“AÑO DE LA RECUPERACIÓN Y CONSOLIDACIÓN DE LA ECONOMÍA
PERUANA”
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PERÚ
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y
ELECTRÓNICA
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
CURSO: Laboratorio de Circuitos Electrónicos
DOCENTE: Dr. Bartolomé Sáenz Loayza
GRUPO : 3
INTEGRANTES:
Saravia Parraga Samuel anibal
Arroyo Cuba Deyver Wilder
Huaraca Tomas Roniel
CICLO: VII
PREINFORME
Objetivo:
Analizar y comprobar experimentalmente el comportamiento de las distintas configuraciones de
polarización en transistores bipolares de unión (BJT), evaluando sus efectos sobre los parámetros
eléctricos fundamentales del dispositivo.
Trabajo previo (preinforme)
1. Estructura del transistor BJT
El transistor BJT es un dispositivo de tres capas de material semiconductor, con tres terminales:
base (B), emisor (E) y colector (C). Existen dos tipos: NPN y PNP. La corriente que circula entre
colector y emisor es controlada por la corriente de base.
2. Modos de Operación del Transistor
El transistor BJT puede operar en tres modos principales, dependiendo de la polarización
aplicada a sus uniones: emisor-base y colector-base. Estos modos son fundamentales
para su uso como amplificador o como interruptor en los circuitos electrónicos.
Región de corte:
En esta condición, tanto la unión base-emisor como la unión base-colector están
polarizadas inversamente. Como resultado, no circula corriente significativa en el
transistor: El transistor se comporta como un interruptor abierto o apagado.
Región activa:
Aquí, la unión base-emisor está polarizada directamente y la unión base-colector
inversamente. Esta es la zona de operación ideal para aplicaciones de amplificación, ya
que el transistor permite que una pequeña corriente de base controle una corriente mucho
mayor en el colector:
Región de saturación:
En esta región, ambas uniones del transistor están polarizadas directamente. El transistor
conduce al máximo posible y la corriente del colector ya no depende de , sino del
circuito externo. Se comporta como un interruptor cerrado (encendido).
Estos tres modos de operación son fundamentales para el análisis y diseño de circuitos
con transistores. Conocerlos permite identificar correctamente el comportamiento del BJT y
evitar configuraciones que lo lleven fuera de la región activa, especialmente cuando se
desea amplificación lineal.
3. Parámetros eléctricos importantes
El funcionamiento del transistor BJT depende de varios parámetros eléctricos que
determinan su comportamiento y permiten analizarlo adecuadamente dentro de un circuito.
A continuación, se describen los más relevantes:
(Voltaje base-emisor):
Es el voltaje que debe aplicarse entre la base y el emisor para que el transistor conduzca.
En los transistores de silicio típicos, su valor es aproximadamente 0.6 V a 0.7 V cuando
está en la región activa.
(Voltaje colector-emisor):
Es la diferencia de potencial entre el colector y el emisor. Su valor determina la región de
operación del transistor. En la región activa, debe ser suficientemente alto como para
mantener la unión base-colector polarizada inversamente (usualmente mayor a 0.3 V).
(Corriente de base):
Es la corriente que entra en la base del transistor. Aunque pequeña, esta corriente
controla el flujo de portadores desde el emisor hacia el colector, y por lo tanto es crucial
para la operación del dispositivo.
(Corriente de colector):
Es la corriente que circula desde el colector hacia el emisor. Es mucho mayor que y
depende directamente de esta según la relación:
(Ganancia de corriente de continua):
También llamada h_FE, es el factor de amplificación del transistor en corriente continua.
Representa la proporción entre la corriente del colector y la de base. Su valor varía con el
modelo del transistor y con la temperatura, típicamente entre 50 y 300.
Estos parámetros deben tenerse en cuenta al polarizar el transistor, ya que de ellos
depende que opere correctamente en la región deseada. Además, influyen directamente
en los cálculos para seleccionar los valores de las resistencias del circuito.
4. Punto de operación (Q)
El punto de operación o punto Q (Quiescente) es el conjunto de valores de voltaje y
corriente que definen el estado del transistor cuando no hay señal de entrada (solo
polarización DC). Esencialmente, representa las condiciones en las que el transistor se
mantiene mientras está “en reposo”, y es clave para garantizar un funcionamiento correcto
en aplicaciones de amplificación.
En la región activa, el punto Q se define por los valores de y , y debe situarse idealmente
en el centro de la recta de carga del transistor. Esto permite que, al aplicarse una señal
alterna, el transistor pueda amplificarla sin recortar la parte superior o inferior de la señal,
evitando distorsiones.
