EXPERIMENTO Nº 11.
TRANSISTORES BJT (1)
Preguntas que debe responder antes de iniciar el laboratorio
1. Explique el principio físico de operación en un transistor de unión bipolar pnp (BJT).
¿Cómo deben polarizarse las uniones p-n y n-p?
2. En la configuración emisor común, muestre las curvas características del transistor,
identificando las regiones de operación y las condiciones de operación en cada una.
3. Busque el diseño de un circuito en el que el transistor npn funcione como interruptor en
la región de saturación y corte. Establezca la ecuación para calcular la corriente de
saturación.
OBJETIVO.- Estudiar las características básicas del transistor de unión bipolar (BJT), y su
operación en saturación y corte.
Paso 1. Mida en el multímetro el β (hFE) del transistor. Monte el circuito de la figura 11.1. Para
diferentes corrientes de base (mida IB) observe en el osciloscopio la curva característica I C vs
VCE. Reproduzca las curvas en papel milimetrado, indique la corriente de base, I B, para cada
curva.
10 Vp
CH X
CH Y
Figura 11.1
Paso 2. I. Para el circuito de la figura 11.2.
a. Analice el circuito y halle las ecuaciones para calcular I B, IC e ICsat.
b. Para Rc = 500 Ω, calcule la ICsat max. Luego calcule IB max.
c. Para garantizar la saturación tome IB´= 1,2 IB max, con este valor calcule RB.
Monte el circuito con el valor de R B calculado. Mida IB, IC y VCE. ¿Está en saturación el
transistor?
VC
Figura 11.2
II. Ahora disminuya V, ¿cuándo está el transistor en corte? Mida VC cuando el transistor está en
corte y saturación.
Paso 3. En el circuito anterior, reemplace la fuente DC por una señal cuadrada (TTL, 0 – 5 V)
del generador de funciones, de 500 Hz, observe en el osciloscopio esta señal y la salida VC.
Grafique y explique.
Paso 4. De las curvas características IC vs VCE, obtenidas en el paso 1, calcule el βDC.
Separe el transistor utilizado para realizar el siguiente experimento.
Lecturas recomendadas
1. Cap. 3 Transistores de unión bipolar
Cap. 4 Polarización DC para BJTs
ELECTRÓNICA, TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS.
Boylestad & Nashelvsky, 8ª edición. Prentice Hall.
2. Cap. 6 Transistores bipolares
Cap. 7 Fundamentos de los transistores
Cap. 8 Polarización de los transistores
PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. A. Malvino, 6ª edición, McGraw Hill