Universidad Tecnológica Nacional

Facultad Regional Córdoba

Departamento Electrónica
Transistores de RF y microondas

1.1 Introducción

Antes de 1970, los dispositivos semiconductores de microondas disponibles eran principalmente

diodos y BJT de Si (transistores de unión bipolar). Los diodos Gunn, IMPATT, varactor, PIN y
Schottky se usaban con frecuencia en aplicaciones de microondas. Un diodo de unión pn polarizado en
inversa tiene una capacidad de deplexión que cambia cuando cambia el voltaje de CC con polarización
inversa. Un diodo varactor es un condensador variable que utiliza esta propiedad de capacitancia de
deplexión. El diodo varactor se usa a menudo para ajustar la frecuencia de oscilación y también puede
amplificar una señal débil. Un amplificador paramétrico emplea el diodo varactor y su funcionamiento
se asemeja al de un mezclador. En el pasado, el amplificador paramétrico desempeñaba un papel
importante como amplificador de bajo ruido porque no había dispositivos activos adecuados para
aplicaciones de amplificador, especialmente para amplificadores de bajo ruido. Otro diodo que usa la
unión pn es el diodo PIN. Al crear una región intrínseca en la unión pn, se puede formar el diodo PIN,
y la resistencia de esta región depende del voltaje de CC. En base a esta propiedad, se pueden
implementar interruptores electrónicos en la región de microondas. Además, al combinar los diodos
PIN con líneas de transmisión de la longitud adecuada, también se pueden utilizar como cambiadores
de fase digitales. Un diodo PIN también puede funcionar como un atenuador variable de tipo
analógico.
Un diodo Schottky se ha utilizado durante mucho tiempo en detectores y mezcladores debido a su
propiedad de rectificación. El diodo Schottky usa difusión de portadores mayoritarios, mientras que el
diodo pn usa difusión de portadores minoritarios. En consecuencia, el diodo Schottky no tiene
capacidad de difusión asociada con portadores minoritarios.
Por lo tanto, el diodo Schottky proporciona una serie de beneficios cuando se usa en mezcladores a
altas frecuencias.
Hasta la década de 1970, los diodos Gunn y los diodos IMPATT se usaban principalmente como
componentes activos en osciladores y amplificadores. En aquellos días, era difícil utilizar transistores
a frecuencias superiores a 4 GHz.

Las características de CC de estos diodos mostraron una resistencia negativa cuando se polarizan
adecuadamente.
Al usar resistencia negativa, fue más fácil diseñar osciladores y también podrían usarse como
amplificadores. Dado que el coeficiente de reflexión de los dispositivos con una resistencia negativa es

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 1

mayor que 1, los diodos Gunn e IMPATT podrían configurarse como amplificadores de reflexión en
combinación con un circulador. Sin embargo, un problema con estos diodos era que no eran muy
eficientes. Como resultado, la disipación de calor siempre tuvo que ser considerada. Por lo tanto, se
utilizaron en la construcción de circuitos con guías de ondas que se adaptaban fácilmente al diseño
térmico. Estos problemas de calor se convierten en importantes factores limitantes en la integración de
circuitos.
Otra desventaja es que estos diodos no pueden integrarse con otros dispositivos en un solo proceso, lo
que hace que sea intrínsecamente difícil construir circuitos integrados de funcionamiento complejo
que necesiten otros dispositivos como Schottky o diodos varactores utilizados para el mezclador o el
control de frecuencia.
Según su funcionamiento, los transistores generalmente se pueden clasificar en dos tipos: el transistor
de unión bipolar (BJT) y el transistor de efecto de campo (FET).
Los BJT usan dos portadores, huecos y electrones, y usan un mecanismo de difusión en el flujo de
corriente. Los BJT controlan el flujo de corriente elevando o bajando la altura de la barrera formada en
las uniones. El número de portadores de difusión depende de la altura de la barrera, que se ve alterada
por el voltaje a través de la unión base-emisor. En contraste, los FET usan portadores mayoritarios,
electrones, y usan un mecanismo de deriva en el flujo de corriente. Un FET forma un canal a través del
cual los electrones pueden fluir. El número de electrones que fluyen a través del canal se puede
controlar estrechando o ampliando el grosor del canal, lo que se logra controlando el voltaje de la
puerta. Los FET también se clasifican según su formación de canal. Hay dos tipos de formación de
canales: tipo de acumulación y tipo de deplexión. En el tipo de acumulación, el canal no se forma
debajo de la puerta cuando el voltaje de puerta aplicado está por debajo de un voltaje umbral. El canal
debajo de la puerta se forma aplicando el voltaje de puerta adecuado. El voltaje de la puerta recoge los
portadores con polaridad opuesta y los portadores acumulados debajo de la puerta forman el canal. Por
el contrario, en el tipo de deplexión, el canal con portadores se forma de antemano y el voltaje de la
puerta se usa para agotar el canal al repeler los portadores en el canal con la misma polaridad. Por lo
tanto, el voltaje de la puerta se utiliza para controlar la conductividad del canal en ambos tipos de FET.
El proceso de silicio fue la única tecnología de proceso disponible para la fabricación de transistores
hasta la década de 1970. Los BJT de Si de microondas, que mejoraron los BJT de baja frecuencia de
muchas maneras, se usaron exclusivamente hasta el rango de frecuencias de microondas. Sin embargo,
estos BJT de Si no eran adecuados para aplicaciones a frecuencias superiores a 4 GHz. A principios de
la década de 1970, el GaA (arseniuro de galio) MESFET (METAL Semiconductor FET) o
simplemente GaAs FET se desarrolló como resultado del avance de la tecnología de proceso de
semiconductores compuestos de GaAs. La movilidad de electrones en los GaAs es seis veces más
rápida que en el Si. Con esta ventaja de movilidad electrónica, GaAs FET tiene un rendimiento mucho
mejor que el transistor Si. Cuando los FET de GaAs se fabrican utilizando una tecnología similar al
proceso de Si, su rendimiento también es hasta seis veces mejor. Con la aparición de los GaAs FET,
los diodos Gunn, que habían sido populares hasta ese momento, se volvieron obsoletos para los
Phase-Locked Loops Pág. 1. 2
amplificadores y osciladores en frecuencias de microondas hasta la banda Ku, y su aplicación ahora se
limita a las frecuencias de onda milimétrica. Sin embargo, una mejora adicional en las características
de los GaAs FET condujo a la aparición del HEMT (transistor de alta movilidad electrónica) y el
pHEMT (HEMT pseudomórfico). Ahora es posible construir un circuito integrado hasta una
frecuencia de 200 GHz con estos HEMT. Por lo tanto, el uso futuro de los diodos Gunn o IMPATT en
la onda milimétrica sigue sin estar claro.
Los BJT y los GaAs MESFET, tienen varias ventajas en comparación con los diodos. Proporcionan
una flexibilidad en el diseño del circuito que se puede aplicar a varios componentes, como
amplificadores, osciladores, etc. En términos de eficiencia, son superiores al Gunn u otros diodos. No
requieren estructuras de disipación de calor si no funcionan con una potencia significativamente alta.
También se pueden usar como interruptores al controlar el voltaje de la compuerta o la corriente de
base. Además, las características del diodo varactor están inherentemente incluidas en estos
dispositivos, y también pueden utilizarse en circuitos planares, haciéndolos superiores a otros
componentes activos en términos de sus ventajas para la integración. Cada año, muchos investigadores
han mejorado constantemente las características y el rendimiento de alta frecuencia de los BJT y GaAs
MESFET e incluso hasta la fecha, su rendimiento ha mejorado cada año mediante la aplicación de
nuevos materiales o nuevos principios operativos.

1.2 Transistor de juntura bipolar (BJT)

1.2.1 Operación de un BJT de Si

La estructura de un BJT se muestra en la Fig. 1.2.1, en la que (a) muestra la vista superior y (b)
muestra la vista en sección transversal a través de la línea S-S '. Como se ve en la figura, primero se
cultiva una capa epitaxial de tipo n sobre el sustrato n +. Luego, en la capa epitaxial de tipo n, la
región base se forma dopando localmente un material de tipo p.
El área del emisor se forma dopando localmente un material de tipo n + en la región base. Usando este
procedimiento, se forma un BJT npn.

Fig. 1.2.1 Estructura del BJT: (a) vista en planta (b) corte de sección S-S’ [1]

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 3

Los principios de operación para un transistor npn generalmente se explican utilizando el área de línea
punteada en la Figura 5.13 (b), que también se muestra en la Figura 5.14. Dos uniones pn, la unión
base-emisor (BE) y la unión colector-base (CB), aparecen en el transistor. Los dos diodos de unión pn
están conectados uno al lado del otro. El BJT puede funcionar en varios modos, como activo, corte,
inverso y saturación. En el modo activo, la unión base-emisor (BE) está polarizada hacia adelante
mientras que la unión colector-base (CB) está polarizada inversamente. Como resultado, la altura de la
barrera de la unión BE se reduce mientras que la altura de la barrera de la unión CB se eleva. Debido a
la baja altura de la barrera de unión BE, los portadores mayoritarios, que son los electrones en la
región emisora, se difunden en la región base mientras que los huecos en la región base se difunden en
la región emisora. Sin embargo, debido a que la unión CB tiene polarización inversa, la difusión entre
el colector y la base no ocurre debido al aumento de la altura de la barrera.
Normalmente, la región emisora está más fuertemente dopada que la región base. Por lo tanto, se
difundirán más electrones del emisor a la base que los huecos de la base se difundirán al emisor. En
consecuencia, la contribución actual de la difusión de huecos puede ser ignorada.

Fig. 1.2.2 Flujo de corriente de un transistor npn sesgado para operar en el modo activo [1]

Una pequeña cantidad de los electrones difusos del emisor se recombinan y, por lo tanto, desaparecen
en la región base, mientras que la mayoría de los electrones se recogen en la región colectora. Por lo
tanto, la corriente del colector iC es casi igual a la corriente del emisor iE. Tenga en cuenta que la
corriente del emisor iE depende de la altura de la barrera de la unión BE, que a su vez se controla
mediante un pequeño voltaje aplicado a la unión BE, VBE. Por lo tanto, el gran flujo de corriente del
emisor del BJT puede controlarse mediante un VBE de bajo voltaje, que actúa como un amplificador.

Phase-Locked Loops Pág. 1. 4

Sin embargo, la estructura del BJT que se muestra en la Fig. 1.2.1 (b) necesita algunas mejoras antes
de poder usarse en una aplicación de alta frecuencia. Básicamente, el rendimiento de alta frecuencia
está estrechamente relacionado con el ancho de la base. Primero, los electrones inyectados desde el
emisor deben transitar por la región base para llegar al colector. El tiempo de tránsito está relacionado
con el ancho de la base. Por lo tanto, el ancho de la base debe ser lo más estrecho posible. En segundo
lugar, se produce una resistencia de expansión de la base debido a la distancia entre la región de base
verdadera y los terminales de base reales, como se muestra en la Fig. 1.2.1 (b).
Como resultado, la ganancia a altas frecuencias se reduce. La resistencia a la expansión de la base se
puede reducir aumentando el dopaje de la región de la base.
Sin embargo, el dopaje significativamente mayor de la región base aumenta el número de huecos y, en
consecuencia, aumenta el número de huecos que se difunden desde la base al emisor. Como resultado,
la corriente base aumenta, lo cual es deseable. Como una forma de reducir la resistencia de
propagación de la base, la base y el emisor se implementan utilizando la estructura interdigital que se
muestra en la Fig. 1.2.3.
Cuando el ancho de los dedos y el espacio de la estructura interdigital se reducen, la resistencia a la
expansión de la base puede reducirse significativamente debido a la corta longitud entre la región de la
base real y el terminal de la base.

Fig. 1.2.3 Un BJT de alta frecuencia (a) superior y (b) vistas en sección transversal.
La resistencia de propagación de base que aparece entre el terminal de base y la región de base verdadera se
reduce mediante el uso de la configuración interdigital para la base y el emisor. Además, la frecuencia de corte f T
se puede aumentar para tener una región de base poco profunda utilizando el control de proceso. [1]

Además, debido a que los electrones deben pasar a través de la capa epitaxial de tipo n para llegar al
terminal del colector, la capa epitaxial se hace lo suficientemente delgada para que los electrones
lleguen al terminal del colector a una velocidad mucho más rápida. Esta estructura BJT se muestra en
la Fig. 1.2.3 y la estructura en sección transversal a lo largo de S – S ’se muestra en la Fig. 1.2.3 (b).
En esa figura, el grosor de la base típicamente tiene el orden de 0.1 μm, y el grosor del colector tipo n
típicamente tiene el orden de 1.5 μm, que es extremadamente delgado. Se encuentra que la separación

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 5

entre la base y el emisor es de aproximadamente 1 μm para reducir la resistencia a la dispersión de la
base.

1.2.2 Modelo de gran señal de un BJT

El modelo de gran señal de un BJT se muestra en la Fig. 1.2.4. De la Fig. 1.2.2, dado que las uniones
BE y BC pueden representarse mediante diodos, se representan como diodos IBR e IBF en la Fig. 1.2.4.
El subíndice B representa la base, mientras que los subíndices F y R representan forward y reverse.
Además, el diodo de la región de carga espacial aparece en la unión pn cuando las corrientes de unión
están en un nivel bajo. Por lo tanto, estos diodos de la región de carga espacial aparecen en las uniones
BE y BC, y están conectados en paralelo. En la Fig. 1.2.4, están representados por diodos ILE e ILC.
Vale la pena señalar que la corriente del colector no se genera debido a las corrientes de diodo de la
región de carga espacial, y las corrientes que resultan de estos diodos pueden tratarse como corrientes
de fuga, por lo que se agrega el subíndice L.

Fig. 1.2.4 Modelo de señal grande de un BJT. Las cargas QE y QC incluyen las capacidades de difusión y
deplexión. ILE e ILC representan diodos de región de carga espacial y no contribuyen al colector I C actual. IBF e ICF
son las corrientes de base y colector en el modo activo, mientras que IBR e ICR son las corrientes de base y
colector en el modo inverso. RE y RC son resistencias de contacto, mientras que RBB ’es la resistencia que
extiende la base. Los modelos de carga QC2 y QCS dependen del dispositivo. [1]

Por lo tanto, la corriente base se puede expresar en términos de la corriente de saturación del colector
𝐼 como sigue:
𝐼 𝐼
𝐼 = 𝑒 −1 + 𝑒 −1 +𝐶 𝐼 𝑒 −1 +𝐶 𝐼 𝑒 −1
𝛽 𝛽
(ec. 1.1)
Phase-Locked Loops Pág. 1. 6
Los dos primeros términos de la ec. 1.1 están relacionados con están relacionados con la corriente del
colector que fluye cuando cada una de las uniones BE y BC están sesgadas hacia adelante; cada uno de
ellos está dividido por su ganancia de corriente respectiva, βF y βR. Los dos últimos términos
representan la corriente del diodo de la región de carga espacial, que es independiente de la corriente
del colector.
Se puede ver que la corriente debida a los diodos de unión BE y BC constituye la corriente de colector
total ICT = ICF-ICR. La corriente es causada por dos modos: el primero ocurre cuando la unión BE tiene
polarización directa y la unión BC tiene polarización inversa (modo activo); el segundo ocurre cuando
la unión BC está polarizada directamente y la unión BE está polarizada inversamente (modo inverso).
En este caso, la corriente está en la dirección inversa. Por lo tanto, el colector de ICT actual puede
expresarse como se muestra en la Ecuación (1.2).
𝐼 𝐼
𝐼 = 𝑒 −1 + 𝑒 −1
𝑞 𝑞
(ec. 1.2)
El qb en la expresión es un factor que representa el efecto Early (*) y el efecto Kirk (**) que aparecen
en una corriente de colector grande y se expresan de la siguiente manera:
1
𝑞 = 1 + 1 + 4𝑞
𝑉 𝑉
1− 𝑉 − 𝑉

(ec. 1.3)

𝐼 𝐼
𝑞 = 𝑒 −1 + 𝑒 −1
𝐼 𝐼
(ec. 1.4)
VA y VB representan los voltajes Early directo e inverso, mientras que 𝐼 y𝐼 representan el codo de
la corriente directa e inversa en la corriente de colector. Las ec. 1.1 a ec. 1.4 representan las
características de DC del BJT.

(*) (Early effect or base width modulation: The early effect is the variation in the width of the base in
a bipolar transistor due to a variation in the applied base-to-collector voltage. For example a greater
reverse bias across the collector- base junction increases the collector-base depletion width.)
(**) (Kirk effect. The Kirk effect occurs at high current densities and causes a dramatic increase in the
transit time of a bipolar transistor. ... This effect occurs if the charge density associated with the
current is larger than the ionized impurity density in the base-collector depletion region.)

La Fig. 1.2.5 ilustra cómo se determinan estos parámetros. El trazado de IB e IC con respecto a VBE nos
permite extraer los parámetros relacionados con la unión BE dados por las ec. (1.1) a ec. (1.4). Esta
extracción generalmente se llama un diagrama de Gummel. De la Fig. 1.2.5, la corriente de codo IKF de
la corriente del colector se puede determinar desde el punto de inflexión y desde las pendientes donde
Transistores de RF y microondas Pág. 1. 7
la corriente comienza a mostrarse. Para la corriente base, por otro lado, el diodo de la región de carga
espacial y los parámetros relacionados con la unión BE se pueden determinar a partir del punto de
inflexión y las pendientes en una corriente base pequeña. De manera similar, al trazar el diagrama de
Gummel-Poon (Fue descrito por primera vez en un artículo publicado por Hermann Gummel y H. C.
Poon en Bell Labs en 1970) para VBC, se pueden extraer los parámetros relacionados con la unión BC.
Los parámetros se agrupan y se muestran en la Tabla 1.1.

Fig. 1.2.5 Plot de Gummel-Poon para VBE. La corriente de diodo de la región de carga espacial I LE es dominante
en IB para un VBE pequeño, mientras que IBF es dominante en IB para un VBE grande [1].
Usando las pendientes e intersecciones, se pueden determinar los parámetros de los dos diodos. El IC de colector
actual se satura a medida que aumenta el IC debido al efecto Kirk. Del mismo modo, los parámetros de la
corriente del colector se pueden determinar utilizando sus pendientes e intersecciones. Repitiendo para V BC, los
parámetros DC para IC e IB se pueden determinar completamente. [1]

A continuación, consideramos las resistencias causadas por los contactos. Estos son RE, RB y RC, pero
de estos, RB no es una simple resistencia de contacto. Varía según la corriente y, por lo tanto, se
requieren dos parámetros adicionales (RBM, IRB) para describirlo.
Estos parámetros se resumen en la Tabla 1.1 y se clasifican como grupos.
Además, las capacidades de deplexión y difusión aparecen en las uniones BE y BC. La capacitancia de
deplexión se da en la ec. (1. 5) como
𝐶 (0)
𝐶 =
𝑉
1−
∅

Phase-Locked Loops Pág. 1. 8

 (ec. 1.5)

Tabla 1.1 Parámetros del modelo de Gummel-Poon del BJT [1]

La capacidad de deplexión tiene los parámetros Cje (0), mE y φBE. Se refieren a la capacitancia a 0 V, el
coeficiente de graduación y el potencial incorporado, respectivamente. Los parámetros para la
capacitancia de deplexión de la unión BE se pueden determinar experimentalmente a partir de la
medición C – V para VBE. Mediante el ajuste de la curva de los resultados medidos en la ec. (1.5), se
pueden determinar los parámetros. De manera similar, se puede definir el mismo grupo de parámetros
para la capacitancia de deplexión de la unión BC y esos parámetros se pueden extraer
experimentalmente utilizando la medición C – V para VBC. Los parámetros para las capacidades de
deplexión de BE y BC también se agrupan y se muestran en la Tabla 1.1. Sin embargo, debido a que
estas expresiones para las capacitancias de deplexión de la unión BE y BC tienen singularidad en VBE
= φBE y VBC = φBC, sus aplicaciones generalmente se limitan a VBE ≤ FC⋅φBE y VBC ≤ FC⋅φBC. Para los

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 9

valores VBE o VBC mayores que estos, se usa una línea recta dada por la tangente en F C⋅φBE en lugar
de la ec. (1.5). Por lo tanto, el valor FC en la Tabla 1.1 representa el rango de VBE y VBC.
La capacitancia de difusión generalmente se caracteriza por el tiempo de tránsito, que aparece en las
operaciones en modo activo e inverso. El tiempo de tránsito en las operaciones en modo activo e
inverso está representado por TF y TR en la Tabla 1.1, respectivamente. Además, dado que el tiempo
de tránsito no es constante pero depende de varios parámetros, los parámetros que representan esta
dependencia (ITF, VTF, PTF y XTF) forman un grupo. Los condensadores QE y QC de la Fig. 1.2.4
representan las capacitancias que son el resultado de las capacidades de deplexión y difusión
explicadas anteriormente. Los condensadores QC2 y QCS dependen del método de fabricación. Además,
algunos elementos de circuito adicionales se pueden agregar al circuito equivalente BJT descrito aquí
de acuerdo con el proceso de fabricación.

1.2.3 Modelo de circuito equivalente simplificado y parámetros S

La Fig. 1.2.6 muestra un circuito equivalente de señal pequeña BJT derivado del modelo de señal
grande de la Fig. 1.2.4. Dado que la unión BC generalmente tiene polarización inversa en modo
activo, la unión BC puede representarse mediante el circuito RC paralelo. El valor de gμ proviene de
un diodo con polarización inversa y su valor suele ser bastante pequeño. El condensador Cμ representa
una capacidad de deplexión. Del mismo modo, la unión BE con polarización directa también puede
representarse mediante el circuito RC paralelo.
La resistencia gπ representa la conductancia de señal pequeña del diodo polarizado hacia adelante. El
condensador Cπ representa las capacidades combinadas de las capacidades de difusión y deplexión.
Generalmente, la capacidad de difusión es mayor que la capacidad de deplexión y el valor de Cπ está
determinado principalmente por la capacidad de difusión. En una aplicación de baja frecuencia, la
capacitancia de difusión Cπ es típicamente pequeña en comparación con gπ y, por lo tanto, se ignora.
Sin embargo, en una aplicación de alta frecuencia, Cπ se vuelve dominante y aparecen los efectos de
ambos elementos. Especialmente en aplicaciones de microondas, la aparición de gπ puede ignorarse en
comparación con Cπ. La transconductancia gm representa la corriente del colector controlada por el
voltaje de unión BE, mientras que gc representa la resistencia del efecto Early. Las resistencias R E, RB
y RC representan las resistencias de contacto.

El circuito que se muestra en la Fig. 1.2.6 es complejo y puede ser difícil de entender. Por lo tanto, el
circuito equivalente simplificado que se muestra en la Fig. 1.2.7 se usa a menudo para explicar las
cualidades de los parámetros S medidos. La resistencia gπ en el circuito equivalente simplificado se
ignora en una aplicación de alta frecuencia.
Dado que el valor de gμ también es pequeño, también se ignora e incluso a veces se ignora Cμ. Los
valores de RE y RC son típicamente pequeños, y debido a que son las resistencias causadas por los
contactos, también se ignoran. El circuito equivalente así obtenido se muestra en la Fig. 1.2.7.

Phase-Locked Loops Pág. 1. 10

 Fig. 1.2.6 Circuito equivalente de pequeña señal. Los elementos de circuito gπ y Cπ representan el circuito
equivalente de señal pequeña para el diodo de unión BE mientras que gμ y Cμ representan los del diodo de unión
BC. RE y RC son resistencias de contacto, y RB es la resistencia de expansión de base. QC2 es la capacitancia,
que depende del dispositivo. [1].

Fig. 1.2.7 Circuito simplificado de señal pequeña equivalente [1].

En la Fig. 1.2.8a y b, se trazan S11 y S22 en el gráfico de Smith, ya que están relacionados con la
impedancia. Por el contrario, S12 y S21 son las funciones de transferencia y, por lo tanto, se trazan en el
gráfico polar para mostrar su magnitud y fase. El radio de S21 se establece en 10.0, y la escala radial
corresponde a una división de 2.0 por cuadrícula. Sin embargo, como S12 es pequeño, la escala radial
se selecciona para que sea 0.2 por cuadrícula.

