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Tema 1: Circuitos eléctricos

Repaso de conceptos de circuitos eléctricos, divisor de voltaje y divisor de corriente. Métodos
de corrientes de mallas y de voltajes de nodos para resolución de circuitos resistivos. Fuentes
ideales y reales, conversión de fuentes de voltaje y corriente.

Ley de Ohm
Se aplica a circuitos de corriente continua, alterna, circuitos digitales, y cualquier tipo de
señal aplicada. La diferencia de potencial entre dos puntos es la causa y la oposición es la
resistencia encontrada, el efecto que tratamos de encontrar es el flujo de carga o corriente:
𝑐𝑎𝑢𝑠𝑎 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒
Efecto = ( 𝑜𝑝𝑜𝑠𝑖𝑐𝑖ó𝑛 ) = ( 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 ) = Corriente

En un circuito, sin voltaje no habrá reacción en el sistema ni corriente, ya que esta es una
reacción al voltaje aplicado y no el factor que pone en movimiento al sistema. Cuanto mayor
es el voltaje aplicado a un circuito, mayor es la corriente, ya que:

En cualquier resistor, la dirección de la corriente a través de un resistor definirá la polaridad

de la caída de voltaje a través del resistor.

En relación al gráfico anterior, una gráfica lineal, revela que la resistencia no cambia con el
nivel de corriente o voltaje. Si escribimos la Ley de Ohm como:
1
𝐼= 𝑅
𝑉 +𝑂
Que puede verse como:

𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏

Sabemos que a mayor resistencia, menor pendiente.

Potencia
Indica que tanto trabajo (conversión de energía) puede realizarse en una cantidad específica
de tiempo, es decir, la velocidad a la que se realiza trabajo.
𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒
𝑊𝑎𝑡𝑡𝑠 = 𝑠

1 ℎ𝑝 = 746 𝑤𝑎𝑡𝑡𝑠

Es decir, la potencia se define como:

𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔í𝑎 𝑊
𝑃= 𝑡
= 𝑡

Si deseamos escribir en función del voltaje y la corriente, obtenemos:

𝑊 𝑄𝑉 𝑄
𝑃= 𝑡
= 𝑡
= 𝑉 𝑡
= 𝑉𝐼 → 𝑃 = 𝑉𝐼

De donde surgen las siguientes ecuaciones:

2
𝑉 2
𝑃= 𝑅
𝑃 =𝐼 𝑅

La potencia asociada con cualquier fuente no es simplemente una función de su voltaje. Está
determinada por el producto de su voltaje y su capacidad de corriente máxima.

Energía
La energía perdida o ganada en cualquier sistema es: 𝑊 = 𝑃𝑡

Circuitos eléctricos
Elementos de un circuito:
● Circuito cerrado: es aquel por el cual la corriente puede circular. (1)

● Circuito abierto: es aquel por el cual la corriente no circula. (2)

● Cortocircuito: aumento brusco de la intensidad de la corriente eléctrica (I → ∞), de

una instalación por la unión directa de dos conductores de distinta fase.

● Fuente de alimentación: dispositivo que entrega tensión y corriente.

● Carga: equipo que consume potencia o energía de una fuente.

● Malla: se define como cualquier camino cerrado en un circuito eléctrico.

● Rama: porción de un circuito comprendida entre dos nodos consecutivos.

● Nodos: punto donde 2 o + componentes tienen una conexión común, corresponde a

una unión de alambres hechos de material conductor con una resistencia eléctrica
cercana a 0, en la realidad, en un cable ideal (R = 0). Además, el cable tendrá la
misma tensión para los elementos conectados al nodo.

○ Nodo de referencia o tierra de un circuito (GND):

● Fuente de voltaje: dispositivo que convierte la tensión alterna de la red de suministro,

en una o varias tensiones (continuas) que alimentan los distintos circuitos.

○ Fuente de voltaje ideal: mantiene un voltaje fijo entre sus bornes,

independientemente de la corriente que la atraviesa. La corriente generada
queda determinada por el circuito exterior a la fuente: -Resistencia interna = 0.
 ○ Fuente de voltaje real: posee una resistencia interna distinta de cero y se
encuentra en serie. Al disminuir la corriente, disminuye la tensión y aumenta
el consumo.

● Fuente de corriente

○ Fuente de corriente ideal: mantiene la misma corriente por sus bornes,

independientemente de la tensión en los mismos. El voltaje a través de la
fuente de corriente depende del circuito exterior a la fuente.

○ Fuente de corriente real: posee una resistencia interna distinta de cero y se

encuentra ubicada en paralelo.
Circuitos en serie
● Existe un sólo camino por el que puede circular la corriente.

● Siempre puede simplificarse a una fuente de tensión en serie, con una resistencia
equivalente Req, la cual siempre será mayor a la mayor Ri del círculo.

Circuitos en paralelo
● Existe más de un camino por el que puede circular la corriente.

● Siempre puede simplificarse a una fuente de corriente en serie con una resistencia
equivalente Req, la cual siempre será menor que la menor Ri del circuito.

Divisor de corriente
Es una configuración que puede fragmentar I de una fuente entre diferentes resistencias
conectadas en paralelo.
Divisor de tensión
Es una configuración que reparte la tensión de una fuente entre diferentes resistencias
conectadas en serie.

Transformación de fuente de corriente en fuente de voltaje

Para transformar una fuente práctica de corriente en una fuente práctica de voltaje se calcula
el voltaje de la fuente ideal como:

𝑉𝑆 = 𝐼𝑆𝑅𝑆

Y se conecta la fuente de voltaje en serie con una resistencia Rs.

Para transformar una fuente práctica de voltaje en una fuente de corriente se calcula el voltaje
de la fuente ideal como:
𝑉𝑆
𝐼𝑆 = 𝑅𝑆

Y se conecta la fuente de corriente en paralelo con una resistencia Rs.

Conversión estrella-triángulo de resistencias

● Conversión triángulo a estrella:

𝑅1𝑅2 𝑅1𝑅3 𝑅2𝑅3
𝑅𝑎 = 𝑅1+𝑅2+𝑅3
𝑅𝑏 = 𝑅1+𝑅2+𝑅3
𝑅𝑐 = 𝑅1+𝑅2+𝑅3

● Conversión estrella a triángulo:

𝑅𝑎𝑅𝑏+𝑅𝑎𝑅𝑐+𝑅𝑏𝑅𝑐 𝑅𝑎𝑅𝑏+𝑅𝑎𝑅𝑐+𝑅𝑏𝑅𝑐 𝑅𝑎𝑅𝑏+𝑅𝑎𝑅𝑐+𝑅𝑏𝑅𝑐
𝑅1 = 𝑅𝑐
𝑅2 = 𝑏
𝑅3 = 𝑅𝑎

Análisis de circuitos
Método de corrientes de mallas

1. Asignar arbitrariamente una corriente en sentido horario en cada malla de la red.

2. Indicar las polaridades en cada resistencia en función de esa corriente.

3. Aplicando Ley de Kirchoff de voltajes, escribir las ecuaciones para cada malla de la
red. No olvidar que en caso de resistencias comunes a 2 mallas habrá 2 caídas de
voltaje, una debida a cada malla.
 4. Resolvemos las ecuaciones lineales resultantes.

5. Las corrientes de rama se calculan algebraicamente usando las corrientes de malla

calculadas.

a. Rii → Resistencia de la malla i: suma de las R que pertenecen a la malla i;

siempre términos positivos (+).

b. Rij → Resistencia mutua: la suma de las resistencias compartidas entre las

mallas i y j; siempre términos negativos (-).

c. Vi → fem (fuerza electromotriz) total de la malla i: la suma de los voltajes de

las fuentes de la malla i, si una fuente aparece en una rama común debe
incluirse en el cálculo de cada malla.

Método de voltaje de nodos

1. Asignar arbitrariamente un nodo de referencia en el circuito e indicarlo como tierra

(GND).

2. Convertir cada fuente de voltaje en su equivalente de corriente.

3. Asignar voltajes arbitrariamente a los nodos remanentes del circuito. Estos voltajes
serán respecto del nodo de referencia elegido.

4. Asignar arbitrariamente una dirección de corriente para cada rama en la que no hay
una fuente de corriente. Con estas direcciones, indicar las polaridades de las caídas de
voltaje en cada resistencia.
 5. Aplicar Ley de Kirchhoff para las corrientes en cada nodo, excepto el de referencia. Si
el circuito tiene (n+1) nodos, habrá n ecuaciones lineales.

6. Re-escribir las corrientes en función de la diferencia de potencial a través de cada

resistencia conocida.

7. Resolver el sistema de ecuaciones para los voltajes de nodos (V1, V2, …, Vn).

a. Gii → Conductancia del nodo: suma de todas las conductancias unidas al nodo
i; siempre positiva (+).

b. Gij → Conductancia mutua entre los nodos i y j: suma de todas las

conductancias comunes a los nodos i y j; siempre negativa (-).

c. Ii → Corriente total del nodo i: suma algebraica de todas las corrientes del
nodo.

Tema 2: Teoremas de redes

Teoremas de superposición, Thevenin y Norton. Su aplicación en la resolución de circuitos.

Teorema de superposición
“La corriente o el voltaje que fluye a través de cualquier elemento de una red es igual a la
suma algebraica de las corrientes o voltajes producidos de forma independiente por cada
fuente”.
Nos permite determinar una corriente o voltaje utilizando sólo una fuente a la vez. Una vez
obtenida cada fuente, se combinan los resultados para obtener la solución total.

“Cuando se quita una fuente de voltaje de un esquema de red, reemplacela con una conexión
directa (cortocircuito E = 0 V) de 0 ohms. Cualquier resistencia interna asociada con la fuente
debe permanecer en la red”.

“Cuando se quita una fuente de corriente de un esquema de red, reemplacela con un circuito
abierto (I = 0 A) de ohms infinitos. Cualquier resistencia interna asociada con la fuente debe
permanecer en la red”.

Como el efecto de cada red se determinará de forma independiente, el número de redes que se
analizarán será igual al de las fuentes.

● Si se va a determinar una corriente particular de una red, debe determinarse la

contribución de cada fuente a esa corriente. Cuando se ha determinado el efecto de
cada fuente, las corrientes que están en la misma dirección se suman y las de
dirección opuesta se restan.

● Si se va a determinar un voltaje particular de una red, debe determinarse la

contribución de cada fuente a dicho voltaje. Cuando se ha determinado el efecto de
cada fuente, los voltajes con igual polaridad se suman y los de polaridad opuesta se
restan.

Ejemplo 1:

Utilizando este teorema, determine la corriente a través del resistor R2 en la siguiente red:
1. Para analizar el efecto de la fuente de voltaje de 36 V, hay que reemplazar la fuente de
corriente por un circuito abierto. Como resultado obtenemos un circuito en serie
simple con una corriente igual a:

' 𝐸 𝐸 36 𝑉
𝐼2 = 𝑅𝑒𝑞
= 𝑅1+𝑅2
= 18 Ω
= 2𝐴

2. Para examinar el efecto de la fuente de corriente de 9 A, se requiere reemplazar la

fuente de voltaje con un cortocircuito. El resultado es una combinación en paralelo de
los resistores R1 y R2. Aplicando la regla divisora de corriente:

'' 𝑅1𝐼 12 Ω*9 𝐴 108 Ω𝐴

𝐼2 = 𝑅1+𝑅2
= 12 Ω+6 Ω
= 18 Ω
= 6𝐴

Dado que la contribución a la corriente I2 tiene la misma dirección de cada fuente, la

solución total para I2 es la suma de las corrientes establecidas, por las dos fuentes:

' ''
𝐼2 = 𝐼2 + 𝐼 = 2 𝐴 + 6 𝐴 = 8 𝐴
2
Ejemplo 2:

Utilizando el teorema de superposición, determine la corriente a través del resistor de 12 Ω.

Para considerar los efectos de la fuente de 54 V es necesario reemplazar la fuente de 48V con
un cortocircuito.

El resultado es que los resistores R2 y R3 están en paralelo.

La resistencia total vista por la fuente es:

𝑅𝑇 = 𝑅1 + (𝑅2||𝑅3) = 24 Ω + (12 Ω||4 Ω) = 24 Ω + 3 Ω = 27 Ω

Y la corriente de la fuente es:

𝐸1 54 𝑉
𝐼𝑆 = 𝑅𝑇
= 27 Ω
= 2𝐴

Con la regla divisora de corriente se obtiene la contribución de la fuente de 54 V, a la

corriente I2:

' 𝑅3𝐼𝑆 4 Ω*2 𝐴

𝐼2 = 𝑅3+𝑅2
= 4 Ω+12 Ω
= 0, 5 𝐴

Si ahora reemplazamos la fuente de 54 V con un cortocircuito:

Como resultado se obtiene un circuito con conexión en paralelo de R1 y R2. Por lo tanto, la
resistencia total vista por la fuente de 48 V es:

𝑅𝑇 = 𝑅3 + (𝑅2||𝑅1) = 4 Ω + (12 Ω||24 Ω) = 4 Ω + 8 Ω = 12 Ω

Y la corriente de la fuente es:

𝐸2 48 𝑉
𝐼𝑆 = 𝑅𝑇
= 12 Ω
= 4𝐴

Con la regla divisora de corriente se obtiene:

'' 𝑅1𝐼𝑆 24 Ω*4 𝐴

𝐼2 = 𝑅1+𝑅2
= 24 Ω+12 Ω
= 2, 67 𝐴

Ahora es importante darse cuenta que la corriente I2 debido a cada fuente tiene una dirección
diferente. Por consiguiente, la corriente neta es la diferencia de las 2 en la dirección de la más
grande:
'' '
𝐼2 = 𝐼2 − 𝐼2 = 2, 67 𝐴 − 0, 5 𝐴 = 2, 17 𝐴

Teorema de Thévenin
“Cualquier red de cd de 2 terminales puede ser reemplazada por un circuito equivalente
compuesto sólo de 1 fuente de voltaje y un resistor en serie”.

Ejemplo:

El teorema establece que toda la red dentro del área punteada a) puede ser reemplazada por
una fuente de voltaje y un resistor b). Si el reemplazo se hace de forma apropiada, el voltaje a
través del resistor RL, y la corriente que fluye por él IL, serán los mismos en cada red.
Procedimiento:

1. Quite la parte de la red donde se encuentra el circuito equivalente de Thévenin. En a)

esto requiere que el resistor de carga RL se quite temporalmente de la red.

