Benemérita Universidad autónoma de Puebla
Facultad de Ciencias de la Electrónica
Licenciatura en Ingeniería Mecatrónica
Materia
Dispositivos Electrónicos
NRC 25196
SEC 007
Docente: José Mauro Huerta Rivera
OTOÑO 2024
Práctica 3
Curva de VI del BJT en EC
Integrantes:
Montes Carreón Ammón 202244686
Peña Muñoz Uri Alejandro 202247091
Rodríguez Castro Antonio 202250510
Fecha de entrega 19/10/2024
RESUMEN
Los transistores BJT (Transistor Bipolar de Unión) son dispositivos electrónicos
fundamentales que controlan el flujo de corriente a través de dos uniones PN,
permitiendo la amplificación y el control de señales eléctricas. En el presente
informe se exponen el uso de un transistor BJT para obtener la curva
característica de voltaje-corriente, demostrando su comportamiento en distintas
condiciones de operación.
INTRODUCCIÓN
Los transistores BJT (Transistor Bipolar de Unión) juegan un papel crucial en la
electrónica moderna debido a su capacidad para amplificar señales y actuar como
interruptores en diversos circuitos electrónicos. Estos dispositivos se componen de
tres capas de material semiconductor dopado: el emisor, la base y el colector. La
configuración y el control del flujo de corriente entre estos terminales permiten que
los transistores BJT sean utilizados en una amplia gama de aplicaciones, desde la
amplificación de audio hasta el procesamiento de señales en circuitos digitales.
Un aspecto fundamental en el estudio de los transistores BJT es la caracterización
de su comportamiento eléctrico mediante la obtención de la curva característica
voltaje-corriente (VI). Esta curva proporciona una representación gráfica que
describe cómo varía la corriente que atraviesa el transistor en función del voltaje
aplicado, lo que permite evaluar su respuesta y su capacidad de amplificación en
diferentes regiones de operación, como la región activa y de saturación.
Para obtener la curva característica VI de un transistor BJT, es común emplear un
circuito con configuración de base común. En esta configuración, la base del
transistor se conecta a una referencia común y se mide la corriente de base
mientras se varía el voltaje en la conexión emisor-colector. La salida del circuito,
correspondiente al voltaje de emisor-colector, se registra para trazar la relación
entre la corriente y el voltaje. Este enfoque permite analizar el comportamiento del
transistor en diferentes condiciones de polarización y proporciona una
comprensión detallada de sus propiedades eléctricas, lo cual es esencial para el
diseño y la optimización de circuitos electrónicos. En el presente informe, se
llevará a cabo este procedimiento, detallando los resultados obtenidos y
discutiendo las implicaciones de los mismos en la caracterización del transistor.
OBJETIVO
Encontrar la curva característica VI en un transistor BJT en EC.
MARCO TEÓRICO
Las características del BJT (Transistor Bipolar de Unión) se representan mediante
las curvas tensión-corriente correspondientes a sus distintos terminales. En la
característica de entrada, la curva muestra la relación entre la corriente de base
(IB) y la tensión base-emisor (VBE), en un transistor NPN como el BCW82, se
puede observar cómo varía la corriente IB en función de la tensión.
La corrección aclara la relación entre la corriente de base y la tensión base-emisor
para un transistor NPN, como el BCW82, en la característica
Vemos cómo la característica de entrada
corresponde a la de un diodo, de hecho, entre la
base y el emisor, el transistor se comporta como
un diodo; vemos, de hecho, que la corriente de
base es cero, cuando la VBE es menor que la
tensión de umbral, que en nuestro caso coincide
aproximadamente con 0,6 V, sobrepasada la
tensión de umbral la corriente de base aumenta
rápidamente.
Se dice características de salida las que
expresan la corriente de colector IC como una
función de la tensión VCE, mientras que
manteniendo constante la IB; tales como las
siguientes, que se refieren siempre a BCW82
Observamos que hay diferentes
características de salida, cada obtenida para
un valor predeterminado de la corriente de la
base IB; de hecho, la primera característica,
a partir de la parte inferior se ha obtenida
para una IB = 5 m A; es decir, el
mantenimiento de un IB constante con el
aumento de VCE, al principio la IC es
cero; luego aumenta lineal y rápidamente a la
rodilla; allá de la rodilla, la IC permanece
prácticamente constante, incluso si se
aumenta la VCE.
