EEPROM - Wikipedia, la enciclopedia libre [Link]
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EEPROM
EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable
Programmable Read-Only Memory (ROM programable y
borrable eléctricamente).1 Es un tipo de memoria ROM que
puede ser programada, borrada y reprogramada
eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse
mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son
memorias no volátiles.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por
un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante
(estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida
proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de EEPROM de Silicon Storage
veces, solo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y Technology 39VF512.
un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras
ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor
rapidez.
La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras
trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos del IEEE
de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer chip comercial de tipo
NOR.
Referencias
IEEE Transactions on Electron Devices.
1. Suzuki, E.; Hiraishi, H.; Ishii, K.; Hayashi, Y. pp. 122-128. ISSN 0018-9383 ([Link]
(1983). A low-voltage alterable EEPROM g/resource/issn/0018-9383). doi:10.1109/T-
with metal—oxide-nitride—oxide— ED.1983.21085 ([Link]
semiconductor (MONOS) structures 30 (2). 983.21085).
Enlaces externos
▪ EEPROM ([Link]
l/) de Atmel
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