Tema 1
Física de materiales
Física de materiales
semiconductores
Índice
Esquema. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Ideas clave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1 Introducción y objetivos . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Estados de agregación de la materia . . . . . . . . 3
1.3 Tipos de enlaces . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Conductividad y resistividad . . . . . . . . . . . . 8
1.5 Semiconductores intrínsecos . . . . . . . . . . . 12
1.6 Semiconductores extrínsecos . . . . . . . . . . . 13
1.7 Referencias bibliográficas . . . . . . . . . . . . . 16
1.8 Cuaderno de ejercicios . . . . . . . . . . . . . . 17
Esquema
Física de materiales
semiconductores
Estados de Tipos de
Semiconductores
agregación enlaces
Intrínsecos Extrínsecos
Iónico Metálico Covalente
Tipo N Tipo P
Física de materiales
2
Tema 1. Esquema
Ideas clave
1.1 Introducción y objetivos
El objetivo de este tema es la introducción a materiales semiconductores. Para ello
estudiaremos los distintos tipos de enlaces existentes y como se forman. Prestaremos
especial atención al enlace covalente, el cuál es el responsable de la existencia de
materiales semiconductores.
Posteriormente comentaremos en qué casos un sólido con enlace covalente (que en
principio es aislante) se convierte en un semiconductor. Explicaremos también la exis‐
tencia de semiconductores intrínsecos y extrínsecos y qué tipos existen según el do‐
paje.
Con más detalle, los objetivos del tema son:
▸ Recordar los distintos tipos de enlaces existentes: iónico, covalente y metálico.
▸ Aprender cuándo un material es semiconductor.
▸ Saber distinguir entre semiconductores intrínsecos y extrínsecos.
▸ Saber cuál es la diferencia entre semiconductores tipo N y tipo P.
1.2 Estados de agregación de la materia
Es bien conocido por todos que los tres estados (estándar) de agregación la materia
son sólido, líquido y gaseoso. La principal diferencia entre ellos (sin entrar en grandes
detalles) está ilustrada en la siguiente Figura 1:
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
Su forma y volumen no depende del
Sólido
recipiente que lo contiene
Estados de Su forma depende del recipiente que lo
Líquido
agregación contiene pero su volumen no
Su forma y volumen depende del
Gas
recipiente que lo contiene
Figura 1: Estados de agregación de la materia. Elaboración propia.
Durante este curso trataremos principalmente con sólidos. Dentro de ellos podemos
distinguir varios tipos dependiendo de su ordenación interna a nivel atómica como ve‐
mos en la Figura 2. En el caso de un sólido cristalino, sus elementos están ordenados
regularmente por todo el espacio. En el caso de los sólidos amorfos, sus elementos no
poseen un orden interno y en el último caso los elementos forman cristales en peque‐
ñas regiones, observando múltiples cristales, estos se llaman sólidos policristalinos.
a) b) c)
Figura 2: Ordenación interna atómica en un sólido a) cristalino, b) amorfo y c) policris‐
talino. Elaboración propia.
Durante el curso, para temas de transporte electrónico trataremos fundamentalmente
con semiconductores, los cuáles en su mayoría son sólidos cristalinos.
1.3 Tipos de enlaces
Como se ha comentado ya, durante el curso trataremos fundamentalmente con sóli‐
dos cristalinos. Ahora ya sabemos los tipos de sólidos según su ordenación. Pero para
entender correctamente sus propiedades es fundamental entender correctamente los
tipos de enlace que puede haber entre sus átomos y moléculas. Debido a dichos enla‐
ces y la configuración electrónica podremos distinguir entre materiales conductores,
aislantes y semiconductores (Jacoboni, 2010; Chang & Overby, 2018; Miessler & Tarr,
2004).
Los semiconductores son los materiales que más nos interesan en esta primera parte
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
del curso. Se comportan como conductores en ciertas condiciones y como aislantes
en otros casos. Es por ello que toda la industria electrónica está basada en dichos
materiales.
A continuación vamos a hacer un repaso de los distintos tipos de enlace (iónico, me‐
tálico y covalente) poniendo especial atención al covalente, ya que es el enlace que
aparece en materiales semiconductores.
