SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

1) COORDENADAS SOLARES
(2016J1/2016SR/2017J2/2017SO)

Si suponemos que el Sol se mueve alrededor de la Tierra según la Figura 5.15:

Para situar una instalación solar correctamente es necesario conocer los ángulos más importantes de
posición del Sol y de los captadores:
Ángulo acimutal o acimut (, A): Es el ángulo formado por la proyección sobre la superficie horizontal
del lugar, de la recta Sol-Tierra, con respecto a la recta Norte-Sur terrestre. En el hemisferio norte se
mide hacia el Sur y es positivo hacia el Oeste, siendo todo lo contrario para el hemisferio sur.
Ángulo cenital o distancia cenital (z, ): Es el ángulo que forma la línea Sol-Tierra con la vertical del
lugar, su complementario es la altura solar (, h).
Altura solar (, h): Es el ángulo formado por la recta Sol-Tierra respecto al plano que contiene a la
superficie del lugar. La altura se establece por tanto si se traza un cuarto de círculo entre el cénit y el
punto de salida del Sol, y pasando por éste.
Ángulo de inclinación de la superficie captadora (): Definido como el ángulo que forma el plano que
contiene a la superficie captadora con el plano horizontal. En la Figura 5.16 se pueden ver con facilidad
algunos de los términos que definen la posición de la superficie captadora:

– Acimut del panel (): ángulo de desviación del plano que contiene a la superficie captadora
con respecto a la recta Norte-Sur terrestre. Sigue las mismas reglas que el ángulo acimutal.
– Cénit: punto del hemisferio celeste superior al horizonte, corresponde al punto de la vertical
del observador en la superficie.
– Nadir: punto opuesto de la esfera celeste al cénit. Si se une el punto sur del lugar de
observación con el cénit se obtiene el meridiano celeste.
2) ESTIMACIÓN DE SOMBRAS (2017J1/2018J1/2018J2)
2) ESTIMACIÓN DE SOMBRAS LEJANAS (2019J2)
2) DIBUJE Y EXPLIQUE BREVEMENTE EL DIAGRAMA DE TRAYECTORIAS DEL SOL, ASÍ COMO SU USO EN
LA ESTIMACIÓN DE SOMBRAS LEJANAS (2024J2/2023J2/2023SO)

Uno de los problemas que se presenta a la hora de instalar un sistema de captación solar térmico o
fotovoltaico es el de ubicar en la medida de lo posible dicho sistema en un lugar carente de sombra
alguna. Para ello se debe tener en cuenta cualquier obstáculo que se interponga entre la radiación
incidente, en cualquier día del año, y la superficie captadora solar. Por ello, se hace necesario saber con
exactitud la longitud de los objetos que puedan producirlas, se pueden estimar si se hacen los cálculos
para el día del solsticio de invierno en el hemisferio norte que es cuando la trayectoria del sol es más
baja y las longitudes de las sombras son más largas (situación más desfavorable).

Como ejemplo, si tenemos un objeto de altura (h)

en un lugar de latitud (L), estando el Sol en unas
coordenadas geométricas dadas por su altura solar
() y por su acimut () la longitud de la sombra (d)
proyectada sobre la línea Norte-Sur (Figura 5.18),
vendrá dada por la fórmula:

cosψ
d = h
tgα

Existe otro método para calcular las pérdidas que se producen por las sombras en porcentaje de la
radiación global que incidiría si no existiesen obstáculos. Para ello se debe obtener primero el diagrama
de las trayectorias del Sol y superponiendo luego el perfil del horizonte de obstáculos que pueda afectar
a la instalación, mediante su acimut y elevación horizontal:

El Código Técnico de la Edificación facilita unas tablas referidas a distintas superficies caracterizadas por
sus ángulos de inclinación y orientación (,). Se escoge la más parecida a la superficie en estudio. Los
números que figuran en cada casilla corresponden con el porcentaje de irradiación solar global anual
que se perdería. Se suman todas las pérdidas con pesos según la ocultación parcial de la casilla (0.25, 0.5
o 0.75)
3) SOMBRAS MUTUAS EN SISTEMAS ESTÁTICOS (2019J1)

Suele considerarse aceptable un factor de sombras anual con valores comprendidos entre el 2 y el 4 %,
tanto en instalaciones estáticas como de seguimiento. En casos específicos este factor puede ser más
alto. Este factor de sombras implica un nivel de ocupación de terreno que depende del modo de
seguimiento del generador. Suele utilizarse un parámetro denominado GCR (ratio de cubrimiento del
terreno), que es la relación entre el área del generador y el área de terreno ocupado (por tanto, siempre
será GCR<1). El inverso de este parámetro es el Ratio de Ocupación de Terreno (ROT), relación entre el
área de terreno necesaria para ubicar un generador de un área determinada para obtener el factor de
sombras requerido (ahora ROT>1).
A Total d + L·cosβ
ROT = =
APlaca L

A modo de regla sencilla, y teniendo en cuenta exclusivamente el sombreado mutuo, para obtener los
valores de factor de sombras reseñados suele considerarse que un sistema estático requiere un ROT de
2, un sistema de seguimiento de eje horizontal Norte-Sur requiere un ROT de 4, y un sistema de
seguimiento de doble eje necesita un ROT de 6.

