MODELO DE EBERS-MOLL
En el transistor BJT se tienen modelos parciales para cada una de las
regiones de funcionamiento (corte, saturación, RAN). Sin embargo,
existe un modelo estático general válido para las tres regiones: el
modelo de Ebers-Moll.
El modelo está basado en el hecho de que un transistor BJT se
compone de dos uniones PN, la unión base-emisor y la unión base-
colector. Por lo tanto se puede expresar las corrientes del transistor
como la superposición de las corrientes en las dos uniones PN. En la
figura se muestra la notación empleada durante este apartado.
Considerando el modelo ideal para los diodos BE y BC se tiene que:
Donde ICS, IES son las corrientes de saturación de ambos diodos.
Sin embargo, el comportamiento del transistor es más complejo que
el de dos diodos conectados en serie. Se debe tener el cuenta el
efecto transistor debido a que las uniones se encuentran muy
próximas entre sí se produce una interacción electrónica entre ellas.
En la figura a continuación se muestra el modelo de Ebers-Moll para
un transistor NPN. Este se compone de dos diodos de unión PN y dos
fuentes de intensidad dependientes.
Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN.
El efecto transistor viene caracterizado por las fuentes de corriente
dependientes. Como se ha explicado, parte de la corriente I DBE, que
circula por la unión base-emisor es atrapada por la unión base-
colector. Este hecho se modela mediante la fuente de corriente FIDBE.
F es un parámetro característico de cada transistor que toma valores
próximos a la unidad.
De igual manera, parte de la corriente IDBC atraviesa la región de base
para alcanzar el emisor. Esto se modela con la fuente de corriente
RIDBC. Debido a que la estructura de un transistor no es simétrica,
sino que está optimizada para obtener valores altos de F, R es
generalmente pequeña (desde 0.02 a 0.5).
Además, aplicando las leyes de la física de semiconductores se
obtiene la condición de reciprocidad, que se concreta en la siguiente
expresión:
IS toma valores entre 10-14 y 10-15 A para transistores de baja
potencia.
Si se aplica la ley de los nudos en el emisor, el colector y la base
Se puede sustituir en esta ecuación las corrientes de los diodos I DBE y
IDBC. Además, si se definen las constantes bF y bR de manera que
las ecuaciones anteriores, resultan
que son las ecuaciones de las intensidades en los tres terminales del
transistor NPN según el modelo de Ebers-Moll. Estas ecuaciones son
válidas para cualquier región de funcionamiento.
Aún siendo un modelo complejo del transistor, el modelo de Ebers-
Moll no describe todos los efectos que tienen lugar en el dispositivo.
Los llamados efectos de segundo orden como la tensión de ruptura en
inversa de las uniones PN, o la dependencia de IC con VCE no están
incluidos en este modelo.
APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION
ACTIVA NORMAL
Como ya se ha comentado, el funcionamiento en la región activa
normal de un transistor se caracteriza por tener la unión PN
polarizada en directa (con VBE 0.7V) y la unión base colector
polarizada en inversa (VBC < 0). Obsérvese que bajo estas condiciones
las expresiones exponenciales de las ecuaciones de Ebers-Moll se
pueden simplificar
y las ecuaciones quedan reducidas a:
Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser
despreciable frente al valor de IB, IC e IE, a partir de las ecuaciones B.
y C., se puede obtener la relación