INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE LA SIERRA

NORTE DE PUEBLA

SISTEMAS ELECTRONICOS PARA INFORMATICA

MSC FRANCISCO HERNANDEZ JIMENEZ

1.1 Componentes Discretos

 Definición: Ellos tienen una conductividad que
varía con la temperatura, pudiendo
comportarse como conductores o como
aislantes dependiendo del valor de esta.
 Se caracterizan porque en su última capa de
electrones de su estructura atómica poseen
cuatro electrones llamados electrones de
valencia
 Ejemplos.
 Si (silicio) aproximadamente el 28% de la
corteza terrestre.
 Si presenta propiedades eléctricas buenas
debido a que su resistividad eléctrica que a
temperatura ambiente es intermedia entre la
de los metales y los aislantes y su
conductividad puede ser controlada agregando
pequeñas cantidades de impurezas.
 E n l a i n d u s t r i a d e l a c e ro s e u s a c o m o u n
constituyente de las aleaciones de acero al silicio
las cuales se utilizan para hacer los núcleos de los
transformadores eléctricos porque esta aleación
disminuye la histéresis magnética.
 . Su purificación es relativamente sencilla
(llegándose a Si puro del 99,99999%) y el Si se
presta fácilmente a ser oxidado, formándose SiO2
(dióxido de silicio) y constituyendo un aislante que
se utiliza en todos los transistores de la tecnología
CMOS.
 Aunque idéntico comportamiento
 Grupos II y III y grupos VI y V

 GaAs (Arseniuro de Galio)

 InP (Fosfuro de Indio)
 AsGaAl (Arseniuro de Galio y Aluminio)
 CdTe (Teluro de Cadmio)
 CdSe (Seleniuro de Cadmio)
 CdS (Sulfuro de Cadmio)]
 Ulimalmente el azufre
Estos elementos tienen una estructura más estable si comparten electrones,
formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones con
átomos vecinos todos ellos tengan en la última capa ocho electrones, situación
que es muy estable.
 Esto hace que se forme una malla de átomos
que se denomina red cristalina

Fig. 1.1a.- Red Cristalina de Silicio (Si) Fig. 1.1b.- Red Cristalina
de Arseniuro de Galio (GaAs) Fuente: [Link]
  En la figura 1.2a se puede observar un cristal de silicio antes
del aumento de la temperatura
 figura 1.2b el cristal de silicio después de un aumento de
temperatura donde se produce la creación del hueco y del
electrón libre por el rompimiento de los enlaces covalentes del
cristal

Fig. 1.2a.- Cristal de Silicio (Si) antes del aumento de la temperatura. Fig. 1.2b.- Cristal de
Silicio (Si) después del aumento de la temperatura.
Fuente:
 El nivel energético de cada electrón puede estar
situado en la "banda de valencia" o en la "banda
de conducción" del cristal.
 Un electrón que ocupe un nivel dentro de la banda
de valencia está ligado a un átomo del cristal y no
p u e d e m ove r s e l i b r e m e n te a t r av é s d e é l ,
mientras que si el nivel ocupado pertenece a la
banda de conducción, el electrón puede moverse
libremente por todo el cristal, pudiendo formar
parte de una corriente eléctrica.
 Entre la banda de valencia y la de conducción
existe una "banda prohibida", cuyos niveles no
pueden ser ocupados por ningún electrón del
cristal.
 La magnitud de esa banda prohibida [Eg]
permite definir otra diferencia entre los
semiconductores, aislantes y conductores
 Y tiene por unidad de energía al Electrón- Voltio
[eV], la cual es igual a la energía que adquiere
una partícula cargada, cuando es acelerada en
el vacío, a través de una diferencia de potencial
de 1 voltio
 Para la conducción de la electricidad es necesario que hayan
electrones en la capa de conducción, así se pueden considerar tres
situaciones:
 Los conductores, en donde la banda de valencia y la banda de conducción a se
superponen.

 Los aislantes, en donde la diferencia existente entre las bandas de energía, en

el orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones
hacia la banda de conducción.

 Los semiconductores, en donde el salto de energía es pequeño, en el orden de

1 eV, al suministrarles energía pueden conducir la electricidad; pero además, su
conductividad puede regularse, puesto que al disminuir la energía aportada es
menor el número de electrones que salte a la banda de conducción; cosa que
no puede hacerse con los metales, cuya conductividad es constante, o más
propiamente, poco variable con la temperatura.
 Es importante notar que la conductividad eléctrica de
los semiconductores es directamente proporcional a la
temperatura, y por ello se afirma que su Coeficiente
Térmico de Conductividad es positivo, a diferencia de
los metales cuyo Coeficiente Térmico de Conductividad
es negativo
 Estos coeficientes son positivos, al aumentar la
temperatura la resistividad de los metales aumenta o,
en forma equivalente, su conductividad disminuye. Por
lo contrario, a temperaturas normales (aprox. 27°C), la
conductividad de los semiconductores aumenta en un
5% por cada grado de incremento en la temperatura.
Fig. 1.3 Estructura de las bandas de energía de un Aislante, un Semiconductor y
un Conductor Fuente: El Autor
 Semiconductores Intrínseco.