La reducción de potencia para una fracción de sombra dada depende de la configuración eléctrica del
generador fotovoltaico. Esta reducción está comprendida entre dos extremos. El límite superior o
pesimista asume que el sombreado de cualquier parte del generador supone una potencia nula a la
salida. El límite inferior u optimista asume que la reducción de potencia es proporcional a la fracción
sombreada de radiación directa. Sin embargo, no es evidente establecer relaciones de uso general que
representen la variedad de casos que aparecen entre estos límites. Gordon y Wenger calculan que, en
una base anual, la aproximación optimista es el más adecuado, particularmente en el caso de
generadores de gran tamaño, en los que la modificación de la curva I-V en algunos módulos debido a la
sombra y al funcionamiento de los diodos by-pass tiene menor impacto en el generador que en sistemas
de pequeño tamaño. De ahí que, a lo largo de este documento, asumiremos como válida la formulación
optimista para el tratamiento de las sombras.

En sistemas estáticos
Las filas que componen el generador arrojan sombras unas sobre otras en determinados momentos del
día y año. Como ya se ha indicado, el diseñador debe decidir la separación entre filas como compromiso
entre la ocupación del terreno y la productividad anual del sistema. Como recomendación general, es de
uso común respetar un mínimo de 4 horas de sol en torno al mediodía del solsticio de invierno libres de
sombra. La longitud de la sombra de un obstáculo se mide con:
h
d=
tg s
siendo h la altura de la fila adyacente, h = L·sin, y L la longitud del generador, según se indica en la
figura

En el mediodía del solsticio de invierno, la altura solar es S =90o- 23.45o -   67o - , así la longitud de
la sombra:
h
d=
tg(67o   )
4) COMPONENTES DE LA RADIACIÓN SOLAR. DESCRIPCIÓN Y APROVECHAMIENTO DE CADA
COMPONENTE EN LOS SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
(2014J1/2014SR)

De la enorme cantidad de energía que emite constantemente el Sol, una parte llega a la atmósfera
terrestre en forma de radiación solar. De ella, el 16% es absorbida por la estratosfera y la troposfera y el
22,5% por el suelo; el 4% es reflejada directamente al espacio desde el suelo.

La atmósfera difunde el 17,5% de la radiación, de la cual el 10,5% es absorbida por el suelo y el 7%

regresa al espacio exterior. Las nubes reflejan al espacio exterior un 24%, absorbiendo un 1,5% y
enviando al suelo, como radiación difusa, el 14,5%, que es absorbido por el mismo.

Así pues, el 47,5% de la radiación llega efectivamente a la superficie de la Tierra por tres vías:

Radiación directa: Es la radiación que incide sobre los

objetivos iluminados por el sol sin haber interaccionado con
nada y sin cambiar de dirección (es la más importante en un
día soleado)
Radiación difusa: Es una radiación que incide indirectamente,
como reflejo de la radiación solar que es absorbida por el
polvo y el aire (es la radiación típica de los días nublados).
La difusión se produce al desviarse los rayos solares, debido a
las partículas sólidas y las moléculas, como el vapor de agua,
que existen en la atmósfera.
Radiación reflejada o albedo: Es la radiación procedente de la
reflexión de la radiación directa en los elementos del entorno
(es importante cerca del mar y de las zonas con nieve).
5) DIBUJE EL CIRCUITO ELÉCTRICO EQUIVALENTE DE UNA CÉLULA SOLAR Y COMENTE LOS
PARÁMETROS Y ELEMENTOS QUE SE INCLUYEN EN ÉL, SUS VALORES TÍPICOS Y SU SIGNIFICADO
FÍSICO.
(2013SO)

El generador de corriente IL representa la corriente fotogenerada

El diodo representa la corriente de oscuridad (procesos de recombinación de portadores)

La resistencia serie, RS (0.01-0,00001), de la célula es una resistencia interna y se debe a la malla de

metalización, a la resistencia de los contactos y a la resistencia del propio semiconductor con el que se
ha fabricado. Reduce el factor de forma y en menor medida ISC.

