéticos (H) que se cruzan, lo que provoca que los
electrones, al interactuar con estos campos, no solo se muevan en la dirección
del campo eléctrico, sino también experimenten un movimiento perpendicular a
él. La trayectoria de los electrones en estas condiciones, caracterizada por un
movimiento helicoidal, depende de la relación entre la frecuencia del campo
eléctrico (ω) y la frecuencia del ciclotrón (o frecuencia de Larmor (ωc).

Cuando la frecuencia del campo eléctrico aplicado (ω) se acerca a la

frecuencia del ciclotrón (ωc), ocurre el fenómeno de la resonancia. En esta
condición, conocida como resonancia del ciclotrón de electrones, el recorrido
de los electrones en el campo eléctrico se vuelve cada vez más largo a medida
que su trayectoria helicoidal se expande, lo que resulta en un aumento
significativo de la energía cinética de los electrones. Específicamente, la
resonancia se produce cuando ω=(ωc).

Por lo tanto, el diseño de la fuente Lion 300 aprovecha este principio de

resonancia del ciclotrón de electrones para aumentar la ionización de los
átomos o moléculas del gas de trabajo en la región de descarga, lo que la
convierte en un dispositivo muy eficaz para la generación de iones de alta
densidad.

Figura 2.32 Vista exterior de la fuente Lion 300

El campo magnético constante necesario para la ECR en la fuente Lion

300 se genera mediante dos bobinas de inducción. La excitación del plasma
por ECR se realiza a una frecuencia estándar de 13,56 MHz. La potencia de
radiofrecuencia puede acoplarse al plasma de dos maneras principales:
inductivamente a través de una bobina de inducción o capacitivamente a través
de un condensador de acoplamiento en la región de descarga. Un sistema de
control adecuado permite gestionar (o "cambiar") entre ambos modos de
acoplamiento.

La extracción de iones del plasma se realiza mediante un sistema de

rejillas, que incluye una rejilla de aceleración de 300 mm de diámetro a la que
se aplica un potencial negativo para extraer los iones del plasma y formar el
haz. Esta fuente Lion 300 es versátil y puede funcionar con una amplia gama
de gases de trabajo, incluyendo gases inertes como el argón, gases reactivos
como el oxígeno o el nitrógeno, o sus mezclas, según las necesidades de la
aplicación específica. La Tabla 2.12 muestra los parámetros básicos de la
fuente Lion 300 Esta fuente ofrece flexibilidad en términos de control y elección
de gas de trabajo, lo que la hace adecuada para diversas aplicaciones en la
generación de iones, particularmente cuando se requieren haces de iones bien
definidos (debido a las rejillas).

Tabla 2.12. Parámetros básicos de la fuente de iones Lion 300 EDC

(Leybold Optics. (n.d.))

Diámetro de trabajo de salida (mm) 300

Potencia máxima (kW) 6,5
Corriente iónica máxima (mA) 3000
Energía de los iones (eV) 90-900
Gas de trabajo O2, Ar, N2
Ionización Rejilla simple

La fuente Lion 300 presenta una baja dispersión de la energía del haz de
iones en comparación con las fuentes anteriores. Su alta potencia y la forma de
la rejilla del acelerador la hacen adecuada para el tratamiento de grandes
superficies. El diseño de facilita su mantenimiento en comparación con otras
fuentes de tecnología ECR. Sin embargo, el hecho de que sea una fuente de
rejilla impone una limitación en cuanto a la densidad de corriente de iones que
puede extraer a bajas energías.

Una desventaja importante y común a todas las fuentes ECR es la

complejidad y el elevado coste del sistema de alimentación (que incluye la
fuente de potencia de RF y el sistema magnético). A pesar de las ventajas de
las fuentes ECR en términos de control y eficiencia de ionización, la inversión
inicial y los recursos necesarios para operar y mantener estas fuentes suelen
ser significativos. Por lo tanto, la elección de una fuente ECR debe
considerarse cuidadosamente en función de las necesidades específicas de la
aplicación, los parámetros del proceso requeridos y el presupuesto disponible.
CAPITULO III. Diseño y optimización de una fuente de iones tipo End-Hall

Como se ha mencionado previamente, las fuentes de iones son

dispositivos esenciales en una amplia gama de aplicaciones científicas e
industriales, ya que permiten la generación controlada de iones a partir de
átomos o moléculas. Estos iones se utilizan en numerosos campos, incluyendo
la microelectrónica, espectrometría de masas, deposición de capas delgadas y
limpieza de superficies. En este capítulo, nos centramos en el diseño y la
optimización de una fuente de iones tipo End-Hall, un dispositivo que ha
demostrado ser crucial en la aceleración de partículas y la investigación en
física de plasma.

Para la optimización de la fuente de iones, empleado software de

modelado tridimensional como es Autodesk Inventor, para diseñar con
precisión los componentes de la fuente. Luego, con el programa COMSOL
Multiphysics se realizarán simulaciones detalladas que permiten analizar y
optimizar el rendimiento de la fuente. A lo largo de este capítulo, detallaremos
el proceso de diseño, los parámetros clave y los resultados de nuestras
simulaciones, con el objetivo de proporcionar una visión completa de cómo se
ha logrado la optimización de esta fuente de iones tipo End-Hall.

1.1. Diseño de la fuente de iones con Autodesk Inventor

Autodesk Inventor es un software de diseño asistido por computadora

(CAD) 3D desarrollado por Autodesk. Es una suite de software que proporciona
herramientas para el diseño, simulación, fabricación y documentación de
productos. Este programa está diseñado específicamente para ayudar a
ingenieros, diseñadores y fabricantes en la creación, simulación y
documentación de productos tridimensionales (Autodesk, 2024) .

Inventor es un programa de modelado paramétrico, lo que significa que

los objetos se definen por sus dimensiones y relaciones, en lugar de por sus
puntos individuales. Esto hace que el diseño sea más eficiente y preciso, ya
que los cambios en las dimensiones se propagan automáticamente a través del
modelo.

Inventor también incluye herramientas para la simulación de productos, lo

que permite a los diseñadores evaluar el rendimiento de sus diseños antes de
fabricarlos. Estas herramientas pueden utilizarse para analizar el estrés,
vibración, flujo de fluidos y otros factores. Convirtiéndolo en una herramienta
poderosa que puede ayudar a los diseñadores a crear productos de alta calidad
y eficientes.

 Características y capacidades principales de Autodesk Inventor:

Las características y capacidades de Autodesk Inventor posicionan a esta

herramienta como un elemento fundamental en el arsenal de diseño e
ingeniería de productos, permitiendo la creación y desarrollo de productos
innovadores (Autodesk, 2024). Algunas de sus capacidades destacadas son
las siguientes:

o Modelado 3D preciso: Inventor facilita la creación de modelos 3D

precisos de piezas y ensamblajes, abarcando sólidos, superficies y
chapa metálica con un nivel de detalle y precisión sobresalientes.

o Diseño paramétrico: Una característica central de Inventor es su

capacidad para el diseño paramétrico, lo que habilita el establecimiento
de relaciones y restricciones entre las partes del modelo. Esto simplifica
en gran medida la realización de cambios y actualizaciones automáticas
en el diseño cuando se modifican los parámetros.

o Ensamblajes avanzados: Inventor permite el diseño y gestión de

ensamblajes complejos de productos, ofreciendo herramientas para
establecer restricciones y relaciones entre componentes, lo que agiliza la
creación y manipulación de conjuntos de piezas.

o Simulación integrada: El software proporciona capacidades de

simulación que abarcan análisis de tensión, análisis de movimiento,
análisis de elementos finitos y más. Esto resulta fundamental para
evaluar el rendimiento y la resistencia de los diseños antes de llevarlos a
la fase de fabricación.

o Dibujo y documentación: Inventor simplifica la generación de dibujos

de ingeniería y documentación técnica, permitiendo la creación
automática de vistas de detalle, listas de materiales, planos y otros
documentos necesarios para la fabricación.
 o Personalización y automatización: Los usuarios tienen la posibilidad
de personalizar Inventor mediante la creación de reglas, parámetros y
scripts personalizados para automatizar tareas y adaptar el software a
las necesidades específicas de su empresa.

o Visualización y renderización: Los usuarios pueden generar

representaciones visuales realistas de sus diseños utilizando las
herramientas de renderización y visualización incorporadas en el
software.

o Análisis de diseño: Autodesk Inventor ofrece herramientas para

analizar la interferencia, la cinemática y la dinámica de los diseños, lo
que contribuye a la identificación de problemas potenciales antes de
avanzar hacia la fase de fabricación.

 Ventajas y desventajas de Autodesk Inventor

La utilización de Autodesk Inventor conlleva una serie de ventajas y

desventajas que deben evaluarse en función de las necesidades específicas de
diseño y la experiencia en ingeniería. En este contexto, es esencial comprender
cómo esta herramienta de diseño asistido por computadora en 3D puede influir
en la eficacia y eficiencia de los procesos de diseño e ingeniería. A lo largo de
este capítulo, exploraremos en detalle estas ventajas y desventajas,
considerando factores como la precisión en el modelado 3D, el diseño
paramétrico, las capacidades de simulación, la generación de documentación
técnica, la gestión de datos, la colaboración en la nube, la personalización, la
integración con otros productos Autodesk, así como las posibles curvas de
aprendizaje, costos, requisitos de hardware, actualizaciones y consideraciones
de licenciamiento

o Ventajas:

 Modelado preciso 3D: Autodesk Inventor brinda la capacidad de crear

modelos 3D altamente precisos y detallados, lo que resulta fundamental
para la representación exacta de productos y piezas en un entorno de
diseño.

 Diseño paramétrico: La funcionalidad de diseño paramétrico en

Inventor simplifica la realización eficiente de modificaciones y
actualizaciones en el diseño, ya que las relaciones y restricciones se
mantienen y ajustan automáticamente en respuesta a cambios en los
parámetros de diseño.

 Simulación integrada: Los análisis de diseño, tensión, movimiento y

elementos finitos se pueden llevar a cabo directamente en la misma
plataforma de Inventor, lo que facilita la evaluación integral del
rendimiento de los diseños antes de la producción.
  Dibujo y documentación eficientes: Inventor simplifica
significativamente la generación de dibujos de ingeniería y
documentación técnica, lo que ahorra tiempo y minimiza la probabilidad
de errores en la comunicación de diseños técnicos

 Personalización y automatización: La capacidad de personalización

de Inventor permite a los usuarios adaptar el software a sus necesidades
específicas mediante la creación de reglas y scripts personalizados que
automatizan tareas repetitivas.

o Desventajas:

 Curva de aprendizaje: Para nuevos usuarios, la curva de aprendizaje

de Inventor puede ser pronunciada, ya que el software ofrece un
conjunto completo de características avanzadas que requieren tiempo
para dominar.

 Costo: Autodesk Inventor es una solución comercial, lo que puede

resultar costoso para pequeñas empresas o individuos en comparación
con alternativas de software de diseño más económicas o de código
abierto.

 Requisitos de hardware: Para aprovechar al máximo las capacidades

de Inventor, se necesitan hardware potentes, lo que puede generar
costos adicionales en la adquisición y mantenimiento de equipos.

 Actualizaciones frecuentes: Autodesk tiende a lanzar nuevas

versiones y actualizaciones periódicamente, lo que puede requerir
tiempo y esfuerzo para mantener el software actualizado y garantizar la
compatibilidad con proyectos existentes.

 Licenciamiento y administración de licencias: La gestión de licencias

puede resultar complicada en entornos empresariales y puede requerir
atención adicional para garantizar el cumplimiento y la eficiencia.

 Dependencia de la conectividad a internet: La funcionalidad basada

en la nube de Inventor requiere una conexión a Internet estable, lo que
puede ser un desafío en áreas con conectividad limitada o en
situaciones de trabajo sin conexión.

1.2. Diseño de la fuente de iones tipo End-Hall con Autodesk Inventor.

A continuación, se describe de manera general cómo Autodesk Inventor se

utilizó en el diseño de componentes de la fuente de iones tipo End-Hall. Aquí
tienes una versión revisada que brinda una descripción más técnica y
detallada.

Para llevar a cabo el diseño de los componentes de la fuente de iones tipo End-
Hall, se empleó el programa Autodesk Inventor en su versión 2018. El proceso
de diseño se desarrolló a través de una serie de etapas críticas, que se detallan
a continuación:

 Investigación preliminar: Inicialmente, se llevó a cabo una

investigación preliminar para adquirir una comprensión profunda de los
principios de funcionamiento inherentes a las fuentes de iones tipo End-
Hall. Este paso resultó fundamental para establecer las bases teóricas
necesarias antes de iniciar el proceso de diseño, como se mostró en la
sección 1.4. Donde se recopilo información de las características
principales de las fuentes de iones existentes en el mercado
actualmente

 Diseño conceptual: Basándose en el conocimiento adquirido durante la

investigación preliminar, se procedió al desarrollo de un diseño
conceptual de la fuente de iones. Esta etapa implicó la formulación de
ideas iniciales y conceptos clave que servirían como punto de partida
para el proceso de diseño, se tomó referencia el diseño de la fuente de
iones “Strelok-2” de la compañía IZOVAC (Izovak, n.d.) (figura 3.1) en el
cual se encuentra en el laboratorio con las características mostradas en
la tabla 2.12.

Figura 3.1 Fuente End-Hall Strelok-2 de la compañía IZOVAC

 Modelado de piezas individuales: Utilizando las robustas herramientas

de modelado paramétrico que ofrece Autodesk Inventor, se procedió a la
creación de modelos tridimensionales detallados de las piezas
individuales que conformarían la fuente de iones. Estas piezas
incluyeron componentes críticos como el cañón de electrones, el ánodo,
el cátodo y la cámara de plasma. El modelado paramétrico permitió la
definición precisa de dimensiones y relaciones, facilitando futuras
modificaciones y actualizaciones como se muestra en la figura 3.2 con el
modelado de la fuente de iones Strelok-2.
 Figura 3.2 Modelado de las partes de la fuente de iones Strelok-2 en 3D

 Ensamblaje completo: luego del modelado de las partes de la fuente

de iones, se procede a integrar las piezas individuales modeladas en un
modelo completo de la fuente de iones mediante las herramientas de
ensamblaje de Inventor. Este proceso implicó establecer restricciones y
relaciones entre los componentes, así para garantizar un montaje
preciso y funcional como se muestra en la figura 3.3

Figura 3.3 Ensamble en 3D de las partes de la fuente de iones Strelok-2

 Modificaciones basadas en simulación: Una vez completado el

ensamblaje, se procedió a realizar simulaciones para evaluar el
rendimiento del diseño. Las herramientas de simulación de Inventor
permitieron analizar aspectos críticos como el comportamiento de la
fuente de iones en términos de flujo iónico, distribución de energía y
eficiencia. Cualquier hallazgo relevante en la simulación condujo a
modificaciones en el diseño para optimizar el rendimiento y la eficiencia.
 Figura 3.4 Ensamble en 3D de las partes del nuevo diseño de la fuente de iones

 Creación de documentación de diseño: Con el diseño finalizado, se

utilizaron las herramientas de dibujo de Autodesk Inventor para crear
documentación técnica y dibujos detallados de las piezas individuales y
el ensamblaje completo (Figura 2.5). Estos dibujos proporcionaron una
representación gráfica precisa y completa que se utilizó para comunicar
el diseño a los fabricantes y otros interesados.

