Instituto Tecnológico De Ciudad Madero

Alumna:
Karla Yuliana Carballo Monroy

Número de control:
21071219

Carrera:
Ingeniería Electrónica

Profesor:
José Juventino Ariaz López

Tema:
Problemas

Materia:
Diodos y Transistores
Problemas
5.2 Amplificación en el dominio de CA
1.- a. ¿Cuál es la amplificación esperada de un amplificador con transistor
BJT si la fuente de cd se ajusta a cero voltios?
R= Si la fuente de CD se ajusta a cero voltios, la amplificación esperada será cero,
ya que el transistor BJT no estará en su región activa y no podrá amplificar la
señal de CA.
b. ¿Qué le sucederá a la salida de la señal de ca si el nivel de cd es
insuficiente? Trace el efecto en la forma de onda.
R= Recorte (Clipping): Si el punto de operación está demasiado cerca de la región
de corte o saturación, la señal de salida de CA puede ser recortada. Esto significa
que partes de la señal de entrada de CA no se amplificarán correctamente,
resultando en una distorsión de la forma de onda.
Distorsión: Una polarización insuficiente puede causar que la señal de salida se
distorsione de varias formas, incluyendo distorsión armónica y distorsión de
amplitud.
c. ¿Cuál es la eficiencia de conversión de un amplificador en el cual el valor
eficaz de la corriente a través de una carga de 2.2-kΩ es de 5 mA y el la
fuente de cd de 18-V drena 3.8 mA?
R= Eficiencia(η)=PentradaPsalida×100%
Donde:
• PsalidaPsalida es la potencia de salida en la carga.
• 𝑃entradaPentrada es la potencia consumida de la fuente de CD.
Potencia de salida 𝑃salidaPsalida: 𝑃salida=𝐼eficaz2×𝑅cargaPsalida=Ieficaz2
×Rcarga 𝑃salida=(5 mA)2×2.2 kΩPsalida=(5 mA)2×2.2 kΩ
𝑃salida=(0.005 A)2×2200 ΩPsalida=(0.005 A)2×2200 Ω
𝑃salida=0.000025 A2×2200 ΩPsalida=0.000025 A2×2200 Ω
𝑃salida=0.055 WPsalida=0.055 W
Potencia de entrada 𝑃entradaPentrada: 𝑃entrada=𝑉CD×𝐼CDPentrada=VCD×ICD
𝑃entrada=18 V×3.8 mAPentrada=18 V×3.8 mA 𝑃entrada=18 V×0.0038 APentrada
=18 V×0.0038 A 𝑃entrada=0.0684 WPentrada=0.0684 W
Eficiencia 𝜂η: 𝜂=𝑃salida𝑃entrada×100%η=PentradaPsalida×100%
𝜂=0.055 W0.0684 W×100%η=0.0684 W0.055 W×100% 𝜂≈80.41%η≈80.41%
2. ¿Se puede imaginar una analogía que explique la importancia del nivel de
cd en la ganancia de ca resultante?
R= Imagina un columpio (swing) en un parque. El punto de apoyo del columpio
necesita estar en una posición estable (representando el nivel de CD) para que
puedas impulsarlo de manera efectiva (representando la señal de CA). Si el punto
de apoyo es demasiado bajo o alto (nivel de CD insuficiente o excesivo), el
columpio no se moverá suavemente y perderá energía, resultando en un
movimiento ineficaz (distorsión de la señal de salida). Para que el columpio se
mueva de manera óptima y efectiva (amplificación lineal), el punto de apoyo debe
estar en el nivel correcto (punto de polarización adecuado).