2. Marque las terminales de la red restante de 2 terminales.

3. Calcule RTH ajustando primero todas las fuentes en cero (las fuentes de voltaje se
reemplazan con cortocircuitos y las de corriente con circuitos abiertos) y luego
determinando la resistencia resultante entre las 2 terminales marcadas (si se incluye la
resistencia interna de las fuentes de voltaje y la corriente en la red original, debe
permanecer cuando la fuente se ajusta a cero).

4. Calcule ETH regresando primero todas las fuentes a su posición original y

determinando el voltaje de circuito abierto entre las terminales marcadas.

5. Trace el circuito equivalente de Thévenin con la parte del circuito que previamente se
quitó, reemplazado entre las terminales del circuito equivalente. Este paso se indica
por la colocación del resistor RL entre las terminales del circuito equivalente de
Thévenin en b).

Ejemplo 1:

Determine el circuito equivalente de Thévenin del área marcada de la red. Luego determine la
corriente a través de RL con valores 2 Ω, 10 Ω, 100 Ω.
1) y 2) Se retira el resistor de carga RL y se definen las terminales como a y b.

3) Reemplazamos la fuente de voltaje E1 con un cortocircuito equivalente:

Entonces:
2
3 Ω*6 Ω 18 Ω
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1||𝑅2 = 3 Ω+6 Ω
= 9Ω
= 2Ω

Las terminales marcadas son las 2 terminales a través de las cuales se mide la resistencia de
Thévenin.

4) Reemplace la fuente de voltaje. En este caso, el voltaje de circuito abierto ETH, es igual a
la caída de voltaje a través del resistor de 6 Ω. Aplicando la regla divisora de voltaje se
obtiene:
𝑅2𝐸1 3 Ω*9 𝑉 54 Ω𝑉
𝐸𝑇𝐻 = 𝑅2+𝑅1
= 6 Ω+3 Ω
= 9Ω
= 6𝑉

ETH es el potencial de circuito abierto entre a y b. Recuerde que un circuito abierto puede
tener cualquier voltaje a través de él, pero la corriente DEBE ser IGUAL A CERO; de hecho,
la corriente a través de cualquier elemento en serie con un circuito abierto también debe ser
cero.
5)
𝐸𝑇𝐻
𝐼𝐿 = 𝑅𝑇𝐻+𝑅𝐿

● Cuando RL tiene el valor de 2 Ω: 𝐼𝐿 = 1, 5 𝐴

● Cuando RL tiene el valor de 10 Ω: 𝐼𝐿 = 0, 5 𝐴

● Cuando RL tiene el valor de 100 Ω.: 𝐼𝐿 = 0, 06 𝐴

Valores experimentales:

● ETH se determina con un voltímetro conectado a las terminales de salida de red. La

resistencia interna del voltímetro debe ser considerablemente más grande que el nivel
esperado de RTH.

● RTH se puede medir ajustando todas las fuentes a cero y midiendo la resistencia en
las terminales de salida.

● RTH se determina conectando un amperímetro a través de las terminales de salida

para medir la corriente de cortocircuito y luego utilizando el voltaje del cortocircuito
para calcular la resistencia de Thévenin de la siguiente manera:
𝑉𝑎𝑐
𝑅𝑇𝐻 = 𝐼𝑠𝑐

Teorema de Norton
“Cualquier red de cd bilateral lineal de 2 terminales puede ser reemplazada por un circuito
equivalente compuesto de una fuente de corriente y un resistor en paralelo”.
Procedimiento:

1. Quite la parte de la red a través de la cual se encuentra el equivalente de Norton.

2. Marque las terminales de la red restante de 2 terminales.

3. Calcule RN ajustando a cero todas las fuentes (las fuentes de voltaje se reemplazan
con cortocircuitos y las de corriente con circuitos abiertos) y luego determinando la
resistencia resultante entre las 2 terminales marcadas. Si la resistencia interna de las
fuentes de voltaje y/o corriente está incluida en la red original, debe permanecer
cuando las fuentes se ajustan a cero. Como RN = RTH, el procedimiento y el valor
obtenido con el procedimiento de Thévenin determinarán el valor apropiado de RN.

4. Calcule IN regresando todas las fuentes a su posición original y luego determinando

la corriente de cortocircuito entre las terminales marcadas. Es la misma corriente que
mediría con un amperímetro colocado entre las terminales marcadas.

5. Trace el circuito equivalente de Norton con la parte del circuito previamente retirado,
reemplazado entre los terminales del circuito equivalente.

Conversión entre circuitos equivalentes de Thévenin y Norton:

Ejemplo 1:

Determine el circuito equivalente de Norton para la red de área marcada.

1) y 2)

3)

2
3 Ω*6 Ω 18 Ω
𝑅𝑁 = 𝑅1||𝑅2 = 3 Ω||6 Ω = 3 Ω+6 Ω
= 9Ω
= 2Ω

4)

La conexión de cortocircuito entre a y b está en paralelo con R2 y elimina su efecto. Por lo

tanto, IN es la misma a través de R1 y el voltaje total de la batería aparece a través de R1
puesto que:

𝑉2 = 𝐼2𝑅2 = 0 * 6 Ω = 0 𝑉

Así que:
𝐸 9𝑉
𝐼𝑁 = 𝑅1
= 3Ω
= 3𝐴
5)

Equivalencias entre circuitos:

Tema 3: Materiales y técnicas de aplicación en electrónica
Componentes electrónicos básicos: el resistor, el capacitor y el inductor; caracterización,
aspectos físicos y constructivos, materiales empleados. Clasificación y codificación. Criterios
de selección. Otros componentes de uso en electrónica. Técnica de soldadura y aspectos
generales en el diseño de circuitos impresos electrónicos.

Componentes electrónicos

Resistor
Son componentes fabricados especialmente para ofrecer una determinada resistencia eléctrica
al paso de la corriente y supone una pérdida de energía en forma de calor.

Tipos:

● Resistencias lineales fijas: su valor de resistencia es constante y está predeterminado

por el fabricante; se clasifican en:

○ Resistencias fijas de carbón: construidas en base a carbón y grafito. Son de

pequeño tamaño y baja disipación de potencia. Se dividen en:

■ Aglomeradas: robustez mecánica y eléctrica, elevado coeficiente de

temperatura (ΔR/°C), elevado nivel de ruido, sensibles a la humedad.

■ Capa de carbón: bajo coeficiente de temperatura (ΔR/°C), ruido

prácticamente nulo, más precisas que las aglomeradas, disponibles para
voltajes mayores.
 ○ Resistencias fijas metálicas: Están constituidas por metales, óxidos y
aleaciones metálicas como material base. Tipos:

■ De capa metálica: están constituidas por aleaciones de NiCr o capa de

oro y platino aleados. Características: gran estabilidad y precisión, bajo
coeficiente de temperatura (ΔR/°C), reducido nivel de ruido, rangos
reducidos de potencia/tensión.

■ De película metálica: están constituidas por metales, óxidos y

aleaciones metálicas como material base. Características: bajo rango de
potencias (<1/2 w), aplicado a redes de resistencias.

■ Bobinadas: Están constituidas hilo de una aleación resistiva que es

bobinado sobre un tubo de cerámica o de fibra de vidrio.
Características: gran disipación de potencia y elevadas temperaturas de
trabajo, elevada precisión, coeficiente de temperatura bajo,
considerables efectos inductivos, tolerancias muy pequeñas, valores
óhmicos bajos en aleaciones de Cu y altos en aleaciones de NiCr.

● Resistencias variables: su valor de resistencia puede variar dentro de determinados

límites mediante un tercer terminal que se puede mover desplazándose sobre el
elemento resistivo. El desplazamiento puede ser angular o longitudinal. Tipos:
potenciómetros, trimmers o resistencias ajustables y reóstatos. Se dividen en:

○ De capa: de carbón (carbón mezclado con baquelita y plastificante), metálica

(óxidos de estaño y antimonio) o Cermet (materiales vítreos y metales nobles).

○ Bobinadas: de baja disipación (aleaciones de NiCu y NiCr), de alta potencia o

de precisión (aleaciones de Au y Ag).

● Resistencias no lineales: su valor de resistencia varía en forma no lineal y es

generalmente función de alguna magnitud física (luz, temperatura, tensión, etc.). Por
esto estas resistencias son consideradas como sensores. Se clasifican en:

○ Termistores (temperatura): La resistencia nominal se define para una

temperatura ambiente de 25°C. Se dividen en 2 tipos:

■ NTC: su valor disminuye cuando aumenta la temperatura, por lo tanto

presenta un coeficiente de temperatura negativo. Aplicaciones:
regulación, compensación de temperatura, estabilización de tensión,
medición de temperaturas, alarma, etc.

■ PTC: su valor aumenta cuando aumenta la temperatura, por ende

presenta un coeficiente de temperatura positivo, pero solo se da para un
rango de temperaturas. Aplicaciones: limitación de corriente,
protección de recalentamiento de equipos, medición de temperaturas,
etc.
 ○ Varistores-VDR (tensión): experimentan una disminución de su resistencia
cuando aumenta la tensión aplicada a sus extremos. Aplicaciones:
proporcionan una protección contra transitorios de alto voltaje, regulación de
tensión.

○ Fotoresistencias-LDR (luz): su resistencia disminuye cuando aumenta la luz

que incide sobre ella.

Identificación:
Capacitor
Los condensadores son componentes pasivos diseñados con el fin de almacenar energía
electrostática y presentar una capacidad eléctrica determinada. Unidad: Faradio [F],
usualmente se usan submúltiplos: micro [uF], nano [nF], pico [pF].

Tipos:

● Condensadores fijos: su capacidad es fija, determinada por el fabricante.

○ Tipos: plástico metalizado MK, lámina de plástico, cerámicos, y electrolíticos

(de aluminio o de tantalio).

● Condensadores variables: presentan una capacidad que se puede variar entre ciertos
límites. Pueden ser de ajuste (trimmers), o de variación con cierta frecuencia
(sintonizadores de radio). La variación de la capacidad se lleva a cabo por el
desplazamiento mecánico de placas enfrentadas.

Inductor
Es un componente electrónico pasivo que almacena energía en forma de campo magnético, y
está formado generalmente por un cable arrollado (bobina). Unidad: Henri [H], usualmente se
usan submúltiplos como el micro [uH].

Núcleos de las Inductancias:

● Aire: generalmente se arrollan sobre una base cerámica, son usados en aplicaciones
altas frecuencias y valores bajos de inductancias.
● Hierro: están formados por placas de hierro laminado o hierro en polvo ligado por un
material aislante, son usados en aplicaciones de bajo costo y bajas potencias.
● Ferrite: está compuesto por óxido de hierro mezclado con otros óxidos metálicos, son
usados en aplicaciones de mediana potencia.
Tema 4: Instrumentos para medir y generar ondas
Generadores de ondas, características, controles y técnica de uso. Amperímetro. Voltímetro.
Óhmetro. Osciloscopio, diagrama de bloques y principio de funcionamiento. Análisis
funcional de cada bloque y su relación con los controles del operador. Mediciones. Diferentes
tipos de osciloscopios.

Instrumentos
Al medir una cantidad eléctrica o una cantidad que se convierte a una forma eléctrica, el
instrumento de medición debe indicar de algún modo el resultado. Los mecanismos más
comunes que usan los instrumentos para dar el resultado se encuentran en los medidores
analógicos o digitales y en los osciloscopios. Los medios analógicos (electromecánicos y
electrónicos) usan una aguja que se mueve a lo largo de una escala para indicar el valor de la
cantidad medida, en los digitales se emplea un display (con diodos led o LCD). Entre ellos:

● Amperímetro, voltímetro y óhmetro (multímetro o tester):

● Osciloscopio:
 ● Generador de funciones:

Amperímetro analógico de corriente continua (cd)

Resistencia de derivación

El movimiento básico de un amperímetro c.d. es un movimiento PMMC (movimiento de

D’Arsonval o movimiento de imán permanente y bobina móvil). Puesto que el devanado de
la bobina del movimiento es pequeño y ligero, sólo puede conducir corrientes muy pequeñas.
Cuando se miden corrientes elevadas es necesario desviar la mayor parte de la corriente por
una resistencia en paralelo, llamada de derivación (shunt).

La resistencia de derivación se calcula aplicando un análisis convencional de circuitos a la

siguiente figura donde:

● Rm = resistencia interna del movimiento (resistencia de la bobina).

● R1 = resistencia de derivación.
● Im = corriente máxima del movimiento.
● I1 = corriente de derivación.
● It = corriente a plena escala del amperímetro (corriente total).

Ya que la resistencia en derivación está en paralelo con el movimiento del medidor, el voltaje
a través de la resistencia y el medidor deben ser iguales:

𝑉𝑑𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎𝑐𝑖ó𝑛 = 𝑉𝑚𝑜𝑣𝑖𝑚𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜

𝐼𝑙𝑅𝑙 = 𝐼𝑚𝑅𝑚

𝐼𝑚𝑅𝑚
𝑅𝑙 = 𝐼𝑙
Como I1 = It - Im, se puede escribir:
𝐼𝑚𝑅𝑚
𝑅𝑙 = 𝐼𝑡−𝐼𝑚

Para cada valor de corriente necesaria a plena escala, se puede calcular el valor de resistencia
de derivación (shunt) requerida.

La escala de corriente del amperímetro se puede extender mediante varias resistencias de

derivaciones, seleccionadas por un selector de rango. Tal medidor se llama amperímetro
multirango.

La siguiente figura muestra el diagrama esquemático de un amperímetro multirango.

El circuito tiene tres derivaciones: R1, R2 y R3, que se pueden conectar en paralelo con el
movimiento para dar tres escalas de corriente diferentes. El interruptor es de tipo
multiposición, del tipo que hace conexión antes de desconectar, de manera que el movimiento
no se vea afectado cuando el circuito se queda sin protección, es decir sin derivación, cuando
se cambia de rango.

