13 de octubre del 2025

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

Informe de Laboratorio 4: Circuitos 1

condensadores
Juan Valencia1 , Jonathan Vázquez2 , Camilo Vázquez3 , David Guanoluisa4
RESUMEN
Los transistores de unión bipolar (TBJ) son dispositivos electrónicos fundamentales
que cuentan con tres terminales denominados emisor, base y colector. Su funciona-
miento se basa en el mismo principio que los diodos de unión p-n, aunque presentan
una estructura más compleja que les permite desempeñar diversas funciones dentro
de los circuitos electrónicos.
Estos componentes son esenciales en la amplificación de señales eléctricas, en la
regulación y control del flujo de corriente, así como en la conmutación dentro de
diferentes sistemas electrónicos. Gracias a su versatilidad y eficiencia, los transisto-
res TBJ se emplean ampliamente en equipos de audio, computadoras, sistemas de
comunicación, fuentes de alimentación y otros dispositivos electrónicos modernos,
siendo considerados uno de los pilares de la electrónica actual.
Palabras clave: Transistores, TBJ, Emisor, Base, Control, Diodos, Corriente, Cir-
cuitos, Polarización, Punto Q.

ÍNDICE

Índice 3. RESULTADOS Y DISCUSIÓN 3

3.1. Análisis con RB Variable . . . 3
3.2. Análisis con RC Variable . . . 3
1. FUNDAMENTOS TEÓRICOS 1 3.3. Análisis con VCC Variable . . 4
1.1. Introducción . . . . . . . . . . 1
3.4. Cálculos del Bucle Colector-
1.2. Transistores TBJ . . . . . . . 1
Emisor . . . . . . . . . . . . . 4
1.3. Regiones de Operación del TBJ 1
1.3.1. Modos de Funciona- 3.4.1. Comparación con Si-
miento . . . . . . . . . 1 mulación en Proteus . 5
1.4. Importancia de la Polarización 1 3.5. Análisis Aproximado vs Exacto 5
1.4.1. Métodos de Polarización 2
4. CONCLUSIONES 6
2. METODOLOGÍA 2
2.1. Materiales y Equipos . . . . . 2 5. RECOMENDACIONES 7
2.2. Análisis de Línea de Carga . 2
2.3. Bucle Colector-Emisor . . . . 2 6. REFERENCIAS 7
Lab. Electrónica - TBJ Página 1

1 FUNDAMENTOS Es de suma importancia poder

identificar la dirección de la flecha en el
TEÓRICOS emisor para diferenciar un PNP de un
NPN.
1.1 Introducción
Los transistores de unión bipolar 1.3 Regiones de Operación
representan uno de los avances más del TBJ
significativos en la historia de la
electrónica moderna. Desde su invención 1.3.1 Modos de Funcionamiento
en los laboratorios Bell en 1947, estos
1. Región de Corte: Ambas uniones in-
dispositivos han revolucionado
versamente polarizadas. No pasa co-
completamente la manera en que
rriente significativa, el transistor se
procesamos y controlamos señales
comporta como un circuito abierto.
eléctricas, convirtiéndose en la base de
toda la tecnología semiconductor actual. 2. Región Activa: Base-emisor directa
y base-colector inversa. El transistor
1.2 Transistores TBJ amplifica señales. Una pequeña varia-
ción en IB produce una gran variación
Los transistores TBJ o también en IC .
conocidos como Transistores de
Unión Bipolar son componentes 3. Región de Saturación: Ambas unio-
electrónicos compuestos de nes polarizadas directamente. El tran-
semiconductores de estado sólido que sistor conduce al máximo, comportán-
son capaces de controlar el paso de dose como un interruptor cerrado.
corriente hacia un circuito a través de 4. Región de Corte Inverso: Rara vez
sus tres terminales. se usa. El transistor opera en sentido
inverso a la región activa.
Terminales del TBJ:

Base (B): Terminal de control Ecuaciones Fundamentales:

que gestiona el flujo de corriente
del colector. IC = βIB

Colector (C): Recoge los electro- IE = IC + IB

nes enviados del emisor que atra-
IE = (β + 1)IB
viesan la base.
Donde β es la ganancia de corrien-
Emisor (E): Envía electrones ha-
te del transistor, que varía según el
cia la base. Usualmente conectado
modelo, temperatura y condiciones
a tierra o parte negativa.
de operación.