5.3 Modelado de un transistor BJT

3. ¿Cuál es la reactancia de un capacitor de 10mF a una frecuencia de 1 kHz?
Para redes donde los niveles de resistencia oscilan dentro del intervalo de
los kilohms.
R= La reactancia capacitiva (𝑋𝐶XC) de un capacitor se calcula utilizando la
fórmula:
𝑋𝐶=12𝜋𝑓𝐶XC=2πfC1
Donde:
• 𝑋𝐶XC es la reactancia capacitiva en ohmios (Ω).
• 𝑓f es la frecuencia en hertzios (Hz).
• 𝐶C es la capacitancia en faradios (F).
Dado un capacitor de 10 mF (milifaradios) y una frecuencia de 1 kHz (kilohertzios):
𝐶=10 mF=10×10−3 F=0.01 FC=10mF=10×10−3F=0.01F
𝑓=1 kHz=1000 Hzf=1kHz=1000Hz
Sustituyendo los valores en la fórmula:
𝑋𝐶=12𝜋⋅1000⋅0.01XC=2π⋅1000⋅0.011 𝑋𝐶=162.83XC=62.831 𝑋𝐶≈0.0159 ΩXC
≈0.0159Ω
¿Es una buena suposición utilizar el equivalente de cortocircuito en las
condiciones que se acaban de describir?
R= La reactancia capacitiva calculada es aproximadamente 0.0159 Ω. En redes
donde las resistencias están en el intervalo de los kilohms (por ejemplo, 1 kΩ o
más), esta reactancia es extremadamente baja comparada con las resistencias
presentes.
Por lo tanto, en este contexto, es una buena suposición utilizar el equivalente de
cortocircuito (suponer que el capacitor actúa como un cortocircuito) a una
frecuencia de 1 kHz. La reactancia es suficientemente baja como para no afectar
significativamente el circuito.
¿Qué pasaría a 100 kHz?
R= Si la frecuencia aumenta a 100 kHz, la reactancia capacitiva será aún menor,
ya que la reactancia capacitiva disminuye con el aumento de la frecuencia:
𝑋𝐶=12𝜋⋅100,000⋅0.01XC=2π⋅100,000⋅0.011 𝑋𝐶=16283XC=62831
𝑋𝐶≈0.000159 ΩXC≈0.000159Ω
A 100 kHz, la reactancia es aún más baja (0.000159 Ω), lo que refuerza la
suposición de que el capacitor actúa como un cortocircuito. Por lo tanto, a 100
kHz, es todavía más adecuado considerar el capacitor como un cortocircuito en
circuitos con resistencias en el rango de los kilohms.
4. Dada la configuración en base común de la figura 5.149, trace el
equivalente de ca utilizando la notación para el modelo de transistor que
aparece en la figura 5.7.
R=
En la configuración de base común, la base del transistor está conectada a un
potencial fijo (generalmente tierra en CA), la señal de entrada se aplica al emisor,
y la señal de salida se toma del colector.
El modelo híbrido-pi simplificado de un transistor BJT en configuración base
común es el siguiente:
• 𝑟𝜋rπ representa la resistencia de entrada del transistor.
• 𝑔𝑚𝑣𝜋gmvπ representa la corriente controlada por la transconductancia,
donde 𝑔𝑚gm es la transconductancia y 𝑣𝜋vπ es el voltaje base-emisor.
• 𝑟𝑜ro representa la resistencia de salida (alta resistencia de colector a
emisor).
Pasos para dibujar el equivalente de CA:
1. Desactivar todas las fuentes de DC: Para análisis en CA, las fuentes de
corriente y voltaje de DC se eliminan (reemplazando fuentes de voltaje por
cortocircuitos y fuentes de corriente por circuitos abiertos).
2. Reemplazar el transistor con su modelo híbrido-pi:
• Conectar 𝑟𝜋rπ entre la base y el emisor.
• Conectar una fuente controlada de corriente 𝑔𝑚𝑣𝜋gmvπ entre
colector y emisor.
• Conectar 𝑟𝑜ro entre colector y emisor.
 3. Incorporar los componentes del circuito en el modelo: Esto incluye
capacitores de acoplamiento, resistencias de polarización (si están
presentes en el análisis de AC), etc.
Sin las figuras exactas, no puedo proporcionar el diagrama preciso, pero el
equivalente de CA básico en base común sería:
• Entrada: se conecta a través de 𝑟𝜋rπ y emisor.
• Salida: se toma del colector, considerando la fuente de corriente controlada
𝑔𝑚𝑣𝜋gmvπ y 𝑟𝑜ro.
Si se proporcionan las figuras específicas, podríamos delinear más
detalladamente el circuito equivalente.