La resistencia paralelo, RP(1-100), tiene su origen en imperfecciones en la calidad de la unión p-n que
constituye la célula y es responsable de permitir la existencia de fugas de corriente. Reduce el factor de
forma y VOC. Al tener valores altos sus efectos tienen poca influencia y se suele despreciar.
6) INDIQUE, Y EXPLIQUE, LOS DIFERENTES TIPOS DE MECANISMOS DE GENERACIÓN Y
RECOMBINACIÓN QUE TIENEN LUGAR EN UNA CÉLULA FOTOVOLTAICA. UTILICE PARA SU
EXPLICACIÓN EL MAYOR NÚMERO POSIBLE DE FIGURAS
(2024J2)

Generación: Se dice que un electrón genera un par electrón-hueco, cuando un electrón gana energía
suficiente para pasar de la banda de valencia a la de conducción.
Recombinación: Es el proceso inverso, donde un electrón libre es capturado por un enlace vacío.

-Generación radiativa: el electrón gana energía gracias a un fotón. Este es el proceso principal en una
célula FV. Existen materiales semiconductores donde este proceso es más probable (gap directo como
GaAS). De la misma manera, igual que se genera un par e-h al absorberse un fotón, puede desaparecer
un par e-h generando un fotón.

-Proceso SRH (Shockey-Read-Hall): el proceso de generación/recombinación es facilitado por la

existencia de electrones o huecos en niveles de energía prohibidos (debido a impurezas del material o
defectos de la red cristalina) entre la banda de conducción y la de valencia.

-Proceso Auger: Efecto inherente (inevitable) al semiconductor. La energía necesaria para generar un
par e-h procede de un electrón de la capa de conducción. En la recombinación de un par e-h proceso
muy común, sobretodo en materiales con alta concentración de portadores) la energía es transferida a
otro electrón que aumenta su energía, en lugar de emitirse como un fotón.

-Proceso superficial: similar al SRH pero que se produce en el límite de la superficie (donde acaba el
material)
7) PARÁMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE UNA CÉLULA SOLAR
(2015J1/2016J1/2016SR/2017J2/2017SO)
7) CURVAS (I,V) Y (P,V) DE UNA CÉLUAL SOLAR, INCLUYENDO EN LAS MISMAS TODOS LOS
PARÁMETROS IMPORTANTES EXISTENTES JUNTO CON UNA EXPLICACIÓN BREVE DE LOS MISMOS
(2019J2)

a) Corriente de cortocircuito, ISC. Es la corriente que se obtiene de la célula cuando la tensión en sus
bornes es de cero voltios; es la máxima corriente que se puede obtener de la célula.

b) Tensión de circuito abierto, VOC. Es la tensión para la que los procesos de recombinación igualan a los
de generación y, por lo tanto, la corriente que se extrae de la célula es nula; constituye la máxima
tensión que se puede extraer de una célula solar. En las células de Si de tipo medio es del orden de 0,6 V
mientras que en las de GaAs es de 1 V.

c) Potencia máxima Pmáx. La potencia, P, es el producto de la corriente por la tensión; tanto en

cortocircuito como en circuito abierto la potencia es 0, por lo que habrá un valor entre 0 y VOC para el
que la potencia será máxima y vale Pmáx=Vmáx . Imáx.

d) Factor de forma FF. Que se relaciona con la potencia máxima, la tensión en circuito abierto y la
corriente de cortocircuito:
Pmáx = ISC  VOC  FF
Obsérvese que el máximo valor que puede tomar es FF=1; así, cuanto más próximo sea este número a la
unidad, mejor será la célula.

e) Eficiencia ,expresado en %, es el parámetro por excelencia que define el funcionamiento de la célula

solar. Representa la relación entre la potencia que obtenemos de la célula y la potencia de la luz que
incide sobre ella:
ISC  VOC  FF
η=  100 (alrededor del 15% y baja 0.4%/ºC)
A  PSOL
donde Psol es la potencia luminosa por unidad de área que se recibe del sol en forma de fotones (en
condiciones estándar, 1000 W/m2) y A es el área de la célula.

f) Otros parámetros: la temperatura de operación, el ángulo de incidencia y el espectro de luz incidente

