UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA
Especialidad de Ingeniería Mecánica
ELECTRÓNICA DE POTENCIA (ML839-C)
DISPARO DE UN TIRISTOR CON CIRCUITOS INTEGRADOS UJT Y PUT
PRESENTADO POR
JOSE MANUEL PINTO QUISPE 20222141D
YERIK JOEL CUSTODIO MEDRANO 20220225F
CRISTIAN OMAR CHUQUIRUNA GUILLEN 20211268H
EMANUEL JOSE CONTRERAS CORNEJO 20222150C
PROFESOR
CORTEZ GALINDO, HERNAN
LIMA, 2025
CONTENIDO
1. INTRODUCCIÓN.......................................................................................................... 1
2. OBJETIVOS ................................................................................................................... 2
3. FUNDAMENTO TEÓRICO .......................................................................................... 2
4. DESARROLLO DEL INFORME .................................................................................. 4
4.1. EQUIPOS Y MATERIALES ..................................................................................... 4
4.2. CÁLCULOS PREVIOS: ............................................................................................ 5
4.3. PROCEDIMIENTO.................................................................................................... 6
4.4. CUESTIONARIO..................................................................................................... 15
4.5. CONCLUSIONES........................................................................................................ 24
5. BIBLIOGRAFÍA .............................................................................................................. 24
6. ANEXOS .......................................................................................................................... 25
1. INTRODUCCIÓN
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El disparo de un tiristor es una técnica fundamental en la electrónica de potencia, ya que
permite controlar el flujo de corriente en dispositivos de alta potencia, tales como
rectificadores, inversores y reguladores de velocidad de motores. En este informe se
abordará el proceso de disparo de un tiristor utilizando componentes discretos, los cuales
son esenciales para crear circuitos de activación eficientes y controlados.
El tiristor, al ser un dispositivo de conmutación controlada, requiere de un impulso de
corriente o disparo para pasar de su estado de bloqueo a su estado de conducción. A lo
largo de este informe, se detallarán los métodos para generar este impulso utilizando
componentes electrónicos comunes como resistores, capacitores, y transistores. Además, se
explicarán las principales características y desafíos de los circuitos de disparo, tales como el
tiempo de respuesta, la estabilidad y la protección del tiristor ante condiciones extremas.
El objetivo de este trabajo es proporcionar una comprensión clara de los principios detrás
del disparo de tiristores y cómo los componentes discretos pueden ser empleados para
diseñar sistemas eficientes y robustos en aplicaciones de electrónica de potencia.
2. OBJETIVOS
● Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y PUT.
● Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una carga.
3. FUNDAMENTO TEÓRICO
Tiristor SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
Un tiristor es un componente electrónico que conduce la corriente eléctrica en un solo
sentido similar al de un diodo rectificador controlado, pero con la diferencia que para
que conduzca en ese tiene que haber una corriente de activación en su gate por un
breve momento y para que deje de pasar corriente primero se tiene que quitar por el
tiristor se tiene que parar el flujo de corriente a través de este.
El tiristor posee tres entradas llamadas ánodo (A), cátodo (K), y el gate (G).
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El tiristor por dentro son semiconductores Tipo P, Tipo N y la unión PN, en cuanto el
tiristor es la unión de estos alternándolos, formando 3 diodos donde el ánodo y el
cátodo, aunque estén polarizados no se permite el flujo de corriente debido a que es
necesario que fluya por el gate la corriente
El funcionamiento del Tiristor SCR parte de que el gate va a ser como un interruptor
que va a ser el que permita el flujo de corriente entre el ánodo y el cátodo esta
corriente es llamada corriente de disparo, al cual solo es necesario que se active una
vez, después de esto fluirá corriente desde el ánodo hacia el cátodo como si fuese un
diodo,
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CURVA CARACTERISTICA DE UN TIRISTOR SCR
4. DESARROLLO DEL INFORME
4.1. EQUIPOS Y MATERIALES
• 1 Osciloscopio digital
• 1 Multímetro digital
• 1 Tiristor BT151
• 1 PROTOBOARD
• 1 Foco con sus socket
• Condensadores electrolíticos de 0.22, 0.5, 1, 5, 10, 30 y 50 uF a 50V
• 2 Resistencias de 100 Ω y 2 W de potencia
• Resistencias determinadas en el diseño
• 1 Potenciómetro de 100 KΩ y 2 W de potencia
• 2 Interruptores SW1
• 01 UJT 2N4870 y 01 PUT 2N6027
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4.2. CÁLCULOS PREVIOS:
Primera parte:
Segunda parte:
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4.3. PROCEDIMIENTO
Primera Parte: UJT 2N2646
1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura para Vz = 24 V.