Las características son importantes para la determinación del punto de trabajo; Se
dice punto de trabajo un punto de que se sabe la tensión y la corriente en reposo,
es decir, en ausencia de señal; ejemplo, si tomo el punto P, como en el siguiente
diagrama:
podemos observar que se
encuentra en la característica para IB = 15 m A; la corriente de base será IB =
15 m A; la tensión VCE es de 1,0 V; la corriente de colector será
aproximadamente IC = 4,6 mA
RECTA DE CARGA
Es dicha recta de carga, la recta que tiene como ecuación la ecuación de la malla
de salida, es decir:
VCC = RC IC + VCE + RE IE
Para representarla sobre las características de salida, es necesario tomar dos
puntos.
Supongamos que VCC = 2,0 V; cuando IB = 0 y IC = 0 de la ecuación de la línea de
carga se obtiene que VCE = VCC; a continuación, un punto será en el eje horizontal,
con coordenadas (2,0 ; 0).
Suponiendo vez que la VCE es nula, de la ecuación de la recta de
carga obtenemos:
VCC = RC IC + RE IE
y descuidando la IB en relación de la IC obtenemos el segundo punto ICMAX = VCC/
(RC + RE); entonces el segundo punto tiene las coordenadas (0; VCC/ (RC +
RE)); uniendo los dos puntos obtenemos la recta de carga.
Diseño del circuito de polarización
Durante el diseño del circuito de polarización usamos los siguientes criterios
prácticos. Para la VCE establece un valor aproximadamente igual a VCC/2;
para la caída de tensión a los bornes de RE, es decir, VE, se fija a un valor igual
a VCC/10; para la corriente del divisor ID se fija una corriente igual a IC/10. Con la
ayuda de las características y ecuaciones de la malla de salida y de la malla de
entrada se calculan los valores de todos los resistores.
Ejemplo
Dado el BJT BCW82, de acuerdo a las características de la salida fijamos
una VCC = 2,0 V; fijamos una VCE = VCC/2 = 2/2 = 1 V; fijamos VE = VCC/10 = 2/10 =
0,2 V;
Desde la salida de características escogen una característica que es central, por
ejemplo, la de IB =15 m A; para la lectura de la característica leemos IC = 4,6 mA; a
continuación,
IE = IC + IB = 4,6 mA +15 m A = 4,615 mA
Entonces RE = VE/IE = 0,2/0,004615 = 43 W
A partir de la ecuación de la recta de carga se calculamos RC;
RC = (VCC - VCE - VE)/IC = (2 - 1 - 0,2) /0,0046 = 0,8/0,0046 = 173 W
Comprobamos:
ICMAX = VCC/ (RC + RE) = 2/( 173 + 43) = 9,25 mA;
mientras que en el diagrama de las características de salida leemos 9 mA; los dos
valores, además de los errores gráficos, son fiables.
Para calcular el divisor, para la característica de entrada se sacamos una VBE = 0,8
V; por lo que:
R2 I2 = VBE + VE = 0,8 + 0,2 = 1 V
Desde I2 = ID = IC/10 = 4,6 /10 mA = 0,46 mA, obtenemos:
R2 = 1/0,00046 = 2174 W
Parar R1 siendo
R1 I1 = VCC - R2 I2 = 2 - 1 = 1 V
y siendo
I1 = ID + IB = 0,46 ma + 15 m A = 0,475 mA
Obtenemos: R1 = 1/ 0,000475 = 2105 W
El transistor, adecuadamente polarizado, se puede utilizar como un interruptor que
puede ser abierto o cerrado, mediante el ajuste de la corriente de base. Considere
el siguiente circuito:
Cuando el interruptor está abajo, la tensión VBE = 0; la corriente de base IB =
0; la IC = 0; el transistor está prohibido, no conduce y se comporta como un circuito
abierto. La tensión de salida en el colector asume el valor máximo Vs = VCC.
Cuando, en cambio, movemos hacia arriba el interruptor, la base del transistor es
directamente polarizada, el transistor entra en saturación, la IC asume el valor
máximo, el transistor se comporta como un circuito cerrado. La tensión de salida
asume el valor Vs = 0.
Si tenemos en cuenta las características de salida del BJT:
Podemos considerar tres zonas:
1 - Zona de saturación: es la zona en la que el transistor conduce, IC alcanza el
valor máximo, VCE asume valores muy bajos.