8) ESQUEMA DE CLASIFICACIÓN DE LOS DIFERENTES TIPOS DE CÉLULAS FOTOVOLTAICAS Y EXPLIQUE
EL SIGNIFICADO DE CADA UNO DE ELLOS DE LOS TÉRMINOS QUE INTRODUZCA. INDIQUE UNA
CARACTERÍSTICA DISTINTIVA DE CADA UNO DE LOS TIPOS.
8) EXPLIQUE BREVEMENTE LAS CÉLULAS DE Si, TANTO AMORFO COMO DE UNIÓN TRIPLE
8) EXPLIQUE Y COMPARE LAS CÉLULAS SOLARES DE Cu, In, Ga y Se 2 (CIS y CIGS) y CdTe
(2024J1/2023J2/2022SR)

Clasificación de las más comunes:

SILICIO
-Silicio monocristalino: la mayoría de células actuales son de este tipo. Alta eficiencia (15-22%), buena
durabilidad y alto coste de producción.
-Silicio policristalino: similares en fabricación a las monocristalinas pero usando silicio de bajo coste.
Eficiencia moderada (13-18%). Buena durabilidad.

-Silicio amorfo: tiene un band gap variable 1.1-1.75eV superior al cristalino además de un espesor
menor de 1m. Se fabrica a menor temperatura de deposición lo que permite el uso de varios sustratos
de bajo coste, pero se degrada debido a la luz al inicio de su operación. Eficiencia baja (6-10%) con
buena flexibilidad.

-Tecnología de triple unión: Cada célula se compone de tres capas semiconductoras de Si montadas una
sobre otra. La capa inferior absorbe la luz roja, la central la verde/amarilla y la superior, la luz azul, lo
que permite absorber una gran parte del espectro solar, en especial con bajos niveles de radiación o con
luz difusa. El encapsulado es estable frente a rayos UV y resistentes en condiciones atmosféricas
adversas.

COMPUESTO GRUPO II-VI

-CuInSe2 / Cu(InGa)Se2: thin film de moderada eficiencia (10-12%), bajo coste y buena flexibilidad, con
band gap variable (1.02-1.68eV). Los CIGS tiene el mayor coeficiente de absorción (99% de los fotones
en los primeros micrómetros). El Galio e Indio son escasos.
-CdTe: Existen multitud de técnicas para su fabricación, con potencial para realizarse a gran escala, pero
los materiales tienen un alto coste. Cadmio es tóxico. Menor flexibilidad y eficiencia moderada (9-12%)

COMPUESTO GRUPO III-V

GaAs: células multi-unión de alta calidad con altas eficiencias (25-30%) absorbiendo un mayor espectro
solar gracias a las capas de diferentes semiconductores del tipo II-V. Se utiliza para aplicaciones
aeroespaciales y junto a sistemas de concentración fotovoltaica, ofreciendo mayor eficiencia con menor
consumo de material, pero de alto coste.
9) CÉLULA SOLAR: CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO Y EFICIENCIA CUÁNTICA
(2019J1)

La corriente de cortocircuito, ISC, es la corriente que se obtiene de la célula cuando la tensión en sus
bornes es de cero voltios; es la máxima corriente que se puede obtener de la célula. Para obtener una
máxima eficiencia de la célula, esta corriente debe ser máxima sin que perjudique a otros parámetros.
Suele ser del orden de 10-35mA por cm2 (sin concentración) y los principales mecanismos de pérdidas
de corriente son:
- Los fotones cuya energía es menor que la del gap del semiconductor; no se puede evitar.
- Los fotones, que aún con energía mayor que el gap, no son absorbidos en el volumen de la
célula; son las perdidas por transmisión.
- Los fotones que se reflejan en la superficie de la célula; para tratar de minimizar estas
pérdidas es por lo que se depositan las capas antirreflectantes.
- Los fotones que inciden sobre el metal de la malla de metalización; de ahí que el factor
sombra no pueda ser demasiado grande.
La recombinación en cortocircuito, que son los pares eh, que aun habiendo sido creados
desaparecen (se recombinan) antes de que puedan producir un electrón circulante por el
circuito exterior.

Como herramienta de caracterización de la corriente de cortocircuito se usa una medida llamada

eficiencia cuántica de la célula; consiste en iluminar la célula con fotones de longitud de onda conocida,
por ejemplo rojos y medir el número de electrones que circulan por el exterior. La eficiencia cuántica,
definida para cada longitud de onda de los fotones es el cociente entre ese número de electrones y el
número de fotones incidente sobre la célula. Suele expresarse en tanto por ciento. Un ejemplo de
medida de la eficiencia cuántica se aprecia en la Figura, para el GaAs

este tipo de medida se considera la huella digital de la célula y proporciona mucha información a las
personas que desarrollan tecnología de la célula
10) EXPLIQUE EL EFECTO DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS PARÁMETROS DE UNA CÉLULA
FOTOVOLTAICA
(2013J1/2014J2/2014SO/2015SO/2015SR/2017SR/2016SO)