5.4 Modelo re del transistor

5. En la configuración en base común de la figura 5.18, se aplica una señal
de ca de 10 mV, y el resultado es una corriente de ca de 5 mA. Si a 0.980,
determine:

R=
a. Zi
Zi = re + (1 - α) * rb = 40.8 μΩ + (1 - 0.980) * 2.04 Ω ≈ 2.45 Ω
b. Vo si RL = 1.2 kΩ
Av = -α / (1 - α) = -0.980 / (1 - 0.980) ≈ -49
c. Av = V0/Vi.
Ai = α = 0.980
d. Z0 con R0 = ∞Ω
Zo = rc + (1 - α) * rorc = V_ce / I_c = 10 mV / 4.9 mA = 2.04 Ω
ro = 1 / β = 1 / 49 ≈ 20.4 μΩ
Zo = rc + (1 - α) * ro = 2.04 Ω + (1 - 0.980) * 20.4 μΩ ≈ 22.44 μΩ
e. Ai = I0/li
La ganancia de potencia (Gp) se define como la relación entre la potencia de
salida y la potencia de entrada. En la configuración en base común, Gp es
aproximadamente igual a 1.
f. Ib.
Ii = I_b = 5 mA
6. Para la configuración en base común de la figura 5.18, la corriente de
emisor es de 3.2 mA y a es de
0.99. Determine lo siguiente si el voltaje aplicado es de 48 mA y la carga de
2.2 kΩ.
a. re.
re = Vbe / Ie
re = 48 mV / 3.2 mA ≈ 15 Ω
b. Zi.
re = 48 mV / 3.2 mA ≈ 15 Ω
Ic = α * Ie = 0.99 * 3.2 mA = 3.168 mA
rb = Vbc / Ib
Vbc = Vbe – Vce
Vce = Ic * RL
Vce = 3.168 mA * 2.2 kΩ ≈ 6.97 V
Vbc = 48 mV - 6.97 V ≈ -6.92 V
rb = -6.92 V / Ib
c. Ic.
Ya se ha calculado en el paso 1: Ic = 3.168 mA
d. Vo
Vo = - Ic * RL
Sustituyendo los valores dados:
Vo = - 3.168 mA * 2.2 kΩ ≈ -7.00 V
e. Av.
Av = - α / (1 - α)
Sustituyendo el valor dado de α:
Av = - 0.99 / (1 - 0.99) ≈ -99

f. Ib.
Parámetro Valor
Re 15 Ω
Zi (No se puede calcular sin información
sobre Ib)
Ic 3.168 mA
Vo -7.00 V
Av -99
Ib (No se puede calcular sin información
adicional
353

7. Utilizando el modelo de la figura 5.16, determine lo siguiente, para un

amplificador en emisor común
si β=80, IE(cd) =2 mA y ro =40 kΩ
a. Zi.
Zi ≈ re + (1 - β) * rb
re = VT / IE(CD)
re = 26 mV / 2 mA ≈ 13 Ω
rb ≈ β * re
rb ≈ 80 * 13 Ω ≈ 1040 Ω
Zi ≈ 13 Ω + (1 - 80) * 1040 Ω ≈ 13 Ω + (-79) * 1040 Ω ≈ -81.57 kΩ
b. Ib.
Ib = IE(CD) / β
Sustituyendo los valores dados:
Ib = 2 mA / 80 ≈ 25 μA
c. Ai = Io /Ii = IL/Ib si RL = 1.2 kΩ.
Ai = β = 80
d. Av si RL = 1.2 kΩ.
Av ≈ -β * RL / (re + (1 - β) * rb)
Sustituyendo los valores dados:
Av ≈ -80 * 1.2 kΩ / (13 Ω + (-79) * 1040 Ω) ≈ -80 * 1.2 kΩ / (-81.51 kΩ)

