Capítulo
Transistor de unión bipolar (BJT)
Nota: Los modelos eléctricos equivalentes empleados en este capítulo se ilustran en
el Apéndice C.
Problema 8.1
Determinar las corrientes de base, de emisor y de colector del circuito eléctrico indicado
en la figura 8.1.
Figura 8.1 Circuito eléctrico
del problema 8.1.
Solución:
El problema consta de un transistor NPN en configuración de emisor común. Una
forma rápida para analizar el circuito del transistor consiste en obtener el equiva-
lente de Thévenin visto desde la base del transistor (figura 8.1). Para ello, se divide
el circuito original en dos partes y se identifica el subcircuito a ser sustituido, el
cual queda conformado por las resistencias de 10 y 15 kΩ, y la fuente de 15 V.
260 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
a) b)
Figura 8.2 a) Separación del subcircuito a sustituir,
b) Equivalente de Thévenin visto desde la base.
El subcircuito de la figura 8.2a sólo posee una fuente independiente; por lo tanto,
para hallar la resistencia de Thévenin vista desde la base del transistor se elimina
la fuente mediante un cortocircuito. De esta forma, la resistencia equivalente se
conforma por el paralelo de las dos resistencias. Esto es:
Ahora, se busca el voltaje de circuito abierto visto desde la base del transistor, el
cual se obtiene aplicando el concepto de divisor de voltaje:
Una vez obtenido el equivalente de Thévenin, se sustituye al transistor por su
circuito eléctrico equivalente considerando su operación en la región activa,
como se muestra en la figura 8.3.
Se analiza la trayectoria B-E, aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff:
(8.1.1)
Cabe recordar que:
(8.1.2)
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PROBLEMA 8.1 261
Figura 8.3 Sustitución del
transistor por su circuito
eléctrico equivalente.
Se sustituye (8.1.2) en (8.1.1) y se resuelve para IB:
Si se conoce IB se obtienen las corrientes de emisor y de colector.
Por último, se corrobora que el transistor realmente opere en la región activa.
Para ello, es necesario determinar el voltaje de colector a emisor VCE. Mediante
la segunda ley de Kirchhoff se analiza la trayectoria C-E; por lo tanto:
Se despeja VCE y se sustituyen los valores de las corrientes:
Se observa que VCE es mayor que 0.2 V y en efecto el transistor opera en la región
activa como inicialmente se consideró. Se invita al lector a calcular el voltaje co-
lector a base (VCB), el cual debe ser positivo para mantener la unión C-B polarizada
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262 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
inversamente. Son éstas las condiciones para que se considere al transistor operan-
do en la región activa.
En la figura 8.4, se detalla el resultado de la simulación llevada a cabo con
Multisim, indicándose las corrientes de base, emisor y colector, así como la caída
de tensión VBE = 0.6815 V, el cual en este caso resulta ser ligeramente menor que
el valor teórico empleado en las operaciones matemáticas de VBE = 0.7 V. Esto se
debe al hecho de que el modelo que se usa en el software de simulación es más
completo, ya que incorpora efectos de segundo orden a diferencia del modelo
lineal usado para el análisis matemático.
Figura 8.4 Simulación del problema 8.1.
Problema 8.2
Para el circuito eléctrico de la figura 8.5, determinar los voltajes en las resistencias y
el consumo de potencia de todos los elementos.
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PROBLEMA 8.2 263
Figura 8.5 Circuito eléctrico
del problema 8.2.
Solución:
En este caso, se decide no obtener el equivalente de Thévenin y de forma directa
se sustituye el transistor por su circuito eléctrico equivalente (figura 8.6), consi-
derando su operación en la región activa.
Figura 8.6 Sustitución
del transistor por su
circuito equivalente en
la región activa.
Ahora, se analizan diversas trayectorias del transistor aplicando la ley de voltajes
de Kirchhoff.