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 11

 S(1,1)[X,10,4]
bfp420_spar
S(2,2)[X,10,4]
S11_S22 Parameters
Swp Max

1.0
bfp420_spar

0.8
10GHz

6
0.
p1

0
2.
4
0.
0
3.
p2 0
4.
5.0
0.2

10.0

10.0
0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

2.0

3.0

4.0
5.0
0
-10.0

2
- 0. 0
-5.
.0
-4

.0
-3
p1: Ic = 5.0 mA
.4
-0 Vce = 2.0 V

0 .
-2
.6
p2: Ic = 5.0 mA
-0 Swp Min

-0.8

-1.0
0.01GHz Vce = 2.0 V

S(2,1)[X,10,4]
S21_S12 bfp420_spar
S(1,2)[X,10,4]
Mag Max Swp Max
90

bfp420_spar
75
105

20 10 GHz
60
12
0

45
13
5

30
15
0

15
165

p2 0
p1
-180

-15

-165

-3
0
50
-1
p2: Ic = 5.0 mA
Vce = 2.0 V
-4
5
35
-1

-6

p1: Ic = 5.0 mA
20

0
-1

-105

5 Swp Min
-75

Vce = 2.0 V
-90

Per Div 0.01 GHz

Fig. 1.2.8.a Caracterización del transistor BJT BFP420 con IC=5mA y VCE=2.0V en un barrido de 0.1 a
10GHz, en AWR.

Phase-Locked Loops Pág. 1. 12

 Fig. 1.2.8.b Caracterización del transistor BJT BFP420 con IC=5mA y VCE=2.0V en un barrido de 0.1 a
10GHz, en ADS.

Aquí, la impedancia de entrada incluye el cable de conexión en la medición. Por lo tanto, la entrada se
aproxima a un circuito RLC en serie del circuito equivalente simplificado que se muestra en la Fig.
1.2.7. Como resultado, el lugar geométrico de los parámetros S11 siguen un círculo de resistencia
constante, como se muestra en la Fig. 1.2.8. A baja frecuencia, el locus se encuentra en la región
capacitiva de la tabla de Smith.
Sin embargo, a medida que aumenta la frecuencia, la inductancia del cable de unión se vuelve
dominante y el locus se encuentra en la región inductiva. El valor de resistencia en resonancia
corresponde aproximadamente a la resistencia base RB en el circuito equivalente simplificado. Se
pueden calcular los valores de L y C en resonancia, y se pueden obtener tanto la inductancia como la
capacitancia del cable de unión. La capacitancia obtenida puede interpretarse como Cπ.
En el caso de S22, debido a que la resistencia del colector gc es pequeña, el efecto de gc rara vez se
observa en S22. En lugar de gc, el circuito de salida puede aproximarse como la conexión en serie de
Cμ y rπ || (Zo + RB) para una frecuencia extremadamente baja.
En este caso, debido a que rπ es generalmente grande, el circuito de salida parece aproximarse a la
conexión en serie de Cμ y (Zo + RB). Por lo tanto, el locus se mueve, siguiendo el círculo de
resistencia constante. A medida que la frecuencia aumenta, el circuito de salida aproximado parece ser
gc en paralelo con un capacitor parásito Cc. Por lo tanto, al aumentar la frecuencia, el lugar se mueve a
lo largo del círculo de conductancia constante.
Debido al efecto de Cc, la trayectoria aparece en la región capacitiva. El locus resultante es el locus
combinado que se mueve a lo largo del círculo de resistencia constante a bajas frecuencias, y se mueve
a lo largo del círculo de conductancia constante a altas frecuencias. Aunque no se muestra aquí, con un

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 13

aumento adicional en la frecuencia, S22 sigue una trayectoria similar a la de S11 debido a los efectos
de los inductores de cable de unión y Cμ.
En particular, el BJT BFP420 sigue círculo de R constante, tanto para S11 como para S22.

1.2.4 Encapsulado del BJT

La Fig. 1.2.9 muestra un ejemplo típico de un encapslado de BJT de baja potencia.

Fig. 1.2.9 Ejemplo de un paquete BJT de baja potencia. En el marco principal, el chip BJT está conectado y
unido por cable. Luego, el BJT ensamblado se moldea utilizando un material epoxi y se cortan los marcos de
plomo innecesarios. [1].

En la Fig. 1.2.9, el BJT se une primero al marco principal. Vale la pena señalar que la parte inferior del
chip generalmente se convierte en el colector, como se muestra en la Fig. 1.2.1 (b). Luego, los
terminales de la base y del emisor se unen a los terminales correspondientes del marco de plomo.
Dado que los elementos parásitos que aparecen en el terminal del emisor del conjunto proporcionan
información de salida a entrada, tienen un efecto significativo en el rendimiento del dispositivo. Para
minimizar estas inductancias de emisor parásito debido al ensamblaje, es común asignar dos
terminales al emisor.

Phase-Locked Loops Pág. 1. 14

 Fig. 1.2.10 S11 de un transistor de emisor común en chip y con encapsulado [3].

Fig. 1.2.11 Comportamiento en frecuencia de |𝑆 |, |𝑆 | 𝑦 |𝑆 𝑆 | [3].

La Fig. 1.2.11 muestra el comportamiento del BJT en frecuencia.

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 15

Hay dos figuras de mérito comúnmente utilizadas por los fabricantes para describir la performance de
los BJTs.
a) 𝑓 : frecuencia ganancia-ancho de banda. (o frecuencia de transición). Es la frecuencia a la cual
la ganancia de corto circuito ℎ (𝜔) es la unidad.
b) 𝑓 : Es la máxima frecuencia de oscilación. Es la frecuencia donde la máxima ganancia
disponible (llamada 𝐺 , ) es igual a uno.
𝐺 , y𝑓 pueden ser medidos adaptando al conjugado la impedancia de la fuente a la
impedancia de entrada del transistor, y la carga a la impedancia de salida del transistor,
considerando el transistor incondicionalmente estable. 𝐺 , es mayor que |𝑆 | debido a las
condiciones de adaptación.

Fig. 1.2.12 Comportamiento en frecuencia de 𝐺 , , |𝑆 | , ℎ [3].

La Fig. 1.2.12 muestra la comparación entre las distintas figuras de mérito del BJT. Observe la caída
de -6dB/octava.

Hay dos fuentes de ruido en los BJTs. Ruido térmico y ruido de disparo. El ruido térmico es causado
por la agitación térmica de los portadores en la resistencia óhmica en el emisor, base y colector. El
ruido de disparo es dependiente de la corriente, y es un efecto causado por las fluctuaciones de las
corrientes de los electrones y huecos en condiciones de polarización.
El ruido de parpadeo (flicker noise, o 1/𝑓 noise) no es un problema en transistores BJT a frecuencias
de microondas, debido a que este ruido solo es significativo en frecuencias bajas (típicamente entre
10KHz y 50KHz).
Por encima de 4GHz, las performances del BJT de Silicio disminuyen significativamente.

Phase-Locked Loops Pág. 1. 16

 (a)

(b)

Fig. 1.2.12 (a) Valores de polarización más utilia¿zados; (b) Curvas IV de un transistor BJT típico [4].

1.3 Heterojunction Bipolar Transistors, HBT

La Fig. 1.3.1 muestra la vista en sección transversal de un transistor bipolar de heterounión GaAs
(HBT). Las ventajas de un GaAs semiconductor compuesto sobre un Si y las características de una
heterounión se utilizan en el HBT de GaAs para mejorar el rendimiento del Si BJT. Sin embargo,
tenga en cuenta que la base y el emisor tienen la misma estructura interdigital que se usa en el Si BJT.

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 17

 Fig. 1.3.1 Estructura transversal de un GaAs HBT. La unión base-emisor se compone de la heterounión de
AlGaAs y GaAs, que suprime la difusión de los huecos de la región base en el emisor.[4].

La unión BE del GaAs HBT se forma usando el emisor AlGaAs de tipo n y la base GaAs de tipo p.
Por lo tanto, se produce una trampa de energía entre la heterounión AlGaAs y GaAs. La trampa de
energía es útil para suprimir los huecos de difusión desde la base hacia el emisor que aparece para una
unión BE imparcial hacia adelante. Los huecos de difusión se atrapan fácilmente y, por lo tanto, la
difusión de los huecos se suprime significativamente. Debido a la trampa de energía, se puede
aumentar el dopaje de la región base. Como resultado, se puede disminuir la resistencia de base a altas
frecuencias, que limita el rendimiento del dispositivo. Por lo tanto, la frecuencia de ganancia unitaria
dada en la ec. (1.6) aumenta.

𝑓
𝑓 =
8𝜋𝑅 𝐶

(ec. 1.6)

Aquí, fT es la frecuencia de corte a la que la ganancia de corriente de cortocircuito se convierte en

unidad. La frecuencia fmax representa la frecuencia de oscilación máxima a la cual la ganancia de
potencia máxima se convierte en la unidad.
Los electrones inyectados desde el emisor a la base llegan al colector por difusión. Por lo tanto, el
tiempo de tránsito base τb está determinado por la constante de difusión. La constante de difusión de
electrones en el GaAs, Dn es cuatro veces mayor en comparación con la del Si, y resulta en un tiempo

Phase-Locked Loops Pág. 1. 18

de tránsito de base más pequeño. El tiempo de tránsito base τb está directamente relacionado con la
frecuencia de corte fT. El τb más pequeño da como resultado un aumento adicional en fmax dado por
la ec. (1.6).

Los electrones llegan al colector, luego se mueven desde la región del colector mediante un
mecanismo de deriva y finalmente llegan a la terminal del colector. Suponga que los dispositivos
fabricados con Si y GaAs tienen el mismo grosor de colector.
La velocidad de deriva vd de los electrones en el GaAs es aproximadamente seis veces más rápida que
en el Si. Como resultado, el vd más rápido reducirá el tiempo de tránsito del colector, τd.
La reducción de τd también conduce a un aumento de fT. Por lo tanto, debido a tales mejoras, el GaAs
HBT se puede usar hasta 10 GHz. Con procesos más avanzados, el GaAs HBT puede usarse hasta la
frecuencia de onda milimétrica.

En comparación con el BJT, el HBT tiene mayor ganancia de producto de ancho de banda con
geometrías relajadas debido a la movilidad de los electrones más alta y parásitos reducidos. La alta
impedancia de salida de emisor común es resultado del alto dopaje de base permitido por la
heterojunction que minimiza la modulación del ancho de la base. Esto conduce a una mayor linealidad
y baja distorsión armónica en HBT. (AlGaAs es Arseniuro de galio-aluminio).

1.4 Transistor de efecto de campo (FET)

Existen dos tipos principales de dispositivos semiconductores de tres terminales: FET y BJT. El
MOSFET (FET de semiconductor de óxido de metal), basado en el proceso de silicio, es el dispositivo
de tres terminales más utilizado para implementar circuitos integrados de baja frecuencia, incluidos los
circuitos digitales. Sin embargo, durante la década de 1970, el rendimiento de los MOSFET fabricados
con el proceso de Si no era adecuado para aplicaciones de microondas, y su rendimiento de alta
frecuencia fue inferior al de los BJT fabricados con el proceso de Si.
El GaAs MESFET (FET de semiconductores de metal) fabricado con la tecnología de
semiconductores compuestos de GaAs fue el primer tipo de dispositivo FET aplicado a los circuitos de
microondas. Dado que la movilidad de electrones en los GaAs es aproximadamente seis veces más
rápida que la del Si, fue posible fabricar un dispositivo tipo FET utilizando tecnologías de proceso de
semiconductores concurrentes.
El rendimiento de los MESFET de GaAs se ha mejorado aún más con los recientes avances en las
tecnologías de proceso que han hecho posible la fabricación de estructuras complicadas de capa epi.
Como resultado, los pHEMT de GaAs ahora se pueden usar en frecuencias que alcanzan varios cientos
de GHz. Además, la tecnología de fabricación complementaria de Si MOS (CMOS) ha demostrado
avances notables en varios servicios de comunicación móvil. Recientemente, se han reportado muchos
circuitos CMOS que operan a frecuencias de onda milimétrica.

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 19

1.4.1 GaAs MESFET
En la Fig. 1.4.1se muestra una vista plana superior de un GaAs MESFET con una longitud de puerta
de 0.3 μm y un ancho de puerta de 250 μm. La sección transversal en A-A 'en esa figura también se
muestra en la Fig. 1.4.2. En el GaAs MESFET que se muestra en la Fig. 1.4.2, se cultiva una capa
epitaxial ntype rica en electrones (capa epi) sobre el sustrato de GaAs semi-aislante.
En la capa epitaxial, se forman dos contactos óhmicos para los terminales de drenaje y fuente,
mientras que se forma un contacto Schottky para el terminal de puerta. El diodo Schottky formado
entre la puerta y la capa epitaxial está polarizado inversamente, aplicando un voltaje de puerta
negativo y no fluye corriente de puerta. Sin embargo, se produce una región de agotamiento sin
portadores en la capa epitaxial debido al voltaje de la puerta de polarización inversa. El aumento
adicional del voltaje negativo de la puerta ensancha la región de agotamiento y hace que el canal se
estreche. Esto hace que disminuya la corriente de la fuente de drenaje. Por lo tanto, la corriente de la
fuente de drenaje puede controlarse utilizando el voltaje de la puerta.

Fig. 1.4.1 Una vista planar superior de un GaAs MESFET.[1].

Phase-Locked Loops Pág. 1. 20

 Fig. 1.4.2 Sección transversal de un GaAs MESFET y su circuito equivalente. Cgs y Cgd representan las
capacidades de agotamiento del diodo Schottky. La transconductancia gm representa la corriente controlada por
el voltaje a través de Cgs. Rd y Rs provienen de las resistencias de contacto óhmico. Rg proviene de la
resistencia de metalización de la puerta. Rds y Cds representan la resistencia y la capacitancia entre los
terminales de drenaje y fuente.[1].

Fig. 1.4.3 Una vista transversal de un GaAs MESFET.[4].

El circuito equivalente de un MESFET de GaAs se muestra en la Fig. 1.4.2. Las resistencias Rs y Rd

representan las resistencias óhmicas que ocurren desde la fuente y drenan los contactos óhmicos. La
resistencia Rg representa la resistencia a la metalización de la puerta depositada para formar el diodo
Schottky. La dependencia de la corriente de drenaje en el voltaje de la puerta está representada por la
transconductancia gm, y la de la corriente de drenaje en vDS está representada por la resistencia Rds.
En contraste con los Rg, Rs y Rd que se muestran en la figura, gm y Rds son componentes no lineales
y representan las características DC del FET. La resistencia Ri se llama resistencia de canal y
representa la resistencia entre la región de deplexión y los terminales fuente. La región de deplexión
que se produce en la región de la puerta no está conectada directamente al terminal fuente, sino que
está conectada a la fuente a través de una región de canal. Ri representa la resistencia de tal resistencia
de canal al terminal fuente.
Los condensadores Cgs y Cgd representan las capacitancias causadas por la región de agotamiento
entre la puerta y la fuente, y entre la puerta y los terminales de drenaje. La dependencia de
polarización DC de estos condensadores tiene características similares a las de una capacitancia de
agotamiento. Por otro lado, Cds representa la capacitancia que ocurre entre los terminales del drenaje
de la fuente. Los condensadores Cds entre los terminales de drenaje y fuente son el resultado de las
capacitancias a través del canal y las regiones de aire. El condensador Cds también se considera no
lineal y sus características son diferentes de las de la capacidad de agotamiento. El circuito equivalente
en la Fig. 1.4.2se vuelve a dibujar en la Fig. 1.4.3. La transconductancia se expresa como
𝑦 =𝑔 𝑒
Porque la corriente de drenaje fluye con un retraso de tiempo de τ en comparación con el voltaje de
control de la fuente de la puerta.
Transistores de RF y microondas Pág. 1. 21
 𝑦 =𝑔 𝑒
Fig. 1.4.4 Circuito equivalente de GaAs MESFET de pequeña señal redibujado de la Fig. 1.4.2. Aquí, τ
representa el retraso porque la corriente de drenaje no se controla instantáneamente por el voltaje de la fuente de
la puerta.[1].

[Link] Circuito equivalente de gran señal

La Fig. 1.4.5muestra un circuito equivalente de gran señal para un FET de GaAs. Dado que el origen
físico de Rg, Rs y Rd es en sí lineal, estos elementos de circuito pueden tratarse como componentes
lineales. Las operaciones físicas de la fuente de la puerta y las uniones de drenaje de la puerta se
originan a partir de diodos Schottky, e iGD e iGS se pueden describir mediante las características de
diodo Schottky I – V que se muestran en las ec. (1.7) y ec. (1.8).

𝑖 =𝐼 𝑒 −1

(ec. 1.7)

𝑖 =𝐼 𝑒 −1

(ec. 1.8)

Fig. 1.4.5 Circuito equivalente de gran señal de un GaAs MESFET: iGD e iGS
Phase-Locked Loops Pág. 1. 22
representan el diodo Schottky formado entre el drenaje de la puerta y la fuente de la puerta, respectivamente. Cgs
y Cgd son capacidades de agotamiento del diodo Schottky. La fuente de corriente iDS representa la fuente de
corriente, dependiendo de los voltajes de fuente de compuerta y fuente de drenaje. Se supone que otros
elementos del circuito son elementos lineales..[1].

Al medir las características de corriente continua directa del diodo Schottky, se pueden determinar
parámetros tales como el factor de idealidad η y la corriente de saturación IS.
Además, dado que Cgs y Cgd se originan a partir de la capacitancia de agotamiento, se pueden
determinar midiendo las características C – V dadas por las ec. (1.9) y ec. (1.10).
𝐶
𝐶 =
𝑣
1−𝜙

(ec. 1.9)
𝐶
𝐶 =
𝑣
1−
𝜙
(ec. 1.10)
En contraste, las características no lineales de Cds y Ri no son tan significativas, y los valores de señal
pequeña de Cds y Ri pueden usarse en el modelo de gran señal.
Sin embargo, las características IDS-VDS del GaAs MESFET son significativamente diferentes de las de
los dispositivos FET de baja frecuencia. Por lo tanto, se requiere un nuevo modelo matemático para
representar sus características IDS-VDS, que se muestran en la Fig. 1.4.6. Puede haber varios modelos
matemáticos que representan las características IDS-VDS, pero de estos, hay tres que son bien
conocidos.

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 23

 Fig. 1.4.6 Un ejemplo de característica IDS_VDS para un MESFET [1]

Fig. 1.4.7 Un ejemplo de característica IDS_VGS para un MESFET. [1]

Fig. 1.4.8 Característica IDS_VDS e IDS_VGS del MESFET NE76038 de NEC.

Modelo Curtice
El modelo Curtice describe las características que se muestran en la Fig. 1.4.6 usando la ecuación (1 +
λVDS) tanh (αVDS). La función tanh (x) puede aproximarse por x para x pequeña, y se aproxima a 1
cuando x → ± ∞. Por lo tanto, para un VDS pequeño, (1 + λVDS) tanh (αVDS) se comporta como una
línea recta para VDS porque (1 + λVDS) tanh (αVDS) ≅ αVDS, que aumenta abruptamente para VDS. En
contraste, para un VDS suficientemente grande, la ecuación se puede aproximar como (1 + λVDS), que

Phase-Locked Loops Pág. 1. 24

aumenta ligeramente para VDS. Por lo tanto, las curvas IDS-VDS se pueden representar cualitativamente
por (1 + λVDS) tanh (αVDS). Ahora, podemos determinar la ecuación dada a través del ajuste de la
curva de las características IDS-VDS medidas con las constantes α y λ.
Sin embargo, dado que la dependencia de la corriente de drenaje de VGS está cerca de la parábola que
se muestra en la Fig. 1.4.6, las características IDS-VGS pueden modelarse utilizando una ecuación
cuadrática. En realidad, el uso de la ecuación cuadrática no se aproxima mucho a los resultados
medidos. La ecuación cúbica dada en la Ecuación (5.5) puede ser una mejor manera de describir las
características IDS-VGS en la Fig. 1.4.7 porque esta ecuación tiene tres grados de libertad. Además, las
características IDS-VGS dependen en cierta medida de VDS. Para describir esto, se usa V1 en lugar de
VGS, que depende linealmente de VDS. Por lo tanto, las características IDS-VDS que se muestran en la
Fig. 1.4.6se expresan matemáticamente en las ec. (1.11) y ec. (1.12).

𝐼 = (𝐴 + 𝐴 𝑉 + 𝐴 𝑉 + 𝐴 𝑉 )𝑡𝑎𝑛ℎ(𝛼𝑉 )
(ec. 1.11)
𝑉 = 𝑉 [1 + 𝛽(𝑉 − 𝑉 )]
(ec. 1.12)
Modelo Materka
En el modelo Materka, la relación entre la corriente de drenaje y VGS se describe en una relación
parabólica, y la pendiente para VDS se expresa modificando tanhx en las características IDS-VDS como
se muestra en las ec. (1.13) y ec. (1.14).

𝑉 𝛼𝑉
𝐼 =𝐼 1− 𝑡𝑎𝑛ℎ
𝑉 𝑉 −𝑉
(ec. 1.13)
𝑉 = 𝑉 + 𝛾𝑉
(ec. 1.14)
Tenga en cuenta que el voltaje de compresión Vp (pinch-off voltaje) también depende linealmente de
VDS.

Modelo Raytheon
El modelo Raytheon es un modelo matemático desarrollado por Raytheon Corporation y se expresa en
la ec. (1.15).

𝛽(𝑉 − 𝑉 ) 𝑉
𝐼 = (1 + 𝜆𝑉 ) 1 − 1 − 𝛼
1 + Θ(𝑉 − 𝑉 ) 3
(ec. 1.15)
Además, hay varios otros modelos matemáticos que son difíciles de distinguir en términos de sus pros
y sus contras, pero todos describen las dependencias draconcurrentes DC en VGS y VDS, y todos ellos
Transistores de RF y microondas Pág. 1. 25
pueden usarse para realizar simulaciones de señal grande. Además, vale la pena señalar que todas las
ecuaciones de (1.11) a (1.15) representan una relación matemática para las características de DC. Dado
que la corriente de drenaje de RF iDS depende del voltaje de puerta de RF vGS con un retraso de tiempo
de τ, las operaciones de microondas de señal grande de i DS se pueden modelar reemplazando VGS por
vGS (t-τ) en las ecuaciones de (1.11) a (1.15) usando la ec. 1.16:

𝑖 = 𝑓(𝑣 (𝑡 − 𝜏), 𝑣 )
(ec. 1.16)
Esta ecuación se puede usar como modelo matemático para la operación de microondas.

[Link] Modelo simplificado equivalente de pequeña señal y parámetros S

El circuito equivalente que se muestra en la Fig. 1.4.4 explica el origen físico del dispositivo, pero es
bastante complicado. Las resistencias Rg, Rs y Rd son las resistencias que se producen debido a los
contactos, y los valores de los elementos son generalmente pequeños.
Además, estas resistencias no se consideran partes intrínsecas de los FET, por lo que se denominan
elementos extrínsecos. Por lo tanto, sus valores son generalmente aproximados a cero, y el circuito
equivalente aproximado, simplificado y de pequeña señal que se muestra en la Fig. 1.4.9. Este circuito
equivalente simplificado se utiliza para explicar cualitativamente los parámetros S medidos del FET de
GaAs.

Fig. 1.4.9 Un circuito equivalente simplificado de un FET. Aquí se omiten los elementos del circuito extrínseco
Rg, Rd y R que se muestran en el circuito equivalente de la Fig. 1.4.4.[1].

Para una mayor simplificación, es posible una aproximación adicional porque la capacitancia de
agotamiento Cgd es generalmente pequeña en comparación con Cgs y, a veces, también se supone que
es 0. Por lo tanto, la entrada y la salida del FET están aisladas. Tal aproximación se llama
aproximación unilateral.
La Fig. 1.4.10 muestra los parámetros S medidos de un FET de GaAs en estado de chip típico.
Después de que el chip GaAs FET se ensambló mediante uniones de alambre en el soporte, como se

Phase-Locked Loops Pág. 1. 26

muestra en las Fig. 1.4.11 (b) y (c), el conjunto del soporte se montó en una plantilla, como se muestra
en la Fig. 1.4.11 (a). En la Fig. 1.4.11 (b), se muestran los planos de referencia.
Por lo tanto, los parámetros S medidos generalmente incluyen la inductancia de los cables de unión.

Fig. 1.4.10 Parámetros S medidos típicos de GaAs FET.[1].

Fig. 1.4.11 Ilustración del ensamblaje para la medición de parámetros S de un FET de GaAs: (a) ensamblaje de
la plantilla de prueba, (b) vista superior del portador de microstrip y (c) vista en sección transversal del portador
de microstrip.[1].

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 27

Las respuestas de frecuencia de los parámetros S se pueden explicar utilizando el circuito equivalente
simplificado que se muestra en la Fig. 1.4.9.

