Machine Translated by Google

INFORME SANDIA
ARENA2004­3535
Liberación ilimitada
Impreso en diciembre de 2004

Modelo de rendimiento de un sistema fotovoltaico

DL King, WE Boyson, JA Kratochvill

Preparado por
Laboratorios Nacionales Sandia
Albuquerque, Nuevo México 87185 y Livermore, California 94550

Sandia es un laboratorio multiprograma operado por Sandia Corporation, una

compañía de Lockheed Martin, para la Administración Nacional de Seguridad Nuclear
del Departamento de Energía de los Estados Unidos bajo el contrato DE­AC04­94AL85000.

Aprobado para divulgación pública; difusión posterior ilimitada.

Machine Translated by Google

Emitido por Sandia National Laboratories, operado para el Departamento de Energía de los Estados
Unidos por Sandia Corporation.

AVISO: Este informe se elaboró como un recuento del trabajo patrocinado por una agencia del Gobierno de
los Estados Unidos. Ni el Gobierno de los Estados Unidos, ni ninguna agencia del mismo, ni ninguno de sus
empleados, contratistas, subcontratistas o empleados, ofrecen garantía alguna, expresa o implícita, ni
asumen responsabilidad legal alguna por la exactitud, integridad o utilidad de la información, aparato,
producto o proceso divulgado, ni declaran que su uso no infringiría derechos privados. La referencia en este
documento a cualquier producto, proceso o servicio comercial específico por nombre comercial, marca
registrada, fabricante u otro motivo no constituye ni implica necesariamente su respaldo, recomendación o
preferencia por parte del Gobierno de los Estados Unidos, ninguna agencia del mismo ni ninguno de sus
contratistas o subcontratistas. Las opiniones y puntos de vista expresados en este documento no
necesariamente expresan ni reflejan las del Gobierno de los Estados Unidos, ninguna agencia del mismo ni
ninguno de sus contratistas.

Impreso en los Estados Unidos de América. Este informe se ha reproducido directamente del mejor ejemplar
disponible.

Disponible para el DOE y sus contratistas a través de la

Oficina de Información Científica y
Técnica del Departamento de Energía de EE. UU., Apartado
postal 62, Oak
Ridge, TN 37831

Teléfono: (865)576­8401 Fax:

(865)576­5728 Correo electrónico:
reports@[Link]
Pedidos en línea: [Link]

Disponible para el público en el

Servicio Nacional de Información Técnica
del Departamento de Comercio de EE. UU. 5285
Port Royal Rd Springfield,
VA 22161

Teléfono: (800)553­6847 Fax:

(703)605­6900 orders@[Link]
Correo
electrónico: Pedido en línea: [Link]

2
Machine Translated by Google

ARENA2004­3535
Liberación ilimitada
Impreso en agosto de 2004

Modelo de rendimiento de un sistema fotovoltaico

David L. King, William E. Boyson, Jay A. Kratochvil Departamento

de Investigación y Desarrollo de Sistemas
Fotovoltaicos Sandia National
Laboratories PO
Box 5800 Albuquerque, Nuevo México 87185­0752

Abstracto

Este documento resume las ecuaciones y aplicaciones asociadas con el modelo de rendimiento del conjunto fotovoltaico
desarrollado en los Laboratorios Nacionales Sandia durante los últimos doce años.
El modelo incluye características eléctricas, térmicas y ópticas de los módulos fotovoltaicos, y está diseñado para
utilizar datos meteorológicos y del recurso solar por hora. Su versatilidad y precisión se han validado para módulos
de placa plana (todas las tecnologías) y para módulos de concentración, así como para grandes conjuntos de módulos.
Sus aplicaciones incluyen el diseño y dimensionamiento de sistemas, la conversión de mediciones de rendimiento
de campo a condiciones de informe estándar, la optimización del rendimiento del sistema y la comparación en tiempo
real del rendimiento medido con el esperado.

3
Machine Translated by Google

EXPRESIONES DE GRATITUD

La larga evolución de nuestro modelo de rendimiento de matriz se ha beneficiado enormemente

de interacciones valiosas con personas talentosas de una gran cantidad de organizaciones. Los autores
desean agradecer a varios colegas de las siguientes organizaciones: AstroPower (Jim Rand, Michael
Johnston, Howard Wenger, John Cummings), ASU/PTL (Bob Hammond, Mani Tamizhmani), BP
Solar (John Wohlgemuth, Steve Ransom), Endecon (Chuck Whitaker, Tim Townsend, Jeff Newmiller,
Bill Brooks), EPV (Alan Delahoy), Entech (Mark O'Neil), First Solar (Geoff Rich), FSEC (Gobind
Atmaram, Leighton Demetrius), Kyocera Solar (Steve Allen), Maui Solar (Michael Pelosi), NIST (Hunter
Fanney), NREL (Ben Kroposki, Bill Marion, Keith Emery, Carl Osterwald, Steve Rummel), Origin Energy
(Pierre Verlinden, Andy Blakers), Pacific Solar (Paul Basore), PBS Specialties (Pete Eckert),
PowerLight (Dan Shugar, Adrianne Kimber, Lori Mitchell), PVI (Bill Bottenberg), RWE Schott Solar
(Miles Russell, Ron Gonsiorawski), Shell Solar (Terry Jester, Alex Mikonowicz, Paul Norum),
SolarOne (Moneer Azzam), SunSet Technologies (Jerry Anderson), SWTDI (Andy Rosenthal, John
Wiles) y Sandia (Michael Quintana, John Stevens, Barry Hansen, James Gee).

Distribución anual de Vmp del arreglo vs. potencia

Matriz de 25 kW, módulos ASE­300­DG/50, Prescott, AZ
350 1.0

0.9
300
0.8
250 0.7

0.6
200
Promedio

0.5
Vmp
hora
por
(V)

150
0.4

Distribución
acumulada
Pmp
de
100 0.3

0.2
50
0.1

0 0.0
0 5 10 15 20 25 30

Potencia máxima del conjunto (kW)

4
Machine Translated by Google

CONTENIDO

INTRODUCCIÓN ....................................................................................................................7 ECUACIONES DE RENDIMIENTO PARA

MÓDULOS FOTOVOLTAICOS ..........7 Ecuaciones básicas ..................................................................................................................8

Definiciones de parámetros del módulo ...............................................................................9 Parámetros dependientes de la
irradiancia .................................................................................10 Parámetros relacionados con el recurso

solar ...........................................................................11 Parámetros en condiciones de informe estándar

(referencia) ...........................................16 Parámetros dependientes de la temperatura ...........................................................................16

Temperatura de funcionamiento del módulo (modelo térmico) ...........................................................17 ECUACIONES DE

RENDIMIENTO PARA Matrices ...........................................................20 Ejemplo de rendimiento de una
matriz ...........................................................................21 Producción de energía de un sistema conectado a la red
eléctrica ...........................................26 Optimización de un sistema fuera de la red eléctrica ...........................................................28
'TRADUCCIÓN' DE LAS MEDICIONES DE LA MATRIZ A CONDICIONES ESTÁNDAR ..28 Ecuaciones de
traducción ......................................................................................................29 Análisis de Mediciones de COV en cadena de
módulos..............................................................29 Análisis de la corriente y el voltaje de funcionamiento del conjunto de
instrumentos..................................31 DETERMINACIÓN DE LA IRRADIANCIA EFECTIVA (EE) DURANTE LAS PRUEBAS.....32 Enfoque

detallado de laboratorio..................................................................................33 Medición directa con un módulo de

referencia..................................................33 Enfoque simplificado con un solo sensor de irradiancia solar..................................34
Uso de una corriente de cortocircuito predeterminada en el conjunto de instrumentos, Isco ..................35 DETERMINACIÓN DE LA
TEMPERATURA DE LA CELDA (TC) DURANTE LAS PRUEBAS.....36 BASE DE DATOS DEL
MÓDULO..............................................................................................37 HISTORIAL DEL MODELO DE RENDIMIENTO DE
SANDIA..................................39 CONCLUSIONES .....................................................................................................................40
REFERENCIAS......................................................................................................................41

5
Machine Translated by Google

Esta página se dejó en blanco intencionalmente

6
Machine Translated by Google

INTRODUCCIÓN

Este documento proporciona una descripción detallada del modelo de rendimiento de módulos y conjuntos
fotovoltaicos desarrollado en los Laboratorios Nacionales Sandia durante los últimos doce años. Este modelo de
rendimiento puede utilizarse de diversas maneras. Permite diseñar (dimensionar) un conjunto fotovoltaico
para una aplicación determinada, basándose en la producción de energía y/o potencia esperada por hora, mes o
año [1]. Permite determinar la potencia nominal del conjunto mediante la conversión de los parámetros medidos
en rendimiento en una condición de referencia estándar. También permite monitorizar el rendimiento real y previsto
del conjunto a lo largo de su vida útil, lo que ayuda a diagnosticar problemas de rendimiento.

El modelo de rendimiento tiene una base empírica; sin embargo, su versatilidad y precisión se deben a que las
ecuaciones individuales utilizadas en él se derivan de las características individuales de cada célula solar. Esta
versatilidad y precisión se han demostrado para módulos de placa plana (todas las tecnologías), módulos
concentradores y grandes conjuntos de módulos.
El modelo incluye los efectos eléctricos, térmicos, espectrales solares y ópticos de los módulos fotovoltaicos [2, 3].
El enfoque de modelado del rendimiento ha sido validado exhaustivamente durante los últimos siete años
mediante extensas pruebas de módulos en exteriores y estudios de intercomparación con otros laboratorios y
organizaciones de pruebas [4, 5, 6, 7, 8]. Recientemente, el modelo de rendimiento también ha demostrado su
utilidad durante la optimización experimental del rendimiento de sistemas fotovoltaicos aislados de la red [9, 10].

Para que el modelo de rendimiento sea ampliamente aplicable a la industria fotovoltaica, Sandia realiza pruebas
detalladas de rendimiento en exteriores con módulos disponibles comercialmente, y mantiene una base de datos
con los parámetros de rendimiento asociados en su sitio web ([Link] Estos parámetros pueden
utilizarse directamente en el modelo de rendimiento descrito en este informe. Actualmente, diversos fabricantes
de módulos e integradores de sistemas utilizan ampliamente la base de datos de módulos durante el diseño de
sistemas y las pruebas de campo. La combinación del modelo de rendimiento y la base de datos de módulos
también se ha incorporado en software de diseño de sistemas disponible comercialmente [11]. Además,
se está considerando su incorporación en otros programas de modelado energético de edificios y sistemas, como
DOE­2 [12], Energy­10 [13] y el modelo de análisis de sistemas fotovoltaicos (PV SunVisor) patrocinado por el
DOE, que se está desarrollando en el NREL.

ECUACIONES DE RENDIMIENTO PARA MÓDULOS FOTOVOLTAICOS

El objetivo de cualquier proyecto de prueba y modelado suele ser cuantificar y replicar el fenómeno de interés
medido. Probar y modelar el rendimiento de los módulos fotovoltaicos en exteriores se complica por la influencia
de diversos factores interactivos relacionados con el entorno y la física de las células solares. Para diseñar,
implementar y supervisar eficazmente el rendimiento de los sistemas fotovoltaicos, un modelo de rendimiento debe
ser capaz de separar y cuantificar la influencia de todos los factores significativos. Este reto de prueba y modelado
ha sido un objetivo de nuestra investigación durante varios años.

7
Machine Translated by Google

El diagrama de dispersión en forma de avispa de la Figura 1 ilustra la complejidad del reto del modelado
utilizando datos registrados para un módulo de silicio multicristalino de 165 Wp de fabricación reciente durante
un período de cinco días en enero de 2002, con cielo despejado y nublado. La dispersión vertical de los
valores de Pmp se debe principalmente a cambios en el nivel de irradiancia solar, con menor influencia del
espectro solar, la temperatura del módulo y las propiedades eléctricas de la celda solar. La dispersión
horizontal de los valores de Vmp asociados se debe principalmente a la temperatura del módulo, con menor
influencia de la irradiancia solar y las propiedades eléctricas de la celda solar. Nuestro modelo de
rendimiento separa eficazmente estas influencias, de modo que el comportamiento caótico mostrado en la
Figura 1 puede modelarse con relaciones de buen comportamiento, como se demostrará en gráficos posteriores.

200

180

160

140

120

100

80
Potencia
máxima,

60
Pmp
(W)

40

20

0
30 31 32 33 34 35 36 37 38
Voltaje de potencia máxima, Vmp (V)

Figura 1. Diagrama de dispersión de más de 3300 mediciones de rendimiento registradas en cinco días diferentes de
enero en Albuquerque con condiciones de funcionamiento de cielo despejado y nublado para un módulo mc­Si de 165 Wp.

Ecuaciones básicas

Las siguientes ecuaciones definen el modelo utilizado por el Departamento de Tecnologías Solares de Sandia para
analizar y modelar el rendimiento de los módulos fotovoltaicos. Las ecuaciones describen el rendimiento eléctrico
de módulos fotovoltaicos individuales y pueden escalarse para cualquier combinación de módulos en serie o en
paralelo en un conjunto. Las mismas ecuaciones se aplican igualmente a celdas individuales, a módulos
individuales, a conjuntos de módulos de gran tamaño y a módulos de placa plana y de concentración.