Figura 3.5 Vista en AutoCad del diseño de la fuente de iones y anodo de la fuente

1.3. Uso De Autodesk inventor en el proceso de diseño

Cabe destacar que el uso de Autodesk Inventor en el proceso de diseño de la

fuente de iones resultó altamente exitoso. Ya que el programa facilitó la
creación de un diseño preciso y eficiente, permitiendo una evaluación
exhaustiva del rendimiento antes de la fase de fabricación. Además, el
modelado paramétrico, el ensamblaje y las herramientas de dibujo de Inventor
agilizaron significativamente el proceso de diseño y documentación. Durante el
proceso se puede destacar:

 Precisión y eficiencia en el diseño: Autodesk Inventor permite la

creación de diseños precisos y altamente eficientes para fuentes de
iones, garantizando que los productos finales cumplan con los requisitos
de rendimiento.

 Evaluación del Rendimiento: El software facilita la evaluación

exhaustiva del rendimiento de las fuentes de iones mediante sus
capacidades de simulación integrada. Esto permite identificar y abordar
posibles problemas antes de la fase de fabricación

 Versatilidad en Diversas Industrias: Autodesk Inventor es compatible

con una amplia gama de industrias, lo que lo hace adaptable a múltiples
aplicaciones y requisitos específicos de diseño.

 Curva de Aprendizaje: Dado su conjunto de características avanzadas,

Inventor puede tener una curva de aprendizaje pronunciada, lo que
significa que los usuarios pueden requerir tiempo para adquirir las
habilidades necesarias para aprovechar al máximo el software.

 Dominio del Modelado Paramétrico: Es fundamental que los usuarios

adquieran un sólido conocimiento de los fundamentos del modelado
paramétrico antes de utilizar Autodesk Inventor para el diseño de fuentes
de iones. Se recomienda aprovechar los recursos de aprendizaje
disponibles, como tutoriales, cursos y documentación, para optimizar la
eficacia de la herramienta.

 Potencial para la Creación de Productos de Alta Calidad: Inventor,

como herramienta poderosa, tiene el potencial de crear productos de
alta calidad. Se alienta a los usuarios a explorar todas las características
y capacidades del programa para aprovechar al máximo sus ventajas en
el diseño de fuentes de iones.

Autodesk Inventor demuestra ser una herramienta eficaz en el diseño de

fuentes de iones, destacando por su capacidad para producir diseños precisos
y eficientes, así como para evaluar su rendimiento. Sin embargo, es importante
reconocer la posible curva de aprendizaje y la necesidad de dominar el
modelado paramétrico para aprovechar al máximo el potencial de esta
herramienta en la creación de productos de alta calidad.

1.4. Simulación de la fuente de iones con COMSOL Multiphysics

 La simulación de la fuente de iones se llevó a cabo utilizando COMSOL
"COMSOL Multiphysics, un paquete de programas de simulación basada en el
método de elementos finitos (FEM), se ha consolidado como una herramienta
fundamental entre ingenieros y científicos, permitiéndoles modelar y analizar
fenómenos físicos altamente complejos (COMSOL Inc., 2024). Su enfoque se
caracteriza por la capacidad de acoplar múltiples fenómenos físicos en un solo
modelo, lo que se conoce como un enfoque multifísico. Esto habilita a los
usuarios para abordar problemas que involucran interacciones físicas
simultáneas, como la transferencia de calor y la mecánica estructural, o el
electromagnetismo y la dinámica de fluidos.

El enfoque multifísico de COMSOL Multiphysics es particularmente

valioso en la simulación de la fuente de iones, ya que permite la consideración
precisa de múltiples aspectos del fenómeno. Esto abarca desde la interacción
entre partículas cargadas y campos electromagnéticos hasta la dinámica de
plasma y el comportamiento de gases ionizados. A través de esta herramienta,
se pueden explorar complejas interacciones físicas, lo que proporciona
información detallada y precisa sobre el rendimiento de la fuente de iones antes
de avanzar hacia la fabricación

 Abordaje Multifísico: COMSOL Multiphysics es reconocido por su

capacidad para acoplar múltiples fenómenos físicos dentro de un solo
modelo. Esto se logra mediante una extensa biblioteca de fenómenos
físicos que engloba más de 50 fenómenos distintos. Esta característica
es esencial para el análisis de sistemas complejos en los que
interactúan fenómenos de naturalezas diversas.

 Interfaz Gráfica de Usuario (GUI) Intuitiva: El software se distingue

por su interfaz gráfica de usuario (GUI) intuitiva, que simplifica la
creación de modelos. La GUI proporciona asistentes que guían a los
usuarios a través del proceso de modelado, lo que facilita la definición
de geometrías, condiciones de contorno y parámetros físicos. Asimismo,
COMSOL Multiphysics dispone de una biblioteca de modelos
predefinidos que sirven como punto de partida para la creación de
nuevos modelos.

 Alto rendimiento y precisión: COMSOL Multiphysics hace uso de

algoritmos avanzados para garantizar resultados precisos y confiables
en simulaciones. Su capacidad de escalabilidad le permite abordar
problemas de gran complejidad que requieren recursos computacionales
considerables. Esto es esencial en situaciones en las que se deben
considerar múltiples interacciones físicas para lograr una representación
precisa del fenómeno estudiado.

COMSOL Multiphysics destaca por su versatilidad, capacidad multifísica,

interfaz amigable y alto rendimiento, lo que lo posiciona como una herramienta
esencial para la simulación y análisis de una amplia variedad de fenómenos
físicos en numerosos campos de la ingeniería y la ciencia
 Características y capacidades principales de COMSOL Multiphysics:

o Modelado Matemático Basado en Ecuaciones Diferenciales

Parciales (PDE): COMSOL Multiphysics opera mediante la creación
de un modelo matemático de un fenómeno físico específico. Este
modelo se fundamenta en ecuaciones diferenciales parciales (PDE)
que describen de manera precisa el comportamiento del fenómeno
en cuestión. La resolución de estas ecuaciones mediante el método
de elementos finitos proporciona resultados numéricos detallados y
confiables.

o Proceso de Creación del Modelo: El proceso de creación de un

modelo en COMSOL Multiphysics se descompone en una serie de
pasos esenciales:

o Definición de la Geometría: En primer lugar, se define la geometría

del sistema bajo estudio. Esto se logra utilizando un software CAD
externo o empleando las herramientas de modelado internas de
COMSOL Multiphysics (figura 3.6) .

Figura 3.6 Geometría de un iman en COMSOL Multiphysics.

o Definición de Condiciones de Contorno: Las condiciones de contorno

especifican las restricciones y características límite del fenómeno físico
en estudio. Estas condiciones pueden incluir aspectos como la
temperatura en una superficie o la velocidad de un fluido en un borde del
sistema (figura 3.7).
 2.7 Condicione de contorno para un imán en COMSOL Multiphysics

o Definición de Propiedades Materiales: Las propiedades materiales

(figura 3.8) definen el comportamiento del material presente en el
sistema simulado. Ejemplos de estas propiedades abarcan la
conductividad térmica de un material metálico o la viscosidad de un
fluido.

2.8 Definición de materiales para un imán en COMSOL Multiphysics

o Incorporación de Fenómenos Físicos: Los fenómenos físicos

constituyen los elementos esenciales del modelo y se basan en
conjuntos de ecuaciones diferenciales parciales que caracterizan su
comportamiento. COMSOL Multiphysics ofrece una amplia gama de
fenómenos físicos para abordar diferentes aspectos del fenómeno
estudiado.

2.9 Definición de los fenómenos físicos presentes

en un imán en COMSOL Multiphysics

o Ensamblaje del Modelo: El ensamblaje del modelo consiste en la

integración de los fenómenos físicos en un modelo global, donde se
establecen relaciones y acoplamientos entre ellos.

o Resolución del Modelo: Una vez ensamblado, el modelo se resuelve

utilizando el método de elementos finitos para obtener resultados
numéricos precisos.
 Figura 3.10 Mesh para un imán en COMSOL Multiphysics

o Postprocesamiento: Los resultados numéricos obtenidos tras la

resolución del modelo pueden ser visualizados y analizados con las
herramientas de postprocesamiento de COMSOL Multiphysics. Estas
herramientas permiten la creación de gráficos, animaciones y tablas que
facilitan la interpretación y la presentación de los resultados.

Figura 3.11 Líneas del campo magnético de un imán dentro de un cubo en COMSOL
Multiphysics

 Modelo de la fuente de iones

COMSOL Multiphysics como herramienta de simulación multifísica basada

en el método en FEM permite la simulación del comportamiento de las fuentes
de iones. Ya que este posee un conjunto de características y capacidades que
le confieren idoneidad para esta finalidad.
La simulación de una fuente de iones me COMSOL Multiphysics implica la
creación de un modelo que refleje con precisión el funcionamiento de la fuente.
Este modelo debe incorporar los siguientes componentes clave:

o Cátodo: El cátodo se refiere a la superficie emisora de electrones,

desde donde se origina el flujo de electrones en el sistema.

o Ánodo: El ánodo corresponde a la superficie que atrae los electrones

emitidos por el cátodo.

o Cámara de Plasma: La cámara de plasma representa el espacio donde

se genera y mantiene el plasma, el cual contiene iones cargados.

o Campos Eléctricos: Los campos eléctricos se encargan de acelerar los

iones cargados en la dirección deseada.

La simulación de la fuente de iones en COMSOL Multiphysics permite la

evaluación de diversos parámetros clave, que incluyen:

o Densidad de Plasma: Este parámetro describe la concentración de

iones presentes en el plasma, siendo fundamental para comprender la
cantidad de iones disponibles en la fuente.
o Distribución de Iones: La distribución de iones refleja cómo se
disponen y se distribuyen los iones en el plasma, lo que puede influir en
su comportamiento y eficiencia.

o Velocidad de los Iones: La velocidad de los iones es crítica, ya que

determina la rapidez con la que se mueven los iones en el plasma, lo
que tiene un impacto directo en su capacidad de rendimiento y
aplicaciones prácticas.

Estos parámetros son esenciales para la evaluación y optimización de una

fuente de iones, y la simulación en COMSOL Multiphysics proporciona una
valiosa herramienta para llevar a cabo este proceso de análisis y diseño.

 Ventajas de la simulación de fuentes de iones con COMSOL

Multiphysics:

COMSOL Multiphysics presenta una serie de ventajas que respaldan su

eficacia en la simulación de fuentes de iones como:

 Modelado Multifísico: Permite simular sistemas que involucran

múltiples fenómenos físicos simultáneamente, abarcando áreas como el
electromagnetismo, la termodinámica y la mecánica. Esta característica
es esencial para la simulación de fuentes de iones, que a menudo
implican la interacción de varios fenómenos físicos de manera
coordinada.
  Interfaz Gráfica de Usuario Intuitiva: El software ofrece una interfaz
gráfica de usuario que se caracteriza por su intuitividad. Esta interfaz
facilita la creación de modelos y la ejecución de simulaciones, lo que
agiliza el proceso de diseño y evaluación.

 Biblioteca de Modelos y Componentes Predefinidos: COMSOL

Multiphysics cuenta con una valiosa biblioteca de modelos y
componentes predefinidos que pueden ser aprovechados para agilizar la
creación y configuración de modelos específicos. Esta característica
resulta particularmente beneficiosa al simplificar el inicio de nuevos
proyectos de simulación

 Desventajas de la simulación de fuentes de iones con COMSOL

Multiphysics:

Sin embargo, es importante tener en cuenta algunas desventajas:

o Requisitos de Potencia de Cálculo: COMSOL Multiphysics, al ser un

programa de simulación de elementos finitos (FEM), demanda recursos
computacionales significativos para llevar a cabo simulaciones. Esto
puede requerir hardware potente, lo cual puede aumentar los costos
asociados con la simulación.

o Costos Asociados: El uso de COMSOL Multiphysics puede implicar

costos considerables, lo que puede ser una limitación para usuarios con
presupuestos

 Simulación de Fuentes de Iones con COMSOL Multiphysics:

Para maximizar los beneficios de la simulación de fuentes de iones con

COMSOL Multiphysics, se sugieren las siguientes recomendaciones:

o Utilizar un Modelo Preciso: Asegurarse de que el modelo represente

con precisión el funcionamiento de la fuente de iones es crucial para
obtener resultados fiables que permita simular sistemas que involucran
múltiples fenómenos físicos

o Realizar Simulaciones de Alta Resolución: Las simulaciones de alta

resolución tienden a proporcionar resultados más precisos, lo que puede
ser fundamental para la optimización del diseño.

o Utilizar un Solucionador Eficiente: La elección de un solucionador

eficiente es importante para resolver las ecuaciones de la simulación de
manera rápida y efectiva, lo que ahorra tiempo y recursos.
 CAPÍTULO IV. Estudios para el desarrollo una Fuente de Iones End-Hall

1.1. Principios Físicos y Diseño de una Fuente de Iones End-Hall.

En los estudios a realizar, se aborda los principios físicos fundamentales que

rigen el funcionamiento de las fuentes de iones End-Hall. Además, se explora
un diseño específico de la fuente, detallando los componentes clave y sus
funciones en el proceso de generación de iones. Se pueden incluir aspectos
relacionados con el cátodo, ánodo, y la cámara de plasma, así como cualquier
otro elemento crucial para el correcto funcionamiento de la fuente.

 Principios Físicos Fundamentales

La generación de plasma en campos eléctricos y magnéticos cruzados a

diferentes presiones da lugar a varias formas de descarga en un sistema, cada
una con procesos físicos específicos. Una clasificación detallada se encuentra
mostrada en la figura 4.1. A bajas presiones ( p<10−2 – 10−1 Pa) , se presenta un
modo de combustión de descarga con un campo magnético débil (LMF). Con
un aumento del campo magnético, se transita a un régimen con campo
magnético fuerte (HMF), donde la mayor parte del voltaje del ánodo se
distribuye en una capa electrónica cercana al ánodo, rodeada por un plasma
casi neutro.

La investigación de Knauer (Knauer, 1966) ha confirmado

experimentalmente la presencia de una capa electrónica en ambientes de baja
presión y campos magnéticos intensos, denominada "vacío AS (Anomalous
Streaming)" debido a su carga espacial no compensada. La transición a altas
presiones resulta en una equiparación de las densidades de iones y electrones,
caracterizando la forma plasmática o modo de transición (TM) según la
clasificación (Boeuf & Pitchford, 1995).

A presiones p >1–10 Pa, el sistema experimenta una transformación hacia la

forma de alta presión (High Pressure (HP)), con cambios significativos en la
distribución de potencial entre las capas anódica y catódica. A mayores
presiones, el papel determinante del campo magnético disminuye, dando lugar
a una transición hacia formas de descarga luminosa (Glow Dicharge (GD)) o
arco. Estos hallazgos contribuyen a la comprensión de las complejas
interacciones en sistemas de campos cruzados, con implicaciones teóricas y
aplicadas.

La investigación se centra en un sistema iónico con descarga en campos

cruzados, utilizando un canal de salida conductor a baja presión. La presencia
simultánea de vacío AS y plasma AS caracteriza este sistema. Los procesos
físicos estudiados comparten características con otros dispositivos previamente
descritos en la sección 1.3.