Shunt de Ayrton

La derivación universal o de Ayrton de la figura, elimina las posibilidades de tener el medidor

sin ninguna derivación en el circuito. Esta ventaja se obtiene a expensas de llegar a tener una
resistencia total del medidor ligeramente mayor.
Cuando el selector está conectado a la posición It1, el medidor queda en paralelo con la suma
de las tres resistencias, por las que circula una corriente denominada I1:

𝐼𝑙(𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3) = 𝐼𝑚𝑅𝑚

Lo que es igual a:

(𝐼𝑡1 − 𝐼𝑚)(𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3) = 𝐼𝑚𝑅𝑚 𝑒𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 1

Cuando el selector está conectado a la posición It2, el medidor queda en serie con R1,
circulando por ambos la corriente máxima del medidor Im. Rm y R1 quedan en paralelo con
la suma de R2 y R3, por las que circula una corriente denominada I2:

𝐼2(𝑅2 + 𝑅3) = 𝐼𝑚(𝑅𝑚 + 𝑅1)

lo que es igual a:

(𝐼𝑡2 − 𝐼𝑚)(𝑅2 + 𝑅3) = 𝐼𝑚(𝑅𝑚 + 𝑅1) 𝑒𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 2

Cuando el selector está conectado a la posición It3, el medidor queda en serie con R1 y R2,
circulando por ellos la corriente máxima del medidor Im. Rm, R1 y R2 quedan en paralelo
con R3, por las que circula una corriente denominada I3:

𝐼3𝑅3 = 𝐼𝑚(𝑅𝑚 + 𝑅1 + 𝑅2)

lo que es igual a:

(𝐼𝑡3 − 𝐼𝑚)𝑅3 = 𝐼𝑚(𝑅𝑚 + 𝑅1 + 𝑅2) 𝑒𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 3

El sistema formado por las ecuaciones 1, 2 y 3 se puede resolver por sustitución o por
determinantes para obtener los valores de R1, R2 y R3.

Tomar las siguientes precauciones cuando se use un amperímetro en un trabajo de medición:

1. No conectar un amperímetro en paralelo con una fuente de tensión. ya que por su baja
resistencia circularía una corriente muy alta que puede destruir el movimiento.
siempre se conecta el amperímetro en serie con una carga capaz de limitar la
corriente.

2. Obsérvese la polaridad correcta. la polaridad inversa causa que el medidor deflecte

contra el mecanismo de tope y esto podría dañar la aguja.

3. Cuando se utilice un medidor multirango, primero se usa la escala de corriente más

alta, luego se disminuye la escala de corriente hasta obtener la deflexión adecuada
para incrementar la exactitud de la medición, se emplea una escala que dé una lectura
tan cercana al fondo de escala como sea posible (ver errores límite, unidad medición y
error).
Voltímetro analógico de corriente continua
La adición de una resistencia en serie (o multiplicadora) convierte al movimiento básico
PMMC en un voltímetro de [Link] resistencia multiplicadora limita la corriente a través del
movimiento de forma que no exceda el valor de la corriente de deflexión a plena escala (Im).
Un voltímetro de cd mide la diferencia de potencial entre dos puntos de un circuito de c.d. y
por lo tanto se debe conectar en paralelo con una fuente de tensión o de un componente de un
circuito. Los terminales del medidor generalmente están marcados con + y -, ya que se debe
observar la polaridad.

El valor de la resistencia multiplicadora necesaria para la escala de voltaje se calcula en base

a la siguiente figura, donde:

● Im = corriente de deflexión a plena escala del movimiento (corriente máxima).

● Rm = resistencia interna del movimiento.
● R1 = resistencia multiplicadora.
● V = tensión a plena escala del instrumento.

𝑉 = 𝐼𝑚(𝑅1 + 𝑅𝑚)

Al despejar R1 se obtiene:
𝑉
𝑅1 = 𝐼𝑚
− 𝑅𝑚

Varias resistencias multiplicadoras, junto con un selector de rango, proveen al instrumento de

varias escalas de trabajo. En la figura siguiente se observa un voltímetro multirango con
selector de tres posiciones y tres resistencias multiplicadoras independientes, R1, R2 y R3;
para las escalas V1, V2 y V3.

Los valores de las resistencias multiplicadoras se calculan con el método visto anteriormente
o con el método de sensibilidad, que veremos a continuación.
Una variación del circuito anterior se presenta a continuación, donde las resistencias
multiplicadoras están conectadas en serie. Este sistema presenta la ventaja de que todas las
resistencias multiplicadoras, excepto R1, tienen resistencias normalizadas y se pueden
obtener comercialmente con tolerancias de precisión. Sólo la resistencia multiplicadora de la
escala más baja se debe fabricar para que cumpla los requisitos del circuito.

Cuando el selector se encuentra en la escala V1:

𝑉1
𝑅1 = 𝐼𝑚
− 𝑅𝑚

Cuando el selector se encuentra en la escala V2:

𝑉2
𝑅2 = 𝐼𝑚
− (𝑅𝑚 + 𝑅1)

Cuando el selector se encuentra en la escala V3:

𝑉3
𝑅3 = 𝐼𝑚
− (𝑅𝑚 + 𝑅1 + 𝑅2)

Se deben observar las siguientes precauciones cuando se utilice un voltímetro:

1. Conéctese el voltímetro en paralelo con el circuito o componente cuyo voltaje se va a

medir.

2. Obsérvese la polaridad correcta; ya que si es incorrecta origina en el medidor un giro

contra el mecanismo de tope, lo que puede llegar a dañar la aguja.

3. Cuando se emplee un voltímetro de escala múltiple; hay que utilizar la escala de

mayor voltaje y posteriormente disminuirla hasta tener una lectura lo más cercana a la
parte superior de la escala.

4. Considere el efecto de carga. Este se puede minimizar seleccionando la escala de

voltaje más alta (y mayor sensibilidad) como sea posible. la exactitud de la medición
si la indicación está en el extremo inferior de la escala (ver errores límite, unidad
medición y error).
Óhmetro tipo serie
El óhmetro tipo serie consta de un movimiento PMMC conectado en serie con una resistencia
y una batería, con un par de terminales a los cuales se conecta la resistencia desconocida. La
corriente que circula por el movimiento PMMC depende de la magnitud de la resistencia
desconocida y la indicación del medidor es proporcional a su valor, siempre y cuando se
hayan tomado en cuenta los problemas de calibración.

Aún cuando el óhmetro tipo serie es un diseño popular y se utiliza extensamente en los
instrumentos portátiles de uso general, tiene ciertas desventajas.

La más importante se relaciona con la disminución del voltaje de la batería interna con el
tiempo y el uso, de manera que la corriente a escala completa disminuye y el medidor “no lee
0” cuando A y B están en cortocircuito.

La resistencia de derivación R2 (en paralelo con el movimiento) en la figura siguiente, provee

el ajuste para contrarrestar el efecto de descarga de la batería.

● R1 = resistencia limitadora de corriente.

● R2 = resistencia de ajuste a cero.
● V = Batería interna.
● Rm = resistencia interna del PMMC Rx = resistencia desconocida (que se quiere
medir).

Cuando la resistencia desconocida Rx es igual a cero (terminales A y B en cortocircuito),

circula corriente máxima en el circuito. En éstas condiciones, la resistencia R2 se ajusta hasta
que la corriente sea máxima; la posición de la aguja marca “ 0 ohm”. De forma similar,
cuando Rx es igual a infinito (terminales A y B abiertas), la corriente en el circuito es cero y
el PMMC marca “ infinito” en la escala. Se colocan las marcas intermedias en la escala
conectando en los terminales del instrumento valores conocidos de R.

Una cantidad conveniente en el diseño de un óhmetro tipo serie es el valor de Rx que origina
una deflexión a la mitad de la escala del medidor. En esta posición, la resistencia a través de
los terminales A y B se define como la resistencia de media escala Rh(Rhalf).

El diseño se puede analizar puesto que al definir Rh como la resistencia que provoca el
movimiento a la mitad de la escala, la resistencia interna total del medidor debe tener el
mismo valor.
 𝑅2𝑅𝑚
𝑅ℎ − 𝑅 1 + 𝑅2+𝑅𝑚

La resistencia total que se presenta a la batería es igual a 2Rh, y la corriente necesaria para la
deflexión a media escala es:
𝐸
𝐼ℎ = 2𝑅ℎ

Para producir la deflexión a plena escala, la corriente por la batería se debe duplicar:
𝑉
𝐼𝑡 = 2𝐼ℎ = 𝑅ℎ

La corriente de derivación a través de R2 es:

𝐼2 = 𝐼𝑡 − 𝐼𝑚

Como están en paralelo, la tensión en la resistencia de derivación R2 es igual a la tensión del

movimiento PMMC:
𝐼𝑚𝑅𝑚 𝐼𝑚𝑅𝑚
𝑉𝑚 = 𝑉2 ⇒ 𝐼𝑚𝑅𝑚 = 𝐼2𝑅2 ⇒ 𝑅2 = 𝐼2
⇒ 𝑅2 = 𝐼𝑡−𝐼𝑚

𝐼𝑚𝑅𝑚𝑅ℎ
𝑅2 = 𝑉−𝐼𝑚𝑅ℎ

Despejando R1 de la primer ecuación se obtiene:

𝑅2𝑅𝑚
𝑅1 = 𝑅ℎ − 𝑅2+𝑅𝑚

Osciloscopio
El mecanismo de despliegue disponible en el osciloscopio de rayos catódicos (ORC) es el
tubo de rayos catódicos (TRC), que genera un rayo de electrones (el rayo catódico) dirigido
de tal modo que al chocar con una pantalla fosforescente situada al final del tubo, emite un
haz visible.
Diagrama de bloque:

Consta de:

● Tubo de rayo catódico (TRC):

○ Funciones:

■ Generar el haz de electrones (cátodo):

■ Acelerarlo y enfocarlo:

■ Generar un punto luminoso en la pantalla (ánodo) sobre la que

impacta.

■ Controlar su desplazamiento (deflexión horizontal y vertical por medio

de las placas deflectoras):

■ Formación de la imagen:
 ○ Controles asociados al TRC:

■ Intensidad (Intensity).

■ Foco (Focus).

■ Astigmatismo (Astig).

● Sistema de deflexión vertical:

○ Funciones:

■ Acondicionar la señal:

● Amplificarla o atenuarla.

● Filtrarla.

■ Ajustar el “0” para mediciones de amplitud (voltaje).

○ Controles asociados:

■ Selectores de acoplamiento de entrada (AC-GND-DC): estas selectoras

se utilizan para conectar la señal de entrada al Amplificador Vertical.
En el MODO AC, la señal es conectada a través de un capacitor, el
cual elimina (filtra) cualquier componente de continua que pudiera
tener la señal de entrada. En el MODO GND la entrada es enviada a
tierra (masa). En el MODO DC la entrada de señal es conectada
directamente al amplificador vertical y es mostrada sin cambios,
incluyendo la componente de continua.

■ Sensibilidad o Volts/div: mediante éste selector de atenuación se varía

el factor de deflexión vertical y se elige la amplitud de la señal
mostrada.

■ Control de sensibilidad sin calibración: los controles finos se utilizan

para variar la deflexión vertical en forma continua. Atenuaciones de
menos de 1/2,5 se obtienen cuando este control es rotado en dirección
opuesta al máximo. Es utilizado cuando se comparan formas de onda o
 cuando se miden los tiempos de crecimiento de ondas cuadradas en
ambos canales. Cuando está en la posición PULL, la ganancia del
amplificador vertical es magnificada 5 posiciones de la llave
TIME/DIV y la máxima sensibilidad se obtiene en 1 mV/Div.

■ Controles de posición vertical del haz (V-Pos): Este control es usado

para ajustar la posición del eje vertical (uno para CH1 y otro para
CH2). Cuando éste control es tirado (pull), el rango de ajuste del
vertical que da la posición del trazo puede ser magnificado por él.

■ Selector de modos (vertical): Esta llave es utilizada para seleccionar el

modo de operación del sistema de deflexión vertical.

● CH1: sólo la señal del canal 1 es aplicada al vertical.

● CH2: sólo se aplica la señal del canal 2.

● ALT: se aplican respectivamente las señales del CH1 y CH2

aparecen en la pantalla alternativamente.

● CHOP: en este modo las señales aplicadas a CH1 y CH2 son

switcheadas aproximadamente a 250 KHz independientemente
de la base de tiempo, apareciendo al mismo tiempo en la
pantalla. Este modo se usa cuando la base de tiempo es grande
para la observación en dos canales o cuando las señales son de
baja frecuencia.

● ADD: la suma algebraica de las señales de entrada aplicadas a

los canales 1 y 2 aparecen en la pantalla.

● Doble trazo:

○ Controles asociados:

■ CH1.

■ CH2.

■ Alternado.

■ Chopp.
● Sistema de deflexión horizontal:

○ Funciones:

■ Generar una señal de voltaje adecuado para aplicar a las placas

horizontales:

● El movimiento del haz sea proporcional al tiempo.

● El movimiento del haz sea constante.

■ La señal se aplique repetidamente (periódica) a velocidad adecuada.

● Señal de diente de sierra:

○ Controles asociados:

■ H-Pos.

■ Tiempo/División (Time/div).

■ Control de magnificación del CH1: La señal del CH1 puede ser vista
alternativamente en escala X1 (normal) y X10 (magnificada).
● Sistema de sincronismo:

○ Clave: El trazado sobre la pantalla debe comenzar siempre en el mismo punto

de la señal de entrada -> en cada barrido el haz sobrescribe la imagen anterior
permitiendo observar una imagen fija y estable.

○ Controles asociados (level trigg):

■ Nivel (level): Se usa para decidir en qué porción de la señal de entrada

se debe comenzar a sincronizar con la base de tiempo.

■ Pendiente (Slope): presionando éste control (posición normal) se fijan

pendientes positivas (SLOPE +) y tirando de él, pendientes negativas
(SLOPE -).

● Control de disparo:

● Fuente de disparo:

○ Trigger Source: establece el origen de la señal que generará los pulsos.

○ Interno (internal trigger): la señal de entrada se toma del amplificador vertical

y se usa como señal de disparo.

■ CH1: el disparo se realiza con la señal del canal 1.

■ CH2: el disparo se realiza con la señal del canal 2.

■ Dual: alterna entre ambos canales.

○ Externo (external trigger): el barrido se dispara con la señal presente en el

conector de disparo externo.
 ● Modo de disparo o de barrido:

○ Función: permite establecer cómo se realizará el barrido. Para ello se usa el

control: modo de disparo (Trigger Mode):

■ AUTO: el barrido se hace siempre.

■ NORM: barre sólo si existe sincronismo.

■ LINE: usada para disparar el barrido con señales de línea (60 Hz).

● Modo X-Y:

○ Función: permite producir el barrido horizontal de la pantalla por medio de

una señal externa y la diente de sierra.

● Puntas de prueba:

○ Modo no atenuado: limitado a aplicaciones de baja frecuencia (x1).

○ Modo atenuado con compensación: reduce 10 veces la amplitud (x10).

● Calibración.

Circuitos de base de tiempo:

La aplicación más común de un osciloscopio es mostrar variaciones de señal contra el tiempo

(modo Y – t). Para generar este tipo de despliegue se debe aplicar a las placas de deflexión
horizontal una tensión que haga que la posición horizontal del haz sea proporcional al tiempo.
Además, se debe aplicar esta misma tensión repetidas veces a las placas horizontales para que
el haz pueda volver a trazar la misma trayectoria con la suficiente rapidez para que el punto
móvil de luz se vea como una línea sólida. Por último, se debe sincronizar dicha tensión con
la señal periódica que se esté mostrando de tal manera que realmente se vuelva a trazar la
misma trayectoria y aparezca una imagen estable en la pantalla del osciloscopio.