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2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar potencias
de 2W o más.
3. Para C= 0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre el
interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote.
4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3.
5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del condensador
y grafique la forma de onda.
Simulación:
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Para
22uF
R=100k
R=50k
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R=20k
Para 1uF
R=100k
R=50k
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R=20k
Para 10uF
R=100k
R=50k
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R=20k
Segunda Parte: PUT 2N6027
1. Diseñar e implementar el circuito de la figura para Vz = 30 V.
2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.
Simulación:
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Para 22uF
R=100k
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R=50k
R=20k
Para 1uF
R=100k
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R=50k
R=20k
Para 10uF
R=100k
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R=50k
R=20k
4.4. CUESTIONARIO
1. Hacer el fundamento teórico del experimento realizado.
EL TRANSISTOR UJT
Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo
para SCR y TRIAC. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases
y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:
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En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está
compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos.
Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen
muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las
dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender
mejor cómo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de
la figura siguiente:
R1 y R2 equivale a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los
terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión ormada por los cristales P-
N entre el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es
igual a:
𝑅𝐵𝐵 = 𝑅1 + 𝑅2
Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las dos
bases, la tensión que aparece entre el emisor y la base será la que corresponda en el
circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensión se cumplirá que:
𝑉𝐵𝐵 𝑅1
𝑉1 = 𝑅1 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑅𝐵𝐵 𝐵𝐵
Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.
El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V1 y
VBB. Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual
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a 0,85 y queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y
la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma:
𝑉1 = 𝜂𝑉𝐵𝐵 = 0.85 ⋅ 12 = 10.2𝑉
Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que
aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos
una tensión de 8V al emisor, éste no conducirá, ya que en el cátodo del diodo D
existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensión intrínseca, por lo
que dicho diodo permanecerá polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos
una tensión superior a 10,9V (los 10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera del
diodo D), el diodo comenzará a conducir, produciéndose el disparo o encendido del
UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conducción es
necesario aplicar al emisor una tensión superior a la intrínseca.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos:
Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C,
formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador
comienza a cargarse. Como este condensador está conectado al emisor, cuando se
supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor
óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descarga
rápidamente, y en el terminal de B1 aparecerá un impulso de tensión.
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En la siguiente figura, se muestra una típica aplicación del generador de pulsos de
diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito
controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga:
estufas, lámparas, etc.) gracias a la regulación de la corriente que realiza sobre
medio ciclo del SCR.
EL TRANSISTOR PUT
El Transistor Unijuntura Programable (Programable Unijunction Transistor, PUT)
es un dispositivo compuesto de 4 capas semiconductoras, similar a un SCR. Sin
embargo, el disparo del mismo es respecto del ánodo en vez del cátodo. Mediante
un divisor de tensión resistivo se establece precisamente la tensión de disparo
(tensión de pico, Vp, del PUT). Los PUTs se utilizan casi exclusivamente para
control de fase en circuitos de rectificación controlada, y en algunos casos, se los
utiliza como osciladores.
Operación del PUT:
El PUT tiene 3 terminales, un ánodo (A), un cátodo (K) y una compuerta (G). El
símbolo eléctrico del PUT y su correspondiente circuito equivalente se ven en la
figura.
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En la figura puede verse que el PUT es como un SCR disparado por ánodo, esto es,
si la compuerta se hace negativa respecto del ánodo, el dispositivo pasará del estado
de bloqueo (o de corte) al estado de conducción.
Una característica interesante que presenta este dispositivo es que tiene una región o
zona de trabajo de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo,
Vak, supera a la tensión de pico Vp (la cual es programada mediante el divisor
resistivo; R1, R2), el dispositivo entra en conducción, con lo cual cae la tensión Vak
y aumenta la corriente. Esto ocurre hasta que se llega a la tensión de valle (Vv), el
cual es un punto estable de operación. De esta forma, se obtiene la región de
resistencia negativa, delimitada entre los puntos de pico y de valle. Esto puede verse
claramente en la figura.