Hemos de recordar también de otros cursos que para determinar el tipo de enlace que
forman distintos átomos hay que tener en cuenta los electrones de valencia, es decir
aquellos que se sitúan en su última capa. Cabe recordar que los electrones situados
en capas inferiores están fuertemente unidos al núcleo y (normalmente) no definen
el tipo de enlace que forma dicho átomo. Recordemos también la regla del octeto, la
cual nos dice que los elementos quieren tener ocho electrones en la última capa para
que dicha capa esté llena (dos electrones del orbital s y seis electrones del orbital p).
Enlace iónico
Los enlaces iónicos están formados por un átomo metálico y otro no metálico. Se ca‐
racteriza porque los electrones están altamente ligados a los átomos y por tanto no
pueden moverse libremente a lo largo del sólido. Esto hace que sean malos conduc‐
tores.
Dichos enlaces están formados por pares de átomos con gran diferencia de electrone‐
gatividad, uno de carácter no metálico al cual le faltan 𝑥 electrones para completar su
última capa y a otro de carácter metálico al cual le sobran 𝑥 electrones para tener su
última capa llena. Por tanto tienen la misma carga pero de signo contrario.
De esta forma ambos átomos se juntan y el átomo metálico cede sus electrones al
átomo no metálico. Una vez cedidos, el elemento metálico queda cargado positiva‐
mente, el no metálico negativamente y se unen debido a fuerzas electrostáticas, tal
como vemos en la Figura 4.
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
e-
+ + + + + e- e-
- - - - -
+ + + + + e- Cl- e- Na+
- - - - -
e-
+ + + + + e-
- - - - - e-
Figura 3: Esquema de un sólido formado
por enlaces iónicos. Elaboración propia. Figura 4: Esquema de un enlace iónico
formado por cloro y sodio. Elaboración
propia.
Enlace metálico
Este tipo de enlaces esta formado por átomos metálicos. Como hemos comentado
anteriormente a dichos elementos le sobran 𝑥 electrones para tener su última capa
llena. Es por ello que los electrones sobrantes forman una nube electrónica (o mar
de electrones) distribuida por todo el sólido. Los átomos (junto con los electrones de
capas completas) quedan ligados entre sí formando el sólido.
- - - - -
- - - - - -
- -
+ + + + + -
-
- + + + + + -
- -
- + + + + +
- -
- -
- - - - -
-
Figura 5: Esquema de un sólido metálico. Elaboración propia.
En la Figura 5 vemos un sólido metálico. Podemos ver que hay el doble de electrones
que átomos positivos, por lo que podemos deducir que el metal ha de tener dos elec‐
trones de valencia, podría ser por tanto el caso de un metal perteneciente al segundo
grupo de la tabla periódica (como el Magnesio o Calcio). Los electrones de la nube
pueden moverse libremente y por tanto los sólidos metálicos son buenos conducto‐
Física de materiales
6
Tema 1. Ideas clave
res.
Enlace covalente
En este caso se presentan dos elementos los cuales necesitan ambos adquirir electro‐
nes. Lo que hacen entonces es «compartir» electrones para de esta forma tener ambos
elementos la última capa completa tal como vemos en la Figura 6. Dichos elementos
no suelen tener gran diferencia en su electronegatividad.
Típicamente está formado por dos elementos metálicos, como podría ser el caso de un
átomo de oxígeno con otro de oxígeno (formando O2 ) o enlaces de oxígeno y carbono
(formando CO2 ). Estos casos formados por dos metales sin embargo no son los que
nos interesan. Esto es debido a que dichos enlaces son muy fuertes y no se rompen,
haciendo que la conducción electrónica sea nula.
e-
e- Electrón
e- Si e-
libre
e- Si e-
e-
e-
e-
e- e- e-
e- e- e-
e- Si e- e- Si h+ e- Si e-
e- Si e- e- Si e- e- Si e-
e- e- e-
e- e- e- e-
e-
e- Si e-
Hueco
e- Si e-
e-
e-
Figura 7: Esquema anterior, donde la
Figura 6: Esquema de cuatro enlaces co‐ energía térmica ha roto un enlace cova‐
valentes de Silicio. Elaboración propia. lente de Silicio creando un par electrón‐
hueco. Elaboración propia.
Sin embargo, una cosa distinta pasa cuando dicho enlace está formado por dos me‐
tales (los cuales cumplen el requisito de tener una electronegatividad similar) ya que
la fuerza del enlace no es tan grande y la energía térmica puede llegar a ser capaz de
romper dicho enlace, dejando electrones libres los cuales pueden conducir electrici‐
dad.
