ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
Laboratorio de Sensores y Transductores
PREPARATORIO #5
Tema: Sensores de temperatura: LM35 y RTD GR: 3
Nombre: Fausto Polanco
Objetivos:
1. Estudiar el comportamiento de los RTD.
2. Estudiar el comportamiento de los sensores de temperatura integrados.
3. Diseñar circuitos de acondicionamiento de señal para la Visualización de los datos de
temperatura.
Desarrollo:
1. Consulte dos de las aplicaciones más comunes de los RTD y circuitos integrados (LM35).
Termómetros de resistencia (RTD o IPTR)
Figura 1
Aplicaciones:
Medición de temperatura en:
Inyección de plástico.
Procesos alimenticios en general.
Circuito integrado LM35:
Figura 2
Aplicaciones:
Usado como termostato casero para jardinería.
Control PID de la temperatura de un motor.
2. Dentro de una industria se desea controlar un calentador por medio de un control por
histéresis, para lo cual se utiliza un sensor tipo PT100 con los valores que se muestran en
la tabla 1.
Nota: Este problema se lo debe realizar en el ambiente de LabView, partiendo del
esquema del sensor que se le facilitó.
2.1. Realizar el acondicionamiento de la señal que se obtiene de la salida del sensor.
Adjuntar los cálculos, esquema y una captura de pantalla de su implementación en
LabView.
Cálculos:
Se calcula el rango de variación de resistencia del sensor:
R f = R o (1 + αΔT)
El valor de Ro corresponde a 100Ω, ya que es un sensor PT100, el valor del coeficiente de
temperatura es 3.85mΩ/◦C
A 75 ºC se calcula: Rf=100(1+3.85*10^-3*75)=128.875Ω
R mínima R máxima
100 Ω 128.875 Ω
Tabla 2
Para el diseño de la etapa correspondiente al puente de Wheatstone, se considera que la salida de
voltaje parta de 0V para el valor mínimo y de como salida 50mV para el valor máximo, ello porque
hará más sencillo el diseño de la siguiente etapa:
Figura 3
Para lograr los 0V al valor mínimo del sensor, Rx debería ser 100Ω, se considera que R1 y R3
tengan el mismo valor “R”, dicho valor se calcula despejando de la ecuación de ganancia para el
valor máximo.
128.875 100
50 ∗ 10−3 = 12 ∗ ( − )
128.875 + R 100 + R
R = 6699.20 (6.7kΩ valor comercial)
Se calcula que la peor condición de corriente será para el sensor con Rsensor=100Ω
12
Imáx = = 3.52 mA (No se sobrepasan los 11mA)
(100 + 6700) ∥ (100 + 6700)
Se calcula la ecuación para la etapa final de acondicionamiento:
Temperatura Resistencia del sensor V .Puente de V. Normalizado
Whetstone
0 ◦C 100 Ω 0 mV 0V
75◦C 128.883 Ω 50 mV 5V
Tabla 2
𝑦2 − 𝑦1 5−0
𝑚= = = 100
𝑥2 − 𝑥1 50 ∗ 10−3 − 0
𝑏 = 𝑦2 − 𝑚 ∗ 𝑥2 = 0
V[V] = 100 ∗ VPW[V]
Figura 4
Para esta etapa es factible usar un amplificador de instrumentación, se calculan los parámetros:
49.4 ∗ 103
100 = (1 + )
𝑅𝑔
Rg=498.98 (2 Resistencias en serie de 430 y 68 Ω)
Esquema:
Figura 5
Captura de pantalla Labview:
Figura 6. Captura realizada para el caso máximo de temperatura.
2.2. Con los datos de la Tabla 1, realizar un control por histéresis par el encendido y
apagado del calentador en los rangos que se muestran en la tabla 2, de manera que
cumpla las condiciones como se muestra en la Figura 3.
Nota: Los datos de valores límites de la histéresis deberán poder ser ingresados por
el estudiante.
Figura 7
2.3 Adjuntar una captura de pantalla de la implementación del punto 4.2.2 dentro del
ambiente de LabView y llenar la siguiente tabla
Figura 8.
Figura 9
Temperatura [°C] Resistencia Voltaje Puente Voltaje de
Sensor[Ω] [V] entrada uC [V]
0 100 0 0
10 103.921 0.0068 0.6814
25 109.663 0.0168 1.6778
75 128.847 0.0499 4.9946
80 130.948 0.0536 5.3567
100 138.51 0.06658 6.6582
Tabla 3
3. Diseñar y simular (Proteus) el circuito acondicionador para un LM35 con los datos que
se muestran en la siguiente tabla.
Tabla 4
La ecuación de trabajo del sensor es: 𝑉𝑜𝑢𝑡[𝑚𝑉] = 10 ∗ 𝑇[∘ 𝐶]
Temperatura [°C] Voltaje del sensor [mV] Voltaje acondicionado [V]
20 200 mV 0
125 1250 mV 10
Tabla 5
Figura 10
Ecuación de acondicionamiento:
y2 − y1 10 − 0
m= = = 9.52381
𝑥2 − 𝑥1 1250 ∗ 10−3 − 200 ∗ 10−3
b = y2 − m ∗ x2 = 10 − 9.52381 ∗ 1250 ∗ 10−3 = 1.9047
V Acondicionado [V] = 9.52381 ∗ Vsensor[V] − 1.9047
Perspectivas de la ecuación:
V Acondicionado [V] = 9.52381 ∗ (Vsensor[V] − 0.1999)
9.52381
V Acondicionado [V] = 1.9047 ∗ ( Vsensor[V] − 1)
1.9047
Se escoge la ecuación marcada en verde, con el propósito de implementar el acondicionamiento
mediante un amplificador en configuración sumador no inversor.
Figura 11
Ecuación de ganancia:
𝑅𝑓
𝐴𝑣 = = 9.52381
𝑅1
Si R1=12kΩ, entonces Rf=114.28 kΩ (2 resistencias en serie de 110kΩ y 4.3kΩ)
Rx= 6332.40 Ω, dos resistencias en serie de 6.2kΩ y 120Ω
Caso máximo:
Figura 12
Caso mínimo:
Figura 13. (Esquemático Anexado)
4. Realice un diagrama de bloques que represente el circuito del literal 4.3.
Voltaje
Voltaje Acondicionado
Temperatura Acondicionador
Sensor
Sensor LM35 AO Conf.
Sumador no
inversor
5. Presentar una tabla con los valores obtenidos del circuito del literal 4.3, mínimo 8
cambios de temperatura
Temperatura [ºC] V. Acondicionado[V]
20 0.04
30 1.00
50 2.91
70 4.82
90 6.74
100 7.69
110 8.65
125 10.1
Tabla 6
Referencias:
[1] A. Rodas, Apuntes Sensores y Transductores, Quito: EPN, 2021.
[2] Logicbus, «Sensores de Temperatura RTD,» [En línea]. Available:
[Link] [Último acceso: 15 07 2021].
[3] Hetpro, «LM35 – El sensor de temperatura más popular,» [En línea]. Available:
[Link] [Último acceso: 15 070 2021].