 Semiconductores Extrínseco
 Los semiconductores intrínsecos son los cristales
semiconductores puros. A temperatura ambiente se comporta
como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones
libres y huecos debidos a la energía térmica. En ellos, el
número de huecos es igual al número de electrones y es
función de la temperatura del cristal. La conductividad en ellos
a temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la cantidad de
electrones libres es igual a la cantidad de huecos presente en
el cristal debido al fenómeno de recombinación.
 A una determinada temperatura, las
velocidades de creación de pares electrón-
hueco, y de recombinación se igualan, de
modo que la concentración global de
electrones y huecos permanece invariable.
Siendo la concentración de electrones (cargas
negativas) y la concentración de huecos
(cargas positivas), se cumple que:
ni=n=p
 Siendo la concentración intrínseca del
s e m i c o n d u c to r, f u n c i ó n exc l u s i va d e l a
temperatura. Al someter al cristal a una
d i fer e n c i a d e te n s i ó n , s e p ro d u c e n d o s
corrientes eléctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la
banda de conducción, y por otro lado, la
corriente debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que
tenderán a saltar a los huecos próximos
Donde:
B: Constante del material semiconductor especifico.
E: Es la magnitud del nivel de energía entre banda (banda prohibida). T
T: Temperatura en grado Kelvin (K)
k: Constante de Boltzmann 86*10-6 eV/ K
La constante del material para el Silicio (Si) es 5,23*10 15cm-3K-3/2,
para el Arseniuro de Galio (GaAs) es 2,10*1014 cm-3K-3/2
y para el Germanio (Ge) es de 1,66 cm-3K-3/2.
 Para aumentar la conductividad en un
semiconductor intrínseco se somete al
semiconductor a un proceso de “Dopado”, el cual
consiste en agregar de una forma controlada
átomos o impurezas para cambiar sus
características eléctricas del material
semiconductor y así convertirlo en un Material
Semiconductor Extrínseco y dependiendo del tipo
de impurezas o átomos añadidos se pueden tener
dos tipos de semiconductores extrínsecos.
 Semiconductores Extrínseco Tipo N
 Semiconductores Extrínseco Tipo P
 Los semiconductores extrínsecos tipo N son los
semiconductores intrínsecos que en el proceso de
dopado se le han añadido átomos o impurezas
pentavalentes, es decir, las que poseen 5
electrones de valencia, entre las que se pueden
mencionar Fósforo (P), Arsénico (As), Antimonio
(Sb), las cuales son llamadas también Impurezas
Donadoras ellas añaden un electrón libre al cristal
a temperatura ambiente, los cuatros electrones de
valencia restantes forman enlaces covalentes con
los átomos vecinos del semiconductor.
 Estas impurezas introducen un nivel donador
e n t r e l a b a n d a d e va l e n c i a y l a b a n d a d e
conducción pero más cercano a esta última.
 En estos semiconductores a una temperatura
cualquiera existen más electrones que huecos, los
cuales serán llamados portadores mayoritarios y
portadores minoritarios respectivamente. En la
figura 1.4 se puede observar un cristal de silicio al
cual se le ha añadido un átomo de fósforo (P) el
cual genera un electrón libre.

Fig. 1.4.- Cristal de Silicio contaminado con átomos de Fósforo (Liberación de un electrón)
y átomos de Boro (Absorción de un electrón). Fuente: [Link]
 En la figura 1.5 se muestra el nuevo nivel de
energía de un semiconductor con átomos
donadores (por ejemplo P en Si), el nivel
donador se encuentra justo por debajo de la
banda de conducción. Los electrones (●) son
promocionados fácilmente a la banda de
conducción. El semiconductor es de tipo N.

 Los semiconductores extrínsecos tipo P son los
semiconductor intrínseco que en el proceso de dopado
se le han añadido átomos o impurezas trivalentes, es
decir, poseen tres electrones de valencia, entre las que
se pueden mencionar Boro (B), Indio (In), Aluminio (Al),
Galio (Ga) las cuales son llamadas también Impurezas
Aceptadoras ellas añaden un hueco en el cristal a
temperatura ambiente por cada átomo agregado al
semiconductor, tres de sus electrones de valencia
forman enlace covalente con los átomos vecinos del
semiconductor y queda un vacío en uno de los enlaces
covalentes o simplemente no se llega a formar el enlace.
 Ellas introducen un nivel aceptador entre la
banda de valencia y la banda de conducción
pero más cercano a la primera.
 En estos semiconductores a cualquiera
temperatura existen más huecos que
e l e c t ro n e s , l o s c u a l e s s e r á n l l a m a d o s
por tadores mayoritarios y por tadores
minoritarios respectivamente, contrario a los
semiconductores extrínsecos tipo N.
 En la figura 1.4 se puede ver un cristal de silicio al
cual se le ha añadido o agregado un átomo de
boro (B) el cual genera un hueco.
 En la figura 1.6 se muestra el nuevo nivel de
energía añadido en un semiconductor con átomos
aceptores (por ejemplo B en Si), el nivel aceptor se
encuentra justo por encima de la banda de
v a l e n c i a . L o s e l e c t ro n e s s o n p ro m ov i d o s
fácilmente al nivel aceptor dejando agujeros
positivos (○) en la banda de valencia. El
semiconductor es de tipo-P.
 Se ha podido obser var que, al añadir impurezas
pentavalentes al semiconductor intrínseco, disminuye el
número de huecos. De forma similar ocurre al dopar al
semiconductor con impurezas trivalentes, disminuye la
concentración de electrones libres a un valor inferior al del
semiconductor intrínseco, en condiciones de equilibrio
térmico, el producto de la concentración de las cargas
positivas y negativas libres es una constante independiente
de la cantidad de átomo donador o aceptador. Esta ecuación
se denomina Ley de Acción de Masas y viene dada por:

n*p= n i 2
 En todo material semiconductor en circuito abierto se
debe cumplir que la suma de las cargas positivas
debe ser igual a la suma de las cargas negativas. Así
la concentración de cargas positivas está constituida
por la suma de los iones positivos ND y los huecos
p, ( ND + p).. De la misma manera la concentración de
cargas negativas está constituida por la suma de los
iones negativos NA y los electrones n, (NA + n).
ND + p = NA + n.
Cuando se tiene un material tipo N, que tenga
NA=0 El número de electrones será mucho mayor
que el número de huecos y se puede aproximar la
ecuación anterior a:
N ≈ ND → nn ≈ ND
Por lo tanto lo portadores minoritarios los huecos,
se calculan utilizando la ley de acción de masas:

pn= n i 2 / ND.
Por lo tanto lo portadores minoritarios los
huecos, se calculan utilizando la ley de acción
de masas:

pn= n i 2 / ND.
 De igual manera, en un semiconductor del tipo
p:
np * pp = n2 p p ≈ NA

n p = n i 2 / NA
 En los semiconductores la corriente eléctrica
es el resultado del movimiento de ambas
cargas, es decir, de los electrones libres y los
huecos, están asociado a dos fenómenos
físicos.
Densidad de Corriente de Arrastre o
Desplazamiento (fuga)
Densidad de Corriente de Difusión.
 E s te p r i m e r fe n ó m e n o s e o r i g i n a p o r e l
movimiento de las cargas cuando se le aplica
un campo eléctrico al material semiconductor.
Cuando las cargas son aceleradas por el
campo eléctrico se produce un aumento de la
energía térmica la cual va a fomentar el
movimiento de las cargas en forma no aleatoria.
Y los portadores de carga se ven afectados de
la siguiente manera:
 Electrones libres: La fuerza que el campo eléctrico
ejerce sobre los electrones provoca el movimiento de
estos, en sentido opuesto al campo eléctrico aplicado.
De este modo se origina una corriente eléctrica. La
densidad de corriente eléctrica (número de cargas que
atraviesan la unidad de superficie en la unidad de
tiempo) dependerá de la fuerza que actúa ( q* E), del
número de portadores existentes y de la movilidad con
que estos se mueven por la red, es decir:
 Jn = µn * n * q * E
 Jp = µp * p * q * E
 Jn: Densidad de corriente de los electrones [A /
cm2]
 µn: Movilidad de los electrones en el material
[cm2/ V *s]
 n: Concentración de los electrones [cm-3]

 q: Carga eléctrica [1,6 * 10 -19C]

 E: Campo eléctrico aplicado. [V/ cm]

 La movilidad µ p es característica del material, y está
relacionada con la capacidad de movimiento del hueco
a través de los enlaces de la red cristalina.
 Huecos: El campo eléctrico aplicado ejerce una fuerza
sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes.
Esa fuerza puede provocar que un electrón
perteneciente a un enlace cercano a la posición del
hueco salte a ese espacio. Así, el hueco se desplaza
una posición en el sentido del campo eléctrico. Si este
fenómeno se repite, el hueco continúa desplazándose.
Aunque este movimiento se produce por los saltos de
electrones, se puede suponer que es el hueco el que se
está moviendo por los enlaces.
 La "facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior a
la de los electrones.
 Se puede considerar el caso de un semiconductor que
disponga de huecos y electrones, el cual se somete a la
acción de un campo eléctrico. Los electrones se mueven en
el sentido opuesto al campo eléctrico, mientras que los
huecos se mueven según el campo. El resultado es un flujo
neto de cargas positivas en el sentido indicado por el campo,
o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido contrario.
En definitiva, la densidad de corriente total es la suma de las
densidades de corriente de electrones y de huecos:
 J Arrastre_Total = Jn + Jp
 En segundo lugar se tiene el fenómeno de difusión; por regla
las cargas electrones y huecos, se mueven en sentido del
gradiente de concentración, van de regiones de mayor
concentración a regiones de menor concentración para
favorecer el equilibrio de las cargas; este movimiento genera
una corriente proporcional al gradiente de concentración. La
difusión no depende del valor absoluto de la concentración
de portadores, sino solamente de su derivada espacial, es
decir, de su gradiente la cual obedece Ley de Fick es la
relación de proporcionalidad entre la densidad de corriente y
el gradiente de concentración de portadores de carga
debido al fenómeno de la difusión
 J= - D * q* ∇ n
 J: Densidad de corriente [A/cm2].
 D: Constante de Difusión o Difusividad [cm2/s].