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
1.4 Conductividad y resistividad
Tal como avanzamos en la sección anterior, cuando el enlace covalente es formado por
dos elementos metálicos dicho enlace covalente no es tan fuerte y la energía térmica
puede ser capaz de romper el enlace, quedando electrones libres (Figura 7).
Por tanto, un material que sea aislante a baja temperatura puede comportarse como
conductor a ciertas temperaturas. Estos son los primeros materiales que podríamos
considerar semiconductores.
Dichos materiales son extremadamente importantes en la electrónica. Este tipo de
átomos en ciertas condiciones se comportan como conductores y en otras como ais‐
lantes. Esto hace que podamos controlar de alguna forma el paso de corriente por
estos materiales, haciendo que nuestros circuitos sean capaces de responder de for‐
ma distinta a distintas tensiones que les apliquemos. Normalmente estos materiales
tienen cuatro electrones de valencia.
La importancia de los semiconductores radica en que al poder controlar de alguna
forma el paso de corriente por estos materiales, nuestros circuitos son capaces de
responder de forma distinta a distintas tensiones que les apliquemos. En primer lugar,
apareció el germanio como candidato a ser el semiconductor más usado. Sin embargo,
a temperaturas altas deja de comportarse como un semiconductor y perdemos con‐
trol sobre su conductividad. Es por ello, que el Silicio es hoy en día el semiconductor
ampliamente usado en los circuitos integrados. Además es un material ampliamente
encontrado en la naturaleza, con lo que su coste es bajo.
Conductividad
Cuando rompemos un enlace covalente aparece lo que se conoce como par electrón‐
hueco (Figura 7). Como hemos comentado, dicho sólido comienza entonces a compor‐
tarse como un conductor (Tipler & Mosca, 2007). Dicha conducción es debida a dos
motivos:
1. Electrones libres, que son capaces de circular libremente por el sólido.
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
2. Electrones ligados, que van ocupando diferentes enlaces.
El movimiento de dichos electrones ligados se comporta como si hubiese una partícula
moviéndose libremente de misma carga que la del electrón, pero positiva (Shockley,
1950). Este es el concepto de hueco, una pseudopartícula (no existe realmente) pero
que es capaz de describir el movimiento de todos los electrones ligados, facilitando
enormemente los cálculos asociados a dicho movimiento. Como símil, en un párking
lleno de coches, es más fácil contabilizar el movimiento de los sitios libres que el de
todos los sitios ocupados por coches. Por contra, si el párking está casi vacío sería más
fácil controlar los coches que se mueven que los sitios libres.
La conductividad 𝜎 viene dada por:
𝜎 = 𝑞𝜇𝑛 𝑛 + 𝑞𝜇𝑝 𝑝 , (1)
donde 𝑛 es la concentración de electrones, 𝑝 la concentración de huecos, 𝑞 el valor
de la carga del electrón (en valor absoluto) y 𝜇𝑛 y 𝜇𝑝 la movilidad de los electrones y
huecos respectivamente. Sobre la la movilidad hablaremos posteriormente en otros
capítulos. Por el momento vale con saber que es una magnitud que depende del ma‐
terial en el que los electrones se mueven. Su valor también es diferente si hablamos
de la movilidad de electrones o huecos.
Igualmente, hablaremos en sucesivos capítulos sobre la conductividad. Dicha mag‐
nitud nos da una idea de lo fácil o difícil que es para un electrón o hueco moverse
por un metal o un semiconductor. Con ella seremos capaces de obtener la densidad
de corriente (𝐽 ) en un semiconductor. Sus unidades en el sistema internacional son
𝛺−1 ⋅ m−1 .
Resistividad
La resistividad de un material es la inversa de la conductividad (Tipler & Mosca, 2007)(Ti‐
pler & Mosca, 2007):
1 1
𝜌= = . (2)
𝜎 𝑞𝜇𝑛 𝑛 + 𝑞𝜇𝑝 𝑝
Sus unidades en el sistema internacional son 𝛺 ⋅ m.
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
La resistividad hace referencia a cuánto le cuesta atravesar a electrones y huecos un
conductor o semiconductor sin tener en cuenta la geometría de dicho material, es un
valor intrínseco al material.
