Tema 3
Física de Materiales
Transporte con
semiconductores
Índice
Esquema. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Ideas clave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3.1 Introducción y objetivos . . . . . . . . . . . . . 3
3.2 Concentración intrínseca . . . . . . . . . . . . . 3
3.3 Nivel de Fermi en semiconductor intrínseco . . . . . 5
3.4 Ley de acción de masas. . . . . . . . . . . . . . 6
3.5 Semiconductor extrínseco . . . . . . . . . . . . 6
3.6 Dependencia con respecto a la temperatura . . . . . 7
3.7 Concentración de portadores . . . . . . . . . . . 8
3.8 Niveles en semiconductor extrínseco . . . . . . . . 9
3.9 Transporte eléctrico . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.10 Corriente por arrastre de campo . . . . . . . . . 12
3.11 Corriente por difusión de portadores. . . . . . . . 13
3.12 Referencias bibliográficas . . . . . . . . . . . . 17
3.13 Cuaderno de ejercicios . . . . . . . . . . . . . 17
Esquema
Transporte con
semiconductores
Semiconductor Semiconductor
Transporte
intrínseco extrínseco
Nivel de Nivel de Corriente Corriente
Concentración Concentración
Fermi Fermi arrastre difusión
Física de MaterialesTema 3. Esquema 2
Ideas clave
3.1 Introducción y objetivos
En este tema vamos a estudiar como calcular la concentración de portadores y nive‐
les de Fermi para semiconductores intrínsecos y extrínsecos, en los cuales debido al
dopaje todo cambia. También estudiaremos la ley de masas, la cual será de enorme
ayuda ya que nos relaciones concentraciones de huecos y electrones en el equilibrio.
Por último, veremos los tipos de corriente que aparecen cuando los portadores se
mueven. Existen dos tipos: corrientes de arrastre y de difusión.
Con más detalle, los objetivos del tema son:
▸ Calcular la concentración de portadores y niveles de Fermi en semiconductores
intrínsecos.
▸ Aprender la ley de masas.
▸ Calcular la concentración de portadores y niveles de Fermi en semiconductores
extrínsecos, tipo P y tipo N.
▸ Ver qué tipos de corrientes existen: de arrastre y de difusión.
▸ Aprender la relación de Einstein.
3.2 Concentración intrínseca
Nota: recordemos que todos los casos los haremos en el caso no degenerado (el nivel
de Fermi se encuentra en la banda prohibida) donde podemos aplicar la estadística
de Boltzmann.
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 3
Para calcular la concentración de electrones libres «n» en un semiconductor intrínseco
usamos la densidad de estados dividida entre el volumen, ya que 𝑛 = 𝑁/𝑉 . Por tanto
(Morkoç, 2008):
𝑑𝑛 = 𝑔𝐶 (𝐸)𝑓𝑒 (𝐸)𝑑𝐸, (1)
si integramos dicha ecuación obtenemos:
∞ 𝐸𝐶 −𝐸𝑓
−
𝑛= 𝑔𝐶 (𝐸)𝑓𝑒 (𝐸)𝑑𝐸 = 𝑁𝑐 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 , (2)