La Figura 4.1 ilustra las diversas formas de existencia de la descarga en campos

cruzados con voltaje de ánodo constante y cambios en el campo magnético y presión
del gas de trabajo en el sistema. Se identifican formas con bajo y alto campo magnético
(LMF y HMF, respectivamente), una forma de transición (TM), una forma a alta presión
(HP) y una descarga incandescente o arco (GD). Estas representaciones son cruciales
para comprender la complejidad de la descarga en condiciones específicas.

En sistemas de descarga con campos eléctricos y magnéticos cruzados,

la ionización de átomos neutros se logra mediante electrones altamente
energéticos acelerados en una trampa de potencial. Este fenómeno ocurre en
campos eléctricos y magnéticos cruzados localizados, maximizando el cambio
de energía de los electrones entre el ánodo y el cátodo.

Durante colisiones inelásticas de electrones con partículas pesadas,

como átomos, la deriva azimutal de los electrones disminuye, y bajo la
influencia de un fuerte campo eléctrico, los electrones se desplazan hacia el
ánodo. Esto genera una componente axial de la corriente electrónica en el
ánodo. Simultáneamente, los iones resultantes son acelerados por el campo
eléctrico y abandonan la región de descarga. En estos sistemas, se forma un
único estrato de ionización y aceleración de la materia (Knauer, 1966; Boeuf &
Pitchford, 1995). La energía de los iones se determina por la diferencia de
potencial entre el lugar de formación del ion y el potencial del objetivo. Este
proceso contribuye a comprender la generación y manipulación de plasma en
entornos específicos de descarga.

En sistemas de descarga con campos eléctricos y magnéticos cruzados,

se fabrica un canal de aceleración con materiales eléctricamente conductores,
mantenido a potencial catódico. El cátodo limita el flujo de electrones hacia las
paredes del canal. La capa de ionización y aceleración abarca varios radios de
Larmor del electrón, y las características operativas se definen por la variación
de la temperatura electrónica sobre el ánodo.

La distribución a través del grosor del canal de la inducción magnética Br

y el potencial ϕ en el Vacío AS se presenta en las Figuras 4.2a y 4.2b,
respectivamente. Los movimientos esquemáticos de iones y electrones se
representan en la Figura 4.2c. El ánodo se encuentra en el plano x = 0. Los
electrones derivan en la dirección azimutal, mientras que los iones se aceleran
en el campo eléctrico axial, prácticamente sin verse afectados por las fuerzas
magnéticas.

La restricción en la movilidad de los electrones en la dirección transversal

genera una región ampliada cerca del ánodo, caracterizada por un campo
eléctrico fuerte, propicio para la formación y aceleración de iones. Este
fenómeno destaca la influencia de la movilidad electrónica en la dinámica de
iones en el contexto del sistema de plasma estudiado. La ecuación de
movimiento de los iones en el plasma se describe mediante (Hagelaar et al.,
2002)

d vi ∇ pi j
M =eE− −e + e ( vi × B )
dt n σ
… ( 2)

Donde:

ν i, e , y M son la velocidad, carga y masa del ion, en m/s, C, y kg,

respectivamente;

n y σ son la concentración y conductividad del plasma, en m−3 y (Ohm∙m)−1;

E es la intensidad del campo eléctrico, en V;

B es la inducción magnética, en T;

∇ p i es el gradiente de la presión iónica;

j es la densidad de corriente electrónica, en A/m2

Solo las primeras tres fuerzas pueden acelerar un ion, es decir,

aumentar el módulo de su velocidad; la cuarta fuerza, la fuerza de Lorentz,
simplemente cambia la dirección del movimiento. En consecuencia, la
aceleración de un ion por la fuerza eE se llama aceleración electrostática (o
eléctrica), la fuerza ∇ p i /n se llama aceleración gasodinámica (o térmica), y la
fuerza ej/ σ se llama aceleración óhmica.

Figura 4.2. Representación esquemática de la distribución de la inducción magnética (a)

y el potencial (b) a lo largo del grosor de la capa anódica, así como del movimiento de
electrones e iones en un acelerador con corriente de Hall cerrada (c).
Desde un punto de vista macroscópico, la aceleración de iones en el AS se
realiza mediante la fuerza electrostática. Por lo tanto, en casos donde el
movimiento de los iones puede considerarse no disipativo, se describe
mediante la siguiente ecuación:
d ⃗ν i
M E +e ( ⃗
=e ⃗ B)
νi × ⃗
dx
… (3)

La energía cinética máxima de los iones acelerados se determina por la

diferencia de potencial atravesada, ya sea en una fuente electrostática de iones
(Scrivens, 2004)

Ei =q ( ϕ a −ϕ k )
…(4 )

Donde φ a y φ K son los potenciales del ánodo y el cátodo,

respectivamente, y la energía promedio de los iones es aproximadamente un
tercio del voltaje anódico U a (Hagelaar et al., 2002; Boeuf & Pitchford, 1995).

El grosor del canal de aceleración d se determina mediante un equilibrio

entre la velocidad de generación de electrones y su velocidad de salida

d≈
√be
U
ν ief a
… ( 3)

Donde:

ν ief es la frecuencia efectiva de colisiones ionizantes de electrones con átomos,

en s−1;
2
b e =m ν e /e B es la movilidad transversal de los electrones en un campo
magnético, en m2/s.

En el caso en que los electrones en el volumen se forman solo como

resultado de la ionización y todos van al ánodo, y la movilidad de los electrones
está determinada por colisiones parejas, el grosor del auto-sostenido EN
(Electron-Neutral) es del orden del radio de Larmor electrónico (Hagelaar et al.,
2002; Boeuf & Pitchford, 1995)

d ≈ R¿ ( e U a )
… ( 4)
√ ν0
ν ief

Donde

R¿ ( e U a ) es el radio de Larmor para un electrón con energía E=e U a en m;

U a es la diferencia de potencial aplicada al descargador, en V;

ν 0 es la frecuencia de colisiones electrón-atómicas elásticas, en s−1.

De acuerdo con la ecuación (4), el grosor del canal de aceleración

depende de la movilidad de los electrones. La magnitud ν ief está determinada
en gran medida por las condiciones en las paredes que limitan la descarga a lo
largo del campo magnético o, en el caso de inyección externa de electrones,
por los parámetros de la fuente. La entrada adicional de electrones ( ν ief >ν i )
reducirá d . El grosor mínimo del canal de aceleración d min =R R¿ ( φa ) [149, 150].
Y, viceversa, en situaciones de deriva activa de electrones a lo largo de las
líneas del campo magnético desde la región de descarga ( ν ief <ν i ) la zona de
aceleración se elongará. El desarrollo de inestabilidades y la aparición de
conductividad anómala conducen a un aumento en d En el caso en que ν ief → 0,
la longitud de la zona de aceleración se determina por la distancia desde el
ánodo hasta el cátodo, que garantiza la emisión necesaria de electrones

Dado que se puede considerar que en el AS cae todo el voltaje aplicado

al descargador, adoptando el modelo de la capa anódica propuesto en la
temperatura electrónica en el AS se puede representar mediante la siguiente
expresión:

T e =0 , 25 φa
… (5 )

Con el aumento de la presión, la descarga pasa a un régimen de

ionización intensiva, y la distribución de la temperatura electrónica en la capa
anódica, así como su nivel, cambian. Para estimar la temperatura, se puede
utilizar la ecuación de balance de energía en la descarga, bajo la condición de
cuasinneutralidad en la capa.

Ee =e φ a−E−ε i
… ( 6)

donde ε i es el costo energético de la formación de iones, en eV.

La energía promedio de los iones en la sección de salida (cátodo) de la capa se
determina mediante la fórmula:
x
1
Ei = ∫ e φ a ( x ) ne ( x ) na ( x ) dx
ji 0
… ( 7)

Donde:

j i es la densidad de corriente iónica, A/m2;

n a es la concentración de átomos en la capa anódica, cm-3

 A medida que aumenta la presión, la descarga pasa a una nueva
modificación, el anódico se destruye y la corriente de descarga aumenta
bruscamente. Este cambio ocurre cuando la densidad de electrones se iguala a
la de iones, y la probabilidad de ionización de átomos neutrales en la capa se
vuelve alta. En estas condiciones, la entrada de átomos neutrales en la capa
comienza a afectar la estructura de la misma, y pueden surgir diversas
anomalías, como la inestabilidad de ionización (Cuomo et al., 1989; Krivobokov
et al., 2008).

El osciloscopio del EN (Electro-Negativo) permitió establecer que las

corrientes iónicas y electrónicas longitudinales (a lo largo de H) pulsan en el
tiempo a una frecuencia del orden de varios cientos de kilohercios. La
frecuencia de los pulsos es proporcional a la presión y se determina por el
tiempo de acumulación de electrones en la capa debido a la ionización. A
medida que se estudian las oscilaciones en el EN en celdas de Penning y
magnetrónicas, se demuestra que, en la región de saturación y disminución de
la corriente de descarga con el aumento del campo magnético, surgen
oscilaciones relacionadas con la aparición de no homogeneidades azimutales y
su rotación en la capa anódica a una velocidad cercana a la deriva. A pesar de
la simplicidad de los esquemas constructivos de sistemas con campos
eléctricos y magnéticos cruzados, los procesos físicos en ellos son muy
diversos incluso en los modos estacionarios. Actualmente, el entendimiento de
la imagen física en estos modos está lejos de ser exhaustivo, sin mencionar la
gran cantidad de fenómenos posibles en condiciones en las que se generan
fuertes oscilaciones (Garrigues et al., 2008).

 Características constructivas de las fuentes de iones End-Hall y física

de la descarga

En cada uno de los sistemas de descarga con campos eléctricos y

magnéticos cruzados, predomina uno de los mecanismos de aceleración de
iones en un campo electromagnético. Sin embargo, existe un dispositivo
"híbrido" en el que se implementan diferentes mecanismos de aceleración
según la relación entre los parámetros. Las fuentes de iones End-Hall, también
llamado acelerador de extremo de baja potencia. Las fuentes End-Hall se
diferencia de aceleradores extremo estacionarios (AEE) en que su campo
magnético está parcialmente determinado por la corriente de descarga entre
electrodos y principalmente creado por un solenoide colocado fuera del sistema
anódico. Por lo tanto, el campo magnético total de las fuentes End-Hall tiene
generalmente tres componentes: azimutal B∅ , axial Bx , y radial Br . En estas
condiciones, junto con las componentes axiales j x y radiales j r de la corriente,
puede surgir una componente azimutal j Ø (Hagelaar et al., 2002). Por lo tanto,
según la relación entre los parámetros de las fuentes End-Hall según la
ecuación (7), los mecanismos de aceleración de iones en él pueden ser
diversos:

o Cuando el parámetro de Hall ω e τ e ≫ 1, la corriente de Hall azimutal

supera significativamente a la radial j y ≫ j x, y la aceleración de iones se
realiza mediante un campo eléctrico.
 o Si en la zona de aceleración el parámetro de Hall ω e τ e ≈ 1, entonces bajo
la acción de la fuerza j y Bx , y la aceleración de iones se realiza
mediante un campo eléctrico.

o Se produce la rotación de la plasmá en general. En un campo magnético

divergente, la energía de rotación se convierte parcialmente en energía
cinética del haz iónico (mecanismo óhmico).

En la región de baja potencia, también influyen las fuerzas hidrodinámicas,

cuya acción en fuentes de iones End-Hall se determina por efectos térmicos.
También son posibles modos de aceleración combinados. En la región cercana
al cátodo, donde la densidad de plasma es máxima y el campo magnético es
bajo, y el parámetro de Hall ω e τ e ≈ 1, se produce la rotación del plasma. En la
región preanódica, el parámetro de Hall aumenta y comienza a manifestarse el
mecanismo de aceleración mediante un campo eléctrico. También son posibles
otras combinaciones de mecanismos de aceleración.

Las fuentes de iones End-Hall son efectivos en un rango de potencias de

0.05 a 100 kW con corrientes de descarga que van desde unidades hasta miles
de amperios. En la descripción general de su funcionamiento para aplicaciones
tecnológicas, los átomos o moléculas neutros del gas de trabajo se introducen
en la región de descarga a través de un distribuidor de gas en el extremo
cerrado del dispositivo. Los electrones, provenientes de un termo-cátodo, se
dirigen a lo largo del canal de aceleración a lo largo de las líneas del campo
magnético hacia el ánodo, ingresando a la región de descarga donde ionizan
átomos o moléculas. Los electrones e iones recién formados forman un gas
conductor o plasma. Dado que la densidad de partículas neutras disminuye
rápidamente desde el ánodo hacia el cátodo, la mayoría de las colisiones
ionizantes con neutrales ocurren en la región cercana al ánodo. Las líneas del
campo magnético aproximadamente corresponden a las curvas de
equipotencial en el plasma de descarga. Se observa un cambio en el potencial
a lo largo de las líneas del campo magnético, lo que tiende a acelerar los iones
en dirección al cátodo y radialmente hacia el eje de simetría del dispositivo.
Como resultado de diversas trayectorias, los iones que abandonan la fuente
forman un haz amplio. La carga volumétrica positiva de este haz ancho se
neutraliza con electrones del termo-cátodo. La corriente del ánodo se compone
del flujo de electrones, incluidos los electrones del termocátodo y los
secundarios de la ionización de átomos o moléculas. La emisión catódica Ik se
puede considerar como compuesta por la corriente de descarga Id dirigida
hacia el ánodo y la corriente de neutralización I n:

Ik¿ Id +In
… (8 )

La corriente del ánodo ( I a) se forma principalmente debido a los

electrones de la corriente de descarga ( I d) desde el cátodo, además de la
corriente de emisión secundaria ( I s) del proceso de ionización
 Figura. 4.3. Esquema de la región de descarga de la fuente de iones Hall de extremo

Bajo la condición de que todos los electrones del cátodo que se dirigen
hacia el ánodo llegan a él, es decir, I d ¿ I ¿ , se puede igualar I k a I a y obtener

I n=I s
… ( 9)

Bajo el principio de conservación de carga, se deduce que la corriente

iónica I i es igual a la corriente I s de electrones secundarios, y

I n=I i
… ( 10 )

Bajo la condición de igualdad entre la emisión electrónica y la corriente

anódica, se deduce que la corriente de electrones disponible para neutralizar el
haz iónico es igual a la corriente iónica. Vamos a examinar más detalladamente
los procesos de generación y aceleración de iones. Hay dos condiciones
principales bajo las cuales se produce la aceleración de iones mediante la
diferencia de potencial en un campo magnético de forma divergente, como se
muestra en la figura 4.3. La primera es la baja conductividad de la plasma
perpendicular a las líneas del campo magnético. El valor del campo magnético
utilizado en el ionizador de extremo abierto tiene una magnitud típica de varias
decenas de mT. Y la segunda es la inyección externa de electrones en la
región de descarga.