El aumento de la temperatura ambiente a la que se encuentra la célula estrecha el salto entre banda de
valencia y conducción de forma que, en condiciones de iluminación constante, aumenta ligeramente la
fotocorriente. En general, esta relación es despreciable. Sin embargo, el efecto en la tensión es más
importante. Para células de silicio cristalino la variación de la tensión en función de la temperatura de la
célula se suele estimar:
dVOC mV
= 2.3 o
dTC C

Al disminuir más rápidamente la tensión, también disminuye el factor de forma y la eficiencia. La

eficiencia disminuye entre un 0,4 y 0,5% por cada oC para células de silicio (un 0,3%/oC para GaAs)
11) DESCRIBA LA HUELLA DIGITAL DE UNA CÉLULA DE AsGa ¿EN QUÉ CAMBIARÍA SU FORMA SI SE
MULTIPLICARA POR LA IRRADIACIÓN DEL ESPECTRO? ASÍ MISMO EXPLIQUE EL SIGNIFICADO DE LOS
PARÁMETROS RS Y RP DE ESA CÉLULA SOLAR E INDIQUE CÓMO PUEDEN CALCULARSE LOS VALORES DE
AMBOS A PARTIR DE LAS CURVAS DE LAS MISMAS
(2022J2)

Huella digital de una célula de GaAs

Da información sobre la eficiencia, la corriente, la tensión, la capacidad de generación de energía entre

otros parámetros técnicos que indican el rendimiento.
Ayuda a identificar defectos o anomalías. Sirve para el control de calidad en la producción indicando si
las células cumplen con unos estándares). También facilita la optimización en el diseño y la investigación
y desarrollo de nuevas tecnologías.

La resistencia serie, RS, de la célula es una resistencia interna y se debe a la malla de metalización, a la
resistencia de los contactos y a la resistencia del propio semiconductor con el que se ha fabricado.
Anteriormente ya se mencionó el compromiso entre el factor de recubrimiento de la célula y este
parámetro en el sentido que cuando el factor de recubrimiento tiende a cero, la resistencia serie tiende
a incrementarse hacia el infinito.
La resistencia paralelo, RP, tiene su origen en imperfecciones en la calidad de la unión pn que constituye
la célula y es responsable de permitir la existencia de fugas de corriente.
12) EXPLIQUE EL SIGNIFICADO DE CADA UNO DE LOS TÉRMINOS QUE APARECEN EN LA ECUACIÓN
QUE RELACIONA LA CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO DE UNA CÉLULA SOLAR CON SU RESPUESTA
ESPECTRAL. PARTIENDO DE ESA ECUACIÓN ¿CUÁL SERÍA LA GRÁFICA ISC vs ? ASÍ MISMO EXPLIQUE EL
SIGNIFICADO DE LOS PARÁMETROS FF Y  DE UNA CÉLULA SOLAR Y CÓMO LES AFECTA LA
TEMPERATURA.

Si F() representa un valor de las funciones que representan el espectro solar

la corriente de cortocircuito viene aproximadamente dada por la ecuación

Donde  es la longitud de onda, e es la carga del electrón, A el área de la célula solar, QE() es la
eficiencia cuántica externa, F() es el flujo fotónico espectral, h es la constante de Planck y c es la
velocidad de la luz. Se define también lo que se denomina eficiencia cuántica interna de la célula que es
la misma eficiencia cuántica definida anteriormente pero si se desconectasen las pérdidas por factor
sombra y reflexión en la superficie de la célula.

a) Corriente de cortocircuito, ISC. Es la corriente que se obtiene de la célula cuando la tensión en sus
bornes es de cero voltios; es la máxima corriente que se puede obtener de la célula.
b) Factor de forma FF. Que se relaciona con la potencia máxima, la tensión en circuito abierto y la
corriente de cortocircuito:
Pmáx = ISC  VOC  FF
Siendo VOC la tensión en circuito abierto. Obsérvese que el máximo valor que puede tomar es FF=1; así,
cuanto más próximo sea este número a la unidad, mejor será la célula.

c) Eficiencia ,expresado en %, es el parámetro por excelencia que define el funcionamiento de la célula

solar. Representa la relación entre la potencia que obtenemos de la célula y la potencia de la luz que
incide sobre ella:
ISC  VOC  FF
η=  100
A  PSOL
donde Psol es la potencia luminosa por unidad de área que se recibe del sol en forma de fotones (en
condiciones estándar, 1000 W/m2) y A es el área de la célula.
13) EXPLIQUE LOS PRINCIPIOS DE APLICACIÓN DE LOS SISTEMAS FOTOVOLTAICOS DE
CONCENTRACIÓN Y LAS VENTAJAS E INCONVENIENTES QUE CONOZCA DE LOS MISMOS
(2013J2/2014J1/2014J2/2014SR/2015SO/2016SO/2017SR/2018J1/2018J2)