∫𝐸𝐶
donde 𝑁𝐶 es la densidad efectiva de estados en la banda de conducción:
2𝜋𝑚∗𝑒 𝑘𝐵 𝑇 3/2 19 𝑇 3/2 𝑚𝑒
∗ 3/2
𝑁𝑐 = 2 = 2, 86 ⋅ 10 ( cm−3 , (3)
( ℎ2 ) 300 ) ( 𝑚𝑒 )
Para calcular la concentración de huecos «p» operamos de forma parecida:
𝑑𝑝 = 𝑔𝑉 (𝐸)𝑓ℎ (𝐸)𝑑𝐸 , (4)
𝐸𝑉 𝐸𝑉 −𝐸𝑓
𝑝= 𝑔𝑉 (𝐸)𝑓ℎ (𝐸)𝑑𝐸 = 𝑁𝑉 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 , (5)
∫−∞
donde 𝑁𝑉 es la densidad efectiva de estados en la banda de valencia:
3/2 3/2
2𝜋𝑚∗ℎ 𝑘𝐵 𝑇 19 𝑇 3/2 𝑚ℎ
∗
𝑁𝑉 = 2 = 2, 5 ⋅ 10 ( cm−3 . (6)
( ℎ2 ) 300 ) ( 𝑚𝑒 )
Adelantamos que con alguna manipulación matemática (que veremos próximamen‐
te), obtenemos que podemos escribir también la concentración intrínseca como:
∗ ∗ 3/4
𝑇 3/2 𝑚𝑒 𝑚ℎ
𝐸 𝐸
− 2𝐾 𝑔 𝑇 19 − 2𝐾 𝑔 𝑇
𝑛𝑖 = 𝑛 = 𝑝 = √𝑁𝐶 𝑁𝑉 𝑒 𝐵 = 2, 5 ⋅ 10 ( 𝑒 𝐵 cm−3 . (7)
300 ) ( 𝑚2𝑒 )
Dicha concentración solamente depende del tipo de material y de la temperatura a la
que nos encontremos.
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 4
Material Si Ge GaAs
Gap (eV) 1,14 0,67 1,43
Tabla 1: Valores de 𝑁𝑉 y 𝑁𝐶 para algunos materiales. Elaboración propia.
3.3 Nivel de Fermi en semiconductor intrínseco
Aunque el desarrollo es un poco largo, combinando la Ecuación (12) y la Ecuación (25)
podemos hallar una expresión analítica para la posición del nivel de Fermi en un se‐
miconductor intrínseco no degenerado. Dicho valor es:
𝐸𝐶 + 𝐸𝑉 𝑘𝐵 𝑇 𝑁𝑉
𝐸𝐹 = + 𝑙𝑛 , (8)
2 2 ( 𝑁𝐶 )
el cual teniendo en cuenta la Ecuación (26) y la Ecuación (22) se puede reescribir como:
𝐸𝐶 + 𝐸𝑉 3𝑘𝐵 𝑇 𝑚∗ℎ
𝐸𝐹 = + 𝑙𝑛 , (9)
2 4 ( 𝑚∗𝑒 )
que en el caso normal donde 𝑚∗ℎ ≈ 𝑚∗𝑒 se convierte en:
𝐸𝐶 + 𝐸𝑉 𝐸𝑔
𝐸𝐹 ≈ = 𝐸𝑉 + , (10)
2 2
situándose el nivel de Fermi aproximadamente entre el mínimo de la banda de con‐
ducción y el máximo de la banda de valencia.
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 5
3.4 Ley de acción de masas
Si multiplicamos la concentración de huecos por la concentración de electrones obte‐
nemos la Ecuación (12):
𝐸𝐶 −𝐸𝑉 𝐸𝑔
− −𝐾
𝑛 ⋅ 𝑝 = 𝑁 𝐶 𝑁𝑉 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 = 𝑁 𝐶 𝑁𝑉 𝑒 𝐵𝑇 . (11)
El anterior resultados es independiente de la posición del nivel de Fermi y en un se‐
miconductor intrínseco, sabemos que la concentración de huecos es la misma que la
de electrones, por lo que 𝑛 = 𝑝 y la anterior ecuación puede reescribirse como:
𝐸𝑔
−𝐾
𝑛 ⋅ 𝑝 = 𝑁 𝐶 𝑁𝑉 𝑒 𝐵𝑇 = 𝑛2𝑖 , (12)
donde 𝑛𝑖 es la concentración intrínseca. Dicha expresión es conocida como ley de ma‐
sas y es aplicable tanto a semiconductores intrínsecos como extrínsecos en el equili‐
brio. Si despejamos de la Ecuación (12) obtenemos:
𝐸
− 2𝐾 𝑔 𝑇
𝑛𝑖 = √𝑁𝐶 𝑁𝑉 𝑒 𝐵 , (13)
donde vemos que la concentración intrínseca crece exponencialmente con la tempe‐
ratura.