La característica determinante del ionizador de extremo abierto es la

relación de conductividades paralela y perpendicular al vector del campo
magnético. Las conductividades se determinan mediante las siguientes
expresiones:
 σe
σ ∥= 2
ωH
1+
ν 2m
… ( 11 )

σω H
ν
σ ⊥= m 2
ω
1+ 2H
νm
… ( 12 )

Donde:

σ e es la conductividad en ausencia de campo magnético (Ω∙m)-1

ω H es la frecuencia electrónica del ciclotrón de colisiones de electrones (rad/s)

ν m es la frecuencia electrónica de colisiones (s-1). El orden de esta relación se

obtiene en el trabajo [79] a partir de la siguiente expresión

( )
2
σ∥ ωH
=
σ⊥ νm
… ( 13 )

La frecuencia electrónica de colisiones se determinó a partir de las

fluctuaciones del plasma durante la difusión anómala, teniendo en cuenta la
conductividad transversal al fuerte campo magnético. Suponiendo una difusión
anómala de electrones a lo largo de las líneas del campo magnético, esta
expresión se puede cuantificar mediante la relación:

σ∥
=256
σ⊥
… (14 )

Dado que la difusión anómala generalmente es precisa solo dentro del

rango de un coeficiente corrector (del orden de varias unidades), la relación
(3.16) puede ser válida solo dentro del orden de magnitud, es decir, σ ∥ ≫ σ ⊥. En
este contexto, se puede suponer que las líneas del campo magnético
mostradas en la figura 4.3 corresponden aproximadamente a las líneas
equipotenciales en el plasma. Un estudio radial del potencial del plasma
Hagelaar et al., 2002) mostró un cierto aumento al alejarse de las líneas del
campo magnético a lo largo del eje longitudinal del sistema hacia las líneas de
inducción más cercanas al ánodo. Sin embargo, este valor corresponde solo a
una pequeña parte de la diferencia total de potencial ánodo-cátodo. La mayor
caída de potencial se observa en la dirección axial. La densidad de corriente
electrónica axial se determina a partir del gradiente de potencial y la densidad
de flujo de partículas:

dU dn
Γ U =D , Γ n=D
dx dx
… ( 15 y 16 )

Dónde D es el coeficiente de difusión, que se determina a partir de las

condiciones en el canal de aceleración y la región de descarga.

En el caso de difusión anómala, se utiliza el coeficiente de Bohm y la densidad

de corriente de electrones toma la siguiente forma:

e n e dU e T e dn
j ex = −
16 B dx 16 B dx
… ( 17 )

Donde:
e carga electrónica, 1,6∙10-19 C;

n e concentración de electrones m-3;

B inducción magnética, T;

U potencial eléctrico relativo al cuerpo fuente V

T e temperatura del electrón, eV;

x coordenada axial, m.

Dado el supuesto de la constancia de las densidades de corriente

electrónica y iónica en toda la región de aceleración e integrando la expresión a
lo largo del eje de simetría del dispositivo (Figura. 4.3), obtenemos:

je
e n0U 0
∫ Bdx=f ( T e , x )
… ( 18 )

Donde:

n 0 concentración de iones en la zona de su generación, m-3;

U 0 voltaje del ánodo, V;

f ( T e , x )es una función que tiene en cuenta el espectro de energía del flujo de
electrones.

Para diferentes intensidades de campo solo en la dirección del campo

magnético no uniforme, la fuerza promediada actuando sobre el electrón que
se mueve en una órbita circular dentro del fuente en este campo magnético,
actúa paralela al campo magnético y en la dirección de disminución de la
intensidad del campo. Suponiendo una distribución isotrópica de la velocidad
electrónica, el 2/3 de la energía electrónica está asociada con el movimiento
perpendicular al campo magnético, para interactuar con este campo. Con la
suposición de una densidad de plasma homogénea, la diferencia de potencial
en el plasma se mide mediante la integración del campo eléctrico requerido
para equilibrar las fuerzas del campo magnético sobre el electrón, se acepta
que:

Δ U p=( keT ) ln ( BB ) ¿ …(19)

e

T ees la temperatura del electrón en K

B y B0 son la intensidad del campo magnético en dos ubicaciones T

Multiplicador KT e /e temperatura del electrón eV. Tomando B> B0, el

potencial plasmático en B es mayor que el de B0.

El cambio en el potencial del plasma de acuerdo con la ecuación (19)

permite controlar la aceleración de los iones mediante la variación del potencial
en el plasma, que está influenciado por la interacción de los electrones con el
campo magnético. Esto es una característica distintiva de las fuentes de
extremo con campo magnético divergente. Los iones se generan
principalmente en la región preanódica, aunque el potencial del plasma de
descarga se extiende a una distancia significativa más allá de sus límites. Por
lo tanto, los iones tienen un rango equivalente de energía cinética después de
ser acelerados en el haz. Además, los procesos de recarga y de intercambio de
impulso con el gas de fondo en la cámara conducen a la aparición adicional de
iones de baja energía. La neutralización requerida se logra cuando la emisión
catódica es aproximadamente igual al anódico. Constructivamente, las fuentes
End-Hall se benefician significativamente del hecho de que el termocátodo está
ubicado en la dirección del flujo de iones en una región con baja intensidad de
campo magnético. El extremo del polo externo está ubicado en una región con
menor inducción de campo magnético, y desde la entrada del canal acelerador
en dirección al extremo del polo interno, la intensidad del campo magnético
aumenta. Estos dos factores conducen a un aumento proporcional en la
intensidad del campo en la dirección desde el termocátodo hasta la región de
descarga en el ánodo. Uno de los resultados de esto es la creación de un
gradiente de potencial en el plasma, que tiende a formar un haz dirigido de
iones emergentes.

Basándonos en lo anterior, es evidente que para una evaluación práctica de las

corrientes de descarga y del haz iónico, es necesario introducir un indicador
cuantitativo de la conductividad del componente electrónico en el canal
acelerador de la fuente en función del tamaño y configuración del campo
magnético. Luego, la corriente electrónica efectiva del ánodo I ¿ se puede
representar como.
 I ¿=I d Ge
… ( 20 )

Donde:

Ge es el coeficiente de conductividad electrónica del canal de acelerac

ión según el tamaño y la configuración de las líneas de inducción magnética;

I dflujo de electrones del cátodo al ánodo.

La magnitud de Ge se determinará en función de la longitud del canal

acelerador de la fuente y la componente radial de la inducción magnética en
ella. Esta última magnitud determinará la fuerza de Lorentz actuando sobre las
partículas, y es conveniente representar su efecto a través del valor del radio
de Larmor correspondiente al valor de la inducción magnética. Luego, el
coeficiente de conductividad electrónica se puede representar como la relación
entre el radio de Larmor y el valor de la longitud libre del electrón en el canal
acelerador del sistema de descarga
2 R¿
nea LKP
Ge = =
ned 2R
1+ ¿
L KP
… ( 21 )

Donde:

n ea Es el número de electrones que ingresan a la zona de descarga sobre la

superficie de trabajo del ánodo, m-3;

n ed Es el número de electrones a la entrada del canal de aceleración de la

fuente, m-3;

R¿ Radio de Larmor de los electrones, m;

L KP la longitud de la zona de vuelo de electrones en el canal de aceleración, m,

se determina a partir de la diferencia entre la longitud total del canal de
aceleración y la longitud de la zona de formación de iones.

L KP=L K −Li
… ( 22 )

El valor del radio de Larmor se determina a partir de la ecuación:

m v mvsin β
R¿ = =
eB eB
… ( 23 )

Donde:
v es la velocidad de la partícula perpendicular al campo magnético, m/s

β es el ángulo entre la dirección de la velocidad de la partícula y las líneas de

inducción del campo magnético.

En la práctica, la fórmula más conveniente para determinar el radio de Larmor

es expresarlo en términos de energía cinética de las partículas en eV:

E ke =
m v2
2e
⇒ v=
… ( 24 )
m √
2 E ke e

Ahora sustituyamos esta expresión por velocidad en la ecuación (23):

R¿ =
msin β
eB
√
2 E ke e
m

… ( 25 )

Luego de realizar transformaciones y sustituir los valores numéricos de la masa

y carga del electrón, obtenemos:

m √ E ke
R¿ =1,066 ×10−6
B
… ( 26 )

Sustituyamos el coeficiente de conductividad electrónica del canal de

aceleración dependiendo de la magnitud y configuración de las líneas de
inducción magnética (Ge) en la ecuación (3.26) para determinar la corriente de
descarga efectiva:

2,132 ∙10−6
E ke
B
L K −Li
√
I ¿=I d

1+ 2,132∙ 10
−6 √
E ke
B
LK −Li
… ( 27 )

Dado la geometría del canal acelerador, los parámetros del campo

magnético y las características energéticas del flujo electrónico inyectado, se
puede estimar la magnitud del actual efectivo de electrones que determina las
condiciones del proceso de formación de iones.

Las regularidades discutidas del vacío autoemisivo en una fuente End-

Hall indican claramente la posibilidad de reducir la tensión de descarga de los
iones generados al potencial de ionización. Algunas propiedades de dicha
descarga y las características del haz iónico se presentan en trabajos
(Hagelaar et al., 2002; Boeuf & Pitchford, 1995). Sin embargo, algunos
procesos y fenómenos requieren una comprensión más detallada a través de
investigaciones adicionales. Entre ellos se incluyen: la formación de flujos
intensivos de iones con energías en los rangos de 10-40 eV y 150-400 eV a
bajas presiones (Cuomo et al., 1989); la influencia del espectro de energía del
flujo electrónico inyectado y la configuración del campo magnético en los
procesos de generación de iones en descargas de bajo voltaje (Garrigues et
al., 2008); el estudio de las posibilidades de generación e intensificación de
descargas de bajo voltaje sin el uso de cátodos calentados; características
dinámicas de la descarga (estabilidad) (Zhurin,n.d. 2012)

1.2. Desarrollo de un modelo físico-matemático para el cálculo de

parámetros de corriente y principios de construcción de fuentes de
iones de baja energía.

Las investigaciones realizadas han demostrado que la operación

confiable de las fuentes de ionización End-Hall está determinada por la
elección de relaciones óptimas entre parámetros constructivos, operativos y
tecnológicos. Estas relaciones son críticas y determinan en gran medida la
funcionalidad de la fuente en condiciones específicas de aplicación. Por lo
tanto, surge la necesidad de desarrollar metodologías que permitan calcular los
parámetros de dichos dispositivos en las etapas iniciales del diseño, lo que
incluye considerar las características de corriente de los flujos de iones y
electrones en estas fuentes.

En una serie de trabajos, se han presentado metodologías para calcular

parámetros de sistemas con corriente de Hall para dispositivos tecnológicos y
propulsores espaciales. Sin embargo, estas metodologías no explican la física
de los procesos y no permiten determinar los parámetros de flujos de iones y
electrones en fuentes tecnológicas con campo magnético longitudinal a
tensiones de descarga por debajo de 50V y presiones de 10 -1 a 10-2 Pa. Por lo
tanto, no son adecuadas para el diseño de sistemas de aplicación industrial
(Garrigues et al., 2008; Hagelaar et al., 2002.

Las características de corriente de los flujos ión-plasma son de especial

interés, ya que determinan parámetros del proceso tecnológico como el
impulso introducido, la carga, la relación ión/átomo, y determinan velocidades
de procesamiento aceptables.

La corriente de descarga se determina por los parámetros del proceso

de ionización, es decir, por los valores de la sección eficaz de dispersión
elástica de electrones σс, la sección eficaz de transporte σтр y la sección eficaz
de ionización de átomos del gas de trabajo σ i, que a su vez dependen de la
energía cinética de los electrones y, además, de las propiedades químicas de
los átomos o moléculas del gas de trabajo.
 En el caso de utilizar argón como gas de trabajo, las gráficas de estas
dependencias en función de la energía se presentan en las figuras 4.4, a y 4.4,
b.

La relación entre la corriente del haz de iones y la corriente total de

descarga es proporcional a la relación entre las cantidades de electrones de
emisión secundaria Is y los que llegan al ánodo Id эф. Al mismo tiempo, la
cantidad de eventos de ionización, evidentemente, corresponde a la cantidad
de electrones secundarios. Cuantitativamente, esto también se puede
representar mediante el impulso de ionización introducido Pi por partículas
negativas, que corresponde a una cierta sección eficaz de ionización.

En general, el desarrollo de una metodología de cálculo y la construcción de

una fuente de iones de baja energía implica la creación de un modelo físico-
matemático que describa los procesos en la fuente y permita prever y ajustar
sus características de funcionamiento.
Is Pi σ i
I ¿ Piopt σ iopt
… ( 28 )

En base a esto, para el caso de Ge=1, se pueden determinar los valores

mínimos del potencial de ruptura y del voltaje de descarga que, según las
limitaciones físicas, se pueden alcanzar en el esquema para la fuentes End-
Hall. El primero estará determinado por el potencial de ionización más bajo
causado por el impacto electrónico en los átomos del gas de trabajo, siendo
para el argón de 15,68 eV. El voltaje de descarga se puede determinar a partir
de los valores máximos de la sección eficaz de transporte para la dispersión de
electrones en átomos del gas de trabajo, que para el argón corresponde a
aproximadamente 12-13 eV.
tr C
1 0 -1 6 см 2 1 0 -1 6 см 2
i
24
80 -1 6
1 0 см
2

18 2 ,4

40 12 1 ,6

6 0 ,8

0 0
0 20 40 Е , эВ 2 3
Е , эВ
10 10 10
Figura. 4.4. Dependencia de la sección transversal para la dispersión elástica de
electrones y la sección transversal de transporte (a), así como la sección transversal de
ionización (b) para Ar en función de la energía de los electrones.

En descargas donde la energía de los electrones es cercana o inferior al

potencial de ionización, adquiere importancia el espectro de energía de los
electrones. Dado que la descarga en un dispositivo de ionización por haz de
electrones es no autoiniciada y requiere una inyección externa constante de
electrones, es evidente que los parámetros iniciales de los electrones están
determinados por los parámetros de su salida del cátodo térmico. En nuestro
caso, esto es un cátodo de tungsteno, y la densidad de corriente de los
termoeléctrones que salen al vacío se determina mediante la expresión:
∞
J T =e N e=e ( 1−R e ) ∫ d N x
Eb

… ( 29 )

Donde:

N e es el número de electrones que salen del emisor por unidad de área (m²) de
la superficie emisora por unidad de tiempo (s);

Re es el coeficiente de reflexión de electrones desde la barrera potencial,

teniendo en cuenta que no todos los electrones que se mueven desde el
interior hacia la superficie del emisor con una cierta energía saldrán al exterior;

d N x es la función de distribución de electrones por las componentes normales

de velocidad.

Sustituyendo la expresión de la función de distribución de electrones para

metales calentados a la temperatura de los emisores termoeléctricos en (3.30)
e integrando, obtenemos [174]:
∞ −E −E −E −E
4 πm 4 πem k 2
b b b b

J T =e N e=e ( 1−R e ) ∙ 3 kT ∫ e kT
d E x= 3
2
( 1−Re ) T e kT
h E
b
h
… ( 30 )

Donde:
h es la constante de Planck, h =6,626×10⁻³⁴ J·s;

Eb es la energía del electrón necesaria para salir del metal, en eV;

E f es la energía del electrón que corresponde al nivel de Fermi, en eV.