Tras analizar la trayectoria B-E y resolviendo para I2:
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264 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Se trabaja la trayectoria de la fuente de voltaje hacia la base y emisor, se deter-
mina la corriente I1:
I1 = 1.378 mA
Conociendo estas dos intensidades, tras aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff
en el nodo X (figura 8.6), se determina la corriente de base IB; por lo tanto:
Al conocer la corriente de base, se obtiene la corriente de colector a través del
factor de amplificación β:
Con este resultado, se obtiene el voltaje en la resistencia de colector mediante la
ley de Ohm:
Al revisar el valor del voltaje en la resistencia de colector, queda claro que este resul-
tado físicamente no es posible, dado que la fuente de alimentación es de 12 V; por
lo tanto, el transistor no opera en la región activa y se encuentra en la región de
saturación. El voltaje de alimentación y la combinación de las resistencias conec-
tadas a la base del transistor (denominada polarización por divisor de voltaje), se
considera suficiente para garantizar el encendido del mismo.
Por lo tanto, se cambia el circuito eléctrico equivalente como se muestra en la
figura 8.7 y se procede a su nuevo análisis, aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff.
Figura 8.7 Sustitución del transistor
por su circuito equivalente en la
región de saturación.
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PROBLEMA 8.2 265
Cabe mencionar que al considerar en saturación al transistor, se estima que la
caída de tensión de colector a emisor es de 0.2 V, siendo éste un valor aproxima-
do. Mientras más saturado se encuentra un transistor, el voltaje colector-emisor
tiende a ser más pequeño alrededor de centésimas de volt.
Analizando la trayectoria C-E:
Se despeja la corriente de colector en saturación:
Del análisis hecho al considerar anteriormente el transistor en la región activa,
los valores obtenidos para I1, I2 e IB no cambian. El arreglo de las resistencias de
8.2 y 3.9 kΩ, y la caída de tensión en la unión B-E de 0.7 V así lo determinan. Por
tanto, el factor β del transistor es el que se modifica cuando dicho dispositivo es
llevado a una saturación profunda. En este caso, se maneja el concepto de beta
forzada (βF) y se calcula con los valores de las corrientes de colector y de base,
ambas en saturación.
Ya determinadas todas las corrientes, mediante la ley de Ohm se calculan los
voltajes de las resistencias.
Finalmente, la potencia de cada elemento es:
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266 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Si se suman las potencias consumidas por las resistencias y por el transistor, dará
una cantidad igual que la generada por la fuente de alimentación.
En la figura 8.8, se detallan los resultados de la simulación desarrollada con
Multisim. El primer punto que se corrobora es el hecho de que el transistor opera
en la región de saturación, ya que el VCE simulado es menor que 0.2 V.
Figura 8.8 Simulación del problema 8.2.
Como segundo punto, el VCE en la simulación es de 57.5 mV, el cual difiere del
valor empleado en el análisis matemático que es de 0.2 V. Esta variación hace
que las calculadas corrientes del colector y del emisor sean diferentes de los datos
de la simulación y, por ende, lo mismo ocurre con los cálculos de la potencia que
consume el transistor.
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PROBLEMA 8.3 267
En la simulación, la caída de tensión base-emisor es de 696 mV, lo que prácti-
camente es el mismo valor que se utilizó para el análisis matemático (se consideró
700 mV). Esto hace que los resultados simulados de corrientes y voltajes en las
resistencias de 8.2 kΩ y 3.9 kΩ de la corriente de base coincidan con los valores
calculados.
Finalmente, de analizarse nuevamente la trayectoria C-E considerando ahora
que VCE = 57.5 mV, la corriente de colector calculada es:
Este nuevo valor calculado coincide totalmente con el resultado de la corriente de co-
lector obtenida en la simulación (figura 8.8). Es menester mencionar que en la simula-
ción, el software Multisim asigna un valor negativo a la potencia de la fuente de voltaje
mientras que la potencia del transistor maneja un valor positivo. Esto se debe a la con-
vención de asignar un signo negativo al elemento que entrega potencia al circuito y un
signo positivo, al elemento del circuito eléctrico que consume potencia.
Problema 8.3
Obtener la corriente de colector y el voltaje visto entre las terminales de colector y
emisor para el circuito que se muestra en la figura 8.9.
Figura 8.9 Circuito eléctrico
del problema 8.3.