3.5 Semiconductor extrínseco
Ya vimos en el primer capítulo que un semiconductor extrínseco es aquel semiconduc‐
tor al cual añadimos impurezas con más o menos electrones en la capa de valencia. De
esta forma conseguimos aumentar la concentración de portadores, ya sea de huecos
o de electrones.
Cuando dopamos con impurezas dadoras obtenemos un semiconductor tipo n y cuan‐
do son aceptoras tipo p. Una vez introducimos impurezas se rompe la simetría que
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 6
había entre huecos y electrones:
𝑛 ≠ 𝑝. (14)
En general la ecuación de neutralidad de carga es:
𝑛 + 𝑁𝐴+ = 𝑝 + 𝑁𝐷
−
. (15)
La Ecuación (15) se aplica en el caso que tengamos en un semiconductor los dos tipos
de dopaje, lo cual es posible pero no habitual. Por lo general se tiene solamente un
tipo de dopaje.
3.6 Dependencia con respecto a la temperatura
Podemos establecer tres regímenes de la Ecuación (15) con respecto a la temperatura
(Morkoç, 2008).
▸ En dicha ecuación (Ecuación (15)) aparecen las impurezas ionizadas. En general,
no todas las impurezas tienen por qué estar ionizadas. Es decir, puede llegar
a ocurrir que aunque introduzcamos impurezas, sus electrones o huecos sigan
ligados a dichas impurezas y por tanto no contribuyan a la corriente. Esto ocurre
a temperaturas bajas.
▸ A temperaturas medias, consideramos todas las impurezas ionizadas, es decir
−
𝑁𝐷 ≈ 𝑁𝐷 y 𝑁𝐴+ ≈ 𝑁𝐴 . Es el caso que vamos a estudiar a lo largo del curso. En
este caso la concentración de impurezas suele ser mucho mayor que la concen‐
tración intrínseca del material, con lo que podemos despreciar la concentración
intrínseca.
▸ A temperaturas altas tenemos también todas las impurezas ionizadas, pero la
concentración intrínseca (debida a la energía térmica) es tan grande comparada
con la concentración de impurezas que podemos generalmente despreciarla en
la Ecuación (15).
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 7
3.7 Concentración de portadores
Vamos a ver ahora que en un semiconductor extrínseco en equilibrio la ley de masas
sigue cumpliéndose.
Semiconductor tipo N
En un semiconductor tipo N los portadores mayoritarios son electrones y los huecos
son los portadores minoritarios.
Como vimos anteriormente a temperaturas medias tenemos todas las impurezas io‐
nizadas y la ecuación de neutralidad en un semiconductor tipo N queda:
𝑛 = 𝑝 + 𝑁𝐷 . (16)
Como la concentración intrínseca puede ser despreciada en comparación a la concen‐
tración de impurezas obtenemos que
𝑛 ≈ 𝑁𝐷 , (17)
Si queremos ahora calcular la concentración de huecos, podemos aplicar la ley de ma‐
sas (Ecuación (12)) y hallamos:
𝑛2𝑖
𝑝= . (18)
𝑁𝐷
De esta forma hallamos las concentraciones de portadores fácilmente, tanto mayori‐
tarios como minoritarios.
Semiconductor tipo P
En este caso ocurre lo mismo, pero intercambiando huecos por electrones. Es decir,
los portadores mayoritarios son huecos y ahora los electrones son los portadores mi‐
noritarios.
De la misma forma, si la concentración intrínseca es despreciable comparada con la
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 8
concentración de impurezas, podemos hacer la siguiente aproximación:
𝑝 ≈ 𝑁𝐴 . (19)
Ahora la concentración de electrones según la Ecuación (12) es:
𝑛2𝑖
𝑛= . (20)
𝑁𝐴
3.8 Niveles en semiconductor extrínseco
Sin embargo los niveles de Fermi sí que cambian si estamos en un semiconductor ex‐
trínseco, acercándose a la banda de conducción en el caso de tipo N o a la banda de
valencia en los tipo P (Morkoç, 2008).