Si en esta expresión denotamos (1 – Re ¿=D , Eb – E F =eϕ ₀ y 4 πmek ²/h ³= A ₀,

entonces tomará la forma:
−eφ 0 −b
J T = A0 DT e = A T 2 e T
2 kT

… ( 31 )

Donde:

D es el coeficiente promedio de transparencia de la barrera de energía, que es

la relación entre el flujo de electrones que sale de la superficie del emisor y el
flujo de electrones que incide desde el interior en esa superficie;
A ₀=10 , 4 ×10⁴ A /(m ² · K ²) es la constante universal de Sommerfeld,
 0
0 4 eϕ
A=A D=120 , 4 × 10 D , y b= .
k
… ( 32 )

La expresión (32) es conocida como la ecuación de Richardson-

Dushman. En cálculos prácticos de la densidad de corriente termoeléctrica
utilizando esta ecuación, se utilizan valores experimentales de las constantes A
y b. La última se expresa en grados Kelvin según la fórmula
b=eϕ ₀/k=1 , 9 ×10 ⁻¹⁹ ϕ ₀/1 , 32× 10⁻ ²³=11600 ϕ ₀. Los valores de estas
constantes para el tungsteno son A=60 ×10 ⁻ ⁴ A /(m² · K ²) y b=52400 K .

Una característica importante del proceso de emisión termoeléctrica es

la distribución de velocidad de los electrones. Como se mostró anteriormente,
dentro del metal, la distribución de electrones con velocidad normal a su
superficie v x y con una energía E x bastante alta coincide con una distribución de
Maxwell. Después de superar la barrera de potencial Eb =E F +eϕ ₀, la energía de
los electrones será (m v 20 x)/2=E b – Eb . De aquí se obtiene:

2 2
m v0x m v0x 0
E x= + E b= + E F +e ϕ
2 2
… ( 33 )

2 ❑
d E x =m v 0 x d v 0 x
… ( 34 )

Dada la transparencia D para los electrones que tienen la velocidad v x ,

obtenemos la ecuación de distribución de termoelectrones con respecto a las
componentes normales de las velocidades iniciales. La expresión es la
siguiente:
2 2
−e φ0 −m v 0 x −m v 0 x
4 πm kT 2 kT ❑ ❑ 2 kT ❑ ❑
d N x = D 3 kT e e v dv =L e
0x 0x v 0 x dv 0 x
h
… (35 )

Donde
−eφ 0
4 πm kT
L=D 3 kT e
h
… ( 36 )

|Para los metales, el coeficiente D ≈ 1 y prácticamente no depende de la

velocidad de los electrones, por lo que la distribución maxwelliana de las
velocidades de los electrones permanece incluso después de la emisión. En
este caso, la energía cinética promedio de los electrones termoeléctricos en el
flujo es E=2 kT , mientras que la energía asociada con la dirección normal a la
superficie del cátodo, −E x =kT . Para una temperatura de cátodo de tungsteno
de T =2500 K , el valor de E=0.43 eV E x 0.215 eV .

También es necesario tener en cuenta que el hilo está rodeado por un flujo de
iones, que tienen una carga positiva, disminuyendo la barrera potencial para la
salida de electrones. El trabajo para sacar un electrón bajo la acción del campo
eléctrico acelerador se vuelve igual a
3 1
2 2
e E
e ϕ E =e ϕ0 −e ∆ ϕ 0=e ϕ 0− 1
( 4 π ε 0) 2

… ( 37 )

Si en lugar de la magnitud e ϕ 0 en la ecuación (37) se introduce la

diferencia de potencial, entonces (38) se reduce a la ecuación de Schottky

[ ( ) ]=J
1
−e eE
ϕ − 2
α
√E
2 kT 0 4 π ε 0 T
J TE = A T e T e
… ( 38 )

Donde

J T es la densidad de corriente ( A /m²) cuando E=0 , E es la intensidad del

3/ 2 1/ 2
e E (1/ 2)
campo eléctrico en el cátodo (V /m), y α = 1/ 2
∙ k ≈ 0 , 44 rad /(V /m) .
( 4 π ε0 )

Suponiendo que el valor determinante de la corriente de convección a

través de la sección del área de descarga, debido a la reducción en el campo
magnético de la velocidad de deriva transversal y corrientes de desplazamiento
de partículas cargadas negativamente, se puede calcular la densidad de
corriente electrónica en el canal acelerador de la fuente como

J e =−e ne V D =e n e μE=σ e E
… ( 39 )

Donde:

σ e es la conductividad del flujo electrónico en el plasma. Puede representarse

como
−15
e 1.76∙ 10
σ e =e N e μ e = =
mVm Vm
… ( 40 )

Donde:

e es la carga del electrón, en coulombios C;

N e es la concentración de electrones, en metros cúbicos (m³);

μe es la movilidad de los electrones, que se determina teniendo en cuenta el

proceso principal de frenado de los electrones debido a sus colisiones con
átomos neutros, en metros cuadrados por segundo (m²/s);

m es la masa del electrón, en kilogramos (kg);

V m es la frecuencia de colisiones de electrones con neutrales por segundo, en

segundos al cuadrado (s⁻¹).
V m =B v e σ tr
… ( 41 )

Donde:

N es la concentración de átomos neutros, en metros cúbicos (m³);

v ees la velocidad promedio de los electrones en el flujo, en metros por segundo

(m/s);

σ tr es la sección transversal de transporte de los átomos del gas de trabajo

debido a la energía de los electrones, que también está determinada por la
naturaleza del gas y es una cantidad de referencia, en centímetros cuadrados
(cm²).

La concentración de átomos neutros se determina mediante los

parámetros de presión y temperatura utilizando la ecuación de estado de un
gas ideal.
p
N=
kT
… ( 42 )

Donde

p es la presión del gas en pascales (Pa).

La velocidad promedio de los electrones en una distribución de Maxwell-

Boltzmann (que está determinada por los parámetros de la termoemisión) se
puede expresar como

v e=
√ 8k Te
πm
… 43 )
(

Dado el bajo nivel de presión en la cámara y en la zona de descarga del

ionizador, se puede suponer que la dispersión principal de los electrones ocurre
en átomos neutros y excitados. El primer mecanismo prevalecerá en el caso de
un potencial anódico de varias decenas de voltios, mientras que el segundo
debería permitir la formación de la descarga a tensiones no inferiores a
aproximadamente 12 V.

A partir de las relaciones mencionadas anteriormente, se puede

determinar el tiempo promedio Δt entre dos colisiones de electrones τ e, en las
cuales se produce un intercambio de impulsos:

Vm
τ e=
Δt
… ( 44 )

Utilizando argón como gas de trabajo, con energía de electrones inferior

al potencial de ionización, pero superior al potencial de excitación (~11.5 eV), y
considerando que, en nuestro caso, la velocidad de los electrones es al menos
dos órdenes de magnitud mayor que la velocidad de los átomos neutros, el
tiempo entre colisiones de electrones con átomos ( τ e ≈ 10 −10 s ) es mucho
−2 −2

menor que el tiempo entre colisiones de átomos ( τ e ≪ τ a). Al considerar el

posible tiempo de permanencia τ mde un átomo de argón en un estado excitado
(τ M >1 , 3 s ¿ lo cual es posible en gases rarificados, ya que los átomos excitados
convencionales emiten luz en un rango de 10−9−10−7 s , se puede suponer que
prevalece un mecanismo de ionización resultante de colisiones entre dos (o
más) electrones con el átomo a través de una etapa intermedia de excitación a
un estado metaestable. Este mecanismo de ionización se puede tener en
cuenta al calcular la corriente iónica, especialmente en casos de descargas de
bajo voltaje a baja presión. La corriente iónica se determinará según la cantidad
de actos de ionización completa por unidad de tiempo:

( )
∞ ∞
d ne
=∫ n ( ε ) dεv σ i ( ε ) N a ,n e =∫ n ( ε ) dε
dt i I 0
… ( 45 y 46 )

Donde

N a es la concentración de átomos (cm−3),

σ ies la sección eficaz de ionización (cm2),

n e es la concentración de electrones (cm−3),

ε es la energía de los electrones involucrados en el proceso de ionización (eV).

La frecuencia de ionización, asumiendo una distribución de Maxwell del

espectro de energía de los electrones y la ley lineal σ i ( ε ), válida para energías
de electrones cercanas al umbral de ionización, se determinará mediante la
siguiente expresión después de la integración:
 −φ i

(
v i=N a v e σ i
φi
k Te
+2 e
kT
) e

… ( 47 )

Donde

φ i es el potencial de ionización en electronvoltios (eV).

Teniendo en cuenta la ionización adicional de los átomos excitados, la

expresión se puede escribir como:

(( )
−φ i

v i=N a v e σ i
φi
kTe
kT
+2 e + σ ia
) e

… ( 48 )

Donde se puede tener en cuenta la contribución de cada uno de los

mecanismos de ionización en el proceso general mediante la introducción de
coeficientes empíricos. La densidad de corriente de las partículas positivas,
asumiendo un estado de carga unitaria para los iones, se puede expresar
mediante la siguiente ecuación

J i=e ni v i
… ( 49 )

Donde

ni es la concentración de iones, m-3,

v ila velocidad de iones, m/s.

La concentración de iones se puede determinar a través de la frecuencia

de ionización y la concentración de electrones. La velocidad de las partículas
se determina por el potencial en el lugar de formación del ion y su distancia al
ánodo. La corriente del haz iónico se determinará en función de la densidad de
electrones y el volumen de la zona de ionización intensiva, que en el caso
extremo será igual al producto del área de trabajo del ánodo Sa y la longitud
libre del camino del electrón τ e. La corriente electrónica resultante en el ánodo
será la suma de la corriente termoemisiva en el canal Ite y la corriente de
electrones generados por procesos de ionización I ei:

I a=I te + I ei
… . ( 50 )

Para cálculos aplicados, en el caso de estructuras específicas de

fuentes, es necesario definir las dimensiones de la superficie del ánodo y el
volumen de la zona de ionización. Realizando cálculos para varias corrientes
de emisión, se puede construir un gráfico de la dependencia de la corriente del
haz de iones de la corriente anódica y compararlo con los resultados
experimentales.

Basándonos en las regularidades mencionadas anteriormente,

formularemos los principios de construcción de fuentes de iones de alta
corriente y baja energía. La aplicación de sistemas magnéticos multipolares
con dos o más fuentes de campo en dispositivos de descarga con corriente de
Hall cerrada permite controlar de manera flexible los parámetros del campo
magnético en la región del canal acelerador y en el espacio anódico, lo que
permite controlar en un amplio rango la energía del haz iónico generado y la
distribución de su densidad.

La formación de un "canal magnético" para la componente electrónica

inyectada en la descarga permite aumentar la concentración de partículas en la
zona de descarga y aumentar la densidad del flujo iónico acelerado. Además,
esta forma de campo magnético permite reducir significativamente la dispersión
del espectro de energía de los iones en el haz formado.

El control de los parámetros energéticos de la componente electrónica

inyectada en la descarga permite mantener el valor máximo de la sección
eficaz de ionización para formar descargas de baja tensión y alta corriente.
El uso de electrodos aceleradores con varias superficies de trabajo y una forma
geométrica que se ensancha hacia la salida del canal acelerador permite
realizar una ionización más efectiva del gas de trabajo al crear un gradiente de
presión a través de la sección transversal de la región de descarga hacia la
salida de la fuente.

1.3. Diseño de los componentes de esenciales de la fuente de iones

En esta sección se detallarán los componentes esenciales de la fuente de

iones, como el cátodo, ánodo (figura 4.5). Se explicará la función de cada
componente en el proceso global de generación de iones.

 Cátodo: El cátodo, fuente primaria de electrones, desempeña un papel

crucial en la generación de iones. Existen varios tipos, siendo el más
común el de emisión termoiónica, fabricado con materiales como
tungsteno o tantalio. Otro tipo es el cátodo de emisión de campo, donde
los electrones se emiten debido a un campo eléctrico aplicado en lugar
de la temperatura. Al calentar el cátodo, los electrones adquieren la
energía necesaria para superar la barrera de potencial y escapar del
material, iniciando así el proceso de ionización. La temperatura del
cátodo se regula meticulosamente para ajustar la cantidad de electrones
emitidos, garantizando la estabilidad y eficiencia de la fuente de iones.

 Ánodo: El ánodo actúa como el punto de impacto para los electrones

emitidos por el cátodo, desencadenando eventos cruciales para la
generación de iones. Los electrones colisionan con átomos o moléculas
en el entorno circundante al llegar al ánodo. La colisión de los electrones
 con átomos o moléculas puede resultar en ionización, generando iones
positivos esenciales para la formación del haz de iones. La diferencia de
potencial entre el cátodo y el ánodo acelera los electrones hacia este
último, determinando la energía de los electrones y, por ende, la eficacia
del proceso de ionización.

Entender la dinámica detallada de estos componentes permite optimizar la

fuente de iones para aplicaciones específicas. La temperatura del cátodo, el
potencial entre el cátodo y el ánodo, y la elección de materiales son
consideraciones críticas en el diseño y operación eficientes de la fuente de
iones.

Figura 4.5. Esquema de los una fuente de iones tipo End-Hall

Para el diseño de la fuente End-Hall propuesto, se ha elegido el modelo

"Strelok-2" como punto de referencia debido a su relevancia y aplicabilidad en
fuentes de iones similares. Este modelo se utiliza como guía para comprender
la geometría y la disposición de los componentes, en particular, el cátodo y el
ánodo.

El proceso de modelado se lleva a cabo utilizando Autodesk Inventor,

como herramienta de diseño asistido por computadora. Este enfoque permite
obtener representaciones visuales detalladas de cada componente, lo que
facilita el análisis de su estructura y la interacción entre ellos. La capacidad de
modificar virtualmente estos elementos es esencial para adaptar el diseño
original y mejorar su rendimiento.

El siguiente paso implica realizar simulaciones del campo magnético

utilizando software especializado como lo es COMSOL multiphysics. Estas
simulaciones proporcionarán información detallada sobre la distribución del
campo magnético en la fuente de iones. Al ajustar parámetros como la
temperatura del cátodo, la diferencia de potencial y la geometría, se busca
optimizar el rendimiento de la fuente.

Durante este proceso, se explorarán diferentes configuraciones de

campo magnético para identificar aquellas que maximizan la eficiencia y la
estabilidad del haz de iones. La adaptabilidad del diseño original permite
buscar oportunidades para mejorar la geometría de los componentes y ajustar
variables clave.

El objetivo final es lograr un diseño personalizado que cumpla con los

requisitos específicos de la fuente de iones End-Hall propuesta. Este enfoque
integrado de modelado y simulación proporciona una plataforma efectiva para
la mejora continua y la optimización de la fuente, asegurando un rendimiento
óptimo en su aplicación prevista

Las fuentes de End- Hall tienen, por lo general, una geometría con
simetría axial. Esta geometría fue elegida para estas fuentes con el fin de
permitir que la corriente de Hall circule libremente en la dirección azimutal. El
ánodo de la fuente Strelok 2. está compuesto por dos partes. Una parte
cilíndrica caracterizada por un radio de 1 cm y una altura de 0.29 cm, y una
parte cónica con una profundidad de 1.86 cm y un radio de 1.9 cm en la salida
del ánodo. Un imán cilíndrico de AlNiCo 5 con un radio de 1 cm y una altura de
8.1 cm se coloca detrás del difusor de gas a 0.94 cm. Este imán se coloca de
manera que su eje de simetría coincida con el del ánodo. El gas se inyecta
desde una corona ubicada en el plano del difusor. Se caracteriza por un radio
interno de 1.7 cm y un radio externo de 1.9 cm. El difusor se coloca detrás del
ánodo a 0.25 cm.