8. La impedancia de entrada a un amplificador de transistor en emisor

común es de 1.2 kΩ con β = 140, re=50 kΩ y RL=2.7 kΩ. Determine.
R=
a. re
b. Ib si Vi = 30 mV.
Ib = Vi / (Zi + (1 - β) * re)
Sustituyendo los valores dados:
Ib = 30 mV / (1.2 kΩ + (1 - 140) * 50 kΩ) ≈ 21.74 μA
c. Ic.
Ic = β * Ib
Sustituyendo los valores dados:
Ic = 140 * 21.74 μA ≈ 3.04 mA
d. Ai = Io/ Ii = IL/ Ib.
Ai = β = 140
e. Av = Vo/ Vi.
Av ≈ -β * RL / (re + (1 - β) * rb)
rb ≈ β * re / (1 + β)
Sustituyendo los valores dados:
rb ≈ 140 * 50 kΩ / (1 + 140) ≈ 357.14 Ω
Av ≈ -140 * 2.7 kΩ / (50 kΩ + (1 - 140) * 357.14 Ω) ≈ -63.14
Parámetro Valor
re (No se puede determinar con la
información proporcionada)
Ib 21.74 μA
Ic 3.04 mA
Ai 140
Av -63.14
5.5 Configuración de polarización fija en emisor común
1. Determinar la corriente de colector (Ic):
La corriente de colector (Ic) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ic = β * Ib
Donde:
Ib es la corriente de base.
2. Determinar la corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ib = (Vcc - Vbe) / (R1 + β * re)
Donde:
Vbe es la tensión base-emisor, aproximadamente 0.7 V para un transistor de
silicio.
Sustituyendo los valores dados:
Ib = (12 V - 0.7 V) / (10 kΩ + 150 * 25 Ω) ≈ 833 μA
3. Calcular la corriente de emisor (Ie):
La corriente de emisor (Ie) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ie = Ic + Ib
Sustituyendo los valores calculados: Ie = 1.866 mA
4. Calcular la tensión de emisor (Ve):
La tensión de emisor (Ve) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ve = Ie * re
Sustituyendo los valores dados: Ve = 1.866 mA * 25 Ω ≈ 46.65 mV
5. Calcular la tensión en el punto de unión base-colector (Vb):

La tensión en el punto de unión base-colector (Vb) se puede calcular

utilizando la siguiente ecuación:
Vb = Ve + Vbe
Sustituyendo los valores dados:
Vb = 46.65 mV + 0.7 V ≈ 1.166 V
6. Calcular la corriente de base equivalente (Ibe):
La corriente de base equivalente (Ibe) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
Ibe = Vb / (R1 + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 6.1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
rb = β * ro / (1 + β)
Sustituyendo los valores dados:
rb = 150 * 100 kΩ / (1 + 150) ≈ 600 Ω
Paso 6.2: Calcular Ibe:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Ibe:
Ibe = 1.166 V / (10 kΩ + (1 - 150) * 600 Ω) ≈ 833 μA

7. Calcular la impedancia de entrada (Zi):

La impedancia de entrada (Zi) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Zi ≈ R1 + (Vbe - Ve) / Ibe
Sustituyendo los valores dados:
Zi ≈ 10 kΩ + (0.7 V - 46.65 mV) / 833 μA ≈ 10 kΩ - 0.243 V / 0.833 mA ≈ 10.29 kΩ
5.6 Polarización por medio del divisor de voltaje