La forma del modelo, dada por las ecuaciones (1) a (10), se utiliza para calcular la potencia y la
energía esperadas producidas por un módulo, suponiendo que se dispone de coeficientes de
rendimiento predeterminados del módulo e información sobre el recurso solar. Los datos meteorológicos y
del recurso solar requeridos por el modelo pueden obtenerse de bases de datos tabuladas o de mediciones
directas. Los tres puntos clásicos de la curva corriente­tensión (IV) de un módulo —corriente de cortocircuito,
tensión de circuito abierto y punto de máxima potencia— se definen mediante las cuatro primeras
ecuaciones. La Figura 2 ilustra estos tres puntos, junto con dos puntos adicionales que definen mejor la
forma de la curva.

8
Machine Translated by Google

Isc = Isco f1(AMa) {(Eb f2(AOI)+fd Ediff) / Eo} {1+αIsc (Tc­To)} (1)

2
Imp = Impo {C0 Ee + C1 Ee } {1 + αImp (Tc­To)} (2)

Voc = Voco + Ns δ(Tc) ln(Ee) + βVoc(Ee) (Tc­To) (3)

Vmp = Vmpo + C2 Ns δ(Tc) ln(Ee) + C3 Ns {δ(Tc) ln(Ee)}2 + βVmp(Ee) (Tc­To) (4)

Pmp = Imp Vmp (5)

FF = Pmp / (Isc Voc) (6)

dónde:

Ee = Isc / [Isco {1+αIsc (Tc­To)}] (7)

δ(Tc) = n k (Tc+273,15) / q (8)

Los dos puntos adicionales de la curva IV se definen mediante las ecuaciones (9) y (10). El cuarto punto (Ix) se define a
una tensión igual a la mitad de la tensión de circuito abierto, y el quinto (Ixx) a una tensión intermedia entre Vmp y Voc. Los
cinco puntos proporcionados por el modelo de rendimiento proporcionan la forma básica de la curva IV y pueden utilizarse
para regenerar una aproximación cercana a la curva IV completa en casos donde se requiere una tensión de funcionamiento
distinta a la tensión de máxima potencia. Por ejemplo, en aplicaciones de carga de baterías, la tensión de funcionamiento del
sistema puede verse forzada por el estado de carga de la batería a un valor distinto de Vmp.

2
Ix = Ixo { C4 Ee + C5 Ee } {1 + (αIsc) (Tc­To)} (9)

2
Ixx = Ixxo { C6 Ee + C7 Ee } {1 + (αImp) (Tc­To)} (10)

Las siguientes seis secciones de este documento analizan todos los parámetros y coeficientes utilizados en las ecuaciones
anteriores que definen el modelo de rendimiento. Estas secciones incluyen análisis y definiciones de parámetros
asociados con las características eléctricas básicas, la dependencia de la irradiancia, el recurso solar, las condiciones
estándar de informe, la dependencia de la temperatura y la temperatura de funcionamiento del módulo.

Definiciones de parámetros del módulo

Isc = Corriente de cortocircuito (A)

Imp = Corriente en el punto de máxima potencia (A)
Ix = Corriente en el módulo V = 0,5 Voc, define el 4.º punto de la curva IV para modelar la forma de la curva Ixx =
Corriente en el módulo V = 0,5 (Voc + Vmp), define el 5.º punto de la curva IV para modelar la forma de la curva Voc =
Tensión
de circuito abierto (V)
Vmp = Voltaje en el punto de máxima potencia (V)
Pmp = Potencia en el punto de máxima potencia (W)

9
Machine Translated by Google

FF = Factor de relleno (adimensional)

Ns = Número de celdas en serie en la cadena de celdas de un módulo
Np = Número de cadenas de celdas en paralelo en el módulo
k = Constante de Boltzmann, 1,38066E­23 (J/K) q = Carga
elemental, 1,60218E­19 (culombio)
Tc = Temperatura de la celda dentro del módulo (°C)
To = Temperatura de referencia de la celda, típicamente 25
°C Eo = Irradiancia solar de referencia, típicamente 1000 W/m2
δ(Tc) = 'Voltaje térmico' por celda a temperatura Tc. Para un factor de diodo de unidad (n=1) y una temperatura de
celda de 25ºC, el voltaje térmico es de aproximadamente 26 mV por celda.

3.5
Isc IX

3.0
Diablillo

2.5

Ixx
2.0
Corriente
módulo

1/2 Voc
del
(A)

1.5
Vmp

1.0

0.5
1/2(Voc+Vmp)

0.0
Vocabulario

0 5 10 15 20

Voltaje del módulo (V)

Figura 2. Ilustración de una curva de módulo IV que muestra los cinco puntos de la curva que proporciona el
modelo de rendimiento de Sandia.

Parámetros dependientes de la irradiancia

Los siguientes parámetros de rendimiento del módulo relacionan el voltaje y la corriente del módulo y, como resultado, la
forma de la curva IV (factor de llenado), con el nivel de irradiancia solar.

La Figura 3 ilustra cómo los valores medidos para el módulo Vmp y Voc pueden variar en función de la irradiancia efectiva.
En este ejemplo, los valores medidos previamente mostrados en la Figura 1 se tradujeron primero a una temperatura común
(50 °C) para eliminar la dependencia de la temperatura.
Los coeficientes (n, C2, C3) se obtuvieron mediante análisis de regresión basados en las ecuaciones (3) y (4). Estos
coeficientes se emplearon en nuestro modelo de rendimiento para calcular el comportamiento del voltaje frente a la
irradiancia a diferentes temperaturas de operación. La validez de este enfoque de modelado se aprecia al reconocer que
los 3300 puntos de datos medidos ilustrados se registraron tanto en condiciones despejadas como nubladas en cinco
días diferentes, con una irradiancia solar de 80 a 1200 W/m² y una temperatura del módulo de 6 a 45 °C.

10
Machine Translated by Google

La Figura 4 ilustra cómo los valores medidos para la corriente del módulo (Isc, Imp, Ix, Ixx) pueden variar en
función de la irradiancia efectiva. De forma similar al análisis de voltaje, los valores de corriente medidos se
tradujeron a una temperatura común para eliminar la dependencia de la temperatura. Los coeficientes de rendimiento
(C0, C1, C4, C5, C6, C7) asociados con Imp, Ix e Ixx se determinaron mediante análisis de regresión basados en
las Ecuaciones (2), (9) y (10). Nuestra formulación del modelo de rendimiento aprovecha la complejidad asociada
con la Ecuación (1) para considerar cualquier comportamiento no lineal asociado con Isc. Como resultado, la gráfica
de Isc frente a la variable de irradiancia efectiva siempre es lineal. Las relaciones para los otros tres valores de
corriente pueden ser no lineales (parabólicas) para ajustarse estrechamente a la forma de la curva IV en un amplio
rango de irradiancia. La formulación también aprovecha la condición conocida de una irradiancia efectiva de cero,
es decir, las corrientes son cero, lo que contribuye a la robustez del modelo incluso en condiciones de baja
irradiancia. Las definiciones de coeficientes son las siguientes:

Ee = La irradiancia solar efectiva, definida previamente por la Ecuación (7). Este valor describe la fracción
de la irradiancia solar total incidente sobre el módulo a la que las células internas realmente responden.
Cuando se utilizan datos tabulados del recurso solar para predecir el rendimiento del módulo, se utiliza
directamente la Ecuación (7). Cuando se utilizan mediciones directas de las variables del recurso solar, se
pueden emplear procedimientos alternativos para determinar la irradiancia efectiva, como se explica más
adelante en este documento.
C0, C1 = Coeficientes determinados empíricamente que relacionan Imp con la irradiancia efectiva, Ee. C0+C1 =
1, (adimensional)
C2, C3 = Coeficientes determinados empíricamente que relacionan Vmp con la irradiancia efectiva (C2
es adimensional y C3 tiene unidades de 1/V)
C4, C5 = Coeficientes determinados empíricamente que relacionan la corriente (Ix) con la irradiancia efectiva,
Ee. C4+C5 = 1, (adimensional)
C6, C7 = Coeficientes determinados empíricamente que relacionan la corriente (Ixx) con la irradiancia efectiva,
Ee. C6+C7 = 1 (adimensional). n =
Factor de diodo determinado empíricamente, asociado a cada celda del módulo, con un valor típicamente
cercano a la unidad (adimensional). Se determina mediante mediciones de Voc , traducidas a una temperatura
común y graficadas frente al logaritmo natural de la irradiancia efectiva. Esta relación suele ser lineal en un
amplio rango de irradiancia (de ~0,1 a 1,4 soles).

Parámetros relacionados con el recurso solar

Para el diseño o dimensionamiento del sistema, las variables de irradiancia solar requeridas por el modelo de
rendimiento se obtienen generalmente de una base de datos o un modelo meteorológico que proporciona
estimaciones de valores promedio por hora para el recurso solar y los datos meteorológicos [14, 15]. Estos datos
de irradiancia solar pueden manipularse mediante diferentes métodos para calcular la irradiancia solar esperada
incidente sobre la superficie de un módulo fotovoltaico con una orientación que depende del diseño y la aplicación
del sistema [16, 17]. Por otro lado, para pruebas de campo o para la monitorización del rendimiento a largo
plazo, la irradiancia solar en el plano del módulo suele ser un valor medido y debe utilizarse directamente en el
modelo de rendimiento.

11
Machine Translated by Google

50

Modelo a una temperatura de celda de 25 °C

45

40

Modelo a 50C

35
Voltaje
(V)

30

Voc medido traducido a 50 °C

25 Vmp medido traducido a 50 °C

20
0 0.2 0,4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
Irradiancia efectiva, Ee (soles)

Figura 3. Más de 3300 mediciones registradas en cinco días diferentes, con cielo despejado y nublado/cubierto,
para un módulo de silicio monocristalino de 165 Wp. Los valores medidos de Voc y Vmp se tradujeron a una
temperatura común de 50 °C. Los análisis de regresión proporcionaron los coeficientes utilizados en el modelo de
rendimiento para predecir las curvas en diferentes condiciones de funcionamiento.

4
Corriente
(A)

2
Isc medido traducido a 50 °C
Ix medido traducido a 50 °C
1
Imp medido traducido a 50 °C
Ixx medido traducido a 50 °C
0
0 0.2 0,4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
Irradiancia efectiva, Ee (soles)

Figura 4. Más de 3300 mediciones registradas en cinco días diferentes con cielo despejado y nublado/cubierto
para un módulo de silicio monocristalino de 165 Wp. Los valores medidos de corriente se tradujeron a una temperatura
común de 50 °C antes del análisis de regresión.

Las funciones empíricas f1(AMa) y f2(AOI) cuantifican la influencia de la variación del espectro solar y las pérdidas
ópticas debidas al ángulo de incidencia solar en la corriente de cortocircuito del módulo.
Estas funciones son determinadas por un laboratorio de pruebas de módulos que utiliza procedimientos
explícitos de prueba al aire libre [2, 8]. La intención de estas dos funciones es tener en cuenta los efectos sistemáticos que

12
Machine Translated by Google

ocurren de forma recurrente durante las condiciones predominantemente despejadas cuando se recolecta la mayor
parte de la energía solar. Por ejemplo, la Figura 5 ilustra cómo varía la distribución espectral solar a medida que
avanza el día desde la mañana hasta el mediodía, lo que resulta en una influencia sistemática en la
corriente de cortocircuito normalizada de una celda de Si típica. Para los módulos de silicio cristalino, la
Isc normalizada es típicamente un porcentaje más alta en condiciones de alta masa de aire que al mediodía
solar. Los efectos de las nubes intermitentes, el humo, el polvo y otros fenómenos meteorológicos pueden, a todos
los efectos prácticos, considerarse influencias aleatorias que se promedian semanal, mensual o
anualmente. Para los módulos del mismo fabricante, estas dos funciones empíricas a menudo pueden
considerarse "genéricas", siempre que el tipo de celda y el material del superestrato del módulo (p. ej., vidrio)
sean los mismos. Las Figuras 6 y 7 ilustran ejemplos típicos de las funciones determinadas empíricamente.

En la Figura 6 se puede observar que la influencia del espectro solar cambiante es relativamente pequeña para
valores de masa de aire entre 1 y 2. En el contexto de la producción anual de energía, también debe reconocerse
que más del 90% de la energía solar disponible durante un año completo se produce con valores de masa de
aire inferiores a 3. Por lo tanto, la influencia espectral ilustrada con valores de masa de aire superiores a 3 tiene
cierta importancia académica para el diseñador del sistema. Como se documenta en otra parte [1], el efecto
acumulativo de la influencia espectral solar en la producción anual de energía suele ser bastante pequeño, inferior
al 3%. No obstante, utilizando nuestro enfoque de modelado, es sencillo incluir la influencia sistemática de la
variación espectral solar.

1.8

10:43 a. m., AMa=1.5

1.6
8:24 am, AMa=2.46
1.4 7:18 a. m., AMa=4.70
Especificación Rsp. c­Si
1.2

1.0

0.8
Irradiancia

0.6
nm)
m2/
(W/

0.4

0.2

0.0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600

Longitud de onda (nm)

Figura 5. Irradiancia espectral solar medida en un día despejado en Davis, California, con diferentes condiciones
de masa de aire. La respuesta espectral normalizada de una célula solar de silicio típica se superpone para
fines comparativos.

13
Machine Translated by Google

1.1

1.0

0.9

Respuesta
f1(AMa)
relativa,

0.8

Si multicristalino
0.7 Si cristalino
Tándem a­Si
a­Si de triple unión

0.6
0.5 1.5 2.5 3.5 4.5 5.5 6.5
Masa absoluta de aire, AMa

Figura 6. Relación empírica típica que ilustra la influencia de la variación espectral solar en la corriente de
cortocircuito del módulo, en relación con la condición de referencia AMa=1,5. Los resultados se
midieron en los Laboratorios Nacionales Sandia para diversos módulos comerciales.