Los circuitos de base de tiempo del osciloscopio efectúan la tarea de producir esta señal de
tensión repetitiva y sincronizada. La señal generada por los circuitos de base de tiempo se
llama onda de barrido. Tiene la forma de un diente de sierra y se muestra a continuación (en
donde V es la tensión aplicada a las placas horizontales del tubo de rayos catódicos).
Si el punto del haz de electrones se localiza en la orilla izquierda de la pantalla cuando t = 0,
el voltaje en aumento de la onda de barrido hará que el punto (y por lo tanto el haz) recorra
horizontalmente la pantalla.

Al final de T1 segundos, el punto se habrá movido horizontalmente a lo ancho de toda la

pantalla. Durante el tiempo de T1 a T2, V disminuirá hasta cero y el punto regresará
rápidamente al extremo izquierdo de la pantalla. De t = 0 hasta t = T1, V aumenta linealmente
con el tiempo y así la posición del punto durante este intervalo será proporcional al tiempo
transcurrido desde el principio de la onda de barrido. El control Tiempo/div en el tablero del
instrumento determina cuánto tiempo toma la onda de barrido para mover el punto a través de
una división de la pantalla. Si no se aplica una señal externa a las placas verticales, una onda
de barrido hará que el punto trace una línea horizontal en la pantalla del osciloscopio. Si hay
voltaje de entrada vertical, la onda de barrido originará el despliegue de una gráfica de V
contra t en la pantalla. Durante el intervalo pequeño (t= T1 a t = T2), el punto regresa del
extremo izquierdo de la pantalla hasta su posición inicial, por lo que se emplean circuitos
adicionales para apagar el haz. Esta acción evita que el haz deje una línea en la trayectoria de
regreso y se llama blanqueo o supresión del haz de retorno.

La siguiente figura muestra cómo se despliega la variación de una señal de entrada con ayuda
de la onda de señal de barrido.

Examínese ahora un diagrama de bloques de los circuitos de base de tiempo para comprender
cómo se genera la onda de barrido. Se ve que una señal llamada señal de disparo alimenta
primero al generador de pulsos de la base de tiempo. Cada vez que esta señal de disparo cruza
una condición preseleccionada de pendiente y nivel de voltaje, el generador de pulsos emite
un pulso. El pulso emitido dispara al generador de barrido que comienza a producir un ciclo
de la onda de barrido.
La siguiente figura muestra cómo se relacionan con el tiempo la señal de disparo, los pulsos
emitidos y la onda de barrido. Nótese que no todos los pulsos del generador de pulsos hacen
que el generador de barrido origine una onda de barrido por cada pulso. Si el generador de
barrido recibe un pulso a la mitad de un ciclo de barrido, lo ignora. Esto permite que el
osciloscopio muestre más de un periodo de la señal de entrada sin tener que volverse a
disparar una nueva onda de barrido. El generador de barrido detiene su salida al final de cada
ciclo y espera la llegada del siguiente pulso antes de producir una nueva onda de barrido.

El punto en la señal de disparo en el que el generador de pulsos emite un pulso se controla

mediante los interruptores de pendiente de disparo (trigger slope) y de nivel de disparo
(trigger level) del osciloscopio. El interruptor de pendiente de disparo permite escoger si la
pendiente de la señal de disparo debe ser positiva o negativa cuando el generador emite un
pulso. De igual modo, el interruptor de nivel de disparo determina el valor (con signo y
magnitud) del voltaje de disparo al cual se genera un pulso. Por ejemplo, si se ajusta el
interruptor de nivel de disparo a cero y el interruptor de pendiente de disparo a positivo, se
disparará un pulso (y por lo tanto una onda de barrido) cuando la señal de disparo pase por
"O" en una pendiente positiva.

Como la señal de disparo es el estímulo que origina que se inicie la onda de barrido, la señal
de disparo y el despliegue en la pantalla del osciloscopio deben sincronizarse para lograr una
imagen estable. Es fácil lograr esta sincronización si la señal de entrada también actúa como
su propia señal de disparo. En esos casos la señal de entrada y la de disparo están siempre
sincronizadas (siendo una misma señal). Como resultado, la misma señal de entrada inicia la
onda de barrido y el primer punto de la imagen en la pantalla será igual al punto en el que la
pendiente y el nivel de la señal de entrada dispara la onda de barrido. En un osciloscopio real,
este tipo de disparo se llama disparo interno porque una parte de la señal de entrada se toma
del amplificador vertical y se emplea como señal de disparo (ver diagrama en bloques del
sistema horizontal). El único requisito es que la señal de entrada sea lo bastante grande para
producir una deflexión específica (por ejemplo, de 0.5 a 1.0 divisiones) al nivel de
sensibilidad escogido. (Por ejemplo, si se emplea un nivel de sensibilidad de 100 mV /div y
se necesita una deflexión mínima de 0.5 divisiones para emplearse en un disparo interno, la
señal de entrada debe tener una amplitud de al menos 50 m V para producir un pulso de
disparo.) El disparo interno es el tipo más común de disparo que se emplea.
Si se aplica externamente la señal de disparo, la frecuencia de la señal externa fe se debe
relacionar a la frecuencia de la señal de entrada que se esté mostrando, fs mediante la
siguiente ecuación para que sea estable la imagen:

𝑓𝑠 = 𝑁 𝑓𝑒

Aquí, N debe ser un entero o una fracción como, etc. La señal de disparo externa en este caso
se introduce a través de las terminales de entrada marcadas Disparo Externo (External
Trigger, Ext. Trig.).

Una señal externa de disparo es útil para medir diferencias de fase entre dos ondas senoidales
de la misma frecuencia o cuando la amplitud de la señal de entrada es demasiado pequeña
para disparar al generador de pulsos.

En la mayor parte de los osciloscopios, se cuenta con otra característica que permite que el
voltaje de línea de 50 Hz sea la señal de disparo. Este disparo de línea es útil cuando se
observan las ondas que mantienen una relación fija con la frecuencia de la línea. La selección
de la fuente de la señal de disparo (interna, externa, o línea) se controla por medio del
interruptor Fuente de Disparo (Trigger Source).

El interruptor modos de disparo tiene con frecuencia otros modos de operación. El más
común es el que se designa AUTO. Cuando el control de modos de disparo se coloca en la
posición NORMAL, el generador de pulsos emitirá un pulso siempre que la señal de disparo
cruce el nivel cero. La señal de disparo en el modo AUTO también se acopla en el generador
de pulsos. Para poder disparar al generador de pulsos, la señal de disparo debe tener la
suficiente amplitud de señal para originar una deflexión de 0.5 divisiones. Sin embargo, si no
se recibe señal de disparo en el generador de pulsos (o si la señal que se recibe es demasiado
débil), la posición AUTO continúa disparando automáticamente una onda de barrido. Esta
particularidad permite al usuario mostrar una línea horizontal sin alimentar una señal de
disparo. El modo AUTO es el mejor para la mayor parte de los despliegues con barrido
disparado. Como resultado, el interruptor de nivel de disparo se coloca casi siempre en la
posición AUTO. Los tiempos de barrido de las ondas correspondientes se seleccionan con el
control tiempo/div en el tablero del instrumento.

Además de las posiciones discretas y calibradas del interruptor del control tiempo/div, hay
una característica que permite ampliar o expandir la velocidad de barrido. La gráfica en la
pantalla se puede extender aumentando la ganancia del amplificador para dar una observación
más detallada de la onda. Esto se logra empleando el control de expansión o el de ampliación
de barrido (el nombre y la manera exacta de operar depende del tipo de osciloscopio). En
algunos modelos, el empleo del control de expansión permite ampliar continuamente el
despliegue hasta 10 veces (10 x) el tiempo de barrido de la posición seleccionada en el
interruptor tiempo/ div. Desde luego; los tiempos de barrido no están calibrados si el vernier
del control de expansión está fuera del tope CAL. En otros osciloscopios también se dispone
de una ampliación de barrido de 5 x o 10 x. En esos instrumentos, si el vernier CAL del
interruptor tiempo/div permanece en el tope, el barrido aumentado dará todavía un tiempo
calibrado de barrido (a ya sea 5 x o 10 x del ajuste que se tenga del interruptor tiempo/div).
La exactitud del tiempo de barrido para una base de tiempo con 3% de exactitud disminuirá
hasta una exactitud de 5% cuando se empleen los ampliadores de barrido.

Mediciones con el osciloscopio:

● Mediciones de voltaje: el osciloscopio es ante todo un voltímetro. Si se emplea en el

modo de barrido disparado, muestra la variación del voltaje que se aplica a su entrada
vertical con respecto al tiempo. La altura de la deflexión vertical del trazo mostrado
combinado con el ajuste del interruptor V/div da el voltaje pico a pico de la señal de
entrada. Por ejemplo, una onda que aparezca en la pantalla como en la figura siguiente
tiene una trayectoria vertical de cinco divisiones. Si el interruptor de V/ div está
puesto en 0.1 V /div. (y el interruptor Variable (rojo) V/div en la posición calibrar), el
voltaje pico a pico que se indica es 0.5 V.

Para obtener una lectura exacta de la pantalla, colóquese el trazo de modo que los
picos inferiores o superiores estén con una de las líneas de la retícula. También,
colóquese uno de los picos cerca de la línea vertical de centro. Si la onda que se está
examinando es una senoide, se puede convertir la distancia pico a pico para obtener
un valor rms, o eficaz.

● Mediciones de corriente con una resistencia de prueba: aunque el osciloscopio en

realidad mide voltaje, también se pueden efectuar mediciones indirectas de corriente.
Un modo de hacer esto es pasar la corriente a través de una resistencia de prueba
conocida y medir la caída de voltaje que resulte. A continuación se muestra cómo se
puede hacer esa conexión. Con frecuencia se escoge a R de 1Ω que no sea inductiva.
Como V = iR, una resistencia de 1Ω elimina cálculos y da el valor de la corriente
inmediatamente. Cuando se emplea esta conexión, la capacidad de potencia de la
resistencia debe ser bastante grande para manejar la potencia resultante del flujo de la
corriente. Nótese que, a menos que se disponga de una entrada diferencial o a menos
que se flote la tierra del osciloscopio, este método necesita que un lado de la
resistencia esté a tierra. Por lo tanto, no siempre se puede medir la corriente
empleando este método. El uso de sondas de corriente, como se describió
anteriormente, es un método alternativo.
● Mediciones de tiempo: cuando se utiliza en el modo de barrido disparado, el circuito
de base de tiempo de un osciloscopio se emplea para dar ondas de barrido con varios
valores de tiempos de barrido (seg/div). Si se muestra una señal cuando se ajusta el
osciloscopio a un tiempo de barrido por división específico, el número de divisiones
horizontales entre dos puntos a lo largo de la onda de señal es una medida del tiempo
transcurrido.
● Mediciones de frecuencia (Método de barrido disparado): la medición de la frecuencia
f de ondas periódicas con el método de barrido disparado es esencialmente la misma
técnica que se utiliza para medir el tiempo. Sin embargo, se debe hacer un cálculo
adicional para determinarla. La frecuencia de una onda es el número de ciclos por
segundo, por lo tanto:
1
𝑓= 𝑇

donde T es el tiempo de un ciclo, es decir, el período.

● Mediciones de fase (método de barrido disparado): Se puede encontrar la diferencia

de fase entre dos ondas de la misma frecuencia empleando el método del barrido
disparado y el método de las figuras de Lissajous. En esta sección se describe el
método de barrido disparado. Este método de determinación de diferencia de fase
compara la fase de dos señales usando una de ellas como referencia. El corrimiento en
la posición de la segunda señal en comparación con la primera, se puede emplear para
calcular la diferencia de fases entre las señales. Para efectuar la medición, se escoge la
fase de una señal como cero y se calibra la figura del osciloscopio para indicar esta
selección. El procedimiento de calibración implica que se dispare el barrido cuando
una señal de disparo cruce el cero con una pendiente positiva. La señal A se toma
como la señal de referencia. En el otro canal, se conecta la señal de la entrada B. La
señal A permanece conectada a la fuente de disparo. Así, si la señal A dispara un
barrido cuando la señal B no está en el mismo nivel y pendiente, la imagen de la señal
B estará corrida a lo largo del eje horizontal (de tiempo). Para calibrar el eje del
tiempo de modo que corresponda a 20° por división, se emplea el control tiempo
variable de barrido (Variable sweep time) para ajustar la onda de modo que medio
ciclo de la señal A corresponda a nueve divisiones. A continuación, se puede
encontrar el corrimiento de fase midiendo la distancia al primer cruce de cero de la
señal B.
Generador de funciones:

Un generador de funciones es una fuente de señales que tiene la posibilidad de producir

varios tipos de onda como señal de salida. La mayor parte de los generadores de función
pueden generar ondas senoidales, triangulares y cuadradas. Otros modelos, pueden generar
pulsos, rampas y dientes de sierra. La gama de frecuencias de un generador es por lo general
de un amplio rango. La frecuencia de la señal debe ser estable y conocerse con exactitud.
Además, se necesita controlar la amplitud desde valores muy pequeños hasta valores
relativamente grandes y la señal debe estar libre de distorsión. Los controles son:

● Llaves selectoras de funciones: seleccionan salida cuadrada, sinusoidal o triangular.

● Llaves selectoras de rangos de frecuencia: seleccionan el rango de frecuencia de
salida, va de 1Hz hasta 1MHz.
● Control de frecuencia fina: ajuste fino de la frecuencia de salida.
● Control de ciclo de trabajo: para señales cuadradas ajusta la relación del tiempo en
alto respecto del periodo. Cuando se tira hacia afuera se invierten las señales
cuadradas y en CMOS/TTL.
● Control de OFFSET: cuando está presionado, el nivel de cc de salida es cero. Cuando
se lo tira hacia fuera, su rotación permite ajustar un nivel de cc de salida positivo o
negativo de +5V hasta -5V.
● Control TTL/CMOS: cuando está presionado, el conector TTL/CMOS ofrece una
señal TTL. Cuando el control es tirado, la señal en el conector es CMOS pudiendo
ajustarse en este caso la amplitud de entre 4 Vpp y 14.5 Vpp aprox.
● Conector de salida TTL/CMOS: la señal cuadrada seleccionada por el control anterior
está disponible en este conector.