La resistividad depende altamente de la temperatura a la que nos encontremos tal
como indica la siguiente expresión:
𝜌(𝑇 ) = 𝜌0 [1 + 𝛼(𝑇 − 𝑇0 )] , (3)
donde 𝛼 es el coeficiente de temperatura (que depende del material), 𝜌0 y son es
una resistividad específica a una temperatura 𝑇0 , la cuál suele ser 𝑇0 = 293 K. Puede
parecer que siempre a temperaturas mayores, la resistividad de un material aumenta,
pero no es del todo cierto ya que dicho coeficiente puede ser negativo como en el
Silicio o Germanio.
En la siguiente tabla se muestra varios valores de resistividad y del coeficiente de tem‐
peratura asociados a varios materiales:
Material Si Ge C Ag Cu
Tabla 1: Valores de resistividad y del coeficiente de temperatura asociados a varios
materiales. Elaboración propia.
Resistencia
La resistencia mide cuánto le cuesta a electrones y huecos atravesar un material con
cierta geometría. Su ecuación es:
𝐿
𝑅=𝜌 , (4)
𝐴
donde 𝐿 es la longitud del conductor y 𝐴 el área de la sección transversal por la cual
circulan los portadores libres (electrones y huecos), tal como se indica en la Figura 8.
Sus unidades son 𝛺−1 .
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
e+
A
L
Figura 8: Resistencia en un conductor. Elaboración propia.
Ejemplo 1. Cálculo de la resistencia en conductor
Vamos a calcular la resistencia en un cable cilíndrico de cobre a a) 𝑇 = 20 ∘ C y
b) 𝑇 = 200 ∘ C. Dicho cable tiene una longitud 10 cm y un radio de 1 cm. Datos:
𝜌0,𝐶𝑢 = 1.68 ⋅ 10−8 Ω⋅m a 20 ∘ C y 𝛼 = 0.0068 ∘ C−1 .
▸ En primer lugar vamos a trabajar con la temperatura de 20 ∘ C. La resistividad
acorde a Ecuación (3) es:
𝜌(𝑇 = 20∘ C) = 1.68 ⋅ 10−8 [1 + 0, 0068(20 − 20)] = 1, 68 ⋅ 10−8 Ω⋅m.
Por tanto, usando ahora la Ecuación (4) y teniendo en cuenta que al ser un
cilindro la sección transversal es un círculo, obtenemos que la resistencia
es (poniendo todas las magnitudes en las unidades apropiadas):
𝐿 0, 1
𝑅=𝜌 = 1.68 ⋅ 10−8 = 534.7 ⋅ 10−8 Ω .
𝐴 𝜋0.012
▸ Repitamos ahora los cálculos pero para una temperatura de 200 ∘ C:
𝜌(𝑇 = 200 ∘ C) = 1.68 ⋅ 10−8 [1 + 0.0068(200 − 20)] = 2.9 ⋅ 10−8 Ω⋅m.
Por tanto, usando ahora la Ecuación (4) y teniendo en cuenta que al ser un
cilindro la sección transversal es un círculo, obtenemos que la resistencia
es (poniendo todas las magnitudes en las unidades apropiadas):
𝐿 0.1
𝑅=𝜌 = 2.9 ⋅ 10−8 = 924.4 ⋅ 10−8 Ω .
𝐴 𝜋0.012
Física de materiales
11
Tema 1. Ideas clave
Como vemos, debido a que el coeficiente es positivo, la resistividad aumen‐
ta con la temperatura y por tanto la resistencia de dicho conductor es mayor
a temperaturas altas.
1.5 Semiconductores intrínsecos
La cantidad de portadores libres (electrones y huecos) no solo depende de la energía
térmica, sino de factores como campos magnéticos o presión. Cuando la cantidad de
portadores libres (conductividad) solamente depende de este tipo de factores, se les
llama semiconductores intrínsecos.
En los semiconductores intrínsecos el número de huecos es el mismo que el de elec‐
trones libres y por tanto:
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 , (5)
donde 𝑛𝑖 es la concentración de portadores intrínseca, independientemente de si se
trata de electrones o huecos ya que su concentración (intrínseca) es la misma.
Por tanto, en la Ecuación (1) la conductividad se puede expresar como:
𝜎 = 𝑞𝑛𝑖 (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 ) . (6)
Sin embargo, los semiconductores intrínsecos presentan una baja conductividad. Por
ello, a menudo se produce la adición de átomos externos o impurezas dopantes al ma‐
terial para solucionar este problema. A este tipo de semiconductores se le denomina
semiconductores extrínsecos y son los que más estudiaremos.