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7
Respuesta
relativa,
f2(AOI)

0.6
Vidrio, mc­Si
0.5
Vidrio, mc­Si
0.4 Vidrio, c­Si
Vidrio, a­Si
0.3

0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

Ángulo de incidencia, AOI (grados)

Figura 7. Relación empírica típica que ilustra la influencia del ángulo de incidencia solar en la reducción de
la corriente de cortocircuito de un módulo. Los resultados se midieron en los Laboratorios
Nacionales Sandia para cuatro fabricantes de módulos diferentes. El efecto está dominado por las
características de reflectancia de la superficie del vidrio.

14
Machine Translated by Google

La Figura 7 muestra que la influencia de las pérdidas ópticas (reflectancia) en los módulos de placa plana suele ser
insignificante hasta que el ángulo de incidencia solar supera los 55 grados. Esta pérdida se suma a la pérdida
de coseno típica de una superficie de módulo no orientada perpendicularmente a la trayectoria de la luz solar. El
efecto acumulativo (pérdida) a lo largo del año debe considerarse para diferentes diseños de sistemas y
orientaciones de módulos. En los módulos que siguen con precisión la dirección del sol, no hay pérdida óptica. En
el caso de un módulo de placa plana orientado verticalmente en el muro sur de un edificio, la pérdida anual de
energía debida a la pérdida óptica es de aproximadamente el 5 % [1].

Nuestro modelo de rendimiento también es directamente aplicable a los módulos fotovoltaicos de concentración. En
este caso, las funciones empíricas f1(AMa) y f2(AOI) adquieren una mayor relevancia. Los efectos de la influencia
espectral solar, la variación de la eficiencia óptica a lo largo del día, la desalineación del módulo y el
comportamiento no lineal de Isc frente a la irradiancia pueden considerarse adecuadamente en f1(AMa).
Como se mencionó anteriormente, el propósito de estas relaciones determinadas empíricamente es explicar la
mayor parte del efecto de las influencias sistemáticas conocidas, asumiendo que otros factores
incontrolables resultan en efectos aleatorios que se promedian a lo largo del año. En el caso de los módulos
concentradores, el término ángulo de incidencia puede considerarse sinónimo de «error de seguimiento». Por
lo tanto, utilizando coeficientes predeterminados, la función f2(AOI) puede utilizarse para cuantificar el efecto del
error de seguimiento en el rendimiento del módulo concentrador. Las definiciones de los parámetros son las
siguientes:

Eb = Edni cos(AOI), componente del haz de la irradiancia solar incidente sobre la superficie del módulo,
(W/m2 )
Ediff = Componente difusa de la irradiancia solar incidente sobre la superficie del módulo (W/m² ). fd =
Fracción de la irradiancia difusa utilizada por el módulo, generalmente considerada 1 para módulos de placa
plana. Para módulos de concentración puntual, se suele considerar un valor cero, y para módulos de baja
concentración se puede determinar un valor entre cero y 1.
Ee = Irradiancia “efectiva” a la que responden las células fotovoltaicas del módulo (adimensional o “soles”)

Eo = Irradiancia solar de referencia, típicamente 1000 W/m2 , con espectro estándar ASTM.
AMa = Masa de aire absoluta (adimensional). Este valor se calcula a partir del ángulo de elevación del sol y la
altitud del sitio, y proporciona una medida relativa de la longitud del recorrido que el sol debe recorrer a
través de la atmósfera. AMa = 1 a nivel del mar, cuando el sol está directamente sobre la superficie.
AOI = Ángulo de incidencia solar (grados). AOI es el ángulo entre una línea perpendicular (normal) a la
superficie del módulo y el componente del haz de luz solar.
Tc = Temperatura de las celdas dentro del módulo (°C). Generalmente se determina a partir de mediciones
de la temperatura de la superficie posterior del módulo o de un modelo térmico que utiliza datos
ambientales y de
recursos solares. f1(AMa) = Polinomio determinado empíricamente que relaciona la influencia espectral solar en
Isc con la variación de la masa de aire a lo largo del día, donde:

2 3 4
f1(AMa) = a0 + a1∙AMa + a2∙(AMa) + a3∙(AMa) + a4∙(AMa)

f2(AOI) = Polinomio determinado empíricamente que relaciona las influencias ópticas en Isc con el ángulo
de incidencia solar (AOI), donde:

f2(AOI) = b0 + b1∙AOI + b2∙(AOI)2 + b3∙(AOI)3 + b4∙(AOI)4 + b5∙(AOI)5

15
Machine Translated by Google

Parámetros en condiciones de informe estándar (de referencia)

La industria fotovoltaica utiliza las Condiciones Estándar de Informe para calificar o especificar el rendimiento del módulo.
Esta calificación se proporciona en una única condición de funcionamiento estandarizada (de referencia) [18,
19]. Los parámetros de rendimiento asociados suelen ser las especificaciones del fabricante o los resultados de
pruebas obtenidos en un laboratorio de pruebas de módulos. La precisión de estas especificaciones de rendimiento es
fundamental para el diseño de sistemas y paneles fotovoltaicos, ya que proporcionan el punto de referencia a
partir del cual se deriva el rendimiento en todas las demás condiciones de funcionamiento. Un error del 10 %
en la calificación del rendimiento del módulo supondrá un efecto del 10 % en la producción anual de energía del sistema
fotovoltaico. Los integradores de sistemas y los fabricantes de módulos deben esforzarse al máximo para garantizar
la precisión de las calificaciones del rendimiento del módulo. Los parámetros y condiciones de rendimiento asociados con la
condición estándar de informe se definen a continuación:

Para = Temperatura de celda de referencia para evaluar el rendimiento, normalmente 25 °C

Eo = Irradiancia solar de referencia, típicamente 1000 W/m2
Isco = Isc(E = Eo W/m2 , AMa = 1,5, Tc = 0 °C, AOI = 0°) (A)
Impo = Imp(Ee = 1, Tc = To) (A)
Voco = Voc(Ee =1, Tc = To ) (V)
Vmpo = Vmp(Ee = 1, Tc = To ) (V)
Ixo = Ix(Ee = 1, Tc = To) (A)
Ixxo = Ixx(Ee = 1, Tc = To) (A)

Parámetros dependientes de la temperatura

Aunque no está universalmente reconocido o estandarizado, el uso de cuatro coeficientes de temperatura separados
es fundamental para que nuestro modelo de rendimiento sea lo suficientemente versátil como para aplicarse igualmente
bien a todas las tecnologías fotovoltaicas en todo el rango de condiciones de operación. Los procedimientos
estandarizados actuales suponen erróneamente que el coeficiente de temperatura para Voc es aplicable para Vmp y el
coeficiente de temperatura para Isc es aplicable para Imp [18]. Si no están disponibles del fabricante del módulo, los
parámetros requeridos están disponibles en la base de datos del módulo o pueden medirse durante pruebas al aire libre en
condiciones reales de operación [3]. Además, nuestro modelo de rendimiento permite que los coeficientes de temperatura
para voltaje (Voc y Vmp) varíen con la irradiancia solar, si es necesario. Por ejemplo, una celda de silicio de concentrador
puede tener un coeficiente de temperatura Voc de –2.0 mV/°C a una concentración de 1X, pero a una concentración de
200X el valor puede caer a –1.7 mV/°C.
Sin embargo, para los módulos de placa plana sin concentrador, los valores constantes para los coeficientes de
temperatura de voltaje son generalmente adecuados.

Las definiciones de los parámetros son las siguientes y, cuando se utilizan en el modelo de rendimiento definido en este
documento, las unidades de ingeniería para los coeficientes de temperatura deben ser las que se especifican a
continuación para que sean coherentes con las ecuaciones.

αIsc = Coeficiente de temperatura normalizado para Isc (1/°C). Este parámetro se normaliza dividiendo la dependencia
de la temperatura (A/°C) medida para un espectro solar estándar y un nivel de irradiancia específicos entre la
corriente de cortocircuito del módulo en la referencia estándar.

16
Machine Translated by Google

Condición, Isco. El uso de estas unidades (1/°C) permite obtener el mismo valor tanto para módulos individuales como para cadenas
de módulos en paralelo. αImp = Coeficiente de temperatura

normalizado para Imp, (1/°C). Normalizado de la misma manera que αIsc.

βVoc(Ee) = βVoco + mβVoc (1­Ee), (V/°C) Coeficiente de temperatura para el voltaje de circuito abierto
del módulo en función de la irradiancia efectiva, Ee. Generalmente, la dependencia de la irradiancia se puede
despreciar y se asume que βVoc es un valor constante. βVoco =
Coeficiente de temperatura para el módulo Voc a un nivel de irradiancia de 1000 W/m2, (V/°C) mβVoc =
Coeficiente que proporciona la dependencia de la irradiancia para el coeficiente de temperatura Voc ,
generalmente se asume que es cero, (V/
°C). βVmp(Ee) = βVmpo +mβVmp (1­Ee), (V/°C) Coeficiente de temperatura para el voltaje de máxima
potencia del módulo en función de la irradiancia efectiva, Ee. Generalmente, la dependencia de la irradiancia
se puede despreciar y se asume que βVmp es un valor constante.
βVmpo = Coeficiente de temperatura para el módulo Vmp a un nivel de irradiancia de 1000 W/m2 , (V/°C)
mβVmp = Coeficiente que proporciona la dependencia de la irradiancia para el coeficiente de temperatura
Vmp , que normalmente se supone que es cero, (V/°C).

Temperatura de funcionamiento del módulo (modelo térmico)

Al diseñar un sistema fotovoltaico, es necesario predecir su producción energética anual prevista. Para ello,
se requiere un modelo térmico que estime la temperatura de funcionamiento del módulo en función de las
condiciones ambientales locales: irradiancia solar, temperatura ambiente, velocidad y, posiblemente, dirección del
viento. Los datos meteorológicos y del recurso solar dependientes del emplazamiento, procedentes de
bases de datos reconocidas [14] o de modelos meteorológicos [15], se utilizan habitualmente para proporcionar
la información ambiental necesaria para el análisis del diseño del conjunto. Las estimaciones de los valores
promedio horarios de irradiancia solar, temperatura ambiente y velocidad del viento se utilizan en el modelo
térmico para predecir la temperatura de funcionamiento asociada al módulo fotovoltaico. Existe incertidumbre
asociada tanto a los datos ambientales tabulados como al modelo térmico, pero este enfoque ha demostrado ser
adecuado para el diseño de sistemas.

Tras la instalación del sistema, es posible medir directamente la irradiancia solar y la temperatura del módulo, y
los resultados se utilizan en el modelo de rendimiento. Los valores medidos evitan la incertidumbre inherente a la
estimación de la temperatura del módulo según parámetros ambientales y mejoran la precisión del modelo de
rendimiento para predecir continuamente el rendimiento esperado del sistema.

A mediados de la década de 1980, en Sandia se desarrolló un modelo térmico para fines de ingeniería
de sistemas y modelado del rendimiento [20]. Si bien riguroso, este modelo inicial resultó ser innecesariamente
complejo, no aplicable a todas las tecnologías de módulos y difícilmente adaptable a las influencias del sitio.

Recientemente, en Sandia se desarrolló un modelo térmico empírico más simple, descrito por la Ecuación
(11). Este modelo se ha aplicado con éxito en módulos de placa plana montados en un rack abierto, en módulos de
placa plana con superficies traseras aisladas que simulan situaciones de integración en edificios, y en módulos
concentradores con disipadores de calor con aletas. Este modelo simple ha demostrado...

17
Machine Translated by Google

ser muy adaptable y totalmente adecuado para propósitos de diseño e ingeniería de sistemas al proporcionar la
temperatura operativa esperada del módulo con una precisión de aproximadamente ±5°C.
Las incertidumbres de temperatura de esta magnitud tienen como resultado un efecto de menos del 3% en la potencia
de salida del módulo.

Los coeficientes empíricamente determinados (a, b) utilizados en el modelo se determinan mediante miles de
mediciones de temperatura registradas durante varios días con el módulo operando en condiciones cercanas al
equilibrio térmico (cielo despejado sin fluctuaciones de temperatura debido a la nubosidad intermitente).
Los coeficientes determinados se ven influenciados por la construcción del módulo, la configuración de montaje
y la ubicación y altura donde se mide la velocidad del viento.

La práctica meteorológica estándar para registrar la velocidad y dirección del viento consiste en ubicar el dispositivo de
medición (anemómetro) a una altura de 10 metros en una zona con un número mínimo de edificios o estructuras que obstruyan
el movimiento del aire. Los datos tabulados de velocidad y dirección del viento, proporcionados en las bases de datos
meteorológicas, se registraron en estas condiciones. Sin embargo, cabe destacar que, al analizar los datos registrados tras la
instalación del sistema, el modelo térmico puede ajustarse mediante la determinación de nuevos coeficientes (a,b) que compensen
las influencias dependientes del lugar y las instalaciones de anemómetros que difieren de la práctica meteorológica
estándar.

+ metro
{ WSba
= TeET
+ } a (11)

dónde:

Tm = Temperatura del módulo de la superficie posterior, (°C).

