PRACTICA 2.
EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
1. Objetivos
El objetivo de esta práctica será familiarizarse con el funcionamiento y empleo del transistor
bipolar. Se identificarán sus tres terminales (emisor, base y colector) y se estudiarán las tres
zonas de trabajo del transistor: corte, activa y saturación.
2. Trabajo preliminar
Antes de poder empezar con la práctica es necesario hacer algo de trabajo preliminar para
asegurarnos, no sólo de que entendemos los conceptos teóricos básicos necesarios para su
realización, sino de que comprendemos qué debemos hacer durante la práctica, porqué y
cómo.
2.1. Modos de trabajo de un transistor BJT: en esta práctica nos vamos a centrar en estudiar
experimentalmente los tres modos de trabajo del transistor: corte, región activa normal y
saturación. Para ello trabajaremos con el circuito que se muestra en la Figura 1, con V CC =¿
8V, Rb =¿ 56 kΩ y Rc =¿ 330 Ω. El funcionamiento del diodo emisor de luz (LED) es idéntico al
de un diodo convencional, con la particularidad de que emite luz proporcionalmente a la
corriente que circula a través de él. Esto nos permitirá visualizar de forma cualitativa el paso de
corriente a través del colector, i C, siendo el brillo del LED proporcional a dicha corriente.
Figura 1. Esquema del circuito con transistor BJT.
Teniendo en cuenta este circuito:
(a) Calcula teóricamente los límites de las regiones de trabajo del transistor, en función
del valor de V BB. Para ello deberás determinar también V CE en función de V BB en RAN.
Ten en cuenta que los LEDs se suelen fabricar de materiales distintos al Si, por lo que
V F , LED , no puede considerarse igual a 0.7 V. Deberás dejar la expresión indicada en función
de V F , LED.
(b) Determina la expresión teórica de la corriente del colector, I C, en función de la
corriente de la base, I B, y represéntala gráficamente. Asume para ello un valor de V F , LED
de entre 1 y 3 V, y un valor de β de entre 110 y 800 (emplea V F , BJT =0.6 V y V CE ,sat =0.3
V). Indica qué valores has escogido para cada parámetro.
(c) Si la tensión de salida se mide en el terminal del colector ( V out =V CE), y la de entrada
en la fuente a la base (V ¿ =V BB ) ¿a qué tipo de configuración correspondería el montaje
(emisor común, colector común o base común)? Representa V out frente a V ¿, en este caso
sólo para las regiones de RAN y saturación del transistor. Indica en la gráfica los valores
límite de V out y V ¿ para cada región.
2.2 Curvas características del transistor BJT: en el apartado anterior has estudiado de forma
teórica la respuesta del transistor en sus distintos regímenes de trabajo en función del valor de
la señal de entrada V BB. En este apartado vas a determinar las curvas características I C −V CE
del transistor.
(a) Para un valor fijo de V BB=5 V, calcula el valor V CC ,l a partir del cual el transistor pasa
del régimen de saturación al régimen activo normal. Asume los mismos valores de
parámetros que en la sección 2.1. Repite el cálculo para un valor distinto de V BB, mayor
que V F , BJT =0.6 V y menor que 8 V.
(b) Teniendo en cuenta las expresiones deducidas en la sección 2.1 para V CE e I C,
representa la curva I C −V CE para los dos valores de V BB que has empleado en el apartado
anterior, indicando el punto de paso del régimen de saturación al régimen activo normal, (
V CE ,l , I C , l).
2.3 Simulación con LTspice: simula el circuito empleando el programa LTspice. El transistor
puedes encontrarlo dentro del menú de componentes (botón ) bajo el nombre npn. Haz
click derecho sobre el transistor una vez situado en el esquema para elegir el modelo de
transistor adecuado (BC547B). Para simular el LED puedes emplear un diodo estándar y
asociarle un modelo de diodo ideal con parámetro Vfwd igual al que hayas elegido en la
sección 2.1 y un valor para el parámetro Ron de 1mΩ (para valores demasiado bajos de Ron la
simulación puede tardar mucho en completarse).
(a) Manteniendo V CC constante e igual a 8 V, realiza una simulación de tipo DCsweep
(barrido en voltajes) para la fuente V [Link]ándola entre los valores de 0 a 6 V. Representa
la curva de V CE frente a V BB. ¿Cómo esperarías que fuera la curva para valores de V BB
inferiores a V F , BJC y qué observas en realidad? ¿A qué crees que se debe?
(b) Representa I C frente a I B. ¿Qué valor de β se está empleando en la simulación?
(c) Representa las curvas características I C −V CE para los dos valores de V BB empleados
en el apartado 2.2
3. Realización de la práctica
3.1. Material necesario
• Placa de inserción.
• Cables de banana - cocodrilo.
• Cable telefónico.
• Transistor bipolar modelo BC 547.
Hoja de datos en: [Link]
• Resistencias Rb =¿ 56 kΩ y Rc =¿ 330 Ω.
• LED rojo.