Un sistema de concentración es aquel que, para obtener reducción de costes, reduce el tamaño del
material activo (en este caso, la célula fotovoltaica) y emplean lentes que concentran la radiación solar.
De esta forma, la potencia eléctrica por área expuesta es teóricamente similar (despreciando las
perdidas debidas a la lente y al acoplamiento) a la de un módulo convencional empleando menos
material semiconductor.
En estos sistemas es imprescindible adoptar el seguimiento a doble eje, ya que los concentradores,
grosso modo, son ciegos a la radiación difusa y tan solo son capaces de aprovechar la componente
directa de la radiación. La concentración de radiación, una tecnología madura ampliamente empleada
en los sistemas de energía solar de alta temperatura, tiene aún una importancia discreta dentro de los
SF conectados a red. La razón de su utilización, esto es, reducir costes empleando menos material
activo, es todavía un objetivo por alcanzar. Cabe destacar que el material semiconductor requerido en
estos módulos es actualmente más caro que el silicio empleado en los módulos convencionales.
Además, los sistemas fotovoltaicos de concentración, y particularmente los que optan por altos índices
de concentración (500x a 1000x) son más sensibles al desapuntamiento, sombras mutuas y suciedad
que los sistemas convencionales. Por otra parte, debe tenerse en cuenta que solo pueden emplearse allí
donde la proporción anual de radiación directa sea muy elevada.
14) TIPOS DE BATERIAS: VENTAJAS, INCONVENIENTES PROBLEMAS Y APLICACIONES DE CADA UNO DE
ELLOS.
14) DIAGRAMA GENERAL DE CARGA DE UNA BATERÍA
(2013J2/2014J2/2015SO/2016J1/2016SO/2017J1/2017J2/2017SR/2018J1)

Batería: es un dispositivo que convierte la energía química contenida en los materiales activos, en
energía eléctrica por medio de reacciones electroquímicas de oxidación y reducción.
Clasificación
a) Según recarga:
-Baterías primarias (pilas): no admiten recarga eléctrica y son desechadas (generan residuos).
Tienen largo tiempo de almacenajes y disponibilidad. Son económicas y casi nula autodescarga.
-Baterías secundarias (acumuladores o baterías): admiten recarga gracias a la reversibilidad de
sus reacciones. Generan menos residuos a largo plazo.
b) Según reacción química (material activo-electrolito):
-Acumulador plomo-ácido (Pb): el más empleado por su bajo coste y energía específica apreciable
-Acumulador níquel-cadmio (Ni-Cd): El segundo más usado. Más resistente a descargas excesivas o
rápidas. Mayor vida y mejor comportamiento a bajas temperaturas, pero más caro. Efecto memoria.
-Acumulador níquel-hidruro metálico (Ni-HM): Admite carga más rápida y tiene menor efecto de
memoria que la de Ni-Cd y menos tóxica. Tiene una autodescarga relativamente alta aunque puede
guardarse descargado.
-Acumulador litio-ion (Li-ion): Mucha más capacidad específica que las anteriores,. Más caro pero
rentable. Sensibles a altas temperaturas. Baja autodescarga y sin efecto memoria.
c) Según grado de sellado:
-Baterías abiertas: Necesitan mantenimiento y pueden tener fugas de gases y líquidos. Son
económicas y alta capacidad.
-Baterías selladas: Sin mantenimiento y seguras en interiores. Sin fugas. Menos capacidad y caras.
d) Según aplicación:
-Baterías estacionarias: para larga duración y muchos ciclos. Son fiables y de bajo mantenimiento.
Tienen coste inicial, elevado peso y volumen.
-Baterías de tracción (vehículos eléctricos): Ciclo largo y fiables. Pesados, alto coste y mantenimiento
-Baterías de arranque: necesitan mucha corriente en poco tiempo. Fiable, caros y de alta capacidad
instantánea. Ciclo corto, necesitan mantenimiento y considerable coste.
-Microbaterías: de muy baja capacidad (<10Ah) para móviles, portátiles…con buen sellado

Carga: se produce al proporcionar una corriente entrante por el electrodo positivo y saliente por el
negativo. La tensión depende del tipo de batería y del porcentaje de carga. El cargador puede ser de
modo puro de carga a intensidad constante y elevación gradual de la tensión (el más rápido) y de carga
a tensión constante disminuyendo la intensidad (más simple pero más lento).