Ta = Temperatura del aire ambiente, (°C)
E = Irradiancia solar incidente sobre la superficie del módulo, (W/m2 )
WS = Velocidad del viento medida a una altura estándar de 10 m (m/s) a =
Coeficiente determinado empíricamente que establece el límite superior de la temperatura del módulo a bajas velocidades
del viento y alta irradiancia solar b = Coeficiente determinado
empíricamente que establece la velocidad a la que la temperatura del módulo desciende a medida que aumenta la
velocidad del viento

La Figura 8 ilustra datos típicos medidos en seis días diferentes con condiciones nominalmente despejadas y un amplio rango
de irradiancia, velocidad y dirección del viento. En este caso, el módulo era un modelo de 300 W de gran superficie con
superficies frontal y posterior de vidrio templado. Se ilustra el efecto de los periodos de calentamiento fuera de equilibrio (de unos
30 minutos de duración) durante dos mañanas en las que el sol iluminó el módulo por primera vez. Un ajuste lineal a los datos
medidos proporcionó los coeficientes de intersección y pendiente (a, b) requeridos en el modelo. Una vez determinados los
coeficientes para un módulo específico, también es posible calcular la temperatura nominal de funcionamiento de la celda (NOCT)
especificada por ASTM [18], así como la temperatura del módulo asociada con la condición de prueba PVUSA (PTC)
comúnmente utilizada [19].

18
Machine Translated by Google

La dirección del viento también puede tener una influencia pequeña pero notable en la temperatura de funcionamiento del módulo.
Sin embargo, se considera que incorporar el efecto de la dirección del viento en el modelo térmico resulta innecesariamente
complejo. Por lo tanto, en nuestro enfoque, la influencia de la dirección del viento en la temperatura de funcionamiento se considera
aleatoria, lo que añade cierta incertidumbre al modelo térmico, pero también tiende a promediarse anualmente. De igual manera,
los transitorios térmicos causados por las nubes y la capacitancia térmica del módulo pueden introducir influencias aleatorias
en la temperatura del módulo; sin embargo, estos efectos aleatorios se promedian diaria o anualmente.

Módulo de doble vidrio (montaje en rack abierto)

­3.0
+5 °C

­3.5

­4.0 ­5 °C

­4.5
ln[(Tmod­
Tamb) /
E]

­5.0
"Calentamiento" transitorio

­5.5
y = ­0,0594(WS) ­ 3,473

­6.0
0 5 10 15 20
Velocidad del viento (m/s)
(A 10 m de altura)

Figura 8. Relación determinada experimentalmente para la temperatura de la superficie posterior de un módulo

de placa plana en una configuración de montaje en rack abierto en función de la irradiancia solar, la
temperatura ambiente y la velocidad del viento. Un ajuste de regresión lineal a los datos proporciona los
coeficientes (a, b) del modelo térmico.

La temperatura de la celda y la temperatura de la superficie posterior del módulo pueden ser muy diferentes, especialmente en
los módulos concentradores. La temperatura de las celdas dentro del módulo se puede relacionar con la temperatura de la
superficie posterior del módulo mediante una relación simple. La relación dada en la Ecuación (12) se basa en el supuesto
de conducción térmica unidimensional a través de los materiales del módulo detrás de la celda (capas de encapsulante y polímero
para módulos de placa plana, dieléctrico cerámico y disipador de calor de aluminio para módulos concentradores). La temperatura
de la celda dentro del módulo se calcula utilizando la temperatura medida de la superficie posterior y una diferencia de
temperatura predeterminada entre la superficie posterior y la celda.

mi
TT
mc
Δ += T (12)
mio

dónde:

Tc = Temperatura de la celda dentro del módulo, (°C)

Tm = Temperatura medida del módulo de la superficie posterior, (°C).
E = Irradiancia solar medida en el módulo, (W/m2 )
Eo = Irradiancia solar de referencia en el módulo, (1000 W/m2 )

19
Machine Translated by Google

Δ T = Diferencia de temperatura entre la celda y la superficie posterior del módulo a un nivel de irradiancia de
1000 W/m² . Esta diferencia de temperatura suele ser de 2 a 3 °C para módulos de placa plana montados en
rack abierto. Para módulos de placa plana con superficie posterior con aislamiento térmico, esta diferencia de
temperatura se puede considerar nula. En los módulos concentradores, esta diferencia de
temperatura se determina típicamente entre la celda y la raíz de un intercambiador de calor con aletas (disipador
de calor) en la parte posterior del módulo.

La Tabla 1 presenta coeficientes determinados empíricamente que resultan representativos de diferentes tipos
de módulos y configuraciones de montaje. Los casos de la tabla pueden considerarse genéricos para módulos
fotovoltaicos de placa plana típicos de diferentes fabricantes. Sin embargo, el comportamiento térmico de los
módulos de concentración puede variar significativamente según el diseño del módulo.
Por lo tanto, los coeficientes para los concentradores deben determinarse empíricamente para cada diseño de módulo.
En la tabla se muestra un ejemplo de un módulo concentrador de enfoque lineal del año 1994.

Tabla 1. Coeficientes determinados empíricamente para predecir la temperatura de la superficie posterior del módulo
en función de la irradiancia, la temperatura ambiente y la velocidad del viento. La velocidad del viento se midió a la
altitud meteorológica estándar de 10 metros.
ΔT

Tipo de módulo Montar a b

(°C)

Vidrio/célula/vidrio Estante abierto ­3.47 ­.0594 3

Vidrio/célula/vidrio Montaje en techo cerrado ­2.98 ­.0471 1

Lámina de vidrio/célula/polímero Estante abierto ­3.56 ­.0750 3

Lámina de vidrio/célula/polímero Espalda aislada ­2.81 ­.0455 0

Polímero/película delgada/acero Estante abierto ­3.58 ­.113 3

Concentrador lineal 22X Rastreador ­3.23 ­.130 13

ECUACIONES DE RENDIMIENTO PARA ARREGLOS

Las ecuaciones (1) a (10) también pueden utilizarse para conjuntos compuestos por muchos módulos, simplemente
considerando las combinaciones en serie y en paralelo de los módulos del conjunto. Si el número de módulos
conectados en serie en una cadena de módulos es Ms, multiplique las tensiones calculadas con las ecuaciones (3) y
(4) por Ms. Si el número de cadenas de módulos conectadas en paralelo en el conjunto es Mp, multiplique las
corrientes calculadas con las ecuaciones (1), (2), (9) y (10) por Mp. El rendimiento del conjunto calculado con
este método se basa en el rendimiento esperado de los módulos individuales y, por lo tanto, puede ser ligeramente
optimista, ya que no se incluyen otras pérdidas a nivel del conjunto, como la desadaptación de módulos y la
resistencia del cableado.

20
Machine Translated by Google

Idealmente, se dispone de mediciones de rendimiento (IV) a nivel de matriz, en cuyo caso se puede
mejorar aún más la precisión del modelo de rendimiento. Las mediciones de matriz pueden proporcionar los
cuatro parámetros básicos de rendimiento (Isco, Impo, Voco, Vmpo) en la condición de informe estándar (de
referencia), así como los otros ocho coeficientes (C0, C1, …, C7). Se supone que la influencia
espectral, f1(AMa), las pérdidas ópticas, f2(AOI), y los coeficientes de temperatura de la matriz están
disponibles a partir de los resultados de las pruebas en módulos individuales. Mediante mediciones de matriz,
se puede modelar completamente el rendimiento eléctrico de toda la matriz, en cuyo caso el modelo incluye
directamente las pérdidas a nivel de matriz asociadas con la discrepancia del módulo y la resistencia del
cableado, que son difíciles de predecir o determinar explícitamente. En esencia, la matriz se modela como si
fuera un módulo muy grande. Generalmente, el efecto de la discrepancia y las pérdidas de resistencia es
pequeño (<5%) en relación con el rendimiento esperado a partir de las especificaciones de cada módulo.
La base de datos de módulos de Sandia incluye varias matrices de módulos que se caracterizaron de esta manera.

Para ilustrar el procedimiento utilizado para determinar los coeficientes de rendimiento del conjunto, así
como su uso posterior en el modelado de la producción de energía esperada, se presentarán resultados para un
sistema de 3,4 kWp ubicado en Albuquerque, Nuevo México.

Ejemplo de rendimiento de matriz

El conjunto de 3,4 kWp evaluado se componía de dos cadenas de módulos en paralelo, cada una con
24 módulos de silicio cristalino (70 Wp) conectados en serie. Cada cadena de módulos contaba con 864 celdas
de silicio en serie. El conjunto se conectó a un inversor de 2,5 kW y el sistema a la red eléctrica local.
Las mediciones de rendimiento en campo (curvas IV) se registraron en una mañana despejada de julio utilizando
un trazador de curvas portátil y dos sensores de irradiancia solar (piranómetros).

El primer desafío, el más importante y quizás el más difícil durante la caracterización del rendimiento
del conjunto es determinar un valor preciso para la corriente de cortocircuito del conjunto (Isco) en una
condición de referencia deseada. Una vez determinada la Isco , el resto del análisis del rendimiento
del conjunto se vuelve coherente y directo. La condición de referencia más utilizada está definida por la ASTM
[18]. Nominalmente, la condición ASTM representa una condición de cielo despejado con el sol en un ángulo de
elevación media en el cielo y una temperatura del módulo de 25 °C. La condición real de funcionamiento del
conjunto durante las pruebas está determinada por cuatro factores: la irradiancia solar compuesta por un haz
y un componente difuso, el espectro solar, el ángulo de incidencia solar y la temperatura del conjunto.
Los efectos típicos del espectro solar y el ángulo de incidencia en el rendimiento del módulo se ilustraron
previamente en las Figuras 6 y 7. La influencia de estos factores en la respuesta de diferentes piranómetros
se documenta en otra parte [23].

La Figura 9 ilustra los valores medidos para la Isc del conjunto , traducidos a una temperatura común y graficados
en función de la irradiancia solar en el plano del conjunto, medida por dos piranómetros diferentes. El piranómetro
Kipp & Zonen contaba con un sensor de termopila y el piranómetro LICOR con un sensor de fotodiodo de
silicio. La respuesta de estos piranómetros se vio influenciada por los mismos factores que afectan la
corriente de cortocircuito del conjunto; sin embargo, la magnitud del efecto para cada factor difirió entre los
piranómetros y ambos piranómetros difirieron del conjunto. Por lo tanto, aunque los datos ilustrados se
registraron durante un día tranquilo y perfectamente despejado, los resultados indican

21
Machine Translated by Google

Tendencias sistemáticas en lugar de un comportamiento lineal definido frente a la irradiancia medida. La

forma más práctica de abordar estas mediciones de campo es reconocer primero la presencia de diversos
factores que interactúan en los datos medidos y, a continuación, seleccionar el período del día en el que se
minimice el efecto combinado de dichos factores, como se ilustra en la Figura 9.

La Figura 10 muestra los valores de corriente medidos (Isc, Imp, Ix, Ixx) traducidos a una temperatura
común y graficados en función de la irradiancia efectiva, Ee. La irradiancia efectiva para cada
medición se calculó utilizando el valor Isco medido y la ecuación (7). Más adelante en este
informe se describen métodos alternativos para determinar la irradiancia efectiva durante las pruebas
de campo. Los datos medidos ilustrados suelen presentar un buen comportamiento, y se utilizan
análisis de regresión para obtener los coeficientes de modelado asociados.

Las figuras 11 y 12 muestran los voltajes medidos del conjunto (Voc, Vmp) traducidos a una temperatura
común frente a la irradiancia efectiva. Los análisis de regresión realizados con estos datos proporcionaron los
coeficientes necesarios para modelar el comportamiento del voltaje del conjunto, de forma análoga a la utilizada para
los módulos individuales. Cabe destacar que las variables independientes utilizadas son diferentes en ambos
casos, lo que facilita la determinación de los coeficientes de modelado. Los coeficientes de rendimiento obtenidos se
muestran en los gráficos.

La Figura 13 ilustra la eficacia del modelo de rendimiento tras la determinación de los coeficientes requeridos.
Este gráfico muestra los valores de Voc y Vmp modelados en función de la irradiancia efectiva para dos
temperaturas de funcionamiento diferentes: 25 °C y 50 °C. Los valores medidos de Voc y Vmp, una vez aplicados
a 50 °C, también se muestran en el gráfico para su comparación con el modelo.

Como ilustración final de la eficacia del modelo de rendimiento, la Figura 14 muestra el parámetro de rendimiento
más relevante del conjunto, concretamente la potencia máxima, en función de la irradiancia efectiva y la
temperatura de la celda. El modelo de rendimiento se utilizó para calcular Pmp para tres temperaturas de celda
diferentes. Además, se mostraron las mediciones de campo junto con los resultados modelados. El gráfico
también ilustra la condición de funcionamiento única correspondiente a la condición de informe de la norma
ASTM. Otros modelos de rendimiento no han alcanzado la precisión demostrada en este ejemplo,
especialmente considerando el amplio rango de irradiancia solar.

22
Machine Translated by Google

Subconjunto n.º 1 de 3,36 kW, Albq. Nuevo México, 9/7/03

10

9 Piranómetro Kipp & Zonen CM21

Piranómetro LICOR LI­200
8
Mejor gama
7 Cálculo de la CIUO

6
Deseable
Isc(@50C)

5 Rango AOI
AOI < 50 grados
(A)

4 50 17

2 Deseable
Gama AMa

1 1.0
1 < AMa < 2
2.0

0
0 200 400 600 800 1000 1200
Irradiancia POA (W/m2 )

Figura 9. Método utilizado para obtener una medición precisa de campo de la corriente de cortocircuito de
referencia, Isco, para el conjunto. Los datos registrados durante el momento del día en que el efecto
combinado del espectro solar y el ángulo de incidencia es mínimo deben utilizarse para determinar Isco.