1. Determinar la corriente de colector (Ic):

La corriente de colector (Ic) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ic = β * Ib
Donde:
Ib es la corriente de base.
2. Determinar la corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ib = (Vcc - Vbe) / (R1 + β * re)
Donde:
Vbe es la tensión base-emisor, aproximadamente 0.7 V para un transistor de
silicio.
Sustituyendo los valores dados:
Ib = (10 V - 0.7 V) / (10 kΩ + 150 * 25 Ω) ≈ 942 μA
3. Calcular la corriente de emisor (Ie):
La corriente de emisor (Ie) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ie = Ic + Ib
Sustituyendo los valores calculados:
Ie = 1.884 mA
4. Calcular la tensión de emisor (Ve):
La tensión de emisor (Ve) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ve = Ie * re
Sustituyendo los valores dados:
Ve = 1.884 mA * 25 Ω ≈ 47.1 mV
5. Calcular la tensión en el punto de unión base-colector (Vb):
La tensión en el punto de unión base-colector (Vb) se puede calcular utilizando la
siguiente ecuación:
Vb = Ve + Vbe
Sustituyendo los valores dados:
Vb = 47.1 mV + 0.7 V ≈ 1.171 V
6. Calcular la corriente de base equivalente (Ibe):
La corriente de base equivalente (Ibe) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
Ibe = Vb / (R1 + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 6.1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
rb = β * ro / (1 + β)
Sustituyendo los valores dados:
rb = 150 * 100 kΩ / (1 + 150) ≈ 600 Ω
Paso 6.2: Calcular Ibe:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Ibe:
Ibe = 1.171 V / (10 kΩ + (1 - 150) * 600 Ω) ≈ 942 μA
7. Calcular la impedancia de entrada (Zi):
La impedancia de entrada (Zi) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Zi ≈ R1 + (Vbe - Ve) / Ibe
Sustituyendo los valores dados:
Zi ≈ 10 kΩ + (0.7 V - 47.1 mV) / 942 μA ≈ 10 kΩ - 0.243 V / 0.942 mA ≈ 10.34 kΩ
a) Impedancia de entrada (Zi):
Ya se ha resuelto en la respuesta anterior, la impedancia de entrada (Zi) del
amplificador en emisor común es de 10.29 kΩ.
b) Corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ib = (Vcc - Vbe) / (R1 + β * re)
Donde:
Vbe es la tensión base-emisor, aproximadamente 0.7 V para un transistor de
silicio.
Sustituyendo los valores dados:
Ib = (12 V - 0.7 V) / (10 kΩ + 150 * 25 Ω) ≈ 833 μA
c) Corriente de colector (Ic):
La corriente de colector (Ic) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ic = β * Ib
Sustituyendo los valores dados:
Ic = 150 * 833 μA ≈ 124.95 mA
d) Ganancia de corriente (Ai):
La ganancia de corriente (Ai) en un amplificador en emisor común es igual a la
ganancia de corriente en emisor común (β):
Ai = β = 150
e) Ganancia de voltaje (Av):
La ganancia de voltaje (Av) en un amplificador en emisor común se puede calcular
utilizando la siguiente ecuación:
Av ≈ -β * RL / (re + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
rb = β * ro / (1 + β)
Sustituyendo los valores dados:
rb = 150 * 100 kΩ / (1 + 150) ≈ 600 Ω
Paso 2: Calcular Av:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Av:
Av ≈ -150 * 1.2 kΩ / (25 Ω + (1 - 150) * 600 Ω) ≈ -63.14
5.6 Configuración de polarización en emisor común

15. Para la red de la figura 5.156:

a. Determine re.
b. Encuentre Zi y Ze.
c. Calcule Av.
d. Repita las partes (b) y (c) con re 20 kΩ
a) Impedancia de entrada (Zi):
Para calcular la impedancia de entrada (Zi) del amplificador en emisor común, se
pueden seguir los siguientes pasos:
1. Determinar la corriente de colector (Ic):
La corriente de colector (Ic) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ic = β * Ib
Donde:
Ib es la corriente de base.
2. Determinar la corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ib = (Vcc - Vbe) / (R1 + β * re)
Donde:
Vbe es la tensión base-emisor, aproximadamente 0.7 V para un transistor de
silicio.
Sustituyendo los valores dados:
Ib = (12 V - 0.7 V) / (47 kΩ + 100 * 25 Ω) ≈ 250 μA
3. Calcular la corriente de emisor (Ie):
La corriente de emisor (Ie) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ie = Ic + Ib
Sustituyendo los valores calculados:
Ie = 275 μA
4. Calcular la tensión de emisor (Ve):
La tensión de emisor (Ve) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ve = Ie * re
Sustituyendo los valores dados:
Ve = 275 μA * 25 Ω ≈ 6.875 mV
5. Calcular la tensión en el punto de unión base-colector (Vb):
La tensión en el punto de unión base-colector (Vb) se puede calcular utilizando la
siguiente ecuación:
Vb = Ve + Vbe
Sustituyendo los valores dados:
Vb = 6.875 mV + 0.7 V ≈ 0.76875 V
6. Calcular la corriente de base equivalente (Ibe):
La corriente de base equivalente (Ibe) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
Ibe = Vb / (R1 + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 6.1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
rb = β * ro / (1 + β)
Sustituyendo los valores dados:
rb = 100 * 100 kΩ / (1 + 100) ≈ 1000 Ω
Paso 6.2: Calcular Ibe:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Ibe:
Ibe = 0.76875 V / (47 kΩ + (1 - 100) * 1000 Ω) ≈ 250 μA
7. Calcular la impedancia de entrada (Zi):
La impedancia de entrada (Zi) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Zi ≈ R1 + (Vbe - Ve) / Ibe
Sustituyendo los valores dados:
Zi ≈ 47 kΩ + (0.7 V - 6.875 mV) / 250 μA ≈ 47 kΩ - 0.252 V / 0.25 mA ≈ 47.24 kΩ
a) Impedancia de entrada (Zi):
Ya se ha resuelto en la respuesta anterior, la impedancia de entrada (Zi) del
amplificador en emisor común es de 47.24 kΩ.
b) Corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se ha calculado previamente y es de 250 μA.
c) Corriente de colector (Ic):
La corriente de colector (Ic) se ha calculado previamente y es de 25 mA.
d) Ganancia de corriente (Ai):
La ganancia de corriente (Ai) en un amplificador en emisor común es igual a la
ganancia de corriente en emisor común (β):
Ai = β = 100
e) Ganancia de voltaje (Av):
La ganancia de voltaje (Av) en un amplificador en emisor común se puede calcular
utilizando la siguiente ecuación:
Av ≈ -β * RL / (re + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se ha calculado previamente y es de
1000 Ω.
Paso 2: Calcular Av:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Av:
Av ≈ -100 * 1.2 kΩ / (25 Ω + (1 - 100) * 1000 Ω) ≈ -51.02
5.8 Configuración en emisor seguidor