2 - Zona activa: es la zona central de las características, en esa zona se utiliza
como un amplificador, que tiene un comportamiento bastante lineal.
3 - Zona de interdicción: es la zona en la que el transistor se comporta como un
circuito abierto, IC asume valores muy bajos, VCE valores muy altos.
MATERIALES Y EQUIPO
2 Fuentes de Voltaje
Puntas de Fuente
Amperímetro
Voltímetro
Protoboard
Transistor 2N2222a
Resistencias (1.5kΩ y 56 kΩ a ½ watt)
PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Para esta practica primero se armo el circuito con las fuentes siendo Vcc la fuente
conectada al emisor y el conector y la Vbb conectada a la base, con el transistor
en base común, luego se conectó el amperímetro en Ib y también el voltímetro
midiendo nuestro voltaje entre colector y emisor. Se mantuvo fijo el valor Vbb en
1v y se midió Vec y Ic desde 0 hasta 20v incrementando 1v con cada medición,
una vez completada nuestra primera tabla repetimos el mismo procedimiento, pero
esta vez dejando fijo Vbb en 3v y por último repetimos una vez más el
experimento, pero cambiando el valor Vbb dejándolo fijo en 5v.
PROCESAMIENTO DE DATOS EXPERIMENTALES
A continuación, se muestran los datos obtenidos durante la practica en forma de
tabla como fueron solicitados y sus respectivas graficas
Para Vbb=1v
Vcc=1 VCE(V) Ic(mA)
0 0 0
1 0.15 0.654
2 0.25 1.29
3 0.9 1.78
4 1.3 1.81
5 2.25 1.83
6 3.25 1.85
7 4.18 1.87
8 5.22 1.9
9 6.2 1.923
10 7.1 1.94
11 8.11 1.96
12 9.09 1.98
13 10.06 2.016
14 11.01 2.031
15 11.98 2.055
16 12.96 2.076
17 13.92 2.1
18 14.9 2.127
19 15.86 2.146
20 16.88 2.168
Para
Vbb =3v
Vcc=3 VCE(V) Ic(mA)
0 0 0
1 0.02 0.654
2 0.03 1.29
3 0.04 1.78
4 0.05 1.81
5 0.05 1.83
6 0.06 1.85
7 0.07 1.87
8 0.08 1.9
9 0.08 1.923
10 0.09 1.94
11 0.1 1.96
12 0.11 1.98
13 0.12 2.016
14 0.13 2.031
15 0.15 2.055
16 0.22 2.076
17 0.82 2.1
18 1.58 2.127
19 2.25 2.146
20 2.98 2.168
Para Vbb=5v
Vcc=5 VCE(V) Ic(mA)
0 0 0
1 0.01 0.682
2 0.02 1.359
3 0.03 1.999
4 0.03 2.685
5 0.04 3.334
6 0.04 4.02
7 0.05 4.695
8 0.05 5.367
9 0.06 6.063
10 0.06 6.733
11 0.07 7.389
12 0.07 8.075
13 0.07 8.768
14 0.08 9.44
15 0.08 10.118
16 0.08 10.813
17 0.09 11.539
18 0.09 12.188
19 0.1 12.905
20 0.1 13.578
ANALISIS DE RESULTADOS EXPERIMENTALES
Con los datos que obtuvimos luego pasamos a graficar nuestros resultados en la
grafica voltaje (v) contra corriente (mA) podemos obtener el siguiente análisis.
Para Vbb=1v
La gráfica muestra la curva Ib contra VCE para el transistor BJT, revelando tres
regiones de operación características:
Región de corte: Para VCE=0 ≈ Ib =0, el transistor está en la región de corte,
donde no hay corriente significativa de colector.
Región activa: A medida VCE aumenta, Ib rápidamente y luego se estabiliza. Esta
región muestra que la corriente de colector se mantiene casi constante para un
amplio rango VCE, lo que es típico en la región activa del transistor, donde
funciona como amplificador.
Región de saturación: Cuando Ib alcanza su valor máximo (alrededor de 2.1 mA),
la curva muestra un incremento muy leve con el aumento VCE, lo que indica que
el transistor está entrando en la saturación. En esta región, el dispositivo está
completamente encendido y cualquier incremento adicional en VCE no producir un
cambio significativo en Ib.