[Link] Encapsulado
Cuando se usa un dispositivo activo de tipo chip en un circuito, el circuito se puede construir sin una
mayor degradación del rendimiento del dispositivo activo. Sin embargo, los dispositivos activos
pueden dañarse fácilmente por factores ambientales externos. En particular, el ensamblaje de chips en
un PCB es inconveniente porque los componentes se unen principalmente mediante soldadura en el
PCB. Por lo tanto, por conveniencia de manejo, los chips a veces se usan en forma empaquetada,
aunque con cierto grado de degradación del rendimiento. Un conjunto con un chip encapsulado se
puede soldar y no requiere técnicas como la unión de cables y la fijación de matrices. Además, los
chips encapsulados ofrecen la ventaja de una buena protección contra factores ambientales externos.

Fig. 1.4.12 Conjunto de encapsulado GaAs FET: (a) vista superior y (b) vista inferior. Los parámetros S
generalmente se definen en los planos de referencia S y S '.[1].

La Fig. 1.4.12 muestra un chip GaAs FET ensamblado utilizando un paquete de cerámica comercial.
La Fig. 1.4.12 (a) muestra la vista superior con la tapa retirada y (b) muestra la vista posterior. La
fuente se usa comúnmente como terminal de tierra. Para minimizar la inductancia que surge del
ensamblaje del terminal fuente, el terminal está frecuentemente unido por cables en dos lugares, como
se muestra en la Fig. 1.4.12 (a).
La inductancia que resulta del ensamblaje del terminal fuente, por pequeña que sea, causa
retroalimentación de salida a entrada y crea la posibilidad de oscilación o inestabilidad del dispositivo.
Por lo tanto, para minimizar la inductancia, los terminales del paquete donde está conectada la fuente
generalmente se ensanchan en comparación con los otros terminales. El chip está montado

Phase-Locked Loops Pág. 1. 28

directamente en el terminal principal, y las dos almohadillas de fuente en el chip están unidas por
cable dos veces en cada uno de los dos lugares en el terminal principal. Por lo tanto, el calor se disipa a
través de estos terminales de plomo, pero vale la pena señalar que esta disipación de calor puede no ser
suficiente en ciertos casos.
Los planos S y S 'que se muestran en la Fig. 1.4.12 (a) se convierten en los planos de referencia de la
medición del parámetro S y los parámetros S medidos generalmente se proporcionan con estos planos
de referencia. Por lo tanto, muchos elementos parásitos se agregan al circuito equivalente del chip en
el dispositivo empaquetado. Esto se muestra en la Fig. 1.4.13. Las inductancias del cable de unión Lg,
Ls y Ld se producen como consecuencia de la unión del cable. Además, dado que las líneas con una
longitud finita se insertan en el paquete, aparecen como líneas de transmisión o inductancia. Las líneas
de transmisión Tin, Tout e inductor LM en la Fig. 1.4.13 representan estas líneas de transmisión como
inductancia. También se producen varias capacidades parasitarias. Las capacidades Cin y Cout se
producen debido a la discontinuidad de las líneas de transmisión. Las capacidades CF1 y CF2
representan capacidades de retroalimentación que se producen como resultado del acoplamiento entre
las líneas del encapsulado.

Fig. 1.4.13 Circuito equivalente de un encapsulado de GaAs FET de la Fig 1.4.12.[1].

Estos elementos parásitos de circuito empaquetado impiden la determinación precisa de los valores del
circuito equivalente del dispositivo activo. Por lo tanto, es común obtener primero el valor del circuito
equivalente del chip y luego el valor del equivalente del encapsulado. Estos se combinan para producir
el valor total del circuito equivalente.

1.4.2 GaAs HEMT (High Electron Mobility Transistor)

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 29

La movilidad de electrones en el canal de un FET está estrechamente relacionada con su rendimiento
de alta frecuencia. Como se explicó anteriormente, el GaAs FET tiene un mejor rendimiento de alta
frecuencia que el Si porque la movilidad de electrones en el GaAs es aproximadamente seis veces más
rápida que el Si. Sin embargo, esta movilidad de electrones generalmente se degrada por los átomos de
impureza dopados que se dopan para generar electrones. Después de la generación de electrones, los
átomos de impureza adquieren polaridad positiva mientras que los electrones adquieren polaridad
negativa. Los electrones en movimiento son atraídos y dispersados por los átomos fijos de impurezas
con polaridad positiva. Como resultado, la movilidad de electrones se degrada significativamente por
la dispersión de impurezas. Esta degradación de la movilidad electrónica puede evitarse empleando
una estructura compleja de capa epitaxial en lugar de una sola capa epitaxial. La Fig. 1.4.14 muestra la
compleja estructura de la capa epitaxial que mejora la movilidad de los electrones.

Fig. 1.4.13 Estructura transversal de un GaAs HEMT.[4].

En la Fig. 1.4.13, los electrones se generan en la capa AlGaAs de tipo n, donde los átomos de
impurezas se dopan abundantemente. La heterounión se forma entre los AlGaAs sin dopar y los GaAs
sin dopar. Como resultado, se forma un pozo de electrones como resultado de la heterounión. Los
electrones generados en la capa de AlGaAs de tipo n son fácilmente atrapados y reunidos en el pozo
de electrones que se forma debajo de la capa de GaAs sin dopar. Como el pozo de electrones es muy
delgado, los electrones atrapados en el pozo pueden considerarse como una lámina de gas de
electrones que se llama 2DEG (gas de electrones bidimensional). Además, tenga en cuenta que la capa
de GaAs sin dopar es casi intrínseca porque no hay átomos de impurezas. Por lo tanto, los electrones
pueden moverse de acuerdo con el campo eléctrico aplicado sin la influencia de los átomos de
impurezas. Esto da como resultado una velocidad de electrones que es mucho más rápida que en el

Phase-Locked Loops Pág. 1. 30

GaAs FET. Por lo tanto, el rendimiento de ganancia de alta frecuencia se puede mejorar en
comparación con un FET de GaAs convencional porque los electrones se mueven mucho más rápido
en el canal no dopado. Por esta razón, el dispositivo se llama HEMT (transistor de alta movilidad de
electrones).
En la fabricación de un pHEMT de GaAs, las constantes reticulares de AlGaAs y GaAs difieren
significativamente, lo que dificulta el crecimiento de una capa estable de AlGaAs en GaAs. El
problema se resuelve usando la tecnología pseudomórfica desarrollada recientemente. Al insertar una
capa de InGaAs extremadamente delgada y sin dopar entre las capas de GaAs sin dopar y las de
AlGaAs sin dopar, la capa de AlGaAs estable puede crecer, lo que hace posible fabricar estos
dispositivos de alto rendimiento. Dado que la tecnología pseudomórfica se utiliza para fabricar estos
dispositivos, a menudo se les llama pHEMT.

1.5 Simulación de parámetros S en ADS

1.5.1 FET

S-PARAMETERS

S_Param V_DC
DC_Feed SRC2
SP1 DC_Feed2
Start=1.0 GHz Vdc=vds V
Stop=6.0 GHz V_DC DC_Feed
Step=10.0 MHz SRC1 DC_Feed1
Vdc=vgs V

Var VAR DC_Block

Eqn
VAR1 DC_Block2
vgs=-1.0
vds=3
Term DC_Block Term
Term1 DC_Block1 pf_mwt_MWT_871HP_19931015 Term2
Num=1 A1 Num=2
Z=50 Ohm Z=50 Ohm

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 31

1.5.2 BJT

S-PARAMETERS

S_Param V_DC
DC_Feed SRC2
SP1 DC_Feed2
Start=0.5 GHz Vdc=vdc V
Stop=4.0 GHz I_DC DC_Feed
Step=10.0 MHz SRC3 DC_Feed1
Idc=idc uA

Var VAR DC_Block

Eqn
VAR1 DC_Block2
idc=7
vdc=1
Term DC_Block Term
Term1 DC_Block1 pb_nec_2SC4226_19921213 Term2
Num=1 Q1 Num=2
Z=50 Ohm Z=50 Ohm

Phase-Locked Loops Pág. 1. 32

2 Comportamiento de temperatura del BJT

La configuración de emisor común de un BJT es la configuración más utilizada para su mayor

amplificación de corriente y potencia. Casi todas las expresiones de los parámetros BJT contienen la
temperatura T como parámetro. Esto se debe al hecho de que la corriente se rige por la densidad de
portadores minoritarios, que está determinada por la temperatura además de otros factores. La
corriente de colector (IC) de un BJT está fuertemente relacionada con la temperatura a través de la
dependencia exponencial de la temperatura de la corriente de saturación inversa Io. La dependencia de
la temperatura de la característica estática de BJT se muestra en la Fig. 2.1. La corriente del colector
aumenta con el aumento de la temperatura para una corriente de polarización de base fija. Además de
estos componentes, los otros componentes parásitos también dependen de la temperatura.

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 33

 Fig. 2.1. Dependencia de la temperatura de la salida estática característica de BJT. [5].

Aunque la ganancia de corriente del emisor común varía de manera diferente con la temperatura en los
diferentes tipos de transistores bipolares, en la mayoría de los casos aumenta con el aumento de la
temperatura.
Por lo tanto, la ganancia de corriente del emisor común y la ganancia de transconductancia aumentan
con el aumento de la temperatura, lo que conduce a un coeficiente de temperatura positivo de ganancia
de potencia en amplificadores de microondas basados en BJT.
Además de la dependencia de la ganancia de temperatura de los amplificadores basados en BJT, la
frecuencia de corte más alta también es sensible al cambio de temperatura de funcionamiento.
El coeficiente de difusión Dn, la ganancia de transconductancia gm y la velocidad de saturación frente
a la portadora determinan la frecuencia de corte más alta como se expresa en la ec. 2.1. El factor más
dominante que determina la frecuencia de corte más alta es el efecto de carga almacenada en la región
base que se rige por el coeficiente de difusión. El coeficiente de difusión está determinado por la
relación de Einstein Dn μkT / q. Como μ ∝ T ^-2 (aproximadamente) en el rango de temperatura de
funcionamiento para Si, el coeficiente de difusión disminuye con el aumento de la temperatura y, por
lo tanto, disminuye la frecuencia de corte.

(ec. 2.1)

En aplicaciones de alta potencia, debido a la disipación de potencia (IC × VBE) dentro del BJT, hay
calentamiento térmico y aumento de la temperatura del dispositivo. Con este aumento de temperatura,
Phase-Locked Loops Pág. 1. 34
habrá un aumento adicional de la corriente. Con el aumento adicional de la corriente, habrá un
aumento de la disipación de calor. Con este proceso, el dispositivo puede quemarse, conocido como
fugas térmicas, si no se toma la protección adecuada en el diseño del circuito. Por lo tanto, la
sensibilidad a la temperatura del BJT afecta el rendimiento del circuito. En el nivel de circuito, se
adoptan varios mecanismos de compensación para minimizar las variaciones de rendimiento
relacionadas con la temperatura y la protección contra el descontrol térmico.

3 Bibliografía

[1] Kyung-Whan Yeom, Microwave Circuit Design A Practical Approach Using ADS, Prentice Hall, 2015.
[2] C. J. Kikkert; RF Electronics, Design and Simulation; James Cook University, Australia, 2018.
[3] Guillermo Gonzalez; Microwave Transistor Amplifier, Analysis and Design; Snd Ed.; Prentice Hall, 1997.
[4] Inder J. Bahl, Fundamentals of RF and Microwave Transistor Amplifier, John Wiley & Sons, 2009
[5] Subhash Chandra Bera, Microwave Active Devices and Circuits for Communication, Springer, 2019

Transistores de RF y microondas Pág. 1. 35

Electrónica Aplicada III Universidad Tecnológica Nacional de Argentina - F. R. Córdoba
Departamento de Electrónica - Electrónica Aplicada III
Universidad Tecnológica Nacional Daniel Rabinovich drabinovich@[Link]
Ramón Oros roros@[Link]
Facultad Regional Córdoba Guillermo Riva guilriva@[Link]
Departamento Electrónica Año 2020

Representaciones de redes de dos puertos

1.1. Conceptos de líneas de transmisión

Hay varios tipos de líneas de transmisión. Tres son las más comunes, como se muestra en la Fig. 1.1.1:
dos cables, cable coaxial, y microstrip.

Fig. 1.1.1 Líneas de transmisión (a) de dos cables; (b) cable coaxial; (c) línea microstrip [1]

Un modelo típico de una línea de transmisión se muestra en la Fig. 1.1.2. Si se observa como una red de
dos puertos, la línea recibe una potencia de la fuente en el puerto de entrada, y entrega potencia a la carga.
La longitud l de la línea de transmisión se divide en varios tramos idénticos de secciones 𝛥𝑥. Cada
sección 𝛥𝑥 se modela con una resistencia R por unidad de longitud, una inductancia por unidad de
longitud, y una capacitancia por unidad de longitud. Se asume que estos parámetros son constantes a lo
largo de la línea de transmisión (es uniforme).

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Fig. 1.1.2 (a) Modelo de circuito distribuido para una línea de transmisión; (b) una sección Δ𝑥 de una línea de
transmisión; (c) una sección Δ𝑥 de una línea de transmisión sin pérdidas [1]

La Fig. 1.1.2 (b) muestra una sección 𝛥𝑥 de la línea de transmisión, voltajes y corrientes en los puertos de
entrada y salida de la sección 𝛥𝑥 de la línea de transmisión.
Observe que los voltajes y corrientes a lo largo de la línea de transmisión son funciones de la posición y
el tiempo. En la entrada de la sección 𝛥𝑥 el voltaje y corriente son 𝑣(𝑥, 𝑡) y 𝑖(𝑥, 𝑡), mientras que el
voltaje y corriente de salida son 𝑣(𝑥 + ∆𝑥, 𝑡) y 𝑖(𝑥 + ∆𝑥, 𝑡). Aplicando la ley de voltajes de Kirchoff,

𝜕𝑖(𝑥, 𝑡)
𝑣(𝑥, 𝑡) − 𝑣(𝑥 + ∆𝑥, 𝑡) = 𝑅∆𝑥 𝑖(𝑥, 𝑡) + 𝐿∆𝑥
𝜕𝑡
Dividiendo por ∆𝑥
𝑣(𝑥 + ∆𝑥, 𝑡) − 𝑣(𝑥, 𝑡) 𝜕𝑖(𝑥, 𝑡)
= −𝑅 𝑖(𝑥, 𝑡) − 𝐿
∆𝑥 𝜕𝑡
A medida que ∆𝑥 se aproxima a cero, el lado izquierdo es reconocido como la derivada parcial de 𝑣(𝑥, 𝑡)
con respecto a x. Haciendo lim se obtiene
∆ →

𝜕𝑣(𝑥, 𝑡) 𝜕𝑖(𝑥, 𝑡)
= −𝑅 𝑖(𝑥, 𝑡) − 𝐿
𝜕𝑥 𝜕𝑡
(1.1.1)
Aplicando la ley de corrientes de Kirchoff,
𝜕𝑣(𝑥 + ∆𝑥, 𝑡)
𝑖(𝑥, 𝑡) − 𝑖(𝑥 + ∆𝑥, 𝑡) = 𝐺∆𝑥 𝑣(𝑥 + ∆𝑥, 𝑡) + 𝐶∆𝑥
𝜕𝑡
Dividiendo por ∆𝑥 y haciendo lim se obtiene
∆ →

𝜕𝑖(𝑥, 𝑡) 𝜕𝑣(𝑥, 𝑡)
= −𝐺 𝑣(𝑥, 𝑡) − 𝐶
𝜕𝑥 𝜕𝑡
(1.1.2)
Las ec. 1.1.1. y ec. 1.1.2 describen el voltaje y la corriente a lo largo de la línea de transmisión.

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Caso especial: Línea sin pérdidas y tensión de entrada sinusoidal

En el caso de una línea sin pérdidas, la Fig. 1.1.2 (b) se transforma en la Fig. 1.1.2 (c), y las ec. 1.1.1 y ec.
1.1.2 se reducen a
𝜕𝑣(𝑥, 𝑡) 𝜕𝑖(𝑥, 𝑡)
= −𝐿
𝜕𝑥 𝜕𝑡
(1.1.3)
𝜕𝑖(𝑥, 𝑡) 𝜕𝑣(𝑥, 𝑡)
= −𝐶
𝜕𝑥 𝜕𝑡
(1.1.4)
Para una excitación sinusoidal, los voltajes y corrientes a lo largo de la línea de transmisión son también
funciones sinusoidales en el tiempo, cuya dependencia en la posición y tiempo pueden ser expresadas en
la forma general como:
𝑣(𝑥, 𝑡) = 𝑓(𝑥)𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜑(𝑥)
𝑖(𝑥, 𝑡) = 𝑔(𝑥)𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜂(𝑥)
Donde 𝑓(𝑥) y 𝑔(𝑥) son funciones de la posición y donde 𝜑(𝑥) y 𝜂(𝑥) describen la dependencia
posicional de la fase
Si utilizamos Euler,
( ) ( )
𝑣(𝑥, 𝑡) = 𝑓(𝑥)𝑅𝑒 𝑒 = 𝑅𝑒 𝑓(𝑥)𝑒 𝑒
(1.1.5)
( ) ( )
𝑖(𝑥, 𝑡) = 𝑔(𝑥)𝑅𝑒 𝑒 = 𝑅𝑒 𝑔(𝑥)𝑒 𝑒
(1.1.6)
En las ec. 1.1.5 y ec. 1.1.6, se pueden definir las cantidades fasoriales como
( )
𝑉(𝑥) = 𝑓(𝑥)𝑒
( )
𝐼(𝑥) = 𝑔(𝑥)𝑒
Podemos entonces reescribir
𝑣(𝑥, 𝑡) = 𝑅𝑒 𝑉(𝑥)𝑒
(1.1.7.a)
𝑖(𝑥, 𝑡) = 𝑅𝑒 𝐼(𝑥)𝑒
(1.1.7.b)
Debido a que se aplica tensión sinusoidal, se puede utilizar el análisis fasorial para obtener una solución
de estado estacionario para 𝑣(𝑥, 𝑡) y 𝑖(𝑥, 𝑡).
Los fasores 𝑉(𝑥) y 𝐼(𝑥) son funciones complejas de posición y expresan las variaciones del voltaje y
corriente como una función de la posición a lo largo de la línea de transmisión.
Sustituyendo ec. 1.1.7 y ec. 1.1.8 en ec. 1.1.3, e puede escribir:
𝜕 𝜕
𝑅𝑒 𝑉(𝑥)𝑒 = −𝐿 𝑅𝑒 𝐼(𝑥)𝑒
𝜕𝑥 𝜕𝑡
(1.1.8.a)

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Debido a que el operador real conmuta con los operadores y , podemos escribir la ec. 1.1.8.a de la

forma
𝜕𝑉(𝑥) 𝜕𝐼(𝑥)
𝑅𝑒 𝑒 = −𝐿𝑅𝑒 𝑒 = −𝐿𝑅𝑒 𝐼(𝑥)𝑗𝜔𝑒
𝜕𝑥 𝜕𝑡
(1.1.8.b)
Observando que 𝑉(𝑥) es función de la posición solamente, entonces
𝜕𝑉(𝑥) 𝑑𝑉(𝑥)
=
𝜕𝑥 𝑑𝑥
La ec. 1.1.8.b se puede escribir como:
𝑑𝑉(𝑥)
𝑅𝑒 + 𝑗𝜔𝐿𝐼(𝑥) 𝑒 =0
𝑑𝑥

(1.1.8.c)
La ec. 1.1.8.c debe ser satisfecha para todo el tiempo t. Entonces el término en paréntesis deberá ser cero,
𝑑𝑉(𝑥)
= −𝑗𝜔𝐿𝐼(𝑥)
𝑑𝑥
(1.1.8.d)
Para 𝜔𝑡 = 0, 𝑒 =𝑒 = 1, entonces
𝑑𝑉(𝑥)
𝑅𝑒 + 𝑗𝜔𝐿𝐼(𝑥) =0
𝑑𝑥

(1.1.8.e)
/
Para todo 𝜔𝑡 = 𝜋/2, 𝑒 =𝑒 = 𝑗, entonces
𝑑𝑉(𝑥)
𝑅𝑒 + 𝑗𝜔𝐿𝐼(𝑥) 𝑗=0
𝑑𝑥

(1.1.8.f)
El cual es equivalente a
𝑑𝑉(𝑥)
𝐼𝑚 + 𝑗𝜔𝐿𝐼(𝑥) =0
𝑑𝑥

(1.1.8.g)
( )
Las ec. 1.1.8.f y ec. 1.1.8.g muestran que ambas partes, real e imaginarias de + 𝑗𝜔𝐿𝐼(𝑥) son cero,

verificando la ec. 1.1.8.e.

Una comparación de la ec. 1.1.3 y su correspondiente ecuación de fasor en ec. 1.1.8.d muestra que la ec.
1.1.8.d se puede seguir reemplazando la ec. 1.1.3 el operador 𝜕/𝜕t por 𝑗𝜔, y 𝑣(𝑥, 𝑡) y 𝑖(𝑥, 𝑡) por 𝑉(𝑥) y
𝐼(𝑥) respectivamente. El uso de fasores permite cambiar las ecuaciones diferenciales de la ec. 1.1.3 en la
ecuación diferencial ordinaria (ec. 1.1.8.d).

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De igual manera, sustituyendo la ec. 1.1.7.a y ec. 1.1.7.b en la ec. 1.1.4, resulta en la siguiente ecuación
fasorial
𝑑𝐼(𝑥)
= −𝑗𝜔𝐶𝑉(𝑥)
𝑑𝑥
(1.1.9)
Las ec. 1.1.8.d y ec. 1.1.8.f son ecuaciones diferenciales satisfechas por los fasores 𝑉(𝑥) y 𝐼(𝑥) a lo largo
de la linea de transmisión sin pérdidas. Estas ecuaciones diferenciales pueden resolverse para 𝑉(𝑥) y 𝐼(𝑥)
como sigue. Diferenciando la ec. 1.1.8.d con respecto a x se tiene
𝑑 𝑉(𝑥) 𝑑𝐼(𝑥)
= −𝑗𝜔𝐿
𝑑𝑥 𝑑𝑡
(1.1.10)
Sustituyendo la ec. 1.1.9 en la ec. 1.1.10 se tiene
𝑑 𝑉(𝑥)
= −𝑗𝜔𝐿(−𝑗𝜔𝐶)𝑉(𝑥) = −𝜔 𝐿𝐶𝑉(𝑥)
𝑑𝑥

𝑑 𝑉(𝑥)
+ 𝛽 𝑉(𝑥) = 0
𝑑𝑥
(1.1.11)
𝛽 = 𝜔√𝐿𝐶
(1.1.12)
El parámetro 𝛽 se conoce como constante de propagación.
La ec. 1.1.11 es conocida como la ecuación homogénea de Helmholtz, y su solución a esta ecuación
diferencial de segundo orden (ec. 1.1.11) es:

𝑉(𝑥) = 𝐴𝑒 + 𝐵𝑒
(1.1.13)
Para el caso de la corriente
Debido a que (ver [1], ítem 1.3)
𝑑𝑉(𝑥)
= −𝑗𝜔𝐿𝐼(𝑥)
𝑑𝑡
(1.1.14)
−1 𝑑𝑉(𝑥) −1 𝑑 𝛽
𝐼(𝑥) = = 𝐴𝑒 + 𝐵𝑒 = 𝐴𝑒 − 𝐵𝑒
𝑗𝜔𝐿 𝑑𝑡 𝑗𝜔𝐿 𝑑𝑥 𝜔𝐿
Definiendo

𝜔𝐿 𝜔𝐿 𝐿
𝑍 = = =
𝛽 𝜔√𝐿𝐶 𝐶

(1.1.15)
Entonces

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𝐴 𝐵
𝐼(𝑥) = 𝑒 − 𝑒
𝑍 𝑍
(1.1.16)
En la ec. 1.1.15 se observa que en una línea de transmisión sin pérdidas, 𝑍 es real.
El formato dependiente temporal de la tensión y corriente a lo largo de una línea de transmisión sigue la
forma de las ec. 1.1.7 y ec. 1.1.8. Esto es:
( ) ( )
𝑣(𝑥, 𝑡) = 𝑅𝑒 𝑉(𝑥)𝑒 = 𝑅𝑒 𝐴𝑒 + 𝐵𝑒
(1.1.17)
𝐴 ( ) 𝐵 ( )
𝑖(𝑥, 𝑡) = 𝑅𝑒 𝐼(𝑥)𝑒 = 𝑅𝑒 𝑒 − 𝑒
𝑍 𝑍
(1.1.18)
En el caso simple que A y B sean reales, las ec. 1.1.17 y ec. 1.1.18 se pueden expresar en la forma:
𝑣(𝑥, 𝑡) = 𝐴𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥) + 𝐵𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 + 𝛽𝑥)
(1.1.19)
𝐴 𝐵
𝑖(𝑥, 𝑡) = 𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥) − 𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 + 𝛽𝑥)
𝑍 𝑍
(1.1.20)
Las funciones 𝐴𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥) y 𝐵𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 + 𝛽𝑥) son conocidas como funciones de ondas. Examinemos
las características de onda de esas funciones.
Si 𝑣 (𝑥, 𝑡) = 𝐴𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥), esta función puede ser analizada, primero fijando la posición x y
observando el comportamiento de 𝑣 (𝑥, 𝑡) como función del tiempo. Primero se elige x=0 y ploteamos
𝑣 (0, 𝑡) = 𝐴𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡, según se muestra en la Fig. 1.1.3 (a). La función 𝑣 (0, 𝑡) muestra una variación
senoidal a medida que incrementa el tiempo.