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268 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Respuesta:
Problema 8.4
Determinar la potencia de cada elemento del circuito de la figura 8.10 y comprobar
que la suma algebraica de las mismas es igual que cero.
Figura 8.10 Circuito
eléctrico del problema 8.4.
Respuesta:
(absorbe)
(absorbe)
(absorbe)
(entrega)
Problema 8.5
En el circuito eléctrico de la figura 8.11, ¿qué valor de R garantiza que el transistor opere
en la región de saturación?
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PROBLEMA 8.5 269
Nota: Un VCE ≤ 0.2 V indica que el dispositivo trabaja en saturación.
Figura 8.11 Circuito eléctrico
del problema 8.5.
Solución:
Se sustituye el transistor por su circuito eléctrico equivalente (figura 8.12), consi-
derando su operación en la región de saturación con VCE ≤ 0.2 V.
Figura 8.12 Sustitución del
transistor por su circuito equivalente
en región de saturación.
Ahora, se analizan diversas trayectorias del transistor aplicando la ley de voltajes
de Kirchhoff. Analizando la trayectoria C-E, se obtiene la corriente de colector:
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270 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Al determinarse la corriente de colector, se calculan las corrientes de base y de
emisor considerando el factor β.
Ahora, se obtiene la ecuación de la trayectoria B-E:
Se sustituye el valor de la corriente de base y se resuelve para el valor desconocido
de la resistencia:
Esta magnitud de R es considerada el valor máximo que permite al transistor
operar en la región de saturación. Un valor mayor hará que la corriente de base
disminuya y, por tanto, el transistor migre a la región activa. Por otra parte, valo-
res menores de esta resistencia garantizarán que el transistor trabaje en la región
de saturación con valores de β forzada. Por lo tanto, la respuesta es:
Problema 8.6
Obtener el voltaje en la resistencia de colector para el transistor que se muestra en
la figura 8.13.
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PROBLEMA 8.6 271
Figura 8.13 Circuito eléctrico
del problema 8.6.
Solución:
Se sustituye el transistor por su circuito eléctrico equivalente (figura 8.14), conside-
rando su operación en la región activa.
Figura 8.14 Sustitución
del transistor por circuito
equivalente en región activa.
Ahora, se analizan diversas trayectorias del transistor, aplicando la ley de volta-
jes de Kirchhoff.
Analizando la trayectoria B-E:
(8.6.1)
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272 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Recordando que , se sustituye en (8.6.1) y se resuelve para la
corriente de base:
Determinándose la corriente de base, se calculan las corrientes de colector y de
emisor considerando el factor β.
Al tener el valor de la corriente de colector, el voltaje en la resistencia de colector
que pide el ejercicio se obtiene aplicando la ley de Ohm:
Para determinar si en efecto el transistor se encuentra operando en la región activa
como se supuso, es necesario determinar el valor del voltaje visto entre las terminales
de colector a emisor (VCE); por lo tanto, se analiza la trayectoria C-E:
Dado que el resultado del VCE es superior a 0.2 V, se concluye que el transistor
efectivamente opera en la región activa.
Problema 8.7
Con base en el circuito mostrado en la figura 8.15, determinar las corrientes existentes
en el transistor.
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PROBLEMA 8.8 273
Figura 8.15 Circuito eléctrico
del problema 8.7.
Respuesta:
Problema 8.8
Para el circuito eléctrico mostrado en la figura 8.16, determinar el valor de la resistencia
R, que hará que el transistor opere en: a) corte, b) saturación.
Figura 8.16 Circuito eléctrico del problema 8.8.
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274 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Solución:
Este ejercicio se resuelve en dos partes. Primero se sustituye el transistor por su
circuito eléctrico equivalente considerando que el mismo trabaja en la región de
corte (figura 8.17).
Figura 8.17 Sustitución
del transistor por su circuito
eléctrico equivalente en corte.