Los transistores TBJ se componen por

dos uniones tipo P-N similar a la de los 1.4 Importancia de la Polari-
diodos. Existen dos tipos principales:
zación
NPN: La corriente fluye del colector al
emisor cuando la base es positiva. La polarización del transistor
determina su punto de operación
PNP: La corriente fluye del emisor al (punto Q), asegurando un
colector cuando la base es negativa. funcionamiento estable y lineal. Una
Lab. Electrónica - TBJ Página 2

incorrecta selección del punto Q puede 2.2 Análisis de Línea de Car-

provocar: ga
Operación fuera de la zona activa Para esta actividad se construyó el
Distorsión en las señales amplificadas circuito mostrado en la Figura 1. Se fijó
el voltaje de alimentación en VCC = 20 V
Daños permanentes en el dispositivo y se varió RB en valores desde 470 kΩ
hasta 1320 kΩ.
Inestabilidad térmica

1.4.1 Métodos de Polarización Parámetros del Circuito:

1. Auto-polarización: Establece IE VCC = 20 V

mediante una resistencia en el emisor,
RC = 780 Ω
proporcionando retroalimentación
negativa que estabiliza el punto de 470 kΩ ≤ RB ≤ 1320 kΩ
operación.
2. Divisor de Tensión: Ofrece mayor Incrementos de 50 kΩ
estabilidad del punto Q y puede
aplicarse en todas las configuraciones del Se registraron sistemáticamente:
TBJ, siendo el método más versátil y
confiable para aplicaciones profesionales. Corriente de base (IB )

Nota Importante: La polarización Corriente de colector (IC )

por divisor de tensión es preferida en
diseños profesionales por su menor Voltaje colector-emisor (VCE )
dependencia de las variaciones de β
entre diferentes unidades del mismo Ganancia de corriente (β)
transistor.

2.3 Bucle Colector-Emisor

2 METODOLOGÍA En esta actividad se construyó un
circuito de bucle colector-emisor para
2.1 Materiales y Equipos calcular todas las corrientes y voltajes
del transistor.
Para la realización de este laboratorio se
utilizaron los siguientes componentes:
Datos del Circuito:
Fuente de alimentación variable (0-
20V) RB = 1320 kΩ
Transistor bipolar NPN RC = 780 Ω
Resistencias variables y fijas RE = 1 kΩ
Multímetro digital VCC = 20 V
Protoboard β = 295

Software de simulación Proteus

Se calcularon: IB , IC , IE , VCE , VC , VE ,
Cables de conexión VB , VBC
Lab. Electrónica - TBJ Página 3

3 RESULTADOS Y VCC − VBE

IB =
DISCUSIÓN RB
Donde VBE ≈ 0,7 V para transisto-
res de silicio, permaneciendo relati-
vamente constante.

Al aumentar RB :
3.1 Análisis con RB Variable
IB disminuye

IC disminuye proporcionalmente

VCE aumenta
La variación de la resistencia de base
afecta directamente la corriente de base El punto Q se desplaza hacia la región
según la relación: de corte

Cuadro 1: Variación de resistencia de base - Análisis completo del punto de operación

azulYachay!80 VCC (V) RB (kΩ) RC (Ω) IB (µA) IC (mA) VCE (V) β

grisClaro 20 470 780 41.3 25.1 0.23 615.1
20 520 780 37.3 25.0 0.34 676.3
grisClaro 20 570 780 34.4 23.7 1.44 711.1
20 620 780 31.3 22.4 2.47 714.7
grisClaro 20 670 780 29.1 21.2 3.41 738.6
20 720 780 27.0 20.1 4.24 720.2
grisClaro 20 770 780 25.2 19.3 4.97 763.5
20 820 780 23.7 18.4 5.65 777.2
grisClaro 20 870 780 22.4 17.6 6.27 783.6
20 920 780 21.1 16.9 6.84 802.7
grisClaro 20 970 780 20.1 16.2 7.36 808.1
20 1020 780 19.1 15.6 7.84 826.2
grisClaro 20 1070 780 18.2 15.0 8.28 890.6
20 1120 780 17.4 14.5 8.70 831.0
grisClaro 20 1170 780 16.7 14.0 9.08 832.1
20 1220 780 16.0 13.5 9.44 841.2
grisClaro 20 1270 780 15.4 13.1 9.78 851.7
20 1320 780 14.8 12.7 10.10 828.0

3.2 Análisis con RC Variable

Observación Clave: Se observa
que β aumenta gradualmente con
RB , indicando que el transistor ope-
ra más eficientemente en la región
activa cuando la corriente de base
disminuye, aunque siempre dentro La resistencia de colector controla la
de límites razonables. pendiente de la línea de carga y afecta
directamente el voltaje VCE :
Lab. Electrónica - TBJ Página 4

VCE = VCC − IC RC
A mayor RC :

Menor pendiente de la línea de

carga

Mayor VCE para la misma IC

Menor corriente máxima de satu-

ración

Cuadro 2: Variación de resistencia de colector - Efecto en la línea de carga

azulClaro!80 VCC (V) RB (kΩ) RC (Ω) IB (µA) IC (mA) VCE (V) β
grisClaro 20 1320 480 14.8 13.6 13.50 918.9
20 1320 580 14.8 13.3 12.30 898.6
grisClaro 20 1320 680 14.8 13.0 11.20 878.4
20 1320 780 14.8 12.7 10.10 858.1
grisClaro 20 1320 880 14.8 12.4 9.07 837.8
20 1320 980 14.8 12.2 8.09 824.3
grisClaro 20 1320 1080 14.8 11.9 7.15 804.1