Formas de onda:

La forma de onda que más aplicación encuentra es la onda senoidal, que es la que presentan
los llamados “tonos puros” , generados, por ejemplo, por un instrumento musical. Cualquier
otra forma de onda, por compleja que sea, puede descomponerse como la suma de tonos
puros de determinada frecuencia y amplitud por medio de las Series de Fourier. Por lo tanto,
el generador de señal, y en especial el que va a emplearse en audio, necesita reproducir este
tipo de onda.

La señal de onda cuadrada es aquella que adopta dos niveles fijos de tensión, con saltos
bruscos de uno a otro. La permanencia en cada uno de los niveles se puede modificar para
obtener una onda rectangular o un tren de pulsos (ver control de simetría).

Este tipo de ondas se puede emplear para probar amplificadores electrónicos y las respuestas
transitorias de otros circuitos. Como las ondas cuadradas de baja frecuencia están compuestas
de un amplio rango de componentes senoidales, dan una capacidad única de medición para
probar circuitos amplificadores. La respuesta de un circuito amplificador a una señal de onda
cuadrada en la entrada da el mismo tipo de datos acerca de sus características eléctricas que si
fuera probado secuencialmente con las entradas de ondas senoidales de muchas frecuencias
distintas.
Una señal triangular es aquella formada por variaciones lineales en su forma llamadas
rampas, presentando alternativamente pendientes crecientes y decrecientes, pudiendo ser el
valor de ambas pendientes el mismo (onda triangular) o distinto (onda diente de sierra). Las
salidas de onda triangular y de diente de sierra de los generadores de función se emplean
normalmente para aquellas aplicaciones que necesitan de una señal que aumente (o
disminuya) a una velocidad lineal específica. También son útiles para excitar generadores de
barrido en osciloscopios. Tanto las ondas triangulares, cuadradas, dientes de sierra,
rectangulares o trenes de pulsos, presentan gran cantidad de “armónicos” , es decir tonos
puros de distintas amplitudes cuyas frecuencias son múltiplos enteros de la frecuencia
fundamental.

Control de frecuencias:

La gama de frecuencias de un generador es por lo general de 1 Hz hasta 1 Mhz (en

generadores de calidad superior puede ir desde 0,01 Hz hasta 20 Mhz).

Esta gama tan grande de valores no podría ser cubierta por completo de forma eficiente con
un solo control, por lo que los generadores están provistos de “selectores de rango”, que
funcionan en realidad como multiplicadores y un dial de barrido continuo. Para generar las
frecuencias bajas, normalmente se emplean osciladores que varían su frecuencia con circuitos
RC, y para las frecuencias altas osciladores que emplean circuitos LC.

Control de amplitud:

Las señales que pueden manejar los equipos electrónicos son de muy variada amplitud. Los
de audio manejan señales del orden de los milivoltios, en cambio los de radio pueden
sintonizar señales del orden de los microvoltios, es decir que suelen ser de baja amplitud,
excepto en las etapas de potencia, en que pueden alcanzar cientos de voltios, pero es el
equipo bajo prueba el que se encarga de conseguir tales amplitudes a partir de otras más
pequeñas en su entrada.

El nivel más alto que debe entregar un generador no necesita superar 2 V rms, 3 V pico ó 6 V
pico a pico (los tres valores son aproximadamente iguales), aunque es normal encontrar
generadores que entreguen hasta 10 V rms. En cuanto al valor mínimo no hay demasiado
problema, puesto que se trata simplemente de atenuar en mayor o menor grado la amplitud
máxima. Algunos equipos incorporan un atenuador ajustable en pasos discretos además del
control continuo (tipo potenciómetro).

La atenuación de la señal suele darse muchas veces en decibeles siendo 20 dB equivalentes a

un 10% de la amplitud sobre la que se toma referencia.

Impedancias de salida:

En los generadores de señales de AF, Zo es por lo general igual a 600 , mientras que en los
generadores de RF Zo es de 50 . El valor de 600 se emplea para audio debido a que se ha
normalizado la impedancia característica de los sistemas de comunicación en audio
frecuencias a éste valor. Los 50 son debido a que las señales de RF se transmiten a lo largo de
cables coaxiales. Estos cables tienen típicamente una impedancia característica de 50 .

Para transferir la máxima potencia del generador a la carga, las impedancias del generador y
de la carga deben ser iguales. Si se conecta el generador a una carga cuyo valor no es igual a
su impedancia de salida, el valor del voltaje máximo de salida (así como la potencia máxima
de salida) cambiará.

En algunos generadores, una carga excesiva ocasiona una distorsión severa en la señal de
salida. En otros, aún a carga máxima (poniendo en cortocircuito los terminales de salida), no
originará una distorsión seria. Sin embargo, si se ha de usar el generador para excitar un
circuito cuya impedancia de entrada es considerablemente menor que Zo, y si hay alguna
duda acerca de la capacidad del generador, se debe monitorear con un osciloscopio la señal
de salida para ver si no está distorsionada.

Otros controles:

Los anteriormente citados, son controles indispensables en cualquier generador de funciones

independientemente de su costo. Los equipos de mayor calidad, es decir mayor costo, poseen
además de los citados controles, algunos con los que se pueden realizar muchas
modificaciones a las señales elementales antes citadas. Algunos de ellos son:

● Control de offset: la función offset consiste en sumarle a la señal generada una señal
continua (que puede ser positiva o negativa), aplicando el teorema de superposición.
Con esto se logra alterar el valor medio de la señal alterna (que es de valor nulo),
variando también el valor eficaz, y con éste, la capacidad de la señal de transportar
energía.
● Control de simetría: el control de simetría es útil para cambiar la duración de cada
semiciclo de la señal, por ejemplo, en la señal de onda cuadrada, la permanencia en
cada uno de los niveles puede ser igual (onda cuadrada) o distinta (onda rectangular),
en cuyo caso se define un porcentaje de permanencia en el nivel más elevado con
respecto a la duración total del período. A este valor se lo conoce con el nombre de
ciclo de trabajo (duty-cicle), siendo para el caso de la señal simétrica del 50%.
Cuando la permanencia en uno de los niveles de tensión es muy corta comparada con
la del otro, se obtiene una secuencia de pulsos o “tren de pulsos” (positivos o
negativos). En cualquier caso, resulta interesante que el tiempo de tránsito de un nivel
a otro (tiempo de subida o de bajada) sea lo más corto posible. Con el control de
simetría se puede convertir una señal senoidal pura en una señal denominada “seno
oblicuo” (skewed sine), una señal triangular en una onda diente de sierra, y una señal
cuadrada en un tren de pulsos

Generadores de frecuencia de barrido (sweep):

Estos generadores son instrumentos que producen una salida de onda senoidal cuya
frecuencia se hace variar automáticamente (barre) entre dos frecuencias seleccionadas. A un
ciclo completo de variación se le llama barrido. La velocidad a la que se varía la frecuencia
puede ser tanto lineal como logarítmica, dependiendo del diseño en particular. La amplitud de
la señal de salida debe permanecer constante a través de todo el rango de frecuencias de
barrido.

Los generadores de barrido de frecuencia se emplean en especial para medir las respuestas de
amplificadores, filtros y componentes electrónicos sobre bandas de frecuencia.

Control de fase:

La capacidad de un generador de funciones de fijar la fase de una fuente externa de señal es

otra de las características importantes y útiles. Un generador de funciones puede fijar la fase
de un segundo generador de funciones, con lo que se puede desplazar en fase las dos señales
de salida con un ajuste común. Además, es posible fijar la fase de un generador de funciones
con un armónico de una onda senoidal del otro generador. Mediante el ajuste de fase y
amplitud de los armónicos se puede generar casi cualquier onda obteniendo la suma de la
frecuencia fundamental generada por un generador de funciones y el armónico generado por
el otro. El generador de funciones también se puede fijar en fase a una frecuencia estándar,
con lo que todas las ondas de salida generadas tendrán la exactitud y estabilidad en frecuencia
de la fuente estándar.
Tema 5: Diodos
Propiedades de los materiales semiconductores. Juntura P-N, polarización directa e inversa.
El diodo, características y modelos aproximados. El diodo en circuitos de continua y de
alterna. Diodos zener, Schottky y varicap. Semiconductores en optoelectrónica: LED,
fotodiodo. Hojas de datos.

Diodo
El diodo es un dispositivo no lineal de 2 terminales. Un diodo ideal conduce sólo en una
dirección.

Diodo ideal:

● Región de conducción: el diodo actúa como un cortocircuito, la tensión a través del

diodo es 0 V, y la corriente está limitada por el circuito externo.

● Región de no conducción: el diodo actúa como un circuito abierto ID = 0 A, la tensión

en el diodo depende del circuito externo.

Materiales Semiconductores
Las características de un material semiconductor se pueden modificar de manera significativa
con la adición de átomos de impureza específicos al material semiconductor relativamente
puro. Estas impurezas pueden alterar la estructura de las bandas lo suficiente para cambiar del
todo las propiedades eléctricas del material. Un material semiconductor que ha sido sometido
al proceso de dopado se conoce como material extrínseco. Hay dos tipos de materiales
extrínsecos: materiales tipo n y tipo p.
● Nivel de energía:

● Materiales extrínsecos tipo N: un material tipo n se crea introduciendo elementos de

impureza que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes). Los cuatros
enlaces covalentes permanecen; sin embargo, existe un quinto electrón adicional
debido al átomo de impureza, el cual no está asociado con cualquier enlace covalente
particular. Este electrón restante, enlazado de manera poco firme a su átomo padre,
está en cierto modo libre para moverse dentro del material tipo n recién formado,
puesto que el átomo de impureza insertado ha donado un electrón relativamente
“libre” a la estructura.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como átomos
donadores.

El efecto de este proceso de dopado en la conductividad relativa se puede describir

mejor utilizando el diagrama de bandas de energía. Observe que un nivel de energía
discreto (llamado nivel donador) aparece en la banda prohibida con una Eg
significativamente menor que la del material intrínseco. Los electrones libres creados
por la impureza agregada se establecen en este nivel de energía y absorben con menos
dificultad una cantidad suficiente de energía térmica para moverse en la banda de
conducción a temperatura ambiente. El resultado es que a temperatura ambiente, hay
un gran número de portadores (electrones) en el nivel de conducción y la
conductividad del material se incrementa de manera significativa.
● Materiales extrínsecos tipo P: se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro
con átomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Observe que ahora el
número de electrones es insuficiente para completar las bandas covalentes de la
estructura recién formada. El vacío resultante se llama hueco. Por lo tanto, aceptará
con facilidad un electrón libre: las impurezas difundidas con tres electrones de
valencia se llaman átomos aceptores.

● Flujo de electrones contra flujo de huecos: el efecto del hueco en la conducción se

muestra en la figura. Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética
para romper su enlace covalente y llenar el vacío creado por un hueco, entonces se
creará un vacío o hueco en la banda covalente que cedió el electrón. Existe, por
consiguiente, una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la
derecha.

● Portadores mayoritarios y minoritarios (semiconductor tipo N y P): En el estado

intrínseco, el número de electrones libres se debe sólo a los electrones en la banda de
valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o luminosas para
romper la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los
 vacíos que quedan en la estructura de enlace covalente representan una fuente muy
limitada de huecos. En un material tipo n el número de electrones sobrepasa por
mucho al de huecos; por eso, el electrón se llama portador mayoritario y el hueco
portador minoritario. En el material tipo p el número de huecos excede por mucho al
de electrones; por consiguiente, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el
minoritario.

Diodo semiconductor:

Se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, y se conectan cables conductores a los
extremos de cada material. Si se aplica un voltaje externo a través de las dos terminales del
dispositivo, se da la polarización; pueden ser de 3 tipos: sin polarización, polarización inversa
o polarización directa.

● Sin polarización aplicada (V = 0V): En el momento en que los dos materiales se

“unen”, los electrones y los huecos en la región de la unión se combinan y provocan
una carencia de portadores libres en la región próxima a la unión, las únicas partículas
presentes en ella son los iones positivos y negativos que quedan una vez que los
portadores libres han sido absorbidos, y se denomina región de empobrecimiento. En
estas condiciones, cualesquier portadores minoritarios (huecos) del material tipo n
localizados en la región de empobrecimiento pasarán de inmediato al material p.
Cuanto más cerca de la unión esté el portador minoritario, mayor será la atracción de
la capa de iones negativos y menor la oposición ofrecida por los iones positivos en la
región de empobrecimiento del material tipo n. Los portadores mayoritarios
(electrones) del material tipo n deben vencer las fuerzas de atracción de la capa de
iones positivos en el material tipo n y el escudo de iones negativos en el material tipo
p para que emigren al área más allá de la región de empobrecimiento del material tipo
p. Sin embargo, el número de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo
n que invariablemente habrá un menor número de portadores mayoritarios con
suficiente energía cinética para que atraviesen la región de empobrecimiento hacia el
material p. Se puede aplicar el mismo tipo de planteamiento a los portadores
mayoritarios (huecos) del material tipo p. Finalmente, sin ninguna polarización
aplicada a través de un diodo semiconductor, el flujo neto de carga en una dirección es
cero; en otras palabras, la corriente en condiciones sin polarización es cero.
● Condición de polarización en inversa (VD < 0V): Si se aplica un potencial externo de
V volts a través de la unión p-n con la terminal positiva conectada al material tipo n y
la negativa conectada al material tipo p, el número de iones positivos revelados en la
región de empobrecimiento del material tipo n se incrementará por la gran cantidad de
electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas
razones, el número de iones negativos no revelados se incrementará en el material tipo
p. El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región de
empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores
mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se
reduce efectivamente a cero. La corriente en condiciones de polarización en inversa se
llama corriente de saturación en inversa y está representada por Is. El término
saturación se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con rapidez y que no
cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarización en
inversa.