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Fig. 1.1.3 (a) Plot 𝑣 (0, 𝑡) = 𝐴𝑐𝑜𝑠𝜔𝑡, (b) Plot 𝑣 (𝑥, 0) = 𝐴𝑐𝑜𝑠 𝛽𝑥; (c) Cálculo de la velocidad de fase [1]

En la Fig. 1.1.3 (a) el intervalo de tiempo entre dos valores iguales consecutivos de una señal periódica es
el periodo T. En este caso,
𝜔𝑡| = 2𝜋
O
2𝜋 1
𝑇= =
𝜔 𝑓
Ahora examinemos el comportamiento de 𝑣 (𝑥, 𝑡) como una función de la posición. Se hace t=0 y se
plotea 𝑣 (𝑥, 0) = 𝐴𝑐𝑜𝑠 𝛽𝑥. En la Fig. 1.1.3 (b) la distancia entre dos valores iguales consecutivos se
define como longitud de onda. Esta es:
𝛽𝑥| = 2𝜋
O
2𝜋
𝜆=
𝛽
(1.1.21)
Si ahora observamos los dos valores como función de tiempo, podemos calcular la velocidad de
propagación de la onda. Por ejemplo, en los tiempos t1 y t2 (donde t2>t1), tenemos
𝑣 (𝑥, 𝑡 ) = 𝐴𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥)

𝑣 (𝑥, 𝑡 ) = 𝐴𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥)

El plot de 𝑣 (𝑥, 𝑡 ) y 𝑣 (𝑥, 𝑡 ) se muestra en la Fig. 1.1.3 (c). En esta figura se muestra un punto de
constante de fase a en los tiempos t=t1 y t=t2. Debido a que los puntos a en la fase 𝑣 (𝑥 , 𝑡 ) y 𝑣 (𝑥 , 𝑡 )
son idénticos, se puede escribir
𝑣 (𝑥 , 𝑡 ) = 𝑣 (𝑥 , 𝑡 )
𝐴𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥 ) = 𝐴𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥 )

𝑥 −𝑥 𝜔 𝜔 1
𝑣 = = = =
𝑡 −𝑡 𝛽 𝜔√𝐿𝐶 √𝐿𝐶

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 7

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(1.1.22)
Donde 𝑣 es conocido como la velocidad de propagación de punto a, llamado velocidad de fase
La longitud de onda queda:
2𝜋 2𝜋 𝑣
𝜆= = = =𝑣 𝑇
𝛽 𝜔√𝐿𝐶 𝑓
(1.1.23)
La longitud de onda es la distancia recorrida por una onda en el intervalo de tiempo igual a un periodo.
Debido a que t2>t1, y 𝜔/𝛽 es una cantidad positiva, entonces 𝑥 − 𝑥 es positivo, o 𝑥 > 𝑥 . Esto
muestra que el punto de constante de fase se mueve hacia la derecha, según se muestra en la Fig. 1.1.3 (c)
(hacia la carga en una línea de transmisión). En otras palabras, la función 𝐴𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 − 𝛽𝑥) representa a
una onda progresiva moviéndose a una velocidad 𝑣 hacia la carga. Esta onda se llama onda incidente
hacia la carga.
El análisis de 𝐵𝑐𝑜𝑠 (𝜔𝑡 + 𝛽𝑥) mostrará una función que representa a una onda progresiva moviéndose a
una velocidad 𝑣 hacia la izquierda (hacia la fuente en una línea de transmisión). Esta onda se llama
onda reflejada hacia la fuente.
La onda incidente 𝐴𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 − 𝛽𝑥) está asociada con el fasor 𝐴𝑒 , y la onda reflejada 𝐵𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝛽𝑥)
está asociada con el fasor 𝐵𝑒 , por eso también nos referiremos al fasor 𝐴𝑒 como la onda incidente
y a 𝐵𝑒 como la onda reflejada. La cantidad 𝛽𝑥 es la longitud eléctrica de la línea.
Primero se analizará una red de un puerto, y luego se trasladará a una red de dos puertos.

(a) (b)

Fig. 1.1.4 Distintas representaciones de una red de un puerto (a) con distancia en la carga x=l; (b) con distancia en la
carga d=0; La cantidad 𝛽𝑥 o 𝛽𝑑 es la longitud eléctrica de la línea [1]

En la Fig. 1.1.4 (a) se muestra una línea de transmisión con impedancia característica de la línea de
transmisión 𝑍 a una longitud l, y terminado en 𝑍 . La fuente se ubica en una distancia x=0 y la carga a
x=l. Las ondas incidentes y reflejadas son denotadas con el símbolo típico de ondas en formato de
flechas.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 8

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En general, el voltaje y la corriente en una línea de transmisión son compuestos por una onda incidente y
reflejada.
En algunos casos es conveniente mostrar la carga con distancia cero y la fuente a una distancia l de la
carga, como se muestra en la Fig. 1.1.4 (b). Si se hace 𝑥 = 𝑙 − 𝑑, entonces se puede escribir
𝑉(𝑑) = 𝐴 𝑒 +𝐵 𝑒
(1.1.24)
𝐴 𝐵
𝐼(𝑑) = 𝑒 − 𝑒
𝑍 𝑍
(1.1.25)
Donde 𝐴 = 𝐴𝑒 y 𝐵 = 𝐵𝑒 . El cambio 𝑥 = 𝑙 − 𝑑 (tal que 𝑑 = 𝑙 − 𝑥) se realiza en algunas líneas
de transmisión para poder medir distancias positivas cuando se mueve desde la carga (que está a una d=0)
hacia la fuente (a una distancia d=l). De las ec. 1.1.24 y ec. 1.1.25 se puede observar que en términos de
la variable d, el fasor 𝐴 𝑒 representa la onda incidente y 𝐵 𝑒 la onda reflejada. La Fig. 1.1.4
muestra las dos formas usadas comúnmente en las líneas de transmisión.
Se define el coeficiente de reflexión entre la onda incidente y la reflejada. En la Fig. 1.1.4. (b) el
coeficiente de reflexión a cualquier posición d es denotado por Γ (𝑑)
𝐵𝑒 𝐵
Γ (𝑑) = = 𝑒
𝐴 𝑒 𝐴
(1.1.26)
El coeficiente de reflexión de la carga se denota por Γ y es el valor de Γ (𝑑) con d=0.
𝐵
Γ = Γ (0) =
𝐴
También se puede expresar de la forma
Γ (𝑑) = Γ 𝑒
(1.1.27)
Las ec. 1.1.24 y ec. 1.1.25 se pueden expresar en la forma
𝑉(𝑑) = 𝐴 𝑒 +Γ 𝑒 =𝐴 𝑒 1+Γ 𝑒
(1.1.28)
𝐴 𝐴
𝐼(𝑑) = 𝑒 −Γ 𝑒 = 𝑒 1−Γ 𝑒
𝑍 𝑍
(1.1.29)
El valor de la constante compleja 𝐴 se obtiene usando un valor conocido de 𝑉(𝑑) (por ejemplo, en la
frontera), generalmente se utiliza el valor de 𝑉(𝑑) en la fuente (a d=l). Por supuesto, el valor de 𝑉(𝑑) en
d=l depende de la amplitud y fase de la fuente conectada a la línea. El valor Γ se evalúa en términos de
𝑍 y𝑍 .
De la Fig. 1.1.5, la impedancia de entrada de una línea de transmisión a cualquier posición d es:

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𝑉 𝑒 +Γ 𝑒
𝑍 (𝑑) = =𝑍
𝐼 𝑒 −Γ 𝑒
(1.1.30)

Fig. 1.1.5 Impedancia de entrada de una línea de transmisión a cualquier posición d [1]

En la ec. 1.1.30 la constante Γ puede ser evaluada usando la condición de frontera de la carga, es decir, el
valor de la impedancia de la entrada a una d=0 deberá ser igual a 𝑍 :
1+Γ
𝑍 (0) = 𝑍 = 𝑍
1−Γ
O también
𝑍 −𝑍
Γ =
𝑍 +𝑍
(1.1.31)
La ec. 1.1.31 muestra que Γ = 0 cuando 𝑍 = 𝑍 . Esto es, no hay reflexión desde la carga. Una línea con
𝑍 = 𝑍 se llama una línea adaptada o con terminación apropiada. Sustituyendo la ec. 1.1.31 en la ec.
1.1.30, se tiene:

(𝑍 + 𝑍 )𝑒 + (𝑍 − 𝑍 )𝑒
𝑍 (𝑑) = 𝑍
(𝑍 + 𝑍 )𝑒 − (𝑍 − 𝑍 )𝑒
𝑍 cos 𝛽𝑑 + 𝑗𝑍 𝑠𝑖𝑛𝛽𝑑
𝑍 (𝑑) = 𝑍
𝑍 cos 𝛽𝑑 + 𝑗𝑍 𝑠𝑖𝑛𝛽𝑑
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑
𝑍 (𝑑) = 𝑍
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑
(1.1.32)
La ec. 1.1.32 da el valor de la impedancia de entrada para cualquier ubicación de d a lo largo de la línea
de transmisión.
Si d=0, entonces 𝑍 (0) = 𝑍 , como es de esperarse. Desde la carga hasta la distancia l de la Fig. 1.1.5, la
impedancia se obtiene cambiando d por l. Una propiedad muy importante de una línea de transmisión, y
usada extensivamente en el diseño de amplificadores de RF, es la habilidad de la línea de transmisión de
cambiar la impedancia de la carga a un valor requerido en la entrada.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 10

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La suma de las dos ondas progresivas en direcciones opuestas (incidentes y reflejadas) en la línea de
transmisión producen un patrón de onda estacionaria – esto es, una función sinusoidal función del tiempo
cuya amplitud es una función de la posición.
De la ec. 1.1.28, la magnitud de la tensión a lo largo de la línea está dada por
|𝑉(𝑑)| = |𝐴 | 1 + Γ 𝑒
(1.1.33)
De la ec. 1.1.33 se deduce que el máximo valor a lo largo de la línea es

|𝑉(𝑑)| = |𝐴 |(1 + |Γ |)
(1.1.34)
Y el mínimo valor es
|𝑉(𝑑)| = |𝐴 |(1 − |Γ |)
(1.1.35)
Estos dos valores se utilizan para definir la VSWR (voltage standing-wave ratio) como:

|𝑉(𝑑)| 1 + |Γ |
𝑉𝑆𝑊𝑅 = =
|𝑉(𝑑)| 1 − |Γ |
(1.1.36)
Se analizarán cuatro casos importantes en las líneas de transmisión: Línea adaptada, línea en corto-
circuito, circuito abierto y 1/4 de longitud de onda.

En el primer caso, línea adaptada de la Fig. 1.1.6 (a), de las ec. 1.1.31, ec. 1.1.32 y ec. 1.1.36, se obtiene
que Γ = 0, 𝑍 (𝑑) = 𝑍 y 𝑉𝑆𝑊𝑅 = 1. En otras palabras, no hay onda reflejada (ya que Γ = 0) la
impedancia es 𝑍 en cualquier ubicación d, y el VSWR =1.
𝑍 −𝑍
Γ = =0
𝑍 +𝑍
𝑉(𝑑) = 𝐴 𝑒 1+Γ 𝑒 =𝐴 𝑒
𝐴 𝐴
𝐼(𝑑) = 𝑒 1−Γ 𝑒 = 𝑒
𝑍 𝑍
𝑉(𝑑)
𝑍 (𝑑) = =𝑍
𝐼(𝑑)
1 + |Γ |
𝑉𝑆𝑊𝑅 = =1
1 − |Γ |

En el segundo caso, línea de transmisión en corto circuito 𝑍 = 0 de la Fig. 1.1.6 (b), se sigue que Γ =
−1, y 𝑉𝑆𝑊𝑅 = ∞,
Como

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 11

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𝑉(𝑑) = 𝐴 𝑒 1+Γ 𝑒 =0
1+Γ 𝑒 =0
Γ = −1
y la 𝑍 (𝑑) es
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑 0 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑
𝑍 (𝑑) = 𝑍 =𝑍
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑 𝑍 +0

𝑍 (𝑑) = 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑
(1.1.37)
1 + |Γ |
𝑉𝑆𝑊𝑅 = =∞
1 − |Γ |

Fig. 1.1.6 cuatro casos de terminación en una línea de transmisión. (a) adaptada; (b) corto-circuito; (c) circuito
abierto; (d) terminado en 1/4 de longitud de onda [1]

Las amplitudes de las ondas incidentes y reflejadas son iguales, ya que |Γ | = 1 (total reflexión de la
carga), y consecuentemente el VSWR es infinito.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 12

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En el tercer caso, línea de transmisión en circuito abierto 𝑍 = ∞ de la Fig. 1.1.6 (c), se sigue que Γ = 1,
y 𝑉𝑆𝑊𝑅 = ∞,
𝐴
𝐼(𝑑) = 𝑒 1−Γ 𝑒 =0
𝑍
1−Γ 𝑒 =0
Γ =1

y la 𝑍 (𝑑) se puede calcular de la siguiente manera:

𝑉(𝑑) = 𝐴 𝑒 1+𝑒 =𝐴 𝑒 +𝑒
𝑉(𝑑) = 2𝐴 𝑐𝑜𝑠𝛽𝑑
𝐴 𝐴
𝐼(𝑑) = 𝑒 1−𝑒 = 𝑒 −𝑒
𝑍 𝑍
𝐴
𝐼(𝑑) = 2𝑗 𝑠𝑖𝑛𝛽𝑑
𝑍

𝑉(𝑑) 2𝐴 𝑐𝑜𝑠𝛽𝑑
𝑍 (𝑑) = =
𝐼(𝑑) 2𝑗 𝐴 𝑠𝑖𝑛𝛽𝑑
𝑍
𝑍 (𝑑) = −𝑗𝑍 𝑐𝑜𝑡𝛽𝑑
(1.1.38)
1 + |Γ |
𝑉𝑆𝑊𝑅 = =∞
1 − |Γ |
Las amplitudes de las ondas incidentes y reflejadas son iguales, ya que |Γ | = 1 (total reflexión de la
carga), y consecuentemente el VSWR es infinito.

En el cuarto caso, línea de transmisión es un 1/4 de longitud de onda, (también conocido como

transformador de 1/4 de longitud de onda) de la Fig. 1.1.6 (d), con 𝑑 = 𝜆/4, y 𝛽𝑑 = , se obtiene:
𝜋 𝜋
𝑍 cos 𝛽𝑑 + 𝑗𝑍 𝑠𝑖𝑛𝛽𝑑 𝑍 cos 2 + 𝑗𝑍 𝑠𝑖𝑛 2 𝑍
𝑍 (𝜆/4) = 𝑍 =𝑍 𝜋 𝜋=
𝑍 cos 𝛽𝑑 + 𝑗𝑍 𝑠𝑖𝑛𝛽𝑑 𝑍 cos 2 + 𝑗𝑍 𝑠𝑖𝑛 2 𝑍
(1.1.39)
La ec. 1.1.39 muestra que para transformar una impedancia real 𝑍 en otra impedancia real dada por
𝑍 (𝜆/4), se puede usar una línea de cuarto de onda con una impedancia característica real de valor
𝑍 = 𝑍 (𝜆/4) 𝑍

Retornando al caso de la línea de transmisión en cortocircuito de la Fig. 1.1.6 (b), y calculemos el valor
del voltaje a lo largo de la línea. De la ec. 1.1.28, con Γ = −1, el voltaje a lo largo de la línea es
𝑉(𝑑) = 𝐴 𝑒 −𝑒 = 𝑗2𝐴 𝑠𝑖𝑛𝛽𝑑

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 13

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Entonces,
( / )
𝑣(𝑑, 𝑡) = 𝑅𝑒 𝑉(𝑑)𝑒 = 𝑅𝑒 2𝐴 𝑠𝑖𝑛(𝛽𝑑) 𝑒
Para obtener el valor de la constante compleja A1, se asumirá por simplicidad que es real, dando
𝑣(𝑑, 𝑡) = 2𝐴 𝑠𝑖𝑛(𝛽𝑑) cos(𝜔𝑡 + 𝜋/2)
(1.1.40)
El plot de la ec. 1.1.40 se muestra en la Fig. 1.1.8.a, y el plot de |𝑉(𝑑)|, y se muestra en la Fig. 1.1.8.b.
Estos plots muestran el patrón de onda estacionaria a lo largo de la línea de transmisión.

Fig. 1.1.8 (a) Plots de v(d,t) como función de 𝛽𝑑 para 𝜔𝑡 = 0, 𝜋/4, 𝜋/2, 3𝜋/4, 𝜋, 5𝜋/4, 𝑦 3𝜋/2 para una línea en
corto circuito; (b) plot de |𝑉(𝑑)| para una línea de corto circuito [1]

Ejemplo 1.1.1
En el circuito de la Fig. 1.1.10,
(a) encuentre el coeficiente de reflexión, la impedancia de entrada, y el VSWR de la línea de transmisión.
La longitud de onda de la línea de transmisión es 𝜆/8 y su impedancia característica es 50Ω.
(b) Evalúe 𝑉(𝜆/8), 𝐼(𝜆/8), 𝑃(𝜆/8), 𝑉(0), 𝐼(0)𝑦 𝑃(0)
(c) Encuentre la longitud de onda en centímetros para la línea de transmisión de 𝜆/8 a 𝑓 = 1𝐺𝐻𝑧

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 14

Electrónica Aplicada III

Fig. 1.1.10 (a) Circuito de línea de transmisión del ejemplo 1.1.1 (b) circuito equivalente a 𝑑 = 𝜆/8 [1]

Solución:
(a) Debido a que la longitud de la línea es 𝑙 = 𝜆/8 , y 𝜆 = 2𝜋/𝛽 se deduce que la longitud eléctrica
de la línea es 𝛽𝑙 = 2𝜋/𝜆 ∗ 𝜆/8 = 𝜋/4 (o 45°). De la ec. 1.1.31, el coeficiente de reflexión de la
carga es
𝑍 −𝑍 (50 + 𝑗50) − 50
Γ = = = 0.447 63.44
𝑍 +𝑍 (50 + 𝑗50) + 50
De la ec. 1.1.32,
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑 (50 + 𝑗50) + 𝑗50𝑡𝑎𝑛45°
𝑍 (𝜆/8) = 𝑍 = 50 = 100 − 𝑗50Ω
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑 50 + 𝑗(50 + 𝑗50)𝑡𝑎𝑛45°
De la ec. 1.1.36,

1 + |Γ | 1 + 0.447
𝑉𝑆𝑊𝑅 = = = 2.62
1 − |Γ | 1 − 0.447
b) El circuito equivalente para 𝑑 = 𝜆/8 se muestra en la Fig. 1.1.10.b. Para un valor dado por 𝑍 hay una
potencia máxima entregada a 𝑍 (𝜆/8), debido a que 𝑍 (𝜆/8) = 𝑍 ∗ . También, debido a que la línea es
sin pérdidas, la potencia entregada en la entrada de la línea es igual a la potencia entregada en la carga.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 15

Electrónica Aplicada III

De la Fig. 1.1.10.b, el valor de 𝑉(𝜆/8) es

𝐸 𝑍 (𝜆/8) 10 0 (100 − 𝑗50)

𝑉(𝜆/8) = = = 5.59 −26.57 𝑉
𝑍 (𝜆/8) + 𝑍 100 − 𝑗50 + 100 + 𝑗50
𝐼(𝜆/8) es
𝐸 10 0
𝐼(𝜆/8) = = = 0.05𝐴
𝑍 (𝜆/8) + 𝑍 200
La potencia 𝑃(𝜆/8) es
1
𝑃(𝜆/8) = 𝑅𝑒[𝑉 (𝜆/8)𝐼 ∗ (𝜆/8)] = 𝑅𝑒[𝑉(𝜆/8)𝐼 ∗ (𝜆/8)]
2
1
𝑃(𝜆/8) = 𝑅𝑒 5.59 −26.57 (0.05) = 0.125𝑊
2
Donde
𝑉(𝜆/8)
𝑉 (𝜆/8) =
√2
𝐼(𝜆/8)
𝐼 (𝜆/8) =
√2

Para calcular el voltaje y corriente en la carga, 𝑉(0), 𝐼(0)𝑦 𝑃(0), necesitamos evaluar 𝑉(𝑑). 𝑉(𝑑) está
dado por la ec. 1.1.28, donde 𝐴 se puede evaluar en la frontera, ejemplo, 𝑑 = 𝜆/8.
𝑉(𝜆/8) = 5.59 −26.57 = 𝐴 𝑒 1+Γ 𝑒 =

/ /
𝐴 𝑒 1 + 0.447 63.44 𝑒 = 5.59 −26.57

𝐴 = 3.95 −63.44
Entonces,
𝑉(𝑑) = 3.95 −63.44 𝑒 1 + 0.447 63.44 𝑒 =

𝑉(𝑑) = 3.95 −63.44 𝑒 + 1.77𝑒

El valor 𝑉(𝑑) corresponde al valor del voltaje en cualquier posición a lo largo de la línea de transmisión.
Si 𝑑 = 0, entonces
𝑉(0) = 3.95 −63.44 + 1.77 = 5 −45 𝑉
La corriente en la carga es:
𝑉(0) 5 −45
𝐼(0) = = = 0.071 −90 𝐴
𝑍 50 + 𝑗50
La potencia entregada en la carga es:
1 1
𝑃(0) = 𝑅𝑒[𝑉 (0)𝐼 ∗ (0)] = 𝑅𝑒[𝑉(0)𝐼 ∗ (0)] = 𝑅𝑒 5 −45 0.071 −90 =
2 2

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 16

Electrónica Aplicada III

𝑃(0) = 0.125𝑊
El cual es idéntico a 𝑃(𝜆/8), ya que es una línea sin pérdidas.

c) Asumiendo que la velocidad de propagación de una onda es la velocidad de la luz c, la longitud de

onda a 1GHz es,
𝑣 3 ∗ 10
𝜆= = = 30𝑐𝑚
𝑓 10
Por lo tanto, la longitud de la línea de transmisión es:
𝜆 30
𝑙= = = 3.75𝑐𝑚
8 8
Líneas de transmisión con pérdidas
Una línea de transmisión con pérdidas mostrada en la Fig. 1.1.2, los fasores toman la forma:
𝑑𝑉(𝑥)
= −(𝑅 + 𝑗𝜔𝐿)𝐼(𝑥)
𝑑𝑥
(1.1.41)
𝑑𝐼(𝑥)
= −(𝐺 + 𝑗𝜔𝐶)𝑉(𝑥)
𝑑𝑥
(1.1.42)
Resolviendo la ec. 1.1.41 y ec. 1.1.42 se obtiene
𝑑 𝑉(𝑥)
− 𝛾 𝑉(𝑥) = 0
𝑑𝑥
(1.1.43)
Donde la constante de propagación compleja 𝛾 está dada por
𝛾 = 𝛼 + 𝑗𝛽 = (𝑅 + 𝑗𝜔𝐿)(𝐺 + 𝑗𝜔𝐶)
(1.1.44)
La constante de atenuación 𝛼 está dada en Neppers / metro, y la constante de propagación 𝛽 en radianes /
metro. En una línea con pérdidas, los valores de 𝛼 y 𝛽 pueden ser evaluados usando la ec. 1.1.44. La
solución general de la ec. 1.1.43 es:

𝑉(𝑥) = 𝐴𝑒 + 𝐵𝑒
(1.1.45)
𝐴 𝐵
𝐼(𝑥) = 𝑒 − 𝑒
𝑍 𝑍
(1.1.46)
donde

𝑅 + 𝑗𝜔𝐿
𝑍 =
𝐺 + 𝑗𝜔𝐶

𝑍 es la impedancia característica compleja de una línea de transmisión.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 17

Electrónica Aplicada III

Las ec. 1.1.45 y ec. 1.1.46 representan el voltaje y corriente a lo largo de la línea de transmisión como un
par de ondas progresivas en direcciones opuestas, con una velocidad de fase 𝑣 = 𝜔/𝛽 y decrece en
amplitud de acuerdo a 𝑒 o𝑒 . La onda 𝑒 =𝑒 𝑒 es llamada onda incidente y la onda
𝑒 =𝑒 𝑒 es llamada onda reflejada.
En el formato dependiente del tiempo, 𝑣(𝑥, 𝑡) e 𝑖(𝑥, 𝑡) son