El comportamiento observado es típico de un BJT en la configuración de emisor
común, donde Ib depende principalmente de la corriente de base, mientras que
VCEafecta la región de operación.
Para Vbb=3
Similar al caso anterior, pero con algunas diferencias importantes:
Región de corte: Como en el caso anterior, el transistor no conduce inicialmente. A
medida que se aumenta VCE, la corriente del colector comienza a incrementarse.
Región activa: En este caso, la corriente de colector Ib alcanza rápidamente un
valor casi constante alrededor de 2 mA. La transición entre el aumento inicial y la
estabilización es más rápida, lo cual se debe a que VCE es menor en comparación
con el caso Vcc=1 V.
Esto indica que el transistor entra en la región se activa mucho antes, lo que
sugiere una menor resistencia de salida en esta configuración.
Región de saturación: En esta curva, la saturación se alcanza mucho más rápido
(a menores valores de VCE), aproximadamente desde 0,1 V en adelante.
La corriente de colector se estabiliza en un valor máximo similar al caso anterior
(alrededor de 2.1 mA), pero se alcanza en un rango de VCE mucho menor.
Comparando con Vcc=1v el transistor entra en la región activa y luego en la
saturación más rápidamente debido a la mayor disponibilidad de tensión de
alimentación. La región de operación del BJT es más corta en términos de VCE, lo
cual puede ser útil en aplicaciones donde se requiera una respuesta más rápida al
cambiar entre estados de corte y saturación.
Para Vbb=5v
Región de corte: El transistor comienza a conducir a valores VCE muy pequeños.
Ya desde 0.01 V, la corriente de colector incrementa considerablemente, lo cual
refleja un estado de activación más rápido debido al mayor voltaje de
alimentación.
Región activa: La corriente del colector Ib se incrementa rápidamente en la región
activa, con valores que alcanzan más de 13 mA para un VCE de solo 0.1 V. Esto
indica un comportamiento mucho más lineal en comparación con los casos
anteriores, donde Ib se estabilizaba rápidamente.
Región de saturación: La curva no muestra una saturación clara dentro del rango
de datos, lo que implica que el transistor sigue incrementando su corriente de
colector con el aumento de VCE. Esto es típico de un escenario con alta Vcc
donde el transistor puede manejar corrientes más altas antes de saturarse.
Comparación con Vbb=1v y Vbb=3v:
A medida que incrementamos Vbb la pendiente de la curva en la región activa se
hace más pronunciada, indicando una mayor ganancia de corriente.
El rango de VCE para el cual el transistor se comporta de manera lineal se vuelve
mucho más corto, especialmente al comparar con los datos de Vbb=1v
Este comportamiento refleja la capacidad del BJT de manejar mayores corrientes
cuando la fuente de alimentación es más alta.
CONCLUSIONES
En esta práctica se analizaron las características de un transistor BJT mediante la
obtención de curvas experimentales de corriente de colector (Ib) frente a la tensión
colector-emisor (VCE), para tres valores distintos de la tensión de alimentación
(Vbb=1V, 3V, y 5V). A partir de los resultados obtenidos, se pueden extraer las
siguientes conclusiones sobre el comportamiento del transistor en sus diferentes
regiones de operación
El análisis de las curvas permitió comprender cómo varían las regiones de corte,
activación y saturación del transistor BJT con el cambio en la tensión de
alimentación Vbb. A medida que se incrementa el voltaje de alimentación, el
transistor entra en la región se activa más rápidamente y es capaz de manejar
mayores corrientes en la región de saturación. Estos resultados son coherentes
con el modelo de funcionamiento del BJT, en el cual la corriente de colector es
controlada tanto por la tensión VCEcomo por la corriente de base.
En aplicaciones prácticas, elija un valor adecuado de Vbb es esencial para
garantizar que el transistor opere en la región deseada, ya sea como amplificador
en la región activa o como interruptor en la región de saturación. Esta práctica
proporciona una visión clara del comportamiento dinámico del transistor BJT y la
importancia de los parámetros de diseño en circuitos electrónicos.
EVIDENCIA
REFERENCIAS
• Prieto de Paolis (2014) Características del transistor BJT, recuperado de:
[Link]
• Castro Sofia (2015) curva característica del transistor, recuperado de:
[Link]
• Núñez Santana Christian Curvas características del BJT, recuperado de:
[Link]
Bjt