 :q: Carga eléctrica [1,6 * 10 19 C]

 n∇o p∇: Gradiente de concentración de

electrones (o huecos) [ cm]
 Establece la relación entre la constante de difusión (Difusividad) y la
constante de movilidad de cada portador de carga ya que ambas son
fenómenos estadísticos termodinámicas y no son independientes.
Esta relación viene dada por la ecuación de Einstein
Dn / µ n = Dp / µ p = VT

Donde VT es el “Potencial equivalente de Temperatura” o Voltaje

Térmico, definido por:
VT= k * T / q Ec. 1.14

Donde: k: Constante de Boltzmann [1.38*10-23J/ K]

T: Temperatura en Kelvin [K]
q: Carga del electrón [1.6*10-19 C]
Constantes de los Semiconductores a una Temperatura de 27°C

Semiconductor Eg(eV) B Dn Dp µn µp
(cm -3 K -3/2) (cm2 /s) (cm 2/s) (cm2/s) (cm 2/ V * s)

Si 1.1 5.23 * 10 15 35 12.5 1350 480

GaAs 1.4 2.10*1014 220 10 8500 400

Ge 0.67 1.66*1015 100 50 3900 1900

Aceptor: m. Fís. Impureza que se introduce en la red cristalina de ciertos
semiconductores para que acepten electrones en exceso.

Átomo: Es la partícula más pequeña de un elemento que mantiene las

propiedades químicas de este. Los átomos son eléctricamente neutros,
tienen la carga positiva concentrada en su núcleo y uno o más electrones
con carga negativa girando a su alrededor.

Banda de Conducción: Se denomina “banda de conducción” al nivel de

energía donde la atracción del núcleo del átomo sobre los electrones es
más débil. Ese nivel corresponde a la última órbita del átomo, la que puede
compartir así sus electrones entre el resto de los átomos de un cuerpo, allí
los electrones circulan libremente.

Banda de Valencia: Se denomina banda de valencia al último nivel de

energía u órbita más alejada del núcleo del átomo. La banda de valencia
permite que los electrones que giran en la última órbita puedan pasar de un
átomo a otro, en dependencia de su "número de valencia" o "número de
oxidación", que puede ser positivo (+), o negativo (–), de acuerdo con las
propiedades específicas de cada elemento.
Banda Prohibida: Región que está entre la banda de valencia y la de
conducción, en la cual los electrones de un átomo o red de átomos,
atraviesan por un proceso cuántico para que, por ejemplo, los
electrones de la banda de valencia lleguen a la de conducción. El
ancho de la banda prohibida se mide en unidades de energía y
determina que un material sea conductor, semiconductor o aislante.

Concentración: La concentración es la magnitud física que expresa

la cantidad de un elemento o un compuesto por unidad de volumen.

Difusión: El movimiento de átomos al azar, de una región de alta

concentración a otra de baja concentración.

Donador: Impureza que se introduce en la red cristalina de ciertos

semiconductores para que done o ceda electrones.
Dopado: Proceso mediante el cual se le cambia las características eléctricas al
material semiconductor al agregarle impureza.

Electrón Libre: Es el electrón que ha absorbido la energía suficiente para pasar a la

banda de conducción.

Enlace Covalente: Es el compartimiento de electrones de valencias.

Gradiente: Se denomina gradiente de un campo escalar a la variación espacial del

mismo. El resultado es un vector. Este vector apunta en la dirección en la que la
variación del campo es mayor por unidad de desplazamiento, y el módulo nos indica
el valor de dicho cambio, por tanto, el gradiente es la mayor de las derivadas
direccionales de un punto dado dentro de dicho campo u. Matemáticamente se
obtiene derivando parcialmente el vector respecto de cada una de las coordenadas
espaciales.

Hueco: Es el vacío que queda en el átomo después del rompimiento de un enlace.