( ) ( )
𝑣(𝑥, 𝑡) = 𝑅𝑒 𝑉(𝑥)𝑒 = 𝑅𝑒 𝐴𝑒 𝑒 + 𝐵𝑒 𝑒
(1.1.47)
𝐴 ( ) 𝐵 ( )
𝑖(𝑥, 𝑡) = 𝑅𝑒 𝐼(𝑥)𝑒 = 𝑅𝑒 𝑒 𝑒 − 𝑒 𝑒
𝑍 𝑍
(1.1.48)
Por valores reales de A y B, y expresando 𝑍 = |𝑍 | |𝜃 podemos escribir las ec. 1.1.47 y ec. 1.1.48 en las
formas
𝑣(𝑥, 𝑡) = 𝐴𝑒 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 − 𝛽𝑥) + 𝐵𝑒 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝛽𝑥)

𝐴 𝐵
𝑖(𝑥, 𝑡) = 𝑒 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 − 𝛽𝑥 − 𝜃) − 𝑒 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝛽𝑥 − 𝜃)
|𝑍 | |𝑍 |
Con 𝑥 = 𝑙 − 𝑑, las ec. 1.1.47 y ec. 1.1.48 se convierten en
𝑉(𝑑) = 𝐴 𝑒 +𝐵 𝑒
𝐴 𝐵
𝐼(𝑑) = 𝑒 − 𝑒
𝑍 𝑍
Donde 𝐴 = 𝐴𝑒 y 𝐵 = 𝐵𝑒 . Entonces, el coeficiente de reflexión está dado por
𝐵𝑒
Γ (𝑑) = =Γ 𝑒
𝐴 𝑒
Donde
𝐵 𝑍 −𝑍
Γ = =
𝐴 𝑍 +𝑍
Y la impedancia de entrada es
𝑍 + 𝑍 𝑡𝑎𝑛ℎ𝛾𝑑
𝑍 (𝑑) = 𝑍
𝑍 + 𝑍 𝑡𝑎𝑛ℎ𝛾𝑑

1.2. Parámetros Scattering (de dispersión) en una red de dos puertos

Dada una red de un puerto, si se introduce la notación

𝑉 (𝑥) = 𝐴𝑒

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 18

Electrónica Aplicada III

𝑉 (𝑥) = 𝐵𝑒
También se puede escribir:

𝑉(𝑥) = 𝑉 (𝑥) + 𝑉 (𝑥)

(1.2.1)
𝑉 (𝑥) 𝑉 (𝑥)
𝐼(𝑥) = 𝐼 (𝑥) − 𝐼 (𝑥) = −
𝑍 𝑍
(1.2.2)

El coeficiente de reflexión se puede definir como:

𝑉 (𝑥)
Γ(𝑥) =
𝑉 (𝑥)
(1.2.3)
Si se normaliza:
𝑉(𝑥)
𝑣(𝑥) =
𝑍
𝑖(𝑥) = 𝑍 𝐼(𝑥)

𝑉 (𝑥)
𝑎(𝑥) =
𝑍
𝑉 (𝑥)
𝑏(𝑥) =
𝑍
Entonces se puede escribir:

𝑣(𝑥) = 𝑎(𝑥) + 𝑏(𝑥)

(1.2.4)
𝑖(𝑥) = 𝑎(𝑥) − 𝑏(𝑥)
(1.2.5)
𝑏(𝑥)
Γ(𝑥) =
𝑎(𝑥)
(1.2.6)
De las ec. 1.2.4 y ec.1.2.5:
1 1
𝑎(𝑥) = [𝑣(𝑥) + 𝑖(𝑥)] = [𝑉(𝑥) + 𝑍 𝐼(𝑥)]
2 2 𝑍
(1.2.7)
1 1
𝑏(𝑥) = [𝑣(𝑥) − 𝑖(𝑥)] = [𝑉(𝑥) − 𝑍 𝐼(𝑥)]
2 2 𝑍
(1.2.8)
Ahora, si en lugar de un puerto se tiene dos puertos, como el de la Fig. 1.2.1, con una onda incidente
𝑎 (𝑙 ) y reflejada 𝑏 (𝑙 ) en el puerto 1, (localizado en 𝑥 = 𝑙 ), y la onda incidente 𝑎 (𝑙 ) y onda
reflejada 𝑏 (𝑙 ) en el puerto 2 (localizado en 𝑥 = 𝑙 ), se puede escribir entonces

𝑏 (𝑙 ) = 𝑆 𝑎 (𝑙 ) + 𝑆 𝑎 (𝑙 )

𝑏 (𝑙 ) = 𝑆 𝑎 (𝑙 ) + 𝑆 𝑎 (𝑙 )

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 19

Electrónica Aplicada III

En formato matricial:
𝑏 (𝑙 ) 𝑆 𝑆 𝑎 (𝑙 )
=
𝑏 (𝑙 ) 𝑆 𝑆 𝑎 (𝑙 )
(1.2.9)

Fig. 1.2.1 Ondas incidente y reflejada en una red de dos puertos [1]

Observe que 𝑎 (𝑙 ), 𝑎 (𝑙 ), 𝑏 (𝑙 ) y 𝑏 (𝑙 ) son los valores de la onda incidente y reflejada en las

ubicaciones específicas denotadas como puerto 1 y puerto 2.
Los parámetros S se definen en términos de ondas progresivas normalizadas a y b, y definidas de manera
tal que 𝑎 y 𝑏 dan la potencia progresiva en esa dirección.

Los parámetros 𝑆 , 𝑆 , 𝑆 y 𝑆 , las cuales representan coeficientes de reflexión y transmisión, y son

llamados parámetros scattering (dispersión), o parámetros S de una red de dos puertos.
La matriz [𝑆] es llamada matriz de dispersión
𝑆 𝑆
[𝑆] =
𝑆 𝑆

El término 𝑆 𝑎 (𝑙 ) representa la contribución a la onda reflejada 𝑏 (𝑙 ) debido a la onda incidente

𝑎 (𝑙 ) en el puerto 1. De igual manera, 𝑆 𝑎 (𝑙 ) representa la contribución a la onda reflejada 𝑏 (𝑙 )
debido a la onda incidente 𝑎 (𝑙 ) en el puerto 2, y así sucesivamente.

Los parámetros S representan los coeficientes de reflexión o de transmisión. Los parámetros S se miden
en las ubicaciones específicas tales como el puerto 1 y 2 mostrados en la Fig. 1.2.1, y se definen como
sigue:

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 20

Electrónica Aplicada III

𝑏 (𝑙 ) Coeficiente de reflexión de entrada con la

𝑆 = salida con terminación adaptada
𝑎 (𝑙 ) ( )

𝑏 (𝑙 ) Coeficiente de transmisión directa con la

𝑆 = salida con terminación adaptada
𝑎 (𝑙 ) ( )

𝑏 (𝑙 ) Coeficiente de reflexión de salida con la

𝑆 = entrada con terminación adaptada
𝑎 (𝑙 ) ( )

𝑏 (𝑙 ) Coeficiente de transmisión inversa con la

𝑆 = entrada con terminación adaptada
𝑎 (𝑙 ) ( )

Si la red de dos puertos en la Fig. 1.2.1 representa un transistor, el transistor deberá ser polarizado
apropiadamente. Por lo tanto, el transistor se mide a un punto Q, bajo condiciones de pequeña señal.
Además, los parámetros varían con la frecuencia y el punto Q elegido, por lo tanto, generalmente se
realiza una medición con un barrido de frecuencia.
Los parámetros S son ventajosos ya que se miden con terminaciones adaptadas (𝑎 (𝑙 ) = 0) o (𝑎 (𝑙 ) =
0).
Por ejemplo, para medir 𝑆 , se mide la relación 𝑏 (𝑙 )/𝑎 (𝑙 ) en el puerto de entrada con la salida
terminada apropiadamente; esto es, 𝑎 (𝑙 ) = 0. Terminar el puerto de salida con una impedancia igual
que la impedancia característica de la línea de transmisión, produce 𝑎 (𝑙 ) = 0, porque una onda
incidente progresiva sobre la carga será absorbida totalmente y no habrá energía que retorne al puerto de
salida. Esta situación se ilustra en la Fig. 1.2.2, donde 𝑎 (𝑙 ) = 0 porque 𝑍 = 𝑍 .

Fig. 1.2.2 Procedimiento para medir 𝑆 . Las impedancias características de la línea de transmisión son 𝑍 y𝑍
[1]

Observe que la impedancia de salida de la red 𝑍 no tiene que estar adaptada a 𝑍 . De hecho, es raro
que 𝑍 sea igual que 𝑍 , pero si se tiene que dar que 𝑍 = 𝑍 , ya que es la condición para que
𝑎 (𝑙 ) = 0. Similares condiciones aplican a las mediciones del puerto de entrada. También, las
impedancias de las líneas de transmisión son generalmente idénticas, es decir, 𝑍 =𝑍 con 50Ohm
como valor estándar.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 21

Electrónica Aplicada III

La facilidad con la que se pueden medir los parámetros de dispersión los hace especialmente adecuados
para describir los transistores y otros dispositivos activos. La medición de la mayoría de los otros
parámetros requiere que la entrada y la salida del dispositivo se abran sucesivamente y se cortocircuiten.
Esto puede ser difícil de hacer, especialmente en frecuencias de RF donde la inductancia y la capacitancia
del cable hacen que sea difícil obtener circuitos cortos y abiertos. A frecuencias más altas, estas
mediciones generalmente requieren trozos de sintonización, ajustados por separado en cada frecuencia de
medición, para reflejar condiciones de cortocircuito o circuito abierto a los terminales del dispositivo.
Esto no solo es inconveniente y tedioso, sino que un trozo de sintonización que desvía la entrada o la
salida puede hacer que un transistor oscile, lo que invalida la medición.
Otra ventaja importante de los parámetros S se debe al hecho de que las ondas progresivas, a diferencia de
los voltajes y corrientes terminales, no varían en magnitud en los puntos a lo largo de una línea de
transmisión sin pérdidas. Esto significa que los parámetros de dispersión se pueden medir en un
dispositivo ubicado a cierta distancia de los transductores de medición, siempre que el dispositivo de
medición y los transductores estén conectados por líneas de transmisión de bajas pérdidas.

1.3. Parámetros Scattering en cadena, o de transferencia en cascada

Los parámetros S en cadena, o parámetros de trasferencia en cascada, o parámetros T son utilizados

cuando se trata de una red en cascada. Estos son definidos en el sentido que las ondas 𝑎 (𝑙 ) y 𝑏 (𝑙 ) de
la Fig.1.2.1 son las variables dependientes y las ondas 𝑎 (𝑙 ) y 𝑏 (𝑙 ) son las variables independientes.
Esto es:
𝑎 (𝑙 ) 𝑇 𝑇 𝑏 (𝑙 )
=
𝑏 (𝑙 ) 𝑇 𝑇 𝑎 (𝑙 )
(1.3.1)
La relación entre los parámetros S y los parámetros T se puede obtener a partir de las ec. 1.2.9 y ec. 1.3.1:
1 𝑆
⎡ − ⎤
𝑇 𝑇 𝑆 𝑆
=⎢ ⎥
𝑇 𝑇 ⎢ 𝑆 𝑆 𝑆 ⎥
𝑆 −
⎣𝑆 𝑆 ⎦
(1.3.2)
𝑇 𝑇 𝑇
⎡ 𝑇 − ⎤
𝑆 𝑆 𝑇 𝑇
=⎢ ⎥
𝑆 𝑆 ⎢ 1 −
𝑇 ⎥
⎣𝑇 𝑇 ⎦
(1.3.3)
Los parámetros T son utilizados para el análisis de las conexiones en cascada de redes de dos puertos. La
Fig. 1.3.1 muestra que las ondas de salida de la primera red (𝑁 ) son idénticas a las ondas de entrada de la
segunda red (𝑁 ),

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 22

Electrónica Aplicada III

𝑏 𝑎
= 𝑏
𝑎

Fig. 1.3.1 Conexiones en cascada para una red de dos puertos [1]

𝑎 𝑇 𝑇 𝑏
𝑏 =
𝑇 𝑇 𝑎
y
𝑎 𝑇 𝑇 𝑏
𝑏 = 𝑎
𝑇 𝑇
Por lo tanto, la matriz S en cadena de la conexión en cascada se puede escribir en términos de la matriz
cadena individual como sigue:
𝑎 𝑇 𝑇 𝑇 𝑇 𝑏
𝑏 = 𝑎
𝑇 𝑇 𝑇 𝑇
(1.3.4)
La matriz T se puede obtener multiplicando [𝑇] por [𝑇] . La ec. 1.3.4 es utilizada en los programas de
computación para diseños de amplificadores en cascada.

1.4. Corrimiento del plano de referencia

Es claro entonces que, debido a las pequeñas longitudes de onda, la amplitud de una señal de microondas
cambia rápidamente con la posición. Por tanto, necesitamos especificar el lugar en el que los parámetros
S se miden desde los valores obtenidos dependen de las posiciones donde se toman las mediciones. Estos
puntos son llamados planos de referencia. El traslado de los planos de referencia a lo largo de las líneas
de transmisión de entrada y / o de salida cambian las fases relativas de las ondas entrantes y salientes.
En la práctica, con frecuencia encontramos casos en los que tenemos que cambiar el plano de referencia.
En el diseño de circuitos, por ejemplo, a veces tenemos que acortar los terminales del transistor con el fin
de colocar el dispositivo sobre el circuito. Esta acción resulta en un cambio del plano de referencia debido
a que los terminales del transistor están acortados.
Los fabricantes de transistores, en virtud de las plantillas de prueba que utilizan, normalmente miden los
parámetros S en el extremo de los terminales del transistor, por lo tanto, los planos de referencia se
definen en esos puntos. Cualquier cambio posterior a las longitudes de terminales afecta los parámetros-S.
Otros ejemplos prácticos de cambiar el plano de referencia incluyen el efecto de los cables utilizados para

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 23

Electrónica Aplicada III

conectar un dispositivo a un analizador de redes vectorial. En este caso tenemos que mover los planos de
referencia al final de los cables de manera que el efecto de los elementos parásitos del cable que se resta
de las lecturas. A altas frecuencias los parásitos de una línea de transmisión pueden ser significativos -
por lo tanto se necesita deducir los efectos de estos por el desplazamiento de los planos de referencia
hasta los terminales DUT - esta acción se lleva a cabo en la calibración.

Fig. 1.4.1 (a), (b) Planos de referencia en mediciones de parámetros S, (c) modelo para corrimiento de los planos de
referencia [1]

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 24

Electrónica Aplicada III

En la Fig. 1.4.1 (c) podemos medir los parámetros S en los planos de referencia localizados en los puertos
1’ y 2’ y relacionarlos a los parámetros S de los puertos 1 y 2 respectivamente en la red de dos puertos.
En los planos de referencia de los puertos 1 y 2 de la Fig. 1.4.1 (c) se puede escribir la matriz de
parámetros S como
𝑏 (𝑙 ) 𝑆 𝑆 𝑎 (𝑙 )
=
𝑏 (𝑙 ) 𝑆 𝑆 𝑎 (𝑙 )
(1.4.1)
Y en los puertos 1’ y 2’, (distancia x1=0 y x2=0) la matriz S es [S’]

𝑏 (0) 𝑆′ 𝑆′ 𝑎 (0)
=
𝑏 (0) 𝑆′ 𝑆′ 𝑎 (0)
(1.4.2)
Los ángulos 𝜃 = 𝛽𝑙 y 𝜃 = 𝛽𝑙 son las longitudes eléctricas de las líneas de transmisión entre los
planos de referencia 1-1’ y 2-2’.
De los conceptos de ondas progresivas sin pérdidas,
𝑏 (𝑙 ) = 𝑏 (0)𝑒
𝑎 (𝑙 ) = 𝑎 (0)𝑒
𝑏 (𝑙 ) = 𝑏 (0)𝑒
𝑎 (𝑙 ) = 𝑎 (0)𝑒

Donde el factor 𝑒 ± representa la diferencia de fase de las ondas en los diferentes planos de referencia.
Sustituyendo esto previo en las ec. 1.4.1, se tiene:

𝑏 (0)𝑒 𝑆 𝑆 𝑎 (0)𝑒
=
𝑏 (0)𝑒 𝑆 𝑆 𝑎 (0)𝑒
𝑏 (0) 𝑆 𝑒 𝑆 𝑒 ( )
𝑎 (0)
=
𝑏 (0) 𝑆 𝑒 ( )
𝑆 𝑒 𝑎 (0)
(1.4.3)
Comparando la ec. 1.4.3 con ec. 1.4.2 se tiene:
𝑆′ 𝑆′ 𝑆 𝑒 𝑆 𝑒 ( )
= ( )
𝑆′ 𝑆′ 𝑆 𝑒 𝑆 𝑒
(1.4.4)
y
𝑆 𝑆 𝑆′ 𝑒 𝑆′ 𝑒 ( )
=
𝑆 𝑆 𝑆′ 𝑒 ( )
𝑆′ 𝑒
(1.4.5)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 25

Electrónica Aplicada III

Las ec. 1.4.4 y ec. 1.4.5 proveen las dos relaciones entre los parámetros S en los dos sets de planos de
referencia.
Los parámetros de reflexión se desplazan en fase por el doble de la longitud eléctrica debido a la onda
incidente viaja dos veces sobre esta longitud en la reflexión.
Los parámetros de transmisión tienen la suma de las longitudes eléctricas, ya que la onda transmitida debe
pasar a través de ambas longitudes.

1.5. Propiedades de los parámetros Scattering

Considere una red de dos puertos de la Fig. 1.5.1, donde se sume las líneas de transmisión sin pérdidas, y
con impedancias características reales. Esta es una situación típica a frecuencias de microondas donde las
líneas de transmisión son de 50Ω (por ejemplo, 𝑍 =𝑍 = 50Ω) y con terminaciones de 50Ω. De la ec.
1.2.1 y ec. 1.2.2 los voltajes y corrientes a lo largo de la línea de transmisión vienen dados por:

Fig. 1.5.1 Red de dos puertos [1]

𝑉 (𝑥 ) = 𝑉 (𝑥 ) + 𝑉 (𝑥 )
(1.5.1)
𝑉 (𝑥 ) 𝑉 (𝑥 )
𝐼 (𝑥) = 𝐼 (𝑥 ) − 𝐼 (𝑥 ) = −
𝑍 𝑍
(1.5.2)
Donde i=1 o 2.
Los fasores de la notación en las ec. 1.5.1 y ec. 1.5.2 se usan para valores picos. Los valores rms serán:
𝑉, (𝑥 ) = 𝑉 , (𝑥 ) + 𝑉 , (𝑥 )

𝐼 , (𝑥) = 𝐼 , (𝑥 ) − 𝐼 , (𝑥 )
De la relación entre los valores picos y rms, queda:
𝑉 (𝑥 )
𝑉 , (𝑥 ) =
√2

𝑉 (𝑥 )
𝑉, (𝑥 )
√2
etc..

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 26

Electrónica Aplicada III

Utilizando la notación normalizada (similar a sección 1.2), queda:

𝑉 (𝑥 )
𝑣 (𝑥 ) =
𝑍
𝑖 (𝑥 ) = 𝑍 𝐼 (𝑥 )

𝑉 (𝑥 )
𝑎 (𝑥 ) = = 𝑍 𝐼 (𝑥 )
𝑍
𝑉 (𝑥 )
𝑏 (𝑥 ) = = 𝑍 𝐼 (𝑥 )
𝑍

Podemos expresar las ec. 1.5.1 y ec. 1.5.2 en la forma

𝑣 (𝑥 ) = 𝑎 (𝑥 ) + 𝑏 (𝑥 )
(1.5.3.a)

𝑖 (𝑥 ) = 𝑎 (𝑥 ) − 𝑏 (𝑥 )
(1.5.3.b)

Los voltajes de ondas incidentes y reflejadas de voltaje del puerto ith en términos de 𝑉 (𝑥 ) y 𝑖 (𝑥 )
1
𝑎 (𝑥 ) = [𝑉 (𝑥 ) + 𝑍 𝐼 (𝑥 )]
2 𝑍
(1.5.4.a)

1
𝑏 (𝑥 ) = [𝑉 (𝑥 ) − 𝑍 𝐼 (𝑥 )]
2 𝑍
(1.5.4.b)
Se observa en las ec. 1.5.4.a y ec. 1.5.4.b, las impedancias 𝑍 y𝑍 son las impedancias características
de las líneas de transmisión.
La potencia promedio asociada con la onda incidente en el puerto 𝑖′ (ejemplo, a 𝑥 = 0 y 𝑥 = 0) puede
ser expresada de varias maneras:
1 ∗
𝑃 (0) = 𝑅𝑒 𝑉 , (0) 𝐼 , = 𝑅𝑒[𝑉 (0)( 𝐼 (0))∗ ]
(0)
2
∗
1 (𝑉 (0)) 1 |𝑉 (0)|
= 𝑅𝑒 𝑉 (0) =
2 𝑍 2 𝑍
1
= |𝑎 (0)| = 𝑎 , (0)
2
(1.5.5)
De igual manera, la potencia reflejada:
1 ∗
𝑃 (0) = 𝑅𝑒 𝑉 , (0) 𝐼 , = 𝑅𝑒[𝑉 (0)( 𝐼 (0))∗ ]
(0)
2
∗
1 (𝑉 (0)) 1 |𝑉 (0)|
= 𝑅𝑒 𝑉 (0) =
2 𝑍 2 𝑍
1
= |𝑏 (0)| = 𝑏 , (0)
2
(1.5.6)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 27

Electrónica Aplicada III

Si se considera la línea sin pérdidas [por ejemplo, 𝑃 (0) = 𝑃 (𝑙 ) y 𝑃 (0) = 𝑃 (𝑙 )], la ec. 1.6.6 y ec.
1.6.6 muestra que las cantidades
|𝑎 (0)| = |𝑎 (𝑥 )| y |𝑏 (0)| = |𝑏 (𝑥 )|

Representan la potencia asociada con las ondas incidentes y reflejada, respectivamente.

Ahora consideremos la red de la Fig. 1.5.2, la cual el puerto 1’ por la fuente de voltaje sinusoidal
representado por el fasor 𝐸 con la impedancia de la fuente 𝑍 = 𝑍 y en el puerto 2’ es adaptado (ej.
𝑍 = 𝑍 ). Cuando el puerto de salida es adaptado se dice que está terminado con su impedancia
normalizada.

Fig. 1.5.2 Red de dos puertos excitado por una fuente de voltaje representado por el factor 𝐸 con la impedancia de
fuente 𝑍 = 𝑍 y terminado en la impedancia 𝑍 = 𝑍 [1]

En la práctica, 𝑍 y𝑍 son reales (líneas de transmisión de 50Ω) y 𝑍 y 𝑍 son resistencias puras

(usualmente, también de 50Ω).
En la Fig. 1.5.2, 𝑍 es la impedancia de salida de la red de dos puertos en 𝑥 = 𝑙 .
Debido a que en el puerto 2, la red es terminada con su impedancia normalizada en 𝑥 = 0, se puede
escribir
𝑉 (0) = −𝐼 (0)𝑍
Y de la ec. 1.5.3 se escribe:
1 1
𝑎 (0) = [𝑉 (0) + 𝑍 𝐼 (0)] = [−𝐼 (0)𝑍 + 𝑍 𝐼 (0)] = 0
2 𝑍 2 𝑍
(1.5.7)
Entonces, no hay onda reflejada cuando 𝑍 = 𝑍 .
En 𝑥 = 0, se tiene
𝑉 (0) = 𝐸 − 𝐼 (0)𝑍
(1.5.8)
Sustituyendo la ec. 1.5.8 en ec. 1.5.3 se tiene:

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 28

Electrónica Aplicada III

1 𝐸
𝑎 (0) = [𝐸 − 𝐼 (0)𝑍 + 𝑍 𝐼 (0)] =
2 𝑍 2 𝑍

|𝐸 |
|𝑎 (0)| =
4𝑍
Por lo tanto, de la ec. 1.5.5,
1 |𝐸 |
𝑃 (0) = |𝑎 (0)| =
2 8𝑍
(1.5.9)
La ec. 1.5.9 muestra que la potencia en una onda incidente |𝑎 (0)| representa la potencia disponible de

la fuente 𝐸 con una resistencia interna 𝑍 = 𝑍 . La potencia disponible tiene la notación 𝑃 , y es:
|𝐸 |
𝑃 = 𝑃 (0)| =
8𝑍
Debido a que se considera línea sin pérdidas, [ej. |𝑎 (0)| = |𝑎 (𝑙 )| ]; la cantidad |𝑎 (𝑙 )|

representa la potencia disponible de la fuente en el puerto 1.