Ejemplo 2. Cálculo de la conductividad en un semiconductor intrínseco
En un semiconductor sin ningún tipo de impureza (semiconductor intrínseco) cal‐
cular la conductividad. Datos: 𝑛𝑖 = 1.5 ⋅ 1016 m−3 , 𝜇𝑛 = 0.13 m2 V−1 s−1 y 𝜇𝑝 =
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
0.05 m2 V−1 s−1 . Aplicando directamente la Ecuación (6):
𝜎 = 𝑞𝑛𝑖 (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 ) = 1.5 ⋅ 1016 ⋅ 1.6 ⋅ 10−19 (0.13 + 0.05) = 4.32 Ω−1 m−1 .
1.6 Semiconductores extrínsecos
Cuando añadimos dopantes a un semiconductor, podemos convertirlos en tipo N (cuan‐
do los portadores mayoritarios son electrones) o tipo P (cuando los portadores mayo‐
ritarios son huecos). En los tipos N, añadimos átomos con valencia mayor que las del
semiconductor, haciendo que la diferencia de electrones de valencia circule libremen‐
te por el material (Figura 9). En los tipos P, introducimos átomos con valencia menor,
esto hace que existan huecos donde debería haber un electrón. Esto hace que el hueco
se pueda mover por el material (Figura 10). Insistimos en que si bien esta idea es válida
y facilitan los cálculos, lo que ocurre realmente es que se mueven muchos electrones
ligados, y lo que parece es que se mueva el hueco.
En los semiconductores extrínsecos no se cumple la Ecuación (5) y:
𝑛 ≠ 𝑝. (7)
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Tema 1. Ideas clave
e- e-
e- Si e- e- Si e-
Electrón libre Hueco libre
e- e-
e- e- e- e- e- e-
e-
e- Si e- e- Sb e- e- Si e- e- Si e- e- B h+ e- Si e-
e- e- e- e- e- e-
e- e-
e- Si e- e- Si e-
e- e-
Figura 9: Semiconductor extrínseco tipo Figura 10: Semiconductor extrínseco tipo
N compuesto de Silicio y Antimonio. P compuesto de Silicio y Boro.
Dopaje en un semiconductor extrínseco
En el caso de semiconductores intrínsecos, existe el mismo número de electrones que
de huecos, ya que no se introducen impurezas. Sin embargo, en el caso de los semicon‐
ductores extrínsecos introducimos un tipo de portador (ya sea huecos o electrones)
que definirán el transporte en nuestro material.
Introducimos generalmente átomos diferentes a los de nuestra muestra con mayor
(introducimos electrones) o menor (introducimos huecos) número de electrones en
la capa de valencia.
▸ En el caso de tipo N, introducimos impurezas donadoras con una densidad:
átomos de impurezas donadoras
𝑁𝐷 = ,
m3
mientras que el número total de portadores (electrones libres, portadores de
carga negativa) son:
𝑛 = 𝑁 𝐷 + 𝑛𝑖 ≈ 𝑁 𝐷 , (8)
donde 𝑛𝑖 es la concentración intrínseca o los electrones generados térmicamen‐
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
te.
Nota: La última aproximación realizada en Ecuación (8) ocurre frecuentemente, ya
que la densidad de impurezas donadoras suele ser mucho mayor que los electrones
que se generan intrínsecamente en el conductor. Más adelante discutiremos en pro‐
fundidad cuando se puede realizar dicha aproximación. Igualmente ocurre esto en
la Ecuación (10) con los huecos.
En este tipo de dopados la Ecuación (1) se convierte en:
𝜎 ≈ 𝑞𝜇𝑛 𝑁𝐷 , (9)
▸ En el caso de tipo P, introducimos impurezas aceptoras con una densidad:
átomos de impurezas aceptoras
𝑁𝐴 = ,
m3
mientras que el número total de portadores (huecos libres, portadores de carga
positiva) son:
𝑝 = 𝑁 𝐴 + 𝑛𝑖 ≈ 𝑁 𝐴 . (10)
Al igual que antes, la última aproximación realizada en Ecuación (10) es el caso
habitual, ya que la densidad de impurezas aceptoras suele ser mucho mayor
que los huecos que se generan intrínsecamente en el conductor. Cuando los
portadores mayoritarios son huecos, estos se mueven en el mismo sentido que
la intensidad de un circuito.