Subconjunto n.º 1 de 3,36 kW, Albq. Nuevo México, 9/7/03

10
CIUO = 9.032
9 y = 9.0319x
Impo = 7,955
8 Ixo = 8.605 C0 = 0,9604
C4 = .9789 C1 = 0,0396
C5 = .0211
7
y = 0,3152x2 + 7,64x
y = 0,1816x2 + 8,4239x
6
Ixxo = 5.345
C6 = 1.1468
5
C7 = ­.1468

4 y = ­0,7848x2 + 6,1303x

3
Imp,
Isc,
(A)
Ixx
°C
50

2 Isc medido traducido a 50 °C

Ix
a
e

Imp medido traducido a 50 °C

1 Ix medido traducido a 50 °C
Ixx medido traducido a 50 °C
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1. 2

Irradiancia efectiva, Ee (soles)

Figura 10. Mediciones de corriente de un conjunto de módulos de silicio c­Si de 3,4 kWp registradas en
un día despejado en Albuquerque, Nuevo México. Los valores medidos se tradujeron a una temperatura
común de 50 °C antes de los análisis de regresión utilizados para determinar los coeficientes de rendimiento.

23
Machine Translated by Google

Subconjunto n.º 1 de 3,36 kW, Albq. Nuevo México, 9/7/03

550

500
y = 1,2168x + 466,61

Voco=466.6
n= 1.217

450
Voc
­

400
Voc medido traducido a 50 °C
Fuente de alimentación, 25C

350
­60 ­50 ­40 ­30 ­20 ­10 0 10
(NskT/q)*ln(Ee)

Figura 11. Análisis de regresión utilizado para determinar los coeficientes de rendimiento para la tensión de circuito
abierto del conjunto. Los valores de Voc medidos se tradujeron a una temperatura común de 50 °C antes del
análisis de regresión. También se muestra el valor de Voc de referencia en la condición de informe estándar de
ASTM. Ns = 864 para este conjunto.

Subconjunto n.º 1 de 3,36 kW, Albq. Nuevo México, 9/7/03

450

y = ­12161,9x2 ­ 348,9x + 354,5

400 Vmpo = 354,5

C2 = ­348,9/Ns = ­0,40718
C3 = ­12161,9/Ns = ­14,0746

350
Vmp
­

300

Vmp medido traducido a 50 °C

Fuente de alimentación, 25C

250
­0.10 ­0.08 ­0.06 ­0.04 ­0.02 0.00 0.02
(nkT/q)*ln(Ee)

Figura 12. Análisis de regresión utilizado para determinar los coeficientes de rendimiento para la tensión de
máxima potencia del conjunto. Los valores de Vmp medidos se tradujeron a una temperatura común de 50 °C antes
del análisis de regresión. También se muestra el valor de Vmp de referencia en la condición de informe estándar
de ASTM. Los coeficientes de la línea de tendencia deben dividirse entre Ns para obtener los coeficientes C2 y C3 .

24
Machine Translated by Google

Subconjunto n.º 1 de 3,36 kW, Albq. Nuevo México, 9/7/03

550
Modelo Voc , 25C

500 50 °C

450
Voltaje

Modelo Vmp , 25C

(V)

400
50 °C

350

Voc medido traducido a 50 °C

Vmp medido traducido a 50 °C

300
Fuente de alimentación, 25C

Modelo de rendimiento de SNL

250
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Irradiancia efectiva, Ee (soles)

Figura 13. Voltajes del conjunto de elementos proporcionados por el modelo de rendimiento tras la determinación de
los coeficientes de modelado requeridos. Para fines comparativos, los valores medidos se tradujeron a una
temperatura común de 50 °C y se incluyeron en la gráfica. También se muestran los valores de rendimiento
modelados en la condición de informe estándar de ASTM.

Subconjunto n.º 1 de 3,36 kW, Albq. Nuevo México, 9/7/03

4000
50 °C
Modelo, 25C
3500

3000

2500

2000 75 °C

1500
Potencia
máxima,
Pmp
(W)

1000
Pmp medido traducido a 50 °C
Fuente de alimentación, 25C

500
Modelo de rendimiento de SNL

0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Irradiancia efectiva, Ee (soles)

Figura 14. Potencia máxima modelada del conjunto a tres temperaturas de funcionamiento en función de la irradiancia
efectiva. Se muestran las mediciones de campo a 50 °C para compararlas con el modelo. También se muestra
el valor de referencia de Pmp en la condición de informe estándar de ASTM.

25
Machine Translated by Google

Producción de energía en sistemas conectados a la red

Tras determinar los coeficientes de rendimiento del conjunto, es posible modelar con precisión la producción energética
prevista del conjunto y del sistema por horas, días, meses o años. Para ello, el modelo de rendimiento del conjunto
debe complementarse con una base de datos de recursos solares y datos meteorológicos de años
meteorológicos típicos (AMT), o con mediciones directas de los parámetros requeridos.

Para el sistema conectado a la red eléctrica analizado anteriormente, el gráfico de la Figura 15 ilustra la
energía de CC calculada disponible mensualmente del conjunto. En este caso, se utilizaron los valores promedio
horarios de irradiancia solar y temperatura del módulo en el modelo de rendimiento del conjunto. El gráfico
también muestra la energía de CA calculada disponible del sistema, considerando las características de
rendimiento (eficiencia frente a nivel de potencia) del inversor. Este sistema en particular también contaba con un
sistema de adquisición de datos para medir la producción de energía de CA; por lo tanto, se muestra la producción de
energía de CA medida durante el mismo período para su comparación con el modelo.

La información presentada en la Figura 15 ilustra varias características de rendimiento del sistema destacadas por
el modelo de rendimiento del conjunto. En primer lugar, la pérdida de energía asociada a la eficiencia del inversor
se evidencia como la diferencia entre la energía de CC prevista del conjunto y la energía de CA medida. Durante
los primeros meses de funcionamiento (de junio a octubre de 2002), el inversor se sobrecalentó, lo que redujo
innecesariamente su eficiencia. El inversor autolimita la potencia de entrada cuando la potencia disponible del
conjunto supera su capacidad nominal y cuando su circuito supera la temperatura máxima permitida. En octubre de
2002 se instaló un ventilador de refrigeración para el inversor. Posteriormente, en diciembre de 2002, se produjo una
falla no relacionada en el cableado del módulo que eliminó una de las dos cadenas de módulos del circuito, reduciendo
a la mitad la energía de CA medida; el problema del cableado se reparó en enero de 2003. Los cuatro meses
de funcionamiento siguientes (de febrero a mayo de 2003) muestran una buena eficiencia del inversor y una
excelente concordancia entre la producción de energía de CA prevista y la medida.

26
Machine Translated by Google

Subconjunto n.° 1 de 3,36 kW, Albq., Nuevo México, junio de 2002 ­ mayo de 2003
800
Matriz predicha de energía CC
700 Sistema previsto de energía CA
Energía CA del sistema medido
600

500

400
mensual
Energía

300
(kWh)

200

100

0
Jun Jul Ago Sep Oct Nov Dic Ene Feb Mar Abr May
Mes

Figura 15. Comparación de la producción energética mensual prevista y medida para un sistema
fotovoltaico de 3,36 kW conectado a la red en Albuquerque, Nuevo México. El gráfico muestra la energía
de CC prevista disponible del sistema, así como la energía de CA prevista y medida proporcionada
por el sistema.

La Figura 16 es más compleja, pero proporciona información adicional para el integrador de sistemas, útil
para dimensionar el conjunto y seleccionar los componentes compatibles. El gráfico muestra un
diagrama de dispersión de los valores horarios calculados para los dos parámetros de rendimiento, Pmp y
Vmp, de mayor interés para el diseñador del sistema. La dispersión ilustra el rango esperado de estos
valores para un año completo. La curva de energía de CC acumulada muestra la fracción de la energía
anual total en función del nivel de potencia máxima del conjunto. Por ejemplo, aproximadamente el 55 % de
la energía de CC anual disponible del conjunto se produce a niveles de potencia máxima inferiores a 2,5 kW.
En el diagrama de dispersión se superponen los requisitos operativos del inversor del sistema. La capacidad
de seguimiento del punto de máxima potencia (MPPT) del inversor funciona en el rango de 250 VCC a
550 VCC, lo que coincide perfectamente con el rango anual de Vmp del sistema. Por otro lado, el límite
superior de potencia de entrada de CC del inversor era de 2,7 kW; por lo tanto, el gráfico muestra
muchas horas durante el año en las que la potencia disponible del sistema superó el límite de entrada del inversor.
Esta situación no daña el inversor, ya que este limita su potencia de entrada, pero sí provoca que no se
utilice la energía disponible del conjunto. Este tipo de análisis puede utilizarse tanto en la fase de diseño
de los sistemas como posteriormente, al supervisar su rendimiento tras la instalación.

27
Machine Translated by Google

Subconjunto n.º 1 de 3,36 kW, Albq. Nuevo México, 9/7/03

550 1.0
500 0.9
450 0.8
400 0.7
350 0.6
Promedio
Vmp
hora
por
(V) 300 0.5
250 0.4

acumulada
Energía
CC
200 0.3
Inversor Inversor
150 Ventana V MPPT Límite de potencia de CC
0.2
100 0.1
50 0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Matriz Pmp (kW)

Figura 16. Diagrama de dispersión de los valores de rendimiento promedio por hora calculados para un sistema de 3,36 kW
en Albuquerque, Nuevo México, durante un año. La ventana superpuesta muestra las restricciones de voltaje y potencia del
inversor utilizado con el sistema. La fracción de la energía anual acumulada disponible del sistema también se muestra en
función de su nivel de potencia.

Optimización de sistemas fuera de la red

El modelo de rendimiento de los paneles también puede utilizarse durante el diseño y la posterior optimización del
rendimiento de sistemas fotovoltaicos aislados de la red. Estos sistemas son más complejos que los conectados a la
red, ya que incluyen almacenamiento de energía (baterías) y, con frecuencia, fuentes de energía auxiliares (generadores).
Debido a esta complejidad, un modelo preciso de rendimiento de los paneles resulta muy beneficioso para comprender
plenamente su rendimiento. Se ha documentado un ejemplo completo que ilustra la optimización de sistemas aislados
de la red [9, 10].

'TRADUCCIÓN' DE MEDICIONES DE MATRIZ A CONDICIONES ESTÁNDAR

A menudo se desea verificar o "calificar" el rendimiento (potencia) de una matriz o módulo registrando un I­
Medición de V en campo en una condición operativa arbitraria, y posterior "traducción" de la medición a la Condición
de Informe Estándar ASTM [18] o a la condición PTC PVUSA [19]. Históricamente, el procedimiento estándar ASTM utilizado
para realizar estas traducciones ha sido problemático. Ha proporcionado una precisión inferior a la deseable porque no se
consideraron todos los factores que influyen en la forma de la curva IV. La precisión del procedimiento de traducción ASTM
varía significativamente dependiendo de la tecnología fotovoltaica considerada. Trabajos recientes de NREL han mejorado
el procedimiento histórico de ASTM cuando se dispone de una familia de curvas IV a diferentes niveles de irradiancia y
temperatura para un módulo de interés [21]. El modelo de rendimiento de Sandia junto con los parámetros de la base de datos
del módulo proporciona una alternativa bien establecida que ha demostrado funcionar bien para todas las tecnologías
de módulos y conjuntos disponibles comercialmente.

28
Machine Translated by Google

Ecuaciones de traducción

Las ecuaciones de rendimiento presentadas anteriormente se han reescrito a continuación como las ecuaciones (13)
a (20). Esta forma del modelo de rendimiento permite traducir las mediciones en una condición de prueba arbitraria al
rendimiento en una condición de informe (de referencia) deseada. Además, estas ecuaciones son aplicables a una sola celda,
un solo módulo, una cadena de módulos con varios módulos conectados en serie y una matriz con varias cadenas de
módulos conectadas en paralelo.
Las ecuaciones utilizan coeficientes de la base de datos de módulos que corresponden a los módulos de la matriz evaluada.
El modelo de rendimiento se diseñó para que no fuera necesario tener en cuenta el número de módulos o cadenas de módulos
conectados en paralelo. Sin embargo, para que las ecuaciones de traducción de voltaje funcionen correctamente, es
necesario especificar cuántos módulos están conectados en serie en cada cadena de módulos.

Isco = Isc / [Ee {1+αIsc (Tc­To)}] (13)

2
Impo = Imp / [{1 + αImp (Tc­To)} {C0 Ee + C1 Ee }] (14)

Voco = Voc ­ Ms Ns δ(Tc) ln(Ee) ­ Ms βVoc(Ee) (Tc­To) (15)

Vmpo = Vmp ­ C2 Ms Ns δ(Tc) ln(Ee) ­ C3 Ms Ns {δ(Tc) ln(Ee)}2 ­ Ms βVmp(Ee) (Tc­To) (16)

Pmpo = Impo Vmpo (17)

FFo = Pmpo / (Isco Voco) (18)

2
Ixo = Ix / [{1 + (αIsc) (Tc­To)} { C4 Ee + C5 Ee }] (19)
2
Ixxo = Ixx / [{1 + (αImp) (Tc­To)} { C6 Ee + C7 Ee }] (20)

dónde:

Ms = Número de módulos conectados en serie en cada cadena de módulos . Tc =

Temperatura de la celda dentro del módulo (°C). Este valor se puede refinar mediante la ecuación (12),
comenzando con mediciones de la temperatura de la superficie posterior del módulo.
Ee = Irradiancia 'efectiva', que puede determinarse de diferentes maneras como se explica más adelante en
este documento.
Los demás parámetros son los mismos que los definidos previamente para los módulos individuales.