● Condición de polarización en directa (VD > 0 V): La aplicación de un potencial de

polarización en directa VD “presionará” a los electrones en el material tipo n y a los
huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones próximos al límite y
reducirá el ancho de la región de empobrecimiento. En cuanto se incrementa la
magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la región de empobrecimiento
continuará reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unión, lo
que produce un crecimiento exponencial de la corriente.
● Región Zener: es el punto donde la aplicación de un voltaje demasiado negativo
producirá un cambio abrupto de las características. La corriente se incrementa muy
rápido en una dirección opuesta a la de la región de voltaje positivo. El potencial de
polarización en inversa que produce este cambio dramático de las características se
llama potencial Zener y su símbolo es VZ. A medida que se incrementa el voltaje a
través del diodo en la región de polarización en inversa, también se incrementará la
velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturación en
inversa Is. Con el tiempo, se producirá un proceso de ionización por medio del cual
los electrones de valencia absorben suficiente energía para abandonar el átomo padre.
Estos portadores adicionales pueden ayudar entonces al proceso de ionización al
punto en que se establece una corriente de avalancha y determina la región de ruptura
de avalancha. Se puede hacer que la región de avalancha (VZ) se acerque al eje
vertical incrementando los niveles de dopado en los materiales p y n. Sin embargo,
conforme VZ se reduce a niveles muy bajos la ruptura Zener contribuirá al cambio
abrupto de la característica. Esto sucede porque hay un fuerte campo eléctrico en la
región de la unión que puede desbaratar las fuerzas de enlace dentro del átomo y
“generar” portadores. Aun cuando el mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente
significativo sólo a niveles bajos de VZ, este cambio abrupto de la característica a
cualquier nivel se llama región Zener y los diodos que emplean esta parte única de la
característica de una unión p–n se llaman diodos Zener. El máximo potencial de
polarización en inversa que se puede aplicar antes de entrar a la región Zener se llama
voltaje inverso pico (conocido como valor PIV) o voltaje de reversa pico (denotado
como valor PRV).
● Lo ideal vs. Lo práctico: El diodo semiconductor se comporta como un interruptor
mecánico en el sentido de que puede controlar el flujo de corriente entre sus dos
terminales. Sin embargo, también es importante tener en cuenta que el diodo
semiconductor es diferente del interruptor mecánico en el sentido de que cuando éste
se cierra sólo permite que la corriente fluya en una dirección. Idealmente, para que el
diodo semiconductor se comporte como un cortocircuito en la región de polarización
en directa, su resistencia deberá ser de 0 Ω. En la región de polarización en inversa su
resistencia deberá ser de ∞Ω para representar el equivalente a un circuito abierto. En
un diodo real, si la resistencia es lo bastante pequeña comparada con los otros
resistores de la red conectados en serie con el diodo, a menudo es una buena
aproximación suponer que la resistencia de la unidad comercial es de 0 Ω. En la
región de polarización en inversa, si suponemos que la corriente de saturación en
inversa es tan pequeña que puede ser aproximada a 0 mA, tenemos la misma
equivalencia de circuito abierto provista por el interruptor abierto.

● Efectos de la temperatura:

○ Reduce la tensión de polarización directa necesaria para la conducción de

polarización.

○ Se aumenta la cantidad de corriente inversa en la condición de polarización

inversa.

○ Aumenta la tensión inversa máxima avalancha.

● Niveles de resistencia:

○ Resistencia de CD o estática: produce un punto de operación en la curva de

características que no cambia con el tiempo. La resistencia del diodo en el
punto de operación se halla determinando los niveles correspondientes de VD e
ID aplicando la siguiente ecuación: Rd = Vd / Id. En general, cuanto mayor sea
la corriente a través de un diodo, menor será el nivel de resistencia de cd.

○ Resistencia de CA o dinámica: la entrada variable moverá el punto de

operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo de una región de las
características, y por lo tanto define un cambio específico de la corriente y
voltaje. Una línea recta trazada tangente a la curva por el punto Q definirá un
cambio particular del voltaje y corriente que se puede utilizar para determinar
la resistencia de ca o dinámica en esta región de las características del diodo.
Se deberá hacer un esfuerzo por mantener el cambio de voltaje y corriente lo
más pequeño posible y equidistante a ambos lados del punto Q. En forma de
ecuación: r𝑑 = ∆𝑉𝑑 / ∆𝐼𝑑. Cuanto más inclinada sea la pendiente, menor será el
valor de Vd con el mismo cambio de Id y menor es la resistencia. En general,
cuanto más bajo esté el punto de operación (menor corriente o menor voltaje),
más alta es la resistencia de ca.
● Capacidad del diodo: en el diodo semiconductor p-n hay dos efectos capacitivos que
tienen que ser considerados. Ambos tipos de capacitancia están presentes en las
regiones de polarización en directa y en inversa, pero uno predomina sobre el otro en
cada región por lo que consideramos los efectos de sólo uno en cada región. En la
región de polarización en inversa tenemos la capacitancia de transición o de región de
empobrecimiento (CT) en tanto que en la región de polarización en directa tenemos la
capacitancia de almacenamiento o difusión (CD).

● Tiempo de recuperación inversa: durante la conducción en ambos materiales se

establece una gran cantidad de portadores minoritarios, lo cual es necesario para que
se dé la conducción, por esto, al pasar al estado de no conducción, la corriente en el
diodo se invierte y permanece en este nivel medible durante el intervalo tS (tiempo de
almacenamiento) requerido para que los portadores minoritarios regresen a su estado
de portadores mayoritarios en el material opuesto. Cuando esta fase de
almacenamiento ha pasado, el nivel de la corriente se reduce al nivel asociado con el
estado de no conducción. Este segundo lapso está denotado por tT (intervalo de
transición). El tiempo de recuperación en inversa es la suma de estos dos intervalos:
tRR = tS tT.

● Parámetros característicos en polarización directa:

○ Intensidad directa (IF, ID): es la máxima corriente que puede circular por el
diodo cuando se encuentra en el estado de conducción.

○ Voltaje directo (VD): voltaje necesario para poner al diodo en estado de

conducción.

○ Intensidad de pico repetitivo: es aquella que puede ser soportada cada 20 ms,
con una duración de pico de 1 ms, a una determinada temperatura
(normalmente a 25°).

○ Intensidad directa de pico no repetitiva: es el máximo pico de intensidad

aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
 ● Parámetros característicos en polarización inversa:

○ Voltaje de pico inverso (VPI) o inverso de pico: es el que puede ser soportado
por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.

○ Voltaje inverso de pico repetitivo: es el que puede ser soportado en picos de 1

ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

○ Voltaje inverso de pico no repetitivo: es el que puede ser soportado una sola
vez durante 10 ms cada 10 minutos o más.

○ Voltaje de ruptura (VR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms
el diodo puede destruirse o degradarse en sus características.

○ Corriente inversa de saturación (IR, IS): es la corriente en polarización inversa

antes de la ruptura.

Diodo emisor de luz (LED):

Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo que emite luz visible o
invisible (infrarroja) cuando se energiza. En cualquier unión p–n polarizada en directa se da,
dentro de la estructura y principalmente cerca de la unión, una recombinación de huecos y
electrones. Esta recombinación requiere que la energía procesada por los electrones libres se
transforme en otro estado. En todas las uniones p-n semiconductoras una parte de esta energía
se libera en forma de calor y otra en forma de fotones. La intensidad luminosa de un LED se
incrementará con la corriente en directa hasta que se alcanza un punto de saturación donde
cualquier incremento adicional de la corriente no incrementa de forma efectiva el nivel de
iluminación.

Principales características:

● Voltaje: 1.5 a 2.2 V.

● Corriente: 2, 10, 20 mA (típicos).

Fotodiodo:

Parámetros principales:

● Corriente oscura (dark current): corriente en inversa cuando no hay luz incidente.

● Sensibilidad: incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por

unidad de intensidad de luz (expresada en luxes o en mW/cm2).

Diodo zener:

El hecho de que la curva caiga y se aleje del eje horizontal en vez de elevarse y alejarse en la
región de VD positivo, revela que la corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta
a la de un diodo polarizado en directa. La ligera pendiente de la curva en la región Zener
revela que existe un nivel de resistencia que tiene que ser asociado al diodo Zener en el modo
de conducción. La ubicación de la región Zener se controla variando los niveles de dopado.
Un incremento del dopado que aumenta la cantidad de impurezas agregadas reducirá el
potencial Zener.

Parámetros principales:

● VZ: Voltaje de zener (2V a 200V).

● IZM: Corriente máxima.

● IZm: Corriente mínima.

Aplicación típica: estabilización de voltajes.

Diodo Schottky:

Juntura metal-semiconductor (tipo n generalmente). En ambos materiales, el electrón es el

portador mayoritario. Cuando los materiales se unen, los electrones en el material
semiconductor tipo n fluyen de inmediato hacia el metal adjunto, y establecen un intenso
flujo de portadores mayoritarios, esto crea una región cerca de la superficie de la unión sin
portadores en el material de silicio; muy parecida a la región de empobrecimiento en el diodo
de unión p-n. Son los únicos diodos en que la conducción la realizan por completo portadores
mayoritarios. La aplicación de una polarización en directa reducirá la resistencia de la barrera
negativa por la atracción del potencial positivo aplicado de los electrones de esta región. El
resultado es un retorno al intenso flujo de electrones a través del límite. La barrera en la unión
para un diodo Schottky es menor que la del dispositivo de unión tipo p-n. Por consiguiente, el
resultado es una corriente más alta con la misma polarización aplicada en las regiones de
polarización en directa y en inversa. En la región de polarización en inversa, la corriente Is se
debe principalmente a los electrones que están en el metal y que pasan al material
semiconductor. A temperatura ambiente, Is es mayor que el de los dispositivos de unión p-n
convencionales. Además, el voltaje pico inverso (PIV) suele ser significativamente menor
que el de una unidad de unión p-n comparable. Una de las áreas principales de aplicación de
este diodo es en fuentes de alimentación conmutadas que operan en el intervalo de frecuencia
de 20 kHz o más, ya que, al no haber portadores minoritarios a un nivel apreciable en el
diodo Schottky da por resultado un tiempo de recuperación en inversa de niveles
significativamente más bajos. Habrá, desde luego, una mayor disipación en la región de
polarización en inversa para el diodo Schottky debido a la mayor corriente de fuga, aunque la
pérdida de potencia total en las regiones de polarización en directa y en inversa sigue siendo
significativamente mejorada en comparación con el dispositivo de unión p-n.
Parámetros principales:

● Voltaje de conducción: 0.25-0.3 V.

● Frecuencia típica: 20 GHz.

● VPI: 50 V.

● Corriente nominal: 75 A.

Aplicaciones:

● Alta frecuencia.

● Electrónica digital → transistores Schottky.

Diodo varicap (varactor):

Son capacitores semiconductores dependientes del voltaje. Su modo de operación depende de

la capacitancia que haya en la unión p-n cuando el elemento se polariza en inversa. En
condiciones de polarización en inversa, hay una región de carga no recuperada a ambos lados
de la unión que juntos conforman la región de empobrecimiento y definen el ancho de
empobrecimiento Wd. A medida que se incrementa el potencial de polarización en inversa, el
ancho de la región de empobrecimiento se incrementa, lo cual a su vez reduce la capacitancia
de transición.
Tema 6: Transistor bipolar de unión
El transistor bipolar de unión, tipos y operación, circuitos de polarización, recta de carga de
continua, estabilidad. Característica y zonas de trabajo. El transistor en corte y saturación.
Hojas de datos.

Transistores
● Construcción: el transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta
de dos capas de material tipo n y una de material tipo p (transistor npn) o viceversa
(transistor pnp). La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el
colector sólo un poco dopado. Un tipo de transistor es el BJT (bipolar junction
transistor), donde las terminales se identifican por medio de las letras mayúsculas E
(emisor), C (colector) y B (base). El término bipolar refleja el hecho de que huecos y
electrones participan en el proceso de inyección hacia el material opuestamente
polarizado.

● Operación del transistor: se describirá para el transistor pnp, para el transistor npn es
exactamente la misma con los roles de los electrones y huecos intercambiados.
Primero lo consideramos sin polarización entre la base y el emisor, el ancho de la
región de empobrecimiento se redujo a causa de la polarización aplicada y el
resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al
material tipo n. Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor, recuerde que el
flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado es sólo un flujo de portadores
minoritarios. En suma, por consiguiente: La unión p-n de un transistor se polariza en
inversa en tanto que la otra se polariza en directa.
Ahora se aplican ambos potenciales de polarización a un transistor pnp, una gran cantidad de
portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión p–n polarizada en directa hacia el
material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirán directamente con la
corriente de base IB o si pasarán directamente al material tipo p. Como el material tipo n
emparedado es muy delgado y su conductividad es baja, un número muy pequeño de estos
portadores tomarán esta ruta de alta resistencia hacia la base. El mayor número de estos
portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada en inversa hacia el
material tipo n conectado al colector. La razón de la facilidad relativa con que los portadores
mayoritarios pueden atravesar la unión polarizada en inversa se da porque ha habido una
inyección de portadores minoritarios en el material tipo n de la región de la base.

Configuración en base común:

Para describir plenamente el comportamiento de un dispositivo de tres terminales se

requieren dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada (punto de
manejo) y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada en base común relaciona una
corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de
salida (VCB). El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada (IC) con un voltaje de
salida (VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE). La salida o conjunto de
características del colector ofrece tres regiones básicas de interés: las regiones activa, de corte
y saturación. En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la
unión colector-base se polariza en inversa.
En el extremo inferior de la región activa la corriente en el emisor (IE) es cero y el colector es
simplemente el que produce la corriente de saturación en inversa ICO. La corriente ICO es tan
pequeña (microamperes) en magnitud en comparación con la escala vertical de IC
(miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma línea horizontal que IC = 0 (=ICBO).
ICBO es sensible a la temperatura, a temperaturas más altas el efecto de ICBO puede llegar a ser
un factor importante por su rápido incremento con la temperatura. A medida que IE se
incrementa por encima de cero, la IC aumenta a una magnitud igual a IE. Observe también el
efecto casi insignificante de VCB en la corriente a través del colector para la región activa.
Como su nombre lo dice, la región de corte se define como aquella donde la corriente en el
colector es de 0 A. Además, las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se
polarizan en inversa. La región de saturación se define como aquella región de las
características a la izquierda de VCB = 0. Observe el incremento exponencial de la corriente
del colector al acercarse el voltaje VCB hacia 0V. En la región de saturación las uniones
base-emisor y colector-base se polarizan en directa.

● Acción amplificadora del transistor: por lo que se refiere a la configuración de base

común la resistencia de entrada de ca es muy pequeña y por lo regular varía de 10 Ω a
100 Ω. La resistencia de salida es bastante alta y por lo general varía de 50 kΩ a 1
MΩ. La diferencia en la resistencia se debe a la unión polarizada en directa a la
entrada (base a emisor) y a la unión polarizada en inversa en la salida (base a
colector). Con un valor común de 20 Ω, vemos que:
𝑉𝑖 200 𝑚𝑉
𝐼𝑖 = 𝑅𝑖
= 20 Ω
= 10 𝑚𝐴

Si suponemos que ∝ca = 1 (Ie = Ic), obtenemos:

𝐼𝐿 = 𝐼𝑖 = 10 𝑚𝐴

𝑉𝐿 = 𝐼𝐿𝑅 = (10 𝑚𝐴)(5 𝑘Ω) = 50 𝑉

La amplificación del voltaje es:

𝑉𝐿 50 𝑉
𝐴𝑣 = 𝑉𝑖
= 200 𝑚𝑉
= 250
 Los valores típicos de la amplificación de voltaje de la configuración en base común
varían de 50 a 300. La amplificación de corriente (Ic/Ie) siempre es menor que 1 para
la configuración en base común. La acción amplificadora básica se produjo al
transferir la corriente de la fuente Ii de un circuito de baja resistencia a uno de alta.