Simulación de Campos Magnéticos en el Canal de Aceleración

Esta sección se centrará en la simulación de los campos magnéticos

presentes en el canal de aceleración de la fuente de iones. Se describirá el
método utilizado para simular estos campos magnéticos, destacando la
importancia de esta simulación para comprender y optimizar el rendimiento de
la fuente. Además, se pueden presentar resultados específicos obtenidos a
través de estas simulaciones.

La estructura cilíndrica de la fuente End-Hall, se representa mediante la

simetría axial del campo magnético generado por el imán, así como la simetría
del plasma generado por la fuente, permiten el uso de un modelo con simetría
axial simétrica, a pesar de que el cátodo parece romper esta simetría. Esta
hipótesis está justificada y validada por mediciones experimentales realizadas
por André Bouchoulle (Bouchoulle, 2008). De hecho, la distribución angular del
haz iónico se ha medido en un plano paralelo al filamento y en un plano
perpendicular al del filamento, y los resultados obtenidos son idénticos.

 Simulación del campo magnético de la fuente End-Hall

La resolución numérica del problema impone, entre otras cosas, una

discretización espacial del dominio de cálculo. En nuestro modelo, se requieren
dos rejillas para resolver las ecuaciones que rigen el funcionamiento de una
fuente End-Hall; una rejilla (x, r) llamada "rejilla de partículas" y una rejilla (λ)
llamada "rejilla fluida". El par (x, r) representa las coordenadas axiales y
radiales en un sistema de coordenadas cilíndricas, la función (λ) es constante a
lo largo de una línea de campo magnético. La rejilla de partículas es
bidimensional, sus celdas son rectangulares en coordenadas cilíndricas y se
utiliza principalmente para resolver el transporte de iones. La rejilla fluida es
unidimensional, sus celdas están delimitadas entre dos líneas de campo
magnético y los límites del dominio de cálculo. Esta rejilla se utiliza para
resolver el transporte de electrones. La representa las rejillas utilizadas en
nuestro modelo.

Las trayectorias de los átomos y los iones se calculan en 3D. Sin embargo,
las partículas (átomos e iones) se localizan en 2D según las coordenadas
cilíndricas (x, r). Las densidades atómicas e iónicas se calculan en función del
número de partículas presentes en las celdas de esta rejilla. Otros parámetros
del plasma, como la tasa de ionización, el potencial del plasma, etc., se
calculan en esta rejilla. La construcción de esta misma se basa en las líneas
del campo magnético de manera que la frontera entre dos celdas sucesivas de
esta rejilla esté ubicada en una línea de campo magnético. Las ecuaciones de
transporte electrónico se resuelven en esta rejilla.

 Cálculos del campo magnético

En las fuentes End-Hall, el campo magnético suele generarse mediante un

imán permanente que forma parte de la configuración de la fuente (. En nuestro
modelo, las componentes axiales y radiales de este campo se calculan
utilizando el software Comsol multiphysics. Este párrafo describe cómo se
calcula el campo magnético, así como la definición de la función λ basada en
las propiedades del imán.

El campo magnético generado por el imán presente en la fuente End-Hall se

calcula mediante el software Comsol multiphysics. Este software es capaz,
entre otras cosas, de calcular las componentes axiales y radiales del campo
magnético en un problema de magnetostática axisimétrica. Describimos
brevemente, en este párrafo, las ecuaciones resueltas por COMSOL con el
objetivo de brindar al lector una visión general de nuestro enfoque.

Las propiedades magnéticas de varios tipos de imanes están almacenadas

en la base de datos de. Así, el potencial vector magnético generado por un
imán permanente se calcula en función de la naturaleza y las dimensiones de
este último. Para obtener el campo magnético, FEMM resuelve la ecuación

B=∇ × A
… ( 51 )

donde B representa el campo magnético y A representa el potencial vector

magnético. La simetría axisimétrica garantiza que el potencial vector magnético
sea puramente azimutal, A=A θ. Las componentes del campo magnético se
calculan en coordenadas cilíndricas según las ecuaciones:
 −∂ Aθ −1 ∂ ( r Aθ )
Br= , Bθ =
∂x r ∂r
… (51 y 52 )

B=√ B2x + B2r

… ( 53 )

Donde Br y Bx representan respectivamente la componente radial y axial del

campo magnético.

Es importante destacar que el campo magnético se genera puramente

por el imán permanente. Esto significa que el campo magnético debido al
movimiento de cargas en el plasma es despreciable en comparación con el
generado por el imán permanente de la fuente.

El campo magnético que prevalece en las fuentes tipo End-Hall se

caracteriza por su intensidad, que es máxima frente al difusor (del orden de 100
mT), y por sus líneas (líneas del campo magnético) paralelas al ánodo. La
intensidad de este campo es suficiente para magnetizar la especie electrónica y
para extender el campo eléctrico a través del espacio entre electrodos. El
hecho de que las líneas del campo magnético sean paralelas al ánodo aumenta
considerablemente el tiempo de residencia de los electrones en la fuente, y, por
lo tanto, aumenta la tasa de ionización.

 Función λ (Función de flujo del campo magnético)

La función λ desempeña un papel crucial en la resolución de las ecuaciones de

transporte electrónico a través de las líneas del campo magnético en el modelo
propuesto. Su definición compleja, como se expresa en la ecuación anterior,
refleja la influencia de la permeabilidad magnética (μ) y la corriente fuente del
imán Jiman en la generación de esta función.

(
∂ 1 ∂λ
∂x μ ∂x
+ )(
1 ∂λ
μr ∂ r )
=−r J iman

… ( 54 )

En el contexto de la simulación numérica, la función λ se convierte en un

componente esencial para caracterizar y distinguir las diversas líneas del
campo magnético. La relación λ=r A θ muestra cómo esta función está
relacionada con el potencial vector Aθ y, por lo tanto, con la estructura del
campo magnético.

El proceso de discretización de los valores de λ permite la creación de la

rejilla fluida, que desempeña un papel vital en la resolución de las ecuaciones
de transporte electrónico para los electrones en el plasma. La constancia de λ a
lo largo de una línea de campo magnético garantiza la coherencia y precisión
en la representación del entorno magnético en el modelo, proporcionando una
base sólida para el análisis y la simulación.

Además, la relación que vincula el gradiente perpendicular al campo

magnético con la función λ subraya la importancia de esta función en la
descripción de la variación de cantidades físicas a través del campo magnético.
Principio del formulario

 Modelado Geométrico y Asignación de Materiales

La simulación del campo magnético se construyó en COMSOL Multiphysics

a partir de una geometría tridimensional. Como se muestra en la estructura del
modelo, la geometría se creó combinando un objeto importado de un software
CAD externo con geometrías primitivas (como una esfera) y uniendo todas las
partes con la operación de Form Union. Este enfoque garantiza que todas las
partes del diseño formen un único dominio de estudio para el análisis.

Se asignaron diversos materiales a los componentes del modelo para que la

simulación pudiera considerar sus propiedades magnéticas, de permeabilidad o
de aislamiento. Los materiales clave incluidos fueron:

o Acero inoxidable: material utilizado en algunos de los componentes de

la fuente para que no modifique el campo magnético generado por los
imanes permanentes

o Hierro: Componentes que parten como guía para las líneas de campo
magnético

o Cobre: Componente protector para enfriar los imanes permanentes

o Teflón y Óxido de Aluminio: Materiales dieléctricos y aislantes que

separan las partes conductoras y protegen algunos elementos críticos
de la fuente del plasma.

o Argón: Representa el gas de trabajo dentro del volumen de la fuente.

 Módulos de Física Empleados y Condiciones de Contorno

Este módulo es ideal para el problema, ya que permite la resolución de las

ecuaciones de Maxwell en modo estacionario para campos generados por
imanes permanentes.

Para asegurar una representación precisa del sistema magnético, se definieron

las siguientes condiciones de contorno:
 o Fuentes del Campo Magnético: El campo magnético auxiliar de la
fuente End-Hall se genera a partir de imanes permanentes. La
contribución de estos imanes se modeló como una fuente de campo,
especificando la densidad de flujo magnético remanente del material de
los imanes.

o Aislamiento Magnético: Esta condición se aplicó a las fronteras

externas del dominio de simulación para modelar un espacio "infinito",
asumiendo que el campo no se extiende significativamente más allá de
los límites del modelo.

o Conservación del Flujo Magnético: Esta condición se utiliza en las

fronteras internas para asegurar que el flujo magnético se conserve en
las interfaces entre diferentes materiales o dominios, garantizando la
precisión de la solución.

 Malla Computacional

El modelo geométrico fue discretizado utilizando una malla computacional

de tipo tetraédrica libre. Este tipo de malla se compone de elementos
tetraédricos tridimensionales que se adaptan de manera flexible a geometrías
complejas, como las que presentan las partes de la fuente de iones, incluyendo
los imanes y los polos magnéticos.

La calidad y el refinamiento de la malla son cruciales para la precisión de la

simulación. En este caso, la malla se ajustó para ser más fina en las regiones
de interés, como los bordes de los imanes y las puntas de los polos
magnéticos, donde se esperan altos gradientes de campo magnético. Esta
estrategia de refinamiento permite obtener una solución numérica precisa de
las ecuaciones de Maxwell, garantizando que los valores del campo magnético
y sus componentes se calculen con la exactitud necesaria para el análisis
posterior del rendimiento de la fuente.

1.4. Modelado y Análisis Térmico de la Fuente de Iones End-Hall

El control térmico de una fuente de iones tipo End-Hall no es simplemente

una cuestión de ingeniería de diseño, sino que se fundamenta en principios
físicos rigurosos de la transferencia de calor. El rendimiento, la estabilidad
operativa y la vida útil de estos dispositivos dependen críticamente de su
capacidad para disipar eficientemente la energía generada durante la descarga
de plasma (Incropera et al., 2007). Este capítulo presenta la teoría fundamental
de la transferencia de calor que sirve como base para el modelado y el análisis
computacional del sistema de enfriamiento de la fuente de iones. Se describen
en detalle los tres modos principales de transferencia de calor –conducción,
convección y radiación–, explicando su relevancia específica en el contexto de
las fuentes de iones y cómo se interrelacionan para influir en la distribución de
la temperatura (Holman, 2010).
 La energía generada por el bombardeo de partículas energéticas del
plasma sobre las superficies de la fuente se transfiere a través de los
componentes sólidos por conducción, es absorbida por el fluido refrigerante
mediante convección forzada, y se disipa hacia el entorno de vacío circundante
por radiación. Comprender cada uno de estos mecanismos, así como su
acoplamiento, es esencial para interpretar con precisión los resultados de las
simulaciones y para proponer soluciones de diseño efectivas que garanticen la
fiabilidad de la fuente en aplicaciones de alta potencia.

 Principios Teóricos de la Transferencia de Calor

o Conducción: Transferencia de Calor a Través de Sólidos

La conducción es el mecanismo de transferencia de calor en el que la

energía térmica se propaga a través de un medio sólido o estacionario, sin un
movimiento macroscópico del medio (Incropera et al., 2007). Ocurre a nivel
microscópico debido a la vibración de las moléculas y los átomos, y al
movimiento de los electrones libres en el caso de los metales. En el contexto
de la fuente de iones End-Hall, la conducción es el modo dominante de
transferencia de calor dentro de los componentes sólidos de la estructura,
como el ánodo, la carcasa, los polos magnéticos y el propio sistema de
enfriamiento.

El principio fundamental que gobierna la conducción de calor es la Ley de

Fourier, que establece que la tasa de transferencia de calor a través de un
material es directamente proporcional al área de la sección transversal, al
gradiente de temperatura en esa dirección y a una propiedad intrínseca del
dT
Q x =−kA
material, conocida como conductividad térmica (k) (Holman, 2010). dx
… ( 55 )

Donde:

Qx es la tasa de transferencia de calor en la dirección x (W).

k es la conductividad térmica del material (W/m·K).

A es el área de la sección transversal a través de la cual fluye el calor (m2).

dT
es el gradiente de temperatura en la dirección x (K/m).
dx

La conductividad térmica (k) es una propiedad crítica para la elección de

los materiales en la fuente de iones. Materiales con alta conductividad, como el
cobre y el tungsteno, se utilizan en los componentes que deben disipar grandes
cantidades de calor, como el ánodo y el cátodo, para facilitar la transferencia de
energía hacia el sistema de enfriamiento. Por otro lado, los materiales con baja
conductividad, como las cerámicas y los polímeros (e.g., teflón), se emplean
como aislantes térmicos para proteger los componentes sensibles o dirigir el
flujo de calor.

En el análisis computacional de la fuente de iones, la ecuación de

conducción de calor en 3D en estado estacionario se resuelve para el dominio
sólido:
'' '
∇ ⋅ ( k ∇ T ) +q =0
… ( 56 )

Donde

q′′′ es la tasa de generación de calor volumétrica (W/m3 ) dentro del material,

o Convección: Transferencia de Calor por Flujo de Fluido

La convección es el modo de transferencia de calor que ocurre entre una

superficie sólida y un fluido en movimiento (líquido o gas) (Incropera et al.,
2007). En la fuente de iones End-Hall, este es el mecanismo principal para la
disipación activa de la energía térmica generada, a través del sistema de
enfriamiento por agua. Se distingue entre la convección natural, donde el
movimiento del fluido se debe a las diferencias de densidad causadas por el
calentamiento, y la convección forzada, donde el fluido es movido por un medio
externo, como una bomba. El sistema de enfriamiento de la fuente de iones se
basa en la convección forzada, que es considerablemente más eficiente.

El principio que rige la transferencia de calor por convección es la Ley de

Enfriamiento de Newton, que establece que la tasa de transferencia de calor
entre una superficie y un fluido es proporcional a la diferencia de temperatura
entre ellos y a una propiedad de la interfaz conocida como coeficiente de
transferencia de calor por convección (h) (Holman, 2010).

La ecuación de la Ley de Enfriamiento de Newton es:

Qconv =hA ( T s−T f )

… ( 57 )

Donde:

Qconv es la tasa de transferencia de calor por convección (W).

h es el coeficiente de transferencia de calor por convección (W/m2⋅K).

A es el área de la superficie en contacto con el fluido (m2).

Ts es la temperatura de la superficie sólida (K).

Tf es la temperatura promedio del fluido (K).

 El coeficiente de convección (h) no es una propiedad del material o del
fluido, sino que depende de las condiciones del flujo (velocidad, viscosidad), las
propiedades termodinámicas del fluido (densidad, conductividad, calor
específico) y la geometría de los canales de flujo. En el análisis computacional,
h se calcula a partir de las ecuaciones de la dinámica de fluidos, lo que
requiere un acoplamiento entre los módulos de flujo de fluido y de transferencia
de calor.

o Radiación: Transferencia de Calor sin un Medio Físico

La radiación es el mecanismo de transferencia de calor en el que la energía

se transporta a través de ondas electromagnéticas, sin necesidad de un medio
material. Es el único modo de transferencia de calor que puede ocurrir en el
vacío, por lo que es un factor crucial en los procesos de disipación de calor de
la fuente de iones hacia las paredes de la cámara de vacío.

