EJERCICIO 1

Del circuito determinar:

➢ La Ib
➢ La Ic
➢ Voltaje Conector Emisor
➢ Voltaje en la resistencia de carga
➢ Remplazar el voltaje de 10V por uno de 20V y calcular nuevamente

2V−0.7
a) IB = = 0.013 mA
100X103
b) 𝐼𝑐 = (200)(0.013) = 0.0026 𝐴
c) 𝑉𝐶𝐸 = 10𝑉 − (0.0026)(1000)=7.6V
d) 𝑉𝐶𝑅 = (0.0026)(1000) = 2.6𝑉
e) 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸10𝑉 =
2.6 + 7.4
10𝑉 = 10𝑉
𝑃𝑎𝑟𝑎 20𝑉

𝑉𝐶𝐸 = 20𝑉 − (200 ∗ 0.000013 ∗ 1000) = 17.4𝑉

𝑉𝐶𝑅 = (0.0026)(1000) = 2.6𝑉 20𝑉 = 17.4 +

2.6
20V=20V
EJERCICIO 2

Del circuito Mostrado calcular la resistencia de base cuando por la

resistencia de colector debe circular 73mA.

a) Voltaje Vcc es 5V
b) Voltaje Vcc es 15V
c) Grafica

71𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = 1.42𝑚𝐴
50
5 − 0.7
𝑅𝐵 = = 3028Ω
0.00142

EJERCICIO 3

Determinar si el transistor se encuentra en saturación y dibujar recta de carga.

5𝑉 − 0.7
𝐼𝐵 = = 43𝑚𝐴
100𝑋103
𝐼𝐶 = 200 ∗ 43𝑋10−6 = 8.6𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 15 − 0.0086 ∗ 1000 = 6.4𝑉
Para Corte
.
𝑉𝐶𝐸𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 𝑉𝐶𝐶 = 15𝑉
𝐼𝑐𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 0
Para Saturación

𝑉𝐶𝐸 = 0
15
𝐼𝑐𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑡𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 = = 15𝑚𝐴
1000
EJERCICIO 4

Del circuito mostrado determinar si el transistor se encuentra e corte o saturación.

𝑃/𝐶𝑜𝑟𝑡𝑒
10 − 0.7 𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝐶𝐸 = 10𝑉
𝐼𝐵 = = 0.93𝑚𝐴
1𝐾
𝐼𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 0
𝐼𝑐 = 100 ∗ .93 = 93𝑚𝐴
𝑃/𝐶𝑜𝑟𝑡𝑒
𝑉𝑐𝑐 = 0.093 ∗ 1000 = −83𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑃/𝐶𝑜𝑟𝑡𝑒
10
𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝐶𝐸 = 10𝑉 𝐼𝑐 = = 10
1000
𝐼𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 0
𝑃/𝐶𝑜𝑟𝑡𝑒
1
𝑉𝐶𝐸 = 0

10
EJERCICIO 5
Un relevador se actúa mediante un transistor. El relevador requiere una I de 18mA para el
cierre y una I de sostenimiento de 10mA cuando la I cae a 9mA el relevador se desactiva.

a) La resistencia de base necesaria para el relevador entre funcionamiento.

b) Nivel de Tensión para que el transistor desecative el relevador.

0.018
𝐼𝐵 = = 0.36𝑚𝐴
50
5 − 0.7
𝑅𝐵 = = 12𝐾
0.00036
0.009
𝐼𝐵 = = 0.00018
50
𝑉𝐵𝐵 = 0.00018 ∗ 12000 + 0.7 = 2.86𝑉
 EJERCICIO 6
Tipos de motores especiales y características -> ABI

5−0.7
𝐼𝐸 = = 1.95𝑚𝐴
2200

𝑉𝐶𝐸 = 15 − 1.95𝑋10−3(2200 + 1000) = 8.76𝑉

Para Corte

𝑉𝐶𝐸 = 15 − 4.3 = 10.7𝑉

Para Saturación
15−43
𝐼𝑐 = = 10.7𝑚𝐴
1000

EJERCICIO 7

En el circuito anterior el punto Q es inamovible ya que no depende de ganancia de I(B) lo que le

hace inmune a los cambios de temperatura.