Configuración en emisor común:

Se requieren dos conjuntos de características para describir plenamente el comportamiento de

la configuración en emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno
para el circuito de salida o de colector-emisor. Para esta configuración, las características de
salida son una gráfica de la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un
intervalo de valores de la corriente de entrada (IB). Las características de entrada son una
gráfica de la corriente de entrada (IB) contra el voltaje de entrada (VBE) para un intervalo de
valores del voltaje de salida (VCE). Consideremos también que las curvas de IB no son tan
horizontales como las obtenidas para IE en la configuración en base común, lo que indica que
el voltaje colector a emisor influye en la magnitud de la corriente del colector.

La región activa existe a la derecha de las líneas de rayas vertical en VCEsat y arriba de la curva
de IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se llama región de saturación. En la
región activa de un amplificador en emisor común, la unión base-emisor se polariza en
directa en tanto que la unión colector-base está en inversa. La región de corte no está tan bien
definida. Observe en las características del colector de la figura que IC no es igual a cero
cuando IB es cero.
Para propósitos de amplificación lineal (distorsión mínima), IC = ICEO define el corte. En otras
palabras, hay que evitar la región debajo de IB = 0 mA cuando se requiere una señal de salida
no distorsionada. Cuando se emplea como interruptor, un transistor tendrá dos puntos de
operación de interés, uno en la región de corte y otro en la región de saturación. La condición
de corte idealmente deberá ser de IC = 0 mA para el voltaje VCE seleccionado. Como por lo
general ICEO es de baja magnitud en materiales de silicio, para efectos de conmutación el corte
se dará cuando IB = 0 μA o I C = ICEO sólo para transistores de silicio.

Límites de operación: para cada transistor hay una región de operación en las características
que garantizará que no se excedan las capacidades nominales máximas y que la señal de
salida exhiba distorsión mínima. Todos los límites de operación se definen en una hoja de
especificaciones del transistor. La línea vertical en las características definida como VCEsat
especifica el VCE mínimo que se puede aplicar sin caer en la región no lineal llamada región
de saturación. El nivel máximo de disipación en emisor común, lo define la siguiente
ecuación: 𝑃𝐶𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸*𝐼𝐶. Para el caso de base común: 𝑃𝐶𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐵*𝐼𝐶.
Circuitos de polarización:

● Polarización fija: El circuito de polarización es la configuración de polarización de cd

más simple. Aún cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y cálculos
aplican igualmente bien para una configuración del transistor pnp tan sólo con
cambiar todas las direcciones de la corriente y las polaridades del voltaje.
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸
𝑀𝑎𝑙𝑙𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎: 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝐸
𝑀𝑎𝑙𝑙𝑎 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0 𝐼𝐶 = 𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛: 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑅𝐶
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 (𝑚𝑖𝑛) = β

𝐶𝑜𝑟𝑡𝑒: 𝐼𝐶 = 0 𝐼𝐵 = 0 𝑉𝐵 = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐵 < 0

● Polarización de emisor: La red de polarización de cd de la figura contiene un resistor

emisor para mejorar la estabilidad del nivel en relación con la de la configuración de
polarización fija.

𝑀𝑎𝑙𝑙𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎: 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸𝑅𝐸 = 0; 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝐼𝐸 = (β + 1)𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸
𝐸𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵+(β+1)𝑅𝐸

𝑀𝑎𝑙𝑙𝑎 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸𝑅𝐸 = 0; 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶

𝐸𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)

 El VE es el voltaje del emisor a tierra y está determinado por: 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸𝑅𝐸

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 𝑜 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶

𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵𝑅𝐵 𝑜 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛: 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑅𝐶+𝑅𝐸

● Polarización por divisor de voltaje: ayuda a que el circuito dependa menos de, o que
en realidad sea independiente, de la β del transistor.

𝑅1𝑅2
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐵 = 𝑅1+𝑅2

𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝐷𝑖𝑣𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒: 𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐵 = 𝑅1+𝑅2

Luego se resuelve como la polarización anterior.

Ejemplos:

Análisis:

Diseño:
Tema 7: Transistores de efecto de campo
Transistores de efecto de campo. Construcción y características de los JFETs, características,
hojas de datos, MOSFET decremental e incremental.

Transistor de efecto de campo (FET)

Es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en varias aplicaciones que coinciden, en
gran medida, con las del transistor BJT. Las diferencias principales entre los dos tipos de
transistor radican en el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por
corriente, en tanto que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Es un
dispositivo unipolar que depende no sólo tanto de la conducción de electrones (canal n) como
de la conducción de huecos (canal p).

El término efecto de campo hace referencia a que las cargas presentes en el FET establecen
un campo eléctrico, el cual controla la ruta de conducción del circuito de salida sin que
requiera un contacto directo entre las cantidades de control y las controladas.

Características principales:

● Alto nivel de impedancia.

● Excede por mucho los niveles de resistencia de entrada típicos de las configuraciones
del transistor BJT, lo que es una característica muy importante en el diseño de
amplificadores de ca lineales.

● Las ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores
que para los FET.

● Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más
pequeños.

Tipos:

● Transistor de efecto de campo de unión (JFET).

● El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET).

● El transistor de efecto de campo semiconductor metálico (MESFET).

JFET
Es un dispositivo de tres terminales, con una terminal capaz de controlar la corriente entre las
otras dos.

● Construcción básica del JFET de canal n: la parte principal de la estructura es el

material tipo n, el cual forma el canal entre las capas incrustadas de material p. La
parte superior del canal tipo n está conectada mediante un contacto óhmico a un
material conocido como drenaje (D), en tanto que el extremo inferior del mismo
material está conectado mediante un contacto óhmico a una terminal conocida como
fuente (S). Los dos materiales tipo p están conectados entre sí y a la terminal de
compuerta (G). Sin potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n en
condiciones sin polarización. El resultado es una región de empobrecimiento en cada
unión, la cual se asemeja a la misma región de un diodo en condiciones sin
polarización. Recuerde también que una región de empobrecimiento no contiene
portadores libres, y por consiguiente es incapaz de conducir.

● VGS = 0 V, VDS algún valor positivo: Se aplica un voltaje positivo VDS a través del
canal n y la compuerta está conectada directamente a la fuente para establecer la
condición VG = 0V. El resultado son una compuerta (G) y una fuente (S) al mismo
potencial y una región de empobrecimiento en el extremo bajo de cada material p
similar a la distribución de las condiciones sin polarización. En el instante en que se
aplica VDD (=VDS), los electrones son atraídos hacia el drenaje (D) y se establece la
corriente convencional ID con la dirección definida de la figura. La trayectoria del
flujo de carga revela claramente que las corrientes a través del drenaje y la fuente son
equivalentes (ID = IS). En las condiciones de la figura, el flujo de la carga está
relativamente desinhibido y limitado sólo por la resistencia del canal n entre la fuente
y el drenaje. La razón del cambio de ancho de la región es debido a que cuanto más
grande es la polarización en inversa aplicada, más ancha es la región de
empobrecimiento, esta polarización produce una IG = 0. Conforme el voltaje VDS
aumente de 0 V a algunos volts, la corriente también lo hará de acuerdo con la ley de
Ohm. En la región de valores bajos de VDS, la resistencia es constante. A medida que
VDS se incrementa y se aproxima un nivel conocido como Vp (=VDS), las regiones de
empobrecimiento se ensanchan, lo que reduce notablemente el ancho del canal. La
ruta reducida de conducción hace que la resistencia incremente, y ocurra la curva en
la gráfica de abajo. Cuanto más horizontal sea la curva, más alta será la resistencia. Si
VDS se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones de
empobrecimiento “se tocarán”; se originará una condición conocida como
estrangulamiento. El nivel de VDS que establece esta condición se conoce como
voltaje de estrangulamiento y lo denota Vp. En realidad, el término estrangulamiento
es un nombre incorrecto en el sentido de que sugiere que la corriente ID se reduce a 0
A, pero difícilmente éste sea el caso, pues ID mantiene un nivel de saturación definido
como IDSS. El hecho de que ID no se reduzca durante el estrangulamiento y de que
mantenga el nivel de saturación es consistente con el hecho de que, en caso contrario,
se perdería la región de empobrecimiento que provocó el estrangulamiento. A medida
que VDS aumenta más allá de Vp, la longitud de la región del encuentro cercano entre
las dos regiones de empobrecimiento crece a lo largo del canal, pero el nivel de ID
permanece igual. En esencia, por consiguiente, una vez que VDS > Vp, el JFET tiene
las características de una fuente de corriente, y la corriente se mantiene fija en el valor
ID = IDSS, pero la carga aplicada determina el voltaje VDS (para niveles >Vp).

Características: IDSS es la corriente de drenaje máxima para un JFET y está definida

por la condición VGS = 0 V y VDS > |Vp|. En la figura VGS = 0 V a lo largo de toda la
curva.
● VGS < 0V: El voltaje de la compuerta a la fuente, denotado VGS, es el voltaje de control
del JFET. Para el dispositivo de canal n el voltaje de control VGS se vuelve más y más
negativo a partir de su nivel VGS = 0 V. En la figura se aplica un voltaje negativo de -1
V entre la compuerta y la fuente de un bajo nivel de VDS. El efecto del VGS de
polarización negativa es establecer regiones de empobrecimiento similares a las
obtenidas con VGS = 0 V, pero a niveles más bajos de VDS. Por consiguiente, el
resultado de la aplicación de polarización negativa a la compuerta es alcanzar el nivel
de saturación a un nivel más bajo de VDS. El nivel de saturación resultante para ID se
redujo y de hecho continuará haciéndolo a medida que VGS se haga más y más
negativo, también el voltaje de estrangulamiento se sigue reduciendo de manera
parabólica. Con el tiempo, VGS cuando VGS = Vp sea lo bastante negativo para
establecer un nivel de saturación que básicamente sea de 0 mA, y para todo propósito
práctico el dispositivo se haya “apagado”. En suma: El nivel de VGS que produce ID =
0 mA está definido por VGS = Vp, con Vp convirtiéndose en un voltaje negativo para
dispositivos de canal n y en voltaje positivo para JFET de canal p.

● Dispositivos de canal p: se construye exactamente de la misma manera que el

dispositivo de canal n con los materiales p y n invertidos. Las direcciones de la
corriente definidas están invertidas, del mismo modo que las polaridades reales de los
voltajes VGS y VDS. Para el dispositivo de canal p, el canal se estrechará al
incrementarse el voltaje positivo de la compuerta a la fuente y la notación de doble
subíndice producirá voltajes negativos para VDS en las características de la gráfica, la
cual muestra una IDS de 6 mA y un voltaje de estrangulamiento de VGS = +6 V. No
permita que los signos menos lo confundan, simplemente indican que la fuente se
encuentra a un potencial más alto que el drenaje.
 Observe que a niveles altos de VDS la curva se eleva de repente a niveles que parecen
ilimitados. La elevación vertical indica que ocurrió una ruptura y que la corriente a
través del canal ahora está limitada únicamente por el circuito externo. Esta región se
puede evitar si el nivel de VDSmáx se toma de la hoja de especificaciones y el diseño es
tal que el nivel real de VDS es menor que este valor para todos los valores de VGS.

MOSFET
Es un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico. Se dividen en: tipo
empobrecimiento y enriquecimiento.

● MOSFET tipo empobrecimiento de canal n:

○ Construcción: se forma una placa de material tipo p (sustrato) a partir de una

base de silicio, es la base sobre la cual se construye el dispositivo. En algunos
casos, el sustrato se conecta internamente a la terminal de fuente. Sin
embargo, muchos dispositivos individuales cuentan con una terminal adicional
etiquetada SS, lo que produce un dispositivo de cuatro terminales. La fuente y
el drenaje están conectados mediante contactos metálicos a regiones tipo n
dopadas vinculadas a un canal n como se muestran en la figura. También la
compuerta está conectada a una superficie de contacto metálica aunque
permanece aislada (capa de bióxido de silicio) del canal n, esto significa que
no hay una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de un
MOSFET. Además, es la responsable de la muy deseable alta impedancia de
entrada del dispositivo.

Por lo común la resistencia de entrada de un MOSFET es más que la de un

JFET típico. Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de
compuerta IG es en esencia de 0 A para configuraciones polarizadas de cd.
○ Operación y características básicas: el voltaje de la compuerta a la fuente se
ajusta a 0 V por la conexión directa de una terminal a la otra y se aplica un
voltaje VDS del drenaje a la fuente. El resultado es la atracción del potencial
positivo en el drenaje por los electrones libres del canal n y la corriente
semejante a la que se establece a través del canal del JFET. De hecho, la
corriente resultante con VGS = 0 V se sigue etiquetando IDSS. Ahora, VGS
aparece ajustado a un voltaje negativo de -1 V. El potencial negativo en la
compuerta tenderá a ejercer presión en los electrones hacia el sustrato tipo p
(las cargas semejantes se repelen) y a atraer los huecos del sustrato tipo p (las
cargas opuestas se atraen). Dependiendo de la magnitud de la polarización
negativa establecida por VGS, ocurrirá un nivel de recombinación entre los
electrones y huecos que reducirá el número de electrones libres en el canal n
disponibles para conducción. Cuanto más negativa sea la polarización, más
alta será la tasa de recombinación. Por consiguiente, el nivel de la corriente de
drenaje resultante se reduce con la polarización cada vez más negativa de VGS.
Los niveles resultantes de la corriente de drenaje y el trazo de la curva de
transferencia prosiguen exactamente como se describió para el JFET. Para
valores positivos de VGS, la compuerta positiva atraerá más electrones
(portadores libres) del sustrato tipo p debido a la corriente de fuga inversa y
establecerá nuevos portadores a causa de las colisiones que ocurren entre las
partículas de aceleración. A medida que el voltaje de la compuerta a la fuente
continúa incrementándose en la dirección positiva, la corriente de drenaje se
incrementará con rapidez. Como previamente se reveló, la aplicación de un
voltaje positivo de la compuerta a la fuente “mejoró” el nivel de portadores
libres presentes en el canal en comparación con el encontrado con VGS = 0 V.
A la región de voltajes de compuerta positivos en las características de drenaje
o transferencia a menudo se le conoce como región de enriquecimiento, y a la
región entre los niveles de corte y saturación de IDSS como región de
empobrecimiento.
● MOSFET tipo empobrecimiento de canal n con VGS 0 V y voltaje aplicado VDD.
Reducción de los portadores libres en un canal debido a un potencial negativo en la
terminal de compuerta.