El calor emitido por una superficie por radiación se rige por la Ley de Stefan-
Boltzmann:
Qrad =ϵσ A ( T 4s −T amb
4
)
… ( 58 )

Donde:

Qrad es la tasa de transferencia de calor por radiación (W).

ϵ es la emisividad de la superficie.

σ es la constante de Stefan-Boltzmann (5.67×10−8 W/m2⋅K4).

A es el área de la superficie que irradia (m2).

Ts es la temperatura absoluta de la superficie (K).

Tamb es la temperatura absoluta del entorno (K).

La emisividad (ϵ) es una propiedad de la superficie que depende del

material y el acabado. Las superficies brillantes o pulidas tienen una emisividad
baja y son malos radiadores, mientras que las superficies opacas y oscuras
tienen una alta emisividad y son excelentes radiadores. En la simulación, se
deben asignar valores realistas de emisividad a las superficies externas de la
fuente para modelar con precisión la disipación de calor por radiación.

 Fenómenos de Interfaz y Acoplamiento

En la práctica, los tres modos de transferencia de calor no actúan de forma

aislada. La simulación de la fuente de iones es un problema de multifísica que
acopla estos mecanismos. El calor generado por el plasma se conduce a través
de los sólidos, y simultáneamente, las superficies de esos sólidos disipan el
calor por convección y radiación.
 Un aspecto crítico a considerar es la resistencia de contacto térmico. En las
interfaces entre dos materiales sólidos, incluso si están en contacto, la
transferencia de calor no es perfecta debido a las irregularidades microscópicas
de las superficies. Esto crea una resistencia térmica adicional que puede
generar un salto de temperatura en la interfaz, lo que puede ser un factor
limitante en la disipación de calor. Un modelado preciso debe considerar este
fenómeno en las uniones entre el ánodo y el sistema de enfriamiento para
predecir con exactitud los puntos calientes y el rendimiento térmico general.
Mecanismos de generación de calor del plasma

El análisis térmico de la fuente de iones End-Hall no puede entenderse

plenamente sin un conocimiento profundo de la física del plasma que la
alimenta. El plasma es un gas ionizado que actúa como el medio principal para
la operación de la fuente, pero también es la fuente primaria de energía térmica
que debe ser disipada. La energía eléctrica suministrada a la descarga se
convierte en energía cinética y potencial de las partículas de plasma, la cual, a
través de diversos mecanismos, se transfiere a los componentes sólidos de la
fuente en forma de calor. Esta sección se centra en describir los procesos
físicos que dictan cómo y dónde se genera esta carga térmica.

El calor no se genera de manera uniforme; su distribución es el resultado

directo de la compleja dinámica de las partículas de plasma bajo la influencia
de los campos eléctricos y magnéticos. La comprensión de estos mecanismos
de calentamiento es esencial para el modelado preciso de las condiciones de
contorno térmicas en las simulaciones y para la interpretación de los resultados
de temperatura.

 Mecanismos de Transferencia de Energía del Plasma a las Paredes

La transferencia de energía desde el plasma hacia las superficies internas

de la fuente ocurre a través de varios mecanismos, siendo el bombardeo de
partículas el más significativo en términos de la carga térmica depositada.

o Bombardeo Iónico

El bombardeo de iones es el principal contribuyente a la carga de calor en la

mayoría de las superficies en contacto con el plasma, especialmente el ánodo y
las paredes del canal de descarga. La interacción se describe de la siguiente
manera:

 Formación de la Vaina de Plasma (Plasma Sheath): Cerca de

cualquier superficie en contacto con un plasma, se forma una capa
delgada y sin carga de espacio neto, conocida como la vaina de plasma.
Dado que los electrones son mucho más ligeros y móviles que los iones,
las paredes (que generalmente tienen un potencial de referencia)
adquieren un potencial flotante negativo con respecto al potencial del
plasma. Esta diferencia de potencial acelera los iones hacia la pared.
  Aceleración y Transferencia de Energía: Los iones positivos (por
ejemplo, Ar+) que entran en esta vaina son acelerados por el potencial
eléctrico y adquieren una energía cinética considerable. Al impactar la
superficie de la pared, transfieren toda su energía cinética, que se disipa
como calor. La energía de un ion que bombardea una pared polarizada
negativamente está dada aproximadamente por la diferencia entre el
potencial del plasma y el potencial de la pared.

 Flujo Iónico: La tasa de calentamiento superficial por bombardeo iónico

es directamente proporcional al flujo de iones hacia la pared y a la
energía cinética que cada ion transfiere. La región de la fuente con la
mayor densidad de plasma y flujo iónico (típicamente el canal de
descarga) experimentará la carga térmica más alta por este mecanismo.

o b) Bombardeo Electrónico

Aunque el sistema magnético está diseñado para confinar a los

electrones cerca del ánodo, el bombardeo electrónico sigue siendo un
mecanismo de calentamiento crucial, especialmente en la superficie del ánodo.
Los electrones, aunque atrapados en sus trayectorias ciclotrónicas, aún tienen
una pequeña movilidad perpendicular a las líneas de campo magnético. Esta
difusión a través del campo magnético les permite moverse lentamente hacia el
ánodo para completar el circuito de la descarga.

 Difusión Transversal: La difusión de los electrones a través del campo

magnético es un proceso relativamente lento, pero el gran número de
electrones involucrados en la descarga hace que el flujo de electrones
hacia el ánodo sea considerable.

 Energía y Flujo: A su llegada, los electrones transfieren su energía

térmica y cinética a la superficie del ánodo. Debido a que la corriente
electrónica en una descarga End-Hall puede ser muy alta, el flujo de
energía a la superficie del ánodo puede ser muy significativo,
convirtiéndolo en uno de los puntos más calientes de la fuente.

o c) Bombardeo de Neutros Rápidos por Intercambio de Carga

Dentro del volumen del plasma, existen tanto iones energéticos como un
gran número de átomos neutros del gas de trabajo. Se puede producir una
colisión de intercambio de carga entre un ion rápido y un átomo neutro lento:
0
0 +¿+ Ar rápido ¿
+ ¿+ Ar lento → Ar lento … ( 59 )
Ar rápido
¿

En este proceso, el ion transfiere su carga al átomo neutro, que de

repente gana una alta energía cinética. El nuevo neutro rápido no está
confinado por los campos magnéticos o eléctricos y puede viajar en línea recta,
impactando cualquier superficie que se encuentre en su camino. Este
mecanismo contribuye a una carga térmica más distribuida en las paredes del
canal de descarga, ya que estos neutros rápidos pueden impactar superficies
fuera de la vaina de plasma.

o d) Radiación del Plasma

Finalmente, el plasma es una fuente de luz y radiación. Las partículas

excitadas del plasma emiten fotones al regresar a un estado de menor energía.
Esta energía radiativa es absorbida por las paredes de la fuente, contribuyendo
a su calentamiento. Aunque este mecanismo suele ser menos dominante en
comparación con el bombardeo de partículas en términos de la carga total, su
contribución puede ser relevante en ciertos regímenes de operación y debe ser
considerada en un modelo integral.

 Análisis de Materiales para la Fuente de Iones

El análisis térmico de la fuente de iones End-Hall se sustenta en la

comprensión de las propiedades inherentes de los materiales con los que está
construida. Estas propiedades, conocidas como propiedades termofísicas,
rigen la manera en que la energía térmica se transporta y se almacena dentro
de la estructura. La precisión de cualquier simulación térmica computacional,
como la realizada en este estudio, depende directamente de la correcta
definición y asignación de estos parámetros. En esta sección, se exploran en
detalle las propiedades termofísicas fundamentales: la conductividad térmica, la
capacidad calorífica específica y el coeficiente de expansión térmica.

o La Conductividad Térmica (k)

La conductividad térmica (k) es una de las propiedades más críticas para el

diseño de sistemas de disipación de calor. Es una medida intrínseca de la
capacidad de un material para conducir calor. A nivel microscópico, en los
sólidos, la transferencia de energía térmica ocurre a través de dos mecanismos
principales: las vibraciones reticulares (fonones) y el movimiento de los
electrones libres. En los metales, la alta densidad de electrones libres los
convierte en excelentes conductores térmicos, lo que explica la elección de
metales como el cobre para los componentes de alta carga térmica.

El principio fundamental que describe la conducción de calor es la Ley de

Fourier. En su forma vectorial, esta ley establece que el vector de flujo de calor
(q) en cualquier punto del material es directamente proporcional al gradiente
negativo de la temperatura en ese punto.

q=−k ⃗∇T
… ( 60 )

Donde ⃗
∇ T es el vector gradiente de temperatura.
 Para una simulación precisa, es fundamental utilizar datos de
conductividad térmica que sean función de la temperatura, especialmente en
sistemas donde se esperan amplios rangos de temperatura.

En el contexto de la fuente de iones End-Hall, la alta conductividad

térmica del cobre lo convierte en el material ideal para el ánodo y los canales
de enfriamiento, ya que facilita la rápida transferencia de calor desde la zona
de la descarga hacia el fluido refrigerante. Por otro lado, materiales como las
cerámicas y los polímeros (por ejemplo, el Teflón), con conductividades
térmicas muy bajas se utilizan deliberadamente como aislantes para proteger
componentes sensibles o para dirigir el flujo de calor a través de rutas
predefinidas. La diferencia de hasta dos órdenes de magnitud en la
conductividad térmica entre estos materiales es el pilar del diseño de gestión
térmica.

o La Capacidad Calorífica Específica (cp)

La capacidad calorífica específica (cp) de un material es una medida de su

inercia térmica, es decir, su capacidad para almacenar energía térmica. Se
define como la cantidad de energía por unidad de masa requerida para elevar
la temperatura de un material en una unidad. Matemáticamente, la energía
(ΔQ) almacenada por una masa (m) de material con un cambio de temperatura
(ΔT) se expresa como:

ΔQ=m c p ΔT
… ( 61 )

En un análisis térmico en estado estacionario, donde las temperaturas

no cambian con el tiempo, la capacidad calorífica no juega un papel directo en
la solución final del campo de temperaturas. Sin embargo, en un análisis
transitorio, cp es una propiedad crítica que determina la rapidez con la que las
temperaturas de los componentes cambian en respuesta a una carga térmica.
Por ejemplo, un material con una alta cp se calentará más lentamente que un
material con una cp baja cuando ambos reciben la misma cantidad de calor.

En el caso de la fuente End-Hall, el valor de cp de los materiales influye en

el tiempo que tarda la fuente en alcanzar su régimen térmico de operación.
Para el fluido de enfriamiento, la capacidad calorífica específica es
fundamental, ya que el calor extraído de la fuente se almacena en el fluido. El
agua, con un cp excepcionalmente alto, es un fluido refrigerante muy eficiente
porque puede absorber una gran cantidad de energía térmica con un pequeño
aumento de temperatura.

o El Coeficiente de Expansión Térmica (α)

El coeficiente de expansión térmica (α) es una propiedad termofísica que

describe el cambio fraccional en la dimensión de un material por unidad de
cambio de temperatura. Este cambio puede ser lineal o volumétrico. En un
contexto ingenieril, el coeficiente de expansión lineal es de particular
importancia para el diseño de uniones. La expansión o contracción de un
material con la temperatura se describe mediante la ecuación:

ΔL=α L 0 ΔT
… . ( 62 )

Donde ΔL es el cambio de longitud, L0 es la longitud original y ΔT es el cambio

de temperatura.

En la fuente de iones, que es un ensamblaje de varios materiales con

diferentes coeficientes de expansión (α), los cambios de temperatura pueden
inducir estrés térmico. Este estrés surge de la restricción de la deformación
libre; si un componente intenta expandirse más que su pieza acoplada, se
generan tensiones internas. Con el tiempo, este estrés térmico cíclico puede
llevar a la fatiga del material, a fallos en las juntas o a fugas de vacío, lo que
compromete la integridad de la fuente. Por lo tanto, el análisis de las
propiedades de expansión térmica es crucial para el diseño de las juntas, los
sellos y las sujeciones.

 Modelado y Física Acoplada

Para abordar el desafío de la gestión térmica, se empleó el software

COMSOL Multiphysics en un entorno multifísico. Como se observa en la
estructura del modelo, la simulación no se limitó a una sola física, sino que
acopló la transferencia de calor en sólidos con el flujo de un fluido, lo que se
logra a través de la interfaz Nonisothermal Flow.

o Física Multifísica Acoplada

El núcleo de la simulación reside en el acoplamiento de dos módulos de

física principales, lo que se logra a través de la interfaz Flujo No Isotérmico.

 Transferencia de Calor en Sólidos: Este módulo resuelve la ecuación

de energía en los dominios sólidos, considerando la conducción de calor
desde las superficies calientes.

 Flujo Laminar: Este módulo resuelve las ecuaciones de Navier-Stokes

para simular el movimiento del fluido refrigerante (agua líquida) a través
de los canales internos, lo que es esencial para calcular la transferencia
de calor por convección forzada.

El acoplamiento Nonisothermal Flow garantiza que la temperatura del fluido

afecte a sus propiedades de flujo (viscosidad, densidad) y viceversa, haciendo
que la transferencia de calor sea matemáticamente precisa.

o Modelado Geométrico y Mallado

La geometría de la fuente, previamente definida a través de la importación de
archivos CAD y operaciones de unión, se discretizó mediante una malla
computacional.

o Tipo de Malla: Se utilizó una malla de elementos tetraédricos libres

(para acomodar la compleja forma tridimensional de la estructura interna
y los canales de enfriamiento.

o Estrategia de Refinamiento: Para asegurar la precisión numérica, la

malla fue refinada en las zonas críticas donde se esperan altos
gradiente:

 Las superficies en contacto directo con el plasma (alta carga

térmica).

 Las paredes de los canales de enfriamiento (alta convección) para

resolver la capa límite del fluido.

 Las uniones de materiales (interfaces) debido a la potencial

resistencia de contacto térmico.

 Definición de Materiales y Propiedades Termofísicas

Para el análisis multifísico, se asignaron propiedades materiales específicas

a cada componente

o Metales de Conducción: El Cobre y el Acero Inoxidable (SUS304),

utilizados en las partes estructurales y de enfriamiento, se definieron con
su alta conductividad térmica (k) para modelar la conducción eficiente
del calor.

o Aislantes: Materiales como la Cerámica y el Fluoroplasto /Teflón, se

incluyeron con sus bajas conductividades térmicas, reflejando su función
de aislamiento térmico y eléctrico.

o Refrigerante: El Agua líquida se definió con su alta capacidad calorífica

específica (cp) lo que fundamenta su eficiencia como medio de
enfriamiento.

o Componentes Especiales: Materiales como el Tungsteno (cátodo) y los

imanes NdFeB, se incluyeron para asegurar que sus propiedades
térmicas influyan correctamente en el campo de temperatura global.

 Condiciones de Contorno y Cargas Térmicas:

El modelo térmico se resolvió en estado estacionario, asumiendo que el

flujo de calor generado es igual al flujo de calor disipado, lo que representa
el régimen de operación estable de la fuente.
 o Fuentes de Calor:La energía térmica generada por la descarga de
plasma se implementó como condiciones de Flujo de Calor de Contorno
(Boundary Heat Source) en las superficies internas de la fuente.

o Cálculo de la Carga: El valor del flujo de calor se estimó a partir de la

potencia de la descarga operativa, considerando que la mayor parte de
la energía se transfiere a las paredes por bombardeo iónico y
electrónico.

o Distribución: El flujo de calor se aplicó principalmente en el ánodo y en

las paredes del canal de descarga, reflejando la alta densidad de plasma
y el intenso bombardeo de partículas en esta región.

o El análisis térmico se realizó utilizando el software COMSOL

Multiphysics, implementando un modelo tridimensional acoplado de
transferencia de calor y dinámica de fluidos.