Semiconductor tipo N
La concentración de electrones es (Ecuación (2)):
𝐸𝐶 −𝐸𝑓
−
𝑛 = 𝑁𝑐 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 . (21)
La anterior ecuación podemos escribirla también como:
𝐸𝐹 −𝐸𝑖
𝑛 = 𝑛𝑖 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 . (22)
donde 𝑛𝑖 es la concentración de portadores intrínseca y 𝐸𝑖 es el nivel de Fermi para el
semiconductor intrínseco, el cual (recordemos) es:
∗
𝐸 + 𝐸𝑉 3𝑘𝐵 𝑇 𝑚ℎ 𝐸 + 𝐸𝑉
𝐸𝑖 = 𝐶 + ln ∗ ≈ 𝐶 . (23)
2 4 ( 𝑚𝑒 ) 2
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 9
Despejando el nivel de Fermi de la Ecuación (22)obtenemos:
𝑛 𝑁𝐷
𝐸𝐹 = 𝐸𝑖 + 𝑘𝐵 𝑇 𝑙𝑛 ≈ 𝐸𝑖 + 𝑘𝐵 𝑇 ln . (24)
( 𝑛𝑖 ) ( 𝑛𝑖 )
Semiconductor tipo P
De forma similar podemos actuar con los semiconductores tipo p. En este caso:
𝐸𝑉 −𝐸𝑓
𝑝 = 𝑁𝑉 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 , (25)
la cual podemos reescribir como:
𝐸𝑖 −𝐸𝐹
𝑝 = 𝑛𝑖 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 . (26)
Despejando el nivel de Fermi de la Ecuación (26), obtenemos:
𝑝 𝑁𝐴
𝐸𝐹 = 𝐸𝑖 − 𝑘𝐵 𝑇 𝑙𝑛 ≈ 𝐸𝑖 − 𝑘𝐵 𝑇 ln . (27)
( 𝑛𝑖 ) ( 𝑛𝑖 )
Ejemplo 1. Cálculo de densidad de portadores y energía de Fermi
Tenemos una muestra de silicio a 300K. 1) Calcular la densidad de portadores in‐
trínsecos. 2) Calcular la densidad de electrones y huecos si se dopa con fósforo en
una concentración 1017 cm−3 . 3) Calcular los niveles de Fermi intrínseco y extrín‐
seco. Datos: 𝑁𝐶 = 3.22 ⋅ 1019 cm−3 , 𝑁𝑉 = 1.83 ⋅ 1019 cm−3 , 𝐸gap = 1.12 eV.
1. Usando la Ecuación (12) hallamos que:
𝐸𝑔
−𝐾 1.12
𝑛2𝑖 = 𝑁 𝐶 𝑁𝑉 𝑒 𝐵𝑇 = 3.22 ⋅ 1019 ⋅ 1.83 ⋅ 1019 𝑒− 0.026 = 1020 cm−6 ,
𝑛𝑖 = 1010 cm−3
2. El fósforo tiene 5 electrones en la capa de valencia, con lo que tenemos un
semiconductor extrínseco tipo N. Como se puede ver, la concentración de
impurezas donoras es mucho mayor que la concentración intrínseca, con lo
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 10
que podemos hacer la aproximación:
𝑛 ≈ 𝑁𝐷 = 1017 cm−3 .
Usando entonces la Ecuación (18), obtenemos:
𝑛2𝑖 1020
𝑝= = = 103 cm−3 .
𝑁𝐷 1017
Podemos ver que la concentración de portadores minoritarios (huecos) es
efectivamente mucho menor que la de mayoritarios (electrones).