3.2. Identificación de los terminales del transistor: para identificar las patillas del transistor se
coloca el componente con la cara de la que salen los terminales metálicos mirando hacia
nosotros. La identificación de los terminales (emisor, base y colector) se muestra en el
esquema de la Figura 2:
Figura 2. Izquierda, esquema transistor y, derecha, visto “patas arriba”.
3.3. Modos de trabajo del transistor bipolar: antes de nada, mide el valor real de las
resistencias Rb y Rc proporcionadas, y anótalo:
Rb =¿ Rc =¿
A continuación, monta el circuito de la Figura 1. Para ello debes emplear las dos fuentes
independientes del generador DC, actuando una de ellas como V BB y la otra como V CC . El
diodo emisor de luz lucirá en función de la corriente que pase por el colector del transistor, i C .
Fija V CC =¿ 8 V aproximadamente, dejando V BB=0 V, espera un par de minutos, y mide el
valor real de V CC con el multímetro:
V CC =¿
A continuación realizarás las medidas necesarias para la determinación de la curva I C vs I B del
transistor, con la que podrás determinar su valor experimental de β . Para ello realiza los
siguientes pasos:
(a) Varía V BB entre 0 y 6 V aumentando su valor aproximadamente cada 0.3 V al principio
(hasta 1.5 V) y cada 0.5 V después. Para cada valor de V BB mide su valor real con el
multímetro y anótalo en la Tabla I, junto con la medida de las correspondientes caídas de
potencial en el LED, las resistencias Rb y Rc , y entre los terminales colector y emisor del
transistor, V CE . Comprueba que, una vez circula corriente, el voltaje que cae en el LED es
aproximadamente constante. ¿Cuál es el valor de la tensión de encendido del LED, V F , LED?
A partir de estas lecturas calcula las corrientes de base y colector.
Tabla I. Datos para la medida experimental de la curva I c vs I B. Los valores de I B e I C (sombreados
en la tabla) se obtienen a partir de la ley de Ohm de los valores medidos de V Rb y V Rc.
V BB (V) V Rb (V) V Rc (V) V LED (V) V CE (V) I B (mA) I C (mA)
(b) Traza la gráfica experimental I C vs I B, indicando las tres zonas de trabajo del
transistor. Anota el valor experimental del voltaje de saturación del transistor V CE ,sat
(piensa si puede ser conveniente determinar el valor promedio).
V CE ,sat =¿
(c) A partir de la gráfica determina el valor de la ganancia de corriente continua del
transistor, β (también denominado h FE , según la nomenclatura), cuando trabaja en la
región activa de la zona de conducción. Para ello realiza un ajuste lineal en dicha región.
β=¿
(d) Compara los datos experimentales con los resultados obtenidos en el apartado de
trabajo preliminar. Para ello, repite, si es necesario, los cálculos teóricos empleando el valor
de V F , LED obtenido experimentalmente. ¿Se corresponden las regiones de corte, RAN y
saturación con las calculadas de forma teórica? ¿Cumplen los valores de V BB, V Rb, V Rc,
V LED y V CE la ley de mallas de Kirchhoff? ¿A qué crees que se debe?
(e) Suponiendo que el LED pueda aguantar una corriente máxima de 35 mA ¿podría valer
esta configuración circuital como protección para el LED contra excesos de corriente si se
fija V CC =8 V? Ten en cuenta los resultados experimentales y teóricos, obtenidos en los
apartados anteriores.
(e) Representa la curva de transferencia del circuito (toma V out =V CE, y V ¿ =V BB ) y
compárala con los resultados teóricos y simulados del trabajo preliminar (recalcula las
gráficas teóricas con los valores experimentales de V F , LED si es necesario). ¿Qué similitudes
y diferencias encuentras entre ellas? ¿A qué se debe?
3.4. Curvas características del transistor BJT: fija ahora la tensión V BB a 5 V aproximadamente
(fijamos la corriente de base), mide su valor y anótalo.
V BB=¿
(f) Varía la fuente de tensión V CC entre 1 y 10 V, en pasos de 1 V. Mide el voltaje V CC en
cada punto, el voltaje que cae en Rb (para obtener la corriente de base), el voltaje que cae
en Rc (para obtener la corriente de colector) y el valor de V CE . Anótalo todo en la Tabla II.
Tabla II. Datos de la curva característica del transistor para V BB1 .
V CC (V) V Rb (V) V Rc (V) I B (mA) I C (mA) V CE (V)
(g) Repite el apartado anterior para una tensión V BB diferente (emplea el mismo valor
que utilizaste en la sección 2.2 del trabajo preliminar). Mide tantos valores como sea
necesario para obtener una curva con al menos 4 puntos en la región de RAN (recuerda el
valor de V CC ,l que calculaste en la sección 2.2 del trabajo preliminar), extendiendo la Tabla
III si hiciera falta.
Tabla III. Datos de la curva característica del transistor para V BB2 .
V CC (V) V Rb (V) V Rc (V) I B (mA) I C (mA) V CE (V)
(h) Dibuja las características I C vs V CE para las dos corrientes de base usadas en los
apartados (f) y (g), y discute los resultados obtenidos comparándolos con las curvas teóricas
y simuladas del trabajo preliminar.