La tensión de pico Vp es esencialmente la misma que la tensión de referencia del
divisor de tensión, excepto por la caída de tensión en la juntura de la compuerta.
Una de las aplicaciones típicas de este dispositivo es en un oscilador de relajación,
como el de la figura 3. Para analizar más fácilmente cómo funciona este circuito, es
conveniente hablar del equivalente de Thevenin para la fuente de tensión externa y
el divisor resistivo, aplicado en la compuerta. Estos parámetros quedan definidos:
𝑅1 𝑥𝑅2 𝑅1 𝑥𝑉𝑠
𝑅𝑔 = ; 𝑉𝑠 =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
Las corrientes de pico, Ip, y de valle, Iv, dependen de la impedancia equivalente en
la compuerta, Rg, y de la tensión de alimentación Vs. Por lo tanto, la curva
característica del PUT es sensible respecto de variaciones en Rg y Vs.
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La red RC compuesta por Rt y Ct controla la frecuencia de oscilación junto con R1
y R2. El periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por:
1 𝑉𝑠 𝑅2
𝑇 = = 𝑅𝑥𝐶𝑥 ln ( ) = 𝑅𝑥𝐶𝑥 ln (1 + )
𝑓 𝑉𝑠 − 𝑉𝑝 𝑅1
2. El informe debe contener todos los datos técnicos del UJT, PUT, valores de
los componentes utilizados, así como los gráficos obtenidos en la
experiencia.
El primer circuito que se simuló en el laboratorio funciona de la siguiente manera:
Normalmente el Tiristor trabaja con polarización directa entre ánodo y cátodo (la
corriente circula en el sentido de la flecha del tiristor). Por ello en este circuito solo
es necesario aplicar un pulso en la compuerta (G) para activarlo.
Pero en el segundo circuito, a diferencia del primero, utiliza un condensador. Por
ello este circuito se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a
una carga, en nuestro caso un foco. La potencia suministrada a la carga se controla
variando el ángulo de conducción, pero solo conducirá un semiciclo.
DATOS DEL TRANSISTOR JUNTURA PROGRAMABLE (PUT) 2N6027
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DATOS DEL TRANSISTOR UNIJUNTURA (UJT) 2N2646
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3. ¿Qué sucede con la lámpara cuando aumenta el valor de C en ambos
circuitos?
En el caso del circuito integrado UJT, el condensador afecta la frecuencia de
oscilación. Al aumentar el valor del condensador de 0.5 a 1 uF, el valor de la
frecuencia de oscilación en el condensador bajo de casi del 50%.
Además, el valor del condensador afecta el ángulo de disparo y por tanto la
luminancia, por lo que teóricamente la luminosidad tendría que disminuir con un C
de mayor valor.
4. Según su opinión cuál de los circuitos integrados de disparo es el
recomendable ¿Por qué?
El PUT es más flexible que el UJT ya que la compuerta se conecta a un divisor de
tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de
tiempo RC.
5. ¿Qué dificultades encontró para realizar este experimento? Sugiera que
cambios se podrían hacer para mejorarlo.
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Hubo un error al hacer las conexiones debido a una posible falla del tiristor, lo
que provocó un cortocircuito y se quemó el condensador de 0.22uF; por este
motivo la solución fue realizar el laboratorio en una simulación de Proteus.
4.5. CONCLUSIONES
• Se observó que los condensadores tienen efecto en el ángulo de disparo y también
se ven relacionados inversamente proporcional con la luminosidad del foco.
• El PUT permite una mayor libertad al cambiar la frecuencia ya que no altera la
constante de tiempo RC, lo contrario al UJT.
5. BIBLIOGRAFÍA
• [1] I. R. Arevalo, «"Manual de laboratorio de Electronica de Potencia",»
Facultad de Ingenieria Mecanica, LIma, XX.
• [2] M. H. Rashid, "ELECTRONICA DE POTENCIA", Circuitos,Disposi vos y
Aplicaciones, CD Mexico: Prentice Hall , 1995.
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