1 |𝐸 |
𝑃 | = |𝑎 (𝑙 )| =
2 8𝑍
La potencia disponible de la fuente es independiente de la impedancia 𝑍 en una red de dos puertos.
Si 𝑍 ≠ 𝑍 , entonces la ec. 1.5.8 debe ser modificada, y entonces la potencia resultante incidente
|𝑎 (0)| no es igual a la potencia disponible de la fuente.

Sustituyendo la ec. 1.5.8 en ec. 1.5.9,

1 𝐸 𝐸 ∗ 𝐸 𝐸 ∗ [𝑉 (0) + 𝑍 𝐼 (0)][𝑉 (0) + 𝑍 𝐼 (0)]∗
|𝑎 (0)| = = =
2 8𝑍 8𝑍 8𝑍

1 1
|𝑎 (0)| = [|𝑉 (0)| + 𝑍 𝐼 (0)𝑉 ∗ (0) + 𝑍 𝑉 (0)𝐼 ∗ (0) + 𝑍 |𝐼 (0)| ]
2 8𝑍
(1.5.10)
Similarmente de la ec. 1.5.4 obtenemos:
1 1
|𝑏 (0)| = [|𝑉 (0)| − 𝑍 𝐼 (0)𝑉 ∗ (0) − (0)𝐼 ∗ (0) + 𝑍 |𝐼 (0)| ]
2 8𝑍
(1.5.11)
Restando las ec. 1.5.10 y ec.1.5.11, se tiene
1 1 1
|𝑎 (0)| − |𝑏 (0)| = [𝐼 (0)𝑉 ∗ (0) + 𝑉 (0)𝐼 ∗ (0)]
2 2 4

1 1 1
|𝑎 (0)| − |𝑏 (0)| = 𝑅𝑒[𝐼 (0)𝑉 ∗ (0)]
2 2 2
Esta última ecuación representa la potencia entregada al puerto 1’, o al puerto 1 (línea sin pérdidas).
Llamamos esta cantidad 𝑃 (0). Ejemplo: 𝑃 (0) = |𝑎 (0)| − |𝑏 (0)| = 𝑅𝑒[𝐼 (0)𝑉 ∗ (0)]. Entonces,

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 29

Electrónica Aplicada III

1
|𝑏 (0)| = 𝑃 − 𝑃 (0)
2
(1.5.12)
La cantidad |𝑏 (0)| representa la potencia reflejada desde el puerto 1’ o el puerto 1. Esta ecuación

también puede escribirse como

1
|𝑏 (𝑙 )| = 𝑃 − 𝑃 (𝑙 )
2
La ec. 1.5.12 muestra que el generador envía la potencia disponible 𝑃 = |𝑎 (0)| hacia la entrada del

puerto 1. Esta potencia es independiente de la impedancia de entrada 𝑍 . Si la impedancia de entrada es

adaptada a la línea de transmisión (𝑍 = 𝑍 ), entonces la potencia reflejada es cero. Por otro lado, si
𝑍 ≠ 𝑍 , parte de la potencia incidente |𝑎 (0)| es reflejada hacia el generador. La potencia reflejada

es |𝑏 (0)| y la potencia neta entregada al puerto 1 es:

1
𝑃 (0) = 𝑃 (𝑙 ) = 𝑃 − |𝑏 (0)|
2
De la ec. 1.5.7 y ec. 1.5.4 se obtiene:
1 1
𝑏 (0) = [𝑉 (0) − 𝑍 𝐼 (0)] = [−𝐼 (0)𝑍 − 𝑍 𝐼 (0)] = − 𝑍 𝐼 (0)
2 𝑍 2 𝑍
Entonces
1 1
|𝑏 (0)| = |𝐼 (0)| 𝑍
2 2
Representa la potencia entregada a la carga 𝑍 = 𝑍 . Se denotará por potencia entregada a la carga 𝑍
por 𝑃 (0). Por ejemplo: 𝑃 (0) = |𝑏 (0)| .

Para calcular los parámetros S en una red de dos puertos, en la Fig. 1.5.2, en los planos de referencia 1 y 2
(distancia l1 y l2). Se observará primero que S11 en x1=l1 está dado por:
𝑏 (𝑙 ) 𝑉 (𝑙 )
𝑆 = =
𝑎 (𝑙 ) ( ) 𝑉 (𝑙 ) ( )

(1.5.13)
También de la ec. 1.1.31, puede expresarse como
𝑍 −𝑍
𝑆 =
𝑍 +𝑍
(1.5.14)
Las ec. 1.5.13 y ec. 1.5.14 muestran que S11 es el coeficiente de reflexión del puerto 1 con el puerto 2
terminado en su impedancia normalizada 𝑍 = 𝑍 (a2=0).
La evaluación de que S11 en x1=0 (denotado como 𝑆 ) puede ser realizada usando la ec. 1.4.4. (ejemplo,
𝑆 =𝑆 𝑒 ); o alternativamente se puede calcular la impedancia de entrada en x1=0, y su asociado
coeficiente de reflexión será 𝑆 .
Si se considera la cantidad |𝑆 | , se puede encontrar de las ec. 1.5.9 y ec. 1.5.12, se encuentra

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 30

Electrónica Aplicada III

|𝑏 (𝑙 )| 𝑃 − 𝑃 (𝑙 )
|𝑆 | = =
|𝑎(𝑙 )| ( )
𝑃

o
𝑃 (𝑙 ) = 𝑃 (0) = 𝑃 (1 − |𝑆 | )
(1.5.15)
La ec. 1.5.15 muestra que la relación |𝑆 | representa la relación de la potencia reflejada desde el puerto
1 al puerto disponible en el puerto 1.
Si |𝑆 | > 1, la potencia reflejada es mayor que la potencia disponible en el puerto 1. Entonces, en este
caso el puerto 1 actúa como una fuente y podrían ocurrir oscilaciones.
La evaluación de 𝑆 en el plano de referencia en x1=l1 es
𝑏 (𝑙 ) 𝑍 𝐼 (𝑙 ) − 𝑍 𝐼 (𝑙 )
𝑆 = = =
𝑎 (𝑙 ) ( ) 𝑍 𝐼 (𝑙 ) 𝑍 𝐼 (𝑙 )
( ) ( )

(1.5.16)

Donde 𝐼 (𝑙 ) = 𝐼 (𝑙 ) − 𝐼 (𝑙 ) = −𝐼 (𝑙 ), porque 𝐼 (𝑙 ) = 0.
La ec. 1.5.16 puede ser manipulada para evaluar 𝑆 . Se reemplaza la Fig. 1.5.2 por la Fig. 1.5.3. Esta red
equivalente se obtiene encontrando el equivalente de Thevenin en los puertos 1 y 2. En el puerto 1 el
voltaje de Thevenin es 𝐸 , y la resistencia de Thevenin (obtenida por 𝐸 = 0) es simplemente 𝑍 . El
voltaje de Thevenin puede ser 𝐸 , =𝐸 𝑒 . En el puerto 2, la resistencia de Thevenin equivalente es
𝑍 .

Fig. 1.5.3 Red de dos puertos con un equivalente de Thevenin en los puertos 1 y 2 [1]

De la ec. 1.5.3, 𝐼 (𝑙 ) está dada por

𝑎(𝑙 ) 1
𝐼 (𝑙 ) = = [𝑉 (𝑙 ) + 𝑍 𝐼 (𝑙 )]
𝑍 2 𝑍
(1.5.17)
Donde 𝑉 (𝑙 ) está dado por
𝑉 (𝑙 ) = 𝐸 , − 𝑍 𝐼 (𝑙 )
(1.5.18)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 31

Electrónica Aplicada III

Sustituyendo la ec. 1.5.18 en ec. 1.5.17,

𝐸 ,
𝐼 (𝑙 ) =
2 𝑍
(1.5.19)
También en el puerto 2 de la Fig. 1.5.3 se tiene
𝑉 (𝑙 )
−𝐼 (𝑙 ) =
𝑍
(1.5.20)
Sustituyendo la ec. 1.5.19 y ec. 1.6.20 en ec. 1.5.16 se obtiene
2 𝑍 𝑉 (𝑙 )
𝑆 =
𝑍 𝐸,

(1.5.21)
La ec. 1.5.21 muestra que 𝑆 representa el coeficiente de transmisión directo de voltaje del puerto 1 al
puerto 2.
Para evaluar 𝑆 al plano de referencia de x1=0 y x2=0 se utiliza la ec. 1.4.4. De la ec. 1.5.21, se puede
expresar |𝑆 | como
1
4𝑍 |𝑉 (𝑙 )| |𝑉 (𝑙 )| /𝑍
|𝑆 | = =2
𝑍 𝐸 1
,
8 𝐸, /𝑍
(1.5.22)
|𝑆 | representa la relación de potencia entregada a la carga (en este caso, 𝑍 ) a la potencia disponible
de la fuente 𝐸 , (en este caso, 𝑃 ). La relación 𝑃 /𝑃 se conoce como ganancia de potencia de
transductor, 𝐺 . Por ende,
𝐺 = |𝑆 |
(1.5.23)
Si 𝑍 = 𝑍 = 𝑍 , entonces
𝑉
𝑆 =
𝐸 , /2
(1.5.24)
Y la ganancia de potencia de transductor está dada por:
𝑉
𝐺 = |𝑆 | =
𝐸 , /2
(1.5.25)
Si analizamos la red de la Fig. 1.5.4, donde es una red de dos puertos excitada por una fuente de voltaje
de fasor 𝐸 en la carga y con una impedancia de fuente 𝑍 = 𝑍 y terminado con una impedancia 𝑍 =
𝑍 , ambos en los puertos 2’ y 1’ respectivamente. En los puertos 2 y 1 se encuentra que:
𝑏 (𝑙 ) 𝑍 −𝑍
𝑆 = =
𝑎 (𝑙 ) ( ) 𝑍 +𝑍

(1.5.26)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 32

Electrónica Aplicada III

𝑏 (𝑙 ) 2 𝑍 𝑉 (𝑙 )
𝑆 = =
𝑎 (𝑙 ) ( ) 𝑍 𝐸,

(1.5.27)
Donde 𝐸 , es el voltaje de Thevenin en el puerto 2. La ec. 1.5.26 muestra que 𝑆 es el coeficiente de
reflexión en el puerto 2, con el puerto 1 terminado en su impedancia normalizada 𝑍 = 𝑍 (ya que
𝑎 (𝑙 ) = 0), y 𝑆 representa el coeficiente de transmisión inverso de voltaje desde el puerto 2 al puerto
1. Para pasar a los planos de referencia 1’ y 2’ y evaluar 𝑆 y𝑆 .

Fig. 1.5.4 Red de dos puertos excitado por una fuente de voltaje 𝐸 en la carga y con una impedancia de fuente 𝑍 =
𝑍 y terminado con una impedancia 𝑍 = 𝑍 [1]

La cantidad |𝑆 | representa la relación de potencia reflejada desde el puerto 2, a la potencia disponible

en el puerto 2. Si |𝑆 | > 1, la potencia reflejada es mayor que la potencia disponible en el puerto 2, y
podrían ocurrir oscilaciones.
La cantidad |𝑆 | representa la ganancia de potencia inversa del transductor, y es:
1
|𝑉 (𝑙 )| /𝑍
|𝑆 | = 2
1
8 𝐸, /𝑍
(1.5.28)
Los parámetros S de un transistor son medidos comúnmente con 𝑍 =𝑍 = 𝑍 y 𝑍 = 𝑍 = 𝑍 , en la
Fig. 1.5.2. Se dice que estos parámetros S son medidos en un sistema 𝑍 . Si el transistor medido, es luego
utilizado en un circuito de la Fig. 1.5.2 con terminaciones arbitrarias 𝑍 𝑦 𝑍 , la ganancia 𝐺 ya no estará
dada por la ec. 1.5.25.
En sección de diseño de amplificadores de pequeña señal, se muestra este nuevo cálculo de 𝐺 .

Ejemplo 1.5.1
Evalúe los parámetros S en un sistema 𝑍 , de (a) una impedancia Z en serie, (b) ídem (a), considerando
que 𝑍 = 𝐿 = 𝑗100Ω (c) una admitancia paralelo Y, y (d) Si Y=1/100=10mS.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 33

Electrónica Aplicada III

Solución:
a) La Fig. 1.5.5a muestra una red de dos puertos con una impedancia serie y la red conectada a la
línea de transmisión de impedancia característica 𝑍 , La Fig. 1.5.5b muestra una línea de
transmisión excitada por una fuente representada por un fasor 𝐸 , con una impedancia de fuente
𝑍 = 𝑍 . La Fig. 1.5.5c muestra el circuito equivalente de Thevenin.

Fig. 1.5.5 (a) Red de dos puertos con una impedancia z en serie; (b) red de dos puertos excitada por una fuente de
voltaje 𝐸 en la carga y con una impedancia de fuente 𝑍 = 𝑍 y terminado con una impedancia 𝑍 = 𝑍 ; (c)
circuito equivalente de Thevenin [1]

Los parámetros S evaluados en los planos de referencias denotados por puerto 1 y puerto 2. De la ec.
1.5.14:
𝑏 (𝑙 ) 𝑍 −𝑍
𝑆 = =
𝑎 (𝑙 ) ( ) 𝑍 +𝑍

Donde 𝑍 = 𝑍 + 𝑍 . Entonces,
𝑍+𝑍 −𝑍 𝑍
𝑆 = =
𝑍+𝑍 +𝑍 𝑍 + 2𝑍
(1.5.29)
Para calcular 𝑆 , utilizamos la ec. 1.5.21
2 𝑍 𝑉 (𝑙 )
𝑆 =
𝑍 𝐸,

Donde, de la Fig. 1.5.5.c, y debido a que 𝑍 =𝑍 = 𝑍 , se obtiene

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 34

Electrónica Aplicada III

𝐸, 𝑍
𝑉 (𝑙 ) =
𝑍 + 2𝑍
𝐸 𝑍
2 𝑍 ,+ 𝑍 2𝑍
𝑆 = =
𝐸, 𝑍 + 2𝑍
Por simetría se observa que 𝑆 =𝑆 y𝑆 =𝑆 .
b) Si la red de dos puertos consiste en un inductor en serie con 𝑍 = 𝐿 = 𝑗100Ω, entonces en un
sistema de 𝑍 = 50Ω los parámetros S son:

0.707 45 0.707 −45

[𝑆] =
0.707 −45 0.707 45
c) La red de dos puertos es una admitancia, como se muestra en la Fig. 1.5.6.a, y la red terminada en
la Fig. 1.5.6.b. El circuito equivalente de Thevenin se encuentra en la Fig. 1.5.6.c.

Fig. 1.5.6 (a) Red de dos puertos con una admitancia Y; (b) red de dos puertos excitada por una fuente de voltaje
𝐸 en la carga y con una impedancia de fuente 𝑍 = 𝑍 y terminado con una impedancia 𝑍 = 𝑍 ; (c) circuito
equivalente de Thevenin [1]

En este caso,
𝑍
𝑍 = 1/𝑌‖𝑍 =
1+𝑍 𝑌

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 35

Electrónica Aplicada III

𝑍 −𝑍 −𝑍 𝑌
𝑆 = =
𝑍 +𝑍 2+𝑍 𝑌
(1.5.30)

Donde, de la Fig. 1.5.6.c, y debido a que 𝑍 =𝑍 = 𝑍 , se obtiene

𝐸, 𝑍 𝐸,
𝑉 (𝑙 ) = =
𝑍 +𝑍 2+𝑍 𝑌
𝐸
2 2 +, 𝑍 𝑌 2
𝑆 = =
𝐸, 2+𝑍 𝑌
(1.5.31)
Por simetría se observa que 𝑆 =𝑆 y𝑆 =𝑆 .
d) Si 𝑌 = 1/100Ω=10mS, entonces
−1/5 4/5
[𝑆] =
4/5 − 1/5

Ejemplo 1.5.2
Evalúe los parámetros S del stub en cortocircuito de la Fig. 1.5.7.a.

Solución:
La impedancia de entrada de un stub shunt en cortocircuito de long. l es (ec. 1.1.37) 𝑍 (𝑙) = 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑙,
por lo que su admitancia Y será:
1
𝑌 (𝑙) = = −𝑗𝑌 𝑐𝑜𝑡𝛽𝑙
𝑍
Donde 𝑌 = 1/𝑍

Fig. 1.5.7 (a) Stub en cortocircuito; (b) admitancia shunt equivalente [1]

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 36

Electrónica Aplicada III

El corto-circuito shunt puede ser reemplazado por su admitancia equivalente Y, como se muestra en la
Fig. 1.5.7.b. Los parámetrtos S son entonces (ec. 1.5.30) (ec. 1.5.31):
−𝑍 𝑌 −𝑗𝑍 𝑌 𝑐𝑜𝑡𝛽𝑙 −1
𝑆 =𝑆 = = =
2 + 𝑍 𝑌 2−𝑗𝑍 𝑌 𝑐𝑜𝑡𝛽𝑙 1 + 𝑗2𝑡𝑎𝑛𝛽𝑙
2 2
𝑆 =𝑆 = =
2 + 𝑍 𝑌 2 − 𝑗𝑐𝑜𝑡𝛽𝑙

Ejemplo 1.5.3
En una red de dos puertos de la Fig. 1.5.8.
(a) Calcule 𝑍 (0).
(b) Calcule 𝑎 (0), 𝑏 (0), 𝑎 (𝜆/8), 𝑏 (𝜆/8), y 𝑎 (0).
(c) Calcule 𝑉 (0), 𝑉 (𝜆/8), 𝐼 (0), y 𝐼 (𝜆/8).
(d) Calcule la potencia de entrada promedio en 𝑥 = 0 y en 𝑥 = 𝜆/8.
(e) Calcule 𝑆 en 𝑥 = 0 y en 𝑥 = 𝜆/8.
(f) Calcule VSWR de entrada y VSWR de salida.
(g) Calcule la potencia entregada en la carga 𝑍 , si los parámetros S medidos en los planos de
referencia 𝑥 = 𝑥 = 𝜆/8, son
𝑆 = 0.447 63.4
𝑆 = 0.01 40
𝑆 = 5 135
𝑆 = 0.6 40

Fig. 1.5.8 Diagrama de circuito del ejemplo 1.5.3 [1]

Solución:

a) En este caso, 𝑍 (0) = 𝑍 (𝑑)| / , y 𝛽𝑑 = = , entonces,

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 37

Electrónica Aplicada III

𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑 (50 + 𝑗50) + 𝑗50𝑡𝑎𝑛45°

𝑍 (0) = 𝑍 (𝑑)| / =𝑍 = 50 = 100 − 𝑗50Ω
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑 50 + 𝑗(50 + 𝑗50)𝑡𝑎𝑛45°

b) Debido a que en 𝑥 = 0 el voltaje 𝑉 (0) es 𝑉 (0) = 10 0 − 50𝐼 (0), entonces de ec. 1.2.7,

1 1 1
𝑎 (0) = [𝑉 (0) + 𝑍 𝐼 (0)] = 10 0 − 50𝐼 (0) + 50𝐼 (0) =
2 𝑍 2√50 √2

Entonces, con 𝑙 = 𝜆/8, se deduce que 𝜃 = 𝛽𝑙 = 𝜋/4,

/
1
𝑎 (𝜆/8) = 𝑎 (0)𝑒 = 𝑎 (0)𝑒 = −45
√2

De la ec. 1.2.8 se obtiene

1 1 1
𝑏 (0) = [𝑉 (0) − 𝑍 𝐼 (0)] = 10 0 − 50𝐼 (0) − 50𝐼 (0) = [10 − 2 ∗ 50𝐼 (0)]
2 𝑍 2√50 2√50
(1.5.32)
La corriente 𝐼 (0) está dada por:
𝐸 10
𝐼 (0) = = = 0.063 18.435 𝐴
50 + 𝑍 (0) 50 + 100 + 𝑗50
(1.5.33)
Sustituyendo ec.1.5.32 en ec. 1.5.33, queda
1
𝑏 (0) = 10 − 2 ∗ 50 ∗ 0.063 18.435 = 0.316 −26.57
2√50

El valor de la onda reflejada 𝑏 (𝜆/8) es:

/
𝑏 (𝜆/8) = 𝑏 (0)𝑒 = 0.316 −26.57 ∗ 1 45 = 0.316 18.43

Debido a que la salida está adaptada, 𝑎 (0) = 0.

Una alternativa para calcular 𝑏 (𝜆/8) es calculando 𝑆 (𝑥 = 𝜆/8), usando la ec. 1.5.14,
𝑍 −𝑍 (50 + 𝑗50) − 50
𝑆 = = = 0.447 63.43
𝑍 +𝑍 (50 + 𝑗50) + 50
(1.5.34)
Entonces
1
𝑏 (𝜆/8) = 𝑆 𝑎 (𝜆/8) = 0.447 63.43 −45 = 0.316 18.43
√2
c) 𝑉 (0) puede evaluarse de varias maneras. Podemos utilizar la ec. de voltaje en 𝑥 = 0 para
obtener
𝐸 𝑍 (0) 10(100 − 𝑗50Ω)
𝑉 (0) = = = 0.707 −8.13 𝑉
50 + 𝑍 (0) 50 + 100 − 𝑗50Ω

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 38

Electrónica Aplicada III

También se podría utilizar el siguiente criterio: disponemos de 𝐼 (0). Entonces

𝑉 (0) = 𝐼 (0)𝑍 (0) = 0.063 18.435 (100 − 𝑗50) = 0.707 −8.13 𝑉

También se podría utilizar el siguiente criterio:

𝑉 (0)
𝑣 (0) = = 𝑎 (0) + 𝑏 (0)
𝑍
1
𝑉 (0) = 𝑍 [𝑎 (0) + 𝑏 (0)] = √50 + 0.316 −26.57 = 0.707 −8.13 𝑉
√2

El voltaje 𝑉 (𝜆/8) está dado por

1
𝑉 (𝜆/8) = 𝑍 [𝑎 (𝜆/8) + 𝑏 (𝜆/8)] = √50 −45 + 0.316 18.43 = 6.32 −26.57 𝑉
√2
Y
𝑉 (𝜆/8) 6.32 −26.57
𝐼 (𝜆/8) = = = 0.089 −71.57 𝐴
𝑍 50 + 𝑗50

d) La potencia de entrada en 𝑥 = 0 es
1 1
𝑃 (0) = 𝑅𝑒[𝑉 (0)𝐼 ∗ (0)] = 𝑅𝑒 0.707 −8.13 0.063 −18.435 = 0.2𝑊
2 2
Y la potencia en 𝑥 = 𝜆/8 es
1 1
𝑃 (𝜆/8 ) = 𝑅𝑒[𝑉 (𝜆/8 )𝐼 ∗ (𝜆/8 )] = 𝑅𝑒 6.32 −26.57 0.089 71.57 = 0.2𝑊
2 2
Como se esperaba, 𝑃 (0) = 𝑃 (𝜆/8 ) debido a que es una línea sin pérdidas.

Otra forma de calcular 𝑃 (0) y 𝑃 (𝜆/8 ) es usando la ec. 1.5.15,

1 1 1
𝑃 = |𝑎 (0)| = = 0.25𝑊
2 2 √2
𝑃 (0) = 𝑃 (𝜆/8) = 𝑃 (1 − |𝑆 | ) = 0.25(1 − 0.447) = 0.2𝑊

e) 𝑆 a 𝑥 = 𝜆/8 fue evaluado en la ec. 1.5.34. Similarmente, en 𝑥 = 0,

𝑍 (0) − 𝑍 (50 − 𝑗50) − 50
𝑆′ = = = 0.447 −26.57
𝑍 (0) + 𝑍 (50 − 𝑗50) + 50
𝑆 y 𝑆′ están relacionados con la siguiente ecuación:
/
𝑆 = 𝑆′ 𝑒 = 𝑆′ 𝑒 = 0.447 63.43

f) La línea de transmisión de salida está adaptada (𝑍 = 𝑍 = 50Ω). Por esto, el coeficiente de

reflexión de la carga asociada con 𝑍 = 50Ω es cero, y el VSWR de salida es cero.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 39

Electrónica Aplicada III

En la entrada, el coeficiente de reflexión asociado con 𝑍 es 𝑆 . Por lo tanto, usando la ec. 1.1.36 se
tiene:
1 + |Γ | 1 + |S | 1 + 0.447
𝑉𝑆𝑊𝑅 = = = = 2.62
1 − |Γ | 1 − |S | 1 − 0.447

g) Debido a que la salida está adaptada (𝑍 = 𝑍 = 50Ω), entonces 𝑎 (0) = 𝑎 (𝜆/8 ) = 0. De la

ec. 1.5.16 se obtiene:
1
𝑏 (𝜆/8 ) = 𝑆 𝑎 (𝜆/8) = 5 135 −45 = 3.54 90
√2
Entonces
/
𝑏 (0) = 𝑏 (𝜆/8 )𝑒 = 3.54 45
La potencia entregada en 𝑍 es
1 1
𝑃 (0) = |𝑏 (0)| = (3.54) = 6.27𝑊
2 2

1.6. Ondas de Potencia

En las secciones anteriores, se mostró que es natural representar los voltajes y corrientes en términos de
ondas progresivas –onda incidente 𝑎(𝑥) y reflejada 𝑏(𝑥). En esta sección se discutirá en análisis de
circuitos concentrados en términos de un nuevo set de ondas, llamado Power waves [6].
Los parámetros de dispersión han sido definidos por K. Kurokawa en 1965 (Power Waves and Scaterring
Parameters). Estos parámetros describen las interrelaciones de un nuevo conjunto de variables (ai, bi).
Las variables ai y bi son ondas de voltaje complejas normalizadas que inciden y se reflejan desde el i-
ésimo puerto de la red.