Ión: Es cuando un átomo gana o cede uno o varios electrones en su última
órbita o capa.
Ión Positivo: Se cuando el átomo cede o pierde electrones, debido a que en
esa situación la carga eléctrica positiva de los protones del núcleo supera a
la negativa de los electrones que quedan girando en sus respectivas órbitas.
Ión Negativo: Se cuando el átomo gana algún electrón en la última órbita,
en este caso la carga eléctrica negativa (–) de los de electrones supera a la
carga positiva de los protones contenidos en el núcleo.
Ionización: Mecanismo mediante el cual un electrón de valencia absorbe
energía suficiente para pasar a la banda de conducción.
Ley de Fick: La ley de Fick dice que el flujo difusivo que atraviesa una
superficie es directamente proporcional al gradiente de concentración. El
coeficiente de proporcionalidad se llama coeficiente de difusión (D, en
cm2s-1 )
Recombinación: Es cuando un electrón es recapturado por un hueco,
restableciendo el enlace covalente.
Tiempo de Vida: Es el tiempo que tarda un electrón libre en ser capturado
por un hueco.
[Link] TEORÍA DE DIODOS
El Diodo
Un d i o d o n o e s m á s qu e l a u n i ó n d e u n
semiconductor tipo P con un semiconductor
tipo N al que se le han añadido 2 terminales
uno en la parte P y otro en la parte N, para
poder acoplarse a un circuito. En la figura 2.1
s e p u e d e o b s e r va r u n a r e p r e s e n t a c i ó n
idealizada de la unión PN.
Es decir que el semiconductor de la región P tiene
impurezas de tipo aceptadora con una
concentración NA y la región N tiene impurezas de
tipo donadora ND. A la temperatura ambiente esas
impurezas son ionizadas. Una impureza
aceptadora N A da un hueco libre móvil y una
impureza donadora ND da un electrón libre móvil.
Después esas impurezas forman iones cargados,
fijos en la red, iones negativos en la región P e
iones positivos en la región N respecto a la
característica de la neutralidad de los
semiconductores antes del movimiento de los
portadores.
 Cuando los trozos de semiconductores entran
en contacto, comienza a actuar los
mecanismos de difusión tanto en los
electrones del semiconductor N como en los
huecos del semiconductor P. El mecanismo de
difusión actúa de modo similar al
comportamiento de un gas.
 Por Ejemplo, los huecos del semiconductor P,
cuando se ven unidos a un trozo de
semiconductor en el que la presencia de huecos
es casi nula (Semiconductor N), comienzan a
desplazarse hacia el semiconductor tipo N.
Ahora bien, tal como lo haría un gas, los huecos
que se encuentran en la frontera con el
semiconductor N comienzan a desplazarse hacia
la zona del semiconductor tipo N, con el propósito
de equilibrar la concentración de huecos a lo largo
de toda la unión PN.
 Ocurre exactamente lo mismo con los
electrones del semiconductor N que se
encuentran en la frontera con semiconductor
tipo P donde apenas hay unos cuantos
electrones, comienzan a desplazarse hacia la
zona del semiconductor tipo P.
 ¿Que ocurriría si los huecos de la zona P se dirigen
a la zona N y los electrones de la zona N se dirigen
a la zona P?
 Como los electrones se dirigen a un sitio con
muchos huecos, se recombinan con los huecos, y
como los huecos se dirigen a un sitio con muchos
electrones, también se recombinan con los
electrones, esto conlleva que en la zona próxima a
la unión se produzca un vaciamiento de
portadores libres (electrones y huecos), quedando
por lo tanto en presencia de los iones de los
semiconductores, cargada positivamente en el
semiconductor N y negativamente en el P.
 Ahora bien, conformé se va formando esa
región de carga espacial o también conocida
como región de agotamiento, entorno a la
unión, se va creando un campo eléctrico E en
dicha región de carga, y dirigido de la parte
positiva a la negativa como se puede observar
en la figura 2.2.
 En principio, los electrones y los huecos seguirán
difundiéndose, pero en el momento en que forma
el campo eléctrico este se opone al movimiento de
electrones de la zona N a la P y se opone al
movimiento de huecos de la zona P a la N. Por lo
tanto hay, una doble tendencia que intenta mover
a los electrones y a los huecos: la difusión y el
campo eléctrico que se generan en la región de
carga espacial.
Al principio, la difusión es suficiente para vencer al
campo eléctrico, pero, al ir creciendo la región de
carga espacial, el campo también crece, y cada
vez se opone con más fuerza a la difusión. Pero
llega el momento en que el campo eléctrico sea lo
suficientemente grande como para detener el flujo
de los electrones y huecos debido a la difusión.
Entonces se habrá llegado a una situación de
equilibrio, y habrá cesado el flujo de carga.
 Como se ha dicho anteriormente la unión PN
conforma un diodo. Ahora queda añadirle 2
terminales externos para ver cómo se
comporta la unión PN cuando se le aplica una
determinada tensión entre la parte p y su parte
n.
 Suponga que se le aplica una tensión positiva
VD entre la parte p y n como muestra la figura
2.4.
 El hecho de aplicar esa tensión VD hace que se
forme un campo eléctrico que atraviesa toda la
unión PN, y cuyo sentido es de la zona p a la zona
n, ese campo se superpone en sentido opuesto al
campo eléctrico que había en la región de carga
espacial el cual disminuye, provocando que se
reanude la difusión y que se genere una corriente
eléctrica en el sentido de p a n, debida al flujo de
huecos hacia la zona n y el flujo de electrones
hacia la zona p. En tal situación la región de carga
espacial habrá disminuido. Situación que se
puede observar en la figura 2.5.
La corriente es debida en su mayor parte al movimiento de los portadores
mayoritarios tanto de los huecos como de los electrones
 La corriente es debida en su mayor parte al
movimiento de los portadores mayoritarios
tanto de los huecos como de los electrones.
 Suponga ahora que se le aplica una tensión
positiva VD entre la parte n y p como muestra la
figura 2.6
 Al aplicar más tensión a la parte N que a la parte P
se genere un campo eléctrico →E D dirigido de la
zona N a la zona P, que se superpone al campo de
la región de carga espacial, y, al ser del mismo
sentido, da como resultado que el campo eléctrico
→E de la región de carga aumente; al ser el
campo el elemento que se opone a la difusión,
entonces, al aumentar imposibilita aun más la
difusión. El resultado es que, al igual que en el
equilibrio, no circulara corriente a través de la
unión, pero esta vez habrá aumentado la región
de carga espacial. Como se puede observar en la
figura 2.7.
 En la polarización Inversa se dice que no hay
circulación de corriente significativa a través de
la unión pero en realidad existe una
pequeñísima corriente eléctrica que es debida
a los portadores minoritarios y fluye de la zona
N a la zona P la cual recibe el nombre de
corriente inversa de saturación.
 Matemáticamente, la relación existente entre
la tensión directa VD que soporta la unión y la
corriente Ι que fluye de la zona P a la zona N
viene dada por la siguiente expresión:
 Esta es la expresión Ι = f(VD) de una unión ideal. En una
unión real, es similar pero no del todo idéntica.