3. El nivel de Fermi intrínseco podemos hallarlo con la Ecuación (23):
𝐸𝐶 + 𝐸𝑉 3𝑘𝐵 𝑇 𝑚∗ℎ 𝐸𝐶 + 𝐸𝑉
𝐸𝑖 = + 𝑙𝑛 ≈ .
2 4 ( 𝑚∗𝑒 ) 2
Por otra parte, respecto al extrínseco usamos la Ecuación (24):
𝑛 𝑁𝐷 1017
𝐸𝐹 −𝐸𝑖 = 𝑘𝐵 𝑇 ln ≈ 𝑘𝐵 𝑇 ln = 0.026 ln = 0.403 eV.
( 𝑛𝑖 ) ( 𝑛𝑖 ) ( 1010 )
3.9 Transporte eléctrico
Vamos ahora a estudiar los tipos de corriente
eléctrica que pueden aparecer en un semicon‐
Huecos Electrones
Semiconductor
ductor. Dicha corriente se origina por dos tipos de
flujo, por una parte el de los electrones libres en Intesidad
un sentido y por otra parte el de los huecos que se
mueven en sentido contrario tal como vemos en V
la Figura 1. Dichos flujos provocan corrientes del Figura 1: Sentido de la intensidad
mismo sentido, ya que aunque sean flujos opues‐ de la corriente y de la corriente de
portadores. Elaboración propia.
tos uno lleva portadores negativos y el otro posi‐
tivos, con lo que finalmente la corriente eléctrica tiene el mismo sentido.
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 11
También vemos en la Figura 1 que el sentido de la corriente (por convención) es con‐
traria al flujo de electrones, los cuáles son los verdaderos responsables de la corriente
(recordemos que los huecos son una pseudopartícula creada para facilitar nuestros
cálculos y comprensión).
Debido a dichos portadores podemos tener dos tipos de corriente: corriente de arras‐
tre y corriente de difusión.
3.10 Corriente por arrastre de campo
Dicha corriente se produce cuando hay un campo eléctrico aplicado (por ejemplo de‐
bido a la diferencia de potencial de una pila) (Halliday, 2007).
Cuando se aplica un campo eléctrico las cargas positivas (huecos) se mueven en direc‐
ción del campo, mientras que las cargas negativas (electrones) se mueven en sentido
contrario.
La densidad de corriente de arrastre (𝐽arr ) se expresa de la siguiente forma:
𝐼
𝐽⃗arr = = 𝜎 𝐸⃗ = (𝑞𝜇𝑛 𝑛 + 𝑞𝜇𝑝 𝑝) 𝐸⃗ . (28)
𝑆
Dependiendo del tipo de semiconductor dicha ecuación resulta en:
⃗
⎧ 𝜇 + 𝜇 𝑞𝑛⃗𝐸 Semiconductor intrínseco
⎪( 𝑛 𝑝) 𝑖
⎪
𝐽⃗arr = ⎨𝑞𝜇𝑛 𝑁𝐷 𝐸⃗ Semiconductor extrínseco tipo N .
⎪
⎪𝑞𝜇 𝑁 𝐸⃗ Semiconductor extrínseco tipo P
⎩ 𝑝 𝐴
Ejemplo 2. Obtener la ley de Ohm
A partir de la Ecuación (28) obtener la conocida ley de Ohm 𝑉 = 𝐼/𝑅. Dicha
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 12
ecuación nos dice que:
𝐼 1𝑉
= 𝜎𝐸 = ,
𝑆 𝜌𝐿
donde hemos usado que el campo eléctrico es 𝐸 = 𝑉 /𝐿. Si ahora reorganizamos
términos:
𝐿
𝑉 =𝐼 ⋅𝜌 = 𝐼 ⋅ 𝑅.
𝑆
Por tanto, nos damos cuenta que realmente la ley de Ohm puede obtenerse a
través de la densidad de corriente de arrastre.