Al estar en corte el transistor se considera apagado; por lo tanto, las corrientes
de base, de colector y de emisor son todas cero. Esta condición de que el tran-
sistor esté apagado se cumple cuando el voltaje visto entre las terminales base
a emisor es inferior a 0.7 V, que es el voltaje mínimo necesario para encender al
transistor. Esto a su vez implica que el voltaje visto en la resistencia R no iguale
o supere los 0.7 V. Aplicando el concepto de divisor de voltaje tenemos que:
Dado que VR < 0.7 V, tenemos que:
Resolviendo la desigualdad queda:
a)
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PROBLEMA 8.8 275
Un valor resistivo igual o mayor que 507.96 Ω hará que el transistor encienda,
dejando de operar en la región de corte.
Ahora, se hace el análisis considerando que el transistor opera en la región de
saturación, por lo que se sustituye el mismo por su circuito eléctrico equivalente,
como se muestra en la figura 8.18.
Figura 8.18 Sustitución
del transistor por su circuito
eléctrico equivalente en
saturación.
Para obtener la corriente de colector se analiza la trayectoria C-E, aplicando la
ley de voltajes de Kirchhoff:
Una vez que se conoce la corriente de colector, se procede a obtener la corriente
de emisor y la corriente de base.
Para hallar el valor de R, es necesario determinar el voltaje y la corriente en este
elemento del circuito. Primero, se obtiene el voltaje en la resistencia de 8.2 kΩ con
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276 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
la finalidad de hallar la corriente I1. Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff a la
trayectoria que comprende la fuente de voltaje, la base y el emisor (figura 8.18),
queda que:
Ahora, se aplica la ley de corrientes de Kirchhoff en el nodo X (figura 8.18) para
determinar I2; por lo tanto:
I1 = I2 + IB
El valor de la resistencia R se obtiene al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a
la trayectoria B-E:
La magnitud de la resistencia que se obtuvo es el valor mínimo que garantiza
que el transistor opere en la región de saturación. Un valor por debajo de aquél,
hará que el transistor pase a la región activa. Valores más altos logran en todo
momento que el transistor siga en la región de saturación, disminuyéndose el
valor original de la β. Por lo tanto:
Concluyendo, la variación en el valor de la resistencia R hace que el transistor pase
de una región de operación a otra. Este esquema tiene aplicaciones prácticas si se
combina con algún tipo de sensor resistivo, tal como una fotorresistencia, la cual
varía su valor resistivo en función de la iluminación que reciba. Ante la ausencia
de luz posee una elevada impedancia y con la presencia de luz presenta una baja.
Por consiguiente, si se hace un correcto diseño, el arreglo de este transistor puede
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PROBLEMA 8.9 277
activar o desactivar una alarma sonora o visual, según el nivel de intensidad lumínica
detectada por el sensor.
Problema 8.9
Determinar las corrientes del transistor y el voltaje VCE para el transistor mostrado
en la figura 8.19.
Figura 8.19 Circuito
eléctrico del problema 8.9.
Solución:
Primero se sustituye el transistor por su circuito eléctrico equivalente conside-
rando que el mismo trabaja en la región activa, como se indica en la figura 8.20.
Ahora, se analizan diversas trayectorias del transistor aplicando la ley de
voltajes de Kirchhoff.
Trabajando la trayectoria B-E se obtiene la corriente de base:
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278 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Figura 8.20 Sustitución
del transistor por su circuito
eléctrico equivalente en la
región activa.
Si se conoce la corriente de base, se obtienen las corrientes de emisor y de colector.
Para obtener el voltaje visto entre las terminales de colector y emisor, se analiza
la trayectoria C-E:
Al revisar el resultado del voltaje VCE , se observa que es mayor que 0.2 V; por lo
que el transistor opera en la región activa tal como se supuso al inicio.
Problema 8.10
Obtener los voltajes en las resistencias y el voltaje de emisor a colector para el transistor
PNP en configuración de base común mostrado en la figura 8.21.
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PROBLEMA 8.11 279
Figura 8.21 Circuito
eléctrico del problema 8.10.
Respuesta:
Problema 8.11
En la figura 8.22 se observa un arreglo de dos transistores conocido como par Darling-
ton. Se pide hallar los voltajes de colector-emisor para cada transistor. Inicialmente,
considerar que en el transistor Q1 tiene una β de 100 y que en el transistor Q2 la β es
de 10. Repetir el ejercicio considerando que ambos transistores tienen una β de 150.
