TecNm
Instituto Tecnológico Superior de Xalapa
Ingeniería Electromecánica
Electrónica Analógica Grupo: 04C5
Tarea:
"JFET”
Docente: Gómez Rosales Aquiles
Equipo DFQQT-01
Alumnos:
1. Díaz Roa Williams Jafet
2. Flores González Daniel Arturo
3. Qué Vázquez José Carlos
4. Quinto Pablo Jennyfer
5. Toss Rodríguez Erick
Observaciones:
Fecha de encargo: 26/05/25 Fecha de entrega: 28/05/25
INDICE
¿Cómo se define? ................................................... 3
Construcción ........................................................... 3
Tipos (clasificación) ............................................... 5
Polarización............................................................. 6
JFET como amplificador ........................................ 9
Curvas de salida ................................................... 11
Conclusiones ........................................................ 12
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¿Cómo se define?
El JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal
capaz de controlar la corriente entre las otras dos. Para el
transistor JFET el dispositivo de canal n será el dispositivo
importante, con párrafos y secciones dedicados a cómo
utilizar un JFET de canal p.
Construcción
La construcción básica del JFET de canal n se muestra en
la figura. La parte principal de la estructura es el material tipo
n, el cual forma el canal entre las capas incrustadas de
material p. La parte superior del canal tipo n está conectada
mediante un contacto óhmico a un material conocido como
drenaje (D), en tanto que el extremo inferior del mismo
material está conectado mediante un contacto óhmico a una
terminal conocida como fuente (S). Los dos materiales tipo
p están conectados entre sí y a la terminal de compuerta (G).
En esencia, por consiguiente, el drenaje y la fuente están
conectados a los extremos del canal tipo n y la compuerta a
las dos capas de material tipo p. Sin potenciales aplicados,
el JFET tiene dos uniones p-n en condiciones sin
polarización. El resultado es una región de empobrecimiento
en cada unión, como se muestra en la figura, la cual se
asemeja a la misma región de un diodo en condiciones sin
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polarización. Recuerde también que una región de
empobrecimiento no contiene portadores libres, y por
consiguiente es incapaz de conducir.
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Tipos (clasificación)
Los JFET (transistores de efecto de campo de unión) se
clasifican principalmente en dos tipos según el tipo de canal
por el que fluye la corriente: canal N y canal P. También
pueden clasificarse según su configuración de circuito en
tres tipos básicos: fuente común, puerta común y drenador
común.
Clasificación por tipo de canal:
JFET de canal N: En este tipo, la corriente fluye a través de
electrones.
JFET de canal P: En este tipo, la corriente fluye a través de
huecos (ausencia de electrones).
Clasificación por configuración de circuito:
Fuente común: En esta configuración, el terminal de fuente
se conecta a la masa.
Puerta común: En esta configuración, el terminal de puerta
se conecta a la masa.
Drenador común: En esta configuración, el terminal de
drenador se conecta a la masa.
Además de estas clasificaciones principales, los JFET
también pueden ser clasificados según su modo de
funcionamiento:
Modo de mejora:
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En este modo, el voltaje aplicado en la puerta aumenta la
conductancia del canal, permitiendo una mayor corriente de
drenaje.
Modo de empobrecimiento:
En este modo, el voltaje aplicado en la puerta disminuye la
conductancia del canal, reduciendo la corriente de drenaje.
Polarización
La polarización de un JFET consiste en aplicar voltajes a sus
terminales (puerta, drenador y fuente) para establecer un
punto de operación (punto Q) y permitir que el dispositivo
funcione como amplificador o conmutador. La polarización
correcta asegura que el JFET opere en la región activa,
donde su comportamiento es lineal y útil para amplificar
señales.
Métodos de Polarización:
1. Polarización Fija:
Se usa una fuente de voltaje para aplicar un voltaje
constante a la puerta (VGS) y otro a la fuente (VSS).
Es el método más simple, pero la corriente de drenaje (ID)
puede variar con la temperatura.
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Es adecuado para circuitos donde la estabilidad de la
temperatura no es crucial.
2. Polarización por Divisor de Voltaje:
Utiliza dos resistencias en serie para dividir el voltaje de
alimentación y establecer el voltaje de puerta (VGS).
La polarización del divisor de voltaje ofrece una mejor
estabilidad de temperatura que la polarización fija.