 Donde:
 Ι: Es la intensidad de corriente que atraviesa el diodo (A)
 VD: Es diferencia de tensión en los extremo del diodo (V)
 ΙS: Es la intensidad de corriente de saturación (Es decir
valores negativos de VD)
 η: Coeficiente de Corrección, η = 1 para el Ge y η = 2
para el Si en niveles relativamente bajos de corriente
del diodo (En o abajo del punto de inflexión de la curva)
y η = 1 para el Si y Ge en mayores niveles de corriente
del diodo (En la sección de crecimiento rápido de la
curva)
 VT: Es una Constante que varía con la temperatura
conocido como “Voltaje Térmico” o “Potencial
equivalente de Temperatura” y que para una
temperatura de 300 K tiene un valor de:

 VT= 0.259V = 25.9 mV

 La gráfica de esta relación tensión corriente es
evidente:
Si a la unión PN se le aplica una tensión inversa muy grande, entonces
por ella circulará una corriente inversa considerable, debida a dos
mecanismos.
 Si la tensión inversa es muy grande, entonces el campo
eléctrico que soporta la unión también lo es Como ese
campo atraviesa toda la unión, es capaz de captar tanto
electrones minoritarios de la zona P como huecos de la
zona N, y acelerarlos mucho, de tal modo que, tan
grande es su energía cinética, que al colisionar con los
enlaces de la red cristalina, se llevan por delante a otros
tantos electrones ( es decir, rompen los enlaces,
liberándose electrones), que, por el mismo mecanismo,
pueden seguir rompiendo mas enlaces y en
consecuencia generan al final una gran cantidad de
electrones en movimientos que dan lugar a la corriente
eléctrica.
 El efecto zener se basa en la aplicación de
tensiones inversas que originan fuertes campos
eléctricos que producen la rotura de los enlaces
covalentes dejando así electrones libres capaces
de establecer la conducción y no requiere la
aceleración de un portador de carga (huecos o
electrones) debida al campo. El efecto zener es
reversible y así no es destructible cuando se limita
la corriente a un valor no demasiado elevado para
que no se funda la unión
 De ese modo, la grafica real de la corriente que
circula por la unión en sentido de P hacia N en
función de la tensión directa será:
 Donde:

 Vγ: Tensión umbral.
 La tensión umbral (también llamada barrera de
potencial) de polarización directa coincide en valor
con la tensión de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado.
 Ιmax: Corriente máxima.
 Es la intensidad de corriente máxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
 Ιs:Corriente Inversa de Saturación
 Es la pequeña intensidad de corriente que se
establece al polarizar inversamente el diodo por la
formación de pares electrón-hueco debido a la
temperatura, admitiéndose que se duplica por
cada incremento de 10 º en la temperatura.
 Vr: Tensión de ruptura.

 Es la tensión inversa máxima que el diodo puede

soportar antes de darse el efecto avalancha.
 Como se dijo anteriormente un diodo no es
más que una unión PN a la que se le añaden 2
terminales externos para conectarse a un
circuito, en la figura 2.10 se puede observar la
representación simbólica y la física de un diodo
normal (De Propósito General o Rectificador)
con son 2 terminales Ánodo (Positivo) y Cátodo
(Negativo).

