Soluciones del Tema 7: Amplificadores de Potencia RF
Sebastian Matuszak
Preguntas
P1. (a) El amplificador tipo A es el amplificador más básico que hay. Es capaz de
proporcionar una linealidad muy notable, lo que es idóneo para un esquema de modulación
por amplitud. Sin embargo, sufre de una eficiencia pobre.
P2. (b) El PA de clase E es el amplificador mas simple, apto para un esquema de
modulación por fase o frecuencia. Su operación esta basada en la conmutación lo que le
otorga una eficiencia superior, pero lo vuelve un dispositivo no lineal.
P3. (a) En aplicaciones prácticas este amplificador sigue un esquema de push-pull de
dos transistores, donde su comportamiento neto se reduce a una conducción del 50% de
un ciclo. Este sistema presenta el inconveniente de sufrir una clase de distorsión denomi-
nada crossover discontinuity, fruto una conmutación imperfecta entre los dos transistores.
Dicha distorsión afecta a la linealidad del dispositivo, pero si la ignoramos, el amplificador
se comportará de manera lineal.
P4. (b) Una eficiencia del 100% darı́a lugar a una potencia de salida igual a 0, por
lo que no servirı́a para nada. La eficiencia debe ser necesariamente inferior para poder
utilizarlo.
P5. (c) La resistencia de encendido del transistor es la principal causa. En el amplifi-
cador clase A, el transistor permanecı́a encendido durante todo el ciclo de la señal RF lo
que provocaba grandes perdidas de eficiencia. Los diseños posteriores tratan de limitar lo
máximo posible la conducción para evitar perdidas innecesarias.
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Tema 7 - Amplificadores de Potencia RF
Problema 1
Diseña un amplificador de potencia clase A para su uso en un sistema RF de 2.4 GHz,
de manera que pueda entregar una potencia de 250 mW a una antena de 50 Ω utilizando
una fuente de alimentación de 1.8 V. Estima la eficiencia de drenador del amplificador
y determina los valores necesarios para IDC , BF L, L y C de modo que se cumplan las
especificaciones, asumiendo que el factor de calidad Q del circuito tanque LC es 15. Diseña
también una red de adaptación para este propósito, si es necesario.
VDD
Matching
network
Figure 1: Amplificador tipo A
Primero tenemos que comprobar si es posible suministrar la potencia requerida a la antena.
2
VDD 1.82
Prf,max = = = 32.4mW
2RL 2 · 50
Ya que la carga no cumple con la especificación de potencia, es necesario encontrar la
impedancia vista desde el PA que si lo haga. Mas adelante buscaremos la red tipo L que
mejor se ajuste a esta especificación con ayuda de un script de python.
2
VDD 1.82
Rmax = = ≈ 6.5Ω
2Prf,max 2 · 250 × 10−3
Una vez determinada la impedancia vista por el PA, calcularemos las condiciones de
operación.
Corriente DC:
VDD 1.8
IDC = = = 278mA
Rmax 6.5
2
Tema 7 - Amplificadores de Potencia RF
Eficiencia esperada:
Prf,max 250 × 10−3
ηmax ≡ = = 50%
PDC 1.8 · 278 × 10−3
RF choke: |ZL | = ω0 BF L ≫ Rmax
Rmax 10 · 6.5
BF L ≥ 10 · = = 4.3nH
ω0 2π · 2.4 × 109
La bobina BFL debe bloquear lo máximo posible la señal RF para que pueda llegar
directamente a la antena. Por este motivo tomaremos BF L = 5nH
Una especificación clave es el factor de calidad Q = 15. Para ello, diseñaremos un tanque
LC con las siguientes caracterı́sticas.
RL 50 3.33 Ω
|ZL | = ω0 Lp = = ≈ 3.33 Ω ⇒ Lp = = 0.221 nH
Q 15 2π · 2.4 GHz
1 RL 50 1
|ZC | = = = ≈ 3.33 Ω ⇒ Cp = = 19.89 pF
ω0 Cp Q 15 3.33 Ω · 2π · 2.4 GHz
Para adaptar la carga y bloquear la señal DC hacia la antena utilizaremos un filtro paso
alto. Podemos calcular sus especificaciones con las siguientes ecuaciones
Rs = Rmax = 6.5 Ω
r
2 Rp
Rp = Rs (Q + 1) = 50 Ω ⇒ Q= − 1 ≈ 2.6
Rs
1 Rp Q
|ZC | = = ⇒ Cp = ≈ 3.43 pF
ω0 Cp Q ω0 Rp
Rs Q
|ZL | = ω0 Lp = Rs Q ⇒ Lp = ≈ 1.11 nH
ω0
Ya solo por curiosidad, vamos a realizar una simulación en LT spice con el objetivo
de visualizar la impedancia vista por el amplificador y resonancia equivalente. Esto es
interesante ya que, tanto la red de adaptación como el tanque LC, deberı́an de tener unas
caracterı́sticas algo diferentes a las esperadas.
En la figura 2 se representa la impedancia vista por el amplificador. Para 2.4GHz la
impedancia equivalente es Rs ≈ 6.64 Ω. Mientras que en la figura 3 podemos observar
la respuesta del tanque equivalente tras combinar la red y el tanque LC original. La
frecuencia ya no esta centrada en 2.4GHz.