En este caso la Ecuación (1) se convierte en:
𝜎 ≈ 𝑞𝜇𝑝 𝑁𝐴 , (11)
Nota: Si el átomo de nuestra muestra y el átomo introducido difieren en más de un
electrón (por ejemplo, difieren 2 electrones), la cantidad de portadores libres habría
que multiplicarlo por un factor dos.
Física de materiales
15
Tema 1. Ideas clave
Ejemplo 3. Cálculo de la conductividad y resistencia con semiconductores ex‐
trínsecos
Vamos ahora a calcular conductividad y la resistencia en una muestra cuya sec‐
ción 𝐴 = 2 mm2 y una longitud 𝐿 = 2.5 cm. Dicha muestra es de Silicio, a una
temperatura de 300 K, dopado con una concentración de 1017 cm−3 átomos de
fósforo. Datos: 𝜇𝑛 = 700 cm2 /(V ⋯), 𝑛𝑖 = 1010 cm−3 .
1. En primer lugar, vemos que el dopaje está formado por átomos de fósforo,
los cuales tienen 5 electrones en su capa de valencia, es decir estamos aña‐
diendo electrones extra a nuestra muestra inicial de Silicio (el cual tiene 4
electrones de valencia). Por tanto por cada átomo de fósforo añadimos un
electrón, lo cual quiere decir que:
𝑛 = 𝑁𝐷 + 𝑛𝑖 = 1017 + 1010 ≈ 1017 .
Vemos que efectivamente podemos despreciar el aporte de electrones y
huecos por generación térmica, ya que el dopaje es muy alto.
2. La conductividad entonces podemos hallarla usando la Ecuación (9):
𝜎 ≈ 𝑞𝜇𝑛 𝑁𝐷 = 1.6 ⋅ 10−19 ⋅ 700 ⋅ 1017 = 11.2 𝛺−1 ⋅ cm−1 .
3. Por tanto, usando ahora la Ecuación (4), obtenemos que la resistencia es:
1𝐿 1 2.5
𝑅= = = 13.4 𝛺 .
𝜎 𝐴 11.2 0.02
1.7 Referencias bibliográficas
Chang, R. & Overby, J. (2018). Chemistry. McGraw‐Hill Education.
Jacoboni, C. (2010). Theory of electron transport in semiconductors. A pathway from
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Tema 1. Ideas clave
elementary physics to nonequilibrium Green functions.
Miessler, G. & Tarr, D. (2004). Inorganic Chemistry. Inorganic Chemistry. Pearson
Education.
Shockley, W. (1950). Electrons and Holes in Semiconductors: With Applications to Tran‐
sistor Electronics. Bell Telephone Laboratories series. Van Nostrand.
Tipler, P. & Mosca, G. (2007). Physics for Scientists and Engineers. Physics for Scientists
and Engineers. W. H. Freeman.
1.8 Cuaderno de ejercicios
Ejercicio 1. ¿Qué tipo de enlace tienen los siguientes compuestos? a) NO b) HF
c) MgO d) AlCl3 e) O3 . Solución: a) Covalente b) Iónico c) Covalente, d) Iónico, e)
Covalente.
Ejercicio 2. Calcular la resistividad en una muestra dopada de Germanio. Datos:
𝑛𝑖 = 2.5 ⋅ 1013 cm−3 , 𝑁𝐷 = 4.41 ⋅ 1022 cm−3 , 𝜇𝑛 = 3800 cm2 /(V ⋯) y 𝜇𝑝 =
1800 cm2 /(V ⋯). Solución: 𝜌 = 3.7 Ωcm.
Ejercicio 3. Un material tiene una conductividad de 𝜎 = 45 ⋅ 106 Ω−1 m−1 , ¿cuál
es la resistencia de un cable de dicho material de 0,01m de diámetro y 0.05 m de
largo? Solución: 𝑅 = 14.2 ⋅ 10−6 Ω.
Ejercicio 4. Un material se estira doblando su longitud inicial y manteniendo su
volumen constante. ¿Cuánto varía su resistencia? Solución: La resistencia es cua‐
tro veces mayor que la inicial.
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave
Ejercicio 5. Un material tiene un radio de 0.5 nm, longitud de 4680 km y 𝑅 =
1 ⋅ 106 𝛺. Calcular su resistividad. Solución: 𝜌 = 168 ⋅ 10−9 𝛺m.
Física de materiales
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Tema 1. Ideas clave