 Cuando el punto de operación de un diodo se mueve
desde una región a otra, la resistencia del diodo
también cambia debido a la forma no lineal de la curva
característica, si se analiza un diodo trabajando en
régimen de continua o si está trabajando en pequeña
señal, lo cual significa que se aplica una señal alterna
montada sobre un nivel de continua. Se puede decir
que tiene 2 tipos de resistencia:

 Resistencia Estática.
 Resistencia Dinámica.
 Se obtiene al aplicar voltaje directo, el punto de
operación no cambia con el tiempo, es decir la
resistencia estática de un diodo es
independiente de la característica en la región
entorne al punto de interés solo depende del
Voltaje y la corriente en el punto de
polarización (Q). Este punto corresponde a una
tensión de polarización que para un valor
determinado da una corriente constante en
régimen continuo.
 RD= Vd / Id
 Resistencia Dinámica La resistencia del diodo
cambia con la corriente que le atraviese, por lo
tanto se define una resistencia en cada punto de
la característica por la expresión:
 rD= dV/dI
 rD Se llama resistencia o dinámica de la unión,
que corresponde a la resistencia interna del diodo.
Gráficamente la resistencia dinámica rD es un
punto de la característica y se mide por la
pendiente de la recta tangente en ese punto.
 La ecuación anterior corresponde a la
expresión de la resistencia de unión
correspondiente a la corriente Ι que la
atraviesa, es decir, que fija el punto sobre la
curva característica Ι(V) llamado punto de
polarización. La resistencia diferencial cambia
el punto de polarización sobre la curva
característica.
 A la temperatura ambiente:


 rD = 25,9 Ω cuando Ι = 1mA

 rD = 2,59 Ω cuando Ι = 10mA

 rD = 2,59KΩ cuando Ι = 10µA

 La resistencia diferencial o dinámican rD= dV/dI
se puede determinar gráficamente por la medición
de la pendiente de la tangente a la curva
característica en el punto de polarización. Esa
pendiente da 1/ rD .

 Experimentalmente se puede notar la resistencia
dinámica del diodo como la razón de una pequeña
variación de voltaje ΔV y de la variación
correspondiente de la intensidad ΔΙ.

Prácticamente se toma una pequeña variación de
la ΔΙ alrededor del punto de polarización Ι y se nota
l a v a r i a c i ó n c o r r e s p o n d i e n t e d e l Δ V. E s a s
variaciones deben ser pequeñas porque la
característica se aproxima a una recta y eso es
exacto sobre un pequeño intervalo ΔΙ alrededor de Ι.
Fig. 2.12 Resistencia dinámica y Variación del
punto Q
 Los semiconductores dependen mucho del
efecto de la temperatura. En el caso de los
diodos la temperatura cambia:
 A la corriente Ι directa constante, el valor de la
tensión a los bornes del diodo.
 A la tensión inversa constante, el valor de la
corriente inversa de saturación ΙS
 Esos efectos se denominan “Derivas Térmicas”.
 La corriente inversa de la unión viene del flujo
de los portadores minoritarios en la unión. Es
decir que la variación de ΙS en función de la
temperatura sigue la ley de variación de la
generación de los portadores en función de la
temperatura.

 El término de la ecuación anterior, cambia mucho
más que T 3alrededor de la temperatura ambiente
(300 K).

 Ec. 2.7

 Donde ki = 0,072/°C= 7.2%/°C, resulta:

 “ΙS se duplica aproximadamente cada 10 °C de
aumento de la corriente inversa de los diodos de
Si es menor que la corriente inversa para los
diodos Ge. Esta corriente aumenta rápidamente
cuando aumenta la temperatura.
 Influencia de la temperatura sobre la tensión directa
a los bornes de la unión.
 De manera general la tensión a los bornes de un
diodo de unión PN de Si o Ge polarizada a corriente
constante, disminuye aproximadamente de 2,3
mV/°C cuando la temperatura ambiente aumenta
1°C.
 T1,T2 : Temperatura
 Kv Coeficiente de temperatura V/°C (usado en
termómetros)
 -2,5 mV/°C Germanio
 -2,0 mV/°C Silicio
 -1,5 mV/°C Schottky
 Capacidad de agotamiento o Transición.
 Capacidad de Difusión
 Del comportamiento de la unión PN en la
región inversa se puede observar la analogía
entre la capa de agotamiento (o deplexión) de
un condensador. A medida que cambia el
voltaje en paralelo con la unión PN, la carga
almacenada en la capa de agotamiento cambia
de conformidad. En la figura 2.14 se muestra
una curva característica típica de carga versus
el voltaje externo aplicado de una unión PN.
 Cuando el dispositivo se polariza en inverso y la
variación de la señal alrededor del punto de
polarización es pequeña como se ilustra en la
Fig. 2.14 se puede usar una aproximación de
capacitancia lineal. Desde esta aproximación a
pequeña señal, la capacidad de agotamiento o
transición es simplemente la pendiente de la
curva qJ versus Ven el punto Q de polarización.
 Fácilmente derivando se puede hallar una
expresión para Cj. Si se trata la capa de
agotamiento como un condensador de placas
planas paralelas se obtendrá una expresión
idéntica para Cj.