5 − 0.7
𝐼𝐸 = = 1.93
2200
𝑉𝐶𝐸 = 15𝑉 − (1.95𝑋10−5)(1000 + 2200) = 8.76𝑉

Corte
𝑉𝐶𝐸𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 15 − 4.3 = 10.7𝑉

Saturación
15−4.3
𝐼𝑐 = = 10.7𝑚𝐴
1000
EJERCICIO 8
24−0.7
2. 𝑅𝐸 = = 1200Ω
0.020

𝐼𝐷 = 10(0.02) = 0.2𝐴

24
𝑅1 = = 120Ω
0.2

Para que el transistor Q2

0.2
𝐼𝐵 = = 2𝑚𝐴
100

5 − 0.7
𝑅𝐵 = = 2200Ω
2

Saturación fuerte
𝑅𝐵 = 10𝑅𝑐

EJERCICIO 9

3. Señal Alterna Para su función

10−4.3
𝐼𝐶 = = 1.58𝑚𝐴
3600
Para 6V

6𝑉 − 0.7
𝐼𝐸 = = 530𝜇𝐴
10000

𝑉𝐶𝐸 = 10𝑉 − (530𝑋10−6(3600 + 10000) = 2.792𝑉

Para 5v -> punto Q

5 − 0.7
𝐼𝑒 = = 430𝜇𝐴
10000

𝑉𝐶𝐸 = 10 − (43010−6(3600 + 10000) = 4.15

Para 4V

4 − 0.7
𝐼𝐸 = = 330𝜇𝐴
10000

𝑉𝐶𝐸 = 10 − (330𝑋10−6(3600 + 10000) = 5.51

Para corte

𝑉𝐶𝐸 = 10 − 4.3 = 5.7𝑉

 EJERCICIO 10
Para un sistema de hilo de corte caliente para poliestireno se requiere mantener un
sistema de corriente de 100mA. Determinar los valores de resistencias, dibujar y
grafica de la recta de la carga y puntos Q.

𝑅1∗10𝑉 𝑅1
10−0.7 = 93Ω 𝑅2 = → 𝑅2 =
𝑅𝐸 =
100𝑋10−3 20 2
𝑅1 𝑅1 2𝑅1+𝑅1
𝐼𝐷 = 10(100𝑚𝐴) = 1𝐴 𝑅𝑡 = + →
1 2 2

30
𝑅𝑇 = = 30Ω 2𝑅𝑡 = 2𝑅1 + 𝑅1
1

𝑅2 𝑉2
= 2𝑅𝑡 = 3𝑅1
𝑅1 𝑉1

𝑅2𝑉1 = 𝑅1𝑉2 𝑅1 = 2 𝑅𝑡 → 2 . 30 = 20Ω

3 3

𝑅2 20𝑉 = 𝑅1 10𝑉

EJERCICIO 11

1.8 − 0.7
𝐼𝐸 = = 110µ𝐴
10000

𝑉𝐶𝐸 = 10 − 110𝑋10−6(3600 + 10000) = 8.5𝑉

Para Corte

𝑉𝐶𝐸 = 10 − (1.8 − 0.7) = 8.9𝑉

Saturación
8.9
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 = = 2.47𝑚𝐴
3600
EJERCICIO 12
Para VGS – Vth

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡ℎ = 2𝑉 − 2𝑉

𝑉𝐷𝑆 = 0

𝑃𝑎𝑟𝑎 2.5𝑉
𝑉𝐷𝑆 = 2.5 − 2 = 0.5𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 3𝑉
𝑉𝐷𝑆 = 3 − 2 = 1𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 5𝑉
𝑉𝐷𝑆 = 5 − 2 = 3𝑉

EJERCICIO 13

Del circuito mostrado determinar el voltaje de salida considerando que el transistor tiene una
resistencia en la región óhmica de 15Ω, cuando el transistor este encendido.

15
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 10 = 0.0125𝑉
12000 + 15
EJERCICIO 14
Para el circuito mostrado dibuje la recta de carga y determine si el transistor trabaja en
conmutación o región óhmica.