● MOSFET tipo empobrecimiento de canal p: la construcción es exactamente a la

inversa que el de canal n. Las terminales no cambian, pero las polaridades del voltaje
y las direcciones de corriente se invierten. Las características de drenaje aparecerían
exactamente como en la gráfica del canal n, pero VDS con valores negativos, e ID
valores positivos como se indica (puesto que ahora la dirección definida está
invertida), y VGS con las polaridades opuestas. La inversión en VGS dará una imagen
de espejo (con respecto al eje ID) para las características de transferencia. En otras
palabras, la corriente de drenaje se incrementará desde el valor de corte con VGS = Vp
en la región positiva de VGS hasta IDSS y luego continuará incrementándose con los
valores negativos crecientes de VGS.

● MOSFET tipo enriquecimiento de canal n:

○ Construcción: se forma una losa de material p con una base de silicio

(sustrato). Como con el MOSFET tipo empobrecimiento, el sustrato en
 ocasiones se conecta internamente a la terminal fuente, en tanto que en otros
casos se pone a la disposición una curva terminal para el control externo de su
nivel de potencial. La fuente y el drenaje se conectan de nuevo mediante
contactos metálicos a regiones tipo n dopadas, pero no hay un canal entre las
dos regiones tipo n dopadas. Ésta es la diferencia principal entre la
construcción de los MOSFET tipo empobrecimiento y los tipos
enriquecimiento. La capa de SiO2 sigue presente para aislar la plataforma
metálica de la compuerta de la región entre el drenaje y la fuente, pero ahora,
simplemente está separada de una sección del material tipo p.

○ Operación y características básicas: si VGS se ajusta a 0 V y se aplica un

voltaje entre el drenaje y la fuente, la ausencia de un canal n (con su generoso
número de portadores libres) producirá una corriente de efectivamente 0 A. No
es suficiente contar con una gran acumulación de portadores (electrones) en el
drenaje y la fuente (debido a las regiones tipo n dopadas) si una trayectoria
deja de existir entre los dos. Con un cierto voltaje positivo de VDS, VGS de 0 V
y la terminal SS directamente conectada a la fuente, existen en realidad dos
uniones p-n polarizadas en inversa entre las regiones tipo n dopadas y el
sustrato que se oponen a cualquier flujo significativo entre el drenaje y la
fuente. En la figura tanto VDS como VGS se ajustaron a un determinado voltaje
de más de 0 V, para establecer el drenaje y la compuerta a un potencial
positivo con respecto a la fuente. El potencial positivo en la compuerta
ejercerá presión en los huecos (puesto que las cargas semejantes se repelen) en
el sustrato p a lo largo del borde de la capa de SiO3 para que abandonen el
área y lleguen a regiones más profundas del sustrato p. El resultado es una
región de empobrecimiento cerca de la capa aislante de SiO2 libre de huecos.
Sin embargo, los electrones en el sustrato tipo p (los portadores minoritarios
del material) serán atraídos a la compuerta positiva y se acumularán en la
región cercana a la superficie de la capa de SiO2. Ésta y sus propiedades
aislantes impedirán que los portadores negativos sean absorbidos en la
compuerta. Conforme VGS se incrementa, la concentración de electrones cerca
de la superficie de SiO3 se incrementa y con el tiempo la región tipo n
inducida puede soportar un flujo mensurable entre el drenaje y la fuente. El
nivel de VGS que produce el incremento significativo de la corriente de drenaje
se llama voltaje de umbral y está dado por el símbolo VT. Como el canal no
existe con VGS = 0 V y está “mejorado” por la aplicación de un voltaje positivo
de la compuerta a la fuente, este tipo de MOSFET se llama MOSFET tipo
enriquecimiento. Los MOSFET tipo empobrecimiento –y enriquecimiento–
tienen regiones tipo enriquecimiento, pero la etiqueta se aplicó al segundo,
puesto que es el único modo de operación. Conforme VGS se incrementa más
allá del nivel de umbral, la densidad de los electrones libres en el canal
inducido aumentará y el resultado es el nivel incrementado de la corriente de
drenaje. Sin embargo, si mantenemos VGS constante y aumentamos el nivel de
VDS, la corriente de drenaje con el tiempo alcanzará un nivel de saturación. La
nivelación de ID se debe a un proceso de estrangulamiento ilustrado por el
canal más angosto en el extremo de drenaje del canal inducido. Al aplicar la
ley de voltajes de Kirchhoff a los voltajes en las terminales del MOSFET,
encontramos que: 𝑉𝐷𝐺 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆. Si VGS se mantiene fijo y VDS se
incrementa, el voltaje VDG se reducirá y la compuerta se volverá cada vez más
negativa con respecto al drenaje. Esta reducción del voltaje de la compuerta al
drenaje, a su vez, reducirá las fuerzas de atracción para los portadores libres
(electrones) en esta región del canal inducido, provocando una reducción en el
ancho efectivo del canal. A la larga, el canal se reducirá hasta el punto de
estrangulamiento y se establecerá una condición de saturación y, cualquier
incremento adicional de VDS con el valor fijo de VGS no afectará el nivel de
saturación de ID hasta que se presentan las condiciones de ruptura. El nivel de
saturación está relacionado con el nivel de VGS aplicado por: 𝑉𝐷𝑆𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇.
Por tanto, para un valor fijo de VT, cuanto más alto sea el nivel de VGS, mayor
será el nivel de saturación para VDS, como se muestra en la figura 6.37
mediante lugar geométrico de los niveles de saturación.
 Generalmente, para valores de VGS ≤ VT, la corriente de drenaje de un
MOSFET tipo enriquecimiento es de 0 mA.

Observe que al definir los puntos en las características de transferencia a partir

de las características de drenaje, se emplean sólo los niveles de saturación, con
lo cual se limita la región de operación a niveles de VDS mayores que los
niveles de saturación.

● MOSFET tipo enriquecimiento de canal p: La construcción de un MOSFET tipo

enriquecimiento de canal p es exactamente a la inversa del canal n. Es decir, ahora
hay un sustrato tipo n y regiones tipo n dopadas bajo las conexiones del drenaje y la
fuente. Las terminales no cambian, pero todas las polaridades del voltaje y las
direcciones de la corriente se invierten. Las características de drenaje aparecerán con
niveles crecientes de corriente a consecuencia de los valores cada vez más negativos
de VGS. Las características de transferencia serán la imagen de espejo (con respecto al
eje ID) de la curva de transferencia del gráfico anterior, con ID incrementándose a una
con los valores cada vez más negativos de VGS más allá de VT. Las ecuaciones
anteriores son igualmente aplicables a dispositivos de canal p.
Tema 8: Fuentes de alimentación para equipos electrónicos
Fuentes de alimentación lineales a partir de la red domiciliaria. Diagrama de bloques.
Rectificadores con diodos. Filtrado con capacitor. Regulador con diodo zener, regulador serie
con transistor y reguladores integrados. Baterías. Características y clasificación.

Fuentes de alimentación

Clasificación general: fuentes lineales o conmutadas (switching).

Diagrama de bloques de una fuente de alimentación lineal:

Transformación:

Rectificación:

A lo largo de un ciclo completo el valor promedio es cero. Con la rectificación, se

busca obtener una señal con una sola polaridad a partir de la alterna. Esto se logra con
rectificador de media onda o de onda completa (transformador con punto medio o
puente de diodos).

● Rectificador de media onda: el diodo se “prende” durante el semiciclo positivo y se

“apaga” durante el negativo, si observamos la señal en un osciloscopio veremos
únicamente el semiciclo positivo.

● Rectificador de onda completa:

○ Transformador con punto medio: durante la parte positiva de Vi aplicada al

primario del transformador, el diodo D1 asume el equivalente de cortocircuito
y el D2 el equivalente de circuito abierto, como lo determinan los voltajes
secundarios y las direcciones de la corriente resultantes. Durante la parte
negativa de la entrada los roles de los diodos se invierten, pero mantienen la
misma polaridad del voltaje a través del resistor de carga R. El efecto neto es
la misma salida que durante la parte positiva, con los mismos niveles de cd.
○ Puente rectificador de diodos:

○ Ripple, rizo o rizado: es un factor que cuantifica el componente variable que

contiene una señal continua.

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑟𝑚𝑠 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑛𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙 𝑉𝑅(𝑟𝑚𝑠)

𝑟= 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙
= 𝑉𝑐𝑑

○ Rendimiento (η):
𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 ú𝑡𝑖𝑙 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑎 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
𝑅𝑒𝑛𝑑𝑖𝑚𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜 = 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑢𝑚𝑖𝑑𝑎
= 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑎𝑙𝑡𝑒𝑟𝑎 (𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧) 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑑
Media onda vs onda completa

Filtrado:

Se conecta un capacitor en la salida del rectificador y se obtiene un voltaje de cd a través del

capacitor con algo de ripple.

En donde:

● 𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒 𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑎 𝑝𝑖𝑐𝑜

𝑉𝑟𝑝𝑝
● 𝑉𝐶𝐶 = 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 = 𝑉𝑝 − 2
● 𝑇 = 𝑝𝑒𝑟í𝑜𝑑𝑜 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎; 𝑇1 = 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑑𝑒 𝐶; 𝑇2 = 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑑𝑒 𝐶
● Aproximación:
○ La descarga es lineal (no exponencial).
○ C es lo suficientemente grande tal que T1 << T2 → T ≈ T2 (1)
𝑄
𝑉𝐶 = 𝐶

𝐼𝐶𝐶
Durante T2: ∆𝑄 = 𝐼𝐶𝐶∆𝑇 ⇒ 𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝐶
∆𝑇

𝐼𝐶𝐶𝑇2
𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝐶
 𝐼𝐶𝐶𝑇 𝐼𝐶𝐶𝑇
Y como T ≈ T2 y 1/T = 𝑓𝑜 → 𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝐶
= 𝑓𝑜𝐶

Para rectificación de media onda: 𝑓𝑜 = 𝑓𝑖

𝐼𝐶𝐶 𝐼𝐶𝐶
𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝑓𝑖𝐶
⇒ 𝐶= 𝑓𝑜𝑉𝑟𝑝𝑝

Para rectificación de onda completa: 𝑓𝑜 = 2𝑓𝑖

𝐼𝐶𝐶 𝐼𝐶𝐶
𝑉𝑟𝑝𝑝 = 2𝑓𝑖𝐶
⇒ 𝐶= 2𝑓𝑜𝑉𝑟𝑝𝑝

Rectificación y filtrado

Reguladores de voltaje
Funciones:

● Mantener el voltaje de salida constante frente a:

○ Variaciones del voltaje de entrada (regulación de línea).

○ Variaciones de la corriente de salida (regulación de carga).

● Reducir el ripple en la salida.

Tipos:

● Regulador con diodo zener.

● Reguladores con transistores.

● Reguladores con circuitos integrados (CIs).

Regulador con diodo zener

Regulador serie con BJT

Si el voltaje de salida se reduce, el voltaje de base a emisor incrementado hace que el
transistor Q1 conduzca más, por lo que el voltaje de salida se eleva, y la salida se mantiene
constante. Si el voltaje de salida se incrementa, el voltaje reducido entre la base y el emisor
hace que el transistor Q1 conduzca menos, por lo que el voltaje de salida se reduce y la salida
se mantiene constante.
Reguladores integrados
Se clasifican en salida de voltaje fijo y variable.

Diseño de una fuente de alimentación con un regulador integrado

Relés
Funciona como un interruptor controlado por un circuito eléctrico en el que, por medio de
una bobina y un electroimán, se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten
abrir o cerrar otros circuitos eléctricos independientes.

Tipos:

● Electromecánicos: bobina, armadura y contactos fijos y móviles.

Ventajas Desventajas

Aislación eléctrica Partes mecánicas

Control múltiple Suciedad

Variedad Corriente en la bobina

 ● De estado sólido: circuitos electrónicos.

Ventajas Desventajas

Velocidad Mayor resistencia

Mayor vida útil Gran disipación de calor

Operación limpia Menos tensiones y corrientes

Menos ruido -

Sin partes mecánicas -

Diferencias:

Electrodomésticos De estado sólido

Son más versátiles, tienen más gama de Al no poseer contactos metálicos, su vida
voltajes. útil es ilimitada.

Menos resistencia en los contactos

Menos sensibles a interferencia o subidas de

voltaje

Nomenclatura:
Funcionamiento:

Cuando se energiza la bobina, cambia el estado del relé. Por ende, también cambia el estado
del circuito de alta tensión.

Una sola bobina pega, o despega, uno o varios terminales del relé.

Especificaciones:

● Número y tipo de contactos (Normalmente Abierto o Normalmente Cerrado).

● Corriente (que soportan los contactos).

● Voltaje (que soportan los contactos).

● Voltaje de la bobina (voltaje al que se polariza la bobina).

● Velocidad (tiempo que demora en pegar o despegar el contacto).

● Material del contacto (calidad del contacto y corriente que soporta).

● Operaciones (cantidad de veces que puede pegar y despegar).

Aplicaciones:

● Control de circuitos de alto voltaje a partir de señales con bajo voltaje.

● Control de circuitos de corrientes altas a partir de señales con corrientes bajas.

● Abriendo y cerrando interruptores de protección.

● Aislación de circuitos de control del circuito controlado cuando están a diferente

potencial.
 Videos de YouTube
Tema 1:

1. 1ra ley de Kirchhoff:

[Link]

2. 2da ley de Kirchhoff:

[Link]

3. Resolución por mallas:

[Link]

4. Resolución por nodos:

[Link]

5. Transformación de fuentes:

[Link]

6. Divisor de corriente:

[Link]

7. Divisor de tensión:

[Link]

8. Conversión estrella – triángulo:

[Link]

Tema 2:

9. Teorema de superposición:

[Link]

10. Teorema de Norton:

[Link]

11. Teorema de Thevenin:

[Link]
Tema 5:

12. Circuito con diodos rectificadores:

[Link]

13. Diodo Zener:

[Link]

14. Diodo Schottky:

[Link]

15. Limitadores de tensión con diodos:

[Link]

Tema 6:

16. . Transistores BJT:

[Link]

Tema 8:

17. Partes de una fuente de alimentación:

[Link]
JuHj7OhStWKeK1

18. Rectificador de media onda:

[Link]
MJuHj7OhStWKeK1&index=8

19. Rectificador de onda completa con punto medio:

[Link]
MJuHj7OhStWKeK1&index=9

20. Rectificador de onda completa con puente rectificador:

[Link]
FMJuHj7OhStWKeK1&index=10
Finales
}}}