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Modelo del mar de electrones en metales

El enlace metálico se caracteriza por una nube electrónica que rodea cationes en una estructura cristalina, explicada por los modelos del mar de electrones y de bandas. La conductividad eléctrica depende de la proximidad entre la banda de valencia y la banda de conducción, siendo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos clasificaciones clave. Además, los metales presentan propiedades como conductividad, brillo metálico, maleabilidad y diversas estructuras cristalinas como cúbica simple, cúbica centrada en el cuerpo y cúbica compacta.

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Modelo del mar de electrones en metales

El enlace metálico se caracteriza por una nube electrónica que rodea cationes en una estructura cristalina, explicada por los modelos del mar de electrones y de bandas. La conductividad eléctrica depende de la proximidad entre la banda de valencia y la banda de conducción, siendo los semiconductores intrínsecos y extrínsecos clasificaciones clave. Además, los metales presentan propiedades como conductividad, brillo metálico, maleabilidad y diversas estructuras cristalinas como cúbica simple, cúbica centrada en el cuerpo y cúbica compacta.

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Enlace metálico

Una nube electrónica rodea a todo el conjunto de iones positivos, empaquetados


ordenadamente, formando una estructura cristalina de alto índice de coordinación. Existen
dos modelos que lo explican:

Modelo del mar de electrones: Los elementos con un enlace metálico están compartiendo un
gran número de electrones de valencia, formando un mar de electrones rodeando un enrejado
gigante de cationes.

Modelo de bandas: Se basa en la teoría de orbitales moleculares. Infinidad de orbitales


atómicos producen bandas de orbitales moleculares. Con un número tan grande de niveles de
energía, la separación entre los niveles se reduce de tal manera que prácticamente forman un
continuo, el cual se conoce como banda. En el enlace metálico la mitad de los OM son
esencialmente enlazantes y la otra mitad son antienlazantes. Por ejemplo, para el caso del
Litio:

Podemos diferenciar:

La banda de valencia (BV): está ocupada por los electrones de valencia de los átomos, aquellos
electrones que se encuentran en el último nivel energético de los átomos, son los que forman
los enlaces entre los átomos, pero no intervienen en la conducción eléctrica.

La banda de conducción (BC): está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se
han desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente, son los responsables de conducir
la corriente eléctrica.

Entre la banda de valencia y la de conducción existe una zona denominada banda prohibida o
gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los electrones.

Modelo de bandas y conducción eléctrica

Para que un material sea buen conductor de la corriente eléctrica no debe haber separación
entre la BC y la BV (para que pueden llegar a solaparse), de manera que los electrones puedan
saltar entre las bandas.

Podemos considerar aislante a aquel material cuya separación entre bandas es grande.

Semiconductor: es aquel en el cual la separación entre bandas permite el salto entre las
mismas de solo algunos electrones. En los semimetales las bandas están separadas por una
brecha de energía que depende de la interacción de los orbitales s y p en el metal. Para que se
produzca el salto de electrones entre las bandas deben darse alguna de las siguientes
situaciones: que el material se encuentre a altas presiones, a una elevada temperatura o que
se le añadan impurezas.

Los semiconductores se pueden clasificar en dos tipos:

1. Semiconductores intrínsecos: Son aquellos cuyo comportamiento eléctrico se basa en la


estructura electrónica inherente al material puro. Son los que poseen una conductividad
eléctrica controlable a temperatura ambiente se comportan como aislantes.

2. Semiconductores extrínsecos: Son aquellos cuyas características eléctricas vienen impuestas


por los átomos con impurezas. Se forman al agregar impurezas o sustancias dopantes, su
conductividad dependerá de la concentración de estos átomos dopantes.

Dependiendo de esas impurezas habrá dos tipos de semiconductores extrínsecos:

Tipo n: En las redes se introducen elementos que tienen un electrón más en su capa de
valencia, se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos.

Tipo p: En este caso se introducen elementos que presentan un electrón menos en su capa de
valencia, por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.
Relación de la conductividad eléctrica con la temperatura:

La conductividad de la mayoría de los semiconductores y aislantes aumenta rápidamente con


la temperatura, mientras que los metales muestran una ligera pero gradual disminución así
como en los superconductores.

Propiedades del enlace metálico:

Conductividad eléctrica y térmica: Son buenos conductores debido a la deslocalización de los


e-. Si se aplica el modelo de bandas, puede suponerse que la banda vacía (de conducción) está
muy próxima a la banda en donde se encuentran los e- de forma que con una mínima energía
éstos saltan y se encuentran con una banda de conducción libre. Los metales siguen
conduciendo el calor y la electricidad cuando están fundidos. Este hecho prueba que los
enlaces metálicos se mantienen en la fase líquida.

Brillo metálico: Los electrones de la superficie son capaces de irradiar luz de la misma
frecuencia que la luz incidente. Tienen un brillo característico debido a la gran cantidad de
niveles muy próximos de energía que hace que prácticamente absorban energía de cualquier
“” que inmediatamente emiten (reflejo y brillo).

Maleabilidad y ductilidad: Por efecto de presión externa, se puede desplazar una capa de iones
metálicos pero la estructura interna permanece inalterada. No existen enlaces con una
dirección determinada, si se distorsiona la estructura los e- vuelven a estabilizarla
interponiéndose entre los cationes.

Estructuras de los sólidos metálicos:

Casi todos los metales cristalizan en uno de los siguientes tipos de redes:

(SCP) cúbica simple: Las esferas se colocan en filas y columnas


ordenadas, con las canicas de una capa situadas directamente sobre la
capa previa, de manera que todas las capas son idénticas. Cada esfera
está rodeada por seis vecinas, cuatro de su propia capa, una arriba y
otra abajo, por lo que se dice que tiene un número de coordinación
igual a 6. En el empaquetamiento cúbico simple, las esferas sólo ocupan
el 52% del volumen disponible, lo que hace que el uso del espacio sea
ineficiente y minimice las fuerzas de atracción.

(BCC) cúbica centrada en el cuerpo: Arreglo a-b-a-b, donde


las esferas en las capas b se colocan en las depresiones
generadas por las esferas de las capas a, y viceversa. En esta
modalidad, cada esfera tiene un número de coordinación de
8, cuatro vecinas arriba y cuatro abajo, y el espacio se usa
con mayor eficiencia: se ocupa el 68% del volumen
disponible.

(HCP) hexagonal compacto: El arreglo por empaquetamiento compacto hexagonal tiene dos
capas alternantes, a-b-a-b. Cada capa cuenta con un arreglo
hexagonal en el que las esferas de la capa b ajustan en las pequeñas depresiones triangulares
entre las esferas de la capa a. El cinc, el magnesio y otros 14 metales cristalizan de esta forma.

(CCP) cúbico compacto: Consta de tres capas alternantes, a-b-c-a-b-


c. Las capas a-b son idénticas a aquéllas en el arreglo por
empaquetamiento compacto hexagonal, pero la tercera capa está
desfasada tanto de la capa a como de la b. Las esferas de la tercera
capa se colocan en las depresiones tanto de la capa a como de la
capa b. La plata, el cobre y otros 10 metales cristalizan con este
arreglo.

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