3.11 Corriente por difusión de portadores
Cuando en una muestra la concentración de portadores no es homogénea en el espa‐
cio, se crea un gradiente. Dicho gradiente provoca una corriente que trata de igualar
las concentraciones (Leighton, 1959). Este proceso es muy similar a cuando existe un
gradiente de temperaturas y fluye el calor del lado de mayor temperatura al menor
hasta que se alcanza el equilibrio térmico, tal como dice la ley de Fourier.
Por tanto, se creará un flujo de zonas con mayor concentración a zonas con menor
concentración, es decir en sentido contrario al gradiente (recordemos que el gradiente
de una función nos indica la dirección en la que más crece dicha función).
▸ Debido a gradientes producidos por electrones obtenemos:
𝐽𝑑, ⃗ ,
⃗ 𝑛 = −𝑞 −𝐷𝑛 ∇𝑛 (29)
( )
donde 𝐷𝑛 es la constante de difusión por electrones.
▸ Debido a gradientes producidos por huecos obtenemos:
⃗ = −𝑞𝐷𝑝 ∇𝑝
⃗ 𝑝 = 𝑞 −𝐷𝑝 ∇𝑝
𝐽𝑑, ⃗ , (30)
( )
donde 𝐷𝑝 es la constante de difusión por huecos.
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 13
A diferencia de la corriente de arrastre que solo es significativa para los portadores ma‐
yoritarios (ya que dicha corriente es proporcional a la concentración de portadores), la
corriente de difusión puede ser también significativa para los portadores minoritarios.
Esto ocurre porque dicha corriente es proporcional al gradiente de concentraciones.
Relación de Einstein
Hay una relación entre las constantes de difusión y la movilidad de portadores, cono‐
cida como relación de Einstein (Ashcroft & Mermin, 1976; Jacoboni, 2010):
𝐷𝑛,𝑝 𝑘𝐵 𝑇
= . (31)
𝜇𝑛,𝑝 𝑞
A temperatura ambiente, dicha relación se convierte en:
𝐷𝑛,𝑝
= 𝑉𝑇 = 26 mV . (32)
𝜇𝑛,𝑝
Corriente total
Si tenemos en cuenta todas las contribuciones (arrastre y difusión), la corriente total
de electrones es:
⃗ ,
𝐽⃗𝑛 = 𝑞𝜇𝑛 𝑛𝐸⃗ + 𝑞𝐷𝑛 ∇𝑛 (33)
y similarmente la de huecos:
⃗ .
𝐽⃗𝑝 = 𝑞𝜇𝑝 𝑝𝐸⃗ − 𝑞𝐷𝑝 ∇𝑝 (34)
Por tanto la corriente total es:
⃗ − 𝐷𝑝 ∇𝑝
𝐽⃗ = (𝑞𝜇𝑛 𝑛 + 𝑞𝜇𝑝 𝑝) 𝐸⃗ + 𝑞 (𝐷𝑛 ∇𝑛 ⃗ . (35)
)
La Ecuación (35) en una dimensión toma la forma de
𝛿𝑛 𝛿𝑝
𝐽𝑥 = (𝑞𝜇𝑛 𝑛 + 𝑞𝜇𝑝 𝑝) 𝐸𝑥 + 𝑞 𝐷𝑛 − 𝐷𝑝 . (36)
( 𝛿𝑥 𝛿𝑥 )
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 14
Viendo el ejemplo Ejemplo 2, la ley de Ohm por tanto se cumple solamente en se‐
miconductores donde no existe corriente de difusión. Es decir, semiconductores do‐
⃗ = ∇𝑝
pados homogéneamente donde ∇𝑛 ⃗ = 0, en caso contrario 𝐽 ≠ 𝜎 ⋅ 𝐸.