Diagrama de carga de una batería litio-ión

Autodescarga: es el proceso de pérdida de energía que se produce durante el estado de inactividad tras
una recarga y es uno de los mayores inconvenientes de las baterías respecto a los condensadores o
pilas. Se debe a reacciones químicas entre los mismos electrolitos y su % de pérdida por unidad de
tiempo depende del tipo de batería (mayor si tiene superficie de electrodos alta) y aumenta con la
temperatura. Para aplicaciones donde pueden pasar años hasta la utilización de la batería, se separa el
material activo de los electrodos y solo se pone en contacto al usarlo, son las llamadas baterías de
reserva.

15) EXPLICAR POR QUÉ EN LAS INSTALACIONES FOTOVOLTAICAS LOS MÓDULOS SE CONECTAN EN
SERIE Y EN PARALELO. INDIQUE LOS CRITERIOS (O RAZONES) QUE SE SIGUEN Y LO JUSTIFICAN
(2007SO)

Las células aisladas no suministran energía eléctrica en cantidad suficiente como para alimentar las
instalaciones que se usan en la actualidad, por lo que es necesario agrupar las células con unas
características iguales, conectándolas en seria y paralelo, a fin de obtener una tensión y una corriente
determinadas.
Cuando conectamos en serie, podemos tener pérdidas porque célula que tenga la característica de
intensidad más baja será la que marque la intensidad de la rama. También en la caída de tensión que
podemos tener en los diodos de protección en serie, se puede subsanar pero también tendrá pérdidas,
pero menos, poniendo fusibles de protección.
También la intensidad de fugas de los diodos en paralelo con las células (aunque es mínima) será una
pérdida.
Cuando conectamos en paralelo podemos tener pérdidas en los cableados, ya que físicamente los
paneles estarán más apartados y necesitaran cables más largos, al ser normalmente tensiones bajas
necesitaran cables muy gordos para que la tensión no caiga por debajo del 1,5%.
16) EXPLIQUE TODO LO RELATIVO A INVERSORES Y DISPOSITIVOS DE PROTECCIÓN, SEGURIDAD Y
CABLEADO, DENTRO DE LA INSTALACIÓN ELÉCTRICA DE UN SISTEMA FV CONECTADO A RED.
(2024J1)
Conceptos Generales
La señal de potencia suministrada por un generador fotovoltaico iluminado es en tensión continua, que
debe ser acondicionada para permitir el correcto acoplamiento a la red eléctrica. El equipo de
acondicionamiento de potencia, denominado inversor DC/AC10, realiza la conversión de continua a
alterna cumpliendo con determinados requisitos de tensión eficaz, frecuencia, distorsión armónica de
las ondas de tensión y corriente, eficiencia y rendimiento, seguridad eléctrica, etc.
Como será explicado en un apartado posterior, el inversor generalmente funciona como fuente de
corriente autoconmutada y sincronizada con la red.
Características de un inversor comercial
La información de la ficha técnica proporcionada por el fabricante de un inversor suele incluir:
-Potencia nominal y máxima
-Ventana de búsqueda del Punto de Máxima Potencia (MPP en siglas inglesas): es el rango de tensiones
en las que el inversor aplica un algoritmo de búsqueda del MPP del generador fotovoltaico. Cuando este
punto permanece fuera de esta ventana, el inversor fija en el generador FV la tensión correspondiente
al valor límite de la ventana.
-Tensión máxima de entrada: es la máxima tensión que el inversor puede aguantar sin sufrir averías.
-Tensión nominal de salida: es la tensión de red a la que se puede conectar el inversor (habitualmente
230Vdc para equipos monofásicos y 400Vac para equipos trifásicos).
-Eficiencia máxima: máximo valor que toma la relación entre potencia de salida y potencia de entrada
-Rendimiento europeo
-Umbral de arranque: indica la radiación solar incidente o la potencia de entrada necesaria para que el
inversor comience el proceso de conversión.
Tipos de inversores
-Inversor central: un único inversor dedicado a todo el generador (o a un conjunto de ramas)
-Inversor orientado a rama (string-inverter): un inversor dedicado a una rama del generador.
-“Modulo-AC”: un inversor dedicado a un módulo del generador.
Principio de funcionamiento.
Un inversor suele estar compuesto por los siguientes bloques:
-Filtro de entrada: atenúa el rizado que produce la conmutación en la corriente de entrada.
-Convertidor DC/DC: adecua (eleva o reduce) la tensión de salida del generador a la tensión necesaria
para el puente de conmutación. Suele realizar funciones de búsqueda del punto de máxima potencia.
-Puente inversor: realiza el troceado de la señal continua para convertirla en alterna.
-Filtro de salida: elimina o atenúa los armónicos no deseados.
-Transformador: adecua el valor de tensión de salida del puente al de la red y proporciona aislamiento
galvánico entre la parte DC y AC.
-Control: realiza la supervisión de la entrada y salida del convertidor DC/DC y del puente inversor y
entrega las consignas correspondientes para localizar y seguir el MPP del generador, y para obtener una
señal sinusoidal con bajo contenido en armónicos en la salida del inversor.
Protecciones: protección contra polarización inversa, seccionador de carga, resistencia al cortocircuito,
monitorización de toma a tierra, monitorización de red y protección diferencial integrada, lo que
permite eliminar el cuadro de protecciones.
Estas cumplen la normativa vigente y en particular, en conexiones trifásicas: los límites de frecuencia y
tensión para cada fase así como los efectos armónicos y compatibilidad electromagnética.
-Contra contactos directos: No hay acceso directo a las conexiones de los módulos (Cajas selladas y
aislamientos) y cables con doble aislamiento
-Contra contactos indirectos: Diferencial 30mA y toma de tierra
-Contra cortocircuitos: Magnetotérmicos curva C en entradas y salidas del inversor.
-Contra sobrecargas: No puede darse (a no ser de ampliaciones indebidas)
-Contra sobretensiones: Protecciones en entrada de continua y alterna con varistores.

