Electrónica General
ANALISIS Y CALCULOS EN POLARIZACION CONTINUA
Por su constitución, ,se puede considerar este como dos diodos en serie y en oposición, siendo el
punto común la base.
Cuando la punta de la flecha va hacia adentro (PeNetra), el transistor es PNP, y cuando va hacia
fuera (No PeNetra), es un NPN.
Emisor Colector
Base
POLARIZACIÓN, EFECTO TRANSISTOR.
Para un correcto funcionamiento, necesitamos polarizar directamente la unión de base-emisor B-
E, e inversamente la unión de base-colector B-C.
RELACIÓN ENTRE INTENSIDADES Y ENTRE VOLTAJES.
Según la 1ª regla de Kirchhoff que:
Parámetro α nos da una relación entre la corriente de colector y de emisor, y parámetro β nos define
la relación entre la corriente de colector y la de base::
TIPO IE IB IC VCE VCB VBE
NPN Saliente Entrante Entrante Positivo Positivo Positivo
PNP Entrante Saliente Saliente Negativo Negativo Negativo
4.- CURVAS CARACTERÍSTICAS.
Según las variables que relacionemos (VBE, VCE, IC, IB) tendremos unas u otras curvas
características.
a Curva característica de entrada b Curvas características de salida.
RECTA DE CARGA - PUNTO Q - ZONAS DE TRABAJO.
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Para que el efecto transistor se produzca se requiere polarizarlo correctamente mediante
fuentes DC y resistencias. Si tenemos un circuito como el de la figura, haremos que el transistor
trabaje en unas determinadas condiciones (IB, IC, IE, VCE, VB, VBE).
Circuito de polarización.
Si analizamos el circuito, tenemos dos mallas, una formada por VBB, RB y la unión B-E, y la otra
formada por VCC, RC y la unión C-E.
De la primera tendremos:
Si la representamos en la gráfica I B, VBE, nos cortará a la curva, y en ese punto de corte obtendremos
dos valores IBQ e VBEQ.
La recta se dibuja mediante dos puntos, que son los de corte con los ejes, es decir cuando I B=0 y
cuando VBE=0.
En el primer caso tendremos:
- Si IB = 0 :
Tendríamos el punto de corte con el eje horizontal (0 , VBB).
- Si VBE = 0 :
Tendríamos el punto de corte con el eje vertical (VBB/RB , 0).
Uniendo estos puntos se obtiene la recta de carga de entrada.
De la segunda malla tendremos:
Si (RC, RE y VCC) y (IC y VCE) variables, siendo de la forma Y = A X + B, es decir corresponde a una
recta de pendiente negativa
Esta recta se denomina recta de carga, y nos da todos los posibles pares de valores I C, VCE según los
valores de los componentes de polarización.
Se denominará punto de trabajo o punto Q del transistor, a aquel par de valores I C, VCE
de la recta de carga, que el transistor tiene en unas condiciones de trabajo determinadas por el
circuito en el que se encuentra.
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Para determinar el punto Q, de manera gráfica, dibujamos la recta de carga en la gráfica I C, VCE de
las curvas de salida que da el fabricante, y en el punto de intersección de esta recta con la curva
característica cuya IB coincida con la IBQ calculada anteriormente, será el punto de trabajo.
La recta de carga se dibuja igualmente mediante dos puntos, que son los de corte con los ejes, es
decir cuando IC=0 y cuando VCE=0.
En el primer caso tendremos:
- Si IC = 0 :
Tendríamos el punto de corte con el eje horizontal (0 , VCC).
- Si VCE = 0 :
Tendríamos el punto de corte con el eje vertical (VCC/RC , 0).
Uniendo estos puntos obtendría la recta de carga, tal y como se ve en la figura
VBE, = 0,7 de silicio, y VBE = 0,3v si es de germanio.
Luego la intensidad de colector
Obtendremos la otra coordenada del punto Q :
Según la posición del punto Q en la recta de carga, se establecen las tres zonas de funcionamiento
del transistor, con unas características diferenciadas.
Estas zonas o regiones de acuerdo a lo anterior son:
- Zona de saturación:
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy
pequeño no menor a un valor denominado de saturación VCEsat.
Los valores típicos de VCEsat son del orden de 0,3v.
Cuando el transistor esta saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector
y emisor.
- Zona de corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado. Si hacemos
nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá un valor muy pequeño, y por lo tanto la c.d.t. en R C será mínima
con lo que VCE=VCC.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno
de los coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.
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- Zona activa:
Es una amplia región de trabajo comprendida entre corte y saturación, con unos valores
intermedios tanto de IC como de VCE.
El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrónica de las
comunicaciones.
La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos tienen un valor intermedio.
CONSIDERACIONES DE DISEÑO PRACTICO
Ecuaciones básicas
Por consideraciones de diseño
Por lo tanto
Como una buena aproximación, tendríamos
Cálculo de Condensadores de acoplo Ci y Co
Su finalidad es fijar las frecuencias dentro de las cuales el transistor trabajará. Determinan en otras
palabras el Ancho de Banda ( BW = Fa – Fb ) de la señal.
Fa = Frecuencia de corte alto Fb = Frecuencia de corte bajo
donde
Cálculo condensadores de desacoplo Ce
Fija la estabilización para la ganacia de tensión del sistema. Señales alternas las envía a tierra
Cálculo ganancia Tensión ( señales débiles )
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donde
Vt = 26 mV
Ejemplo
Dado un circuito transistorizado con las sgtes características, calcular las resistencias de polarización:
Beta = 100 Vbe = 0,35 Pc = 500 mw Vce o = 50 v
Pto Q de trabajo
Vce q = 10 V Ic q = 15 mA Vcc = 18 V
Cálculos de Re y Rc
, po lo tanto Icq b = 15 mA = 0,15 mA
100
VRc = 60 % ( Vcc – Vce ) = 60% ( 18 – 10 ) = 60% *8 = 4,8 V
Luego
Vre = Vcc – ( Vce + VRc ) = 18 – ( 10 + 4,8 ) = 3,2 Volts
VRc = 4,8 = 320 Ohms valor comercial 330 Ohms
15 mA
VRe = 3,2 = 213 Ohms valor comercial 220 Ohms
15 mA
Cálculos de Rb1 y Rb2
Rb2 = 0,35 + 3,2 = 2,62 Kohms [Link] 2,7 KOhms
9 * 0,15 mA
Rb1 = 18 - ( 0.35 + 3.2 ) = 9,63 Kohms [Link] 10 KOhms
10 * 0, 15 mA
Cálculos de Ci, Co y Ce básicos
XCi = 1/10 * Rb1// Rb2 para Fb ( frecuencia corte baja)
XCo = 1/10 * Rc para Fa (frecuencia corte alta)
XCe = 1/10 * Re para Fb
Recordar que Xc = 1 ( Ohms)
2 pi f (Hz) C ( F)
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EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR LOGICO
+ Vcc
Ic
Rc Io
Ib
Rb
Tr1 R Vo
Vi
luego
Por lo tanto :
Si Vi = 0,7 o menor , el transistor entra en la zona de corte, y la tensión de salida Vo se hace
igual a la fuente, valor aceptado como valor lógico alto
Y si Vi distinto a cero y dentro de un valor admisible, el transistor entra en la zona de
saturación y su tensión de salida es de 0,1 a 0,2 volts ( tensión aceptada como valor lógico
bajo )