Ejemplo 3. Cálculo de concentraciones y campo eléctrico
Consideremos un material de silicio dopando tipo N en
equilibrio térmico a temperatura ambiente. En una zo‐
p(x) cm-3
na donde existe difusión (0 < 𝑥 < 10𝜇m) la concen‐
tración de electrones es de la forma:
x (cm)
𝑛(𝑥) = 1017 ⋅ 10−2000𝑥 cm−3 ,
Figura 2: Concentración
de huecos respecto a la
donde 𝑥 se expresa en centímetros. distancia.
Se pide hallar 1) una expresión analítica para la concen‐
tración de huecos, así como graficar cuantitativamente el resultado. 2) Calcular el
campo eléctrico en dicha zona. 3) Hallar el potencial electrostático en cualquier
punto de la muestra. Datos: 𝑛𝑖 = 1010 cm−3 , 𝑉𝑇 = 25 mV, 𝜖𝑟,𝑆𝑖 = 11.9.
1. De la ley de masas (Ecuación (18)) obtenemos:
10 2
𝑛2𝑖 (10 )
𝑝(𝑥) = = = 103 102000𝑥 cm−3 .
𝑛(𝑥) 1017 ⋅ 10−2000𝑥
Para graficar la concentración de huecos, hallamos primero la concentra‐
ción en los extremos:
𝑝(0) = 103 ⋅ 102000⋅0 = 1017 cm−3 ,
−4
𝑝(10) = 103 ⋅ 102000⋅10⋅10 = 105 cm−3 .
Teniendo en cuenta que el incremento es exponencial, la gráfica pedida es
una recta en escala logarítmica, tal como muestra la Figura 2.
2. En el equilibrio, la corriente ha de ser cero, por lo que usando la ecuación
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 15
de densidad de corriente de electrones en una dimensión (Ecuación (33):):
𝛿𝑛
𝐽𝑥 = (𝑞𝜇𝑛 𝑛) 𝐸𝑥 + 𝑞 (𝐷𝑛 = 0.
𝛿𝑥 )
Por tanto, podemos despejar el campo eléctrico:
𝛿𝑛
𝐷𝑛 𝛿𝑥 1017 ⋅ (−2000)𝑙𝑛(10) ⋅ 10−2000𝑥 V
𝐸𝑥 = − = −𝑉𝑇 17 −2000𝑥
= 115 .
𝜇𝑛 𝑛 10 ⋅ 10 cm
Para la ecuación anterior hemos usado la relación de Einstein, Ecuación (32)
y que el gradiente de la concentración de electrones (derivada de 𝑛(𝑥) res‐
𝛿𝑛
pecto a 𝑥) es 𝛿𝑥
(−2000) ln(10) ⋅ 10−2000𝑥 . Como podemos ver, el campo
eléctrico es constante en el espacio.
3. Para calcular el potencial aplicamos que:
𝑑𝑉
𝐸𝑥 = − ,
𝑑𝑥
por lo que, el potencial en un punto cualquiera 𝑥 es:
𝑥
𝑉 =− 𝐸𝑑𝑥 = −𝐸 ⋅ 𝑥 .
∫0
Ejemplo 4. Encontrar campo eléctrico.
Considerar un semiconductor tipo N en equilibrio con un dopaje dependiente
2
/𝐿2
del espacio de la forma 𝑁𝐷 (𝑥) = 𝑁0 𝑒−𝑥 . Encontrar la expresión del campo
eléctrico en función de la distancia 𝑥 y de la temperatura. Consideramos todas las
impurezas ionizadas, que 𝑛 = 𝑁𝐷 (𝑥) y que la corriente de portadores minoritarios
(huecos) podemos despreciarla. Es decir la corriente total viene dada por:
𝛿𝑛
𝐽𝑛 = 𝑞𝜇𝑛 𝑛𝐸(𝑥) + 𝑞𝐷𝑛 = 0,
𝛿𝑥
hemos igualado la corriente total a cero porque nos dicen que estamos en el equi‐
librio. Físicamente ocurre que aparece una corriente deriva (por tanto aparece un
campo eléctrico) para compensar la corriente de difusión existente debido al do‐
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 16
pado heterogéneo a través de la muestra. Si despejamos el campo eléctrico de la
ecuación anterior:
𝐷𝑛 𝛿𝑛 𝐷𝑛 2𝑥 2 2 𝐷 2𝑥
𝐸(𝑥) = − =+ 2 2 2
𝑁0 𝑒−𝑥 /𝐿 = 𝑛 2 ,
𝜇𝑛 𝑛 𝛿𝑥 𝜇𝑛 𝑁0 𝑒−𝑥 /𝐿 𝐿 𝜇𝑛 𝐿
2
𝛿𝑛 /𝐿2
donde hemos usado que 𝑛 = 𝑁𝐷 (𝑥) y que 𝛿𝑥
= − 𝐿2𝑥2 𝑁0 𝑒−𝑥 . La anterior ex‐
presión podemos expresarla en función de la temperatura usando la relación de
Einstein:
𝐷𝑛 2𝑥 𝑘𝐵 𝑇 2𝑥
𝐸(𝑥) = = .
