UNIVERSIDAD NACIONAL DE EDUCACIÓN

Enrique Guzmán y Valle

Alma Mater del Magisterio Nacional

FACULTAD DE TECNOLOGÍA

Escuela Profesional de Telecomunicaciones e Informática

Informe
Circuitos rectificadore,

Transistores,

Polarización de base en transistores

AUTORES:

Sánchez Viscaino Jhoan

DOCENTE

Mg. Wilfredo Buleje Agüero

LIMA – PERÚ

2024
1. Circuitos Rectificadores

1.1 Definición

Un circuito rectificador convierte corriente alterna (CA) en

corriente continua (CC). Se usa en fuentes de alimentación para

dispositivos electrónicos. Los rectificadores se basan principalmente en

diodos, dispositivos semiconductores que conducen la corriente en sola

dirección, estos circuitos son fundamentales en fuentes de alimentación.

La mayoría de los sistemas requieren una alimentación de voltaje en

corriente continua:

Tipos de rectificadores:

 Rectificador de media onda

 Rectificador de onda completa con derivación central

 Rectificador de puente de onda completa.

1.2 la Onda senoidal

Señal periódica con forma de seno, característica de la corriente

alterna. Representa como varia una magnitud (como voltaje o corriente)

en función del tiempo siguiendo una función matemática seno. Es l

forma de onda mas fundamental en la electrónica y los sistemas de

señal, ya que describe el comportamiento de muchas señales naturales y

generadas, como las de la red eléctrica.

Matemáticamente se expresa como:

V(t) = Vpico * sin (2πft + ϕ)

Donde:

V(t): valor instantáneo de la señal

Vpico: amplitud máxima

T: tiempo (s)

Φ: fase (rad)

Características: Amplitud de frecuencia, periodo, valor eficaz (RMS),

voltaje pico.

 Amplitud (Vp o Vpico):

Es el valor máximo que alcanza la onda respecto a su eje de referencia

(generalmente cero). Representa la magnitud máxima del voltaje o

corriente.

 Frecuencia (f):

Es el número de ciclos completos que la onda realiza por segundo.

Se mide en Hertz (Hz).

1
F=
t

 Periodo (T):

Es el tiempo que tarda la onda en completar un ciclo. Se mide en

segundos (s).

Relación inversa con la frecuencia:

1
T=
f

 Fase (ϕ):

Indica el desplazamiento horizontal de la onda respecto al origen

del tiempo. Se mide en radianes o grados. Dos ondas pueden

tener la misma frecuencia y amplitud, pero estar desfasadas.

Es el promedio aritmético de todos los valores instantáneos en un

ciclo. Para una onda senoidal pura:

Vm=0

 Valor eficaz o RMS (Vrms):

Es el valor equivalente en CC que produciría la misma

disipación de energía. Para una onda senoidal:

Vpico
Vrms = = 0.707. Vpico
√32
 Forma simétrica:

La onda senoidal es simétrica respecto al eje horizontal y repite

su forma en cada ciclo, lo que la hace periódica y predecible.

1.3 Clases de Rectificación

Media onda: solo una mitad de la señal usada. En este proceso se utiliza

un solo diodo para permitir el paso de solo una mitad (generalmente la

positiva) del ciclo de una señal de corriente alterna, bloqueando la otra

mitad. Como resultado, la señal de salida contiene pulsos de corriente

continua. Ocurren durante la mitad del ciclo de entrada.

Funcionamiento:

 Durante el semiciclo positivo de la entrada CA el diodo se

polariza en directa y permite el paso de corriente.

 El diodo se polariza en inversa y bloquea el paso de corriente.

Ventajas:

 Diseño sencillo y económico

 Uso mínimo de componentes (1 diodo).

 Baja eficiencia, se utiliza solo la mitad de la señal de

entrada

 Alta ondulación, lo que requiere filtros adicionales si se

desea una señal más estable.

 No es adecuado para aplicaciones que requieren corriente

continua mas estable o de mayor potencia.

Aplicaciones:

 Cargadores simples

 Fuentes de alimentación de bajo consumo.

 Demostraciones educativas y laboratorios básicos de

electrónica

1.4

2. Transistores

2.1 definición: Dispositivo semiconductor que amplifica o conmuta señales

electrónicas. Cumple principalmente dos funciones en los circuitos que son:

amplificación y conmutación de señales eléctricas. Fue inventado en 1947 y

es considerado uno de los pilares fundamentales de la electrónica moderna.

2.2 Estructura interna

Este compuesto por tres regiones de material semiconductor dispuestas en

dos posibles configuraciones:

 NPN

 PNP
 2.3 Elementos y Funciones

Estas regiones forman tres terminales:

 Base (B): Es una región muy delgada y ligeramente dopada, situada

entre el emisor y el colector, su función es controlar el paso de

portadores del emisor hacia el colector, una pequeña corriente que

ingresa ala base permite controlar una corriente mucho mayor entre

colector y emisor, lo que da lugar a la acción de amplificación.