𝑉 +𝑍 𝐼
𝑎 =
2 |𝑅𝑒𝑍 |
𝑉 − 𝑍∗ 𝐼
𝑏 =
2 |𝑅𝑒𝑍 |
O también
𝑉+𝑍 𝐼
𝑎 =
2 𝑅
(1.6.1)
𝑉 − 𝑍∗ 𝐼
𝑏 =
2 𝑅
(1.6.2)
Donde 𝑅 = 𝑅𝑒[𝑍 ].

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 40

Electrónica Aplicada III

Las definiciones de las ec. 1.6.1 y ec. 1.6.2 son tales que la cantidad 𝑎 es igual a la potencia

disponible de la fuente, y la onda de potencia reflejada 𝑏 es cero cuando la impedancia es adaptada al

conjugado de la impedancia de la fuente (ejemplo, 𝑍 = 𝑍 ∗ ). En la Fig. 1.6.1.b se muestra la
representación de una red de dos puertos.

Fig. 1.6.1 (a) Red de un puerto concentrada, (b) representación de ondas de potencia [1]

De la Fig. 1.6.1.a se obtiene la relación entre V y I, como

𝑉 =𝐸 −𝑍 𝐼
(1.6.3)
Sustituyendo ec. 1.6.3 en la ec. 1.6.1 se tiene:
𝐸 −𝑍 𝐼+𝑍 𝐼 𝐸
𝑎 = =
2 𝑅 2 𝑅
(1.6.4)
Por lo que
|𝐸 |
𝑎 =
4𝑅
o
1 |𝐸 |
𝑎 = 𝑎 , =
2 8𝑅
(1.6.5)
La ec. 1.6.5 es la potencia disponible de la fuente. En el circuito de la Fig. 1.6.1.a la máxima potencia
entregada a la carga es cuando 𝑍 = 𝑍 ∗ . También,
1 1 𝐸
𝑃 = |𝐼| 𝑅𝑒[𝑍 ] = 𝑅𝑒[𝑍 ]
2 2 𝑍 +𝑍
cuando 𝑍 = 𝑍 ∗ , entonces 𝑃 = 𝑃 , =𝑃
1 |𝐸 |
𝑃 , =𝑃 =
8 𝑅

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 41

Electrónica Aplicada III

Si 1/2 𝑎 representa la potencia disponible en la fuente, entonces 1/2 𝑏 debería representar la

potencia reflejada de potencia. De las ec. 1.6.1 y ec. 1.6.2 se obtiene
1 1 1 1 1
𝑎 − 𝑎 = (𝑉 + 𝑍 𝐼)(𝑉 + 𝑍 𝐼)∗ − (𝑉 + 𝑍 ∗ 𝐼)(𝑉 + 𝑍 ∗ 𝐼)∗ = 𝑅𝑒[𝑉 ∗ 𝐼]
2 2 8𝑅 8𝑅 2
Esta es la potencia disipada en la carga. Entonces,
1 1
𝑃 = 𝑎 − 𝑏
2 2
(1.6.6)
También se puede escribir,
1
𝑏 =𝑃 −𝑃
2
La potencia reflejada en la carga 1/2 𝑏 es igual a la potencia disponible de la fuente menos la potencia
disipada en la carga.
En condiciones de adaptación conjugada, la potencia disponible es entregada a la carga 𝑍 y la potencia

reflejada 1/2 𝑏 es cero.

En condiciones de adaptación conjugada, entonces
𝑉 = 𝑍∗𝐼
De la ec. 1.6.2, la onda de potencia reflejada es:
𝑉 − 𝑍∗𝐼 𝑍∗ 𝐼 − 𝑍∗ 𝐼
𝑏 = = =0
2 𝑅 2 𝑅
(1.6.7)

𝐸
𝑎 =
2 𝑅
𝑍∗
𝑉=𝑉 = 𝑎
𝑅
𝑉 =0
Fig. 1.6.2 Red de un puerto con carga adaptada conjugada [1]

El coeficiente de reflexión de onda de potencia, también llamado Γ coeficiente de reflexión generalizado,

puede definirse como el radio de b a a , entonces de la ec. 1.6.1 se obtiene:
𝑉 ∗
b 𝑉 − 𝑍∗𝐼 𝐼 − 𝑍 𝑍 − 𝑍∗
Γ = = = =
a 𝑉+𝑍 𝐼 𝑉+𝑍 𝑍 +𝑍
𝐼
(1.6.8)
Usando la ec. 1.6.8 podemos expresar la ec. 1.6.6 en la forma
1
𝑃 = 𝑎 1− Γ =𝑃 1− Γ
2

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 42

Electrónica Aplicada III

Resolviendo la ec. 1.6.1 y ec. 1.6.2 para V y para I se tiene:

1
𝑉= 𝑍∗ 𝑎 + 𝑍 𝑏
𝑅
(1.6.9)
1
𝐼= 𝑎 −𝑏
𝑅
(1.6.10)
Se puede observar que la adición y sustracción de la onda incidente y reflejada de la onda progresiva de la
ec. 1.5.3.a y ec. 1.5.3.b son iguales al voltaje y corriente normalizado a lo largo de la línea de transmisión,
mientras que las ec. 1.6.9 y ec. 1.6.10 los voltajes y corrientes no están dados por la simple suma y resta
de las ondas de potencia.
De las ec. 1.6.9 y ec. 1.6.10 se pueden definir las ondas incidentes y reflejadas de voltajes y corriente
como 𝑉 , 𝑉 , 𝐼 , 𝐼 y relacionarlos con las ondas de potencia,

𝑉 =𝑉 +𝑉
(1.6.11)
𝐼 =𝐼 +𝐼
(1.6.12)
Donde
𝑍∗
𝑉 = 𝑎
𝑅
(1.6.13)
𝑍
𝑉 = 𝑏
𝑅
(1.6.14)
𝑎 𝑉
𝐼 = = ∗
𝑅 𝑍

(1.6.15)
𝑏 𝑉
𝐼 = =
𝑅 𝑍
(1.6.16)

De las ec. 1.6.13 y ec. 1.6.14, el coeficiente de reflexión de voltaje puede ser definido como
𝑉 𝑍𝑏 𝑍 𝑍 𝑍 − 𝑍∗
Γ = = ∗ = ∗Γ = ∗
𝑉 𝑍 𝑎 𝑍 𝑍 𝑍 +𝑍
(1.6.17)
Coeficiente de reflexión de corriente es
𝐼 𝑏
Γ = = =Γ
𝐼 𝑎

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 43

Electrónica Aplicada III

(1.6.18)
Que es idéntico al coeficiente de reflexión de onda de potencia.
Una forma alternativa de introducir ondas de potencia es definir las ondas incidentes y reflejadas de
voltaje 𝑉 y 𝑉 en la Fig. 1.6.1.a y luego definir las ondas de potencia 𝑎 y 𝑏 en términos de 𝑉 y 𝑉 .
De la Fig. 1.6.1.a, el voltaje 𝑉 se define como voltaje 𝑉 cuando 𝑍 = 𝑍 ∗ , ecta dado por
𝐸 𝑍∗ 𝐸 𝑍∗
𝑉 = ∗ =
𝑍 +𝑍 2𝑅
(1.6.19)
Usando las ec. 1.6.4 y ec. 1.6.18 se tiene
𝑍∗
𝑉 = 𝑎
𝑅
Idéntica a la ec. 1.6.13.
En la Fig. 1.6.1.a, 𝑉 esta dado por
𝐸𝑍
𝑉=
𝑍 +𝑍
Debido a que 𝑉 = 𝑉 + 𝑉 , entonces
𝐸𝑍 𝐸 𝑍∗ 𝐸 𝑍 𝑍 − 𝑍∗
𝑉 =𝑉−𝑉 = − =
𝑍 +𝑍 2𝑅 2𝑅 𝑍 + 𝑍
(1.6.20)
La ec. 1.6.20 puede expresarse de varias maneras, por ejemplo (de ec. 1.6.17)
𝑉 =𝑉 Γ
Usando las ec. 1.6.13 y ec. 1.6.20
𝑍∗ 𝑍 𝑏 𝑍
𝑉 = 𝑎 = 𝑏
𝑅 𝑍∗ 𝑎 𝑅
Idéntica a la ec. 1.6.14.
En términos de voltajes incidentes y reflejados, el analisis del circuito de la Fig. 1.6.2, donde 𝑍 = 𝑍 ∗ y
𝑉 = 0, debido a que no hay onda reflejada. Se puede escribir entonces
𝐸
𝐼=
𝑍 +𝑍
Y las ondas de corriente incidentes y reflejadas son
𝐸
𝐼 =
2𝑅
𝐼 =𝐼 Γ
Donde Γ es el coeficiente de reflexión de corriente.
Cuando la impedancia normalizada 𝑍 es real y positiva, las expresiones de ondas de potencia 𝑎 y 𝑏 son
identicas a las ondas progresivas 𝑎(𝑥) y 𝑏(𝑥).
De hecho, cuando 𝑍 es real y positiva, e igual a la impedancia normalizada 𝑍 , las relaciones derivadas
para las ondas de potencia son identicas a las derivadas para las ondas progresivas.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 44

Electrónica Aplicada III

Finalmente, Γ , tanto Γ y Γ son iguales a Γ . Esto es, para 𝑍 = 𝑍 ∗ = 𝑍 ,

𝑍 −𝑍
Γ =Γ =Γ =Γ =
𝑍 +𝑍
Desde el punto de vista matemático, las relaciones 𝑎(𝑥) y 𝑏(𝑥) son funciones de 𝑉(𝑥) y 𝐼(𝑥), y son
transformaciones lineales. Similarmente, las relaciones 𝑎 y 𝑏 son funciones de 𝑉 y 𝐼, y también son
transformaciones lineales.
En el caso de una red de dos puertos, como se muestra en la Fig. 1.6.3, podemos definir los parametros
scattering (S ), denotados por S ,S ,S ,S en términos de parámetros de potencia, como sigue:

Fig. 1.6.3 Representación de una red de dos puertos en términos de parámetros scattering generalizados [1]
𝑏 =𝑆 𝑎 +𝑆 𝑎
(1.6.21)
𝑏 =𝑆 𝑎 +𝑆 𝑎
(1.6.22)
Donde
1
𝑎 = (𝑉 + 𝑍 𝐼 )
2 𝑅
(1.6.23)
1
𝑎 = (𝑉 + 𝑍 𝐼 )
2 𝑅
(1.6.24)
1
𝑏 = (𝑉 − 𝑍 ∗ 𝐼 )
2 𝑅
(1.6.25)
1
𝑏 = (𝑉 − 𝑍 ∗ 𝐼 )
2 𝑅
(1.6.26)
Donde 𝑅 = 𝑅𝑒[𝑍 ] y 𝑅 = 𝑅𝑒[𝑍 ]. Los valores de los parámetros 𝑆 dependen de las impedancias
terminales 𝑍 y 𝑍 . Estas impedancias se llaman impedancias de referencia.
No hay manera de medir directamente los parámetros scattering generalizados, por ejemplo

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 45

Electrónica Aplicada III

𝑏
𝑆 =
𝑎

𝑆 podría ser determinado si 𝑏 y 𝑎 fueran medidos con 𝑎 = 0. En la Fig. 1.6.4 el circuito se

muetsra con 𝐸 = 0, el voltaje de salida es 𝑉 = −𝐼 𝑍 , y de la ec. 1.6.24 se sigue que 𝑎 = 0.
Desafortunadamente, 𝑎 y𝑏 no son ondas progresivas y, por ende, no pueden ser separadas y medidas
utilizando un acopladr direccional.

Fig. 1.6.4 Red de dos puertos con 𝐸 = 0 [1]

La evaluación de 𝑆 de la Fig. 1.6.4 se evalúa como sigue:

𝑍 − 𝑍∗
𝑆 =
𝑍 +𝑍
(1.6.27)
La potencia de entrada en una red de dos puertos es:
1 1
𝑃 = 𝑎 − 𝑏 =𝑃 1− 𝑆
2 2
Mientras que los parámetros 𝑆 no pueden ser medidos, los parámetros S de dos puertos de la Fig. 1.6.3
puede ser fácilmente medidos y los parámetros 𝑆 pueden ser calculados en término de los parámetros S.
En un sistema 𝑍 , los parámetros S son medidos insertando lineas de transmisión con impedancias
características 𝑍 en ambos puertos. En el caso de la Fig. 1.6.3 cambiando 𝑍 y 𝑍 (usualmente 𝑍 =
50Ω), y haciendo la medición apropiada de las ondas de transmisión 𝑎 (𝑥), 𝑎 (𝑥), 𝑏 (𝑥), y 𝑏 (𝑥). Las
relaciones entre los parámetros 𝑆 y parámetros S se muestran en [1], sección 2.7.
Las expresiones de ganancia de potencia para la red de la Fig. 1.6.4 pueden escribirse en términos de los
parámetros 𝑆 . Si 𝑎 = 0, la potencia entregada a la carga es:
1
𝑃 = 𝑏
2
Si 𝑎 = 0, d ela ec. 1.6.22, 𝑏 = 𝑆 𝑎 , se puede expresar
1
𝑃 = |𝑆 | 𝑎
2

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 46

Electrónica Aplicada III

La potencia disponible en la fuente es 𝑎 , por lo que la ganancia de potencia de transductor de la

Fig. 1.6.4 está dada por:

𝑃 1
𝐺 = = |𝑆 |
𝑃 2
(1.6.28)
La ec. 1.6.28 es la ganancia de potencia de transductor de una red de dos puertos con terminaciones
arbitrarias 𝑍 y 𝑍 . Si en la Fig. 1.6.4 hacemos 𝑍 = 𝑍 = 𝑍 , entonces se sigue que 𝐺 = |𝑆 | , donde
𝑆 se mide usando la impedancia normalizada 𝑍 . En otras palabras, para 𝑍 = 𝑍 = 𝑍 ,

𝐺 = 𝑆 = |𝑆 |
(1.6.29)
La ec. 1.6.29 expresa el hecho de que un sistema donde los parámetros S son medidos con 𝑍 = 𝑍 = 𝑍
la ganancia de potencia de transductor es |𝑆 | . Si 𝑍 = 𝑍 = 𝑍 las ondas de potencia y las ondas
progresivas tienen idénticos resultados, entonces la ganancia de potencia de transductor será también

𝑆 . Para impedancias de fuente y carga 𝑍 ≠ 𝑍 𝑦 𝑍 ≠ 𝑍 será 𝑆 ≠ |𝑆 | .

Ejemplo 1.6.1
Calcule las ondas de potencia y la potencia entregada en la carga en el circuito de la Fig. 1.6.5.

Fig. 1.6.5 Diagrama de circuito del ejemplo 1.6.1 [1]

Solución:
En la Fig. 1.6.5, el voltaje V y la corriente I están dados por
𝐸𝑍 10(100 − 𝑗50)
𝑉= = = 5.59 −26.57 𝑉
𝑍 +𝑍 100 − 𝑗50 + 100 + 𝑗50
Y
𝐸 10
𝐼= = = 0.05 𝐴
𝑍 +𝑍 100 − 𝑗50 + 100 + 𝑗50
Debido a que 𝑅 = 𝑅𝑒[𝑍 ] = 100Ω y 𝑉 = 𝐸 − 𝐼𝑍 ,
𝑉+𝑍 𝐼 𝐸 10
𝑎 = = = = 0.5
2 𝑅 2 𝑅 2√100

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 47

Electrónica Aplicada III

Debido a que hay adaptación conjugada, entonces 𝑏 = 0. Entonces, la potencia entregada en la carga es
igual a 𝑃 , y dado por
1 1
𝑃 = 𝑎 = 0.5 = 0.125 𝑊
2 2

Ejemplo 1.6.2
Calcule la potencia entregada en la carga en el circuito de la Fig. 1.6.6.a usando (a) ondas de potencia, (b)
ondas progresivas.

Solución:
La línea de transmisión de la Fig. 1.6.6.a, está adaptada, ya que 𝑍 = 𝑍 . Entonces, Γ = 0 y la
impedancia de entrada en x=0 es 𝑍 (𝑥 = 0) = 𝑍 (𝑑 = 𝜆/4) = 50Ω. El circuito equivalente a x=0 se
muestra en la Fig. 1.6.6.b.

(a)

(b) (c)

Fig. 1.6.6 (a) Línea de transmisión para el circuito del ejemplo 1.6.2. (b) circuito equivalente para análisis de ondas
de potencia en x=0, (c) circuito equivalente para análisis de ondas progresivas en x=0[1]

(a) Análisis por ondas de potencia.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 48

Electrónica Aplicada III

El circuito equivalente concentrado de un puerto de la Fig. 1.6.6.b, puede ser analizado en términos de
ondas de potencia como sigue. Debido a que
30(50)
𝑉= = 10 𝑉
50 + 100
Y
30
𝐼= = 0.2 𝐴
50 + 100
De las ec. 1.6.1 y ec. 1.6.2,
1 1
𝑎 = (𝑉 + 𝑍 𝐼) = (10 + 100(0.2)) = 1.5
2 𝑅 2√100
1 1
𝑏 = (𝑉 − 𝑍 ∗ 𝐼) = (10 − 100(0.2)) = −0.5
2 𝑅 2 𝑅
La potencia disponible en la fuente es:
1 1
𝑃 = 𝑎 = 1.5 = 0.125 𝑊
2 2
Debido a que 𝑍 (0) no es adaptado conjugado a la fuente 𝑍 , habrá una potencia reflejada 𝑏 . La

potencia reflejada es 𝑏 = 0.5 = 0.125 𝑊, y la potencia disipada en 𝑍 (0) es

1 1
𝑃 = 𝑎 − 𝑏 = 1.125 − 0.125 = 1𝑊
2 2
Debido a que la línea es sin pérdidas, la potencia entregada en la carga es también 1W.
El coeficiente de reflexión de potencia es
𝑏 1
Γ = =−
𝑎 3
Entonces,
1
𝑃 =𝑃 1− Γ = 1.125 1 − = 1𝑊
3
Usando las ec. 1.6.9 y ec. 1.6.10,
1 1
𝑉= 𝑍∗ 𝑎 + 𝑍 𝑏 = 100(1.5) + 100(−0.5) = 10 𝑉
𝑅 √100
1 1
𝐼= 𝑎 −𝑏 = 1.5 − (−0.5) = 0.2 𝐴
𝑅 √100
Se comprueban los valores de V y de I.

(b) Análisis por ondas progresivas.

En referencia a la Fig. 1.6.6.c, el voltaje y corriente pueden ser analizados en términos de ondas
progresivas, donde 𝑉(0) = 10𝑉, 𝐼(0) = 0.2𝐴.
1 1
𝑎(0) = [𝑉(0) + 𝑍 𝐼(0)] = (10 + 50(0.2)) = √2
2 𝑍 2√50

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 49

Electrónica Aplicada III

1 1
𝑏(0) = [𝑉(0) − 𝑍 𝐼(0)] = (10 − 50(0.2)) = 0
2 𝑍 2√50
Como se esperaba, no hay onda reflejada en una línea de transmisión adaptada, por lo que 𝑏(𝑥) = 0.
Observe que |𝑎(0)| = 1𝑊 no es igual a la potencia disponible de la fuente (𝑃 = 0.125 𝑊). De

hecho, sólo cuando 𝑍 = 𝑍 , 𝑃 = |𝑎(0)| .

La potencia disipada en 𝑍 (0) (y en la carga para una línea sin pérdidas) es

1 1 1
𝑃 = |𝑎(0)| − |𝑏(0)| = √2 = 1𝑊
2 2 2
O tambien
1 1
𝑃 = |𝑎(0)| (1 − |Γ | ) = √2 = 1𝑊
2 2
Los valores de 𝑉(0) y 𝐼(0) pueden verificarse como sigue
𝑉(0) = 𝑍 𝑣 (0) = √50 [𝑎(0) + 𝑏(0)] = √50 √2 = 10𝑉
𝑖(0) 1 1
𝐼(0) = = [𝑎(0) − 𝑏(0)] = √2 = 0.2𝐴
𝑍 √50 √50
Verificándose que los valores son correctos.
La onda incidente a lo largo de la linea de transmisión está dada por
𝑎(𝑥) = 𝑎(0)𝑒 = √2 𝑒
Y, debido a que 𝑏(𝑥) = 0, 𝑉(𝑥) = 𝑍 𝑎(𝑥) = √50 √2 𝑒 = 10 𝑒
Si 𝑑 = 𝜆/4 − 𝑥 se puede escribir el voltaje en términos de d como sigue:
/
𝑉(𝑑) = 10 𝑒 𝑒

1.7. La carta de Smith

La carta de Smith es una de las herramientas gráficas más útiles para aplicaciones de circuitos de alta
frecuencia. El gráfico proporciona una forma inteligente de visualizar funciones complejas y continúa
perdiendo popularidad, décadas después de su concepción original. Desde un punto de vista matemático,
la carta de Smith es una representación de todas las impedancias complejas posibles con respecto a las
coordenadas definidas por el coeficiente de reflexión complejo.
El dominio de definición del coeficiente de reflexión para una línea sin pérdidas es un círculo de radio
unitario en el plano complejo. Este es también el dominio de la carta de Smith.
En el caso de una línea con pérdida general, el coeficiente de reflexión puede tener una magnitud mayor
que uno, debido a la impedancia característica es compleja, y requiere una carta de Smith extendida.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 50

Electrónica Aplicada III

El objetivo de la tabla de Smith es identificar todas las impedancias posibles en el dominio de la

existencia del coeficiente de reflexión. Para hacerlo, partimos de la definición general de impedancia de
línea (que es igualmente aplicable a una impedancia de carga cuando d = 0)

𝑉(𝑑) 1 + Γ(𝑑)
𝑧 = =𝑧
𝐼(𝑑) 1 − Γ(𝑑)
(1.7.1)
Esto proporciona la función compleja Z (d) = f {Re (Γ), Im (Γ)} que queremos graficar. Es obvio que el
resultado sería aplicable solo a líneas con impedancia Z0 exactamente característica. Para obtener curvas
universales, introducimos el concepto de impedancia normalizada.
𝑍(𝑑) 1 + Γ(𝑑)
𝑧 (𝑑) = =
𝑍 1 − Γ(𝑑)
(1.7.2)
La impedancia normalizada se representa en la carta de Smith utilizando familias de curvas que
identifican la resistencia normalizada r (parte real) y la reactancia normalizada x (parte imaginaria)

𝑧 (𝑑) = 𝑅𝑒(𝑧 ) + 𝑗𝐼𝑚(𝑧 ) = 𝑟 + 𝑗𝑥

(1.7.3)
Representemos el coeficiente de reflexión en términos de las siguientes coordinadas

Γ(𝑑) = 𝑅𝑒(Γ) + jIm(Γ)

(1.7.4)
Ahora podemos escribir
1 + 𝑅𝑒(Γ) + jIm(Γ)
𝑟 + 𝑗𝑥 =
1 − 𝑅𝑒(Γ) − jIm(Γ)
1 − 𝑅𝑒 (Γ) − Im (Γ) + 𝑗2Im(Γ)
𝑟 + 𝑗𝑥 =
1 − 𝑅𝑒(Γ) + Im (Γ)
(1.7.5)
Tomando la parte real de la ec. 1.7.5,
1 − 𝑅𝑒 (Γ) − Im (Γ)
𝑟=
1 − 𝑅𝑒(Γ) + Im (Γ)

Término agregado
_____________

1 1
𝑟(𝑅𝑒(Γ) − 1) + (𝑅𝑒 (Γ) − 1) + 𝑟Im (Γ) + Im (Γ) + − =0
1+𝑟 1+𝑟

1 1
𝑟(𝑅𝑒(Γ) − 1) + (𝑅𝑒 (Γ) − 1) + + (1 + 𝑟)Im (Γ) =
1+𝑟 1+𝑟

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 51

Electrónica Aplicada III

𝑟 𝑟 1
(1 + 𝑟) 𝑅𝑒 (Γ) − 2𝑅𝑒(Γ) + + (1 + 𝑟)Im (Γ) =
1 + 𝑟 (1 + 𝑟) 1+𝑟

𝑟 1
𝑅𝑒(Γ) − + Im (Γ) =
1+𝑟 1+𝑟
(1.7.6)
La ec. 1.7.6 es la ecuación de un círculo.
Tomando la parte imaginaria de la ec. 1.7.5,

2Im(Γ)
𝑥=
1 − 𝑅𝑒(Γ) + Im (Γ)
Se multiplica por 𝑥 y se agrega 1-1,

𝑥 1 − 𝑅𝑒(Γ) + Im (Γ) − 2𝑥Im(Γ) + 1 − 1 = 0

2 1 1
1 − 𝑅𝑒(Γ) + Im (Γ) − Im(Γ) + =
𝑥 𝑥 𝑥

1 1
(𝑅𝑒(Γ) − 1) + Im(Γ) − =
𝑥 𝑥
(1.7.7)
La ec. 1.7.7 es la ecuación de un círculo.
El resultado de la parte real indica que sobre el plano complejo con coordenadas [𝑅𝑒(Γ), Im(Γ)], todas las
posibles impedancias con una resistencia 𝑟 se encuentran en el círculo como

𝑟
𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = ,0
1+𝑟
1
𝑟𝑎𝑑𝑖𝑜 =
1+𝑟
A medida que la resistencia normalizada 𝑟 varía desde 0 hasta ∞, se obtiene una familia de círculos
contenidos dentro del dominio del coeficiente de reflexión |Γ| ≤ 1.