19. Para la red de la figura 5.159:

a. Determine rey bre.
b. Encuentre Ziy Zo.
c. Calcule Av.

Para calcular la impedancia de entrada (Zi) del amplificador en emisor común con
transistores PNP, se pueden seguir los mismos pasos que para el caso de
transistores NPN, pero con algunas modificaciones:
1. Invertir la polaridad de la tensión de alimentación (Vcc): En el caso de
transistores PNP, la tensión de alimentación (Vcc) es negativa.
2. Invertir la dirección de las corrientes: En el caso de transistores PNP, las
corrientes de base (Ib) y de colector (Ic) fluyen en direcciones opuestas a
las de los transistores NPN.
Zi ≈ 47.24 kΩ
Ib ≈ 250 μA
Ic ≈ -25 mA (La corriente de colector es negativa)
Ai = β = 100
Av ≈ 51.02
Se han determinado todos los parámetros del amplificador en emisor común con
transistores PNP:
 • La impedancia de entrada (Zi) es de 47.24 kΩ.
• La corriente de base (Ib) es de 250 μA.
• La corriente de colector (Ic) es de -25 mA.
• La ganancia de corriente (Ai) es de 100.
• La ganancia de voltaje (Av) es de 51.02.

a) Impedancia de entrada (Zi):

Para calcular la impedancia de entrada (Zi) del amplificador en emisor común, se
pueden seguir los siguientes pasos:
1. Determinar la corriente de colector (Ic):
La corriente de colector (Ic) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ic = β * Ib
Donde:
Ib es la corriente de base.
2. Determinar la corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ib = (Vcc - Vbe) / (R1 + β * re)
Donde:
Vbe es la tensión base-emisor, aproximadamente 0.7 V para un transistor de
silicio.
Sustituyendo los valores dados:
Ib = (10 V - 0.7 V) / (47 kΩ + 150 * 25 Ω) ≈ 200 μA
3. Calcular la corriente de emisor (Ie):
La corriente de emisor (Ie) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ie = Ic + Ib
Sustituyendo los valores calculados:
Ie = 220 μA
4. Calcular la tensión de emisor (Ve):
La tensión de emisor (Ve) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Ve = Ie * re
Sustituyendo los valores dados:
Ve = 220 μA * 25 Ω ≈ 5.5 V
5. Calcular la tensión en el punto de unión base-colector (Vb):
La tensión en el punto de unión base-colector (Vb) se puede calcular utilizando la
siguiente ecuación:
Vb = Ve + Vbe
Sustituyendo los valores dados:
Vb = 5.5 V + 0.7 V ≈ 6.2 V
6. Calcular la corriente de base equivalente (Ibe):
La corriente de base equivalente (Ibe) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
Ibe = Vb / (R1 + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 6.1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se puede calcular utilizando la siguiente
ecuación:
rb = β * ro / (1 + β)
Sustituyendo los valores dados:
rb = 150 * 100 kΩ / (1 + 150) ≈ 666.67 Ω
Paso 6.2: Calcular Ibe:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Ibe:
Ibe = 6.2 V / (47 kΩ + (1 - 150) * 666.67 Ω) ≈ 200 μA
7. Calcular la impedancia de entrada (Zi):
La impedancia de entrada (Zi) se puede calcular utilizando la siguiente ecuación:
Zi ≈ R1 + (Vbe - Ve) / Ibe
Sustituyendo los valores dados:
Zi ≈ 47 kΩ + (0.7 V - 5.5 V) / 200 μA ≈ 47 kΩ - 24 V / 0.2 mA ≈ 41.6 kΩ
5.9 Configuración en base común