Figura 8.22 Circuito eléctrico del problema 8.11.
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280 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Respuesta:
Problema 8.12
Obtener la caída de tensión VEC para el transistor PNP en configuración emisor
común, que se observa en la figura 8.23.
Figura 8.23 Circuito eléctrico
del problema 8.12.
Solución:
Como primer paso se obtiene el equivalente de Thévenin visto desde la base del
transistor (figura 8.24). Se divide el circuito original en dos partes y se identifica el
subcircuito a ser sustituido, el cual queda conformado por las resistencias de 15 y
10 kΩ y la fuente de ̶ 15 V.
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PROBLEMA 8.12 281
a) b)
Figura 8.24 a) Separación del subcircuito a sustituir,
b) Equivalente de Thévenin visto desde la base.
Dado que el subcircuito sólo posee una fuente independiente, para hallar la re-
sistencia de Thévenin se elimina dicha fuente mediante un cortocircuito (figura
8.24a). De esta forma, la resistencia equivalente se conforma por el paralelo de
las dos resistencias. Esto es:
Ahora, se busca el voltaje de circuito abierto, el cual se obtiene aplicando el concepto
de divisor de voltaje:
Una vez obtenido el equivalente de Thévenin, se sustituye el transistor por su cir-
cuito eléctrico equivalente considerando su operación en la región activa, como se
muestra en la figura 8.25.
Ahora, se analiza la trayectoria E-B, aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff:
(8.12.1)
Recordando que:
(8.12.2)
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282 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Figura 8.25 Sustitución
del transistor por su circuito
eléctrico equivalente.
Se sustituye (8.12.2) en (8.12.1) y se resuelve para IB:
Si se conoce IB se obtienen las corrientes de emisor y de colector.
Finalmente, se trabaja la trayectoria E-C para determinar el voltaje VEC (figura 8.25).
Por lo tanto:
Dado que el voltaje VEC es mayor que 0.2 V, el transistor opera en la región activa
como inicialmente se consideró.
Problema 8.13
Del circuito eléctrico mostrado en la figura 8.26, considerando un amplificador ope-
racional ideal, obtener el voltaje VCE y la corriente IB. Posteriormente, ¿qué valor
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PROBLEMA 8.13 283
del voltaje de entrada del amplificador operacional hará que el transistor entre en
saturación?
Figura 8.26 Circuito eléctrico del problema 8.13.
Solución:
Primero se analiza el amplificador operacional para determinar su voltaje de salida.
Se considera que opera en la región lineal. Una característica al trabajar con un ope-
racional es que la carga, que en este caso es el transistor con las resistencias de 10 y
820 Ω, no se considera en el análisis matemático para determinar la magnitud de la
señal de salida. Con base en lo explicado, en la figura 8.27 se muestra el amplificador
operacional sin la carga, con la finalidad de determinar el voltaje de salida del mismo.
Figura 8.27 Circuito
para obtener el voltaje de
salida del operacional.
CIRCUITOS ELÉCTRICOS LINEALES ISAAC GUZMÁN ALFAOMEGA
284 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Al considerar ideal el operacional se aprovecha la característica de que posee una
impedancia de entrada infinita, lo que implica que no fluye corriente en las ter-
minales de entrada del mismo y, por lo tanto, para obtener el voltaje Vx se utiliza
el concepto de divisor de voltaje.
Otra característica de un amplificador ideal es que su voltaje diferencial de entrada
es igual que cero. Esto significa que el voltaje visto en su terminal de entrada no
inversora a tierra es el mismo que el voltaje existente en la terminal inversora con
respecto a la tierra; por lo tanto:
Ahora, se determina la corriente I1 aplicando la ley de Ohm:
Dado que en un operacional ideal no fluye corriente en las terminales de entrada,
toda la corriente que circula por la resistencia de 1.8 kΩ también pasará a través
de la resistencia de 1.5 kΩ; esto es:
Aplicando nuevamente la ley de Ohm nos queda:
En este momento, ya se puede aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a la trayectoria
que involucra el voltaje de salida, el voltaje en la resistencia de 1.5 kΩ y en la resis-
tencia de 1.8 kΩ. Hay que recordar que la polaridad de los voltajes en las resistencias
lo determina el sentido de las corrientes previamente calculadas. Por lo tanto:
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PROBLEMA 8.13 285
Ya determinado el voltaje de salida del amplificador operacional, el cual se aplica
a la base del transistor vía la resistencia de 10 kΩ, se trabaja el transistor para
establecer el voltaje de colector a emisor y la corriente de base. Se considera que
el mismo opera en la región activa (figura 8.28).