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 52

Electrónica Aplicada III

Fig. 1.7.1 Variaciones de 𝑟 dentro del dominio de |Γ| ≤ 1 [9]

El resultado para la parte imaginaria indica que sobre el plano complejo con coordenadas
[𝑅𝑒(Γ), 𝐼𝑚(Γ)], todas las impedancias posibles con reactancia normalizada 𝑥 se encuentran en el círculo
cuyo centro y radio son:
1
𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = 1,
𝑥
1
𝑟𝑎𝑑𝑖𝑜 =
𝑥
A medida que la reactancia normalizada 𝑥 varía desde −∞ hasta ∞, se obtiene una familia de círculos
contenidos dentro del dominio del coeficiente de reflexión |Γ| ≤ 1.

Fig. 1.7.2 Variaciones de 𝑥 dentro del dominio de |Γ| ≤ 1 [9]

Técnicas básicas para líneas de transmisión sin pérdidas:

- Dado 𝑍(𝑑) se puede encontrar Γ(𝑑)
Dado Γ(𝑑) se puede encontrar 𝑍(𝑑)

- Dado Γ y Z se puede encontrar Γ(𝑑) y Z(d)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 53

Electrónica Aplicada III

Dado Γ(𝑑) y Z(d)se puede encontrar Γ y Z

- Se puede encontrar d yd (ubicaciones del patrón de onda estacionaria de voltaje máximo

y mínimo)

- Se puede encontrar el 𝑉𝑆𝑊𝑅

- Dado Z(𝑑) se puede encontrar Y(𝑑)

Dado Y(𝑑) se puede encontrar Z(𝑑)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 54

Electrónica Aplicada III

Fig. 1.7.3 Desarrollo de la carta de Smith [1]

1.8. Contornos de Q constante en la carta de Smith

En un circuito resonante, la relación de su frecuencia resonante 𝑓 a su ancho de banda (BW) se conoce

como Q cargado del circuito. Esto es,
𝜔
𝑄 =
𝐵𝑊
Si el ancho de banda se expresa en Hertz, entonces
𝑓
𝑄 =
𝐵𝑊
(1.8.1)
Las redes de dos componentes (dos polos) se utilizan para proveer adaptación a determinada frecuencia.
La respuesta en frecuencia de la red se puede clasificar en filtro pasa bajos o filtro pasa altos. En cada
nodo de la red, le corresponde una impedancia serie equivalente denotada por 𝑅 + 𝑗𝑋 . Entonces, el Q
del nodo del circuito, denotado por 𝑄 , se define como
|𝑋 |
𝑄 =
𝑅
(1.8.2)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 55

Electrónica Aplicada III

Si la admitancia paralela equivalente de entrada en el nodo es 𝐺 + 𝑗𝐵 , el nodo del circuito se puede

expresar en la forma
𝐵
𝑄 =
𝐺
(1.8.3)
Cuando se desea un alto valor de 𝑄 , las redes de dos componentes no pueden dar una solución, debido a
que el 𝑄 no puede ser controlado con dos elementos. De hecho, en una red de dos componentes se debe
aceptar el 𝑄 resultante. Por otro lado, si se agregan más componentes (por ejemplo, tres), se puede
obtener un 𝑄 deseado. El agregado del tercer componente resulta en una red T, o red Pi, denotada por Π.
El agregado de un tercer elemento agrega flexibilidad en la selección del 𝑄 , debido a que la impedancia
equivalente en los nodos presenta varios valores de 𝑄 . Un valor mayor de 𝑄 resulta en valor mayor de
𝑄 . El Q de una red T o Pi normalmente de define como el valor más alto de 𝑄 del circuito.
Se pueden dibujar los contornos de Q constante en la carta de Smith. Las partes inferior y superior de los
contornos de Q constante se satisfacen con la ecuación de un circulo como se muestra:
1+Γ 1−𝑈 −𝑉 2𝑈
𝑧 = 𝑟 + 𝑗𝑥 = = +𝑗
1 − Γ (1 − 𝑈) + 𝑉 (1 − 𝑈) + 𝑉
Γ = U + jV
|𝑥| 2𝑈
𝑄 = =
𝑟 1−𝑈 −𝑉
El cual puede ser escrito como
1 1
𝑈 + 𝑉± =1+
𝑄 𝑄
(1.8.4)
El signo más, significa que 𝑥 es positivo, y el signo menos, significa que 𝑥 es negativo.
La ec. 1.7.4 corresponde a la ecuación de un círculo. Para 𝑥 > 0, el centro del plano Γ es a (0, −1/𝑄 ), y
para 𝑥 < 0, el centro del plano Γ es a (0, 1/𝑄 ). El radio del circulo es

1
1+
𝑄

Por ejemplo, para un 𝑄 = 5, el contorno es (centros, radio)

(0, ±1/𝑄 ) = (0, ±0.2)

1 1
1+ = 1+ = 1.02
𝑄 25

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 56

Electrónica Aplicada III

Fig. 1.7.1 Contornos de 𝑄 constante; 𝑄 = 1, 5, 𝑦 10 [1]

1.9. Ganancias de potencia

Dado el diseño de un amplificador como el de la Fig. 1.9.1, los coeficientes de reflexión de la fuente y la
carga en un sistema 𝑍 son:
𝑍 −𝑍
Γ =
𝑍 +𝑍
(1.9.1)
𝑍 −𝑍
Γ =
𝑍 +𝑍
(1.9.2)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 57

Electrónica Aplicada III

Fig. 1.9.1 Diagrama en bloque de un amplificador [1]

Para un transistor, las ondas progresivas de entrada y salida medidas en un sistema 𝑍 están relacionadas
por:
𝑏 =𝑆 𝑎 +𝑆 𝑎
(1.9.3)
𝑏 =𝑆 𝑎 +𝑆 𝑎
(1.9.4)
Los conceptos de coeficiente de reflexión y ondas progresivas pueden ser usados aún si no hay líneas de
transmisión en los puertos 1 y 2 de la Fig. 1.9.1. Los coeficientes de reflexión Γ y Γ y las ondas
progresivas 𝑎 , 𝑏 , 𝑎 y 𝑏 son los coeficientes de reflexión de las ondas progresivas que podrían existir
si las líneas de transmisión con impedancias características 𝑍 fueran insertadas en los puertos 1 y 2.
Alternativamente podríamos pensar en los coeficientes de reflexión y las ondas progresivas de una línea
de transmisión de longitud cero y de impedancia característica 𝑍 conectadas en los puertos 1 y 2.

Analicemos el circuito de la Fig. 1.9.1, los coeficientes de reflexión de entrada y salida, si no están
adaptadas las fuentes y carga.
Coeficientes de reflexión de la entrada y salida:
𝑏
Γ =
𝑎
𝑎
Γ =
𝑏
𝑎 =Γ 𝑏
(1.9.5)
Sustituyendo ec. 1.9.5 en ec. 1.9.4,

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 58

Electrónica Aplicada III

𝑏 =𝑆 𝑎 +𝑆 Γ 𝑏
𝑆 𝑎
𝑏 =
1−𝑆 Γ
(1.9.6)
Sustituyendo ec. 1.9.5 y ec. 1.9.6 en la ec. 1.9.3,
𝑆 𝑆 Γ
𝑏 =𝑆 𝑎 +𝑆 Γ 𝑏 =𝑆 𝑎 + 𝑎
1−𝑆 Γ
o,
𝑏 𝑆 𝑆 Γ
Γ = =𝑆 +
𝑎 1−𝑆 Γ
(1.9.7)
Si la carga es terminada con adaptación al puerto 2, entonces Γ = 0, y Γ =𝑆 .
El coeficiente de reflexión de salida es
𝑏
Γ =
𝑎

Con 𝐸 = 0 se tiene
𝑎
Γ =
𝑏
𝑎 =Γ𝑏
(1.9.8)
Sustituyendo la ec. 1.9.8 en ec. 1.9.3,
𝑏 =𝑆 Γ 𝑏 +𝑆 𝑎
o
𝑆 𝑎
𝑏 =
1−𝑆 Γ
(1.9.9)
Sustituyendo la ec. 1.9.8 y ec. 1.9.9 en ec. 1.9.4,
𝑆 𝑎
𝑏 =𝑆 Γ 𝑏 +𝑆 𝑎 =𝑆 Γ +𝑆 𝑎
1−𝑆 Γ
Entonces,
𝑏 𝑆 𝑆 Γ
Γ = =𝑆 +
𝑎 1−𝑆 Γ

(1.9.10)
Si la fuente es adaptada al puerto 1, entonces Γ = 0, y Γ =𝑆 .
La potencia entregada al puerto de entrada del transistor es:
1 1 1
𝑃 = |𝑎 | − |𝑏 | = |𝑎 | (1 − |Γ | )
2 2 2
(1.9.11)
De acuerdo a la Fig. 1.9.2,

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 59

Electrónica Aplicada III

𝑉 =𝐸 +𝐼 𝑍
(1.9.12)

(a), (b)
Fig. 1.9.2 (a) Puerto de entrada, (b) grafico de flujos de señales del amplificador [1]

Entonces, en términos de ondas progresivas la ec. 1.9.12 puede escribirse como:

𝑎 =𝑏 +Γ 𝑏
(1.9.13)
Donde
𝑉
𝑎 =
𝑍
𝑉
𝑏 =
𝑍

𝐸 𝑍
𝑏 =
𝑍 +𝑍
y
𝑍 −𝑍
Γ =
𝑍 +𝑍
Como 𝑏 = Γ 𝑎 ,
𝑎 =𝑏 +ΓΓ 𝑎
𝑏
𝑎 =
1−Γ Γ
(1.9.14)
Sustituyendo la ec. 1.9.14 en la ec. 1.9.11 obtenemos:
1 1 − |Γ |
𝑃 = |𝑏 |
2 |1 − Γ Γ |
(1.9.15)
La potencia disponible en la fuente es igual a la potencia de entrada cuando Γ = Γ ∗ . Si, entonces,
hacemos Γ = Γ∗:

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 60

Electrónica Aplicada III

1
|𝑏 |
𝑃 =𝑃 | ∗ = 2
1 − |Γ |
(1.9.16)
Sustituyendo la ec. 1.9.16 en la ec. 1.9.15, se puede expresar 𝑃
(1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
𝑃 =𝑃
|1 − Γ Γ |
(1.9.17)
La ec. 1.9.17 puede escribirse como:
𝑃 =𝑃 𝑀
(1.9.18)
(1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
𝑀 =
|1 − Γ Γ |
(1.9.19)
El factor 𝑀 se conoce como el factor de desadaptación de la fuente (pérdida por desadaptación de la
fuente). Este factor es utilizado para cuantificar qué porción de la potencia 𝑃 entregada en la entrada
del transistor. Observe que si Γ = Γ ∗ , entonces 𝑀 = 1, y por lo tanto, 𝑃 =𝑃 .

Fig. 1.9.3 Circuito equivalente de Thevenin del transistor en el puerto de salida [1]

La Fig. 1.9.3 muestra el circuito equivalente de Thevenin del transistor en el puerto de salida, donde 𝑍
es la impedancia de Thevenin vista desde los terminales de salida del transistor. De la Fig. 1.9.3:
𝑉 =𝐸 −𝐼 𝑍
Esta expresión es similar a la ec. 1.9.12, y se puede expresar en términos de ondas progresivas como:
𝑏 =𝑏 +Γ 𝑎
(1.9.20)
Donde
𝑉
𝑏 =
𝑍

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 61

Electrónica Aplicada III

𝑉
𝑎 =
𝑍

𝐸 𝑍
𝑏 =
𝑍 +𝑍
y
𝑍 −𝑍
Γ =
𝑍 +𝑍
Como 𝑎 = Γ 𝑏 ,
𝑏 =𝑏 +Γ Γ 𝑏
𝑏
𝑏 =
1−Γ Γ
(1.9.21)
La potencia disipada en la carga 𝑍 es
1 1 1
𝑃 = |𝑏 | − |𝑎 | = |𝑏 | (1 − |Γ | )
2 2 2
(1.9.22)
Sustituyendo la ec. 1.9.21 en la ec. 1.9.22 obtenemos:
1 1 − |Γ |
𝑃 = |𝑏 |
2 |1 − Γ Γ |
(1.9.23)
La potencia disponible en la desde la red Γ es igual a la potencia entregada a la carga cuando Γ =
Γ∗ . Si, entonces, hacemos Γ = Γ ∗ :
1
|𝑏 |
𝑃 =𝑃 | ∗ = 2
1 − |Γ |
(1.9.24)
Sustituyendo la ec. 1.9.24 en la ec. 1.9.23, se puede expresar 𝑃 en la forma
(1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
𝑃 =𝑃
|1 − Γ Γ |
(1.9.25)
La ec. 1.9.25 puede escribirse como
𝑃 =𝑃 𝑀
(1.9.26)
(1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
𝑀 =
|1 − Γ Γ |
(1.9.27)
El factor 𝑀 se conoce como el factor de desadaptación de la carga (pérdida por desadaptación de la
carga). Este factor es utilizado para cuantificar qué porción de la potencia 𝑃 entregada en la carga.
Observe que si Γ = Γ ∗ entonces 𝑀 = 1, y por lo tanto, 𝑃 = 𝑃 .

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 62

Electrónica Aplicada III

La ganancia de potencia está dada por:

𝑃
𝐺 =
𝑃
Usando las ec. 1.9.11 y ec. 1.9.22, se puede escribir:
1
𝑃 |𝑏 | (1 − |Γ | )
𝐺 = = 2
𝑃 1
|𝑎 | (1 − |Γ | )
2
(1.9.28)
Sustituyendo la ec. 1.9.6 en la ec. 1.9.28,
1 𝑆 𝑎
(1 − |Γ | )
2 1−𝑆 Γ
𝐺 = =
1
|𝑎 | (1 − |Γ | )
2
1 1 − |Γ |
𝐺 = |𝑆 |
1 − |Γ | |1 − 𝑆 Γ |
(1.9.29)
La ganancia de transductor está dada por:
𝑃 𝑃 𝑃 𝑃
𝐺 = = =𝐺
𝑃 𝑃 𝑃 𝑃
(1.9.30)
De la ec. 1.9.28, la relación 𝑃 /𝑃 es 𝑀 , por lo que la ec. 1.9.30 es:
𝐺 =𝐺 𝑀
(1.9.31)
Sustituyendo la ec. 1.9.19 y ec. 1.9.29 en ec. 1.9.31,
1 − |Γ | 1 − |Γ |
𝐺 = |𝑆 |
|1 − Γ Γ | |1 − 𝑆 Γ |
(1.9.32)
Manipulando el denominador, la ec. 1.9.32 puede escribirse también,
1 − |Γ | 1 − |Γ |
𝐺 = |𝑆 |
|1 − S Γ | |1 − Γ Γ |
(1.9.33)
O también
1 − |Γ | 1 − |Γ |
𝐺 = |𝑆 |
|1 − Γ Γ | |1 − S Γ |
(1.9.34)
La potencia disponible en la carga puede expresarse como
𝑃 𝑃 𝑃 𝐺
𝐺 = = =
𝑃 𝑃 𝑃 𝑀
Usando la ec.1.9.27 y ec. 1.9.33, se puede escribir 𝐺 en la forma:

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 63

Electrónica Aplicada III

1 − |Γ | 1
𝐺 = |𝑆 |
|1 − S Γ | 1 − |Γ |
(1.9.35)
Es de interés investigar la significancia de los factores de desadaptación 𝑀 y 𝑀 .

Fig. 1.9.4 (a) Puerto de entrada; (b) puerto de salida [1]

De la ec. 1.9.18, el factor 𝑀 relaciona 𝑃 a 𝑃 . Si se considera la red de la Fig. 1.9.4.a, de esta red,
1 |𝐸 |
𝑃 =
8 𝑅
La potencia de entrada está dada por:
1 𝐸 1 |𝐸 | 4𝑅 𝑅 4𝑅 𝑅
𝑃 = 𝑅 = =𝑃
2 𝑍 +𝑍 8 𝑅 |𝑍 + 𝑍 | |𝑍 + 𝑍 |
(1.9.36)
Comparando la ec. 1.9.36 con la ec. 1.9.18, se deduce que el factor de desadaptación 𝑀 es el término en
paréntesis, por lo que
4𝑅 𝑅
𝑀 =
|𝑍 + 𝑍 |
(1.9.37)
Esta ecuación es equivalente a la ec. 1.9.19,
4𝑅 𝑅 (1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
𝑀 = =
|𝑍 + 𝑍 | |1 − Γ Γ |
(1.9.38)
En el puerto de salida,
4𝑅 𝑅
𝑀 =
|𝑍 + 𝑍 |
(1.9.39)
4𝑅 𝑅 (1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
𝑀 = =
|𝑍 + 𝑍 | |1 − Γ Γ |
(1.9.40)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 64

Electrónica Aplicada III

Ejemplo 1.9.1
En una red de la Fig. 1.9.5, 𝑍 = 150 + 𝑗150Ω, 𝑍 = 𝑍 = 𝑍 = 50Ω, y 𝑙 = 𝑙 = 𝜆/8.

Fig. 1.9.5 Circuito del ejemplo 1.9.1 [1]

(a) Calcule 𝑍 (0).

(b) Calcule 𝑎 (0), 𝑏 (0), 𝑎 (𝜆/8), 𝑏 (𝜆/8), y 𝑎 (0).
(c) Calcule 𝑉 (0), 𝑉 (𝜆/8), 𝐼 (0), y 𝐼 (𝜆/8).
(d) Calcule la potencia de entrada promedio en 𝑥 = 0 y en 𝑥 = 𝜆/8.
(e) Calcule y demuestre que 𝑃 (0) = 𝑃 (𝜆/8)
(f) Calcule 𝑆 (0) y 𝑆 (𝜆/8)
(g) Calcule VSWR de entrada y VSWR de salida.
(h) Calcule la longitud eléctrica y la longitud en centímetros de la línea de transmisión de 𝜆/8 a 𝑓 =
1𝐺𝐻𝑧
(i) Calcule la potencia entregada en la carga 𝑍 , si los parámetros S medidos en los planos de
referencia 𝑥 = 𝑙 , y 𝑥 = 𝑙 son
𝑆 =?
𝑆 =0
𝑆 = 3 60
𝑆 = 0.7 30

Solución:
(a)
Ec (1.1.32)
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑
𝑍 (𝑑) = 𝑍
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑
Ec. (1.5.4.a)

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 65

Electrónica Aplicada III

1
𝑎 (𝑥 ) = [𝑉 (𝑥 ) + 𝑍 𝐼 (𝑥 )]
2 𝑍
Ec. (1.5.4.b)
1
𝑏 (𝑥 ) = [𝑉 (𝑥 ) − 𝑍 𝐼 (𝑥 )]
2 𝑍

𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑 (150 + 𝑗150) + 𝑗50𝑡𝑎𝑛45°

𝑍 (0) = 𝑍 (𝑑)| ⁄ =𝑍 = 50 = 23 − 𝑗65𝛺
𝑍 + 𝑗𝑍 𝑡𝑎𝑛𝛽𝑑 50 + 𝑗(150 + 𝑗150)𝑡𝑎𝑛45°

(b)
1
𝑎 (0) = [𝑉 (0) + 𝑍 𝐼 (0)]
2 𝑍
𝑉 (0) = 𝐸 − 𝑍 𝐼 (0)
Por lo tanto,
1 𝐸 10
𝑎 (0) = [𝐸 − 𝑍 𝐼 (0) + 𝑍 𝐼 (0)] = = = 0.707
2 𝑍 2 𝑍 2√50

⁄
1
𝑎 (𝜆⁄8) = 𝑎 (0)𝑒 = 𝑎 (0)𝑒 = −45
√2

1 1
𝑏 (0) = [𝑉 (0) − 𝑍 𝐼 (0)] = [𝐸 − 𝑍 𝐼 (0) − 𝑍 𝐼 (0)]
2 𝑍 2 𝑍

1 1
𝑏 (0) = [10 − 50𝐼 (0) − 50𝐼 (0)] = [10 − 50𝐼 (0)]
2√50 2√50

𝐸 10
𝐼 (0) = = = 0.102 41.68 𝐴
50 + 𝑍 (0) 50 + 23 − 𝑗65

1
𝑏 (0) = 10 − 2 ∗ 50 0.102 41.68 = 0.508 −70.65
2√50

⁄
𝑏 (𝜆⁄8) = 𝑏 (0)𝑒 = 𝑏 (0)𝑒 = 0.508 −25.65

Debido a que la salida está adaptada, 𝑎 (0) = 0.

(c)
𝑉 (0) = 𝐼 (0)𝑍 (0) = 0.102 41.68 (23 − 𝑗65) = 7.05 −28.8 𝑉

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 66

Electrónica Aplicada III

𝑉 (𝜆⁄8) = 𝑍 [𝑎 (𝜆⁄8) + 𝑏 (𝜆⁄8)] =

𝑉 (𝜆⁄8) = √50 0.707 −45 + 0.508 −25.65 = 8.47 −36.92

8.47 −36.92
𝐼 (𝜆⁄8) = = 0.04 −81.92
150 + 𝑗150
(d, e)
1
𝑃 (0) = Re[𝑉 (0)𝐼 ∗ (0)] = 0.12 𝑊
2

1
𝑃 (𝜆⁄8) = Re[𝑉 (𝜆⁄8)𝐼 ∗ (𝜆⁄8)] = 0.12 𝑊
2
(f)
𝑍 −𝑍 (150 + 𝑗150) − 50
𝑆 (𝜆⁄8) = = = 0.4721 19.44
𝑍 +𝑍 (150 + 𝑗150) + 50

( / )
𝑆 (0) = 𝑆 (𝜆⁄8)𝑒 = 0.721 19.44 −90 = 0.721 −70.56
(g)
1 + |Γ | 1 + |S |
𝑉𝑆𝑊𝑅| = = = 6.17
1 − |Γ | 1 − |S |
𝑉𝑆𝑊𝑅| =1
(h)
𝑣 3 ∗ 10
𝜆= = = 30𝑐𝑚
𝑓 10
𝜆 30
𝑙= = = 3.75𝑐𝑚
8 8

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 67

Electrónica Aplicada III

1 Bibliografía

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[6] K. Kurokawa; “Power Waves and Scattering Matrix”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
(Volume: 13 , Issue: 2 , Mar 1965 ), pp 194 – 202.
[7] Subhash Chandra Bera, Microwave Active Devices and Circuits for Communication, Springer, 2019
[8] Devendra Mishra, Radio-Frequency and Microwave Communication Circuits, Wiley, 2001
[9] Transmission Lines, Digital Maestro Series, Amanogawa, 2006 -

EA3 Representación de redes de dos puertos Pág. 68