Análisis de mediciones de COV de cadena de módulos

Durante la instalación y las pruebas de diagnóstico de grandes conjuntos fotovoltaicos, las mediciones de voltaje de circuito
abierto (Voc) en cadenas de módulos son probablemente la medida más sencilla y común para obtener una evaluación
rápida del rendimiento eléctrico. Con un poco de esfuerzo adicional, estas mediciones rápidas pueden ser más diagnósticas
e instructivas de lo que se suele creer. Si se registran periódicamente durante la vida útil de un sistema fotovoltaico, estas
mediciones también proporcionan una métrica válida para el seguimiento de las tasas de degradación del rendimiento
del conjunto. La Figura 17 ilustra la viabilidad de las mediciones de Voc en cadenas de módulos , donde el cableado de
diecisiete cadenas de módulos termina en la misma "caja de conexiones", lo que permite registrar las mediciones de
Voc en cadenas de módulos para un gran conjunto fotovoltaico en cuestión de minutos utilizando un medidor portátil. La
utilidad de este procedimiento se ilustrará con un ejemplo.

29
Machine Translated by Google

Figura 17. Fotografía de una caja de conexiones que alberga las terminaciones de 17 cadenas de módulos de alta tensión
en un gran arreglo. En este caso, cada cadena de módulos tenía doce módulos de silicio cristalino de 150 Wp conectados en serie.

Es posible traducir una medición precisa (±1%) de Voc de la cadena de módulos al valor de la condición de informe estándar, con
una incertidumbre resultante inferior al ±2%. Esta traducción se logra registrando simultáneamente valores razonablemente
precisos (±10%) de la irradiancia solar efectiva y de la temperatura del módulo (±3 °C) y aplicando posteriormente la ecuación (15).

Para módulos comerciales del mismo tipo, la variación de producción en el voltaje de circuito abierto del módulo suele ser
relativamente pequeña (< ±2 %), y la especificación de la placa de identificación, Voco, también suele ser precisa (±2 %).
Por lo tanto, después de la traducción, los valores de Voc medidos en la cadena de módulos pueden examinarse críticamente en
relación con los valores esperados. Dado que no hay flujo de corriente en una condición de circuito abierto, la variabilidad observada
entre los voltajes traducidos de la cadena de módulos no contiene los efectos de la resistencia del módulo o del cableado ni la
discrepancia entre módulos en las clasificaciones de potencia del módulo. Más bien, los valores son una evaluación directa del
estado de todas las celdas solares en la cadena de módulos. Si un Voc traducido en la cadena de módulos es más del 5 % inferior al
esperado según el valor de la placa de identificación del módulo, es probable que uno o más módulos en la cadena de módulos
estén por debajo de la especificación. Además, la variación con respecto al Voc promedio de la cadena de módulos no debe ser
superior a aproximadamente ±3 %.

La Figura 18 ilustra la distribución de los valores medidos, tras la traducción, para 12 cadenas de módulos en una gran matriz de
módulos de silicio cristalino. Cada cadena de módulos tenía doce módulos de 150 Wp.
Módulos de silicio cristalino cableados en serie. El valor de voltaje de carga (VOC) esperado (indicado en la placa de
características) de la cadena de módulos se muestra junto con una banda de tolerancia de ±5 % que, de forma realista, el
integrador de sistemas podría esperar que contenga los resultados de todas las cadenas de módulos. Repetir este procedimiento
de medición anualmente proporciona un método conveniente para la detección temprana de problemas en los módulos o el
cableado, y los resultados pueden utilizarse para establecer tendencias de degradación a lo largo de la vida útil del sistema.

30
Machine Translated by Google

600
Traducido a 25 C
+/­ 5% de tolerancia Placa de identificación = 514 V

Traducido a 50 C
550

500

450

400
(@1000
COV
m2)
(V)
W/

350

300

250
37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48
Número de cadena de módulo

Figura 18. Ejemplo de mediciones de Voc de la cadena de módulos traducidas a la condición de informe estándar
para compararlas con el valor nominal esperado. Las cadenas de módulos tenían doce módulos de silicio c­Si de
150 Wp en serie. También se muestra la traducción a una temperatura de 50 °C para fines comparativos.

Análisis de la corriente y el voltaje de funcionamiento del conjunto

Los integradores y propietarios de sistemas fotovoltaicos necesitan un método práctico para comparar la potencia
real suministrada por un conjunto con el nivel de potencia esperado. Esta comparación es necesaria
inmediatamente después de la instalación para validar el rendimiento inicial del sistema, así como a largo plazo,
a medida que este envejece. La medición directa y periódica de las características de IV del conjunto no suele ser
práctica debido al coste de las pruebas. En conjuntos muy grandes, puede que no sea posible medir directamente
las características de IV de todo el conjunto debido a las limitaciones del equipo de prueba. Por lo tanto, se
necesita una alternativa práctica y económica para supervisar el rendimiento del conjunto. Dicha alternativa puede
implementarse utilizando el modelo de rendimiento del conjunto junto con las mediciones de la corriente y la
tensión de funcionamiento del conjunto.

Para implementar este procedimiento de monitorización del rendimiento, se deben tener disponibles cuatro
valores medidos: corriente de funcionamiento del conjunto (Iop), tensión de funcionamiento (Vop), irradiancia
efectiva (Ee) y temperatura del módulo (Tc). En algunos casos, la corriente y la tensión de funcionamiento
pueden obtenerse directamente del equipo de acondicionamiento de potencia (inversor). De lo contrario, los cuatro
valores medidos pueden obtenerse de un sistema de adquisición de datos dedicado. Si, además, la electrónica de
acondicionamiento de potencia rastrea eficazmente el punto de máxima potencia del conjunto a lo largo del día, entonces Iop y Vop
puede considerarse equivalente a Imp y Vmp.

Dados los cuatro valores medidos, el modelo de rendimiento del conjunto se puede utilizar de dos maneras para
verificar que el conjunto genere la potencia esperada. Primero, los valores medidos se pueden traducir mediante
las ecuaciones (14), (16) y (17) a los valores esperados en la condición de informe estándar. Los valores calculados
para Impo, Vmpo y Pmpo proporcionan una comparación relativa continua con

31
Machine Translated by Google

Ya sea con las especificaciones de la placa de características del conjunto o con los valores iniciales (clasificaciones)
obtenidos durante la primera instalación del sistema. En segundo lugar, los valores medidos de Ee y Tc pueden utilizarse
en las ecuaciones (2), (4) y (5) para calcular los valores esperados de Iop y Vop en esa condición de funcionamiento.
Estos valores calculados se pueden comparar luego en tiempo real con los valores Iop y Vop medidos.

Al analizar de forma continua o periódica estos datos medidos y calculados, se pueden registrar tendencias que
proporcionan una alerta temprana sobre anomalías en el rendimiento del sistema, así como tasas de degradación a
largo plazo. Por ejemplo, una tendencia descendente diaria en el valor de Impo calculado podría deberse a la suciedad del
conjunto. Una tendencia descendente en el valor de Vmpo calculado durante semanas o años podría deberse a un
aumento lento de la resistencia en serie del cableado de interconexión de módulos o celdas. Los valores de potencia
calculados y medidos también pueden integrarse a lo largo de un día, una semana, un mes o un año para obtener una
métrica de rendimiento (índice) basada en la producción de energía del sistema.

DETERMINACIÓN DE LA IRRADIANCIA EFECTIVA (Ee) DURANTE LA PRUEBA

Al probar el rendimiento de los paneles fotovoltaicos, la principal fuente de error en las clasificaciones de potencia suele
estar asociada al instrumento y el procedimiento utilizados para cuantificar la irradiancia solar. La dificultad surge de varias
fuentes que influyen sistemáticamente en los resultados de las pruebas: los módulos fotovoltaicos responden solo a
una parte del espectro solar, como se ilustró previamente en la Figura 5; los dispositivos utilizados para medir la
irradiancia solar pueden responder a todas las longitudes de onda solares o a un rango similar al de los módulos
fotovoltaicos; el ángulo de aceptación óptica o ángulo de visión del módulo puede diferir significativamente del del
sensor de irradiancia solar; la respuesta tanto del módulo como del sensor de irradiancia solar varía significativamente en
función del ángulo de incidencia solar; y el sensor y el módulo de irradiancia solar pueden estar montados en
diferentes orientaciones. El concepto de "irradiancia solar efectiva" proporciona un método para abordar
estas influencias sistemáticas y reduce la dificultad y la incertidumbre asociadas con las pruebas de campo de los paneles
fotovoltaicos.

El objetivo inicial durante las pruebas de rendimiento en campo y la traducción de la curva IV debe ser determinar un
valor preciso para el parámetro de «irradiancia efectiva», Ee. La «irradiancia efectiva» es la irradiancia solar en
el plano del módulo a la que responden realmente las células del módulo, tras considerar las influencias de la variación
espectral solar, las pérdidas ópticas debidas al ángulo de incidencia solar y la suciedad del módulo. Según los datos
medidos disponibles y la precisión requerida, la irradiancia efectiva puede determinarse mediante cuatro enfoques diferentes,
como se describe a continuación.

Una vez determinado el valor Ee utilizando uno de estos cuatro enfoques, los parámetros de rendimiento de la curva
IV medida se pueden traducir para obtener los parámetros de rendimiento básicos en la condición de informe
estándar (referencia) utilizando las ecuaciones (13) a (20).
A su vez, los parámetros traducidos se pueden utilizar en las ecuaciones (1) a (10) para calcular el rendimiento esperado
del conjunto en todas las demás condiciones operativas.

32
Machine Translated by Google

Enfoque detallado de laboratorio

El enfoque de laboratorio para determinar Ee durante las pruebas de rendimiento en exteriores requiere la
determinación de todos los factores de la ecuación (21). Para módulos individuales en un laboratorio de pruebas,
se pueden aplicar procedimientos de prueba específicos para cuantificar todos los parámetros y coeficientes
requeridos. En el laboratorio, se miden los componentes separados de la irradiancia solar (haz y difusa), y se
utilizan otras pruebas para cuantificar otras tres influencias relacionadas: la variación espectral solar (f1(AMa)),
el ángulo de incidencia solar (f2(AOI)) y la respuesta relativa del módulo a la irradiancia difusa frente a la
irradiancia del haz (fd). Los resultados de estas detalladas pruebas de laboratorio proporcionan los
coeficientes tabulados en la base de datos de módulos de Sandia. Afortunadamente, los coeficientes
determinados para estas tres influencias también son aplicables a conjuntos de módulos.

Por lo tanto, al probar conjuntos solares con este enfoque, se pueden utilizar muchas de las
características predeterminadas del módulo, y solo es necesario medir las componentes de la irradiancia solar,
Eb y Ediff, donde Eb = Edni∙cos(AOI). En este caso, las mediciones de la irradiancia solar se
realizan utilizando instrumentos basados en termopilas (pirheliómetro y piranómetro) que responden a todo el
espectro solar. La complejidad adicional de medir por separado la irradiancia normal directa y la irradiancia difusa,
así como el cálculo de los valores de AOI y AMa, hacen que este enfoque sea relativamente complicado de
implementar en campo. Por lo tanto, los otros tres enfoques que se describen a continuación probablemente
serán más prácticos para la mayoría de las pruebas de campo.

La ecuación (21) también incluye un factor de suciedad (FS), que considera la inevitable pérdida por suciedad
presente al medir el rendimiento del conjunto. El FS tiene un valor de 1,0 para un conjunto limpio y no suele ser
inferior a 0,95, a menos que el conjunto esté visiblemente muy sucio. El FS puede cuantificarse in situ midiendo
la Isc de un módulo individual del conjunto antes y después de limpiarlo periódicamente.

Ee = f1(AMa) {(Eb f2(AOI)+fd Ediff) / Eo}∙SF (21)

dónde:
Eb = Edni∙cos(AOI)
Edni = Irradiancia normal directa del pirheliómetro, (W/m2 )

Medición directa mediante un módulo de referencia correspondiente

La forma más directa y posiblemente la más precisa de determinar Ee durante las mediciones de rendimiento
de un conjunto es mediante un módulo de referencia calibrado. Este módulo de referencia debe ser
recalibrado periódicamente por un laboratorio de pruebas de módulos. Idealmente, este módulo de referencia
debe ser del mismo tipo que el utilizado en el conjunto que se está probando. Como mínimo, el módulo de
referencia debe tener el mismo tipo de celda (respuesta espectral adaptada) que el conjunto y debe tener
la misma construcción para imitar las propiedades ópticas de los módulos del conjunto. Durante las pruebas, el
módulo de referencia debe montarse en la misma orientación que los demás módulos del conjunto.
Con una atención razonable a los detalles durante las mediciones de la curva IV, y teniendo en cuenta la suciedad de
la matriz, la repetibilidad de las determinaciones (clasificaciones) del rendimiento de la matriz en las condiciones de
informe estándar debe estar dentro de ±3%.