6
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 20 ∗ = 0.119𝑉
1000 + 6
20 − 0.119
𝐼𝐷 = = 20𝑚𝐴
1000
Conmutación
20
𝐼𝐷𝑐𝑜𝑛𝑚𝑢 = = 20𝑚𝐴
1000

EJERCICIO 15
Del circuito mostrado determinar la tensión la tensión VDS y la corriente del drenador,
considere Vth (voltaje de umbral) =1V K=0.1𝑚𝐴. 2 𝑉

Conmutación
0.1
𝐼𝐷 = (3 − 1)2 = 0.2
2

𝑉𝐷𝑆 = 10 − 0.2 ∗ 5000 = 9𝑉

𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑡ℎ

𝑉𝐷𝑆 > (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡ℎ)

9𝑉 > (3 − 1) ∴ 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑒𝑛 𝑐𝑜𝑛𝑚𝑢𝑡𝑎𝑐𝑖ó𝑛

EJERCICIO 16

𝑉𝐷𝑆 = 12 − 10 = 2𝑉
0.25
𝐼𝐷 = (12 − 10)2 = 0.5𝑚𝐴
2

𝑉𝐷𝑆 = 24 − (0.5 ∗ 2000) = 23𝑉

23 > (12 − 10) = 23 > 2

Voltaje en conmutación

EJERCICIO 17
0.1 1 10
𝑉𝐷𝑆2 − ( + 0.1(6 − 1)𝑉𝐷𝑆 + =0
2 600 6000

0.05 𝑉𝐷𝑆2 − 0.5001 𝑉𝐷𝑆 + 0.00166 = 0

−(−0 − 5001) ± √(0.5001)2 − 4(0.05)(0.00166)

2(0.05)
𝑋1 = 5001 + 4.998 = 10𝑉
𝑋2 = 5.001 − 4.998 = 3𝑚𝑉

𝐷𝑆 = 0.003𝑉

10 − 0.003
𝐼𝐷 = = 1.667𝑚𝐴
600
𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑡ℎ
3𝑚𝑉 < (6 − 1) = 3𝑚𝑉 < 5
 EJERCICIO 18

Del circuito mostrado determinar

a) Voltaje Gs
b) Corriente de drenado
c) Voltaje de S VDS

10
𝑉𝐺𝑆 = 12 ( ) = 4𝑉
30
0.2
𝐼𝐷 = (4 − 2)2 = 0.4𝑚𝐴
2
𝑉𝐷𝑆 = 12 − 0.4 ∗ 5000 = 10𝑉
10𝑉 > (4 − 2) ∴ 𝐶𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑒𝑛 𝐶𝑜𝑛𝑚𝑢𝑡𝑎𝑐𝑖ó𝑛

EJERCICIO 19

Diseñar un planificador con un transistor 12, debido a que requiere una

alta impedancia de entrada, ganancia de voltaje de 10.
10 1
𝑔𝑚 = = 0.002 ∴ 2𝑚𝐴
5000 Ω
𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 2𝑚𝐴 𝑚𝐴 4.5𝑉
2 (0.4 ) + 2𝑉
𝑉2

𝐶𝑜𝑛𝑚𝑢𝑡𝑎𝑐𝑖ó𝑛
𝑚𝐴
𝐼𝐷 = 0.4 (4.5 − 2) = 2.5𝑚𝐴
𝑉2
𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑖𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎
𝐼𝑑 > 10𝑅𝐷
(10) (5𝐾) = 50𝐾−> 𝑅𝑑
𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑟 𝑅2
4.5
𝐶= = 0.375
12
 (0.375)(1𝑋106)
𝑅2 = = 600𝐾
1 − 0.375
EJERCICIO 20

Del circuito mostrado determinar

d) Voltaje VGS
e) Voltaje DVDS
f) Corriente de drenado
16
𝑉𝐺𝑆 = 10𝑉 = 3.2𝑉
34 + 16
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 → 𝑉𝐷𝐷
= 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷𝑅𝑆
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 𝑉𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝐼𝑉𝑆 … … .1
𝑆𝑢𝑝𝑜𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝐶𝑜𝑛𝑚𝑢𝑡𝑎𝑐𝑖ó𝑛
𝐾
𝐼𝐷 = (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡ℎ)2 … … .2
2
𝑉𝐺𝑆 = 3.2𝑉 − 100 𝐼𝐷 … … 1
𝑉𝐺𝑆 = 3.2 − 0.1 𝐼𝐷
1
𝐼𝐷 = (𝑉𝐺𝑆 − 1𝑉)2 … … 2
2𝑉2
𝐼𝐷 = 0.5(𝑉𝐺𝑆2 − 2𝑉𝐺𝑆 − 1)
𝐼𝐷 = 0.5((3.2 − 0.1 𝐼𝐷)2 − 2(3.2 − 1) − 1)