 Colector (C): Es el encargado de recoger los portadores que vienen

desde el emisor a través de la base. Esta modernamente dopado y suele

ser físicamente mas grande para disipar el calor generado, y como

objetivo principal tiene recolectar la corriente controlada por la base y

entregarla a la carga o el siguiente circuito.

 Emisor (E): Es encargada de inyectar portadores de carga (electrones en

un NPN o huecos en un PNP) hacia la base. Su función principal es

proveer los portadores que atraviesan el transistor.

El transitor puede amplificar pequeñas señales eléctricas actuar como un

interruptor controlado electrónicamente.

2.4 Tipos de transistores

Existen dos tipos de transistores:

 Transistor bipolar de unión (BJT - Bipolar Junction Transistor):

Un dispositivo de tres capas semiconductoras que puede ser tipo

NPN o PNP. Su operación depende del flujo de dos tipos de

portadores de carga (electrones y huecos), de ahí el nombre

“bipolar”:
  Controlado por corriente: Una pequeña corriente en la base controla

una corriente mayor entre el colector y el emisor.

 Aplicaciones: Amplificadores, interruptores, osciladores, reguladores

de voltaje.

 Características clave: Alta ganancia de corriente, respuesta rápida.

 Símbolos:

 NPN: La flecha del emisor apunta hacia afuera.

 PNP: La flecha del emisor apunta hacia adentro.

 Transistor de efecto de campo (FET - Field Effect Transistor): Es

un transistor que utiliza un campo eléctrico para controlar el flujo de

corriente. A diferencia del BJT, solo emplea un tipo de portador de

carga, por lo que se le denomina unipolar.

 Controlado por voltaje: Una tensión en la compuerta (Gate) controla

la corriente entre el drenador (Drain) y la fuente (Source).

 Tipos principales:

 JFET (Junction FET): Usa una unión PN para controlar la corriente.

 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET): Muy usado en

electrónica digital y potencia.

 Aplicaciones: Microcontroladores, memorias, fuentes conmutadas,

conmutación rápida.

 Características clave:

 Alta impedancia de entrada.

 Bajo consumo de energía.

 Ideal para circuitos integrados

Los transistores son esenciales en aplicaciones como:

 Etapas de conmutación en fuentes de poder.

 Circuitos digitales, microprocesadores y memorias.

3. Polarización de transistores: La polarización de base.

3.1 Definición

Es una técnica utilizada para establecer el punto de operación o punto de

trabajo (Q) de un transistor BJT (Transistor Bipolar de Unión) en su

región activa. Consiste en aplicar una tensión continua a la base del

transistor mediante una resistencia conectada a una fuente de voltaje, lo

que permite controlar la corriente que fluye a través del transistor.

Este método de polarización es fundamental para asegurar que el

transistor funcione correctamente como amplificador, permitiendo que

pequeñas variaciones en la corriente de base resulten en amplificaciones

significativas en la corriente de colector.

3.2 Análisis de mallas

El análisis de mallas es un método sistemático utilizado en circuitos

eléctricos para determinar las corrientes que circulan por las diferentes

ramas del circuito. Se basa en la Ley de Voltajes de Kirchhoff (LVK),

que establece que:

La suma algebraica de todas las diferencias de potencial (voltajes) en una malla

cerrada es igual a cero.

Matemáticamente:

∑V=0

Pasos para aplicar el análisis de mallas:

2. Asignar una corriente de malla a cada lazo (en sentido horario o antihorario, de

forma arbitraria pero consistente).

3. Aplicar la Ley de Voltajes de Kirchhoff (LVK) a cada malla, sumando los

voltajes de resistencias (usando la Ley de Ohm: V=IR) y fuentes presentes en

cada lazo.

4. Plantear un sistema de ecuaciones lineales en función de las corrientes de malla.

5. Resolver el sistema usando métodos algebraicos como sustitución, igualación,

matrices o determinantes.

Ejemplo básico:

Supongamos un circuito con dos mallas, dos resistencias R1, R2, una resistencia

compartida R3, y una fuente de voltaje V:

Ecuaciones de mallas:

 Malla 1:

V−I1R1−(I1−I2) R3=0

 Malla 2:

−(I2−I1) R3−I2R2=0

Donde:

 I1 e I1 son las corrientes en cada malla.

Al resolver estas ecuaciones, se obtienen las corrientes en cada rama, y luego

pueden calcularse los voltajes individuales usando la ley de Ohm.

Ventajas del método de mallas:

 Requiere menos ecuaciones que el método de nodos en circuitos planos.