33
Machine Translated by Google

La ecuación (22) se utiliza para calcular Ee a partir de la corriente de cortocircuito medida para el módulo de referencia,
Iscr, y su temperatura, Tcr. La corriente de calibración para el módulo de referencia, Iscor, y su coeficiente de
temperatura, αIscr , se utilizan en el laboratorio de pruebas. Al igual que , están predeterminados por un módulo
en el enfoque anterior, el factor de suciedad (FS) considera la pérdida por suciedad del conjunto durante las
pruebas, suponiendo que el módulo de referencia se mantiene siempre limpio. Este enfoque del módulo de
referencia es especialmente eficaz porque evita la medición de los componentes separados de la irradiancia
solar y considera automáticamente las influencias del espectro solar y del ángulo de incidencia solar, lo que evita la
complejidad y diversas posibles fuentes de error.

La monitorización del rendimiento del conjunto a largo plazo se puede lograr mediante la instalación
permanente del módulo de referencia en el conjunto. Suponiendo que las mediciones de Imp, Vmp y Tc estén
disponibles continuamente durante el funcionamiento del sistema, se pueden utilizar dos métodos para monitorizar la
potencia de salida del conjunto a lo largo del tiempo. Las mediciones de Ee y de la temperatura de la celda, Tc,
permiten calcular la potencia de salida esperada del conjunto mediante la ecuación (5), y posteriormente este
valor se puede comparar directamente con la potencia medida indicada por el equipo de acondicionamiento de energía del sistema.
Como alternativa, los valores medidos de Imp y Vmp pueden traducirse a la condición de informe estándar mediante
las ecuaciones (14) y (16) y utilizarse para establecer una tendencia con respecto a los valores iniciales determinados
durante la instalación inicial del sistema. Si se instala de forma permanente en el conjunto, el módulo de
referencia también puede utilizarse para cuantificar el factor de suciedad del conjunto registrando su Isc.
Mediciones antes y después de limpiarlo. Si el módulo de referencia está montado permanentemente en el conjunto
y no se limpia, el factor SF debe eliminarse de la ecuación (22), ya que se supone que el módulo de referencia se
ensucia al mismo ritmo que el resto del conjunto.

El enfoque del módulo de referencia también es aplicable a los paneles concentradores. En este caso, el
módulo de referencia debe ser una celda individual encapsulada en una carcasa que replica la construcción
y la óptica de los módulos del panel. Idealmente, el módulo de referencia debería montarse en un seguidor solar
independiente con precisión de seguimiento conocida durante las pruebas del panel concentrador.

Ee = {Iscr / [Iscor (1+αIscr (Tcr­To))]}∙SF (22)

Enfoque simplificado utilizando un único sensor de irradiancia solar

Los sensores de irradiancia solar, como los piranómetros y pirheliómetros basados en termopilas, fabricados
por Eppley Labs y Kipp & Zonen, así como el piranómetro basado en fotodiodos, fabricado por LICOR, se utilizan
ampliamente para cuantificar la irradiancia solar durante las mediciones del rendimiento de los conjuntos de
sensores. Históricamente, este enfoque para cuantificar la irradiancia solar ha sido el más utilizado, principalmente
porque representa una evolución lógica del enfoque de medición integral en laboratorio, ya mencionado.
Desafortunadamente, las concesiones en cuanto a costo, rigor de la calibración, efectos espectrales y ópticos, y
procedimientos de prueba, a menudo han introducido errores en las pruebas de campo mayores de lo que comúnmente
se reconoce.

34
Machine Translated by Google

Por ejemplo, los piranómetros basados en termopilas son costosos, requieren una calibración cuidadosa y su valor
de calibración puede depender en gran medida del ángulo de incidencia solar. Estos piranómetros aceptan luz
desde un ángulo de visión más amplio (mayor AOI) que los módulos de placa plana típicos y, a diferencia de
los módulos fotovoltaicos, son insensibles al contenido espectral de la luz solar. Normalmente, su
comportamiento del ángulo de incidencia se ignora durante las pruebas de campo, lo que puede resultar en un
error del 5 al 10 % en la medición de la irradiancia solar. Es probable que se produzcan errores de medición aún
mayores si el ángulo de incidencia solar es grande (> 70 grados). Estos errores de medición de la
irradiancia se traducen, inadvertidamente, pero a menudo, en el mismo nivel de error en la clasificación de
rendimiento del conjunto calculado. Un solo sensor de irradiancia tampoco puede distinguir entre el haz y el
componente difuso de la irradiancia solar, lo que, como se indica en la Ecuación (1), influye en el rendimiento
del conjunto de forma diferente. (Estas fuentes de error de medición se pueden evitar utilizando el enfoque
del módulo de referencia, como se explicó anteriormente).

Los piranómetros basados en fotodiodos tienen la ventaja de ser económicos, por lo que se utilizan miles para
medir la irradiancia solar asociada a sistemas fotovoltaicos. Sin embargo, presentan las mismas
deficiencias que los piranómetros basados en termopilas, con la diferencia de que, al igual que los módulos
fotovoltaicos, su respuesta se ve influenciada por el contenido espectral de la luz solar. El fotodiodo utilizado en
estos piranómetros suele ser un dispositivo de silicio, por lo que su respuesta espectral es similar a la de algunos
módulos de silicio, pero no a la de todos. La influencia del ángulo de incidencia solar en la respuesta de estos
piranómetros no coincide con la de los módulos de placa plana; por lo tanto, estos piranómetros no deben
considerarse un sustituto aceptable de un módulo de referencia equivalente. Se han documentado
procedimientos para mejorar la precisión de estos dispositivos económicos en otros estudios [22, 23], pero
incluso con estas correcciones, no son infrecuentes errores del 5 al 10 % en las mediciones del rendimiento del
conjunto.

Si bien no recomendamos este enfoque de piranómetro único, también reconocemos que es el más común en
la actualidad. Por lo tanto, si el propietario del sistema fotovoltaico está dispuesto a aceptar la magnitud
del error de medición que se produce al ignorar las influencias del espectro solar y del ángulo de incidencia
en el comportamiento tanto del piranómetro como del sistema fotovoltaico, se puede utilizar la ecuación (23)
para calcular la irradiancia efectiva.

Ee = (E / Eo) SF (23)
dónde:
E = Irradiancia solar indicada por el sensor de irradiancia, (W/m2 )
Eo = Irradiancia solar de referencia, típicamente 1000 W/m2

Uso de una corriente de cortocircuito de matriz predeterminada, Isco

Suponiendo que se ha determinado previamente un valor aceptablemente preciso para la corriente de

cortocircuito del conjunto, Isco, en la condición de informe estándar, este puede utilizarse en la ecuación (24)
para calcular la irradiancia efectiva. En este enfoque, el factor de suciedad está implícitamente incluido
en el valor de Isc medido y no se incluye por separado en la ecuación. Este sencillo enfoque proporciona un
método conveniente para utilizar mediciones periódicas de la intensidad de corriente (IV) del conjunto y
evaluar su rendimiento mediante la aplicación de las ecuaciones (13) a (20). Una ventaja distintiva es que se
evita la necesidad de medir la irradiancia solar, pero sigue siendo necesaria la medición de la temperatura del
módulo.

35
Machine Translated by Google

Este enfoque proporciona un método conveniente para monitorear los parámetros de rendimiento del conjunto
solar a lo largo del tiempo, suponiendo que los valores medidos de Isc, Imp, Voc, Vmp y Tc estén disponibles a
partir de los datos de la curva IV o directamente del hardware de acondicionamiento de energía. Los cambios en
la forma (FF) de la curva IV del conjunto solar, así como los cambios en el Voc del conjunto solar, pueden
cuantificarse sin necesidad de mediciones de la irradiancia solar. Por ejemplo, si el cableado del conjunto solar se
vuelve más resistivo con el tiempo, los valores traducidos de Vmp tenderán a la baja. De igual manera, si las
características fundamentales de las células solares se degradan con el tiempo, los valores traducidos de Voc tenderán a la baja.

Ee = {Isc / [Isco (1+αIsc (Tc­To))]} (24)

DETERMINACIÓN DE LA TEMPERATURA DE LA CELDA (TC) DURANTE LA PRUEBA

El método más directo para determinar la temperatura de la celda durante las mediciones de rendimiento en
campo consiste en conectar varios sensores de temperatura (termopares) a la superficie posterior de los
módulos del conjunto. Son preferibles los termopares de calibre ligero que no alteran la temperatura del
lugar de medición. Promediar las mediciones de varios sensores de temperatura puede compensar
adecuadamente la variación espacial de temperatura presente en el conjunto. Una vez determinada la
temperatura promedio de la superficie posterior del módulo, se puede utilizar la ecuación (12) para obtener
una estimación mejorada de la temperatura promedio de la celda dentro de los módulos.

La influencia de la velocidad y la dirección del viento, los elementos de soporte estructural, los marcos y las
cajas de conexiones de los módulos puede generar distribuciones de temperatura no uniformes en la
superficie del conjunto. Normalmente, estas diferencias de temperatura espacial varían en menos de 5 °C. La
Figura 19 muestra una imagen térmica infrarroja (IR) de un pequeño conjunto fotovoltaico que ilustra una
distribución típica de temperatura en condiciones soleadas con viento en calma (<3 m/s). Una
colocación adecuada de los termopares ayudará a obtener un valor más preciso de la temperatura promedio
del módulo durante las mediciones de rendimiento en campo.

36
Machine Translated by Google

40,0 °C
40

35

30

25

22,0 °C

Figura 19. Imagen infrarroja térmica (IR) de varios módulos en una matriz que ilustra la variación espacial en la temperatura
del módulo que suele estar presente debido al enfriamiento por viento, estructuras de montaje, cajas de conexiones, etc.

BASE DE DATOS DEL MÓDULO

La base de datos de módulos, disponible en el sitio web de Sandia ( [Link] combina los parámetros de
rendimiento proporcionados por los fabricantes de módulos con datos experimentales medidos en los Laboratorios Nacionales
de Sandia. A continuación, se explica la justificación para incluir información de rendimiento de ambas fuentes. Esta combinación
de parámetros (coeficientes), junto con el modelo de rendimiento de Sandia, permitirá a los analistas simular con precisión
las características de rendimiento de los módulos y los conjuntos de módulos en una amplia gama de
condiciones de funcionamiento. La base de datos de módulos también incluye información general como la tecnología y el
tamaño de las celdas, las dimensiones y el peso del módulo, el voltaje máximo del conjunto de módulos y el tamaño del
fusible, entre otras características. La Figura 20 ilustra un conjunto de datos para una entrada típica de módulo.

Las hojas de especificaciones de los fabricantes de módulos proporcionan parámetros de rendimiento en una condición de
informe estándar (SRC) definida por la Sociedad Estadounidense para Pruebas y Materiales (ASTM).
[18]. El SRC proporciona una única condición de referencia bien definida para probar e informar el rendimiento del
módulo. Utilizando nuestro modelo, el rendimiento en todas las demás condiciones operativas se puede derivar con base en
el rendimiento en la condición de referencia estándar. La Condición de Informe Estándar se define como una irradiancia
solar de 1000 W/m², un espectro solar estándar que representa un día despejado a mediodía (masa de aire = 1,5), una
temperatura de celda dentro del módulo de 25 °C y una irradiancia solar perpendicular (normal) a la superficie frontal del
módulo. ASTM ha estandarizado dos espectros solares AM=1,5: uno para probar módulos de placa plana [24] y el otro para
módulos de concentración [25]. Además, se han establecido estándares de calibración reconocidos
internacionalmente (Escala Mundial Fotovoltaica, WPVS) para fomentar la coherencia mundial en la medición del rendimiento
de los módulos [26].

37
Machine Translated by Google

Figura 20. Ejemplo de entrada de datos en la base de datos del módulo asociado con el modelo de rendimiento de la matriz.

Los fabricantes de módulos han fabricado y medido el rendimiento de, por lo general, miles de módulos, por lo que deberían comprender
bien la distribución estadística del rendimiento de sus productos. Además, todos los fabricantes tienen la oportunidad de utilizar celdas
o módulos de referencia calibrados por organizaciones de pruebas reconocidas, como los Laboratorios Nacionales Sandia, el
Laboratorio Nacional de Energías Renovables (NREL), el Instituto Fraunhofer de Alemania, el Instituto Europeo de Pruebas Solares
(ESTI) de Italia y el Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología Industrial (AIST) de Japón, entre otros. Estas celdas de
referencia deberían permitir a los fabricantes medir y especificar el rendimiento de sus módulos con una incertidumbre inferior al ±5 %.
Por lo tanto, la base de datos de módulos asume que los parámetros de rendimiento indicados por el fabricante en las Condiciones
Estándar de Informe (SRC) son precisos.

En la base de datos, los cuatro parámetros básicos de rendimiento del SRC son la corriente de
cortocircuito, la tensión de circuito abierto, la corriente en el punto de máxima potencia y la tensión en el
punto de máxima potencia, y se denominan Isco, Voco, Impo y Vmpo, respectivamente. Si aparece
"(E)" en la columna "Vintage" de la base de datos, los valores "esperados" para estos cuatro
parámetros se tomaron de las especificaciones del fabricante. Si no aparece "(E)", los cuatro
parámetros básicos de rendimiento se midieron en Sandia para módulos del mismo tipo. En este caso,
Sandia reconoce que los módulos probados pueden o no ser representativos del promedio
de producción del fabricante. En todos los casos, los parámetros restantes de cada módulo en la base
de datos se basaron en los resultados de las pruebas de Sandia; es decir, coeficientes de temperatura,
coeficientes de corriente y tensión frente a irradiancia, coeficientes espectrales solares y coeficientes de ángulo de incidenci

38
Machine Translated by Google

Muchos de los parámetros de la base de datos de módulos, como los coeficientes de masa de aire y
de temperatura para Isc e Imp, suelen considerarse genéricos para todos los módulos de un mismo fabricante,
siempre que utilicen el mismo tipo de celda. Los coeficientes de ángulo de incidencia (AOI) también pueden
considerarse genéricos para todos los módulos de placa plana con superficie frontal de vidrio. Sin embargo, los
coeficientes del AOI difieren significativamente entre los módulos de concentración y los de placa plana con
superficie frontal sin vidrio. En los módulos de concentración, los coeficientes del AOI se utilizan para cuantificar el
efecto del error de seguimiento solar en el rendimiento.