 Donde:

 Cj :Capacitancia de unión o de transición o de
agotamiento
 ε S:Permitibilidad del semiconductor
 Wagot: Ancho de la región de agotamiento.
 A:Área de la unión

 La expresión resultante para C jse puede
escribir en una forma conveniente
 Donde:
 Cjo : Capacitancia con polarización cero es decir
VR = VQ = 0
 VR: Tensión de polarización Inversa

 VO: Potencial de la región de transición

 Donde m es una constante cuyo valor depende de la
manera en que cambia la concentración del lado P al
lado N de la unión. Se denomina coeficiente de
distribución, y su valor es de ⅓ a ½. También se conoce
Cj = CT.
 Para resumir, a medida que un voltaje de polarización
inversa se aplica a una unión PN, ocurre un transitorio
durante el que la capacitancia de agotamiento se carga
al nuevo voltaje de polarización. Una vez que
gradualmente desaparezca el transitorio, la corriente
inversa de estado estable es simplemente ΙS.
 En realidad, corrientes de hasta nos pocos nanoamper
(10-9A) circulan en dirección inversa, en dispositivos
para los que ΙS es del orden 10-15A. Esta gran diferencia
se debe a fuga y otros efectos. Además, la corriente
inversa depende en cierta medida de la magnitud del
voltaje inverso, contrario al modelo teórico, que expresa
que Ι ≅ ΙS independiente del valor del voltaje inverso
aplicado. No obstante lo anterior, debido a que
intervienen corrientes muy bajas, por lo general no se
toma en cuenta los detalles de la curva característica i-v
del diodo en la dirección inversa.

 En la Figura 2.15 se observa la variación de CT
en función de VR para dos diodos típicos.

Fig. 2.15 Variaciones de C Ten función de V Rpara dos diodos

Típicos
 Se observa de la figura 2.15 que cuanto mayor
sea la tensión inversa, mayor es el ancho Wagot de
la región de agotamiento o de carga espacial, y
como consecuencia, menor la capacidad Cj.
 De manera análoga, si aumenta la tensión directa,
Wagot disminuye y Cj aumenta. En ciertos circuitos
se utiliza este efecto de la variación de la
capacidad con la tensión de una unión PN
polarizada inversamente.
 De la descripción de la operación de la unión PN
en la región de sentido directo se observa que, en
estado estable, cierta cantidad de exceso de carga
de portadores minoritarios se almacena en la
mayor parte de cada una de las regiones P y N con
carga neutra. Si cambia la tensión entre
terminales, este cambio finaliza antes de que se
alcance un nuevo estado estable. Este fenómeno
de carga y almacenamiento da lugar a otro efecto
capacitivo, muy diferente del que se debe al
almacenamiento de carga en la región de
agotamiento.
 Para pequeñas variaciones de carga situadas
alrededor de un punto de polarización,
podemos definir la capacitancia de difusión a
pequeña señal Cd como:
Donde Ι es la corriente del diodo en el punto de
polarización. Es de Notar que Cd es directamente
proporcional a la corriente Ι del diodo y es, por lo tanto,
tan pequeña que es despreciable cuando el diodo se
polariza inversamente. Es de notar también que para
mantener una Cd pequeña, el tiempo de tránsito τT
debe hacerse pequeño, lo cual es un requisito
importante para diodos destinados para operación a
alta velocidad o alta frecuencia.
 Modelo Ideal
 Modelo de caída de voltaje constante

 Modelo Lineal por tramos

 Un modelo útil para una gran variedad de
instancias del análisis es el “ideal”, que describe
al diodo como una válvula unidireccional, esto es,
como un conductor perfecto cuando es polarizado
directamente (positivo en el ánodo, negativo en el
cátodo), y como un aislador perfecto cuando es
polarizado negativamente.
 La figura 2.16 muestra la grafica el modelo ideal.


En este modelo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el
símbolo de diodo por cortocircuitos (los supuestos en estado ON) y
por circuitos abiertos (los supuestos en estado OFF).
 En este modelo no solo se sustituyen o se
reemplazan en el circuito el símbolo de diodo
por cortocircuitos los que están en estado ON y
por circuitos abiertos los que están en estado
OFF, sino que se lo agrega una fuente de
tensión en serie al diodo al diodo ideal, el valor
de la fuente es la tensión umbral del diodo. En
la figura 2.17 se puede observar la curva
característica V vs. Ι de diodo bajo usando esta
aproximación o modelo
 Algunas aplicaciones cuyas solución requiere
de mayor precisión obligan a mejorar el modelo
anterior, haciendo consideración tanto del
voltaje de umbral (VD0) (diferente de 0[V]) como
del carácter finito de la pendiente de la curva
V-Ι.



 rD =20 Ω; ΙD = 0
 VD ≤ V D0

 ΙD = (VD – VD0)/rD

 Para VD ≥ VD0

 rD : Resistencia interna del diodo válida tanto

para condiciones estáticas como dinámicas.