a) Inversor monofásico con carga resistiva =90º

b) Inversor puente trifasico carga RLC =0º

17) EN UN SISTEMA FOTOVOLTAICO SE NECESITA DISPONER UN CONVERTIDOR CC/CC PARA CARGAR
EL CONJUNTO DE BATERÍAS, EXISTIENDO DOS OPCIONES QUE SON LAS MOSTRADAS A
CONTINUACIÓN. EXPLIQUE BREVEMENTE EL FUNCIONAMIENTO DE AMBOS CIRCUITOS E INDIQUE
QUÉ CONDICIÓN DE DISEÑO DEL SISTEMA SE DEBE CUMPLIR PARA QUE SEA POSIBLE EL USO DE UNO
U OTRO CIRCUITO.

(2023J2)

17) REGULADORES DE CC ELEVADORES (“BOOST”)

17) REGULADOR NO DISIPATIVO, SIN FILTRO Y CARGA INDUCTIVA (2019J1/2019J2)
-En la primera imagen tenemos un regulador CC/CC no disipativo filtrado elevador sin aislamiento, que
genera una tensión de salida UB que es mayor que la de entrada:
U  U0
Regulador cerrado: I L (on)  U 0 D  T Regulador abierto: I L (off )  B (1  D)  T
L L
UB 1
I L (on)  I L (off )  0   D (duty cycle): fracción de periodo (on)
U0 1  D
Entre la fuente y el regulador (en este caso un transistor convertidor boost) se coloca una bobina de
gran inductancia. Cuando el regulador está cerrado la intensidad en la bobina aumenta linealmente, al
abrir el regulador la intensidad circula por el diodo y carga el condensador, al cerrar nuevamente, el
diodo impide la descarga del condensador y suministra corriente a la carga.

-En la segunda imagen tenemos un regulador CC/CC no disipativo sin filtrado reductor con carga
inductiva, que genera una tensión de salida UB menor que la de entrada. Con el transistor cerrado, la
tensión de la carga es la misma que la de la entrada y la intensidad crece exponencialmente. Al abrir el
regulador la tensión de salida se hace nula y la inductancia de la carga obliga a que pase la corriente por
el diodo, decreciendo exponencialmente.
UB
D(U0  UB )  (1  D)(UB )  0  D
U0
El condensador en paralelo se incluye cuando la impedancia de salida del generador no es despreciable
(limita las sobretensiones generadas por la inductancia del generador y almacena energía disminuyendo
el rizado de la tensión).
Este tipo de regulador trabaja con ondas cuadradas, triangulares o trapezoidales lo que provoca
armónicos indeseados en comparación con los disipativos. Las mejoras en los rizados de tensión e
intensidad se obtienen variando la frecuencia de trabaja, lo que provoca pérdidas (menor rendimiento)
o bien poniendo reguladores en paralelo.

REGULADORES

Disipativos No disipativos
(el transistor siempre en activa) (tiristores o transistores corte/saturación)

FILTRADOS NO FILTRADOS
(troceador+regulador del rizado) (solo troceador y siempre reductor)

SIN AISLAMIENTO AISLAMIENTO

(incluyen trafo para aislamiento galvánico)