𝜇𝑛 𝐿2 𝑞 𝐿2
3.12 Referencias bibliográficas
Ashcroft, N. & Mermin, N. (1976). Solid State Physics. HRW international editions.
Holt, Rinehart and Winston.
Halliday, M. (2007). Physics, vol. 2. Wiley India Pvt. Limited.
Jacoboni, C. (2010). Theory of electron transport in semiconductors. A pathway from
elementary physics to nonequilibrium Green functions.
Leighton, R. B. (1959). Principles of modern Physics. International series in pure and
applied physics. New York: McGraw‐Hill.
Morkoç, H. (2008). Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. John Wiley and
Sons, Ltd.
3.13 Cuaderno de ejercicios
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 17
Ejercicio 1. Tenemos un semiconductor intrínseco. Calcular sus componentes de
corriente de electrones y huecos en presencia de un campo de 20V/cm. Datos:
𝑛𝑖 = 1.5 ⋅ 1010 cm−3 , 𝜇𝑛 = 1400 cm2 /(Vs) y 𝜇𝑝 = 460 cm2 /(Vs). Solución: 𝐽𝑛 =
67.2 ⋅ 10−6 A/cm2 y 𝐽𝑝 = 21.6 ⋅ 10−6 A/cm2 .
Ejercicio 2. Tenemos un semiconductor al que hemos dopado con 𝑁𝐷 = 1015 cm−3
(consideramos todos las impurezas ionizadas 𝑛 ≈ 𝑁𝐷 ). Calcular el nivel de Fer‐
mi respecto al nivel de Fermi intrínseco a temperatura ambiente. Datos: 𝑛𝑖 =
1010 cm−3 . Solución: 𝐸𝑓 − 𝐸𝑖 = 0.29 eV.
Ejercicio 3. Tenemos una muestra de silicio dopada, siendo 𝑁𝐷 = 1015 cm−3 .
Se pide calcular la cantidad de impurezas ionizadas a una temperatura de 61K.
Solución: Aproximadamente la mitad, 𝑛 ≈ 𝑁𝐷 /2.
Ejercicio 4. Tenemos un semiconductor al que hemos dopado con 𝑁𝐷 = 1015 cm−3
(consideramos todos las impurezas ionizadas 𝑛 ≈ 𝑁𝐷 ) y cuya concentración in‐
trínseca a 600K es 𝑛𝑖 = 1.2 ⋅ 1015 cm−3 . Se pide calcular su concentración de
portadores mayoritarios a dicha temperatura. Solución: 𝑛 = 1.8 ⋅ 1015 cm−3 .
Ejercicio 5. En un semiconductor intrínseco sabemos que su gap es de 1.2 eV
y que la movilidad de huecos es mucho menor que la de electrones. ¿Cuánto
vale la conductividad a 600 K comparado con la conductividad a 300 K? Solución:
𝜎600 ≈ 105 𝜎300 .
Física de MaterialesTema 3. Ideas clave 18