Figura 8.28 Sustitución
del transistor por su circuito
eléctrico equivalente
en región activa.
Al aplicarla ley de voltajes de Kirchhoff a la trayectoria B-E, se determina la
corriente de base:
Conocida la corriente de base, se obtiene la corriente de colector:
Ahora, se procede a determinar el voltaje de colector a emisor y a analizar la
trayectoria C-E (figura 8.28):
CIRCUITOS ELÉCTRICOS LINEALES ISAAC GUZMÁN ALFAOMEGA
286 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Dado que el VCE es mayor que 0.2 V, el transistor opera en la región activa como
inicialmente se consideró.
Finalmente, para determinar el voltaje de entrada que se aplica al amplifica-
dor operacional que logrará llevar a saturación el transistor, se trabaja en primera
instancia con el transistor con la finalidad de obtener el voltaje de salida del
amplificador. Se sustituye el transistor por su circuito eléctrico equivalente en
saturación (figura 8.29).
Figura 8.29 Sustitución del
transistor por su circuito eléctrico
equivalente en saturación.
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a la trayectoria C-E del transistor, se
determina la corriente de colector en saturación:
Mediante el factor de β se determina la corriente de base en saturación:
Ahora, se trabaja la trayectoria B-E para establecer la magnitud del voltaje de
salida del amplificador operacional:
ALFAOMEGA CIRCUITOS ELÉCTRICOS LINEALES ISAAC GUZMÁN
PROBLEMA 8.13 287
A partir de esta información, se trabaja con el amplificador operacional (figura
8.30) para establecer el voltaje de entrada.
Figura 8.30 Circuito
para determinar el
voltaje de entrada al
operacional.
Primero, se obtiene el voltaje en la terminal inversora; esto es, Vy. Al recordar
que no fluye corriente en las terminales de entrada del operacional, se puede
aplicar el concepto de divisor de voltaje; por lo tanto:
Con base en el hecho de que el voltaje de entrada diferencial en el amplificador
operacional es igual que cero, esto implica que:
Nuevamente, al aplicar el concepto de divisor de voltaje se determina el voltaje
de entrada que se requiere en el operacional, el cual a su vez logrará llevar a sa-
turación el transistor bipolar; esto es:
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288 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Despejando Vent:
Cualquier voltaje superior a 1.983 V, aplicado a la entrada del amplificador ope-
racional, hará que el transistor bipolar opere en la región de saturación.
Problema 8.14
En la figura 8.31 se observa un circuito amplificador de una sola etapa en configuración
de emisor común. Sustituir el transistor por su circuito eléctrico equivalente de gran
señal (CD) y obtener el voltaje VCE y la corriente Ic. Posteriormente, emplear el circuito
eléctrico equivalente de pequeña señal (CA) y determinar el voltaje visto en la resistencia
de carga RL. Considerar para esto último que la amplitud del voltaje de entrada Ve es de
10 mV y RL es de 470 Ω.
Figura 8.31 Circuito eléctrico del problema 8.14.
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PROBLEMA 8.14 289
Solución:
Como primer paso, se analiza el transistor en corriente directa (CD). Esto significa
que los capacitores se comportan como circuito abierto; por lo tanto, la fuente de
entrada y la resistencia de carga se desacoplan (se desconectan). Se sustituye el
transistor por su circuito eléctrico equivalente considerando su operación en la
región activa (figura 8.32). Se analiza el circuito mediante la técnica de mallas.
Figura 8.32 Sustitución
del transistor por su
circuito equivalente
en región activa.