3.3 Análisis con VCC Variable

Análisis: Manteniendo RB constan-
te en 1320 kΩ, se observa que al au-
mentar RC , la corriente de colector Al variar el voltaje de alimentación se
disminuye ligeramente mientras que modifica tanto la corriente de base como
VCE decrece significativamente debi- la de colector. La línea de carga se
do a la mayor caída de voltaje en RC . desplaza paralelamente hacia menores
valores.

Cuadro 3: Variación de voltaje de entrada - Desplazamiento de la línea de carga

azulTitulo!80 VCC (V) RB (kΩ) RC (Ω) IB (µA) IC (mA) VCE (V) β
grisClaro 20 1320 780 14.80 12.70 10.10 858.1
17 1320 780 12.50 10.40 8.85 832.0
grisClaro 14 1320 780 10.20 8.28 7.54 811.8
11 1320 780 7.91 6.22 6.15 786.3
grisClaro 8 1320 780 5.61 4.26 4.68 759.4
5 1320 780 3.32 2.43 3.11 731.9
grisClaro 2 1320 780 1.04 0.73 1.43 701.9

3.4 Cálculos del Bu-

Resultado Importante: Se obser-
va una relación lineal entre VCC y las cle Colector-Emisor
corrientes del transistor. La ganan-
cia β disminuye ligeramente a volta- Para el análisis con β = 295:
jes más bajos, indicando menor efi-
ciencia del transistor en esas condi- A) Corriente de Base:
ciones.
Lab. Electrónica - TBJ Página 5

VCC − VBE VBC = VB − VC VBC = 4,23 − 17,25

IB = VBC = −13,02 V
RB + (β + 1)RE
20 − 0,7
IB =
1320 × 103 + (295 + 1) × 1000
Interpretación: El voltaje VBC ne-
IB = 11,95 µA gativo confirma que la unión base-
colector está inversamente polariza-
da, indicando que el transistor opera
B) Corriente de Colector:
correctamente en la región activa.

IC = βIB = 295 × 11,95 µA 3.4.1 Comparación con Si-

mulación en Proteus
IC = 3,53 mA ≈ IE Los valores calculados difieren de los
obtenidos en Proteus debido a la
C) Voltaje Colector-Emisor: diferencia en el parámetro β utilizado:

Cálculos teóricos: β = 295

Simulación Proteus: β ≈ 783

VCE = VCC − IC (RC + RE )
Recalculando con β = 783:
VCE = 20 − 3,53 × 10−3 (780 + 1000)
VCE = 13,72 V Resultados con β = 783:

IB = 9,17 µA
D) Voltaje de Colector:
IC = 7,18 mA
VC = VCC − IC RC VC = 20 − (3,53 × VCE = 5,63 V
10−3 )(780) VC = 17,25 V
VC = 12,82 V

E) Voltaje de Emisor: VE = 7,19 V

VB = 7,89 V
VE = VC − VCE = 17,25 − 13,72
VE = 3,53 V VBC = −4,93 V
Alternativamente: VE = IE RE ≈
IC RE VE = 3,53 × 10−3 × 1000
VE = 3,53 V 3.5 Análisis Aproximado vs
Exacto
F) Voltaje de Base: Para validar el método de análisis
aproximado, se verificó la condición:
VB = VBE + VE VB = 0,7 + 3,53
VB = 4,23 V Condición de Validez: βRE >
10R2 (900)(1,2 × 103 ) > 10(22 × 103 )
1080 kΩ > 220 kΩ ✓
G) Voltaje Base-Colector:
Lab. Electrónica - TBJ Página 6

Como la condición se cumple, el método VCE = 0,66 V

aproximado es aplicable.
Método Exacto: Método Aproximado:

RT H = 17,35 kΩ VB = 3,81 V

ET H = 3,81 V VE = 3,11 V

IB = 2,83 µA IC ≈ IE = 2,59 mA

IC = 2,55 mA VCE = 0,388 V

Cuadro 4: Comparación entre métodos de análisis y simulación

azulYachay!80 Método IC (mA) VCE (V)

verdeExito!20 Exacto 2.55 0.66
naranjaAlerta!20 Aproximado 2.59 0.388
azulClaro!20 Proteus 2.55 0.62