CAPITULO V. Resultados y conclusiones de las simulaciones

1.1. Análisis de los resultados de la simulación del campo magnético en

la fuente de iones End-Hall

La presente sección presenta un análisis exhaustivo de los resultados

obtenidos mediante la simulación numérica del campo magnético en una fuente
de iones de tipo End-Hall, empleando el software COMSOL Multiphysics. La
simulación numérica, tuvo como objetivo principal caracterizar y comparar la
distribución del campo magnético en la fuente de iones End-Hall.

El modelo consideró un campo magnético de referencia generado por

imanes permanentes con una remanencia de aproximadamente 600 mT. Es
importante destacar que, para este análisis, se supuso un campo magnético
estacionario, ignorando cualquier alteración por corrientes eléctricas dentro del
plasma. Esta simplificación permite aislar y evaluar con precisión el impacto del
diseño de los componentes magnéticos en la geometría del campo. La Figura
5.2 ilustra la distribución simulada del flujo de campo magnético, lo que permite
visualizar la geometría del campo en la fuente de iones desarrollada."
 Figura 5.2. Vista 3D de la densidad de flujo del campo magnético simulado mediante
COMSOL multiphysics

La figura 5.2. Se presenta una comparación visual de la distribución del campo

magnético entre el diseño de referencia y la fuente de iones optimizada. La
simulación bidimensional muestra las líneas de campo magnético y la densidad
de flujo, lo que permite un análisis detallado de las diferencias geométricas del
campo.
Se analizaron y contrastaron dos configuraciones: un sistema de referencia y
un diseño optimizado. El estudio se enfocó en las regiones del dispositivo a
diferentes distancias del eje central, tal como se ilustra en la figura 5.2, para
comprender la geometría del campo en las zonas críticas de la descarga.

a) b)
Figura 5.2. Vista 2D de la densidad de flujo del campo magnético y las líneas de campo
magnético para la fuente de referencia (a) y la fuente desarrolada (b) simulado mediante
COMSOL multiphysics

El modelo consideró un campo magnético de referencia generado por

imanes permanentes con una remanencia de aproximadamente 600 mT. Es
importante destacar que, para este análisis, se supuso un campo magnético
estacionario, ignorando cualquier alteración por corrientes eléctricas dentro del
plasma. Esta simplificación permite aislar y evaluar con precisión el impacto del
diseño de los componentes magnéticos en la geometría del campo.

La simulación se concibió como un estudio comparativo para

caracterizar y contrastar la distribución del campo magnético entre un sistema
de referencia y el desarrollo. El enfoque se centró en la región del canal de
descarga, analizando los componentes del campo en función de la distancia
radial y axial para comprender su impacto en la dinámica de las partículas del
plasma como se muestra en la figura 5.3.

Figura 5.3. Esquema de las mediciones del campo magnético desde el eje central a
distintas distancias
 Las mediciones del campo magnético se realizaron a varias distancias
del eje central para analizar la distribución del campo. se generaron gráficos
detallados que ilustran la variación de los componentes de la inducción del
campo magnético, Ba (axial) y Br (radial), en la superficie del cilindro. Estos
perfiles gráficos son fundamentales para comprender cómo el diseño
magnético afecta directamente la distribución del campo en las zonas críticas
de la descarga de plasma
 Figura 5.4. Graficas valores de los componentes del campo magnético 𝐵𝑎 y 𝐵𝑟 para las
fuentes de iones de referencia y desarrolladas para distintas distancias

En primer lugar, cabe destacar que los resultados obtenidos revelaron cambios
sustanciales en la componente radial del campo magnético, Bᵣ, en la región
situada por encima de la zona de formación del plasma. Se observó, de forma
consistente en las posiciones analizadas, una disminución en los valores de Bᵣ
en el sistema desarrollado en comparación con el sistema de referencia, con
porcentajes que oscilan entre el 10% y el 40%. Este decremento en la
magnitud de Bᵣ es de suma importancia, dado que influye directamente en la
dinámica de transporte de electrones en la región de descarga del
dispositivovomo se obsera en la figura 5.4.

Por otro lado, el componente axial del campo, Bₐ, se mantuvo

relativamente constante en ambas configuraciones, lo que indica que las
modificaciones introducidas en la estructura magnética afectan de manera
significativa a la componente radial sin alterar de manera sustancial la
componente axial. La disminución de Bᵣ se traduce en una expansión del canal
por donde se desplazan los electrones hacia el ánodo, incrementando la
superficie efectiva del mismo. Como resultado, se posibilita un mayor volumen
de plasma y una mayor eficiencia en la generación de partículas ionizadas.

Adicionalmente, el análisis de los perfiles de B transversales en las

posiciones de r revela que la reducción en Bᵣ es más pronunciada a mayor
distancia del eje central, lo que sugiere una mayor influencia en la distribución
espacial del campo en las regiones periféricas. Esta característica es
particularmente relevante, ya que favorece la expansión del espacio de
aceleración y disminuye las pérdidas por dispersión, contribuyendo asimismo a
una mayor estabilidad del plasma y a una eficiencia incrementada en la
generación de iones.

1.2. Resultados de la Modelación Térmica en la Fuente de Iones End-

Hall

Inicialmente, se realizó un estudio sin la implementación de ningún sistema

de enfriamiento, con el fin de determinar los perfiles térmicos en condiciones de
operación extremas. La figura 1a, presentada en la sección de resultados,
muestra el campo de temperatura estimado para las distintas partes de la
fuente, evidenciando áreas de sobrecalentamiento que superan los límites
críticos para los materiales utilizados, en particular en los electrodos y en el
termo-cátodo, cuya temperatura alcanza valores próximos a los 2500 °C en
condiciones sin enfriamiento. Estos resultados confirman la necesidad de
implementar un sistema de control térmico eficiente para evitar deformaciones
mecánicas, fallas del material y posibles desviaciones en el haz de iones, que
afectarían la precisión y eficiencia del dispositivo.

Conforme a los objetivos del estudio, se incorporó un sistema de

enfriamiento basado en circulación de agua, cuya efectividad fue evaluada
mediante simulaciones con diferentes configuraciones y propiedades de los
materiales estructurales. La figura 5.5 ilustra el perfil de temperatura cuando
dicho sistema está operando.

Figura 5. Representación 3D del perfil de calentamiento de la fuente de iones, ilustrando

la contribución térmica combinada del plasma y el termocátodo.

En el estudio se hará uso de un sistema de enfriamiento reduce que

reduce las temperaturas de los elementos críticos asegurando que las
superficies de contacto y los componentes internos se mantengan en rangos
seguros de operación como se muestra en el la figura 5.6.
Figura 5.6. Perfil de calentamiento simulado de la fuente de iones: una comparación del
estado térmico con y sin el sistema de enfriamiento en operación.

Como se aprecia en la figura 5.6 se observa la importancia del diseño del

sistema de enfriamiento para mantener las propiedades estructurales y
funcionales de la fuente en condiciones de trabajo.

Uno de los aspectos principales analizados fue la influencia del

coeficiente de conductividad térmica (K) en la distribución de temperaturas.
Para ello, se realizaron múltiples simulaciones variando K en un rango de 0.1 a
1 W/m·K, alineado con las propiedades térmicas de los materiales estructurales
utilizados en la fuente. La figura 5.7 se detalla los elementos esctruturales
principales que se tomaran en consideración

Figura 5.7. Elementos estructurales críticos de la fuente de iones

Los resultados se muestran en la figura 8, donde se evidencia un

aumento en K favorece una mayor disipación del calor y, por consiguiente, una
disminución significativa en las temperaturas promedio de los componentes.
Específicamente, se observó que para valores inferiores a 0.3 W/m·K, las
temperaturas en los electrodos y el plasma alcanzaban límites peligrosos, lo
que potencialmente compromete la integridad estructural y la estabilidad del
plasma.
Figura 8. Variación de la temperatura en elementos clave de la fuente de iones en función
del coeficiente de conductividad térmica.

La simulación desenvolvió un marco robusto para la predicción de las

condiciones térmicas en la fuente de iones End-Hall y sirvió como base para la
optimización del sistema de enfriamiento, así como para la selección de
materiales con propiedades térmicas apropiadas. La reducción de las
temperaturas críticas en aproximadamente 1,3 a 1,5 veces, tras la
implementación de medidas de control térmico, evidencia la relevancia de los
resultados y su potencial impacto en la prolongación de la vida útil de la fuente,
así como en la mejora de su rendimiento y confiabilidad.

1.3. Conclusiones

Los objetivos planteados en de esta investigación han sido alcanzados

con éxito, lo que nos ha permitido desarrollar una metodología integral y
validada para la optimización de fuentes de iones tipo End-Hall. Los resultados
de este estudio no solo confirman los hallazgos iniciales, sino que también los
amplían, estableciendo una base sólida para el diseño y la optimización de las
fuentes de iones End-Hall. El enfoque multifísico adoptado, que integra el
análisis térmico y la optimización del campo magnético, ha demostrado ser una
metodología adecuada y predictiva para el desarrollo de estos dispositivos.
 La investigación se inició con el desarrollo exitoso del modelo
geométrico tridimensional (CAD) de la fuente de iones de referencia (Strelok-2)
utilizando Autodesk Inventor. Este modelo no solo replicó con precisión la
geometría del dispositivo, sino que su naturaleza paramétrica resultó crucial, ya
que permitió la exploración y modificación eficiente de la nueva fuente de iones
desarrollada, con múltiples configuraciones de diseño (imanes, ánodo) sin
incurrir en la reconstrucción real del modelo, reduciendo significativamente el
tiempo de diseño y facilitó la exploración de múltiples configuraciones hasta
encontrar el modelo adecuado.

La implementación y el análisis del Modelo Computacional del Campo

Magnético mediante COMSOL Multiphysics arrojaron conclusiones
fundamentales sobre lacomo podría ser la dinámica del plasma. Las
simulaciones confirmaron que la componente radial y axial del campo
magnético (Br y Ba) es el parámetro más crítico para el confinamiento de
electrones.

El análisis del campo magnético proporcionó una comprensión profunda

de cómo la geometría y la disposición de los imanes permanentes influencian la
forma del "canal" de plasma y la trayectoria de las partículas cargadas. Se
pudo observar que un perfil de campo magnético optimizado, con una
adecuada relación entre sus componentes axiales, y radiales, es esencial para
maximizar el tiempo de residencia de los electrones en la zona de descarga. La
capacidad de visualizar y cuantificar estas interacciones en el modelo
computacional validó la hipótesis de que la modificación del campo magnético
es un método viable y efectivo para mejorar el rendimiento del dispositivo.

Se propusieron ajustes geométricos en los imanes permanentes para

lograr un perfil de campo magnético que reduzca efectivamente la componente
radial y axial (Br y Ba). Encontrando una reducción del componente B r en la
zona de formación de plasma (10-40%). Esto expande la zona de
confinamiento de electrones, lo que resulta en una mayor densidad de corriente
de ionización y, por ende, en una mayor eficiencia global de la fuente. La
capacidad de ajustar el campo magnético de manera precisa proporciona un
medio para adaptar el haz de iones a los requisitos específicos de diferentes
procesos de deposición.

El desarrollo y el análisis de un modelo de transferencia de calor permitió

evaluar con precisión el régimen térmico de los componentes clave de la fuente
de iones durante su operación. Las simulaciones demostraron que las
principales vías de disipación de calor son la conducción a través de los
componentes sólidos y la convección forzada a través del sistema de
enfriamiento por agua.

La distribución de temperaturas reveló los puntos críticos de

calentamiento, como el ánodo y los imanes permanentes. La modelación
térmica permitió proponer la selección de materiales con alta conductividad
térmica (K), como el cobre, para las zonas más expuestas al plasma. Se
propuso, además, una configuración de los canales de enfriamiento que
maximiza la transferencia de calor por convección forzada, asegurando que la
fuente pueda operar de manera segura y fiable incluso bajo condiciones de alta
potencia logrando reducir la temperatura de los elementos críticos de la
estructura en un 1,3-1,5 veces lo que permite operar la fuente de iones de
manera más eficiente, minimizando el riesgo de deformaciones térmicas y
garantizando el rendimiento óptimo del haz de iones.

Para finalizar, el enfoque de modelado computacional multifísico es una

herramienta poderosa para la investigación y el desarrollo de fuentes de iones.
La investigación no solo ha proporcionado una comprensión detallada de los
complejos procesos físicos que rigen estos dispositivos, sino que también ha
ofrecido soluciones de diseño concretas y validadas que abren el camino hacia
el desarrollo de fuentes de iones más eficientes, robustas y adaptables para el
futuro de la ingeniería de plasma y las aplicaciones tecnológicas avanzadas
como por ejemplo en recubrimientos ópticos.

1.4. Recomendaciones futuras de la investigación

La presente investigación ha establecido una base sólida para entender

los complejos procesos multifísico de una fuente de iones tipo End-Hall. Los
resultados de la simulación térmica y magnética confirman que el diseño de
estos dispositivos está inherentemente conectado a estas variables. La
optimización magnética, por ejemplo, mejora la eficiencia del plasma que
puede, de hecho, reducir la carga térmica, simplificando así el diseño del
sistema de enfriamiento.

La metodología computacional empleada en este trabajo no solo ha

validado estos principios, sino que también se ha posicionado como un método
eficiente y de bajo costo para explorar un vasto espacio de diseño antes de la
fabricación física.

Estos hallazgos sientan las bases para las siguientes etapas de

investigación y desarrollo. El próximo paso crítico es la construcción de un
prototipo físico basado en el diseño optimizado. Esto permitirá validar las
predicciones de las simulaciones en un entorno de laboratorio real,
comparando las mediciones de temperatura, perfiles de haz iónico y eficiencia
de ionización con los datos obtenidos en el modelo.

La simulación puede extenderse para explorar la respuesta del diseño

optimizado a un rango más amplio de presiones, tipos de gas (como por ejmplo
argón, xenón, nitrógeno) y potencias de descarga.

Se puede utilizar la metodología desarrollada para diseñar fuentes de

iones para aplicaciones de mayor potencia y tamaño, lo que es esencial para la
producción industrial a gran escala.

Este estudio no solo ha proporcionado una comprensión detallada de los

complejos procesos físicos que rigen el funcionamiento de una fuente de iones
End-Hall, sino que también ha ofrecido soluciones de diseño concretas que
conducen a una mejora significativa en su rendimiento. Los resultados
representan un avance valioso hacia el desarrollo de fuentes de iones más
eficientes, robustas y adaptables para el futuro de la ingeniería de plasma

A continuación de mostraran las imágenes (figura 5.8) del prototipo ya

fabricado de la fuente de iones End-Hall desarrollada en esta investigación
para seguir con estos a futuro

Figura 5.8. Prototipo fabricado de la fuente de iones tipo End-Hal desarrallada en

esta investigación

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