Por cada malla y supermalla se plantea la respectiva ecuación y se simplifica,
por lo tanto:
M1:
(8.14.1)
M2:
Donde:
IB = I3 ─ I2
CIRCUITOS ELÉCTRICOS LINEALES ISAAC GUZMÁN ALFAOMEGA
290 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Al sustituir en la ecuación de la malla 2 y reordenando:
(8.14.2)
M3:
−15000 * I1 + 16000 * I 3 = −0.7 (8.14.3)
Resolviendo el sistema de ecuaciones dado por (8.14.1), (8.14.2) y (8.14.3), se
tiene que:
Con estos resultados, se observa que la corriente de emisor viene dada por I3 y la
corriente de colector es I2 , siendo la diferencia entre ambas la corriente de base
IB. Por lo tanto:
Al analizar la trayectoria C-E y resolviendo para el voltaje VCE (figura 8.32):
Con esto concluye el análisis en CD. Ahora, se sustituye el transistor por su circuito
eléctrico equivalente de pequeña señal (Apéndice C). Los capacitores en CA se
consideran como cortocircuito; de esta forma, la señal de entrada y la resistencia
ALFAOMEGA CIRCUITOS ELÉCTRICOS LINEALES ISAAC GUZMÁN
PROBLEMA 8.14 291
de carga se conectan al circuito. Las fuentes de CD se eliminan a través de un cor-
tocircuito. El circuito resultante se ve en la figura 8.33. Cabe mencionar que de la
señal alterna que se conecta al circuito como entrada, sólo se tomará la amplitud
máxima de la misma sin importar por el momento su frecuencia.
Figura 8.33 Sustitución del transistor por su circuito eléctrico
equivalente de pequeña señal.
Donde:
El circuito de la figura 8.33 se simplifica mediante transformación de fuentes y
reducción serie-paralelo de resistencias, resultando el diagrama eléctrico que se
muestra en la figura 8.34.
Figura 8.34 Simplificación del circuito equivalente de pequeña señal.
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292 CAPÍTULO 8 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
Al analizar la trayectoria B-E mediante la ley de voltajes de Kirchhoff, se tiene que:
(8.14.4)
Sabiendo que:
(8.14.5)
Se sustituye (8.14.5) en (8.14.4) y se resuelve para la corriente :
A partir de la corriente de base, se determina la corriente de colector:
Y el voltaje de salida es:
Se observa que la señal de salida es menor que la señal de entrada. Esto se debe a
la presencia de la resistencia de emisor cuando se hace el análisis en CA, ya que
al calcular la corriente de base con las ecuaciones (8.14.4) y (8.14.5), el valor de
la resistencia de emisor se multiplica por el factor (β + 1).
En el problema 8.15 se presenta el mismo circuito y se anexa un capacitor en
paralelo con la resistencia de emisor. De esta forma, en el análisis de CA dicha re-
sistencia no existe, lo que permite una mayor ganancia por parte del amplificador.
Problema 8.15
Para el diagrama de la figura 8.35, realizar el análisis de CA usando el modelo re
aproximado, para determinar el voltaje visto en la resistencia de carga R L . Consi-
derar que la amplitud del voltaje de entrada Ve es de 10 mV y que R L es de 470 Ω.
ALFAOMEGA CIRCUITOS ELÉCTRICOS LINEALES ISAAC GUZMÁN
PROBLEMA 8.16 293
Figura 8.35
Circuito eléctrico
del problema 8.15.
Respuesta:
Problema 8.16
Considerando el diagrama eléctrico de la figura 8.36, hacer el análisis de CA para
determinar el voltaje visto en la resistencia de carga RL , usando ahora el modelo
híbrido aproximado como circuito eléctrico equivalente de pequeña señal. La am-
plitud del voltaje de entrada Ve es de 10 mV y la resistencia de carga RL es de 470 Ω.
Considerar que y que .
Figura 8.36
Circuito eléctrico
del problema 8.16.
Respuesta:
CIRCUITOS ELÉCTRICOS LINEALES ISAAC GUZMÁN ALFAOMEGA