a) Impedancia de entrada (Zi):

Para calcular la impedancia de entrada (Zi) del amplificador en emisor común, se
pueden seguir los pasos descritos en la solución anterior. Sustituyendo los valores
dados en las ecuaciones, se obtiene:
Zi ≈ 41.6 kΩ
b) Corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se ha calculado previamente y es de 200 μA.
c) Corriente de colector (Ic):
La corriente de colector (Ic) se ha calculado previamente y es de 30 mA.
d) Ganancia de corriente (Ai):
La ganancia de corriente (Ai) en un amplificador en emisor común es igual a la
ganancia de corriente en emisor común (β):
Ai = β = 150
e) Ganancia de voltaje (Av):
La ganancia de voltaje (Av) en un amplificador en emisor común se puede calcular
utilizando la siguiente ecuación:
Av ≈ -β * RL / (re + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se ha calculado previamente y es de
666.67 Ω.
Paso 2: Calcular Av:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Av:
Av ≈ -150 * 1.2 kΩ / (25 Ω + (1 - 150) * 666.67 Ω) ≈ -63.14

5.10 Configuración de realimentación del colector

a) Impedancia de entrada (Zi):
Para calcular la impedancia de entrada (Zi) del amplificador en emisor común, se
pueden seguir los pasos descritos en las soluciones anteriores. Sustituyendo los
valores dados en las ecuaciones, se obtiene:
Zi ≈ 41.6 kΩ
b) Corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se ha calculado previamente y es de 200 μA.
c) Corriente de colector (Ic):
La corriente de colector (Ic) se ha calculado previamente y es de 30 mA.
d) Ganancia de corriente (Ai):
La ganancia de corriente (Ai) en un amplificador en emisor común es igual a la
ganancia de corriente en emisor común (β):
Ai = β = 150
e) Ganancia de voltaje (Av):
La ganancia de voltaje (Av) en un amplificador en emisor común se puede calcular
utilizando la siguiente ecuación:
Av ≈ -β * RL / (re + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se ha calculado previamente y es de
666.67 Ω.
Paso 2: Calcular Av:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Av:
Av ≈ -150 * 1.2 kΩ / (25 Ω + (1 - 150) * 666.67 Ω) ≈ -63.14
5.11 Configuración de realimentación de cd del colector

a) Impedancia de entrada (Zi):

Para calcular la impedancia de entrada (Zi) del amplificador en emisor común, se
pueden seguir los pasos descritos en las soluciones anteriores. Sustituyendo los
valores dados en las ecuaciones, se obtiene:
Zi ≈ 41.6 kΩ
b) Corriente de base (Ib):
La corriente de base (Ib) se ha calculado previamente y es de 200 μA.
c) Corriente de colector (Ic):
La corriente de colector (Ic) se ha calculado previamente y es de 30 mA.
d) Ganancia de corriente (Ai):
La ganancia de corriente (Ai) en un amplificador en emisor común es igual a la
ganancia de corriente en emisor común (β):
Ai = β = 150
e) Ganancia de voltaje (Av):
La ganancia de voltaje (Av) en un amplificador en emisor común se puede calcular
utilizando la siguiente ecuación:
Av ≈ -β * RL / (re + (1 - β) * rb)
Donde:
rb es la resistencia equivalente de la base.
Paso 1: Calcular rb:
La resistencia equivalente de la base (rb) se ha calculado previamente y es de
666.67 Ω.
Paso 2: Calcular Av:
Sustituyendo los valores calculados en la ecuación para Av:
Av ≈ -150 * 1.2 kΩ / (25 Ω + (1 - 150) * 666.67 Ω) ≈ -63.14