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Tema 7 - Amplificadores de Potencia RF
Figure 2: Impedancia equivalente vista por el amplificador
Figure 3: Respuesta en frecuencia
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Tema 7 - Amplificadores de Potencia RF
Problema 2
Diseñe un amplificador clase E con las especificaciones del problema 1.
VDD
Matching
network
Figure 4: Amplificador clase E
Al igual que antes tenemos que comprobar si es posible suministrar la potencia suficiente
a la antena.
2
VDD 1.82
Prf,max = 0.577 = 0.577 = 37.4mW
RL 50
Ya que la carga no cumple con la especificación de potencia, es necesario encontrar la
impedancia vista desde el PA que si lo haga.
2
VDD 1.82
Rmax = 0.577 = 0.577 ≈ 7.5Ω
Prf,max 250 × 10−3
La bobina BFL debe bloquear lo máximo posible la señal RF para que pueda llegar
directamente a la antena. |ZL | = ω0 BF L ≫ Rmax
Rmax 10 · 7.5
BF L ≥ 10 · = = 5nH
ω0 2π · 2.4 × 109
Una vez determinada la impedancia vista por el PA, calcularemos los valores que deben
tener los elementos reactivos
QRmax 15 · 7.5 Ω
L1 = = ≈ 7.44 nH
ω0 2π · 2.4 GHz
1 1
C1 ≈ = ≈ 1.63 pF
5.447 ω0 Rmax 5.447 · 2π · 2.4 GHz · 7.5 Ω
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Tema 7 - Amplificadores de Potencia RF
5.447 1.42 5.447 1.42
C2 ≈ C1 1+ = 1.63 pF · 1+ ≈ 0.66 pF
Q Q − 2.08 15 15 − 2.08
La adaptación de impedancias se puede lograr con un filtro paso bajo
Rs = Rmax = 7.5 Ω
r
2 Rp
Rp = Rs (Q + 1) = 50 Ω ⇒ Q= − 1 ≈ 2.38
Rs
1 Rp Q
|ZC | = = ⇒ Cp = ≈ 3.16 pF
ω0 Cp Q ω0 Rp
Rs Q
|ZL | = ω0 Lp = Rs Q ⇒ Lp = ≈ 1.18 nH
ω0
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Tema 7 - Amplificadores de Potencia RF
Problema 3
Calcula el ancho de un transistor NMOS mientras opera como un amplificador de potencia
tipo A. El amplificador tiene una potencia de salida de 250mW, y esta implementado en
una tecnologı́a
Circuit Design for CMOS de 180nm (Tabla 1). Supón queRocío
RF Front-End la tensión
del Río –de puerta
Univ. Sevillaes/ IMSE-CNM
de 1V y la
longitud es mı́nima.
Table 1: Process parameters of a 180-nm CMOS technology.
Parameter SPICE Name Value Units Description
Lmin --- 180e-9 m Minimum drawn MOS length
VDD --- 1.8 V Supply voltage
tox TOX 4.2e-9 m Gate oxide thickness
Oxide capacitance per unit gate area
C’ox COX 8.2216e-3 F/m2
(calculated from TOX)
0,NMOS UO 314.10 cm2/(V·s) Mobility of carriers (electrons, low field)
VT0,NMOS VTO 0.5 V Threshold voltage (zero bias)
vsat,NMOS VSAT (VMAX) 7.1580e+4 m/s Maximum drift velocity of carriers
Intrinsic transconductance parameter
KP,NMOS KP (BETA) 258e-6 A/V2
(calculated from UO·COX)
Critical field for carrier velocity saturation
Esat,NMOS ESAT (ECRIT) 2.28e+4 V/cm
(calculated from VSAT/UO)
CGSO,NMOS CGSO 2.350e-10 F/m Gate-source overlap capacitance/channel width
CGDO,NMOS CGDO 2.350e-10 F/m Gate-drain overlap capacitance/channel width
0,PMOS UO 114.50 cm2/(V·s) Mobility of carriers (holes, low field)
VT0,PMOS VTO -0.5 V Threshold voltage (zero bias)
vsat,PMOS VSAT (VMAX) 5.3400e+4 m/s Maximum drift velocity of carriers
Intrinsic transconductance parameter
KP,PMOS KP (BETA) 94e-6 A/V2
(calculated from UO·COX)
Critical field for carrier velocity saturation
Esat,PMOS ESAT (ECRIT) 4.66e+4 V/cm
(calculated from VSAT/UO)
CGSO,PMOS CGSO 2.054e-10 F/m Gate-source overlap capacitance/channel width
CGDO,PMOS CGDO 2.054e-10 F/m Gate-drain overlap capacitance/channel width
Parameters extracted from the original level-49 HSPICE nMOS and pMOS models of the UMC 180nm tech.
(a)En la aproximación de canal largo, la intensidad de drenador en saturación viene
gobernada por:
1 W
ID = µn Cox (VGS − Vth )2
2 Lmin
PDC 250 mW 2ID L
ID = = ≈ 139 mA ⇒ W = ≈ 775µm
VDD 1.8 V µn Cox (VGS − Vth )2
(b)En la aproximación de canal corto, la intensidad de drenador en saturación viene
gobernada por:
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Tema 7 - Amplificadores de Potencia RF
1 2ID
ID = µn Cox W (VGS − Vth )Esat ⇒ W = ≈ 945µm
2 µn Cox (VGS − Vth )Esat