3. El parámetro β no es constante y va-

Conclusión del Análisis: ría significativamente con las condicio-
Los valores calculados mediante el nes de operación, temperatura y mo-
método exacto presentan excelente delo específico del transistor. En nues-
concordancia con la simulación en tros experimentos, β varió entre 615 y
Proteus, con errores menores al 6 %. 890, lo cual debe considerarse en dise-
El método aproximado, aunque más ños prácticos.
rápido, introduce errores del orden
del 40 % en VCE , por lo que debe 4. La comparación entre cálculos teóricos
usarse solo para estimaciones preli- y simulaciones en Proteus revela que
minares. el conocimiento preciso de los paráme-
tros del transistor, especialmente β, es
crucial para obtener resultados confia-
4 CONCLUSIONES bles. Diferencias del 165 % en β produ-
jeron variaciones del 103 % en IC .
1. Los transistores TBJ demuestran ser
dispositivos fundamentales para el 5. El método de análisis aproximado ofre-
control y amplificación de señales eléc- ce resultados aceptables cuando se
tricas, cuyo comportamiento está di- cumple la condición βRE > 10R2 , per-
rectamente relacionado con su polari- mitiendo simplificar cálculos prelimi-
zación y el punto de operación Q. nares, aunque con errores significativos
en ciertos parámetros como VCE .
2. La variación de la resistencia de ba-
se (RB ) permite controlar de manera 6. La polarización adecuada del transis-
efectiva la corriente de base y, por con- tor es esencial para garantizar su ope-
siguiente, la corriente de colector, con- ración en la región activa. Un VBC ne-
firmando la relación lineal descrita por gativo confirma la polarización correc-
IC = βIB . ta de la unión base-colector.
Lab. Electrónica - TBJ Página 7

7. La línea de carga se desplaza al variar 7. Incluir márgenes de seguridad en los

VCC , RC o las corrientes del transistor, diseños considerando:
permitiendo ajustar el punto Q según
los requerimientos de diseño. Variaciones de β del ±50 % entre
unidades
8. Los resultados experimentales y simu- Tolerancias de resistencias
lados validan la teoría de funciona-
miento de los TBJ, demostrando la im- Variaciones de temperatura ambien-
portancia de la caracterización precisa te
de componentes antes de su implemen- Envejecimiento de componentes
tación en circuitos reales.
8. Utilizar software de simulación (Pro-
teus, LTSpice, Multisim) para validar
5 RECOMENDACIONES diseños antes de la implementación fí-
1. Verificar siempre las especificaciones sica, ajustando los modelos de transis-
del fabricante (datasheet) para obte- tores con parámetros reales.
ner valores precisos de β, VBE , IC,max
y otros parámetros del transistor antes 9. En circuitos de producción, imple-
de realizar diseños definitivos. mentar retroalimentación negativa me-
diante resistencia de emisor (RE ) para
2. Utilizar resistencias con tolerancias estabilizar el punto de operación con-
bajas (1 % o 2 %) en aplicaciones crí- tra variaciones de β y temperatura.
ticas para minimizar errores en los
cálculos de polarización y mejorar la 10. Realizar pruebas de caracterización I-
estabilidad del circuito. V completas en el laboratorio para
transistores críticos, especialmente en
3. Considerar los efectos de la temperatu- aplicaciones de alta frecuencia o poten-
ra en el comportamiento del transistor. cia.
La variación típica es de −2 mV/řC en
VBE y cambios significativos en β.
6 REFERENCIAS
4. Implementar métodos de polarización
por divisor de tensión cuando se re- Referencias
quiera mayor estabilidad térmica y
menor dependencia de las variaciones [1] Boylestad, Robert L. y Nashelsky,
de β entre diferentes unidades del mis- Louis. Electrónica: Teoría de Circui-
mo modelo. tos y Dispositivos Electrónicos. 10ª
edición. Pearson Educación, México,
5. Realizar mediciones prácticas con mul- 2011.
tímetro digital de precisión antes de
energizar circuitos complejos para ve- [2] Sedra, Adel S. y Smith, Kenneth C.
rificar conexiones, polaridades y valo- Microelectronic Circuits. 7ª edición.
res de componentes. Oxford University Press, Nueva York,
2015.
6. Documentar exhaustivamente todos
los parámetros utilizados en simulacio- [3] Rashid, Muhammad H. Circuitos Mi-
nes y cálculos (valores de β, VBE , tem- croelectrónicos: Análisis y Diseño. 2ª
peraturas) para facilitar la reproduc- edición. Cengage Learning, México,
ción y validación de resultados. 2011.
Lab. Electrónica - TBJ Página 8

[4] Malvino, Albert Paul y Bates, Da- trónicos. 8ª edición. Pearson Educa-
vid J. Principios de Electrónica. 7ª ción, México, 2008.
edición. McGraw-Hill Interamericana,
Madrid, 2007. [6] Neamen, Donald A. Microelectronics:
Circuit Analysis and Design. 4ª edi-
[5] Floyd, Thomas L. Dispositivos Elec- ción. McGraw-Hill, Nueva York, 2012.