Una mala elección del punto Q puede llevar al transistor a operar en la región de corte o
de saturación, donde ya no actúa como amplificador lineal, sino como interruptor. Por ello,
al diseñar una etapa de polarización, se debe seleccionar cuidadosamente este punto
considerando las variaciones de temperatura, el valor de , y las condiciones del circuito.
6. Curvas características del transistor BJT
Las curvas características del transistor BJT son gráficas que muestran la relación entre
las corrientes y voltajes en sus diferentes regiones de operación. Estas curvas son
fundamentales para el análisis y diseño de circuitos, ya que permiten visualizar cómo se
comporta el transistor ante diferentes condiciones de entrada y carga.
Existen tres tipos principales de curvas:
● Curvas de salida.
Muestran cómo varía la corriente de colector respecto al voltaje colector-emisor , para
distintos valores de corriente base . En la región activa, estas curvas son casi planas, lo
que indica que es casi constante para un dado.
● Curvas de entrada.
Similares a las curvas de un diodo, muestran la relación entre la corriente de base y el
voltaje base-emisor. Indican que el transistor comienza a conducir cuando supera
aproximadamente los 0.6 a 0.7 V.
● Curvas de transferencia
Reflejan la relación de amplificación entre la corriente de base y la de colector. Son
prácticamente lineales en la región activa y permiten determinar el valor del transistor.
Estas curvas permiten ubicar el punto de operación (Q) del transistor y analizar cómo
responde frente a distintas condiciones. Su comprensión es clave para ajustar
correctamente la polarización y evitar que el transistor entre en corte o saturación no
deseados.
5. Errores comunes al polarizar transistores
Durante el diseño o implementación de circuitos con transistores BJT, es frecuente
cometer errores que afectan el funcionamiento del dispositivo, llevándolo fuera de su
región activa o incluso dañándolo. A continuación, se presentan los más comunes:
● No considerar la variación del parámetro :
Muchos diseños dependen directamente de un valor específico de , sin tener en cuenta
que este varía entre transistores del mismo tipo y con la temperatura. Esto puede provocar
un punto de operación inestable.
● Ignorar la caída de voltaje :
Suponer que la unión base-emisor está siempre idealizada puede llevar a errores en los
cálculos de polarización. En transistores de silicio, se debe considerar típicamente un valor
de 0.7 V.
● Seleccionar resistencias mal dimensionadas:
Escoger valores de resistencias sin hacer cálculos adecuados puede llevar al transistor a
regiones de corte o saturación no deseadas, impidiendo una correcta amplificación o
conmutación.
● No verificar la disipación de potencia:
Si no se considera la potencia que el transistor debe disipar, puede producirse un
sobrecalentamiento que dañe permanentemente el dispositivo. Es importante calcular y
aplicar medidas térmicas si es necesario.
● Polarizar incorrectamente las uniones del transistor:
Invertir conexiones o aplicar polaridades erróneas en la base, colector o emisor impide que
el transistor funcione y puede ocasionar su destrucción inmediata.
Conclusión
El análisis de las distintas configuraciones de polarización del transistor BJT permite comprender
cómo establecer un punto de operación estable para su correcto funcionamiento en la región
activa. La configuración de polarización fija, aunque sencilla, presenta poca estabilidad ante
variaciones térmicas y del parámetro , lo que limita su uso en aplicaciones donde se requiere
precisión.
En contraste, las configuraciones con divisor de voltaje y con retroalimentación por emisor
ofrecen mayor estabilidad y confiabilidad, al introducir mecanismos de compensación frente a
cambios en las condiciones del transistor. Estas configuraciones son ampliamente utilizadas en
circuitos amplificadores debido a su eficiencia, linealidad y capacidad de mantener un punto Q
constante ante perturbaciones externas.
Recomendación Final
● Calcular bien las resistencias de polarización para asegurar que el transistor opere
correctamente en la región activa.
● Verificar con instrumentos las tensiones y corrientes clave antes de aplicar señales reales
al circuito.
● Preferir configuraciones con retroalimentación en aplicaciones donde se requiera mayor
estabilidad térmica y funcional.
● Realizar simulaciones previas para anticipar el comportamiento del circuito y reducir
errores en la implementación práctica.
● Cuidar la disipación de potencia usando disipadores si se manejan corrientes elevadas, y
proteger el transistor ante posibles sobrecargas.