Las hojas de especificaciones de los fabricantes también indican la antigüedad, el área total, el tipo de material de
las celdas y la configuración del cableado de cada celda del módulo. Muchas celdas suelen estar conectadas en
serie, formando una "cadena de celdas". Posteriormente, se pueden conectar varias cadenas de celdas en
paralelo para obtener mayores niveles de corriente del módulo. La base de datos del módulo indica el número de
celdas en una cadena de celdas ( Ns) y el número de cadenas de celdas en paralelo (Np).

El modelo de rendimiento de Sandia incluye una expresión empírica que relaciona la temperatura de la
celda con la irradiancia solar, la temperatura ambiente y la velocidad del viento. Este modelo térmico utiliza
dos coeficientes determinados empíricamente y una estimación de la diferencia de temperatura entre la celda y la
superficie posterior del módulo. Los coeficientes proporcionados en la base de datos son apropiados para la
configuración de montaje más común, es decir, módulos montados en un bastidor abierto con ambas superficies
expuestas al aire ambiente. El modelo térmico es apropiado para otras configuraciones de montaje, por
ejemplo, la fijación directa a la superficie de un tejado, pero se deben determinar coeficientes diferentes
según la situación.

HISTORIA DEL MODELO DE RENDIMIENTO SANDIA

A mediados de la década de 1980, a medida que las tecnologías de módulos fotovoltaicos evolucionaban,
Sandia desarrolló un modelo de rendimiento, denominado PVFORM, para evaluar la producción energética
esperada y la rentabilidad de los diseños genéricos de sistemas fotovoltaicos en diferentes ubicaciones geográficas
[27]. Este modelo utilizaba las bases de datos meteorológicas y de recursos solares de TMY, incluía un modelo
térmico para predecir la temperatura de funcionamiento del módulo y preveía opciones para sistemas fijos y de
seguimiento solar. Sin embargo, en aquel momento, el modelo de rendimiento eléctrico utilizado para los
módulos fotovoltaicos era relativamente simplista y no contemplaba la influencia espectral solar, los efectos ópticos
relacionados con el ángulo de incidencia solar ni las características eléctricas dependientes de la irradiancia,
características específicas del diseño y la tecnología del módulo.

A partir de 1991, se estableció en Sandia un esfuerzo conjunto de pruebas de módulos con el objetivo
de comprender y cuantificar las influencias ambientales que interactúan y afectan el rendimiento de los
módulos fotovoltaicos comerciales. Este esfuerzo dio lugar a la versión inicial del modelo de rendimiento de
Sandia, que se presentó públicamente por primera vez en un Taller de Rendimiento y Fiabilidad en el Laboratorio
Nacional de Energías Renovables (NREL) en 1994, y se presentó una versión actualizada en la Reunión de Revisión
del Programa NREL/SNL en 1996. De 1991 a 2003, el enfoque de modelado se validó continuamente
mediante miles de mediciones de rendimiento en exteriores en una amplia variedad de tecnologías de
módulos fotovoltaicos. Las tecnologías de módulos a las que se ha aplicado con éxito la metodología incluyen:
silicio cristalino, multi­

39
Machine Translated by Google

silicio cristalino, silicio policristalino en película, silicio multicristalino EFG, silicio amorfo, telururo de cadmio,
diseleniuro de cobre e indio, módulos concentradores de silicio y GaAs, silicio cristalino de película delgada
sobre vidrio, células de “astilla” de silicio cristalino y silicio cristalino de heterojunción.

A partir de septiembre de 1995, se aplicaron en campo los mismos procedimientos de pruebas en exteriores y la
misma metodología de modelado a diversos paneles fotovoltaicos de gran tamaño. Entre 1995 y 1999, el
modelo de rendimiento se aplicó con éxito a más de una docena de paneles fotovoltaicos de diferentes
tecnologías, con una capacidad superior a 1 MW. En 1997, se realizó un trabajo conjunto con Endecon Engineering
para comparar los procedimientos de prueba y modelado de Sandia con los utilizados en PVUSA en Davis,
California, para cinco grandes paneles con diferentes tecnologías de módulos [6].

En 1998, el modelo de rendimiento se incorporó a un programa de software prototipo (PVMOD) en Sandia para
realizar análisis del sistema basados en la producción de energía diaria, mensual y anual.
También en 1998, el modelo de rendimiento y sus procedimientos de prueba asociados fueron adoptados por
el Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST) para su uso en su laboratorio de pruebas de
sistemas fotovoltaicos integrados en edificios (BIPV) [8]. En 1999, el personal de Sandia comenzó a
formatear y documentar el modelo y los procedimientos de prueba asociados para su posible inclusión en la
norma IEEE 1479, en desarrollo, "Prácticas recomendadas para la evaluación de la producción de energía de
módulos fotovoltaicos". En el año 2000, Sandia y el NREL realizaron un amplio esfuerzo para validar sus diferentes
modelos de rendimiento de módulos mediante el análisis comparativo de conjuntos de datos anuales registrados
en el NREL para cinco tecnologías de módulos diferentes.

A partir de 1998, una colaboración con Maui Solar Energy Software Corporation condujo a la inclusión del modelo
de rendimiento Sandia en un programa de diseño de sistemas fotovoltaicos desarrollado por Maui Solar
(PV­DesignPro) [11]. Un segundo programa, IVTracer, utilizado para demostrar el modelo Sandia y
traducir las mediciones de IV de campo a Condiciones de Informe Estándar, también fue fruto de la colaboración.
En 2003, Maui Solar desarrolló hardware y software que monitorizan continuamente el rendimiento del sistema
comparando el rendimiento medido con el rendimiento esperado según las predicciones del modelo [28].

CONCLUSIÓN

El modelo de desempeño descrito en este documento ha evolucionado a lo largo de muchos años en Sandia.
Laboratorios Nacionales, y se ha aplicado y validado ampliamente para prácticamente todas las
tecnologías fotovoltaicas disponibles comercialmente. Esperamos que este documento proporcione
suficientes detalles para que otros comprendan e implementen el modelo de rendimiento del sistema de la manera
más adecuada a sus necesidades.

40
Machine Translated by Google

REFERENCIAS

[1] D. King, W. Boyson y J. Kratochvil, “Análisis de los factores que influyen en la producción anual de energía de los
sistemas fotovoltaicos”, 29.ª Conferencia de especialistas en energía fotovoltaica del IEEE, 2002.
[2] D. King, J. Kratochvil y W. Boyson, “Medición de los efectos espectrales solares y del ángulo de incidencia en
módulos fotovoltaicos y sensores de irradiancia solar”, 26.ª Conferencia de especialistas en energía fotovoltaica del
IEEE, 1997, págs. 1113­1116.
[3] D. King, J. Kratochvil y W. Boyson, “Coeficientes de temperatura para módulos y conjuntos fotovoltaicos:
métodos de medición, dificultades y resultados”, 26.ª Conferencia de especialistas en energía fotovoltaica del IEEE,
1997, págs. 1183­1186.
[4] D. King y P. Eckert, “Caracterización (clasificación) del rendimiento de grandes conjuntos fotovoltaicos para todas las
condiciones de funcionamiento”, 25.ª Conferencia de especialistas en energía fotovoltaica del IEEE, 1996, págs. 1385­1388.
[5] D. King, J. Kratochvil y W. Boyson, “Experiencia de campo con un nuevo procedimiento de caracterización
del rendimiento para conjuntos fotovoltaicos”, 2.ª Conferencia Mundial sobre Conversión de Energía Solar Fotovoltaica,
Viena, 1998, págs. 1947­1952.
[6] C. Whitaker, T. Townsend, J. Newmiller, D. King, W. Boyson, J. Kratochvil, D. Collier y D. Osborn, "Aplicación y
validación de un nuevo método de caracterización del rendimiento fotovoltaico", 26.ª Conferencia de especialistas en
energía fotovoltaica del IEEE, 1997, págs. 1253­1256.
[7] B. Kroposki, W. Marion, D. King, W. Boyson y J. Kratochvil, “Comparación de los métodos de caracterización del
rendimiento del módulo”, 28.ª Conferencia de especialistas en energía fotovoltaica del IEEE, 2000, págs. 1407­1408.
1411.
[8] AH Fanney, et al., “Caracterización a corto plazo de módulos fotovoltaicos integrados en edificios”, Actas del
Solar Forum 2002, Reno, NV, 15­19 de junio de 2002.
[9] D. King, T. Hund, W. Boyson y J. Kratochvil, “Optimización experimental del rendimiento y la confiabilidad
de los sistemas fotovoltaicos autónomos”, 29.ª Conferencia de especialistas en energía fotovoltaica del IEEE, 2002.

[10] D. King, et al., “Optimización experimental del sistema fotovoltaico fuera de la red FireFly 600”, Informe de
Sandia National Laboratories, SAND2003­3493, octubre de 2003.
[11] Maui Solar Energy Software Corporation, Solar Design Studio Ver. 5.0: PV­DesignPro y IVTracer, http://
[Link]
[12] R. Sullivan y F. Winkelmann, “Estudios de validación del programa de simulación energética de edificios
DOE­2 – Informe final”, Laboratorio Nacional Lawrence Berkeley, LBL­42241, junio de 1998.

[13] D. Balcomb y G. Beeler, “Diseño de edificios de bajo consumo energético con Energy­10”, Proc. Solar '98, 24.ª
Conferencia sobre energía solar pasiva, Sociedad Americana de Energía Solar, Albuquerque, 1998.
[14] Anónimo, “NSRDB Vol.2, Base de datos nacional de radiación solar, 1961­1990, NREL/TP­463­
5784, 1995. Datos disponibles en el sitio web del Laboratorio Nacional de Energías Renovables:
[Link] [15]
METEONORM, Base de datos meteorológicos globales para energía solar y climatología aplicada, Ver.
50, Edición 2003 [Link] [16] R. Perez, et al., “Modelado de la
disponibilidad de luz diurna y componentes de irradiancia a partir de la irradiancia directa y global”, Solar Energy, Vol.
44, No. 5, (1990), págs. 271­289.
[17] J. Duffie y W. Beckman, Ingeniería solar de procesos térmicos, segunda edición, John Wiley & Sons, 1991.

41
Machine Translated by Google

[18] ASTM E 1036, “Prueba del rendimiento eléctrico de módulos y conjuntos fotovoltaicos sin concentración utilizando
celdas de referencia”, Sociedad Estadounidense para Pruebas y Materiales.
[19] R. Downs, et al., “Prácticas de adquisición, aceptación y calificación de PVUSA para plantas de energía fotovoltaica”,
Informe de investigación y desarrollo de Pacific Gas and Electric Company n.° 95­30910000.1, septiembre de 1995.
[20] MK Fuentes, “Un modelo térmico simplificado de módulos fotovoltaicos”, Informe de los Laboratorios Nacionales
Sandia, SAND85­0330, 1985.
[21] B. Marion, S. Rummel y A. Anderberg, “Traducción de corriente­voltaje mediante interpolación bilineal”, enviado
para su publicación en la revista Progress in Photovoltaics, noviembre de 2003.
[22] D. King y D. Myers, “Piranómetros de fotodiodo de silicio: características operativas, experiencias históricas y
nuevos procedimientos de calibración”, 26.ª Conferencia de especialistas en energía fotovoltaica del IEEE, 1997.

[23] D. King, W. Boyson y B. Hansen, “Precisión mejorada para sensores de irradiancia solar de bajo costo”, 2.ª
Conferencia Mundial sobre Conversión de Energía Solar Fotovoltaica, Viena, 1998, págs. 2001­2004.
[24] ASTM E 892, “Irradiancia espectral solar terrestre en una masa de aire de 1,5 para una superficie inclinada
de 37º”, Sociedad Estadounidense para Pruebas y Materiales.
[25] ASTM E 891 “Irradiancia espectral solar normal directa terrestre para masa de aire 1,5”,
Sociedad Americana de Pruebas y Materiales.
[26] CR Osterwald, et al., “La escala fotovoltaica mundial: un programa internacional de calibración de celdas de
referencia”, Prog. Photovolt: Res. Appl. 7, 1999, págs. 287­297.
[27] DF Menicucci, “Modelos de simulación del rendimiento de conjuntos fotovoltaicos”, Solar Cells, 18
(1986).
[28] Comunicación personal con Michael Pelosi, de Maui Solar Energy Software Corporation, sobre el hardware y
software “GridTools” para monitorear el rendimiento del sistema. [Link]

42
Machine Translated by Google

LISTA DE DISTRIBUCIÓN

MS­0703 Archivos del Departamento de PV (50 copias)

MS­0703 Biblioteca del Departamento de PV (5 copias)
MS­9018 Archivos Técnicos Centrales, 8945­1 (1 copia)
MS­0899 Biblioteca Técnica, 9616 (2 copias)

43