3. Polarización por Auto polarización:
Se usa una resistencia en la fuente (RS) para crear un
voltaje que se aplica a la puerta, modificando la corriente de
drenaje (ID).
Es un método más complejo, pero ofrece mayor estabilidad
en comparación con la polarización fija.
Consideraciones al Polarizar:
• Tipo de JFET:
Para un JFET de canal N, se necesita una polarización
negativa en la puerta para reducir la corriente de drenaje,
y una polarización positiva en el drenador. Para un JFET
de canal P, se requiere una polarización positiva en la
puerta y una polarización negativa en el drenador.
• Punto de Trabajo (Punto Q):
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El punto Q es donde se establecen los voltajes y
corrientes de drenaje y puerta del JFET.
• Ecuación de Shockley:
Ayuda a determinar la corriente de drenaje (ID) en función
del voltaje de puerta (VGS).
• Análisis de Circuito de Polarización:
Es necesario realizar un análisis de circuito para calcular
los voltajes y corrientes de polarización.
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JFET como amplificador
Los JFET se pueden usar para crear amplificadores de
voltaje y seguidores de voltaje. La configuración de fuente
común es similar a la configuración de emisor común de BJT.
Ofrece ganancia de voltaje con inversión de señal. El
amplificador puede construirse sobre cualquiera de los
esquemas de polarización presentados en el capítulo
anterior. Los circuitos de polarización que hicieron uso de
una resistencia de fuente, como la polarización automática y
la polarización combinada, también pueden usar el pantano.
El enjambre disminuirá la ganancia de voltaje disponible,
pero reducirá la distorsión.
El seguidor de voltaje JFET, o seguidor de fuente, es similar
al seguidor del emisor de BJT. Ofrece un voltaje de ganancia
de casi unidad sin inversión, una alta impedancia de entrada
y una baja impedancia de salida.
En general, los JFET no ofrecen una ganancia tan alta como
los BJT. El parámetro comparable a los BJT r′e es la
transconductancia, gm. Además, tienden a ofrecer valores
de impedancia de entrada muy altos en comparación con los
BJT. Esto se debe al uso de una unión polarizada inversa en
lugar de una unión sesgada hacia adelante.
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Los JFET también se pueden usar en su región óhmica para
crear resistencias controladas por voltaje e interruptores
analógicos. Un parámetro clave en estas aplicaciones es la
resistencia mínima del canal, rDS(on).
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Curvas de salida
Las características de transferencia definidas por la
ecuación de Shockley no se ven afectadas por la red en la
cual se emplea el dispositivo.
Podemos obtener la curva de transferencia utilizando la
ecuación de Shockley o a partir de las características de
salida. En la figura aparecen dos gráficas, con la escala
vertical en miliamperes en cada una. Una de ellas es una
gráfica de ID contra VDS en tanto que la otra es ID contra
VGS. Con las características de drenaje de la derecha del
eje “y”, podemos trazar una línea horizontal de la región de
saturación de la curva denotada VGS=0 V al eje ID. El nivel
de corriente resultante para ambas gráficas es IDSS. El
punto de intersección en la curva de ID contra VGS será
como se muestra, puesto que el eje vertical se define como
VGS= 0 V.
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Conclusiones
El JFET es un transistor que controla la corriente mediante
un campo eléctrico. Funciona principalmente como un
interruptor o amplificador de señales analógicas. Se
caracteriza por su alta impedancia de entrada y bajo
consumo de energía.
Sus usos pueden ser los siguientes:
• Amplificación de señales
• Conmutación electrónica
• Control de ganancia
• Aislamiento de señales
Aplicaciones del JFET
o Etapas de entrada en osciloscopios y multímetros
o Preamplificadores de micrófonos y guitarras eléctricas
o Filtros activos
o Sistemas de adquisición de datos
o Circuitos analógicos en telecomunicaciones
Su importancia se debe a su:
▪ Alta impedancia de entrada: Ideal para tratar señales
débiles sin perturbar su forma.
▪ Bajo ruido: Muy útil en aplicaciones donde se requiere
alta fidelidad.
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▪ Estabilidad térmica: Su comportamiento es más estable
frente a los cambios de temperatura en comparación
con otros tipos de transistores.
▪ Simplicidad de control: Requiere poco o ningún
consumo de corriente en la compuerta para funcionar.
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